JP4341380B2 - 可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。

例えば、液晶パネルには、ＩＣチップが実装されたフレキシブル基板や、外部機器に接続ためのフレキシブル基板等が接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
液晶パネルとフレキシブル基板との接続は、一般に、次のようにして行われている。
すなわち、まず、液晶パネル側の端子と、これと接続すべきフレキシブル基板側の端子とを、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を介して位置決めする。次に、この状態で、フレキシブル基板を液晶パネル側に向かって押圧（加圧）することにより、接続すべき端子同士を導電性粒子を介して接続する。

一般的な液晶パネル、あるいは表示素子の基板にはガラスのように硬質な材料が使われる。この基板の上に設けられた端子は、一般的に真空プロセスで形成され、１μｍ以下の厚さで形成されている。一方、フレキシブル基板の基材は、樹脂材料で構成されていて柔軟性が高い。この上に設けられた端子は、金属箔を貼り合わせて、あるいは、メッキで形成されていて、一般的に５μｍ、あるいは１０μｍ以上の厚さがある。両者を導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを介して、押圧して貼り合わせると、それぞれの端子間が導電性粒子によって電気的に接続される。

しかしながら、液晶パネルの基板が樹脂材料からなる場合は、上に述べたような接続が困難であるという問題があった。樹脂基板から構成される液晶パネルの端子と、フレキシブル基板とを、ＡＣＦやＡＣＰを介して、押圧して貼り合わせると、両者は接着されるものの、電気的な接続が得られないことが頻発する。発明者らはこの問題を解決するため、接続部について調査を行った。その結果、液晶パネル上の端子を導電性粒子が突き破って、端子を破壊していることが明らかになった。つまり、真空プロセスで形成された薄い（一般的に１μｍ以下）金属層（あるいは導電層）からなる端子は、それ自身の強度は小さい。しかも、その端子が柔らかい樹脂基板に形成されている場合、これを導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを介して、フレキシブル基板と押圧して貼り合わせると、導電性粒子が液晶パネルの端子を突き破って、端子が破壊されていることが明らかになった。

これに対して、ガラス基板など硬質の基板を有する液晶パネル上の端子は非常に薄い金属層から成るものの、下地の基板が堅いために、導電性粒子が端子を突き破ることはない。また、フレキシブル基板の基板は柔らかいが、その上の端子の金属層が厚いため、端子自身の強度が高い。そのため、同じく、導電性粒子が端子を突き破ることがない。その結果、液晶パネル上の端子と、フレキシブル基板の端子とは、再現性良く接続されることになる。

このように、従来主流であったガラス基板においては、フレキシブル基板あるいはＩＣチップとの接続が、ＡＣＦやＡＣＰを用いることによって、再現性良く実現されていたが、基板を樹脂基板に変更するだけで、この工程が非常に困難で、再現性の乏しいものに変わってしまった。

特開２００１−２９１７３８号公報

本発明の目的は、強度に優れる端子を備える可撓性配線基板、かかる可撓性配線基板を容易かつ確実に製造することができる可撓性配線基板の製造方法、および、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の可撓性配線基板は、可撓性を有する基板と、複数のスイッチング素子と、少なくとも一部が前記スイッチング素子に接続された配線と、該配線に接続された複数の端子とを有し、前記スイッチング素子、前記配線および前記端子のいずれもが前記基板上に設けられた可撓性配線基板であって、
前記端子は、外部機器および駆動用ＩＣのうちの少なくとも一方が備える端子と、異方性導電フィルムまたは異方性導電ペーストに含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されるものであり、
前記配線と一体的に形成された部分と、前記一体的に形成された部分に対応して設けられた導電性を有する補強層とを備え、
前記配線と一体的に形成された部分の厚さが１０〜５００ｎｍで、かつ前記補強層の厚さが３〜５０μｍに設定されていることを特徴とする。
これにより、強度に優れる端子を備える可撓性配線基板となる。

本発明の可撓性配線基板では、前記基板は、前記スイッチング素子が設けられた第１の部分と、該第１の部分から側方へ突出する帯状の第２の部分とを有し、
該第２の部分に前記可撓性配線基板が有する端子の少なくとも一部が設けられていることが好ましい。
本発明の可撓性配線基板では、前記第１の部分と前記第２の部分とは、一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、例えば、可撓性配線基板を屈曲または湾曲させた状態で使用しても、第１の部分と第２の部分とが分離してしまうことがないため、配線の切断が防止される。

本発明の可撓性配線基板では、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部付近で、屈曲または湾曲させた状態で使用されることが好ましい。
これにより、例えば、可撓性配線基板を用いて電子デバイスを構築し、かかる電子デバイスを電子機器に組み込む際には、電子デバイスを組み込む場所の小スペース化が可能であり、電子機器の小型化を図ることができる。

本発明の可撓性配線基板では、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。
本発明の可撓性配線基板では、前記薄膜トランジスタは、主として有機半導体材料で構成される半導体層を有する有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、薄膜トランジスタを別途作製する必要がなく、基板上に直接作製することができるようになり、可撓性配線基板の製造工程数の削減を図ることができる。

本発明の可撓性配線基板では、前記可撓性配線基板が有する端子は、その少なくとも表面付近がＡｕで構成されていることが好ましい。
これにより、可撓性配線基板が有する端子の酸化を防止することができる。また、駆動用ＩＣの端子との接合をより確実に行うことができる。

本発明の可撓性配線基板では、前記可撓性配線基板が有する端子は、基板と反対側にＡｕで構成される層を有し、該層は、置換メッキ法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、端子用として適した金属で覆われた可撓性配線基板が有する端子とすることができる。
本発明の可撓性配線基板の製造方法は、本発明の可撓性配線基板を製造する可撓性配線基板の製造方法であって、
前記配線および前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分を有する導電体パターンを形成する工程と、
前記導電体パターンの前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分に、前記導電性を有する補強層を形成して、前記可撓性配線基板が有する端子を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、可撓性配線基板を容易かつ確実に製造することができる。

本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記補強層を、メッキ法により形成することが好ましい。
これにより、真空装置等の大掛かりな装置を用いずに、高い成膜精度で、所望の膜厚の補強層を成膜することができる。
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記メッキ法は、無電解メッキ法であることが好ましい。
これにより、より高い成膜精度で補強層を成膜することができる。

本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記導電体パターンは、その少なくとも前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分が触媒機能を有する触媒金属を主材料として形成されることが好ましい。
これにより、例えば補強層を無電解メッキで形成する際に、導電体パターンの表面へ触媒を付着させる工程を省略することができる。

本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記触媒金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔのうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、いずれも、高い触媒作用を有することから好ましい。
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記基板に分割する前のシート状またはロール状の元板上に、導電体パターンおよび補強層を順次形成した後、前記元板を、複数の前記基板に分割することが好ましい。
これにより、生産性が著しく向上して、低コストで本発明の可撓性配線基板を提供することが可能になる。さらに、可撓性配線基板の形状に依存しない、製造設備を準備できるので、迅速に多様な形状に対応が可能になる。
本発明の電子デバイスは、本発明の可撓性配線基板を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜可撓性配線基板＞
まず、本発明の可撓性配線基板の構成について説明する。
図１は、本発明の可撓性配線基板の実施形態を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線における縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す可撓性配線基板１は、可撓性を有する基板２と、画素電極３と、薄膜トランジスタ（スイッチング素子）４と、配線５と、端子６とで構成され、前記各部３〜６が基板２上に設けられている。
基板２は、この上に設けられた各部３〜６を支持するための支持体である。
基板２は、図１に示すように、第１の部分２１と、この第１の部分２１と一体的に形成された帯状の第２の部分２２とで構成されている。

第１の部分２１には、画素電極３および薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と略す。）４が設けられている。
また、第２の部分２２は、第１の部分２１から側方へ突出して設けられている。この第２の部分２２には、端子６が設けられている。
なお、本実施形態では、端子６の全てが第２の部分２２に設けられているが、一部の端子６は、第１の部分２１に設けられていてもよい。

また、第２の部分および第２の部分から第１の部分にかけて、配線５が設けられ（引き回され）ている。
基板２の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、芳香族ポリアミド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基板２の平均厚さは、その構成材料等によって若干異なり、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜３００μｍ程度であるのがより好ましい。基板２の厚さが薄すぎると、基板２の強度が低下し、支持体としての機能が損なわれるおそれがあり、一方、基板２の厚さが厚過ぎると、基板２の可撓性が低下するおそれがある。

画素電極３は、可撓性配線基板１を用いて後述する電気泳動表示装置２０を構築した際に、各画素を駆動させるための電圧を印加する一方の電極を構成するものである。
画素電極３の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ₂、Ｓｂ含有ＳｎＯ₂、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

画素電極３には、ＴＦＴ４が備えるドレイン電極が接続されている。ＴＦＴ４の作動を制御することにより、後述する電気泳動表示装置２０において各画素の駆動が制御される。
また、ＴＦＴ４は、主として有機半導体材料で構成される半導体層を有する有機薄膜トランジスタであるのが好ましい。これにより、ＴＦＴ４を基板２上に直接作製することができるようになり、可撓性配線基板１の製造工程数の削減を図ることができる。

この有機半導体層の構成材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリトリルアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリルアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。

高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、フルオレン−ビチオフェン共重合体、あるいは、ポリアリールアミン誘導体を用いるのが特に好ましい。
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。

端子６は、第１の端子６１、第２の端子６２、第３の端子６３および第４の端子６４で構成されている。
これらのうち、第１の端子６１、第２の端子６２および第３の端子６３は、それぞれ、駆動用ＩＣを接続（実装）するための端子を構成する。また、第４の端子６４は、外部機器との接続を行うための端子を構成する。

また、配線５は、第１の配線５１、第２の配線５２および第３の配線５３で構成されている。
これらのうち、第１の配線５１は、それぞれ、第１の端子６１とＴＦＴ４のゲート電極とを接続し、第２の配線５２は、それぞれ、第２の端子６１とＴＦＴ４のソース電極とを接続する。また、第３の配線５３は、それぞれ、第３の端子６３と第４の端子６４とを接続する。

このような可撓性配線基板１を用いて、電子デバイス（後述する電気泳動表示装置２０）を構築することにより、かかる電子デバイスを電子機器に組み込む際には、例えば、第１の部分２１と第２の部分２２との境界部付近で、可撓性配線基板１を屈曲または湾曲させた状態で組み込むことができる。これにより、電子デバイスを組み込む場所の小スペース化が可能であり、電子機器の小型化を図ることができる。
また、特に、第１の部分２１と第２の部分２２とが一体的に形成されていることにより、可撓性配線基板１を屈曲または湾曲させた状態で使用しても、第１の部分２１と第２の部分２２とが分離してしまうことがないため、配線５の切断が防止され、信頼性の高い電子デバイス（電子機器）とすることができる。

さて、本発明では、前述した端子６が、導電性を有する補強層を備えることに特徴を有している。
具体的には、端子６は、図２に示すように、導電体パターン７の端部に補強層８が形成されて構成されている。
ここで、端子６と駆動用ＩＣの端子（ＩＣ側端子）との接続には、一般に、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）が用いられる。

補強層を備えない端子（基板側端子）は、基板上の配線を形成するのと同時に作製できるため、もっとも単純な構成として従来より用いられている。基板がガラスのような硬質の材料で構成される場合、この単純な構成でも、駆動用ＩＣの端子（ＩＣ側端子）を導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを両者の端子の間に挿入して、押圧すると再現性良く端子同士が接続される。ところが、基板の基材が樹脂材料である場合、同じ方法を適用しても、端子同士の接続が困難である、あるいは、再現性に乏しいことが分かった。この原因を、発明者らが調査したところ、導電性粒子が、基板上の（補強層を備えない）端子を突き破ってしまい、端子を破壊していることが原因であることが分かった。

これに対して、本発明では、端子６が補強層を有することにより、端子６に充分な強度が付与される。これにより、端子６（第１〜第３の端子６１〜６３）と駆動用ＩＣの端子との接続を、特にＮｉ粒子のように硬度の高い導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを用いた場合でも確実に行うことができる。
導電体パターン７の構成材料としては、導電性を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、例えば、前記画素電極３の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。

また、後述するように、補強層８を無電解メッキ法を用いて形成する場合には、少なくとも導電体パターン７の端子に対応する部分が、触媒機能を有する触媒金属で構成されるのが好ましい。これにより、後に詳述するが、補強層８を無電解メッキで形成する際の前処理として行われる、導電体パターン７の表面へ触媒を付着させる工程を省略することができる。その結果、製造工程数の削減を図ることができる。
このような触媒金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い触媒作用を有している。

導電体パターン７の厚さ（平均）は、導電体パターン７の構成材料等によっても若干異なり限定されないが、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。導電体パターン７の厚さが薄すぎると、可撓性配線基板１を折り曲げて使用する際に、配線５の折り曲げ部分が破断するおそれがある。また、導電体パターン７を前記上限値よりも厚くしても、それ以上の効果が望めないばかりか、導電体パターン７にクラックや皺が発生しやすくなる。また、導電体パターン７の一部は、有機薄膜トランジスタのソース・ドレインあるいはゲート電極にも成りうるが、トランジスタが必要な性能を発揮するように、導電体パターン７の膜厚は最適化される。そのために必要な膜厚は、上述した範囲にある。これを越えるような膜厚は、有機薄膜トランジスタの性能を低下させてしまうことが、分かった。

補強層８の構成材料としても、導電性を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、例えば、前記画素電極３の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、後述するように、補強層８を無電解メッキ法により形成する場合には、無電解メッキ法によって成膜し得る材料が選択される。

このような材料としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、無電解メッキ法により成膜し易く、また、得られる補強層８は、高い強度を有するものとなる。
補強層８の厚さ（平均）は、３〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、端子６の厚さが必要以上に厚くなるのを防止しつつ、端子６に充分な強度を付与することができる。
さらに、端子６の少なくとも表面付近は、Ａｕで構成されているのが好ましい。これにより、端子６の酸化を防止することができる。また、駆動用ＩＣの端子との接合をより確実に行うことができる。
このような可撓性配線基板１は、例えば、次のようにして製造することができる。

＜可撓性配線基板の製造方法＞
図３および図４は、それぞれ、端子および配線の部分を形成する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
可撓性配線基板１の製造方法は、［１］導電体パターン形成工程と、［２］補強層形成工程と、［３］薄膜トランジスタ製造工程とを有している。
以下、これらの工程について、順次説明する。

［１］導電体パターン形成工程
まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。基板２は図１に示すような、帯が突出した形状に予め加工しておいて、導電体パターン７の形成工程を行うこともできるが、より望ましくは、シート状、あるいはロール状の長尺プラスチックシート（基板２に分割する前の元板）を用いることが望ましい。そして、以下に述べる導電体パターン形成工程、補強層形成工程、薄膜トランジスタ製造工程が終了した後に、図１に示す目的の形状に打ち抜き加工（分割）を行う。また、薄膜トランジスタ製造工程が終了した後に、後述の電気泳動表示部を貼り合せた後に、打ち抜き加工を行うこともできる。

また、長尺プラスチックシートをシート状、ロール状として扱うことによって、生産性が著しく向上して、低コストで本発明の可撓性配線基板を提供することが可能になる。さらに、可撓性配線基板の形状に依存しない、製造設備を準備できるので、迅速に多様な形状に対応が可能になる。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるソース電極およびドレイン電極と、画素電極３とに対応する形状に形成される。

この導電体パターン７は、例えば、基板２上に金属膜９を形成した後、この金属層９に対して、フォトリソグラフィー法等により形成したレジスト層をマスクとして、エッチングすることにより得ることができる。
まず、基板２上に、金属膜９を形成する（図３（ａ）参照。）。

金属膜９は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
これらのうち、金属膜９は、特に無電解メッキ法を用いて形成するのが好ましい。これにより、真空装置等の大がかりな装置を用いずに、簡易な製造装置および工程により、低コストで金属膜９を形成することができる。

次に、金属膜９上に、レジスト材料１１’を塗布（供給）する（図３（ｂ）参照。）。
レジスト材料１１’（後述のレジスト材料１３’）を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

金属材料も２種類以上の材料を、積層することができる（すなわち、金属膜９は、２層以上の多層積層構造とすることができる）。例えば、ＣｒまたはＴｉの下地層上に、ＡｕあるいはＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉを形成した２層構造とすることによって、金属膜９の密着性を向上させることができる。
次いで、導電体パターン７の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、導電体パターン７に対応する形状にパターニングされたレジスト層１１が得られる（図３（ｃ）参照。）。

なお、フォトリソグラフィー法において用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。
次に、このレジスト層１１をマスクとして、金属膜９の不要部分をエッチングにより除去する（図３（ｄ）参照。）。
次に、レジスト層１１を除去することにより、導電体パターン７が得られる（図３（ｅ）参照。）。

このエッチングには、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。このうち、ウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、真空装置等の大がかりな装置を用いずに、簡易な装置および工程でエッチングを行うことができる。

ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄を含む溶液（ＮｉやＣｕのエッチング）、硫酸、硝酸、塩酸、王水、ヨウ化カリウム／ヨウ素混合水溶液（金のエッチング）、硝酸第二セリウムアンモン水溶液（Ｃｒのエッチング）等が挙げられる。
以上のように、フォトリソグラフィー法とエッチングとを組み合わせて用いることにより、寸法精度の高い導電体パターン７を、容易かつ確実に形成することができる。

［２］補強層形成工程
次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
補強層８も、前述した金属膜９と同様の方法により形成することができるが、補強層８は、メッキ法を用いて形成するのが好ましい。これにより、真空装置等の大掛かりな装置を用いずに、高い成膜精度で、所望の膜厚の補強層を成膜することができる。
また、メッキ法の中でも、無電解メッキ法を用いるのがより好ましい。これにより、より高い成膜精度で補強層８を成膜することができる。
なお、以下では、補強層８を形成する方法として、無電解メッキ法を用いる場合を代表して説明する。

［２−Ｉ］ 例えば、フォトリソグラフィー法によって、導電体パターン７の端子６に対応する部分以外の部分を覆うようにレジスト層を形成する。
まず、図４（ｆ）に示すように、基板２上に、導電体パターン７を覆うように、すなわち、基板２のほぼ全面にレジスト材料１３’を塗布（供給）する。
次いで、端子６の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、図４（ｇ）に示すように、端子６に対応する部分に凹部１３１を有する形状にパターニングされたレジスト層１３が得られる。

この凹部１３１において、導電体パターン７は、レジスト層１３から露出している。
このレジスト材料には、帯電制御剤を含み、正に帯電しているものを用いるのが好適である。これにより、次工程において用いるカチオン性界面活性剤がレジスト層１３には吸着せず、導電体パターン７の端子６に対応する部分に選択的に吸着するようになる。
かかるレジスト材料としては、例えば、東京応化工業社製の「ＰＭＥＲシリーズ」等の市販品を用いることができる。

［２−II］ 次に、凹部１３１においてレジスト層１３から露出した導電体パターン７に、メッキ膜１２を形成するための前処理を行う。
この前処理は、例えば、カチオン性界面活性剤を含む溶液（界面活性剤溶液）を導電体パターン７に接触させることにより行う。これにより、導電体パターン７表面にカチオン性界面活性剤を付着させる。

導電体パターン７の表面は、カチオン性界面活性剤が付着することによりプラスに帯電し、無電解メッキで用いる触媒が吸着し易いようになり、結果として、形成されるメッキ膜１２（補強層８）と導電体パターン７との密着性が向上する。
界面活性剤溶液を導電体パターン７に接触させる方法としては、例えば、界面活性剤溶液中に導電体パターン７を浸漬させる方法（浸漬法）、界面活性剤溶液を導電体パターン７にシャワー（噴霧）する方法等が挙げられるが、特に、浸漬法を用いるのが好ましい、浸漬法によれば、大量の基板２を容易に処理することができる。

このように、液体を基板２に接触させる方法には、各種方法があるが、以下の各工程では、液体を接触させる方法として、浸漬法を用いる場合を代表に説明する。
カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、ステアリン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

処理に際する界面活性剤溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
また、界面活性剤溶液中での導電体パターン７の処理時間は、１０〜９０秒程度であるのが好ましく、３０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
ここで、例えば、導電体パターン７がＩＴＯ等の酸化物により構成されている場合、導電体パターン７の表面は、マイナスに帯電する傾向を示すが、マイナスに帯電した表面には、次工程における触媒が付着し難い。このため、酸化物で構成される導電体パターン７に対して、前述のような前処理を施すことは特に有効である。
このようにして、前処理が施された導電体パターン７を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。

［２−III］ 次に、導電体パターン７の表面に、触媒を吸着させる。
触媒としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このうち、触媒としてＰｄを用いる場合には、Ｓｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液、または塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液中に、基板２を浸漬することにより、Ｐｄ合金、またはイオン系Ｐｄ触媒を導電体パターン７の表面に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、Ｐｄを導電体パターン７の表面に露出させる。

例えば、Ｓｎ−Ｐｄコロイド液を用いる場合には、導電体パターン７をコロイド液に浸漬した後、酸溶液に浸漬する。これにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解して除去され、導電体パターン７の表面にＰｄが露出した状態になる。
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ_４等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。

処理に際する触媒を含む溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
触媒を含む溶液中での導電体パターン７の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
一方、処理に際する酸溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。

酸溶液中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、３０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
このようにして、触媒を付着（吸着）させた導電体パターン７を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
なお、導電体パターン７の少なくとも端部、すなわち端子６に対応する部分を、触媒性を有する金属材料を主成分として構成する場合には、導電体パターン７自体が触媒として作用するため、本工程［２−III］および前記工程［２−II］は省略するようにしてもよい。

［２−IV］ 次に、基板２をメッキ液に浸漬し、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３の凹部１３１内に、金属元素を析出させ、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜隣酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、メッキ膜１２の成膜速度が適正なものとなり、補強層８において求められる最適な膜厚範囲に、容易に膜厚を制御できるようになる。また、形成されるメッキ膜１２も、均一な膜厚、かつ、良好な表面性を有する（膜表面モフォロジーが高い）ものとなる。

メッキ液１０における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、メッキ膜１２を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、メッキ液１０における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。

このようなメッキ液１０には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液１０のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、メッキ膜１２の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。

以上のようなメッキ液１０に、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３が形成された基板２を浸漬すると、メッキ膜１２が導電体パターン７上の端子６に対応する部分に形成される。
処理に際するメッキ液１０のｐＨは、５〜１２程度であるのが好ましく、６〜１０程度であるのが好ましい。
処理に際するメッキ液１０の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。

メッキ液１０中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
メッキ液１０のｐＨ、温度、メッキ液１０による処理時間を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚のメッキ膜１２を高い精度で形成することができる。

なお、作業温度（メッキ液の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液の量、メッキ液のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより、形成されるメッキ膜１２の厚さを調整することができる。
また、メッキ液１０中には、例えば、錯化剤、安定化剤等の添加物を、適宜添加するようにしてもよい。

錯化剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、酢酸のようなカルボン酸類、酒石酸、クエン酸のようなオキシカルボン酸類、グリシンのようなアミノカルボン酸類、トリエタノールアミンのようなアミン類、グリセリン、ソルビトールのような多価アルコール類等が挙げられる。
安定化剤としては、例えば、２，２’−ビピリジル、シアン化合物、フェロシアン化合物、フェナントロリン、チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、チオグリコール酸等が挙げられる。
このようにして、メッキ膜１２が導電体パターン７の端子６に対応する部分上に形成された基板２を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。

［２−Ｖ］ 次に、レジスト層１３を除去する。
このレジスト層１３の除去は、好ましくはレジスト剥離液を用いて行うことができるが、その他、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法を用いて行うようにしてもよい。
これにより、図４（ｊ）に示すように、導電体パターン７の端子６に対応する部分上に補強層８が形成された端子６を得ることができる。

以上のような無電解メッキ法を用いることにより、寸法精度の高い補強層８を、容易かつ確実に形成することができる。
これにより、駆動用のＩＣとの接続をＡＣＦやＡＣＰにより行うことが充分可能な強度を有する端子６とすることができる。
本実施形態では、補強層８の形成は、無電解メッキ法を用いた方法について説明を行ったが、電解メッキ法を用いて補強層８を形成してもよい。

なお、無電解メッキ法を用いる場合には、導電体パターン７の端子６に対応する部分の近傍に短絡線を設けておき電解浴槽中に入れて補強層８の成膜を行い、成膜の後に短絡線を除けばよい。電解メッキ法によれば、電気的に導電体パターン７の表面にメッキ膜を付着させ得るので、補強層８をより短時間で形成することができるという利点がある。
また、上述した［２−Ｉ］から［２−Ｖ］では無電解メッキに必要な触媒を、金属層９（導電体パターン７）上に付与する方法について説明したが、金属層９（導電体パターン７）自身を触媒として利用することによって、さらに簡便に補強層８を形成することができる。この工程について、次に説明する。

［１’］導電体パターン形成工程
触媒性を有する金属材料（触媒金属）、すなわち、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕのうちの少なくとも１種を用いて、前記工程［１］と同様にして、基板２上に、触媒金属を主成分とする導電体パターン７を形成する。
［２’］補強層形成工程
［２’−Ｉ］ 前記工程［２−Ｉ］と同様にして、導電体パターン７の端子６に対応する部分以外の部分を覆うように、レジスト層を形成する。

［２’−IV］ 次に、前記工程［２−IV］と同様にして、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３の凹部１３１内に、金属元素を析出させ、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
［２’−Ｖ］ 次に、前記工程［２’−Ｖ］と同様にして、レジスト層１３を除去する。
以上のように、導電体パターン７を、触媒性を有する金属材料を主成分として構成することにより、寸法精度の高い補強層８を、容易かつ確実に形成することができる。

次に、補強層８の少なくとも表面付近をＡｕで構成する場合、このＡｕで構成される部分（Ａｕ層）は、例えば、置換メッキ法により形成することができる。
この置換メッキ法は、メッキ液中の金属成分を卑金属と置換、あるいは接触させて、表面に還元析出させる方法である。

なお、以下では、Ｎｉ層上にＡｕ層を有する補強層８を形成する場合を代表に説明する。
この場合、まず、基板２をＮｉメッキ液に浸漬して、Ｎｉ膜（Ｎｉ層）を成長させた後、基板２をＮｉメッキ液から引き上げ、次に、Ａｕメッキ液に浸漬する。これにより、Ａｕメッキ液中のＡｕイオンがＮｉ膜の表面の溶出するＮｉと置換されて、Ａｕ薄膜（Ａｕ層）がＮｉ膜表面に析出する。

処理に際するＡｕメッキ液の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましい。このような温度範囲とすることにより、Ｎｉ膜の全面がＡｕで覆われると、自動的（ほぼ同時）にＡｕの析出（置換メッキ）は止まり、通常３０〜７０ｎｍ程度の厚さのＡｕ薄膜を得ることができる。
これにより、端子用として適した金属で覆われた端子６とすることができる。

［３］薄膜トランジスタ製造工程
次に、導電体パターン形成工程において形成されたソース電極およびドレイン電極上に有機半導体層、ゲート絶縁層およびゲート電極を順次形成してＴＦＴ４を完成させる。
薄膜トランジスタの構成およびその製造方法は、公知の手法を用いて作製すれば、いかなる方法であってもよいが、以下では一例を挙げて説明する。

まず、ソース電極およびドレイン電極が形成された基板２上に、ソース電極およびドレイン電極を覆うように、有機半導体層を形成する。
このとき、ソース電極とドレイン電極との間（ゲート電極に対応する領域）には、チャネル領域が形成される。
有機半導体層は、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、例えば、塗布法を用いて、基板２上にソース電極およびドレイン電極を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

ここで、例えば、前記溶液の塗布には、レジスト材料１１’の塗布方法で挙げたのと同様の方法を用いることができる。
なお、有機半導体層は、少なくともソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）に、これらと接触するように形成すればよい。チャンネル領域に有機半導体層を選択的に形成することにより、同一基板上に、複数のＴＦＴ４を並設する場合には、リーク電流の発生、各素子間のクロストークの発生等を抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。
なお、有機半導体材料として低分子のものを用いる場合には、有機半導体層は、例えば、真空蒸着法等を用いて形成することもできる。

次に、有機半導体層上に、ゲート絶縁層を形成する。
例えば、ゲート絶縁層の構成材料（絶縁材料）として有機高分子材料（樹脂材料）を用いる場合には、ゲート絶縁層は、前記有機半導体層と同様にして形成することができる。
次に、ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成する。
例えば、ゲート電極の構成材料（導電材料）として有機高分子材料（樹脂材料）を用いる場合には、ゲート電極は、前記有機半導体層と同様にして形成することができる。

また、電極材料として各種金属材料を用いる場合には、ゲート電極は、例えば、次のようにしてを形成することができる。
まず、ゲート絶縁層上に金属膜（金属層）を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。

この金属膜上に、レジスト材料を塗布（供給）する。次いで、ゲート電極の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、ゲート電極に対応する形状にパターニングされたレジスト層が得られる。
このレジスト層をマスクとして、金属膜の不要部分をエッチングにより除去する。このエッチングには、前記導電体パターン７で挙げたのと同様の方法を用いることができる。

その後、例えばレジスト剥離液を用いて、レジスト層を除去することにより、ゲート電極が得られる。
以上のような工程を経て、ソース電極およびドレイン電極が、ゲート絶縁層を介してゲート電極よりも基板２側に設けられたトップゲート構造のＴＦＴ４が得られる。
次に、ゲート電極と配線５１とを接続する接続線を形成する。

この接続線は、例えば、金属コロイド液をインクジェット法により、パターニングした後、熱処理等を施すことにより形成することができる。
以上の製造工程の説明は、トップゲート構造に基く薄膜トランジスタを備える可撓性配線基板の製造方法について示したものである。同様にして、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタを有する可撓性配線基板の製造も可能である。
この場合、例えば、以下の［Ａ］および［Ｂ］の方法により製造することができる。

［Ａ］ まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるゲート電極とに対応する形状に形成される。
次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
次に、導電体パターン形成工程おいて形成されたゲート電極上にゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極、有機半導体層を順次形成してＴＦＴ４を完成させる。

［Ｂ］ まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるゲート電極とに対応する形状に形成される。
次に、導電体パターン形成工程おいて形成されたゲート電極上にゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成させる。

次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
次に、ソース電極、ドレイン電極を覆うように、有機半導体層を形成してＴＦＴ４を完成させる。
以上のような工程を経て、可撓性配線基板１が製造される。

ここで、図５に、可撓性配線基板１の他の構成例を示す。
図５に示す可撓性配線基板１は、全体形状が図１に示す可撓性配線基板１と異なっている。
すなわち、図１の可撓性配線基板１は、１つの帯状の第２の部分２２が、第１の部分２１から側方へ突出した形状である。
これに対して、図５の可撓性配線基板１は、複数の矩形状の第２の部分２２が第１の部分からほぼ等間隔で側方へ突出した形状をなしている。これにより、複数の駆動用ＩＣ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＦＲＡＭ等を実装可能な可撓性配線基板１とすることができる

＜電子デバイス＞
次に、前述したような可撓性配線基板１が組み込まれた電子デバイスについて、電気泳動装置を一例に説明する。
図６は、本発明の電子デバイスを電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。
図６に示す電気泳動表示装置２０は、可撓性配線基板１と、この可撓性配線基板１上に設けられた電気泳動表示部２５とで構成されている。

図６に示すように、電気泳動表示部２５は、透明基板２５１と、透明電極（共通電極）２５２と、マイクロカプセル４０と、バインダ材４５とを有している。
透明基板２５１上に、透明電極２５２が積層され、マイクロカプセル４０がバインダ材４５により、透明電極２５２上に固定されている。
さらに、この電気泳動表示部２５と可撓性配線基板１とが、バインダ材４５を介して接合されている。

画素電極３は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
また、各カプセル４０内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４０１、４０２を含む電気泳動分散液４００が封入されている。

さらに、可撓性配線基板１が有する端子６（端子６１〜６３）には、駆動用ＩＣの端子が接続され、これにより、可撓性配線基板１に駆動用ＩＣが実装されている。
このような電気泳動表示装置２０では、１本あるいは複数本の配線５１に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された配線５１に接続されているＴＦＴ４がＯＮとなる。

これにより、かかるＴＦＴ４に接続されている配線５２と画素電極３とは、実質的に導通する。このとき、配線５２に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３に供給される。
このとき、画素電極３と透明電極２５２との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４０１、４０２の特性等に応じて、電気泳動粒子４０１、４０２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。

一方、この状態から、配線５１への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、ＴＦＴ４はＯＦＦとなり、かかるＴＦＴ４に接続されている配線５２と画素電極３とは非導通状態となる。
したがって、配線５１への選択信号の供給および停止、あるいは、配線５２へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２０の表示面側（透明基板）には、所望の画像（情報）を表示させることができる。

特に、本実施形態の電気泳動表示装置２０では、電気泳動粒子４０１、４０２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、本発明の可撓性配線基板１を有することにより、特定の配線５１に接続されたＴＦＴ４を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。

また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
このような電気泳動表示装置２０は、可撓性配線基板１と電気泳動表示部２５とを予め作製しておき、可撓性配線基板１の画素電極３と、電気泳動表示部２５のマイクロカプセル４０とを接触させた状態で、例えば、可撓性配線基板１と電気泳動表示部２５とが接近するように加圧しつつ、加熱することにより製造することができる。
なお、本発明の電子デバイスは、このような電気泳動表示装置２０への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機または無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。

＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２０は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２０を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。

図７は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。

＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図７に示す構成と同様のものである。

本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。

また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。

また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。

また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２０を適用することが可能である。

以上、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明は、前述したような工程に、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
また、前記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタを代表に説明したが、スイッチング素子は、これに限定されず、例えば、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等であってもよい。

本発明の可撓性配線基板の実施形態を示す斜視図である。 図１中のＡ−Ａ線における縦断面図である。 端子および配線の部分を形成する方法を説明するための図（縦断面図）である。 端子および配線の部分を形成する方法を説明するための図（縦断面図）である。 可撓性配線基板の他の構成例を示す平面図である。 本発明の可撓性配線基板を電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。 本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。

符号の説明

１‥‥可撓性配線基板 ２‥‥基板 ２１‥‥第１の部分 ２２‥‥第２の部分 ３‥‥画素電極 ４‥‥薄膜トランジスタ（スイッチング素子） ５‥‥配線 ５１‥‥第１の配線 ５２‥‥第２の配線 ５３‥‥第３の配線 ６‥‥端子 ６１‥‥第１の端子 ６２‥‥第２の端子 ６３‥‥第３の端子 ６４‥‥第４の端子 ７‥‥導電体パターン ８‥‥補強層 ９‥‥金属膜 １０‥‥メッキ液 １１、１３‥‥レジスト層 １１’、１３’‥‥レジスト材料 １２‥‥メッキ膜 ２０‥‥電気泳動表示装置 ２５‥‥電気泳動表示部 ２５１‥‥透明基板 ２５２‥‥透明電極（共通基板） ４０‥‥マイクロカプセル ４００‥‥電気泳動分散液 ４０１、４０２‥‥電気泳動粒子 ４５‥‥バインダ材 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部

Claims (16)

1. 可撓性を有する基板と、複数のスイッチング素子と、少なくとも一部が前記スイッチング素子に接続された配線と、該配線に接続された複数の端子とを有し、前記スイッチング素子、前記配線および前記端子のいずれもが前記基板上に設けられた可撓性配線基板であって、
   前記端子は、外部機器および駆動用ＩＣのうちの少なくとも一方が備える端子と、異方性導電フィルムまたは異方性導電ペーストに含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されるものであり、
   前記配線と一体的に形成された部分と、前記一体的に形成された部分に対応して設けられた導電性を有する補強層とを備え、
   前記配線と一体的に形成された部分の厚さが１０〜５００ｎｍで、かつ前記補強層の厚さが３〜５０μｍに設定されていることを特徴とする可撓性配線基板。
2. 前記基板は、前記スイッチング素子が設けられた第１の部分と、該第１の部分から側方へ突出する帯状の第２の部分とを有し、
   該第２の部分に前記可撓性配線基板が有する端子の少なくとも一部が設けられている請求項１に記載の可撓性配線基板。
3. 前記第１の部分と前記第２の部分とは、一体的に形成されている請求項２に記載の可撓性配線基板。
4. 前記第１の部分と前記第２の部分との境界部付近で、屈曲または湾曲させた状態で使用される請求項２または３に記載の可撓性配線基板。
5. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタである請求項１ないし４のいずれかに記載の可撓性配線基板。
6. 前記薄膜トランジスタは、主として有機半導体材料で構成される半導体層を有する有機薄膜トランジスタである請求項１ないし５のいずれかに記載の可撓性配線基板。
7. 前記可撓性配線基板が有する端子は、その少なくとも表面付近がＡｕで構成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の可撓性配線基板。
8. 前記可撓性配線基板が有する端子は、基板と反対側にＡｕで構成される層を有し、該層は、置換メッキ法により形成されたものである請求項７に記載の可撓性配線基板。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の可撓性配線基板を製造する可撓性配線基板の製造方法であって、
   前記配線および前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分を有する導電体パターンを形成する工程と、
   前記導電体パターンの前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分に、前記導電性を有する補強層を形成して、前記可撓性配線基板が有する端子を得る工程とを有することを特徴とする可撓性配線基板の製造方法。
10. 前記補強層を、メッキ法により形成する請求項９に記載の可撓性配線基板の製造方法。
11. 前記メッキ法は、無電解メッキ法である請求項１０に記載の可撓性配線基板の製造方法。
12. 前記導電体パターンは、その少なくとも前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分が触媒機能を有する触媒金属を主材料として形成される請求項９ないし１１のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
13. 前記触媒金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔのうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１２に記載の可撓性配線基板の製造方法。
14. 前記基板に分割する前のシート状またはロール状の元板上に、導電体パターンおよび補強層を順次形成した後、前記元板を、複数の前記基板に分割する請求項９ないし１３のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
15. 請求項１ないし８のいずれかに記載の可撓性配線基板を有することを特徴とする電子デバイス。
16. 請求項１５に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。

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