JP2013004804A - 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理容器110内に載置されたウェハを疎水化処理するアドヒージョンユニット41は、上部が開口する処理容器110と、処理容器110の開口を覆う蓋体111と、ウェハWを載置する載置台112と、HMDSガス及びパージガスを供給するガス供給部112と、ウェハWの上方であって、且つウェハWの中央部に対向して設けられた中心排気部140と、ウェハWより外方に設けられた外周排気部150と、を有している。
【選択図】図4
Description
2 カセットステーション
3 処理ステーション
4 露光装置
5 インターフェイスステーション
10 カセット搬入部
11 ウェハ搬送部
12 カセット載置台
13 載置板
20 搬送路
21 ウェハ搬送装置
30 現像処理ユニット
31 下部反射防止膜形成ユニット
32 レジスト塗布ユニット
33 上部反射防止膜形成ユニット
40 熱処理ユニット
41 アドヒージョンユニット
42 周辺露光ユニット
70 ウェハ搬送装置
80 シャトル搬送装置
90 ウェハ搬送装置
100 ウェハ搬送装置
110 処理容器
111 蓋体
112 載置台
113 ヒータ
114 昇降機構
120 天板
121 側板
122 ガス供給部
130 HMDSガス供給源
131 窒素ガス供給源
132 弁体
140 中心排気部
141 排気孔
142 中心排気路
143 中心排気管
144 排気母管
145 排気装置
146 弁体
150 外周排気部
151 排気孔
152 外周排気路
153 外周排気管
154 流量制限機構
C カセット
W ウェハ
Claims (17)
- 処理容器内に載置された基板の表面にHMDSガスを供給して当該基板を疎水化処理する疎水化処理装置であって、
上部が開口する処理容器と、
前記処理容器の開口を覆う蓋体と、
基板を載置する載置台と、
前記載置台上の基板の中央上方から当該基板に対してHMDSガス及びパージガスを供給するガス供給部と、
前記載置台上の基板の上方であって、且つ当該基板の中央部に対向して設けられた中心排気部と、
前記載置台上の基板より外方に設けられた外周排気部と、を有していることを特徴とする、疎水化処理装置。 - 前記中心排気部と前記外周排気部に共通して設けられた排気母管を有していることを特徴とする、請求項1に記載の疎水化処理装置。
- 前記中心排気部と前記排気母管を接続する中心排気管には弁体が設けられ、
前記外周排気部と前記排気母管とを接続する外周排気管には、当該外周排気管を流れる流体の流量を制限する流量制限機構が設けられていることを特徴とする、請求項2に記載の疎水化処理装置。 - 前記ガス供給部は、前記蓋体下面の中央部に設けられており、前記中心排気部は、前記ガス供給部の外側に同心円状に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の疎水化処理装置。
- 前記中心排気部は、平面視において基板の中心から半径50mmの円の内側に収まるように配置されていることを特徴とする、請求項4に記載の疎水化処理装置。
- 前記中心排気部は、前記蓋体下面の中央部に設けられており、前記ガス供給部は、前記中心排気部の外側に同心円状に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の疎水化処理装置。
- 前記ガス供給部は、平面視において基板の中心から半径50mmの円の内側に収まるように配置されていることを特徴とする、請求項6に記載の疎水化処理装置。
- 処理容器内に載置された基板の表面にHMDSガスを供給して当該基板を疎水化処理する疎水化処理の方法であって、
基板の中央上方から当該基板に対してHMDSガスを供給すると共に、基板より外方の位置からHMDSガスを排気して基板の疎水化処理を行い、
次いで、HMDSガスの供給を停止し、その後、基板の中央上方から処理容器内にパージガスを供給すると共に、前記基板より外方の位置及び基板の中央部の上方の位置からパージガスを排気して処理容器内をパージすることを特徴とする、疎水化処理方法。 - 前記基板の中央上方からのHMDSガス及びパージガスの供給は、基板の中央上方に設けられたガス供給部により行われ、
前記基板の中央部の上方の位置からの排気は、基板の上方であって、且つ当該基板の中央部に対向して設けられた中心排気部により行われ、
前記基板より外方の位置からの排気は、基板の外方に設けられた外周排気部により行われることを特徴とする、請求項8に記載の疎水化処理方法。 - 前記中心排気部と前記外周排気部に共通して排気母管が設けられ、
前記中心排気部及び前記外周排気部からの排気は、前記排気母管を介して行われることを特徴とする、請求項9に記載の疎水化処理方法。 - 前記中心排気部と前記排気母管を接続する中心排気管には弁体が設けられ、
前記外周排気部と前記排気母管とを接続する外周排気管には、当該外周排気管を流れる流体の流量を制限する流量制限機構が設けられ、
前記基板の疎水化処理の間は前記弁体を閉じて中心排気部からの排気を停止し、前記処理容器内をパージする間は当該弁体を開けて中心排気部から排気することを特徴とする、請求項10に記載の疎水化処理方法。 - 前記ガス供給部は、前記処理容器内側上面の中央部に設けられており、前記中心排気部は、前記ガス供給部の外側に同心円状に設けられていることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載の疎水化処理方法。
- 前記中心排気部は、平面視において基板の中心から半径50mmの円の内側に収まるように配置されていることを特徴とする、請求項12に記載の疎水化処理方法。
- 前記中心排気部は、前記処理容器内側上面の中央部に設けられており、前記ガス供給部は、前記中心排気部の外側に同心円状に設けられていることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載の疎水化処理方法。
- 前記ガス供給部は、平面視において基板の中心から半径50mmの円の内側に収まるように配置されていることを特徴とする、請求項14に記載の疎水化処理方法。
- 請求項8〜15のいずかに記載の基板処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該現像処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項16に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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