JPH06177432A - 発光ダイオードランプおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードランプおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程を煩雑化することなく、また、安定
した光散乱効果を得ることができる発光ダイオードラン
プを得る。 【構成】 発光ダイオード素子２が封止された透光性の
モールド部１０からリード端子１ａ，１ｂが導出された
発光ダイオードランプであって、モールド部１０は光散
乱剤を含有しない透光性樹脂からなり、かつ、その表面
は粗面に形成されている。発光ダイオード素子２から照
射される光は、モールド部１０の内部で散乱されること
なく、モールド部１０の表面でのみ散乱されて出射され
る。
した光散乱効果を得ることができる発光ダイオードラン
プを得る。 【構成】 発光ダイオード素子２が封止された透光性の
モールド部１０からリード端子１ａ，１ｂが導出された
発光ダイオードランプであって、モールド部１０は光散
乱剤を含有しない透光性樹脂からなり、かつ、その表面
は粗面に形成されている。発光ダイオード素子２から照
射される光は、モールド部１０の内部で散乱されること
なく、モールド部１０の表面でのみ散乱されて出射され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード素子が
封止された透光性のモールド部からリード端子が導出さ
れた発光ダイオードランプに関する。
封止された透光性のモールド部からリード端子が導出さ
れた発光ダイオードランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードランプの構成を図
５を参照して説明する。一対のリード端子１ａ，１ｂの
うち、一方のリード端子１ａの先端部に発光ダイオード
素子２が固着されており、この発光ダイオード素子２と
他方のリード端子１ｂとが金属細線３を介して接続され
ている。発光ダイオード素子２が組み込まれたリード端
子１ａ，１ｂの先端部分は、光散乱剤４を混練した透光
性樹脂からなるドーム状のモールド部５で封止されてい
る。発光ダイオード素子２から照射された光は、モール
ド部５内の光散乱剤４によって散乱されながら、モール
ド部５のレンズ作用により収束されて外部へ放出され
る。
５を参照して説明する。一対のリード端子１ａ，１ｂの
うち、一方のリード端子１ａの先端部に発光ダイオード
素子２が固着されており、この発光ダイオード素子２と
他方のリード端子１ｂとが金属細線３を介して接続され
ている。発光ダイオード素子２が組み込まれたリード端
子１ａ，１ｂの先端部分は、光散乱剤４を混練した透光
性樹脂からなるドーム状のモールド部５で封止されてい
る。発光ダイオード素子２から照射された光は、モール
ド部５内の光散乱剤４によって散乱されながら、モール
ド部５のレンズ作用により収束されて外部へ放出され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の発光ダイオードランプは、モールド部５内に光
散乱剤４を混練しているため、次のような問題点があ
る。 （１）モールド部５の注型時に、透光性樹脂に光散乱剤
４を混練しなければならないので、手間がかかる。 （２）発光ダイオード素子２から照射された光は、モー
ルド部５から出射されるまでの光路中、光散乱剤４によ
って常に散乱されて拡がり、モールド部５の前面から取
り出されない光が相当量あるので、ランプの光度が低下
する。 （３）光散乱剤４を混入することにより、モールド部５
のガラス転移温度が若干低下する。 （４）透光性樹脂に光散乱剤４を混練した後、注型され
るまでに時間が経過すると樹脂内の光散乱剤４が沈澱す
るので、その経過時間の長短に応じて、モールド部５内
に混入される光散乱剤の割合が変化し、品質にバラツキ
が生じやすい。
た従来の発光ダイオードランプは、モールド部５内に光
散乱剤４を混練しているため、次のような問題点があ
る。 （１）モールド部５の注型時に、透光性樹脂に光散乱剤
４を混練しなければならないので、手間がかかる。 （２）発光ダイオード素子２から照射された光は、モー
ルド部５から出射されるまでの光路中、光散乱剤４によ
って常に散乱されて拡がり、モールド部５の前面から取
り出されない光が相当量あるので、ランプの光度が低下
する。 （３）光散乱剤４を混入することにより、モールド部５
のガラス転移温度が若干低下する。 （４）透光性樹脂に光散乱剤４を混練した後、注型され
るまでに時間が経過すると樹脂内の光散乱剤４が沈澱す
るので、その経過時間の長短に応じて、モールド部５内
に混入される光散乱剤の割合が変化し、品質にバラツキ
が生じやすい。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、製造工程を煩雑化することなく、ま
た、安定した光散乱効果を得ることができる発光ダイオ
ードランプおよびその製造方法を提供することを目的と
している。
たものであって、製造工程を煩雑化することなく、ま
た、安定した光散乱効果を得ることができる発光ダイオ
ードランプおよびその製造方法を提供することを目的と
している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、発光ダイオード素子が封
止された透光性のモールド部からリード端子が導出され
た発光ダイオードランプにおいて、前記モールド部は光
散乱剤を含有しない透光性樹脂からなり、かつ、前記モ
ールド部の少なくとも発光面は粗面に形成されたもので
ある。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、発光ダイオード素子が封
止された透光性のモールド部からリード端子が導出され
た発光ダイオードランプにおいて、前記モールド部は光
散乱剤を含有しない透光性樹脂からなり、かつ、前記モ
ールド部の少なくとも発光面は粗面に形成されたもので
ある。
【０００６】請求項２に記載の発明は、発光ダイオード
素子が封止された透光性のモールド部からリード端子が
導出された発光ダイオードランプの製造方法において、
粗面加工された成形型に光散乱剤を含有しない透光性樹
脂を注入することにより前記モールド部を形成するもの
である。
素子が封止された透光性のモールド部からリード端子が
導出された発光ダイオードランプの製造方法において、
粗面加工された成形型に光散乱剤を含有しない透光性樹
脂を注入することにより前記モールド部を形成するもの
である。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、発光ダイオー
ド素子から照射された光は、モールド部の内部では散乱
されずに発光面に至り、粗面に形成された発光面でのみ
散乱されて出射される。
ド素子から照射された光は、モールド部の内部では散乱
されずに発光面に至り、粗面に形成された発光面でのみ
散乱されて出射される。
【０００８】請求項２に記載の発明によれば、モールド
部の注型時に、発光面が粗面に形成されるので、発光面
を粗面にするための特別の工程を設ける必要はない。
部の注型時に、発光面が粗面に形成されるので、発光面
を粗面にするための特別の工程を設ける必要はない。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明に係る発光ダイオードランプの
一実施例の斜視図である。従来の発光ダイオードランプ
と同様に、一方のリード端子１ａの先端部に発光ダイオ
ード素子２が固着され、この発光ダイオード素子２と他
方のリード端子１ｂとが金属細線３で接続されている。
発光ダイオード素子２が組み込まれたリード端子１ａ，
１ｂの先端部分は、エポキシ樹脂などの透光性樹脂から
なるドーム状のモールド部１０で封止されている。この
モールド部１０の表面は、粗面に形成されている。
明する。図１は、本発明に係る発光ダイオードランプの
一実施例の斜視図である。従来の発光ダイオードランプ
と同様に、一方のリード端子１ａの先端部に発光ダイオ
ード素子２が固着され、この発光ダイオード素子２と他
方のリード端子１ｂとが金属細線３で接続されている。
発光ダイオード素子２が組み込まれたリード端子１ａ，
１ｂの先端部分は、エポキシ樹脂などの透光性樹脂から
なるドーム状のモールド部１０で封止されている。この
モールド部１０の表面は、粗面に形成されている。
【００１０】図２は、図１に示した発光ダイオードラン
プの製造方法を示している。図中、符号１１はポリプロ
ピレンなどで形成された成形型であり、その内面は粗面
加工されている。この成形型１１内に光散乱剤を含有し
ない透光性エポキシ樹脂を注入するとともに、発光ダイ
オード素子２が組み込まれたリード端子１ａ，１ｂの先
端部を挿入した後、熱硬化させることによりモールド部
１０を形成する。
プの製造方法を示している。図中、符号１１はポリプロ
ピレンなどで形成された成形型であり、その内面は粗面
加工されている。この成形型１１内に光散乱剤を含有し
ない透光性エポキシ樹脂を注入するとともに、発光ダイ
オード素子２が組み込まれたリード端子１ａ，１ｂの先
端部を挿入した後、熱硬化させることによりモールド部
１０を形成する。
【００１１】図３を参照して、実施例に係る発光ダイオ
ードランプの作用を説明する。発光ダイオード素子２か
ら照射された光はモールド部１０内を進行するが、モー
ルド部１０を形成する透光性樹脂には光散乱剤が混入し
ていないので、モールド部１０内で散乱することなく、
モールド部１０の表面に達する。モールド部１０の表面
は、粗面加工されているので、この表面で光が散乱され
て出射される。
ードランプの作用を説明する。発光ダイオード素子２か
ら照射された光はモールド部１０内を進行するが、モー
ルド部１０を形成する透光性樹脂には光散乱剤が混入し
ていないので、モールド部１０内で散乱することなく、
モールド部１０の表面に達する。モールド部１０の表面
は、粗面加工されているので、この表面で光が散乱され
て出射される。
【００１２】上述した実施例では、ドーム状のモールド
部を備えた発光ダイオードランプを例に採って説明した
が、本発明はこれに限定されず、例えば図４に示すよう
な角形形状のモールド部１２や、あるいは円柱形のモー
ルド部など、種々の形態のモールド部を備えた発光ダイ
オードランプに適用することができる。
部を備えた発光ダイオードランプを例に採って説明した
が、本発明はこれに限定されず、例えば図４に示すよう
な角形形状のモールド部１２や、あるいは円柱形のモー
ルド部など、種々の形態のモールド部を備えた発光ダイ
オードランプに適用することができる。
【００１３】また、モールド部の全表面を粗面にする必
要はなく、少なくとも発光面を粗面にすれば足りる。
要はなく、少なくとも発光面を粗面にすれば足りる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、次のような効果を奏する。 （１）透光性樹脂に光散乱剤を混練するという手間が省
けるので、製造工程を簡素化することができる。 （２）発光ダイオード素子から照射された光は、モール
ド部内で散乱されないので、ランプの光度を向上するこ
とができる。 （３）光散乱剤を混入しないので、モールド部のガラス
転移温度が低下することがない。 （４）光散乱剤が沈澱して散乱の効果が製品によってば
らつくということがなく、品質が安定する。
１に記載の発明によれば、次のような効果を奏する。 （１）透光性樹脂に光散乱剤を混練するという手間が省
けるので、製造工程を簡素化することができる。 （２）発光ダイオード素子から照射された光は、モール
ド部内で散乱されないので、ランプの光度を向上するこ
とができる。 （３）光散乱剤を混入しないので、モールド部のガラス
転移温度が低下することがない。 （４）光散乱剤が沈澱して散乱の効果が製品によってば
らつくということがなく、品質が安定する。
【００１５】また、請求項２に記載の発明によれば、モ
ールド部の注型と同時に、モールド表面に粗面を形成す
ることができるので、請求項１に係る発光ダイオードラ
ンプを容易に製造することができる。
ールド部の注型と同時に、モールド表面に粗面を形成す
ることができるので、請求項１に係る発光ダイオードラ
ンプを容易に製造することができる。
【図１】実施例に係る発光ダイオードランプの要部斜視
図である。
図である。
【図２】実施例に係る発光ダイオードランプの製造方法
の説明図である。
の説明図である。
【図３】実施例に係る発光ダイオードランプの縦断面図
である。
である。
【図４】別実施例に係る発光ダイオードランプの要部斜
視図である。
視図である。
【図５】従来の発光ダイオードランプの縦断面図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ…リード端子 ２…発光ダイオード素子 ３…金属細線 １０，１２…モールド部 １１…成形型
Claims (2)
- 【請求項１】 発光ダイオード素子が封止された透光性
のモールド部からリード端子が導出された発光ダイオー
ドランプにおいて、前記モールド部は光散乱剤を含有し
ない透光性樹脂からなり、かつ、前記モールド部の少な
くとも発光面は粗面に形成されていることを特徴とする
発光ダイオードランプ。 - 【請求項２】 発光ダイオード素子が封止された透光性
のモールド部からリード端子が導出された発光ダイオー
ドランプの製造方法において、粗面加工された成形型に
光散乱剤を含有しない透光性樹脂を注入することにより
前記モールド部を形成することを特徴とする発光ダイオ
ードランプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35087992A JPH06177432A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35087992A JPH06177432A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177432A true JPH06177432A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18413516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35087992A Pending JPH06177432A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177432A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001148515A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 |
| WO2002025744A1 (de) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Aixtron Ag | Leuchtdiode mit einem leuchtkörper |
| JP2005251875A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2007005733A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2007066938A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007521641A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-08-02 | ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 表面粗化による高効率の（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベースの発光ダイオード |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP35087992A patent/JPH06177432A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001148515A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 |
| WO2002025744A1 (de) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Aixtron Ag | Leuchtdiode mit einem leuchtkörper |
| JP2007521641A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-08-02 | ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 表面粗化による高効率の（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベースの発光ダイオード |
| US7704763B2 (en) | 2003-12-09 | 2010-04-27 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface |
| US8766296B2 (en) | 2003-12-09 | 2014-07-01 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening |
| US10446714B2 (en) | 2003-12-09 | 2019-10-15 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening |
| US10985293B2 (en) | 2003-12-09 | 2021-04-20 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening |
| US11677044B2 (en) | 2003-12-09 | 2023-06-13 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening |
| JP2005251875A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2007005733A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2007066938A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
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