JP2007051351A - パーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Mn:0.6〜30質量%を含み、残部がCuおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物:40ppm以下であり、かつ酸素が:10ppm以下、窒素:5ppm以下、水素:5ppm以下、炭素:10ppm以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット。
【選択図】 なし
Description
(株)半導体理工学研究センター(STARC)のホームページ(平成17年6月8日) IITC発表アブストラクト(2005年6月8日)
(イ)Mn:0.6〜30質量%を含有し、残部がCuおよび不純物からなる成分組成のMn含有銅合金ターゲットを用いてスパッタリングすることによりMn含有銅合金膜を形成する際に、前記Mn含有銅合金ターゲットに含まれる不純物の量が少ないほどパーティクルの発生を少なく抑えることができ、その不純物として含まれる金属系不純物を合計で40ppm以下となるように極めて少なくし、さらに酸素を10ppm以下、窒素を5ppm以下、水素を5ppm以下、炭素を10ppm以下に少なくすると、スパッタリングに際して発生するパーティクルの数が激減する、
(ロ)さらに、Mn含有銅合金ターゲットが結晶粒度:30μm以下の再結晶等軸組織であるとパーティクルの発生を一層抑制することができる、という研究結果が得られたのである。
(1)Mn:0.6〜30質量%を含み、残部がCuおよび不純物からなる組成を有し、前記不純物は、金属系不純物が合計で40ppm以下であり、かつ酸素が10ppm以下、窒素が5ppm以下、水素が5ppm以下、炭素が10ppm以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット、
(2)前記Mn含有銅合金スパッタリングターゲットは、結晶粒度:30μm以下の再結晶等軸組織を有する前記(1)記載のパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
(a)Mn
Mn成分はMn含有銅合金スパッタリングターゲットの結晶粒を微細化し、さらに結晶粒の成長を抑える効果があり、さらに形成されたMn含有銅合金膜と基板の境界部分に拡散防止膜として作用するMnとSiの複合酸化物含有層を形成する作用があるが、その含有量が0.6質量%未満含んでも所望の効果が得られず、一方、30質量%を越えて含有すると、ターゲットの熱伝導率が低下してスパッタリング中にターゲットの温度が上昇すると共に、得られたMn含有銅合金膜の抵抗を増加させるので半導体デバイスの配線として使用するには好ましくない。したがって、この発明のMn含有銅合金スパッタリングターゲットに含まれるMnは0.6〜30質量%(一層好ましくは1.0〜20質量%)に定めた。
Mn含有銅合金ターゲットを用いてスパッタリングする際に発生するパーティクルの数は、Mn含有銅合金ターゲットに含まれる不純物の含有量を減らすほどパーティクルの発生を抑えることができ、Fe,Ni,Cr,Si,Pb、Co,Mg,Znなどの金属系不純物が合計で40ppmを越え、さらに酸素、窒素、水素、炭素などの非金属系不純物が酸素:10ppm越え、窒素:5ppm越え、水素:5ppm越え、炭素:10ppm越えるようになるとパーティクルの発生数が急激に増加する。したがって、この発明のMn含有銅合金スパッタリングターゲットに含まれる不純物を金属系不純物が合計で40ppm以下であり、かつ酸素が10ppm以下、窒素が5ppm以下、水素が5ppm以下、炭素が10ppm以下に定めた。
純度:99.9999質量%以上の高純度電解銅を用意し、さらに純度:99.9質量%以上の電解マンガンを用意し、この高純度電解銅および異なる量の電解マンガンをArガス雰囲気中の高純度グラファイトモールド内にて高周波溶解し、溶解中に不純物含有量をガス吹き込みまたは微量元素添加により調整し、このようにして得られた溶湯をカーボン鋳型に鋳造し、得られたインゴットを最終温度が450℃以上になるように熱間鍛造し、熱間鍛造終了後水冷し、その後、熱間鍛造材の表面全体にわたって厚さ:1.5mm面削した。
その後、必要に応じて面削した熱間鍛造材を冷間圧延したのち焼鈍し、この冷間圧延と焼鈍を繰り返したのち最終的に再結晶焼鈍し、得られた焼鈍材の表面をさらに旋盤加工して外径:300mm×厚さ:5mmの寸法を有し、表1に示される成分組成を有する本発明ターゲット1〜8および比較ターゲット1〜6を作製した。
さらに、市販の電解銅を用意し、この市販の電解銅に先に用意した電解マンガンをArガス雰囲気中の高純度グラファイトモールド内にて高周波溶解し、得られた溶湯をカーボン鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを最終温度が450℃以上になるように熱間鍛造し、熱間鍛造終了後水冷し、その後、熱間鍛造材の表面全体にわたって厚さ:1.5mmの深さに研削した。
その後、表面研削した熱間鍛造材を冷間圧延したのち焼鈍し、この冷間圧延と焼鈍を繰り返したのち最終的に歪取り焼鈍し、得られた歪取り焼鈍材の表面をさらに旋盤加工して外径:300mm×厚さ:5mmの寸法を有し、表1に示される成分組成を有する従来ターゲットを作製した。これら本発明ターゲット1〜8、比較ターゲット1〜6および従来ターゲットを切断し、切断面における平均結晶粒径を測定し、その結果を表1に示した。
電源:交流方式、
電力:4KW、
雰囲気ガス組成:Ar、
スパッタガス圧:1Pa、
ターゲットと基体との距離:80mm、
スパッタ時間:5分、
の高出力条件でSiO2などの絶縁膜を被覆した基板の上に薄膜を形成した。この時発生したパーティクルの数をパーティクルカウンターにより測定し、その結果を表1に示した。
Claims (2)
- Mn:0.6〜30質量%を含み、残部がCuおよび不純物からなる組成を有し、前記不純物は、金属系不純物が40ppm以下であり、かつ酸素が10ppm以下、窒素が5ppm以下、水素が5ppm以下、炭素が10ppm以下に規制された銅合金からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット。
- 前記Mn含有銅合金スパッタリングターゲットは、結晶粒度:30μm以下の再結晶等軸組織を有することを特徴とする請求項1記載のパーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット。
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