JP2006083442A - 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 - Google Patents
成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006083442A JP2006083442A JP2004270891A JP2004270891A JP2006083442A JP 2006083442 A JP2006083442 A JP 2006083442A JP 2004270891 A JP2004270891 A JP 2004270891A JP 2004270891 A JP2004270891 A JP 2004270891A JP 2006083442 A JP2006083442 A JP 2006083442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- mask
- pattern
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 142
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 44
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J sodium;gold(3+);disulfite Chemical compound [Na+].[Au+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940119523 thallium sulfate Drugs 0.000 description 2
- 229910000374 thallium(I) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- ISDDBQLTUUCGCZ-UHFFFAOYSA-N dipotassium dicyanide Chemical compound [K+].[K+].N#[C-].N#[C-] ISDDBQLTUUCGCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L disodium (S)-malate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@@H](O)CC([O-])=O WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 235000019265 sodium DL-malate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001394 sodium malate Substances 0.000 description 1
- 229940074404 sodium succinate Drugs 0.000 description 1
- ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L sodium succinate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12882—Cu-base component alternative to Ag-, Au-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板50上に薄膜52のパターン12を形成する成膜方法であって、マスク10を用いて気相成長法により基板50上に金属下地膜60を成膜し、パターン12を形成する第1工程と、基板50にメッキ処理を施して金属下地層からなるパターン12上に金属膜65を成膜する第2工程と、を有する。
【選択図】 図3
Description
このため、特開平4−236758号公報に開示されるように、シリコンウエハや金属箔等にパターンが形成されたマスクを基板に密着させて、気相成長法により成膜することにより、基板上に任意の配線パターンを形成する技術が提案されている。この技術は、湿度や酸素等により劣化してしまう材料が多く用いられる有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子の製造において、非常に有効な技術である。
基板上に薄膜のパターンを形成する成膜方法であって、マスクを用いて気相成長法により基板上に金属下地膜を成膜し、パターンを形成する第1工程と、基板にメッキ処理を施して金属下地層からなるパターン上に金属膜を成膜する第2工程と、を有するようにした。
この発明によれば、金属下地膜上にメッキ処理により金属膜を形成するので、不要な部分に金属膜ができず、金属材料の無駄が殆どなくなる。そして、容易に所望の膜厚の金属膜を形成することができる。
また、メッキ処理が、無電解金メッキ処理であるものでは、金又はニッケルからなる金属下地膜上に良好に成膜し、所望の膜厚の金属膜を形成することができる。
また、第2工程に先立って、ジンケート処理を行うものでは、アルミニウムからなる金属下地層の表面に形成された酸化皮膜、不動態皮膜を除去して亜鉛置換することができる。
また、ジンケート処理により、パターンから外れた欠陥部分を除去するものでは、金属下地層がマスクの開口部から食み出た欠陥部分が形成された場合であっても、欠陥部分は膜厚が薄いので、ジンケート処理のエッチング作用により容易に除去することができる。特に、マスクの開口部から食み出て形成された欠陥部分が隣接する金属下地層と接触してしまい所望のパターンが得られない場合であっても、欠陥部分(食み出した部分)を除去することにより、所望のパターンの金属下地膜を得ることができる。
また、第2工程において、無電解ニッケルメッキを行った後に、置換金メッキ及び無電解金メッキを行うものでは、アルミニウムからなる金属下地層上に良好に金属膜を形成することができる。
また、梁部が、梁部以外の領域と比べて薄く形成されているものでは、より斜めから入射する薄膜形成粒子も基板に付着させる事ができる。
また、マスク基材がシリコンからなるものでは、梁を含むパターン開口部を確実に形成することができる。
また、マスクがマスク基材上に成膜された薄膜を剥離することにより、繰り返し使用されるものでは、薄膜の形成を安価に製造することが可能となる。
[マスク]
図1は、蒸着法、スパッター法、CVD法等により、ガラス基板50上に薄膜のパターンを形成させるために用いられるマスク10の一例を示す斜視一部断面図である。
マスク10は、シリコンにより形成されたマスク基材11に、複数のパターン開口部12を形成したものである。パターン開口部12の形状としては、例えば、約10μmの幅を有するライン状に形成される。このパターン開口部12を介して、被成膜基板上に金属材料を積層させることにより、約10μmの幅の電気配線等のパターンを形成することができる。
パターン開口部12の形状としては、ライン状に限らず、円形、矩形等であってよい。
マスク基材11の材料としては、金属、ガラス、プラスチック等が挙げられるが、シリコン板(シリコンウエハ等)を用いることが好ましい。梁14を容易に形成することができるからである。また、磁性を帯びないので、プラズマCVD用のマスクとしても用いることができる。なお、マスク基材11の形状は、任意であるが、その厚みは、数百μm程度が好ましい。
次に、上述したマスク10を用いてガラス基板50に金属配線52のパターンを形成する方法について述べる。
図2はマスク10を用いて金属配線52を形成する工程を示す図であり、図3は成膜方法により得られた金属配線52を示す図である。
金属配線52を形成する基板としては、ガラス基板50の他、プラスチック基板、シリコン基板等であってもよい。
まず、上述したマスク10を用いて、蒸着法、スパッター法等の物理気相成長法やCVD法等の化学物理気相成長法により、ガラス基板50に金属下地膜60を形成する。金属下地膜60の材料としては、金又はニッケルを用いる。以下では、ニッケルを用いた場合について説明する。
具体的には、図2(a)示すように、ガラス基板50にマスク10の表面11aが密着するように貼り付ける。そして、物理気相成長法や化学物理気相成長法により、ガラス基板50上にニッケルからなる金属下地膜60を形成する(図2(b)参照)。ニッケルからなる金属下地膜60の膜厚としては、約100nm程度である。
なお、薄膜材料が梁14をまわりこみ、ガラス基板50上に良好に到達し、堆積するためには、上述したように、梁14をマスク10の表面11aから少なくとも約5μm以上離間させる必要がある。梁14とマスク10の表面11aとの距離が近いと、梁14をまわりこむ薄膜材料が少なくなり、ガラス基板50上に形成される金属配線52等のパターンが薄くなって、抵抗値増大、又は断線等の原因となってしまうからである。
一方、ニッケルからなる金属下地膜60が形成されたガラス基板50は、このまま無電解金メッキ液に浸漬する。これにより、図2(c)に示すように、金属下地膜60上に金メッキ膜が析出して、金属膜65が形成される。そして、金属膜65を約2μmまで厚く形成する。
また、容易に厚い膜厚の金属膜65を形成することが可能である。すなわち、自己触媒作用により、金属析出反応は連続的に進行して、金メッキ膜が成長するので、容易に厚い膜厚を得ることができる。しかも、金属下地膜60上にのみ金が析出するので、高価な貴金属を無駄なく使用することができる。また、還元剤を含有するので、置換メッキ法に比べて、高速成膜することもできるという優れた特徴がある。
なお、無電解金メッキ液としては、例えば、シアン金カリウムが2.0g/L、次亜リン酸ナトリウムが10g/L、塩化アンモニウムが75g/L、クエン酸ナトリウムが50g/Lのものを用いることができる。そして、希釈塩酸にてpH5〜6に調整し、温度を90±3℃とする。
特に、金属下地膜60として、ニッケルや金を用いた場合には、金属下地膜60を形成した後に、金属下地膜60の表面に酸化膜等が形成されないので、酸化膜除去作業が不要となる利点がある。また、酸化膜を除去する必要がないので、金属下地膜60を必要最小限の膜厚とすればよく、高価な金属の使用量を削減することができる。
そして、金かららなる金属膜65は、電気伝導性、低接触抵抗、耐食性、ハンダ付け性、耐摩耗性に優れるので、金属配線52の他、各種接点、端子、コネクタ、リードスイッチ、リードフレーム等で利用可能である。
次に、マスク10を用いてガラス基板50に金属配線54のパターンを形成する方法であって、金属下地膜70としてアルミニウムを用いた場合について説明する。
図4は、金属配線54の形成工程を示す図である。
金属下地膜70として、アルミニウムを成膜する場合には、図4(a)に示すように、マスク10を用いて蒸着法、スパッター法等の物理気相成長法やCVD法等の化学物理気相成長法により、ガラス基板50に金属下地膜70を形成する。アルミニウムからなる金属下地膜70の膜厚としては、約700nm程度である。なお、アルミニウムからなる金属下地膜70の場合には、表層に形成される酸化膜層を取り除く必要があるので、ニッケルからなる金属下地膜60の膜厚(約100nm程度)に比べてその膜厚を厚く形成する必要がある。
なお、金属下地膜70を形成する材料としては、アルミ合金であってもよい。例えば、アルミニウム、シリコン、銅の合金を用いることができる。
一方、アルミニウムからなる金属下地膜70が形成されたガラス基板50(図4(b)参照)は、表面に付着した有機物を除去するために、UV洗浄を行う。
具体的には、例えば、アルミニウムからなる金属下地膜70が形成されたガラス基板50をジンケート液に約1分間、浸漬する。これにより、金属下地膜70の表層の酸化膜が取り除かれる。すなわち、ジンケート処理のエッチング作用により、金属下地膜70の表層全体が僅かに取り除かれる。なお、ジンケート液としては、例えば、水酸化ナトリウムが3重量%、酸化亜鉛が0.5重量%のものを用いることができる。
すなわち、マスク10を用いて金属下地膜70を形成した場合には、マスク10のパターン開口部12から食み出して、不要な部分に薄膜70aが成膜されてしまう場合がある。そして、食み出して形成された薄膜70aが隣接する金属下地膜70のパターンと接触してしまうと、所望のパターンを得られないので、欠陥部分(短絡した部分)を有する金属膜70のパターンが形成されてしまう。ところが、このような欠陥部分を有する金属下地膜70のパターンにジンケート処理を施すと、食み出して形成された薄膜70a、すなわち欠陥部分を容易に取り除くことができる。
このように、アルミニウムからなる金属下地膜70を形成したガラス基板50にジンケート処理を施すことにより、金属下地膜70から食み出した薄膜70aが容易に取り除かれて、欠陥のない、所望のパターンの金属下地膜70を得ることができる。(図4(c)参照)
無電解ニッケル液としては、硫酸ニッケルが0.15mol/L、リンゴ酸ナトリウムが0.2mol/L、コハク酸ナトリウムが0.2mol/L、次亜リン酸ナトリウムが0.15mol/L、ほう酸が0.12mol/Lのものを、希釈硫酸にてpHを5.4±0.2に、温度が80±1℃に調整して用いることができる。
置換金メッキを施した後に、更に無電解金メッキを施すのは、ニッケル膜72上に直接、無電解金メッキを施すと、ニッケルと金のイオン化傾向差が大きいので、初期の金の析出が還元材による析出ではなく、置換による析出となる。そして、置換により析出した金メッキの膜は、ニッケル膜72と殆ど密着性のない膜となり、剥離等の不具合が生じるからである。また、置換金メッキ法によりニッケル膜72上に金の薄膜を形成すると、密着性の高い膜を形成することができるが、厚い膜を形成することは不可能である。
そこで、一旦、置換金メッキ法によりニッケル膜72上に薄膜を形成した後に、更に無電解金メッキ法を施して、ニッケル膜72上に所望の膜厚の金メッキ膜を形成する。
更に、約80℃に加熱した無電解金メッキ液にガラス基板50を約2時間浸漬して、約2μmの膜厚の金からなる金属膜75を形成する。
無電解金メッキ液としては、上述した例の他、亜硫酸金ナトリウムが0.65パーセント、ヒドロキシルアミンが1.0%、硫酸タリウムが0.5ppm、EDTAが9.0%、硫酸リチウムが3%のものを、希釈硫酸にてpHを7.0±0.2に、調節したものを用いることができる。
図5は、有機ELデバイス100の側面断面図である。
有機ELデバイス100は、陽極である画素電極130と陰極180との間にマトリクス状に配置された複数の画素領域を配置して構成されるものであって、画素領域として、有機材料からなる発光層160R,160G,160Bが用いられることが特徴である。
ガラス材料等からなる基板110の表面には、各画素領域(発光層160R,160G,160B)を駆動する回路部120が形成される。なお、図5では、回路部120の詳細構成の図示を省略しているが、この回路部120における電気配線が上述した成膜方法により形成されている。
回路部120の表面には、ITO等からなる複数の画素電極130が、各画素領域に対応してマトリクス状に形成される。
そして、陽極として機能する画素電極130を覆うように、銅フタロシアニン膜からなる正孔注入層140が設けられる。更に、正孔注入層140の表面に、NPB(N,N−ジ(ナフタリル)−N,N−ジフェニル−ベンジデン)等からなる正孔輸送層150が設けられる。
また、各発光層160を覆うように、フッ化リチウム等からなる電子注入層170が形成され、さらに電子注入層170の表面には、Al等からなる陰極180が形成されている。なお、基板110の端部に封止基板(不図示)が貼り合わされて、全体が密閉封止されている。
そして、上述した画素電極130と陰極180との間に電圧を印加すると、正孔注入層140により発光層160に対して正孔が注入され、電子注入層170により発光層160に対して電子が注入される。そして、発光層160において正孔および電子が再結合し、ドーパントが励起されて発光する。このように有機材料からなる発光層160を備えた有機ELデバイス100は、寿命が長く発光効率に優れるという特徴がある。
図6は、本発明の電子機器の実施の形態を示す図である。携帯電話(電子機器)200は、低分子有機ELデバイス100からなる表示部201を備えている。他の応用例としては、腕時計型電子機器において表示部として低分子有機ELデバイス100を備える場合や、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置において表示部として低分子有機ELデバイス100を備える場合等がある。
このように、携帯電話200は、低分子有機ELデバイス100を表示部201として備えているので、表示コントラストが高く、品質に優れた表示を実現することができる。
また、金属膜65,75を無電解メッキ法により形成したが、電解メッキ法により形成してもよい。例えば、白金には電解メッキ法が適している。
Claims (13)
- 基板上に薄膜のパターンを形成する成膜方法であって、
マスクを用いて気相成長法により前記基板上に金属下地膜を成膜し、前記パターンを形成する第1工程と、
前記基板にメッキ処理を施して金属下地層からなる前記パターン上に金属膜を成膜する第2工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記金属下地層は、金又はニッケルからなることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記メッキ処理は、無電解金メッキ処理であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜方法。
- 前記金属下地層は、アルミニウムからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜方法。
- 前記第2工程に先立って、ジンケート処理を行うことを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記ジンケート処理により、前記パターンから外れた欠陥部分を除去することを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記第2工程において、無電解ニッケルメッキを行った後に、置換金メッキ及び無電解金メッキを行うことを特徴とする請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記マスクは、開口部と、前記開口部に挟まれた領域と前記開口部に挟まれた領域以外の領域とをつなぐ梁部と、を有することを特徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記梁部は、前記梁部以外の領域と比べて薄く形成されていることを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。
- 前記マスクは、シリコンからなることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の成膜方法。
- 前記マスクは、前記マスク上に成膜された薄膜を剥離することにより、繰り返し使用されることを特徴とする請求項1から請求項10のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
- 請求項1から請求項11のうちいずれか一項に記載の成膜方法により形成された金属配線パターンを備えることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項12に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004270891A JP2006083442A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 |
US11/201,467 US20060062978A1 (en) | 2004-09-17 | 2005-08-11 | Film forming method, electronic device and electronic apparatus |
CNB2005100921500A CN100414682C (zh) | 2004-09-17 | 2005-08-23 | 成膜方法、电子器件及电子仪器 |
TW094129503A TWI278522B (en) | 2004-09-17 | 2005-08-29 | Film forming method, electronic device and electronic apparatus |
KR1020050086025A KR100665424B1 (ko) | 2004-09-17 | 2005-09-15 | 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004270891A JP2006083442A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006083442A true JP2006083442A (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=36074388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004270891A Pending JP2006083442A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060062978A1 (ja) |
JP (1) | JP2006083442A (ja) |
KR (1) | KR100665424B1 (ja) |
CN (1) | CN100414682C (ja) |
TW (1) | TWI278522B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5139429B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2013-02-06 | インクテック カンパニー リミテッド | 金属積層板の製造方法 |
RU2494202C2 (ru) * | 2009-03-31 | 2013-09-27 | Андрей Виленович Любомирский | Облицовочная панель (варианты) |
RU2494201C2 (ru) * | 2009-03-31 | 2013-09-27 | Андрей Виленович Любомирский | Облицовочная панель (варианты) |
DE102009022660B3 (de) * | 2009-05-26 | 2010-09-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Befestigung eines Bauelements an einem Substrat und/oder eines Anschlusselementes an dem Bauelement und/oder an dem Substrat durch Drucksinterung |
DE102015108494B4 (de) * | 2015-05-29 | 2024-01-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines Gehäusedeckels und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
JP2017150017A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法 |
TWI658603B (zh) * | 2017-07-04 | 2019-05-01 | 茂迪股份有限公司 | 單面受光式太陽能電池及其製造方法 |
DE102017126590A1 (de) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | Doduco Solutions Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Bodenplatte für ein Elektronikmodul |
CN110592526A (zh) * | 2018-06-12 | 2019-12-20 | 张东晖 | 金属蒸镀遮罩结构 |
EP4016658A1 (en) | 2019-01-31 | 2022-06-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask group, manufacturing method of electronic device, and electronic device |
JP7189846B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2022-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および金属の積層方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011143A (en) * | 1973-06-25 | 1977-03-08 | Honeywell Inc. | Material deposition masking for microcircuit structures |
US3897324A (en) * | 1973-06-25 | 1975-07-29 | Honeywell Inc | Material deposition masking for microcircuit structures |
US4122215A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface |
US4715940A (en) * | 1985-10-23 | 1987-12-29 | Gte Products Corporation | Mask for patterning electrode structures in thin film EL devices |
JP2552159B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1996-11-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04236758A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスク |
US6316097B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-11-13 | Seagate Technology Llc | Electroless plating process for alternative memory disk substrates |
JP2001185350A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP3656612B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2005-06-08 | 株式会社村田製作所 | 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4932094B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2012-05-16 | 日本リーロナール有限会社 | 無電解金めっき液および無電解金めっき方法 |
JP2004039628A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-02-05 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
-
2004
- 2004-09-17 JP JP2004270891A patent/JP2006083442A/ja active Pending
-
2005
- 2005-08-11 US US11/201,467 patent/US20060062978A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-23 CN CNB2005100921500A patent/CN100414682C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-29 TW TW094129503A patent/TWI278522B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-15 KR KR1020050086025A patent/KR100665424B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100414682C (zh) | 2008-08-27 |
TWI278522B (en) | 2007-04-11 |
CN1750250A (zh) | 2006-03-22 |
US20060062978A1 (en) | 2006-03-23 |
TW200615389A (en) | 2006-05-16 |
KR20060051312A (ko) | 2006-05-19 |
KR100665424B1 (ko) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100665424B1 (ko) | 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기 | |
US6897135B2 (en) | Method for fabricating metal interconnections | |
US6798032B2 (en) | Metal film pattern and manufacturing method thereof | |
US8853017B2 (en) | Organic thin film transistor, production method thereof, and electronic device | |
WO2017063292A1 (zh) | 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板 | |
JP2009004774A (ja) | 金属配線形成方法 | |
CN111477589B (zh) | 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置 | |
JP2006128595A (ja) | 金属配線、金属配線の製造方法、金属配線を含むアレイ基板及び液晶表示パネル | |
KR100767903B1 (ko) | 마스크의 제조 방법, 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기 | |
US20120067623A1 (en) | Heat-radiating substrate and method for manufacturing the same | |
KR20070106669A (ko) | 회로기판 및 그 제조방법 | |
JPH08227656A (ja) | プラズマディスプレイの導電パターン形成方法 | |
JP2008098639A (ja) | メッキ層を備えるバンプ電極及びその製造方法 | |
JP4590527B2 (ja) | 薄膜電極基板の作製方法 | |
US6187166B1 (en) | Integrated solution electroplating system and process | |
JP2003297584A (ja) | 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法 | |
JP2014210959A (ja) | めっき装置、めっき方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板 | |
JP2007243036A (ja) | 配線基板の製造方法およびめっき方法 | |
JP2007288011A (ja) | ポリイミド配線板の製造方法 | |
JP2001185361A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子 | |
JP4341380B2 (ja) | 可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 | |
JPH0629206A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 | |
JPH06324349A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2008091490A (ja) | 配線板の製造方法 | |
JP2016151992A (ja) | 透明電極構造、透明電極の製造方法、タッチパネル及び有機el装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090811 |