CN107464859A - 发光二极管结构、组件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种发光二极管结构的制造方法及使用此方法制造的发光二极管结构及组件。方法包括将一覆晶式芯片通过一可移除的预填充层接合于一暂时基板上，激光剥离所述覆晶式芯片的成长基板，再将上述的结构与一透光的支撑体接合后，移除所述暂时基板以及所述预填充层。本发明的方法能够降低整体发光二极管结构的高度，解决上述雷射激光剥离之后产生的变形及塌陷的问题，减少翘曲问题，进而提升发光二极管组件的发光效率。

Description

发光二极管结构、组件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构制造方法，特别涉及一种使用激光剥离以移除发光二极管(LED)芯片的成长基板，及其成型过程。此外，涉及以上述方法制成的发光二极管结构、组件。

背景技术

薄型化发光二极管(LED)芯片通常使用激光剥离(Laser Lift Off)工艺用以移除成长基板，例如蓝宝石(Sapphire)基板，通过激光使未掺杂的氮化镓(GaN)(undoped-GaN)产生热分解(Thermal Decomposition)，进而使蓝宝石与磊晶层(Epitaxy layer)的氮化镓(GaN)薄膜分离。之后再将磊晶层黏合(Bonding)至硅基板，以进行垂直结构工艺。但一般磊晶层的结构强度不足，无法在激光剥离后维持原有形状。还具体的说，进行激光剥离后，氮化镓(GaN)薄膜与蓝宝石基板的接面处产生的缺陷及微小裂痕，造成接面处氮化镓(GaN)薄膜的晶格伸张，使氮化镓(GaN)薄膜向上弯曲，产生翘曲问题，进而降低组件效率。

为解决上述问题，先前技术通常搭配一层填底胶材料(“underfill”)，或称缓冲层材料，以支撑磊晶层。其中填底胶材料需与芯片的热膨胀系数(Al₂O₃ 7.5ppm/K,GaN 3.59ppm/K)匹配，同时需具有低黏度足以填入电极间隙。然而，若为降低填底胶材料的热膨胀系数以致于与芯片热膨胀系数匹配，从而提高无机成分的比例，会增加胶体黏度造成填胶不易；相反地，为使填底胶材料黏度降低而减少无机成分比例，会导致与芯片热膨胀系数的不匹配，在后续工艺中有潜在风险。

再者，为了加强芯片的强度而增加金属接点面积，可能因此需要较大的接合压力，若使用侵害性的接合条件将造成芯片损害，且接合期间缺乏顺应性仍可能导致变形及塌陷。

发明内容

本发明的技术手段在于提供一种发光二极管结构的制造方法，解决上述激光剥离之后产生的变形及塌陷的问题。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种发光二极管结构的制造方法，包括：提供一覆晶式芯片，具有一成长基板、以及一形成于成长基板上的磊晶结构。提供一可移除的预填充材料，用以将覆晶式芯片接合于一暂时基板，而形成一预填充层于覆晶式芯片与暂时基板之间的空隙。将一覆晶式芯片通过一可移除的预填充材料接合于一暂时基板，并于覆晶式芯片与暂时基板之间的空隙形成一预填充层。对覆晶式芯片的成长基板进行激光剥离。粘贴一具有波长转换材料的支撑体于上述结构上。之后移除暂时基板以及预填充层。

在本发明的一实施例中，预填充材料为胶体状材料，黏度介于300～3500cP。

在本发明的一实施例中，预填充材料选自下列群组的其中一个：镓金属、硅胶、聚二甲基硅氧烷、热敏胶材、或光敏胶材。

在本发明的一实施例中，粗化磊晶结构的半导体层的流程，至少包括下列步骤其中之一：以碱性氢氧化物进行湿式蚀刻，直到半导体层表面生成的角锥占表面积20％以上；以及利用紫外光或热能辅助蚀刻，以增加形成角锥。

在本发明的一实施例中，湿式蚀刻的流程包括下列步骤：浸泡已移除成长基板的覆晶式芯片于氢氧化钾的溶液中；以及取出覆晶式芯片，并以去离子水超音波震荡。

在本发明的一实施例中，粘贴支撑体于半导体层上的流程包括至少下列步骤其中之一：以包含波长转换材料的胶材覆盖于磊晶结构上，固化胶材而形成接合磊晶结构的支撑体，其中支撑体固化后硬度大于萧氏硬度D40；或以包含波长转换材料的荧光粉片贴合于磊晶结构上，其中荧光粉片固化后硬度大于萧氏硬度D40，且荧光粉片的尺寸大于或等于覆晶式芯片的尺寸。

在本发明的一实施例中，其中预填充层为镓金属时，移除暂时基板的流程包括下列步骤：将发光二极管结构浸泡于100℃的水中一段时间以上；以及选择性观察，若有残余的镓金属，以盐酸清理发光二极管结构。

在本发明的一实施例中，其中对预填充层为硅胶时，移除暂时基板的流程，包括下列步骤：夹取发光二极管结构离开硅胶。

在本发明的一实施例中，其中预填充层为聚二甲基硅氧烷时，移除暂时基板的流程，包括下列步骤：以胶膜取下发光二极管结构离开聚二甲基硅氧烷；以及选择性观察，若有残胶，以丙酮清理发光二极管结构。

在本发明的一实施例中，其中预填充层为热敏胶材时，移除暂时基板的流程，包括下列步骤：加热热敏胶材，直到固化解粘状态；以及吸取发光二极管结构离开所述光敏胶材管结构离开热敏胶材。

在本发明的一实施例中，其中预填充层为光敏胶材时，移除暂时基板的流程，包括下列步骤：以一选定的光线照射光敏胶材，直到固化解粘状态；以及吸取发光二极管结构离开光敏胶材。

此外，本发明更提供一种发光二极管结构，是利用上述发光二极管结构的制造方法的方式所制成的。

再者，本发明还提供一种发光二极管组件，包含一导电基板；以及利用上述发光二极管结构的制造方法制成的发光二极管结构固定于导电基板上。

本发明具有以下有益效果：本发明可降低整体发光二极管结构的高度，解决先前技术在激光剥离之后产生的变形及塌陷的问题，减少翘曲问题，进而提升发光二极管组件的发光效率。

为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明、附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体的了解，然而附图与附件仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明的发光二极管结构的芯片粘贴示意图。

图1A为本发明的覆晶式芯片一种覆晶结构实施例的示意图。

图2为本发明的覆晶式芯片粘贴于暂时基板的示意图。

图3为本发明的覆晶式芯片的剥离流程示意图。

图4为本发明的覆晶式芯片的粗化磊晶结构的示意图。

图4A为本发明图4中A部分的局部放大示意图。

图4B为本发明粗化磊晶结构的亮度改善的曲线图。

图5为本发明的覆晶式芯片贴合支撑体的示意图。

图5A为本发明的覆晶式芯片贴合支撑体另一实施例的示意图。

图5B为本发明的覆晶式芯片贴合支撑体又一实施例的示意图。

图6为本发明移除暂时基板以及预填充层的示意图。

图7为本发明一种发光二极管组件的示意图。

图8为本发明的另一种发光二极管组件的示意图。

具体实施方式

请参考图1，为本发明的发光二极管结构的芯片粘贴示意图。本发明提供一种发光二极管结构的制造方法，首先，第一步骤是提供一覆晶式芯片100，覆晶式芯片100具有一成长基板20、一形成于成长基板20上的磊晶结构10以及至少一对芯片金属垫14、17，并且对芯片金属垫14、17具有一间隔空隙S。

本实施例中，成长基板20可以是蓝宝石基板(Sapphire substrate)，其中，每一覆晶式芯片100具有彼此相对地的一第一表面100a(如图1的上侧)及一第二表面100b(如图1的下侧)，第一表面侧为生长基板20，第二表面侧具有至少一P型接触垫(P-contact pad)17及至少一N型接触垫(N-contact pad)14，且两接触垫之间具有一间隔空隙S。

请参阅图1A，为本发明的覆晶式芯片100的一种覆晶结构(Flip chipstructure)实施例的示意图。每一覆晶式芯片100的磊晶结构10是形成在成长基板20上表面，包含有一缓冲层11、一N型半导体层12、发光层13、一P型半导体层15，其缓冲层11可以是未掺杂的氮化镓(undoped-GaN)，N型半导体层12可以是N型的氮化镓，发光层13可以是一多层量子井(MQW,multiple quantum well)的半导体结构；P型半导体层15可以是P型的氮化镓。而N型接触垫(N-contactpad)14连接N型半导体层12，P型接触垫(P-contact pad)17连接P型半导体层15。更进一步的，相隔的空隙S也延伸至相对应的P型半导体层15与N型半导体层12之间。

上述磊晶结构10的层状结构仅为一举例说明。本发明不限制于上述磊晶结构10的层状结构，例如，可以省略缓冲层11，直接将N型半导体层12形成于成长基板20上。此外，P型半导体层15可以额外再形成一金属层、或透明电极层等，然后再形成上述P型接触垫17。

请再参阅图1，将本发明的覆晶式芯片100接合于一暂时基板30。关于接合的一种具体作法，可以先在暂时基板30涂布一粘接层40A。然后将覆晶式芯片100外露电极接触垫的一面(即第二表面100b)置放于上述粘接层40A上。粘接的过程，粘接层40A优选是不可流动的胶体状材料。粘接层40A可以作为预填充材料，作为暂时的支撑材料，提供缓冲的功能。粘接层40A也可以进一步固化，而形成固化状态。

然而，本发明的上述步骤也可以是先形成粘接层40A于覆晶式芯片100外露电极的一面(即第二表面100b)上，后续再与暂时基板30接合。

本发明的粘接层40A的特性在于，粘接层40A需能填入N型接触垫14与P型接触垫17之间的空隙S作为支撑，涂布厚度需大于接触垫的高度以确保粘接层40A于空隙中延伸至有半导体层位置，如图1A所示的空隙S中的N型半导体层12、发光层13及P型半导体层15。优选可以不接触成长基板20，后续移除较为容易。空隙S优选地被填满70％以上，粘接层40A于接合期间塌陷并扩展，具一延展性使覆晶式芯片100可贴平暂时基板30。延展性意即物质受力时不破裂，但具有可塑性变形的能力。胶体黏度介于300～3500cP有足够强度但又不至残胶，如Gel-8170针入度9mm，黏度600cP。

举例而言，粘接层40A可以是镓金属、硅胶(silicone gel)、聚二甲基硅氧烷(PDMS,poly-dimethylsiloxane)、热敏胶材、或光敏胶材等。镓金属常温为固态，加热至100℃后为液态。硅胶经过硬化后具有良好的物性以及缓冲性，例如可以用80℃的温度烘烤。PDMS是高分子有机硅化合物，通常被称为有机硅，具有良好的可塑性、挠曲性以及高透光度，并有低表面自由能的特性。

如图2所示，为本发明的覆晶式芯片粘贴于暂时基板的示意图。本实施例在芯片粘贴的流程中，通过轻压上述覆晶式芯片100于粘接层40A，借此，填入可移除的预填充材料于覆晶式芯片100与暂时基板30之间的空隙S，而形成一预填充层40。

本发明的实施例，以镓金属举例而言，其常温为固态，于100℃的水中10分钟隔水加热成为液体后，于热板上将液态镓平涂于暂时基板30，放上覆晶式芯片100轻压，-20℃冷却20分钟，经过量测观察，本实施例可以填满至少95％的空隙S。

本发明的实施例，以硅胶、PDMS而言，其平涂于暂时基板30后，固化即可放上覆晶式芯片100，轻压使覆晶式芯片100平贴于暂时基板30，经过量测观察，本实施例可以填满至少80％的空隙S。

本发明的实施例，以热敏胶材、或光敏胶材作为胶带形式而言，可解粘面胶带朝上，贴于暂时基板30上，放上覆晶式芯片100轻压，经过量测观察，本实施例可以填满至少70％的空隙S。

如图3所示，为本发明的覆晶式芯片的剥离流程示意图。本发明第二流程，对覆晶式芯片100的成长基板20进行激光剥离。优选是以芯片等级进行激光剥离，可避免晶元等级的激光剥离所产生的过大的应力，其使整片晶元严重翘曲。举例而言，本实施例可以使用紫外光激光，如波长248nm的氪氟准分子激光(KrFexcimer laser)。其优点在于氮化镓(GaN)对248nm氪氟准分子激光的吸收系数较高，激光能量大多在界面就被吸收完毕。相较之下，氮化镓(GaN)对波长355nm的掺钕钇铝石榴石固态激光(Nd：YAG laser)的吸收系数较小，激光穿透深度深，导致大多缺陷都在材料内部形成。

上述激光剥离流程，具体举例如下，当成长基板20为蓝宝石基板时，首先，聚焦于氮化镓层后，以适当的激光能量剥离蓝宝石基板，如750至1100mJ(微焦耳)；以一45密耳(Mil)覆晶式芯片为例，950mJ(微焦耳)即能完全剥离。能量不足会使蓝宝石基板剥离不完全导致发光层破损。再者，激光束大小须略大于欲剥除的覆晶式芯片尺寸，优选的，边长范围比覆晶式芯片多40微米(μm)以上。以45密耳(Mil)的覆晶式芯片为例，边长1143微米(μm)，每边预留60微米(μm)左右，激光束大小可为1260微米(μm)，确保样品完全受激光辐照。补充说明，由于激光光源的能量呈高斯分布，若有能量不均，可能造成芯片破损，因此可依情况调整光源位置。

如图4及图4A所示，图4为本发明的覆晶式芯片的粗化磊晶结构的示意图，图4A为图4中A部分的放大图。本发明第三流程，为粗化因成长基板20剥离后外露的磊晶结构10的一半导体层。其中上述半导体层为N型半导体层12，本实施例为N型氮化镓层。粗化半导体层的流程，包括下列步骤：以碱性氢氧化物进行湿式蚀刻，直到半导体层表面121生成的角锥1211占表面积20％以上。必要时，其中上述湿式蚀刻的流程还包括以紫外光或热能辅助蚀刻，以增加形成角锥。

本实施例，举例说明，其中上述湿式蚀刻的流程包括下列步骤，浸泡已移除成长基板20的覆晶式芯片100于3M(体积摩尔浓度mol/L)的氢氧化钾(KOH)的溶液中10分钟以上，以氢氧离子粗化N型半导体层12的表面。然后，取出覆晶式芯片100，并以去离子水超音波震荡一既定时间，例如10分钟。若有残余的镓金属粒子，可被浓度更高的氢氧化钾(KOH)或酸类，例如盐酸(HCl)清除。

请参阅图4B，为本发明粗化磊晶结构的亮度改善的曲线图。本发明经过测试，本实施例以经过不同蚀刻时间的45密耳(Mil)的覆晶式芯片与未经过激光剥离的覆晶式芯片的亮度比率做为说明，本实施例优选的，其中上述浸泡已移除成长基板20的覆晶式芯片100的时间为15分钟时，亮度增加至130％。

请参阅图5，为本发明的覆晶式芯片的贴合支撑体的示意图。本发明第四流程，为粘贴一透光的支撑体50于上述半导体层上。依图1A的实施例，也就是位于磊晶结构10顶面的N型半导体层12。因而形成一发光二极管结构200(不含暂时基板30以及预填充层40)。本实施例的支撑体50为一具有波长转换材料的透光层，如荧光粉片。其用意在于，本发明移除成长基板后，发光层13本身会翘曲，利用荧光粉片解决应力问题，此外，本实施例可以控制荧光粉片的宽度，或包覆磊晶结构10，以避免发光层13的蓝光由磊晶结构10侧边漏出，而降低发光效率。

本发明，支撑体50可以是荧光粉片或包含波长转换材料的胶材。

举例而言，上述粘贴支撑体50的流程包括以荧光粉片贴合于磊晶结构10上，也就是说，荧光粉片贴合于如图1A所示的磊晶结构10的N型半导体层12上，一种优选的实施例，其中荧光粉片可以是荧光粉末与胶体、陶瓷或玻璃制成混合的片状，荧光粉片固化后硬度大于萧氏(Shore)硬度D40，厚度大于150微米(μm)，用以支撑发光层13。尺寸可大于或等于覆晶式芯片100。一种实际的作法，以固晶机台贴片，约120g轻压覆晶式芯片100(无成长基板20)确保完整贴合。

举例而言，就胶材而言，其中上述粘贴支撑体的流程包括以胶材直接覆盖于磊晶结构10上。一种实际的作法，可以固晶机台(图略)沾上具有波长转换材料的胶材，其中胶量需足以覆盖整颗已移除成长基板20的覆晶式芯片100所有外露表面，包含磊晶结构10的上表面121及其四个侧面。如图5A所示，支撑体50a延伸至磊晶结构10的两侧，完全盖住磊晶结构10，而形成发光芯片二极管结构200a。此外，因胶材会直接接触覆晶式芯片100，需要使用耐热与耐光的胶材，如折射率1.4的硅胶。

请参阅图5B，为本发明的覆晶式芯片贴合支撑体又一实施例的示意图。与上述实施例不同的地方在于，支撑体50b的宽度大致等于磊晶结构10的宽度。综上各种实施例，本发明的支撑体的宽度可以大于或等于磊晶结构10的宽度。

上述优点在于，移除成长基板20后，发光层13本身会翘曲，本实施例利用具有荧光粉波长转换材料的透光支撑体50,50a,50b解决应力问题，并可通过控制透光支撑体的宽度避免发光层13的蓝光漏出。此外，经过移除成长基板，本实施例的厚度可降低约150μm，还可避免侧向发光。另外，由于芯片的发光层厚度小于10μm，蓝光几乎只剩正向发光，可全被转换成白光。

请参阅图6，为本发明移除暂时基板以及预填充层的示意图。本发明第五流程，为移除暂时基板30以及预填充层40。举例而言，其中预填充层40为镓金属时，则移除暂时基板的流程，包括下列步骤：将覆晶式芯片100浸泡于100℃的水中一段时间；以及选择性观察若有残余的镓金属，以稀盐酸清理覆晶式芯片100。此种方式优点在于，容易移除，熔点低，热水浸泡即可，可重复使用。

举例而言，其中预填充层40为硅胶时，则移除暂时基板30的流程，包括下列步骤：吸取发光二极管结构200离开硅胶。此种方式优点在于，可直接吸取，容易移除，可重复使用，硅胶黏度优选为300cP至3500cP。

举例而言，其中预填充层40为聚二甲基硅氧烷时，移除暂时基板30的流程，包括下列步骤：以胶膜(图略)取下发光二极管结构200离开聚二甲基硅氧烷；以及选择性观察若有残胶，以丙酮清理发光二极管结构200。此种方式优点在于，容易移除，聚二甲基硅氧烷的黏度优选为300cP至3500cP。

举例而言，其中预填充层40为热敏胶材，如热解胶带时，则移除暂时基板的流程，包括下列步骤：加热上述热解胶带，以日东电工公司Nitto 31950E为例，150℃加热5分钟，此温度正好可在封装胶固化时同时解粘，直到固化解粘状态；以及吸取覆晶式芯片100离开上述热解胶带。此种方式优点在于，容易移除，解粘后直接吸取，无残胶，不须溶剂。

举例而言，其中预填充层40为光敏胶材，如紫外光解胶带时，则移除暂时基板30的流程，包括下列步骤：以紫外光照射上述紫外光解胶带，例如波长365nm,能量36W/cm2,时间15至60秒，直到固化解粘状态；以及吸取发光二极管结构200离开上述紫外光解胶带。此种方式优点在于，容易移除，解粘后直接吸取，无残胶，不须溶剂。

请参阅图7，为本发明将覆晶式芯片固定于导电基板的示意图。本发明的制造方法，还包括将发光二极管结构200固定于一导电基板60上而形成一发光二极管组件。其固晶方式，可以是以共晶、焊接或压合等方式固晶。至此，本发明完成一发光二极管组件300。补充说明，此流程，可以一次将多个发光二极管结构200规则排列于导电基板60上，进行接合。其优点在于，发光二极管结构200已有波长转换材料层，如支撑体50所示，代替成长基板作为支撑，固晶吸嘴(图略)可从波长转换材料层吸取上述发光二极管结构200。

此外，如图8所示的，为本发明的一种发光二极管组件的示意图。此流程，可称为白墙成型流程。本实施例将树脂70包覆发光二极管结构200的侧面，并进行切割而形成一种发光二极管组件400，其是利用上述的制造方法所制成的。其中上述树脂形成一反射墙结构，例如，将白色树脂以模塑方式包覆发光二极管结构200的侧壁，减小视角。优选的，反射墙结构的视角小于或等于120度。其优点在于，树脂可作为反射杯，并能在亮度不减的结构下缩小视角。

本发明的特点及功能在于降低整体发光二极管结构的高度，解决上述激光剥离之后产生的变形及塌陷的问题，减少翘曲问题，进而提升发光二极管组件的发光效率。

以上所述仅为本发明的优选可行实施例，凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰，均应属本发明的涵盖范围。

Claims (14)

1.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一覆晶式芯片，该覆晶式芯片具有一成长基板、以及一形成于该成长基板上的磊晶结构；

提供一可移除的预填充材料，用以将所述覆晶式芯片接合于一暂时基板，而形成一预填充层于该覆晶式芯片与该暂时基板之间的空隙；

对该覆晶式芯片的该成长基板进行激光剥离；

粗化所述磊晶结构的一半导体层；

粘贴一具有波长转换材料的支撑体于所述半导体层上；以及

移除所述暂时基板以及所述预填充层。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述预填充材料为胶体状材料，黏度介于300～3500cP。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述预填充材料选自下列群组的其中一个：镓金属、硅胶、聚二甲基硅氧烷、热敏胶材、或光敏胶材。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述粗化所述磊晶结构的所述半导体层的流程，至少包括下列步骤其中之一：

以碱性氢氧化物进行湿式蚀刻，直到所述半导体层表面生成的角锥占表面积20％以上；以及

利用紫外光或热能辅助蚀刻，以增加形成角锥。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述湿式蚀刻的流程包括下列步骤：

浸泡已移除所述成长基板的所述覆晶式芯片于氢氧化钾的溶液中；以及

取出所述覆晶式芯片，并以去离子水超音波震荡。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述粘贴所述支撑体于所述半导体层上的流程包括至少下列步骤其中之一：

以包含波长转换材料的胶材覆盖于所述磊晶结构上，固化所述胶材而形成接合所述磊晶结构的所述支撑体，其中该支撑体固化后硬度大于萧氏硬度D40；或

以包含波长转换材料的荧光粉片贴合于所述磊晶结构上，其中所述荧光粉片固化后硬度大于萧氏硬度D40，且所述荧光粉片的尺寸大于或等于所述覆晶式芯片的尺寸。

7.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为镓金属，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

将所述发光二极管结构浸泡于100℃的水中一段时间以上；以及

选择性观察，若有残余的镓金属，以盐酸清理所述发光二极管结构。

8.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为硅胶，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

夹取所述发光二极管结构离开所述硅胶。

9.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为聚二甲基硅氧烷，所述移除所述暂时基板的流程，包括下列步骤：

以胶膜取下所述发光二极管结构离开所述聚二甲基硅氧烷；以及

选择性观察，若有残胶，以丙酮清理所述发光二极管结构。

10.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为热敏胶材，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

加热所述热敏胶材，直到固化解粘状态；以及

吸取所述发光二极管结构离开所述热敏胶材。

11.如权利要求3所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述预填充层为光敏胶材，所述移除所述暂时基板的流程包括下列步骤：

以一选定的光线照射所述光敏胶材，直到固化解粘状态；以及

吸取所述发光二极管结构离开所述光敏胶材。

12.一种发光二极管结构，其特征在于，其是利用权利要求1-11中任一项所述的发光二极管结构的制造方法所制成的。

13.一种发光二极管组件，其特征在于，包含：

一导电基板；以及

如权利要求12所述的发光二极管结构固定于该导电基板上。

14.如权利要求13所述的发光二极管组件，其特征在于，还包含：

一反射墙包覆所述发光二极管结构的侧面，使得视角小于或等于120度。