JP2006083442A - 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 貴金属材料の使用量を削減しつつ、低抵抗の電気配線を高い生産能力で形成することができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】 基板５０上に薄膜５２のパターン１２を形成する成膜方法であって、マスク１０を用いて気相成長法により基板５０上に金属下地膜６０を成膜し、パターン１２を形成する第１工程と、基板５０にメッキ処理を施して金属下地層からなるパターン１２上に金属膜６５を成膜する第２工程と、を有する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、気相成長法等により、基板上に任意の配線パターンを形成するためのマスク等に関する。

従来から、フォトリソグラフ技術とドライ及びウエットエッチング技術とを用いて、基板上に電気配線を形成する技術が使用されている。ところが、フォトリソグラフ処理とエッチング処理を行うためには、非常に高価な設備が必要であり、また複数の処理工程の管理コストや歩留まり等の影響から、製品コスト上昇の要因となる。更に、大量のレジスト、現像液、レジスト剥離液、エッチング液（ガス）を消費するため、地球環境への影響も懸念される。
このため、特開平４−２３６７５８号公報に開示されるように、シリコンウエハや金属箔等にパターンが形成されたマスクを基板に密着させて、気相成長法により成膜することにより、基板上に任意の配線パターンを形成する技術が提案されている。この技術は、湿度や酸素等により劣化してしまう材料が多く用いられる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造において、非常に有効な技術である。
特開平４−２３６７５８号公報

しかしながら、大電流を流すために、低抵抗の電気配線を形成する場合には、金や白金等の貴金属を厚く成膜する必要があるが、気相成長法では処理時間が長くなって生産能力が低下してしまう。また、マスクや成膜装置に付着する貴金属が増えてしまうので、貴金属材料の消費量が増加して、コスト上昇を招いてしまうという問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、貴金属材料の使用量を削減しつつ、低抵抗の電気配線を高い生産能力で形成することができる成膜方法等を提供することを目的とする。

本発明に係る成膜方法、電子デバイス、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
基板上に薄膜のパターンを形成する成膜方法であって、マスクを用いて気相成長法により基板上に金属下地膜を成膜し、パターンを形成する第１工程と、基板にメッキ処理を施して金属下地層からなるパターン上に金属膜を成膜する第２工程と、を有するようにした。
この発明によれば、金属下地膜上にメッキ処理により金属膜を形成するので、不要な部分に金属膜ができず、金属材料の無駄が殆どなくなる。そして、容易に所望の膜厚の金属膜を形成することができる。

また、金属下地層が、金又はニッケルからなるものでは、表面酸化膜の除去処理を行わなくて済むので、薄い膜を形成すればよく、したがって、処理時間の短縮化、低コスト化を図ることができる。
また、メッキ処理が、無電解金メッキ処理であるものでは、金又はニッケルからなる金属下地膜上に良好に成膜し、所望の膜厚の金属膜を形成することができる。

また、金属下地層が、アルミニウムからなるものでは、良好に金属下地膜を形成することができると共に低コスト化を図ることができる。
また、第２工程に先立って、ジンケート処理を行うものでは、アルミニウムからなる金属下地層の表面に形成された酸化皮膜、不動態皮膜を除去して亜鉛置換することができる。
また、ジンケート処理により、パターンから外れた欠陥部分を除去するものでは、金属下地層がマスクの開口部から食み出た欠陥部分が形成された場合であっても、欠陥部分は膜厚が薄いので、ジンケート処理のエッチング作用により容易に除去することができる。特に、マスクの開口部から食み出て形成された欠陥部分が隣接する金属下地層と接触してしまい所望のパターンが得られない場合であっても、欠陥部分（食み出した部分）を除去することにより、所望のパターンの金属下地膜を得ることができる。
また、第２工程において、無電解ニッケルメッキを行った後に、置換金メッキ及び無電解金メッキを行うものでは、アルミニウムからなる金属下地層上に良好に金属膜を形成することができる。

また、マスクが、開口部と、開口部に挟まれた領域と開口部に挟まれた領域以外の領域とをつなぐ梁部と、を有するようにしたものでは、梁により開口部に挟まれた領域と開口部に挟まれた領域以外の領域複雑な形状の開口部を形成することができる。例えば、所謂、閉じたパターンを形成することが可能となる。そして、基板上に、分断することなく連続した形状の薄膜パターンを形成することができる。更に、マスク基材の板厚をパターン開口部の厚さより薄くする事により、より斜めから入射する薄膜形成粒子も基板に付着させる事ができるため、パターン開口部がより微細になっても、対応できるマスクが形成できる。
また、梁部が、梁部以外の領域と比べて薄く形成されているものでは、より斜めから入射する薄膜形成粒子も基板に付着させる事ができる。
また、マスク基材がシリコンからなるものでは、梁を含むパターン開口部を確実に形成することができる。
また、マスクがマスク基材上に成膜された薄膜を剥離することにより、繰り返し使用されるものでは、薄膜の形成を安価に製造することが可能となる。

第２の発明は、電子デバイスが、第１の発明の成膜方法により形成された金属配線パターンを備えるようにした。この発明によれば、低効率が低く、大きな電流を流せる金属配線が安価に形成されるので、安価で高性能な電子デバイスを得ることができる。

第３の発明は、電子機器が、第２の発明の電子デバイスを備えるようにした。この発明によれば、高性能な電気機器を得ることができる。

以下、本発明の成膜方法、電子デバイス、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
［マスク］
図１は、蒸着法、スパッター法、ＣＶＤ法等により、ガラス基板５０上に薄膜のパターンを形成させるために用いられるマスク１０の一例を示す斜視一部断面図である。
マスク１０は、シリコンにより形成されたマスク基材１１に、複数のパターン開口部１２を形成したものである。パターン開口部１２の形状としては、例えば、約１０μｍの幅を有するライン状に形成される。このパターン開口部１２を介して、被成膜基板上に金属材料を積層させることにより、約１０μｍの幅の電気配線等のパターンを形成することができる。
パターン開口部１２の形状としては、ライン状に限らず、円形、矩形等であってよい。

各パターン開口部１２内には、パターン開口部１２の側壁１３同士を連結する梁１４が複数設けられる。梁１４は、マスク基材１１における被成膜基板対向面（以下、表面１１ａという）から離間した位置に設けられる。表面１１ａからの距離は、少なくとも５μｍ以上である。このように、パターン開口部１２の側壁１３に梁１４が複数設けられるので、マスク基材１１に閉じた形状のパターン開口部１２を形成することが可能である。つまり、例えば島のように浮いた部位を複数の梁１４で支えることにより、ドーナッツ形のパターン開口部１２を設けることができる。具体的には、図１におけるマスク基材１１の部位１１ｃは、複数の梁１４を介してマスク基材１１の部位１１ｄに連結される。したがって、部位１１ｃはマスク基材１１から脱落することなく、一体的となってマスク１０を構成する。なお、梁１４の数等は、その強度等に応じて任意に設定可能である。

梁１４を表面１１ａから離間した位置に設けるのは、マスク１０を用いて被成膜基板上に金属配線等を形成する場合に、形成される金属配線が分断されずに連続して形成されるようにするためである。つまり、梁１４を表面１１ａから離間させることにより、金属配線用材料等が梁１４の周囲に回り込んで、被成膜基板上に付着するようにしている。なお、金属配線の形成工程については、後述する。
マスク基材１１の材料としては、金属、ガラス、プラスチック等が挙げられるが、シリコン板（シリコンウエハ等）を用いることが好ましい。梁１４を容易に形成することができるからである。また、磁性を帯びないので、プラズマＣＶＤ用のマスクとしても用いることができる。なお、マスク基材１１の形状は、任意であるが、その厚みは、数百μｍ程度が好ましい。

［成膜方法：第１実施形態］
次に、上述したマスク１０を用いてガラス基板５０に金属配線５２のパターンを形成する方法について述べる。
図２はマスク１０を用いて金属配線５２を形成する工程を示す図であり、図３は成膜方法により得られた金属配線５２を示す図である。
金属配線５２を形成する基板としては、ガラス基板５０の他、プラスチック基板、シリコン基板等であってもよい。
まず、上述したマスク１０を用いて、蒸着法、スパッター法等の物理気相成長法やＣＶＤ法等の化学物理気相成長法により、ガラス基板５０に金属下地膜６０を形成する。金属下地膜６０の材料としては、金又はニッケルを用いる。以下では、ニッケルを用いた場合について説明する。
具体的には、図２（ａ）示すように、ガラス基板５０にマスク１０の表面１１ａが密着するように貼り付ける。そして、物理気相成長法や化学物理気相成長法により、ガラス基板５０上にニッケルからなる金属下地膜６０を形成する（図２（ｂ）参照）。ニッケルからなる金属下地膜６０の膜厚としては、約１００ｎｍ程度である。

ここで、金属下地膜６０を形成する際に、薄膜材料であるニッケルはマスク１０のパターン開口部１２を通過して、ガラス基板５０上に到達し、堆積する。このとき、薄膜材料は、梁１４をまわりこみ、ガラス基板５０上のパターン開口部１２に対応（露出）する領域の全面に到達し、堆積する。つまり、梁１４を表面１１ａから離間させた位置に配置したので、梁１４の存在に影響されずに、金属配線５２のパターンを形成することができるので、欠陥（断線）のない金属下地膜６０のパターンを得ることができる。したがって、図３に示すように、従来のマスクでは形成することができなかった、閉じた形状等の金属下地膜６０のパターンを良好に形成することができる。
なお、薄膜材料が梁１４をまわりこみ、ガラス基板５０上に良好に到達し、堆積するためには、上述したように、梁１４をマスク１０の表面１１ａから少なくとも約５μｍ以上離間させる必要がある。梁１４とマスク１０の表面１１ａとの距離が近いと、梁１４をまわりこむ薄膜材料が少なくなり、ガラス基板５０上に形成される金属配線５２等のパターンが薄くなって、抵抗値増大、又は断線等の原因となってしまうからである。

ガラス基板５０に金属下地膜６０が形成されると、マスク１０はガラス基板５０から取り外されて、裏面１１ｂ側に積層したニッケルの薄膜の剥離処理が施される。具体的には、マスク１０を塩酸の水溶液に浸漬することにより、付着したニッケルの薄膜を除去する。これにより、マスク１０は、繰り返し使用することが可能となり、金属下地膜６０の製造コストを低減することが可能となる。
一方、ニッケルからなる金属下地膜６０が形成されたガラス基板５０は、このまま無電解金メッキ液に浸漬する。これにより、図２（ｃ）に示すように、金属下地膜６０上に金メッキ膜が析出して、金属膜６５が形成される。そして、金属膜６５を約２μｍまで厚く形成する。

無電解金メッキ法を用いたのは、無電解メッキ法は、電気を供給する必要がないので、設備コストを抑えることができるからである。すなわち、ガラス基板５０に込み入った金属膜６５のパターンを形成したとしても、そのパターンの全てに電気を供給する必要がなく、処理作業が容易である。また、形状の不規則な表面に均一な厚さのメッキ皮膜が得られる。プラスチックやセラミックなど不導体上に直接メッキでき、アルミなどの、非鉄金属にもメッキできる。更に、乾式成膜法に比べても装置コストが安い等の利点がある。
また、容易に厚い膜厚の金属膜６５を形成することが可能である。すなわち、自己触媒作用により、金属析出反応は連続的に進行して、金メッキ膜が成長するので、容易に厚い膜厚を得ることができる。しかも、金属下地膜６０上にのみ金が析出するので、高価な貴金属を無駄なく使用することができる。また、還元剤を含有するので、置換メッキ法に比べて、高速成膜することもできるという優れた特徴がある。
なお、無電解金メッキ液としては、例えば、シアン金カリウムが２．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムが１０ｇ／Ｌ、塩化アンモニウムが７５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウムが５０ｇ／Ｌのものを用いることができる。そして、希釈塩酸にてｐＨ５〜６に調整し、温度を９０±３℃とする。

このように、マスク１０を用いてガラス基板５０上に金属下地膜６０を成膜した後に、ガラス基板５０に無電解金メッキ処理を施して、金属下地膜６０上に金属膜６５を形成したので、高価な金の使用量を削減しつつ、金属膜６５の膜厚を厚く形成することができるので、低抵抗な金属配線５２を得ることができる。
特に、金属下地膜６０として、ニッケルや金を用いた場合には、金属下地膜６０を形成した後に、金属下地膜６０の表面に酸化膜等が形成されないので、酸化膜除去作業が不要となる利点がある。また、酸化膜を除去する必要がないので、金属下地膜６０を必要最小限の膜厚とすればよく、高価な金属の使用量を削減することができる。
そして、金かららなる金属膜６５は、電気伝導性、低接触抵抗、耐食性、ハンダ付け性、耐摩耗性に優れるので、金属配線５２の他、各種接点、端子、コネクタ、リードスイッチ、リードフレーム等で利用可能である。

［成膜方法：第２実施形態］
次に、マスク１０を用いてガラス基板５０に金属配線５４のパターンを形成する方法であって、金属下地膜７０としてアルミニウムを用いた場合について説明する。
図４は、金属配線５４の形成工程を示す図である。
金属下地膜７０として、アルミニウムを成膜する場合には、図４（ａ）に示すように、マスク１０を用いて蒸着法、スパッター法等の物理気相成長法やＣＶＤ法等の化学物理気相成長法により、ガラス基板５０に金属下地膜７０を形成する。アルミニウムからなる金属下地膜７０の膜厚としては、約７００ｎｍ程度である。なお、アルミニウムからなる金属下地膜７０の場合には、表層に形成される酸化膜層を取り除く必要があるので、ニッケルからなる金属下地膜６０の膜厚（約１００ｎｍ程度）に比べてその膜厚を厚く形成する必要がある。
なお、金属下地膜７０を形成する材料としては、アルミ合金であってもよい。例えば、アルミニウム、シリコン、銅の合金を用いることができる。

ガラス基板５０に金属下地膜７０が形成されると、マスク１０はガラス基板５０から取り外されて、裏面１１ｂ側に積層したアルミニウムの薄膜の剥離処理が施される。具体的な方法は、上述した方法と同様である。
一方、アルミニウムからなる金属下地膜７０が形成されたガラス基板５０（図４（ｂ）参照）は、表面に付着した有機物を除去するために、ＵＶ洗浄を行う。

続いて、図４（ｃ）示すように、ガラス基板５０に対して、ジンケート処理を行う。ジンケート処理とは、アルミニュウムからなる金属下地膜７０の表層に形成された酸化膜を取り除くと共に、表層を亜鉛置換して金属下地膜７０上に成膜される金属膜７５との密着性を高める効果を得るものである。
具体的には、例えば、アルミニウムからなる金属下地膜７０が形成されたガラス基板５０をジンケート液に約１分間、浸漬する。これにより、金属下地膜７０の表層の酸化膜が取り除かれる。すなわち、ジンケート処理のエッチング作用により、金属下地膜７０の表層全体が僅かに取り除かれる。なお、ジンケート液としては、例えば、水酸化ナトリウムが３重量％、酸化亜鉛が０．５重量％のものを用いることができる。

ジンケート処理は、アルミニウム膜の表層の酸化膜を取り除くと共に亜鉛置換することが目的であるが、マスク１０を用いてアルミニウムからなる金属下地膜７０を形成したガラス基板５０にジンケート処理を施した場合には、以下の効果も得ることができる。
すなわち、マスク１０を用いて金属下地膜７０を形成した場合には、マスク１０のパターン開口部１２から食み出して、不要な部分に薄膜７０ａが成膜されてしまう場合がある。そして、食み出して形成された薄膜７０ａが隣接する金属下地膜７０のパターンと接触してしまうと、所望のパターンを得られないので、欠陥部分（短絡した部分）を有する金属膜７０のパターンが形成されてしまう。ところが、このような欠陥部分を有する金属下地膜７０のパターンにジンケート処理を施すと、食み出して形成された薄膜７０ａ、すなわち欠陥部分を容易に取り除くことができる。

つまり、金属下地膜７０のパターンから食み出して形成される薄膜７０ａは、金属下地膜７０を形成する際に密着させていたマスク１０とガラス基板５０とが何らかの原因により僅かに離間してできた隙間等に、金属下地膜７０の材料がまわり込むことにより形成される（図４（ｂ）参照）。したがって、食み出して形成される薄膜７０ａは、金属下地膜７０、すなわち、パターン開口部１２に対応する領域に形成される膜に比べて、非常に薄い膜となる。このため、薄膜７０ａにジンケート処理が施されると、金属下地膜７０の表層の酸化膜と共に取り除かれてしまう。
このように、アルミニウムからなる金属下地膜７０を形成したガラス基板５０にジンケート処理を施すことにより、金属下地膜７０から食み出した薄膜７０ａが容易に取り除かれて、欠陥のない、所望のパターンの金属下地膜７０を得ることができる。（図４（ｃ）参照）

次いで、ジンケート処理されたガラス基板５０は、流水により約５分間洗浄された後に、無電解ニッケルメッキを施して、図４（ｄ）に示すように、金属下地膜７０上にニッケル膜７２を形成する。具体的には、約８０℃に加熱したＮｉ−Ｐメッキ液に約４分間浸漬して、約１．６μｍの膜厚のニッケル膜７２を金属下地膜７０上に形成する。
無電解ニッケル液としては、硫酸ニッケルが０．１５ｍｏｌ／Ｌ、リンゴ酸ナトリウムが０．２ｍｏｌ／Ｌ、コハク酸ナトリウムが０．２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムが０．１５ｍｏｌ／Ｌ、ほう酸が０．１２ｍｏｌ／Ｌのものを、希釈硫酸にてｐＨを５．４±０．２に、温度が８０±１℃に調整して用いることができる。

次いで、図４（ｅ）に示すように、置換金メッキ法によりニッケル膜７２上に金の薄膜を形成し、更に無電解金メッキ法により、ニッケル膜７２上に所望の膜厚の金メッキ膜を形成する。
置換金メッキを施した後に、更に無電解金メッキを施すのは、ニッケル膜７２上に直接、無電解金メッキを施すと、ニッケルと金のイオン化傾向差が大きいので、初期の金の析出が還元材による析出ではなく、置換による析出となる。そして、置換により析出した金メッキの膜は、ニッケル膜７２と殆ど密着性のない膜となり、剥離等の不具合が生じるからである。また、置換金メッキ法によりニッケル膜７２上に金の薄膜を形成すると、密着性の高い膜を形成することができるが、厚い膜を形成することは不可能である。
そこで、一旦、置換金メッキ法によりニッケル膜７２上に薄膜を形成した後に、更に無電解金メッキ法を施して、ニッケル膜７２上に所望の膜厚の金メッキ膜を形成する。

具体的には、約８０℃に加熱した置換金メッキ液にガラス基板５０を浸漬して、約０．１μｍの膜厚の金の膜をニッケル膜７２上に形成する。なお、置換金メッキ液としては、例えば、亜硫酸金ナトリウムが０．７％、硫酸タリウムが６．５ｍｇ／Ｌ、ＥＤＴＡが３％、硫酸リチウムが１０％のものを用いることができる。
更に、約８０℃に加熱した無電解金メッキ液にガラス基板５０を約２時間浸漬して、約２μｍの膜厚の金からなる金属膜７５を形成する。
無電解金メッキ液としては、上述した例の他、亜硫酸金ナトリウムが０．６５パーセント、ヒドロキシルアミンが１．０％、硫酸タリウムが０．５ｐｐｍ、ＥＤＴＡが９．０％、硫酸リチウムが３％のものを、希釈硫酸にてｐＨを７．０±０．２に、調節したものを用いることができる。

このように、置換金メッキ、更に無電解金メッキを施すことにより、密着性が高く、また所望の膜厚の金からなる金属膜７５を形成することができるので、低抵抗な金属配線５４を得ることができる。

［有機ＥＬデバイス］
図５は、有機ＥＬデバイス１００の側面断面図である。
有機ＥＬデバイス１００は、陽極である画素電極１３０と陰極１８０との間にマトリクス状に配置された複数の画素領域を配置して構成されるものであって、画素領域として、有機材料からなる発光層１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂが用いられることが特徴である。
ガラス材料等からなる基板１１０の表面には、各画素領域（発光層１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂ）を駆動する回路部１２０が形成される。なお、図５では、回路部１２０の詳細構成の図示を省略しているが、この回路部１２０における電気配線が上述した成膜方法により形成されている。
回路部１２０の表面には、ＩＴＯ等からなる複数の画素電極１３０が、各画素領域に対応してマトリクス状に形成される。
そして、陽極として機能する画素電極１３０を覆うように、銅フタロシアニン膜からなる正孔注入層１４０が設けられる。更に、正孔注入層１４０の表面に、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）等からなる正孔輸送層１５０が設けられる。

そして、正孔輸送層１５０の表面には、各画素領域に対応する発光層１６０Ｒ，１６０Ｇ，１６０Ｂがマトリクス状に形成されている。この発光層１６０としては、例えば、分子量が約１０００以下の低分子有機材料が用いられる。具体的には、Ａｌｑ３（アルミニウム錯体）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして、発光層１６０が構成されている。
また、各発光層１６０を覆うように、フッ化リチウム等からなる電子注入層１７０が形成され、さらに電子注入層１７０の表面には、Ａｌ等からなる陰極１８０が形成されている。なお、基板１１０の端部に封止基板（不図示）が貼り合わされて、全体が密閉封止されている。
そして、上述した画素電極１３０と陰極１８０との間に電圧を印加すると、正孔注入層１４０により発光層１６０に対して正孔が注入され、電子注入層１７０により発光層１６０に対して電子が注入される。そして、発光層１６０において正孔および電子が再結合し、ドーパントが励起されて発光する。このように有機材料からなる発光層１６０を備えた有機ＥＬデバイス１００は、寿命が長く発光効率に優れるという特徴がある。

［電子機器］
図６は、本発明の電子機器の実施の形態を示す図である。携帯電話（電子機器）２００は、低分子有機ＥＬデバイス１００からなる表示部２０１を備えている。他の応用例としては、腕時計型電子機器において表示部として低分子有機ＥＬデバイス１００を備える場合や、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置において表示部として低分子有機ＥＬデバイス１００を備える場合等がある。
このように、携帯電話２００は、低分子有機ＥＬデバイス１００を表示部２０１として備えているので、表示コントラストが高く、品質に優れた表示を実現することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、金属膜６５，７５として金を用いたが、これに限らない。例えば、銀、白金やパラジウムを用いてもよい。パラジウムを無電解メッキする場合には、塩化パラジウムが０．１２ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウムが０．３ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムが０．０５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸鉛が１００ｐｐｍ、ホウ酸が０．２０ｍｏｌ／Ｌの液体を、希釈硫酸にてｐＨを５．４±０．２に、温度を８０±１℃調整した無電解パラジウム液を用いることができる。
また、金属膜６５，７５を無電解メッキ法により形成したが、電解メッキ法により形成してもよい。例えば、白金には電解メッキ法が適している。

また、金属下地膜６０，７０を成膜する際に用いるマスクとして、単結晶シリコンからなるマスク１０について説明したが、これに限らない。例えば、ステンレス製のマスク等を用いてもよい。

マスク１０を示す斜視一部断面図である。 金属配線５２の形成工程を示す図である。 金属配線５２を示す図である。 金属配線５２の形成工程を示す図である。 有機ＥＬデバイス１００の側面断面図である。 電子機器の実施の形態を示す図である。

符号の説明

１１…マスク基材、 １２…パターン開口部、 １２ａ…開口形成領域、 １４…梁、 ５０…ガラス基板（基板）、 ５２，５４…金属配線（薄膜）、 ６０，７０…金属下地膜、 ６５，７５…金属膜、 ７０ａ…薄膜（欠陥部分）、 １００…有機ＥＬデバイス（電子デバイス）、 ２００…携帯電話（電子機器）、 ２０１…表示部

Claims (13)

1. 基板上に薄膜のパターンを形成する成膜方法であって、
   マスクを用いて気相成長法により前記基板上に金属下地膜を成膜し、前記パターンを形成する第１工程と、
   前記基板にメッキ処理を施して金属下地層からなる前記パターン上に金属膜を成膜する第２工程と、
   を有することを特徴とする成膜方法。
2. 前記金属下地層は、金又はニッケルからなることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記メッキ処理は、無電解金メッキ処理であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。
4. 前記金属下地層は、アルミニウムからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。
5. 前記第２工程に先立って、ジンケート処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
6. 前記ジンケート処理により、前記パターンから外れた欠陥部分を除去することを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
7. 前記第２工程において、無電解ニッケルメッキを行った後に、置換金メッキ及び無電解金メッキを行うことを特徴とする請求項４から請求項６のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
8. 前記マスクは、開口部と、前記開口部に挟まれた領域と前記開口部に挟まれた領域以外の領域とをつなぐ梁部と、を有することを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
9. 前記梁部は、前記梁部以外の領域と比べて薄く形成されていることを特徴とする請求項８に記載の成膜方法。
10. 前記マスクは、シリコンからなることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の成膜方法。
11. 前記マスクは、前記マスク上に成膜された薄膜を剥離することにより、繰り返し使用されることを特徴とする請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の成膜方法。
12. 請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の成膜方法により形成された金属配線パターンを備えることを特徴とする電子デバイス。
13. 請求項１２に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
    
    
    
    

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