JP2007250834A - 電子部品装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】軽量かつ薄型の電子部品装置を低コストで製造する。
【解決手段】金属板10の表面に形成されたレジストパターンにより電極膜13を形成し、レジストパターンを除去した後に半導体チップ2に形成された端子3をバンプ5により電極膜13に電気的に接続し、樹脂6により半導体チップ2と電極膜13をモールディングした後に金属板10から剥離する。これにより、リードフレームを用いることなく電子部品装置1を製造することが可能となり、軽量かつ薄型の電子部品装置1を製造することができる。また、リードフレームの個片化工程(切断工程)を必要としないので、コストの低減および製造に要する時間の短縮が可能になる。
【選択図】図3
【解決手段】金属板10の表面に形成されたレジストパターンにより電極膜13を形成し、レジストパターンを除去した後に半導体チップ2に形成された端子3をバンプ5により電極膜13に電気的に接続し、樹脂6により半導体チップ2と電極膜13をモールディングした後に金属板10から剥離する。これにより、リードフレームを用いることなく電子部品装置1を製造することが可能となり、軽量かつ薄型の電子部品装置1を製造することができる。また、リードフレームの個片化工程(切断工程)を必要としないので、コストの低減および製造に要する時間の短縮が可能になる。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体チップがパッケージされた電子部品装置の製造方法に関するものである。
近年、電子機器の軽量化、薄型化に伴って、これに搭載される電子部品装置にも小型軽量化、薄型化が要求されている。従来、半導体パッケージに代表される電子部品装置は、リードフレームを用いて半導体チップの表面に形成された端子と外部端子とのワイヤーボンディングを行う方法により電子部品装置の製造が行われていた(特許文献1参照)。
特許第3087395号公報
リードフレームを用いる方法により製造された電子部品装置には、リードフレームが内包された状態となっているため、リードフレーム自体の有する重量や厚さの影響により軽量化、薄型化に限界があった。また、金属製のリードフレームの個片化工程(切断工程)にコストと時間を要していた。
そこで本発明は、軽量かつ薄型の電子部品装置を低コストで製造することができる電子部品装置の製造方法を提供することを目的とする。
請求項1記載の発明は、半導体チップの表面に形成された端子に外部端子が電気的に接続された電子部品装置の製造方法であって、前記外部端子の形状および配列に対応したパターン孔を有するレジストパターンを金属板の表面に形成する工程と、前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程と、前記電極膜を形成した後に、前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去する工程と、前記半導体チップに形成された端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続する工程と、前記端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続した後に、前記電極膜を前記金属板の表面から剥離する工程と、を含む。
請求項2記載の発明は、半導体チップの表面に形成された端子に外部端子が電気的に接続された電子部品装置の製造方法であって、前記外部端子の形状および配列に対応したパターン孔を有するレジストパターンを金属板の表面に形成する工程と、前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程と、前記電極膜を形成した後に、前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去する工程と、前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去した後に、前記金属板の表面および前記電極膜の表面にプラズマ処理を施す工程と、前記金属板の表面および前記電極膜の表面にプラズマ処理を施した後に、前記半導体チップに形成された端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続する工程と、少なくとも前記端子と前記電極膜との接続箇所を樹脂で封止する工程と、前記電極膜を前記金属板の表面から剥離する工程と、を含む。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、前記半導体チップと前記電極膜を被覆する領域を樹脂で封止する工程をさらに含み、前記半導体チップと前記電極膜を被覆する領域を樹脂で封止した後に、前記電極膜および前記樹脂を前記金属板の表面から剥離する。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の何れかに記載の発明において、前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程が、前記金属板の表面に、Cu膜、Ni膜、Au膜の順にメッキを施すことにより行われる。
本発明によれば、半導体チップがパッケージされた電子部品装置の製造にリードフレームを必要としないので、軽量かつ薄型の電子部品装置を低コストで製造することができる。
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態の電子部品装置の構成を示す側断面図、図2および図3は本発明の実施の形態の電子部品装置の製造方法を工程順に示す説明図、図4は本発明の実施の形態の電子部品装置の製造方法におけるプラズマ処理方法を示す説明図である。
最初に、本実施の形態における電子部品装置の構成について、図1を参照して説明する。図1において、電子部品装置1は、半導体チップ2の下面に形成された端子3にさらに端子4が電気的に接続された半導体パッケージである。端子3は、金や半田等により形成されたバンプ5を介して端子4と電気的に接続されており、接続箇所を樹脂6で封止することにより接合強度を向上させている。それ以外の領域も樹脂6で封止されており、電子部品装置1を衝撃等の外的阻害要因から保護している。端子4は、電子部品装置1を基板等に電気的に接続する際の外部端子として機能し、ここでは、接続用の半田バンプ8が端子4の下面に予め設けられている。端子4は、例えば、Cu膜4a、Ni膜4b、Au膜4cを順に積層した電極膜として構成するのが望ましく、このように構成すると、半導体チップ2側はAu、半田バンプ8側はCuとなり、半田バンプ8へのAu溶出や、Niと半田バンプ8のSnとの合金化とそれに伴うNiに含有されるPの界面析出による接合強度低下を防止することができる。また、半田とのなじみが良いCu膜4aが最下層にあるので、外装用の半田メッキ等の処理を要することなくCu膜4aに直接半田バンプ8を形成することが可能である。
次に、本実施の形態における電子部品装置の製造方法について、図2および図3を参照して工程順に説明する。
最初に、電子部品装置1の外部端子となる端子4を製造する。端子4は、レジストパターンにより所定のパターンで成形された多層の電極膜により形成される。レジストパターンは、金属板10の上面にレジスト11を塗布した後に(図2(a)参照)、端子4の形状および配列に対応するパターンでレジスト11の一部を除去してパターン孔12とすることにより形成される(図2(b)参照)。パターン孔12内において、金属板10の表面にCu膜、Ni膜、Au膜の順にメッキを施し、3層からなる電極膜13を形成する(図2(c)参照)。電極膜13が固化したら、レジスト11を除去して金属板10の上面に電極膜13を露出させる(図2(d)参照)。以上の工程により、電子部品装置1の外部端子となる端子4が金属板10上に形成される。
金属板10の材質としては種々のものを使用することができるが、例えば銅やステンレス等の金属で厚さが0.2mm程度の比較的剛性の低い板材を使用すると、後の工程において端子4を金属板10から剥離する際に、金属板10を撓ませることで容易に剥離することができる。また、レジスト11の除去は、アルコール等の有機溶剤により溶解させる方法や、酸素プラズマでレジストを分解して灰化するアッシング等を用いて行う。
次に、金属板10の上面および電極膜13の上面にプラズマ処理を施す(図2(e)参
照)。プラズマ処理は対象面の不純物除去と改質を目的として施され、図4に示すようにプラズマ発生用ガスを充満させた雰囲気内に金属板10および電極膜13を配置し、高周波電圧を印加することにより行われる。プラズマ処理により金属板10の上面の酸化膜が除去され、後の工程において樹脂を剥離する際の剥離性が向上する。また、電極膜13の最上層にあるAu膜の有機汚染物が除去され、後の工程において半導体チップ2のバンプ5を接合する際の接合性が向上する。
照)。プラズマ処理は対象面の不純物除去と改質を目的として施され、図4に示すようにプラズマ発生用ガスを充満させた雰囲気内に金属板10および電極膜13を配置し、高周波電圧を印加することにより行われる。プラズマ処理により金属板10の上面の酸化膜が除去され、後の工程において樹脂を剥離する際の剥離性が向上する。また、電極膜13の最上層にあるAu膜の有機汚染物が除去され、後の工程において半導体チップ2のバンプ5を接合する際の接合性が向上する。
次に、電極膜13に半導体チップ2を搭載する(図3(a)参照)。半導体チップ2は、下面に形成された端子3を電極膜13の上面に電気的に接続させた状態で搭載される。端子3と電極膜13の接続には例えば金で形成されたバンプ5が用いられ、保持ノズル7により電極膜13に搭載された半導体チップ2に荷重と超音波振動を印加することにより端子3と電極膜13が接続される。電極膜13は、樹脂等と比較して剛性の高い金属板10上に形成されているので、保持ノズル7により印加される荷重と超音波振動のロスが少なく効率的に接続することができる。
次に、端子3と電極膜13の接続箇所および半導体チップ2と電極膜13を被覆する領域を樹脂6で封止する(図3(b)参照)。なお、電極膜13に半導体チップ2を搭載する前段階で、電極膜13と半導体チップ2の間を充填する樹脂6を予め供給しておくこともできる。
次に、電極膜13と樹脂6を金属板10から剥離し(図3(c)参照)、電極膜13と樹脂6が金属板10から完全に剥離されると、電子部品装置1の製造が終了する。電子部品装置1の下面には、電極膜13の最下層にあるCu膜が露出し、電子部品装置1を基板等に電気的に接続する際の外部端子の接続面として機能する。なお、電子部品装置1を基板等に実装する際の便宜を考慮して、Cu膜に予め半田バンプ8を設けてもよい(図3(e)参照)。
以上の工程による電子部品装置の製造方法によれば、パッケージの内部における端子3と端子4(電極膜13)の接続にバンプ5を介在させているだけなので、従来のリードフレームを用いてワイヤーボンディングを行う製造方法に比べ、薄く、かつ軽量な電子部品装置を製造することが可能である。これにより、軽量化、薄型化が要求される電子機器に搭載可能な電子部品装置を製造することができる。また、金属製のリードフレームの個片化工程(切断工程)を必要としないので、コストの低減および製造に要する時間の短縮が可能になる。
なお、上述した製造方法の各工程のうち、樹脂6で封止する工程、プラズマ処理を施す工程は、電子部品装置1の強度や電気的な信頼性の向上のために施されるものであるため、電子部品装置1に要求される品質に応じて省略することも可能である。
本発明によれば、軽量かつ薄型の電子部品装置を低コストで製造することができるので、半導体チップがパッケージされた電子部品装置の製造分野において有用である。
1 電子部品装置
2 半導体チップ
3 端子
4 端子(外部端子)
5 半田バンプ
6 樹脂
10 金属板
11 レジスト
12 パターン孔
13 電極膜
2 半導体チップ
3 端子
4 端子(外部端子)
5 半田バンプ
6 樹脂
10 金属板
11 レジスト
12 パターン孔
13 電極膜
Claims (4)
- 半導体チップの表面に形成された端子に外部端子が電気的に接続された電子部品装置の製造方法であって、
前記外部端子の形状および配列に対応したパターン孔を有するレジストパターンを金属板の表面に形成する工程と、
前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を形成した後に、前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去する工程と、
前記半導体チップに形成された端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続する工程と、
前記端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続した後に、前記電極膜を前記金属板の表面から剥離する工程と、
を含む電子部品装置の製造方法。 - 半導体チップの表面に形成された端子に外部端子が電気的に接続された電子部品装置の製造方法であって、
前記外部端子の形状および配列に対応したパターン孔を有するレジストパターンを金属板の表面に形成する工程と、
前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を形成した後に、前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去する工程と、
前記レジストパターンを前記金属板の表面から除去した後に、前記金属板の表面および前記電極膜の表面にプラズマ処理を施す工程と、
前記金属板の表面および前記電極膜の表面にプラズマ処理を施した後に、前記半導体チップに形成された端子をバンプにより前記電極膜に電気的に接続する工程と、
少なくとも前記端子と前記電極膜との接続箇所を樹脂で封止する工程と、
前記電極膜を前記金属板の表面から剥離する工程と、
を含む電子部品装置の製造方法。 - 前記半導体チップと前記電極膜を被覆する領域を樹脂で封止する工程をさらに含み、前記半導体チップと前記電極膜を被覆する領域を樹脂で封止した後に、前記電極膜および前記樹脂を前記金属板の表面から剥離する請求項2記載の電子部品装置の製造方法。
- 前記金属板の表面に形成された前記パターン孔に前記外部端子を構成する電極膜を形成する工程が、前記金属板の表面に、Cu膜、Ni膜、Au膜の順にメッキを施すことにより行われる請求項1乃至3の何れかに記載の電子部品装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072349A JP2007250834A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 電子部品装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006072349A JP2007250834A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 電子部品装置の製造方法 |
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JP2006072349A Pending JP2007250834A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 電子部品装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2007250834A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008084959A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006072349A patent/JP2007250834A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008084959A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8211754B2 (en) | 2006-09-26 | 2012-07-03 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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