JP3616366B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ等の基板に層間絶縁膜等の膜を形成するために用いられる基板処理装置および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、SOD(spin on dielectric)システムを用いて、半導体ウエハに塗布液をスピンコートし、加熱等の物理的処理を施して層間絶縁膜等の誘電体膜を形成している。近時、このような層間絶縁膜として誘電率の低い材料が要求されており、所謂、Low−k材料として種々開発されている。このようなLow−k材料の中には、ウエハに塗布液を塗布して形成された塗布膜を所定量の水蒸気を含むガスを供給しながら熱処理することが必要とされるものがある。
【0003】
図12はこのような加湿雰囲気での熱処理を必要とするLow−k材料を用いて誘電体膜を形成する際に使用されている従来の熱処理ユニットの概略構造を示す断面図である。熱処理ユニット101は、ウエハWを載置するホットプレート102と、ホットプレート102およびホットプレート102に載置されたウエハWを収容するチャンバ103とを有している。チャンバ103は下部容器103bと昇降自在な蓋体103aからなり、所定量の水蒸気を含んだガスが、下部容器103bの底部に設けられた給気口104bからチャンバ103内に供給され、ウエハWがこのガス雰囲気に晒される。チャンバ103内に供給されたガスは、蓋体103aのほぼ中心に設けられた排気口104aから排出される。なお、図12中の符号105は基板Gを昇降させるリフトピンである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱処理ユニット101を用いて塗布膜の形成されたウエハWの熱処理を行うと、例えば、図13に示すように、形成される塗布膜に略同心円状の膜厚分布が発生し、ウエハW全体で均一な膜を形成することが困難である。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板全体で均一な膜を形成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の観点によれば、基板を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に所定の処理を施す処理室を形成し、複数の制御ブロックに区分けされ、前記制御ブロック毎に前記処理室へ所定の蒸気を含むガスを供給するガス供給口および前記処理室内のガスを外部へ排気するガス排気口が設けられたチャンバと、前記ガス供給口へ所定のガスを供給するガス供給手段と、前記ガス排気口から所定のガスを排気するガス排気手段と、を具備し、前記ガス供給手段は、前記ガス供給口を通した前記処理室への給気および前記ガス排気口を通した前記処理室からの排気を前記制御ブロック毎に任意に制御する給排気制御機構を有することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【0008】
本発明の第2の観点によれば、所定のガス雰囲気下に基板を保持して前記基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、基板を処理する処理室を形成し、複数の制御ブロックに区分けされ、前記制御ブロック毎に前記処理室へ所定の蒸気を含むガスを供給するガス供給口および前記処理室内のガスを外部へ排気するガス排気口が設けられたチャンバを用い、前記ガス供給口を通した前記処理室への給気と前記ガス排気口を通した前記処理室からの排気とを、前記制御ブロック毎に任意に行うことによって前記基板の表面近傍の雰囲気をほぼ一定とすることを特徴とする基板処理方法、が提供される。
【0009】
このような基板処理装置および基板処理方法によれば、所定の蒸気を含んだガスが基板にほぼ均一に供給されて基板回りの雰囲気が一定に保持される。これにより基板全体での膜厚や特性のばらつきが小さくなり、高い品質の処理基板を得ることが可能となる。また、基板の一部を他の部分と異なる雰囲気に晒すことができるようにすることによって部分的な膜厚分布等を無くし、さらに基板全体で均一な膜を形成することが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照しながら具体的に説明する。ここでは、本発明の基板処理装置の一実施形態であって、半導体ウエハに層間絶縁膜等の誘電体膜を形成するために用いられる加湿熱処理ユニット(HAC)を装備したSODシステムを例として説明する。
【0011】
図1は上記SODシステムの平面図であり、図2は図1に示したSODシステムの側面図であり、図3は図1に示したSODシステム内に装着された処理ユニット群の側面図である。
【0012】
このSODシステムは、大略的に、処理部1と、サイドキャビネット2と、キャリアステーション(CSB)3とを有している。処理部1には、図1および図2に示すように、手前側上部に塗布処理ユニット(SCT)11・12が設けられている。また、塗布処理ユニット(SCT)11・12の下方には薬品等を内蔵したケミカルユニット13・14が設けられている。
【0013】
処理部1の中央部には、図1および図3に示すように、複数の処理ユニットを多段に積層してなる処理ユニット群16・17が設けられ、これらの間に、昇降してウエハWを搬送するためのウエハ搬送機構(PRA)18が設けられている。さらに、ウエハ搬送機構(PRA)18の後方には、水蒸気雰囲気でのウエハWの熱処理が可能な加湿熱処理ユニット(HAC)15が設けられている。この加湿熱処理ユニット(HAC)15の構造については後に詳細に説明する。
【0014】
ウエハ搬送機構(PRA)18は、Z方向に延在し、垂直壁51a・51bおよびこれらの間の側面開口部51cを有する筒状支持体51と、その内側に筒状支持体51に沿ってZ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体52とを有している。筒状支持体51はモータ53の回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体52も一体的に回転されるようになっている。
【0015】
ウエハ搬送体52は、搬送基台54と、搬送基台54に沿って前後に移動可能な3本のウエハ搬送アーム55・56・57とを備えており、ウエハ搬送アーム55・56・57は、筒状支持体51の側面開口部51cを通過可能な大きさを有している。これらウエハ搬送アーム55・56・57は、搬送基台54内に内蔵されたモータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動することが可能となっている。ウエハ搬送体52は、モータ58によってベルト59を駆動させることにより昇降するようになっている。なお、符号60は駆動プーリー、61は従動プーリーである。
【0016】
左側の処理ユニット群16は、図3に示すように、その上側から順に低温用のホットプレートユニット(LHP)19と、2個の硬化(キュア)処理ユニット(DLC)20と、2個のエージングユニット(DAC)21とが積層されて構成されている。また、右側の処理ユニット群17は、その上から順に2個のベーク処理ユニット(DLB)22と、低温用のホットプレートユニット(LHP)23と、2個のクーリングプレートユニット(CPL)24と、受渡ユニット(TRS)25と、クーリングプレートユニット(CPL)26とが積層されて構成されている。なお、受渡ユニット(TRS)25は、クーリングプレートの機能を兼ね備えることが可能である。
【0017】
サイドキャビネット2は、薬液を供給するためのバブラー(Bub)27と、排気ガスの洗浄のためのトラップ(TRAP)28とを有している。また、バブラー(Bub)27の下方には、電力供給源(図示せず)と、HMDS(ヘキサメチルジシラン)等の薬液やアンモニアガス(NH3)等のガスを貯留するための薬液室(図示せず)と、SODシステムにおいて使用された処理液の廃液を排出するためのドレイン29とが設けられている。
【0018】
上記のように構成されたSODシステムにおいて、加湿雰囲気での熱処理を行うことが必要とされるLow−k材料を用いてウエハWに層間絶縁膜等を形成する場合には、ウエハWを、クーリングプレートユニット(CPL)24・26、塗布処理ユニット(SCT)11・12、加湿熱処理ユニット(HAC)15、低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23、ベーク処理ユニット(DLB)22、硬化処理ユニット(DLC)20の順序で搬送し、処理する。
【0019】
次に、加湿熱処理ユニット(HAC)15の構造について説明する。図4は加湿熱処理ユニット(HAC)15の一実施形態を示す概略側面図である。加湿熱処理ユニット(HAC)15には、下段に純水を貯蔵する純水貯蔵部15cが設けられ、上段にウエハWを加湿雰囲気で熱処理するウエハ処理部15aが設けられ、純水貯蔵部15cに貯蔵された純水を気化させて窒素ガスと混合し、所定の湿度に調整された窒素ガス(加湿ガス)をウエハ処理部15aへ送風する気化・送風部15bが中段に設けられている。
【0020】
なお、窒素ガスは、例えば、工場配管等を利用して気化・送風部15bへ送ることができる。また、純水貯蔵部15cに窒素ガスが充填されたボンベを収納し、そこから必要量の窒素ガスを気化・送風部15bへ送るようにしてもよい。純水についても、純水貯蔵部15cを設けずに所定の貯蔵場所からライン供給される構成とすることもできる。
【0021】
図5はウエハ処理部15aの一実施形態を示す断面図である。ウエハ処理部15aには、ウエハ搬送アーム55・56・57が進入退出可能であって図示しないシャッターによって開閉自在な窓部30aを有する筐体30が配置されている。筐体30内には、ウエハWを加熱するホットプレート31と、処理室40を形成するチャンバ32が設けられている。
【0022】
ホットプレート31の表面には図示しない所定長さのプロキシミティピンが設けられており、ウエハWはこのプロキシミティピンの先端に保持され、直接にホットプレート31の表面には接しないようになっている。ホットプレート31には所定位置に孔部31aが設けられており、この孔部31aを貫通するようにウエハWを昇降させるためのリフトピン33が設けられている。リフトピン33は図示しない昇降機構によって昇降自在である。
【0023】
チャンバ32は、昇降自在に設けられた蓋体32aと、固定された下部容器32bとからなり、蓋体32aの上面中央部には、気化・送風部15bからの加湿ガスを処理室40へ導入するためのガス供給口35aが設けられている。また、蓋体32aの内側かつホットプレート31に載置されたウエハWの上方には、ガス供給口35aから処理室40内に給気された加湿ガスがウエハWの表面にほぼ均一に給気されるように、所定位置に複数のガス吹き出し口34aの形成された拡散板34が設けられている。
【0024】
加湿ガスの送風圧力は拡散板34の中央部で高く、周縁部で低いために、ガス吹き出し口34aの口径は、例えば、拡散板34の中央部では短く設定され、かつ、周縁部では長く設定される。または、ガス吹き出し口34aは、拡散板34の中央部では少なく設けられ、かつ、周縁部では多く設けられる。こうしてウエハWにほぼ均等に加湿ガスを給気することができる。
【0025】
ガス吹き出し口34aからウエハWに対してほぼ均一に給気されたガスは、下部容器32bの側面とホットプレート31の側面との間を通って、下部容器32bの底壁に設けられた排気口35bから排気される。
【0026】
このような構造を有する加湿熱処理ユニット(HAC)15を用いてウエハWにLow−k材料の層間絶縁膜を形成する場合の処理工程は、例えば、以下の通りである。最初に、ウエハWをウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかを用いて塗布処理ユニット(SCT)11・12のいずれかに搬入する。ここで、ウエハWはウエハWを収納した容器から塗布処理ユニット(SCT)12に直接搬入される場合と、Low−k材料の塗布液が均一に塗布され易くなるようにクーリングプレートユニット(CPL)24・26において所定温度とされた後に塗布処理ユニット(SCT)11・12に搬入される場合がある。
【0027】
塗布処理ユニット(SCT)11・12においては、ウエハWに塗布液がスピンコートされる。具体的には、ウエハWの表面に所定量の塗布液を塗布した後にウエハWを所定の回転数で回転させることで、塗布液をウエハW全面に拡げる。こうしてウエハWの表面に塗布膜が形成される。
【0028】
塗布膜の形成されたウエハは、例えば、ウエハ搬送アーム55によって塗布処理ユニット(SCT)11・12から加湿熱処理ユニット(HAC)15のウエハ処理部15aに搬送される。ウエハ処理部15aにおいては、蓋体32aを上昇させた状態で、ウエハWを保持したウエハ搬送アーム55を窓部30aを通して筐体30内に進入させ、この状態からリフトピン33を上昇させてウエハWをリフトピン33に移し替える。さらにウエハ搬送アーム55を筐体30から退出させて窓部30aを閉じる。
【0029】
リフトピン33を降下させてウエハWをホットプレート31に設けられたプロキシミティピンに受け渡す。例えば、リフトピン33の降下時に拡散板34のガス吹き出し口34aから所定湿度に制御された加湿ガスを吐出させながら、蓋体32aを降下させて処理室40を形成し、ウエハWを加湿ガス雰囲気中で熱処理する。このような処理によって、塗布膜の分子構造が後の硬化処理の際に空孔(ポア)を生じさせるような骨格を有するように変化する。
【0030】
なお、蓋体32aの降下はウエハWがホットプレート31上に載置された後に行ってもよい。また、ホットプレート31は常時一定の温度に保持され、排気口35bからの排気処理は窓部30aを閉じた後に開始する。
【0031】
加湿熱処理ユニット(HAC)15における処理が終了したら、先にウエハWを筐体30内に搬入して処理を開始したときとは反対の順序で、ウエハWを筐体30から搬出し、低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23のいずれかへ搬送する。ホットプレートユニット(LHP)19・23では、例えば、空気雰囲気下、150℃程度の温度でウエハWを熱処理することで、塗布膜に含まれる溶剤や水等の一部を蒸発させる。
【0032】
低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23における所定時間の処理が終了したウエハWは、ウエハ搬送機構(PRA)18によってベーク処理ユニット(DLB)22へ搬送される。ベーク処理ユニット(DLB)22では、例えば、空気雰囲気下、300℃程度の雰囲気でウエハWを熱処理することで、先の低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23における熱処理では蒸発等しなかった溶剤や水分等が塗布膜から除去される。
【0033】
ベーク処理ユニット(DLB)22での処理を終えたウエハWはウエハ搬送機構(PRA)18によって硬化処理ユニット(DLC)20に搬送される。硬化処理ユニット(DLC)20では、例えば、420℃、窒素雰囲気(低酸素濃度雰囲気)下で、塗布膜の硬化処理が行われ、誘電体膜が形成される。形成された誘電体膜は、先の加湿熱処理ユニット(HAC)による処理に起因して、内部にポアを有する多孔質膜となる。このポアが誘電体膜の誘電率を低下させる。
【0034】
硬化処理ユニット(DLC)20においては、ウエハWに対してこのような加熱処理後に窒素雰囲気下での冷却処理が施され、その後にウエハ搬送機構(PRA)18によって硬化処理ユニット(DLC)20から搬出され、例えば、ウエハWが収納されていた容器に戻される。
【0035】
図6は、加湿熱処理ユニット(HAC)15を用い、上述した工程にしたがってウエハWに形成されたLow−k材料の層間絶縁膜の膜厚分布の一例を示す説明図である。図6と先に示した図13とを比較すると明らかなように、加湿熱処理ユニット(HAC)15を用いた場合にはウエハW全体での膜厚の差が小さくなっており、膜厚分布の3σ値は0.5%となっている。なお、図12に示した従来の熱処理ユニット101を用いた場合に得られる膜厚分布(図13)の3σ値は3.0%である。つまり、加湿熱処理ユニット(HAC)15を用いることで、膜厚均一性を約5倍向上させることができることが確認された。
【0036】
さて、ウエハ処理部15aにおいては、チャンバ32に代えて、図7に概略断面を示すチャンバ70を用いることができる。チャンバ70は上部容器71と下部容器72からなり、上部容器71は蓋体部71aと側壁部71bから構成されている。なお、上部容器71は昇降自在であるが、図7ではチャンバ70によって処理室90が形成された状態が示されている。
【0037】
上部容器71の蓋体部71aには所定位置にガス供給口81aと排気口81bが形成されている。また、上部容器71の側壁部71bにもガス供給口82aと排気口82bが所定位置に形成されている。さらに、下部容器72の底壁部72aにもガス供給口83aと排気口83bが所定位置に形成されている。図8は、蓋体部71aに設けられたガス供給口81aと排気口81bの制御形態の一例を示す説明図である。
【0038】
図8に示されるように、蓋体部71aに設けられた複数のガス供給口81aと複数の排気口81bは、8区画の制御ブロック91a〜91hに区分けされている。チャンバ70における加湿ガスの給排気は制御部75によって制御され、例えば、制御ブロック91aに設けられているガス供給口81aは、制御部75に設けられた自動開閉バルブ85aとつながっており、この自動開閉バルブ85aを独立して開閉動作することで、制御ブロック91aに設けられているガス供給口81aの給気の開始/停止を制御することができるようになっている。同様に、制御ブロック91aに設けられている排気口81bは、制御部75に設けられた自動開閉バルブ85bとつながっており、この自動開閉バルブ85bを独立して開閉動作することで、制御ブロック91aに設けられている排気口81bの排気の開始/停止を制御することができるようになっている。
【0039】
図8に示すように、制御ブロック91bのガス供給口81aは自動開閉バルブ86aとつながっており、制御ブロック91bの排気口81bは自動開閉バルブ86bとつながっている。図8には図示を省略しているが、その他の制御ブロック91c〜91hについても同様にガス供給口81aと排気口81bは制御ブロック毎に制御部75に設けられた自動開閉バルブとつながっている。このようにして、蓋体部71aでは制御ブロック91a〜91h毎に独立して加湿ガスの給排気を行うことができるようになっている。
【0040】
図9は側壁部71bに設けられたガス供給口82aと排気口82bの制御形態の一例を示した説明図である。側壁部71bは8個の制御ブロック92a〜92hに区分けされ、制御ブロック92fに設けられたガス供給口82aは自動開閉バルブ87aとつながっており、排気口82bは自動開閉バルブ87bにつながっている。図9には制御ブロック92fにおける加湿ガスの給排気の形態についてのみ示しているが、他の制御ブロック92a〜92e・92g・92hについても同様であり、側壁部71bにおいては、制御ブロック92a〜92h毎に加湿ガスの給排気を行うことができるようになっている。
【0041】
図10は下部容器72の底壁部72aに設けられたガス供給口83aと排気口83bの制御形態の一例を示す説明図である。下部容器72の底壁部72aはその周縁部において8個の制御ブロック93a〜93hに区分けされ、制御ブロック93eに設けられたガス供給口83aは制御部75に設けられた自動開閉バルブ88aとつながっており、排気口83bは自動開閉バルブ88bにつながっている。図10には、制御ブロック93eにのみガス供給口83aと排気口83bを図示し、また、制御ブロック93eにおける加湿ガスの給排気の形態についてのみ示しているが、他の制御ブロック93a〜93d・93f〜93hについても同様である。つまり、下部容器72の底壁部72aの周縁部においては、制御ブロック93a〜93h毎に加湿ガスの給排気を行うことができるようになっている。
【0042】
チャンバ70においては、処理室90への加湿ガスの給気と処理室90からの排気を24箇所に区分けされた制御ブロック91a〜91h・92a〜92h・93a〜93h毎に制御することができる。例えば、制御ブロック91b・91d・91f・91h・92a・92c・92e・92gについてはガス供給口81aからの加湿ガスの給気を行い、制御ブロック91a・91c・91e・91g・92b・92d・92f・92hからは排気を行い、さらに、制御ブロック93a・93c・93e・93gから排気を行い、制御ブロック93b・93d・93f・93hについては何の動作も行わないようにして、ウエハWを処理することができる。このときに、制御ブロック毎に設けられた自動開閉バルブの開閉量を制御することで、加湿ガスの供給流量や排気流量を制御ブロック毎に異なる量に設定することも可能である。
【0043】
どの制御ブロックを加湿ガスの給気に用いて、どの制御ブロックを排気に用いるかは、膜厚の均一性等を実験的に確認して決定することができる。一度、処理条件を決定すれば、その条件にしたがってウエハWを処理することで、膜厚等の均一性に優れた誘電体膜等を得ることができる。さらに、その後に膜厚が部分的に変化した場合にも、その部分に多く加湿ガスを供給したり、逆に加湿ガスの供給量を減らす等して、膜厚分布を均一にするような対処が容易である。
【0044】
なお、チャンバ70において、制御ブロック91a〜91hについてはガス供給口81aからの加湿ガスの給気のみを行い、制御ブロック92a〜92hについては何の動作も行わず、制御ブロック93a〜93hについては排気口83bからの排気のみを行うと、結果的に、チャンバ70をチャンバ32と同じように用いることができる。
【0045】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、チャンバ70における制御ブロックの区分けは、図8から図10に示される形態に限定されるものではない。図11は蓋体部71aにおける制御ブロックの別の区分け形態を示す説明図である。蓋体部71aに設けられたガス供給口81aと排気口81bは、4つの制御ブロック95a〜95d、つまり、中央部の円状の制御ブロック95aとその周囲に中央部から外側に向かって設けられたリング状の制御ブロック95b・95c・95dとに区分けされており、制御ブロック95a〜95d毎に加湿ガスの給排気を制御することができるようになっている。
【0046】
このようにチャンバ70において、蓋体部71aに設けられるガス供給口と排気口の数および位置と制御ブロックの形状や数は、図8または図11に示されるものに限定されない。例えば、制御ブロックの形状は図8に示す扇形や図11に示す円形、リング形に限定されず、例えば、制御ブロックを格子状に区分けして設けてもよい。また、側壁部71bについても、例えば、図9に示したようにガス供給口82aと排気口82bを上下方向に3段で設けた場合には、上段、中段、下段の3つの制御ブロックに区分けして、これら制御ブロック毎に加湿ガスの給排気を制御することもできる。
【0047】
1区画の制御ブロック、例えば、制御ブロック91aにおいて、ガス供給口81aからの加湿ガスの給気と、排気口81bからの排気を同時に行うことも可能である。この場合には、例えば、加湿ガスの給気量を排気量よりも多くすることによって処理室90内に十分な加湿ガスを供給することができる。さらに、例えば、制御ブロック91aに設けられたガス供給口81aへ供給する加湿ガスの湿度と、制御ブロック91bに設けられたガス供給口81aへ供給する加湿ガスの湿度とを異ならせることも可能である。上記実施の形態においては、蒸気として水蒸気を用いる場合を例に挙げたが、アンモニアガスや有機溶剤の蒸気を含ませたガスを用いて基板を処理する装置に対して、本発明を適用することができる。
【0048】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、所定の蒸気を含んだガスが基板にほぼ均一に供給されて基板回りの雰囲気が一定に保持される。これにより基板全体での膜厚や特性のばらつきが小さくなり、高い品質の処理基板を得ることが可能となる。また、基板へのガスの供給と排気を複数の制御ブロックに区分けして制御ブロック毎に行うことによって、基板を処理する処理室の雰囲気をより均一にしたり、または、基板の一部を他の部分と異なる雰囲気に晒すことができるようにすることによって、さらに膜厚分布等を低減して基板全体で均一な膜を形成することが可能となる。これにより製品の品質を高く保持し、信頼性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】SODシステムの概略構造を示す平面図。
【図2】図1記載のSODシステムの側面図。
【図3】図1記載のSODシステムの別の側面図。
【図4】加湿熱処理ユニット(HAC)の一実施形態を示す概略側面図。
【図5】加湿熱処理ユニット(HAC)におけるウエハ処理部の一実施形態を示す断面図。
【図6】加湿熱処理ユニット(HAC)を用いてウエハに形成された層間絶縁膜の膜厚分布を示す説明図。
【図7】加湿熱処理ユニット(HAC)に装着されるチャンバの別の実施形態を示す概略断面図。
【図8】図7に示すチャンバの上部容器の蓋体部に設けられたガス供給口と排気口の制御形態の一例を示す説明図。
【図9】図7に示すチャンバの上部容器の側壁部に設けられたガス供給口と排気口の制御形態の一例を示す説明図。
【図10】図7に示すチャンバの下部容器の底壁部に設けられたガス供給口と排気口の制御形態の一例を示す説明図。
【図11】図7に示すチャンバの上部容器の蓋体部における制御ブロックの別の区分け形態を示す説明図。
【図12】従来の熱処理ユニットの概略断面図。
【図13】図12の熱処理ユニットを用いて形成した誘電体膜の膜厚分布を示す説明図。
【符号の説明】
1;処理部
2;サイドキャビネット
3;キャリアステーション(CSB)
11・12;塗布処理ユニット(SCT)
15;加湿熱処理ユニット(HAC)
16・17;処理ユニット群
18;ウエハ搬送機構(PRA)
31;ホットプレート
32;チャンバ
32a;蓋体
34;拡散板
34a;ガス吹き出し口
35a;ガス供給口
35b;排気口
40:処理室
70;チャンバ
71;上部容器
71a;蓋体部
71b;側壁部
72;下部容器
72a;底壁部
75;制御部
81a・82a・83a;ガス供給口
81b・82b・83b;排気口
85a・85b・86a・86b・87a・87b・88a・88b;自動開閉バルブ
90;処理室
91a〜91h・92a〜92h・93a〜93h・95a〜95d;制御ブロック
Claims (7)
- 基板を略水平に保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に所定の処理を施す処理室を形成し、複数の制御ブロックに区分けされ、前記制御ブロック毎に前記処理室へ所定の蒸気を含むガスを供給するガス供給口および前記処理室内のガスを外部へ排気するガス排気口が設けられたチャンバと、
前記ガス供給口へ所定のガスを供給するガス供給手段と、
前記ガス排気口から所定のガスを排気するガス排気手段と、
を具備し、
前記ガス供給手段は、前記ガス供給口を通した前記処理室への給気および前記ガス排気口を通した前記処理室からの排気を前記制御ブロック毎に任意に制御する給排気制御機構を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御ブロックには、前記制御ブロック毎に複数の前記ガス供給口および複数の前記ガス排気口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバは前記保持手段に保持された基板の上方を覆う蓋体部を有し、前記蓋体部は複数の前記制御ブロックに区分けされていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバは前記保持手段に保持された基板の外周を囲む側壁部を有し、前記側壁部は複数の前記制御ブロックに区分けされていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバは前記保持手段の下方に設けられた底壁部を有し、前記底壁部が複数の前記制御ブロックに区分けされていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記保持手段は前記基板を加熱可能なホットプレートであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 所定のガス雰囲気下に基板を保持して前記基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
基板を処理する処理室を形成し、複数の制御ブロックに区分けされ、前記制御ブロック毎に前記処理室へ所定の蒸気を含むガスを供給するガス供給口および前記処理室内のガスを外部へ排気するガス排気口が設けられたチャンバを用い、
前記ガス供給口を通した前記処理室への給気と前記ガス排気口を通した前記処理室からの排気とを、前記制御ブロック毎に任意に行うことによって前記基板の表面近傍の雰囲気をほぼ一定とすることを特徴とする基板処理方法。
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