JP2001185361A - 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電極表面清浄化のために必要な処理に耐える
上、真空プロセス中のコンタミネーションを避ける隔壁
を備え、さらに低電気抵抗の陰極電極を有する有機ＥＬ
表示素子を提供する。 【解決手段】透明基板または半透明基板表面に複数本の
透明または半透明の陽極が形成されてなる有機エレクト
ロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽極に直
交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本
の導電性の無機物からなる隔壁を前記基板上に設け、か
つ前記隔壁の断面を略Ｔ字型とする。
上、真空プロセス中のコンタミネーションを避ける隔壁
を備え、さらに低電気抵抗の陰極電極を有する有機ＥＬ
表示素子を提供する。 【解決手段】透明基板または半透明基板表面に複数本の
透明または半透明の陽極が形成されてなる有機エレクト
ロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽極に直
交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本
の導電性の無機物からなる隔壁を前記基板上に設け、か
つ前記隔壁の断面を略Ｔ字型とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、産業用、民生用と
して情報表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示
素子用基板および表示素子に関する。
して情報表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示
素子用基板および表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄型軽量、高視野角、高速応答、自発光
型という特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス
（以下有機ＥＬ）表示素子は、ＣＲＴ（Cathod Ray Tub
e ）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）に替わる表示
素子として注目されている。有機ＥＬは、陽極層、有機
層、陰極層の積層体であり、陽極、陰極からそれぞれ注
入された正孔、電子が有機層で再結合して蛍光を発す
る。
型という特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス
（以下有機ＥＬ）表示素子は、ＣＲＴ（Cathod Ray Tub
e ）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）に替わる表示
素子として注目されている。有機ＥＬは、陽極層、有機
層、陰極層の積層体であり、陽極、陰極からそれぞれ注
入された正孔、電子が有機層で再結合して蛍光を発す
る。
【０００３】有機層へ正孔、電子が注入されるよう、陽
極には金属酸化物、陰極には金属が用いられる。この
時、蛍光を外部へ取り出すために、陽極層には可視光を
透過する材料として、一般にはＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）が用いられる。
極には金属酸化物、陰極には金属が用いられる。この
時、蛍光を外部へ取り出すために、陽極層には可視光を
透過する材料として、一般にはＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）が用いられる。
【０００４】有機層は、正孔と電子が再結合して蛍光を
発する発光層を挟むように、正孔注入層、正孔輸送層、
電子注入層、電子輸送層など複数層から構成されること
もある。ここで用いられる有機物は、一般に耐熱性、耐
溶媒性、耐水性、耐酸アルカリ性に劣ることが多いた
め、また素子の電気的特性を保つために材料の高純度が
必要なため、積層体形成にはスパッタ法や蒸着法を採用
する。
発する発光層を挟むように、正孔注入層、正孔輸送層、
電子注入層、電子輸送層など複数層から構成されること
もある。ここで用いられる有機物は、一般に耐熱性、耐
溶媒性、耐水性、耐酸アルカリ性に劣ることが多いた
め、また素子の電気的特性を保つために材料の高純度が
必要なため、積層体形成にはスパッタ法や蒸着法を採用
する。
【０００５】有機ＥＬ表示素子は、まず基板上に陽極層
であるＩＴＯを設け、その上に有機層、陰極層が順次積
層される。有機ＥＬ表示素子が様々な情報を表示できる
ためには、複数本の陽極と複数本の陰極が直交して配設
されたマトリックス電極構造となっていなければならな
い。そのために、陽極に直交する複数本の陰極を形成し
なければならないが、前述の有機層の物質の各種耐性の
問題から、溶剤や酸アルカリ水溶液を用いるフォトリソ
グラフィ工程を陰極の形成法に採用することができな
い。陰極の形成には、金属マスクを用いたマスク蒸着法
の適用も考えられる。しかしながら、この方法で大型
化、高精細化に対応する場合、金属マスクのパターンは
幅数１０μｍ程度の細線となり、しかも金属マスクがた
るまないよう張力が与えられるので、次第に伸長変形を
起こし、ついには陰極形成不良となる。微細で精度の高
いパターンを有する金属マスクは高価であるため、伸長
変形を起こす前に金属マスクを交換する工程とすると、
製造コストの増大は避けられない。
であるＩＴＯを設け、その上に有機層、陰極層が順次積
層される。有機ＥＬ表示素子が様々な情報を表示できる
ためには、複数本の陽極と複数本の陰極が直交して配設
されたマトリックス電極構造となっていなければならな
い。そのために、陽極に直交する複数本の陰極を形成し
なければならないが、前述の有機層の物質の各種耐性の
問題から、溶剤や酸アルカリ水溶液を用いるフォトリソ
グラフィ工程を陰極の形成法に採用することができな
い。陰極の形成には、金属マスクを用いたマスク蒸着法
の適用も考えられる。しかしながら、この方法で大型
化、高精細化に対応する場合、金属マスクのパターンは
幅数１０μｍ程度の細線となり、しかも金属マスクがた
るまないよう張力が与えられるので、次第に伸長変形を
起こし、ついには陰極形成不良となる。微細で精度の高
いパターンを有する金属マスクは高価であるため、伸長
変形を起こす前に金属マスクを交換する工程とすると、
製造コストの増大は避けられない。
【０００６】この問題に対する技術として、米国特許第
5,294,870 号、特開平8-315981号が公開されている。こ
れらの技術は、電気絶縁性の隔壁を透明電極と直交する
ように設け、これにより陰極物質が蒸着時に分離するも
のである。これらの技術は非常に優れたものではある
が、問題点がある。
5,294,870 号、特開平8-315981号が公開されている。こ
れらの技術は、電気絶縁性の隔壁を透明電極と直交する
ように設け、これにより陰極物質が蒸着時に分離するも
のである。これらの技術は非常に優れたものではある
が、問題点がある。
【０００７】これらの技術で透明電極上に設けられる絶
縁性の隔壁は、パターニング可能な有機物、例えばフォ
トレジストである。フォトレジストをパターンとして基
板上に残す場合、樹脂分の硬化を促すためにポストベー
クと呼ばれる熱処理がなされる。ポストベークにより有
機物分子の熱架橋が起こり形状が固定されるのだが、固
相での反応のため分子中の反応箇所があまり動けずに未
反応のまま残るので、反応率は１００％には届かない。
このような未反応物は、有機層、陰極層形成時の真空プ
ロセス中に隔壁より飛散してコンタミネーションを引き
起こす可能性を有している。
縁性の隔壁は、パターニング可能な有機物、例えばフォ
トレジストである。フォトレジストをパターンとして基
板上に残す場合、樹脂分の硬化を促すためにポストベー
クと呼ばれる熱処理がなされる。ポストベークにより有
機物分子の熱架橋が起こり形状が固定されるのだが、固
相での反応のため分子中の反応箇所があまり動けずに未
反応のまま残るので、反応率は１００％には届かない。
このような未反応物は、有機層、陰極層形成時の真空プ
ロセス中に隔壁より飛散してコンタミネーションを引き
起こす可能性を有している。
【０００８】また、フォトレジストには、紫外光で反応
を引き起こすために光開始剤、増感剤などの添加剤が入
っている。一般的にこれらはレジスト樹脂分に比べると
分子量が小さく、前述の真空プロセス中に昇華しコンタ
ミネーションを引き起こす可能性を有している。
を引き起こすために光開始剤、増感剤などの添加剤が入
っている。一般的にこれらはレジスト樹脂分に比べると
分子量が小さく、前述の真空プロセス中に昇華しコンタ
ミネーションを引き起こす可能性を有している。
【０００９】有機ＥＬ表示素子において、電極と有機層
の接触は電荷の注入に非常に影響するため、電極表面は
可能な限り清浄であることが好ましい。電極表面を分子
レベルで清浄化するためには、酸アルカリや界面活性剤
を用いた洗浄よりも、プラズマアッシングやＵＶ洗浄の
方が効果的である。しかしながら、これらの処理では、
有機物で形成された隔壁自身も多大なダメージを被る。
具体的には、隔壁形状の破壊、分解成分によるコンタミ
ネーションが引き起こされる。
の接触は電荷の注入に非常に影響するため、電極表面は
可能な限り清浄であることが好ましい。電極表面を分子
レベルで清浄化するためには、酸アルカリや界面活性剤
を用いた洗浄よりも、プラズマアッシングやＵＶ洗浄の
方が効果的である。しかしながら、これらの処理では、
有機物で形成された隔壁自身も多大なダメージを被る。
具体的には、隔壁形状の破壊、分解成分によるコンタミ
ネーションが引き起こされる。
【００１０】また、有機物からなる隔壁は、その内部に
水分や残留溶媒、各種ガス成分を含みやすく、長時間の
使用や高温下の使用において、これらが隔壁から放出さ
れる、いわゆるアウトガスが問題になる。特に水分は、
有機ＥＬ表示素子の劣化を起こし拡大させることが知ら
れている。
水分や残留溶媒、各種ガス成分を含みやすく、長時間の
使用や高温下の使用において、これらが隔壁から放出さ
れる、いわゆるアウトガスが問題になる。特に水分は、
有機ＥＬ表示素子の劣化を起こし拡大させることが知ら
れている。
【００１１】さらに、有機ＥＬ表示素子の表示情報量が
増えて、走査する電極本数が増加すると、電極１本当た
りの電圧印加時間が短くなるため、電圧の立ち上がりに
影響する電極配線の電気抵抗の影響が大きくなってく
る。電極として蒸着される金属層の厚みは通常数千Åで
あるが、電気抵抗を下げる目的でさらに蒸着で厚くする
ことは、工程のスループットを低下させる。
増えて、走査する電極本数が増加すると、電極１本当た
りの電圧印加時間が短くなるため、電圧の立ち上がりに
影響する電極配線の電気抵抗の影響が大きくなってく
る。電極として蒸着される金属層の厚みは通常数千Åで
あるが、電気抵抗を下げる目的でさらに蒸着で厚くする
ことは、工程のスループットを低下させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
を鑑みてなされたものであり、電極表面清浄化のために
必要な処理に耐える上、真空プロセス中のコンタミネー
ションを避ける隔壁を備え、さらに低電気抵抗の陰極電
極を有する有機ＥＬ表示素子を提供するものである。
を鑑みてなされたものであり、電極表面清浄化のために
必要な処理に耐える上、真空プロセス中のコンタミネー
ションを避ける隔壁を備え、さらに低電気抵抗の陰極電
極を有する有機ＥＬ表示素子を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の問題は、隔壁材料
として有機物を採用するために引き起こされるものであ
る。よって、無機物、しかも加工が容易で電気抵抗など
物性が活かせる金属で隔壁を形成することから、本発明
は創作された。
として有機物を採用するために引き起こされるものであ
る。よって、無機物、しかも加工が容易で電気抵抗など
物性が活かせる金属で隔壁を形成することから、本発明
は創作された。
【００１４】請求項１は、透明基板または半透明基板表
面に複数の透明または半透明の陽極が形成されてなる有
機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前
記陽極に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないよ
うに複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上
に設けられ、かつ前記隔壁の断面が略Ｔ字型であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基
板である。請求項２は、透明基板または半透明基板表面
に複数の透明または半透明の陽極が形成されてなる有機
エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記
陽極に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないよう
に複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に
設けられ、かつ前記隔壁の断面が前記陽極の前記金属線
上の部分は略Ｔ字型、それ以外は略逆Ｌ字型であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基
板である。請求項３は、請求項１から２に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽
極が複数の島状に配設された透明または半透明の導電膜
と前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線からなるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用
基板である。請求項４は、請求項１から３に記載の有機
エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記
隔壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチン
グすることで形成されたものであることを特徴する有機
エレクトロルミネセンス表示素子基板である。請求項５
は、請求項１から３に記載の有機エレクトロルミネセン
ス表示素子用基板において、前記隔壁が無電解メッキ法
と電解メッキ法の併用により作製した金属膜をエッチン
グすることで形成されたものであることを特徴する有機
エレクトロルミネセンス表示素子基板である。請求項６
は、請求項１から３に記載の有機エレクトロルミネセン
ス表示素子用基板において、前記隔壁が真空成膜法と電
解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすること
で形成されたものであることを特徴する有機エレクトロ
ルミネセンス表示素子基板である。請求項７は、請求項
２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板
において、前記隔壁を表示領域外に伸長し電極引き出し
部として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
センス表示素子基板である。請求項８は、請求項５から
６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板
において、前記電解メッキ法により作製するメッキ膜が
無機化合物を分散剤として含む機能メッキ膜であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板
である。請求項９は、請求項１から８に記載の有機エレ
クトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機
層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレク
トロルミネセンス表示素子である。請求項１０は、請求
項２および７に記載の有機エレクトロルミネセンス表示
素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層
し、かつ前記隔壁の片側において前記隔壁と前記陰極が
電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネセンス表示素子である。
面に複数の透明または半透明の陽極が形成されてなる有
機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前
記陽極に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないよ
うに複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上
に設けられ、かつ前記隔壁の断面が略Ｔ字型であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基
板である。請求項２は、透明基板または半透明基板表面
に複数の透明または半透明の陽極が形成されてなる有機
エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記
陽極に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないよう
に複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に
設けられ、かつ前記隔壁の断面が前記陽極の前記金属線
上の部分は略Ｔ字型、それ以外は略逆Ｌ字型であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基
板である。請求項３は、請求項１から２に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽
極が複数の島状に配設された透明または半透明の導電膜
と前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線からなるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用
基板である。請求項４は、請求項１から３に記載の有機
エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記
隔壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチン
グすることで形成されたものであることを特徴する有機
エレクトロルミネセンス表示素子基板である。請求項５
は、請求項１から３に記載の有機エレクトロルミネセン
ス表示素子用基板において、前記隔壁が無電解メッキ法
と電解メッキ法の併用により作製した金属膜をエッチン
グすることで形成されたものであることを特徴する有機
エレクトロルミネセンス表示素子基板である。請求項６
は、請求項１から３に記載の有機エレクトロルミネセン
ス表示素子用基板において、前記隔壁が真空成膜法と電
解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすること
で形成されたものであることを特徴する有機エレクトロ
ルミネセンス表示素子基板である。請求項７は、請求項
２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板
において、前記隔壁を表示領域外に伸長し電極引き出し
部として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
センス表示素子基板である。請求項８は、請求項５から
６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板
において、前記電解メッキ法により作製するメッキ膜が
無機化合物を分散剤として含む機能メッキ膜であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板
である。請求項９は、請求項１から８に記載の有機エレ
クトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機
層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレク
トロルミネセンス表示素子である。請求項１０は、請求
項２および７に記載の有機エレクトロルミネセンス表示
素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層
し、かつ前記隔壁の片側において前記隔壁と前記陰極が
電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネセンス表示素子である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明について、図示しながら詳
説する。図１は、本発明による有機ＥＬ表示素子の有機
層蒸着前の基板の概略図である。図１（Ａ）は基板面か
ら見た図、図１（Ｂ）は１点破線１Ａ、１Ｂでの断面、
図１（Ｃ）は隔壁部分の俯瞰図である。
説する。図１は、本発明による有機ＥＬ表示素子の有機
層蒸着前の基板の概略図である。図１（Ａ）は基板面か
ら見た図、図１（Ｂ）は１点破線１Ａ、１Ｂでの断面、
図１（Ｃ）は隔壁部分の俯瞰図である。
【００１６】透明電極１０１は、画素に対応するよう矩
形にパターニングされる。透明電極材料としては、ＩＴ
Ｏ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ）などを使用できる。
これらの透明電極１０１は、導電性物質、例えばAl、C
u、Agのような低電気抵抗の金属からなる電極バス１０
２で直線的に接続されており、これらで複数本の電極と
して機能する。これらの電極を陽極とする。透明電極１
０１と電極バス１０２は、どちらを基板上に先に設けて
も構わない。また、透明電極１０１と電気的な接続を保
つ限り電極バス１０２上には、電気絶縁性の皮膜を設け
ても良い。陽極に直交するよう、透明電極１０１の間に
金属製の隔壁１０３が設けられる。隔壁１０３は、領域
１０４の部分でのみ基板面に接する。図１（Ｂ）（Ｃ）
に示すように、隔壁１０３は透明電極１０１とは平面的
な位置関係で、電極バス１０２とは立体的な位置関係で
離れている。このため透明電極１０１は、透明電極１０
１、電極バス１０２と電気的な接続がない。なお、電極
バス１０２上に電気絶縁膜を設けて、隔壁１０３と陽極
の電気的接続を断ってもよい。隔壁１０３は、基板から
離れた側にひさし形状を有している。このひさしによ
り、蒸着される陰極材料が分離される。
形にパターニングされる。透明電極材料としては、ＩＴ
Ｏ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ）などを使用できる。
これらの透明電極１０１は、導電性物質、例えばAl、C
u、Agのような低電気抵抗の金属からなる電極バス１０
２で直線的に接続されており、これらで複数本の電極と
して機能する。これらの電極を陽極とする。透明電極１
０１と電極バス１０２は、どちらを基板上に先に設けて
も構わない。また、透明電極１０１と電気的な接続を保
つ限り電極バス１０２上には、電気絶縁性の皮膜を設け
ても良い。陽極に直交するよう、透明電極１０１の間に
金属製の隔壁１０３が設けられる。隔壁１０３は、領域
１０４の部分でのみ基板面に接する。図１（Ｂ）（Ｃ）
に示すように、隔壁１０３は透明電極１０１とは平面的
な位置関係で、電極バス１０２とは立体的な位置関係で
離れている。このため透明電極１０１は、透明電極１０
１、電極バス１０２と電気的な接続がない。なお、電極
バス１０２上に電気絶縁膜を設けて、隔壁１０３と陽極
の電気的接続を断ってもよい。隔壁１０３は、基板から
離れた側にひさし形状を有している。このひさしによ
り、蒸着される陰極材料が分離される。
【００１７】図３、４は、本発明の作製方法の説明図で
ある。図３（Ａ）に示すように、基板上に透明電極３０
１と電極バス３０２からなる陽極を形成する。基板材料
としては、各種ガラスの他、プラスチックも使用するこ
とができる。また、透明電極の下地としてカラーフィル
タ、光拡散膜、反射防止膜を設けてあってもよい。透明
電極３０１、電極３０２の形成には、フォトリソグラフ
ィ法が適用でき、それぞれのエッチングには、湿式、乾
式いずれも使用することができる。図３（Ｂ）に示すよ
うに、陽極の形成された基板上にレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィ法により隔壁と基板が接する領域３０
６のレジストを除去し、第１レジスト層３０３を得る。
第１レジスト層３０３の厚みは、隔壁のひさしの高さと
なり、その値は０．５μｍ〜１０μｍがよい。これより
薄くなると、後で蒸着される有機層、陰極層の厚みでひ
さしが基板とつながってしまう可能性が高くなり、これ
より厚くなると、蒸着時の分子の回り込みの影響が大き
くなり、蒸着時の分離が不完全になる可能性が高くな
る。フォトレジスト材料は、ポジ型ネガ型いずれも使用
できる。
ある。図３（Ａ）に示すように、基板上に透明電極３０
１と電極バス３０２からなる陽極を形成する。基板材料
としては、各種ガラスの他、プラスチックも使用するこ
とができる。また、透明電極の下地としてカラーフィル
タ、光拡散膜、反射防止膜を設けてあってもよい。透明
電極３０１、電極３０２の形成には、フォトリソグラフ
ィ法が適用でき、それぞれのエッチングには、湿式、乾
式いずれも使用することができる。図３（Ｂ）に示すよ
うに、陽極の形成された基板上にレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィ法により隔壁と基板が接する領域３０
６のレジストを除去し、第１レジスト層３０３を得る。
第１レジスト層３０３の厚みは、隔壁のひさしの高さと
なり、その値は０．５μｍ〜１０μｍがよい。これより
薄くなると、後で蒸着される有機層、陰極層の厚みでひ
さしが基板とつながってしまう可能性が高くなり、これ
より厚くなると、蒸着時の分子の回り込みの影響が大き
くなり、蒸着時の分離が不完全になる可能性が高くな
る。フォトレジスト材料は、ポジ型ネガ型いずれも使用
できる。
【００１８】図３（Ｃ）に示すように、第１レジスト層
３０３および領域３０６表面に無電解メッキ法により、
金属膜３０４を形成する。無電解メッキを施す前に、酸
性溶液あるいはプラズマ処理で、領域３０６表面を脱
脂、粗化しておくと、メッキ膜と基板の密着が向上する
のでより好ましい。また、無電解メッキ液は、第１レジ
スト層３０３側のみスプレー、ノズルでかけるようにす
るのがよい。これは裏面への余分なメッキを避けるため
である。無電解メッキする金属材料としては、Ni、Cu、
Ag、Au、Pt、Pd、Co、Snおよびそれらを含む合金が使用
できる。多くの場合、レジストは強いアルカリ溶液に溶
解するので、無電解メッキ液は、中性〜弱アルカリ性、
望ましくは酸性がよい。金属膜３０４の厚みは、隔壁の
形状を保てる程度の強度が確保できる値で良く、金属材
料にも依るが数μｍ以上あればよい。無電解メッキで厚
膜を得るのに、処理時間が長くなる場合がある。その場
合、無電解メッキ膜に対し電解メッキを施すことで、処
理時間を短縮することができる。この場合、先述の金属
の他、Cr、Znも使用することができる。金属膜３０４
は、無電解メッキ法の代わりに、スパッタ法、蒸着法を
用いて形成しても良い。この場合、膜厚を稼ぐのが難し
いため、ある程度の膜厚を成膜した後、電解メッキ法を
適用するのが好ましい。
３０３および領域３０６表面に無電解メッキ法により、
金属膜３０４を形成する。無電解メッキを施す前に、酸
性溶液あるいはプラズマ処理で、領域３０６表面を脱
脂、粗化しておくと、メッキ膜と基板の密着が向上する
のでより好ましい。また、無電解メッキ液は、第１レジ
スト層３０３側のみスプレー、ノズルでかけるようにす
るのがよい。これは裏面への余分なメッキを避けるため
である。無電解メッキする金属材料としては、Ni、Cu、
Ag、Au、Pt、Pd、Co、Snおよびそれらを含む合金が使用
できる。多くの場合、レジストは強いアルカリ溶液に溶
解するので、無電解メッキ液は、中性〜弱アルカリ性、
望ましくは酸性がよい。金属膜３０４の厚みは、隔壁の
形状を保てる程度の強度が確保できる値で良く、金属材
料にも依るが数μｍ以上あればよい。無電解メッキで厚
膜を得るのに、処理時間が長くなる場合がある。その場
合、無電解メッキ膜に対し電解メッキを施すことで、処
理時間を短縮することができる。この場合、先述の金属
の他、Cr、Znも使用することができる。金属膜３０４
は、無電解メッキ法の代わりに、スパッタ法、蒸着法を
用いて形成しても良い。この場合、膜厚を稼ぐのが難し
いため、ある程度の膜厚を成膜した後、電解メッキ法を
適用するのが好ましい。
【００１９】次に図４（Ｄ）に示すように、金属膜３０
４上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により
隔壁部分３０５だけレジストを残す（第２レジスト
層）。第２レジスト層の厚みは、エッチング可能であれ
ばいくらでもよい。第２レジスト層３０５の幅が、隔壁
の略Ｔ字の頭部の幅となる。この幅は、隔壁と基板が接
する領域３０６の幅より１０μｍ程度、好ましくは５μ
ｍ程度広くする。続いて図４（Ｅ）に示すように、金属
膜３０４をエッチングすると、レジスト３０５で保護さ
れた部分が残る。最後に図４（Ｆ）に示すように、第１
レジスト層３０３、第２レジスト層３０５を除去する。
除去方法には、溶剤洗浄、アルカリ洗浄、UV洗浄、プラ
ズマ洗浄が使用できる。隔壁や電極を侵食するような酸
洗浄は適用できない。以上の工程により、本発明である
導電性の隔壁を有した有機ＥＬ表示素子用基板が得られ
る。
４上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により
隔壁部分３０５だけレジストを残す（第２レジスト
層）。第２レジスト層の厚みは、エッチング可能であれ
ばいくらでもよい。第２レジスト層３０５の幅が、隔壁
の略Ｔ字の頭部の幅となる。この幅は、隔壁と基板が接
する領域３０６の幅より１０μｍ程度、好ましくは５μ
ｍ程度広くする。続いて図４（Ｅ）に示すように、金属
膜３０４をエッチングすると、レジスト３０５で保護さ
れた部分が残る。最後に図４（Ｆ）に示すように、第１
レジスト層３０３、第２レジスト層３０５を除去する。
除去方法には、溶剤洗浄、アルカリ洗浄、UV洗浄、プラ
ズマ洗浄が使用できる。隔壁や電極を侵食するような酸
洗浄は適用できない。以上の工程により、本発明である
導電性の隔壁を有した有機ＥＬ表示素子用基板が得られ
る。
【００２０】陽極表面の分子レベルの清浄度を得るため
に成膜前処理として、プラズマアッシングやUVアッシン
グ、高温加熱処理をこの基板に施すことができる。これ
らの処理は、基板上に形成されたものがすべて無機物で
あるため、有機物では耐えられない条件で実施できる。
よって、電極表面に残留している不要な有機物や水分を
完全に除去できる。
に成膜前処理として、プラズマアッシングやUVアッシン
グ、高温加熱処理をこの基板に施すことができる。これ
らの処理は、基板上に形成されたものがすべて無機物で
あるため、有機物では耐えられない条件で実施できる。
よって、電極表面に残留している不要な有機物や水分を
完全に除去できる。
【００２１】続いて、有機層、陰極層を蒸着し、素子部
分を封止して、有機ＥＬ表示素子を得る。
分を封止して、有機ＥＬ表示素子を得る。
【００２２】有機層は、単層または複数層であり、複数
層の場合、蛍光を発する発光層の他、正孔注入層、正孔
輸送層、電子注入層、電子輸送層などから構成される。
有機物質によっては、一層で、例えば発光と正孔輸送と
複数の働きを有するものもある。有機層には、以下のよ
うな物質を使用することができる。
層の場合、蛍光を発する発光層の他、正孔注入層、正孔
輸送層、電子注入層、電子輸送層などから構成される。
有機物質によっては、一層で、例えば発光と正孔輸送と
複数の働きを有するものもある。有機層には、以下のよ
うな物質を使用することができる。
【００２３】発光層としては、例えばベンゾチアゾール
系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系など
の蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、１２−フタ
ロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジ
エン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジ
エン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘
導体、クマリン系化合物、9,10- ジアリールアントラセ
ン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス
（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラート
リチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯
体（以下Alqと略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-
ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下TPD と略
す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アル
ミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）
アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯
体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8
- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチ
ル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体お
よびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペ
ンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ
-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、ある
いは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６
７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質
やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が使
用できる。
系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系など
の蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、１２−フタ
ロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジ
エン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジ
エン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘
導体、クマリン系化合物、9,10- ジアリールアントラセ
ン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス
（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラート
リチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯
体（以下Alqと略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-
ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下TPD と略
す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アル
ミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）
アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯
体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8
- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチ
ル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体お
よびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペ
ンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ
-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、ある
いは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６
７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質
やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が使
用できる。
【００２４】正孔注入層としては、例えばトリアゾール
誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリー
ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾ
ール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノ
ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラ
ザン誘導体、ポリシラン、アニリン系共重合体、導電性
高分子オリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級
アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリ
ディン系化合物等が使用できる。
誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリー
ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾ
ール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノ
ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラ
ザン誘導体、ポリシラン、アニリン系共重合体、導電性
高分子オリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級
アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリ
ディン系化合物等が使用できる。
【００２５】電子注入層としては、例えばニトロ置換フ
ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフ
ェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナ
フタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水
物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、
アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が使用で
きる。
ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフ
ェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナ
フタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水
物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、
アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が使用で
きる。
【００２６】陰極層材料としては、アルミニウムの他Mg
Ag、AlLi、CuLi等が使用できる。なお、本発明に使用で
きる物質は、上記例に特に限定されるものではなく、さ
らなる発光性能を持つ物質を選択できる。
Ag、AlLi、CuLi等が使用できる。なお、本発明に使用で
きる物質は、上記例に特に限定されるものではなく、さ
らなる発光性能を持つ物質を選択できる。
【００２７】第２レジスト層３０５のパターニング形状
を変更すると、図２に示すような形状の隔壁２０３を得
られる。図２（Ｂ）に示すような隔壁２０３では、陽極
の電極バス２０２の上だけ隔壁断面が略Ｔ字、それ以外
の部分の断面は逆略Ｌ字となっているため、陰極層とし
て金属を蒸着すると、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように
陰極層と隔壁２０３は隔壁の片側で電気的に接続される
ことになる。この場合、隔壁材料としては、電気抵抗の
低いCu、Au、Ag、Alなどを使用するのが好ましい。メッ
キで形成される隔壁２０３の厚みは、陰極層よりはるか
に厚いため、電気抵抗が低くなり、隔壁２０３自体が電
極バスとして機能することができる。さらに、図５に示
すように隔壁４０２の端部を表示領域の外側へ伸長する
ことにより、隔壁端部４０１を電極取り出し部として使
用することができる。メッキ法により形成された隔壁端
部４０１は、蒸着金属層より厚く緻密であるため、接続
端子部としての強度を有している。
を変更すると、図２に示すような形状の隔壁２０３を得
られる。図２（Ｂ）に示すような隔壁２０３では、陽極
の電極バス２０２の上だけ隔壁断面が略Ｔ字、それ以外
の部分の断面は逆略Ｌ字となっているため、陰極層とし
て金属を蒸着すると、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように
陰極層と隔壁２０３は隔壁の片側で電気的に接続される
ことになる。この場合、隔壁材料としては、電気抵抗の
低いCu、Au、Ag、Alなどを使用するのが好ましい。メッ
キで形成される隔壁２０３の厚みは、陰極層よりはるか
に厚いため、電気抵抗が低くなり、隔壁２０３自体が電
極バスとして機能することができる。さらに、図５に示
すように隔壁４０２の端部を表示領域の外側へ伸長する
ことにより、隔壁端部４０１を電極取り出し部として使
用することができる。メッキ法により形成された隔壁端
部４０１は、蒸着金属層より厚く緻密であるため、接続
端子部としての強度を有している。
【００２８】さらに、メッキをいわゆる機能メッキとす
ることで、さまざまな特性を隔壁に付与することが可能
となる。
ることで、さまざまな特性を隔壁に付与することが可能
となる。
【００２９】SiC 、Al2O3 、ZrO2、MoSi2 、TiC 、WC、
Cr3O2 などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれ
ば、耐磨耗性、耐摩擦性に優れた隔壁が得られるため、
基板のブラシ洗浄やマスク蒸着時のマスクによる隔壁の
破損と防ぐことができる。Ni-MoS2 、Ni- グラファイ
ト、Ni- フッ化黒鉛、Cu- グラファイト、Cu- フッ化黒
鉛などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、
隔壁に自己潤滑性を付与したものが得られるため、有機
層蒸着時に余分な有機物が隔壁に付着することを防ぐこ
とができる。Fe、Co、Niおよびその合金を含むメッキで
隔壁を形成すれば、隔壁に磁性を付与することができ、
表示素子に磁石マーカーなどを付けることができるよう
になる。
Cr3O2 などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれ
ば、耐磨耗性、耐摩擦性に優れた隔壁が得られるため、
基板のブラシ洗浄やマスク蒸着時のマスクによる隔壁の
破損と防ぐことができる。Ni-MoS2 、Ni- グラファイ
ト、Ni- フッ化黒鉛、Cu- グラファイト、Cu- フッ化黒
鉛などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、
隔壁に自己潤滑性を付与したものが得られるため、有機
層蒸着時に余分な有機物が隔壁に付着することを防ぐこ
とができる。Fe、Co、Niおよびその合金を含むメッキで
隔壁を形成すれば、隔壁に磁性を付与することができ、
表示素子に磁石マーカーなどを付けることができるよう
になる。
【００３０】
【実施例】＜実施例１＞ガラス基板上に電極バスとして
Cu、透明電極としてＩＴＯを成膜、パターニングして、
複数本の陽極を得た。その上にポジ型レジストMP-S1813
（シプレイファーイースト社製）を５μｍ厚で塗布し、
フォトリソグラフィ法により電極バス、透明電極に重な
らないよう破線状にレジストを除去した。
Cu、透明電極としてＩＴＯを成膜、パターニングして、
複数本の陽極を得た。その上にポジ型レジストMP-S1813
（シプレイファーイースト社製）を５μｍ厚で塗布し、
フォトリソグラフィ法により電極バス、透明電極に重な
らないよう破線状にレジストを除去した。
【００３１】無電解メッキの前処理として、クロム酸−
硫酸水溶液に基板を３０秒浸して表面を粗面化した後、
塩化錫−塩酸溶液、塩化パラジウム溶液で表面を活性化
した。次に、硫酸ニッケル、ホスフィン酸ナトリウム、
乳酸、プロピオン酸からなるニッケル無電解メッキ液
（９０℃）を用いて、基板上にニッケル層を形成した。
粗面化、活性化、無電解メッキは、いずれも基板片面に
スプレーして、裏面へ溶液がかからないようした。得ら
れたニッケル層表面に対し、硫酸銅−硫酸溶液中で電解
メッキ法により銅を膜厚約１０μｍメッキした。
硫酸水溶液に基板を３０秒浸して表面を粗面化した後、
塩化錫−塩酸溶液、塩化パラジウム溶液で表面を活性化
した。次に、硫酸ニッケル、ホスフィン酸ナトリウム、
乳酸、プロピオン酸からなるニッケル無電解メッキ液
（９０℃）を用いて、基板上にニッケル層を形成した。
粗面化、活性化、無電解メッキは、いずれも基板片面に
スプレーして、裏面へ溶液がかからないようした。得ら
れたニッケル層表面に対し、硫酸銅−硫酸溶液中で電解
メッキ法により銅を膜厚約１０μｍメッキした。
【００３２】銅メッキ層上にポジ型レジストMP-S1813を
塗布し、フォトリソグラフィ法により図１に示すような
隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニ
ッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、
超音波を併用しながらレジスト剥離液REMOVER １１１２
Ａ（シプレイファーイースト社製）で第１レジスト層、
第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケ
ル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確
認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれてい
た。
塗布し、フォトリソグラフィ法により図１に示すような
隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニ
ッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、
超音波を併用しながらレジスト剥離液REMOVER １１１２
Ａ（シプレイファーイースト社製）で第１レジスト層、
第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケ
ル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確
認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれてい
た。
【００３３】この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラ
ズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフ
ェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジ
ン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウ
ム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。
テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は
保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選
択した画素のみが発光した。
ズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフ
ェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジ
ン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウ
ム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。
テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は
保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選
択した画素のみが発光した。
【００３４】＜実施例２＞実施例１と同様にして、ニッ
ケル／銅メッキ層を得た。この上に、ポジ型レジストMP
-1813 を塗布し、フォトリソグラフィ法により図２に示
すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出し
た銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチ
ング後、超音波を併用しながら、レジスト剥離液REMOVE
R １１１２Ａで第１レジスト層、第２レジスト層を除去
した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を
基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と
隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
ケル／銅メッキ層を得た。この上に、ポジ型レジストMP
-1813 を塗布し、フォトリソグラフィ法により図２に示
すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出し
た銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチ
ング後、超音波を併用しながら、レジスト剥離液REMOVE
R １１１２Ａで第１レジスト層、第２レジスト層を除去
した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を
基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と
隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
【００３５】この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラ
ズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフ
ェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジ
ン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウ
ム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。
テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は
保たれていた。また、陰極と隔壁は、１本づつ対になっ
て電気的に接続されており、陰極／隔壁の対同士の電気
的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したと
ころ、選択した画素のみが発光した。
ズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフ
ェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジ
ン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウ
ム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。
テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は
保たれていた。また、陰極と隔壁は、１本づつ対になっ
て電気的に接続されており、陰極／隔壁の対同士の電気
的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したと
ころ、選択した画素のみが発光した。
【００３６】
【発明の効果】本発明により、有機層、陰極層を蒸着時
に分離することが可能になる上、有機層と接触する電極
表面、隔壁、基板から有機物や水分を完全に除去する処
理ができるようになる。そのために、有機物汚染による
発光不良、水分による発光不良領域の拡大を未然に防ぐ
ことができ、長寿命の有機ＥＬ表示素子を得ることがで
きる。さらに、隔壁を電極バスとすることで配線抵抗を
低減できるので、駆動回路の負担が軽減する上、印加信
号の鈍りをなくし、走査できる電極の本数が増やせるよ
うになる。さらに、隔壁を表示部外へ伸ばして電極引き
出し部とすることで、引き出し部の損傷を防ぎ、より確
実な電気的接続を得ることができる。さらに、隔壁を機
能メッキ膜とすることで、蒸着マスクによる隔壁の破損
を防いだり、余分な有機物付着を防いだり、画面に磁石
を貼り付けたりできるようになる。
に分離することが可能になる上、有機層と接触する電極
表面、隔壁、基板から有機物や水分を完全に除去する処
理ができるようになる。そのために、有機物汚染による
発光不良、水分による発光不良領域の拡大を未然に防ぐ
ことができ、長寿命の有機ＥＬ表示素子を得ることがで
きる。さらに、隔壁を電極バスとすることで配線抵抗を
低減できるので、駆動回路の負担が軽減する上、印加信
号の鈍りをなくし、走査できる電極の本数が増やせるよ
うになる。さらに、隔壁を表示部外へ伸ばして電極引き
出し部とすることで、引き出し部の損傷を防ぎ、より確
実な電気的接続を得ることができる。さらに、隔壁を機
能メッキ膜とすることで、蒸着マスクによる隔壁の破損
を防いだり、余分な有機物付着を防いだり、画面に磁石
を貼り付けたりできるようになる。
【００３７】また、メッキ法を使用するために、工程ほ
ぼすべてを湿式プロセスで構成できるため、多大な設備
投資は要らず、バッチ式で大量に生産できるため、生産
コストを低減させることが容易である。
ぼすべてを湿式プロセスで構成できるため、多大な設備
投資は要らず、バッチ式で大量に生産できるため、生産
コストを低減させることが容易である。
【００３８】
【図１】本発明による隔壁形状の説明図である。
【図２】本発明による電極バスを兼ねる隔壁形状の説明
図である。
図である。
【図３】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明
図である。
図である。
【図４】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明
図である。
図である。
【図５】本発明による電極引き出し部の説明図である。
１０１…透明電極 １０２…電極バス １０３…隔壁 １０４…隔壁１０３と基板が接する領域部分 ２０１…透明電極 ２０２…電極バス ２０３…隔壁 ２０４…隔壁２０３と基板が接する領域部分 ３０１…透明電極 ３０２…電極バス ３０３…第１レジスト層 ３０４…金属膜 ３０５…第２レジスト層 ３０６…隔壁と基板が接する領域 ４０１…電極取り出し部として使用する隔壁端部 ４０２…隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28
Claims (10)
- 【請求項１】透明基板または半透明基板表面に複数本の
透明または半透明の陽極が形成されてなる有機エレクト
ロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽極に直
交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本
の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に設けら
れ、かつ前記隔壁の断面が略Ｔ字型であることを特徴す
る有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板。 - 【請求項２】透明基板または半透明基板表面に複数本の
透明または半透明の陽極が形成されてなる有機エレクト
ロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽極に直
交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本
の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に設けら
れ、かつ前記隔壁の断面が前記陽極の前記金属線上の部
分は略Ｔ字型、それ以外は略逆Ｌ字型であることを特徴
とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板。 - 【請求項３】請求項１から２の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽
極が複数の島状に配設された透明または半透明の導電膜
と前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線からなるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用
基板。 - 【請求項４】請求項１から３の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔
壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチング
することで形成されたものであることを特徴する有機エ
レクトロルミネセンス表示素子基板。 - 【請求項５】請求項１から３の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔
壁が無電解メッキ法と電解メッキ法の併用により作製し
た金属膜をエッチングすることで形成されたものである
ことを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基
板。 - 【請求項６】請求項１から３の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔
壁が真空成膜法と電解メッキ法により作製した金属膜を
エッチングすることで形成されたものであることを特徴
する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板。 - 【請求項７】請求項２に記載の有機エレクトロルミネセ
ンス表示素子用基板において、前記隔壁を表示領域外に
伸長し電極引き出し部として用いることを特徴とする有
機エレクトロルミネセンス表示素子基板。 - 【請求項８】請求項５から６の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記電
解メッキ法により作製するメッキ膜が無機化合物を分散
剤として含む機能メッキ膜であることを特徴とする有機
エレクトロルミネセンス表示素子基板。 - 【請求項９】請求項１から８の何れか１に記載の有機エ
レクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有
機層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレ
クトロルミネセンス表示素子。 - 【請求項１０】請求項２および７の何れか１に記載の有
機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくと
も有機層、陰極層を順次積層し、かつ前記隔壁の片側に
おいて前記隔壁と前記陰極が電気的に接続していること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP37167099A JP4474708B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37167099A JP4474708B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185361A true JP2001185361A (ja) | 2001-07-06 |
| JP4474708B2 JP4474708B2 (ja) | 2010-06-09 |
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ID=18499109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37167099A Expired - Fee Related JP4474708B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子 |
Country Status (1)
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208477A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2004235014A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2006004850A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Kyocera Corp | Ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| WO2014115369A1 (ja) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2020107515A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 大日本印刷株式会社 | 表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37167099A patent/JP4474708B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4474708B2 (ja) | 2010-06-09 |
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