TWI278522B - Film forming method, electronic device and electronic apparatus - Google Patents
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1278522 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係利用氣相生長法等在基板上形成任意配線圖案 用之掩罩等。 【先前技術】 以往,利用光微影照相技術與乾式及濕式蝕刻技術而使 用在基板上形成電氣配線之技術。但,為施行光微影照相 處理與蝕刻處理,需要非常高昂之設備,且受到多數處理 工序之管理成本及良率等之影響而成為製品成本上升之要 因。更由於需要消耗大量之抗餘劑、顧影液、抗姓層剝離 液、蝕刻液(氣),對地球環境之影響也令人擔憂。 因此’如日本㈣平4_236758號公報所揭示,曾經有使 形成圖案之掩罩密貼於美杯而奋丨 也$於暴扳而利用軋相生長法在矽晶圓 金屬箱等形成薄膜,获—貧 一 、9在基板上形成任意配線圖案之技 術之提案。此技術在使用多 用夕種可月匕因濕度及氧氣等而劣化 之材料之有機EL(電致發光) 之技術。 造中’成為非常有效 [專利文獻]日本特開平4 - 2 3 6 7 5 8號公報 發明所欲解決之問題 但,為通以大雷、、* , 人電W,在形成低電阻之 有必要形成金或鉑等主入 電虱配線之知形, 〜邱寻貝金屬之屋蹬 q 時,處理時間較長而可能降低生產能力氣相生長法 罩及成膜裝置之責金屬會增力:,; =屬;由於附著於掩 增加而有導致成本上 、、屬材料之消耗量之 汁之問題。 103465.doc 1278522 本發明係鑑於上述之情況所研發而成,其目的在於提供 可一面減少貴金屬材料之使用量,一面以高生產能力形成 低電阻之電氣配線之成膜方法等。 【發明内容】 在本發明之成膜方法、電子元件及電子機器中,為解決 上述問題,採用以下之手段。 本發明之成膜方法係在基板上形成薄膜之圖案者;包含 第1工序,其係利用掩罩藉氣相生長法在前述基板上成膜 • 金屬底層冑’以形成圖案者;及第2工序,其係在前述基 板施以電鍍處理而在包含金屬底層膜之前述圖案上成膜金 屬膜者。 • 依據本發明,由於以電鍍處理在金屬底層膜上形成金屬 膜,故在不需要之部分不會形&金屬膜,故幾乎無金屬材 • 料之浪費,而可容易形成希望之膜厚之金屬膜。 又,金屬底層膜由金或鎳所形成者不必施行表面氧化膜 • 之除去處理,故只要形成薄的膜即可,目此,可縮短處理 _ 時間,謀求低成本化。 又,電鍍處理使用無電解鍍金處理者可良好地在金或錄 所形成之金屬底層膜成膜,而可形成希望之膜厚之金屬 膜。 又,金屬底層膜由紹所形成者可良好地形成金屬底層 膜,並可謀求低成本化。 ' 又,在第2工序之前,施行鋅鲮鹽處理者可除去形成於 銘形成之金屬底層膜表面之氧化皮膜、非動態皮膜而置換 103465.doc 1278522 . 成鋅。 又藉鋅酸鹽處理,除去脫離圖案之缺陷部分者 :=層膜形成由掩罩之開口部突出之缺陷部 ·. 下,其缺陷部分之膜厚也相當薄,故可利用鋅酉变鹽處理之 她乍用容易加以除去。尤其在與由掩罩之開口:突出形 成之缺陷部分所鄰接之金屬底層接觸而無法獲得希望之圖 〃 It形下,可藉除去缺陷部分(突出部分)而獲 鲁 圖案之金屬底層膜。 又,在第2工序,施行無電解鍍鎳後,施行置換鍍金及 無電解鍍金者可良好地在鋁形成之金屬底層上形成金屬 膜。 - 二又’掩罩包含開口部、及連結夾在開口部之區域與夾在 ' ^ °卩之區域以外之區域之樑部者可藉樑形成夾在開 #之區域與夹在開口部之區域以外之區域之複雜形狀之 =口部。例如可形成所謂閉合圖案。而,在基板上形成連 φ 不斷放之形狀之薄膜圖案。而,更可將掩罩基材之板 厚叹又於薄於圖案開口部之厚度,使由斜方入射之薄膜形 成粒子也能附著於基板,故即使圖案開口部變得更微細, 也可形成可對應之掩罩。 *又’襟部形成比樑部以外之區域薄者使由斜方入射之薄 膜形成粒子也能附著於基板。 又’掩罩基材由矽所構成者可確實形成含樑之圖案開口 , 部。 又’掩罩可藉剝離形成於掩罩基材上之薄膜而重複使用 】〇3465.d〇c 1278522 者,可廉價地製造薄膜。 第2發明之電子、兀件係包含第!發明之成臈方法所形成之 金屬配線圖案。依據本發明,由於可廉價地形成電阻低而 玎通大電流之金屬配線,故可獲得廉價而高性能之電子元 件。 第3發明之電子機器係包含第2發明之電子元件。依據本 發明,可獲得高性能之電子機器。 【實施方式】 以下,參照圖式說明本發明之成膜方法、電子元件及電 子機器之實施型態。 [掩罩] 圖1係表示使用於以濺射法、CVD法等在玻璃基板50上 形成薄膜圖案之掩罩1 〇之一例之立體局部剖面圖。 掩罩10係在矽形成之掩罩基材12,形成多數圖案間開口 12。作為圖案間開口 12之形狀,例如係形成具有約 寬之線狀。經由此圖案間開口 12,將金屬材料疊層於被成 膜基板上,可形成約1 〇 μηι寬之電氣配線等之圖案。 作為圖案間開口 12之形狀,並不限定於線狀,也可為圓 形、矩形等。 在各圖案間開口 12内,設有多數連結圖案間開口 12之側 壁13彼此之樑14。樑14係設置於離開掩罩基材丨丨之被成膜 基板相向面(以下稱表面lla)之位置。與表面na之距離至 y 5 μηι以上。如此,在圖案間開口 12之側壁13設有多數樑 14,故可在掩罩基材11形成閉合形狀之圖案間開口 12。也 103465.doc 1278522 就是說,可藉多數樑14支持例如如孤島般浮起之部位,以 設置環形之圖案間開口 12。具體上,圖i之掩罩基材w
部位Ue係經由多數樑14被連結於料基材u之部位L 因此’部位lie不會由掩罩基#11脫落而成—體地構成掩 罩1〇。又,樑14之數等可依照其強度等任意加以設定。 將樑14設於離開表面Ua之位置係為了在利用掩罩叫 被成膜基板上形成金屬配線等之情形,可使所形成之金屬 配線保持連續而不斷裂之故。也就是說,樑14離開表面 11 a可使金屬配線用材料等繞過樑14之周圍而附著於被成 膜基板上。又,有關金屬配線之形成工序留待後述。 作為掩罩基材11之材料,可列舉金屬、玻璃、塑膠等, 以使用矽板(矽晶圓等)較為理想,此係由於可容易形成樑 14之故。又,由於不帶磁性,故也可使用作為電漿用 之掩罩。掩罩基材11之形狀為任意形狀’纟厚度最好為數 百μιη程度。 [成膜方法:第1實施型態] 其次,說明有關利用上述掩罩1〇在玻璃基板5〇上形成金 屬配線52之圖案之方法。 圖2係表示利用掩罩1〇形成金屬配線52之工序之圖,圖3 係表示由成膜方法所獲得之金屬配線52之圖。 作為形成金屬配線52之基板,除玻璃基板50外,也可為 塑膠基板、矽基板等。 首先,利用上述掩罩10,以蒸鍍法、濺射法等物理氣相 生長法或CVD法等化學氣相生長法,在玻璃基板5〇形成金 103465.doc -10- 1278522 屬底層膜60。作為金屬底 • 蜀&層M60之材料,可使用金或鎳。 以下說明使用鎳之情形。 具體上,如圖2(a)所示,腺i Λ 將掩罩10之表面1 la密接貼附於 玻璃基板50。而,利用物理氣相生長法或化學氣相生長 法在玻离基板50上形成鎳構成之金屬底層膜6〇(參照圖 2(b))。鎳構成之金屬底層膜6〇之膜厚約】〇〇腿程度。 在此’在形成金屬底層⑽之際,薄膜材料之料通過 • 掩罩1G之圖案間開口 12而到達、沉積於玻璃基板⑼上。此 時,薄膜材料會繞過樑14而到達、沉積於對應(露出)於玻 璃基板50上之圖案„口12之區域之全面。也就是說,將 樑14配置於離開表面Ua之位置,故可形成金屬配線“之 圖案而不受樑14存在之影響,因此,可獲得無缺陷(斷線) 之金屬底層膜60之圖案。從而,如圖3所示,可良好地形 成以往之掩罩無法形成之閉合形狀等之金屬底層膜6〇之圖 案。 _ 又,為了使薄膜材料繞過樑14而到達、沉積於玻璃基板 50上,如上所述,有必要使樑14至少離開掩罩1〇之表面 11a約5 μηι以上。此係由於樑14與掩罩10之表面Ua之距離 太近時,繞過之薄膜材料變少,形成在玻璃基板5〇上之金 屬配線52等之圖案變薄’而成為電阻值增大或斷線之原因 之故。 在玻璃基板50上形成金屬底層膜60後,由玻璃基板5〇卸 • 下掩罩1〇以施行疊層於背面lib之鎳薄膜之剝離處理。具 , 體上,將掩罩1 〇浸潰於鹽酸水溶液,以除去附著之鎳薄 103465.doc -11- 1278522 严牛低金屬底層膜60之製造 膜。藉此’掩罩1 〇可重複使用 成本。 另一方面’已形成錄構成之金屬底層膜6g之玻璃基板5〇 則直接浸潰於無電解鑛金液,藉此’如圖2⑷所示,在金 屬底層膜60上析出鍍金膜而形成全屬 取孟屬膑65。而,金屬膜65 約形成至2 μιη厚度。 使用無電解鑛金法係由於無電解電鍍法不需要供電,故 可抑制設備成本之n即使已形成融人玻璃基板5〇之 金屬膜65之圖案,也無必要對該圖案之全部供電,故處理 作業較為容易’且可在形狀不規則之表面獲得均勻厚度之 電鍍皮膜。可在塑膠或陶竟等非導體上直接電鍍、鋁等非 鐵金屬也可電鍍。另外,與乾式成膜法相比,具有裝置成 本也較低廉等之優點。 又,可容易形成厚的膜厚之金屬膜65。即,可藉自我觸 媒作用連續進行金屬析出反應而使鐘金膜生長,容易獲 得厚的膜厚’且由於僅將金析出於金屬底層膜6〇上,故^ 無浪費地使用昂貴之貴金屬。又’由於含有還原劑,具有 比置換電鍍法高速成膜之優異之特徵。 又,作為無電解鍍金液,例如可使用氰金鉀2 () g/]L、次 私Ssl納10 g/L、氯化叙75 g/L、轉檬酸納50 g/L之無電解鍍 金液。而,利用稀釋鹽酸調整MpH 5〜6,將溫度設定為9〇 ±3〇C 〇 如此利用掩罩10在玻璃基板50上形成金屬底層膜6〇後, 對玻璃基板50施行無電解鍍金處理而在金屬底層膜6〇上形 103465.doc 12 1278522 成金屬膜65,故可一面減少昂貴之金之使用量,一面形成 t厚之膜厚之金屬膜65 ’故可獲得形成低電阻之電氣配線 尤其,使用鎳或金作為金屬底層膜6〇之情形,在形成金 屬底層膜60後,在金屬底層膜6〇表面不會形成氧化膜等至 故有不需要氧化膜除去作業之優點。且因不需要除去氧化 膜’故只需將金屬底層膜60設定於必要之最小限度之膜厚 即可,故減少昂貴之金屬之使用量。 而’金所形成之金屬膜65由於電導性、低接觸電阻、耐 餘性、焊接性、耐磨損性相當優異,除了金屬配線加 外,可使用於各種接點、端子、連接器、菁片開關、菩片 框等。 [成膜方法··第2實施型態] 其久’說明有關利用掩罩1〇在玻璃基板5〇上形成金屬配 線54之圖案之方法而使用鋁作為金屬底層膜”之情形。 圖4係表示金屬配線54之形成工序之圖。 形成鋁作為金屬底層膜70之情形,如圖4(a)所示,利用 掩罩ίο,以蒸鑛法、濺射法等物理氣相生長法或cvd法等 北學氣相生長法,在玻璃基板5〇形成金屬底層膜7〇。鋁形 成之金屬底層膜70之膜厚約700 nm程度。又,鋁形成之金 屬底層膜70之情形,有必要除去形成於表層之氧化膜層, 故有必要將其膜厚形成厚於鎳形成之金屬底層膜之膜厚 (约1 00 nm程度)。 又,作為形成金屬底層膜70之材料,可使用鋁合金。例 103465.doc -13- !278522 如可使用鋁、矽、銅之合金。 在玻璃基板50上形成金屬底層膜70後,由玻璃基板5〇卸 下掩罩10以施行疊層於背面11b側之鋁薄膜之剝離處理。 具體的方法與上述之方法相同。 另一方面,已形成鋁構成之金屬底層膜70之玻壤基板 5〇(參照圖4(b))則施行UV洗淨,以除去附著於表面之有機 物。 接著,如圖4(c)所示,對玻璃基板50施行鋅酸鹽處理。 所謂鋅酸鹽處理,係除去形成於鋁構成之金屬底層膜7〇之 表層之氧化膜,並將表層置換成鋅,以獲得提高與形成於 金屬底層膜70上之金屬膜75之密接性之效果。 具體上,例如將形成鋁構成之金屬底層膜7〇之玻璃基板 50浸潰於鋅酸鹽液約丨分鐘。藉此,除去金屬底層膜几之 表層之氧化膜。即,利用鋅酸鹽處理之蝕刻作用略微除去 金屬底層膜70之表層全體。又,作為鋅酸鹽液,例如可使 用氫氧化鈉3重量%、氧化鋅〇·5重量%之鋅酸鹽液。 鋅酸鹽處理之目的在於除去鋁膜表層之氧化膜,並將其 置換成鋅,但對利用掩罩10形成鋁構成之金屬底層膜川之 玻璃基板50施行鋅酸鹽處理之情形,也可獲得以下之效 果。 即,利用掩罩10形成金屬底層膜7〇之情形,有時可能由 掩罩10之圖案間開口 12突出而在不需要之部分形成薄膜 7〇a。而,在突出形成之薄膜7〇a接觸到鄰接之金屬底層膜 70之圖案# |法獲;^希望之圖案,故會形成具有缺陷部 103465.doc -14- 1278522 刀(短路之部分)之金屬底層膜70之目案。但,對具有此種 缺陷邛刀之金屬底層膜7〇之圖案施行鋅酸鹽處理時,即可 合易除去犬出形成之薄膜70a,即除去缺陷部分。 也就是說,由金屬底層膜7〇之圖案突出形成之薄膜7〇a 係:於金屬底層膜7〇之材料滲入形成金屬底層膜 本山貼之掩罩1Q與玻璃基板5_某些原因而稍微分離所產 生之門隙等所形成(參照圖4(b))。因此,突出形成之薄膜 術係_金屬底層膜即與形成在對應於圖案開口部12 品或之膜相比,為非常薄之膜,因此,對薄膜Ma施行 辞酸鹽處理時’即可與金屬底層膜?〇之表層之氧化膜同時 加以除去。 如此’對形成鋁構成之金屬底層膜7〇之玻璃基板5〇施行 & 』谷易地除去由金屬底層膜70突出之薄膜 70a ’或彳于無缺陷之希望圖案之金屬底層膜7〇(參照圖 4(c)) 〇 接著’對被施行鋅酸鹽處理後之玻璃基板5〇沖水洗淨約 5为4里後’施以無電解鍍鎳,而,如圖4(幻所示,在金屬底 層膜70上形成鎳膜72。具體上,將其浸潰於加熱至約8〇。〇 之Νι-Ρ電鑛錄液約4分鐘,在金屬底層膜7〇上形成約16 μιη 之鎳膜72 〇 作為無電解鎳液,可對硫酸鎳〇 15 m〇1/L、磷酸鈉〇·2 mol/L、丁 二酸鈉 〇·2 m〇1/L、次磷酸鈉 〇15 m〇1/L、硼酸 〇·12 mol/L之混合液,以稀釋硫酸調整至ρΐι 5.4:!: 0.2,並 將溫度調整於80± rC以供使用。 103465.doc -15- 1278522 其-人,如圖4(e)所示,藉置換鍍金法在鎳膜72上形成金 之薄膜,再利用無電解鍍金法在鎳膜72上形成希望膜厚之 鍍金膜。 施以置換鍍金後,再施以無電解鍍金係由於在鎳膜72上 直接施以無電解鍍金時,鎳與金之離子傾向差較大,故初 期之金之析出並非由還原材料析出,而係藉置換而析出。 而’藉置換而析出之鍍金膜屬於與鎳膜72幾乎無密接性之 膜,谷易發生剝離之缺陷之故。又,藉置換鍍金法在鎳膜 72上形成鍍金之膜時,雖可形成密接性較高之膜,但不能 形成厚膜。 因此,暫且藉置換鍍金法在鎳膜72上形成薄膜後,再施 以無電解鍍金法在鎳膜72上形成考望膜厚之鍍金膜。 具體上’將玻璃基板5〇浸潰於加熱至約8〇。〇之置換鍍金 液而在鎳膜72上形成約ο·】μιη膜厚之金膜。又,作為置換 鍍金液,例如可使用亞硫酸金鈉〇 7%、硫酸鉈6.5 、 EDTA3%、硫酸經1〇%之置換鑛金液。 再將玻璃基板50浸潰於加熱至約肋^之無電解鍍金液約 2小時,开^成約2 μηι膜厚之金構成之金屬膜乃。 料無電解鐘金液,@ 了上述之例外,使用對亞硫酸金 鈉 0.65/。、經版 、硫酸鉈 〇·5 、硫酸 鋰3%,以稀釋硫酸調整至ρΗ 7 〇±〇·2之無電解鍍金液。 如此,施以置換鍍金後,再施以無電解鍍金時,可形成 在接丨生同且符合希望之膜厚之金構成之金屬膜乃,故可獲 得低電阻之金屬配線54。 103465.doc -16- 1278522 [有機EL元件] 圖5係有機EL元件100之側面剖面圖。 有機EL元件1 〇 〇係在陽極之晝素電極13 〇與陰極1 8 〇之間 配置有矩陣狀配置之多數晝素區域所構成,其特徵在於使 用有機材料構成之發光層16 OR、160G、160B作為書素區 域0
在玻璃材料等構成之基板11 〇表面形成驅動各書素區域 (發光層160R、160G、160B)之電路部120。又,在圖5中, 雖省略電路部120之詳細構成之圖示,但此電路部12〇之電 氣配線係利用上述之成膜方法所形成。 在電路部120之表面,對應於各晝素區域而以矩陣狀形 成ITO等構成之多數晝素電極13〇。 而,以覆蓋執行作為陽極機能之晝素電極13 〇方式,$ 有銅酞菁膜構成之電洞注入層140。更在電洞注入層14〇之 表面設有ΝΡΒ(Ν,Ν-二(萘基)-N,N_二苯基_聯苯胺)等構成之 電洞輸送層150 〇 而,在電洞輸送層150之表面,形成矩陣狀之對應於各 晝素區域之發光層160R、160G、160B。作為此發光層 Μ〇’例如使用分子量約1000以下之低分子有機材料。^ 體上,以Alqs(鋁配位化合物)等為基質材料,以紅螢烯等 為摻雜物而構成發光層16〇。 又,以覆蓋發光層160之方式,形成氟化鋰等構成之電 子注入層170。更在電子注入層17〇之表面設有辦構成之 陰極wo。又,在基板110之端部貼合封閉基板(未圖示)而 103465.doc 1278522 將整體密閉封閉。 而’將電壓施加至上述晝素電極13〇與陰極18〇之間時, 由電洞注入層140對發光層160注入電洞,由電子注入層 170對發光層160注入電子〆而,在發光層16〇中,電洞^ 電子再輕合而激發摻雜物而發光。如此,具備有機材料構 成之發光層16〇之有機EL元件100具有壽命長、發光效率優 異之特徵。 [電子機器] 圖6係表示本發明之電子機器之實施型態之圖。手機(電 子機器)200具備有低分子有機EL元件1〇〇所構成之顯示部 2〇1。作為其他之應用例,有在電子錶型電子機器中具備 有低分子有機EL元件1 〇〇作為顯示部之情形、及在文查處 理機、個人電腦等攜帶型資訊處理裝置中具備有低分 機EL元件1 〇〇作為顯示部之情形等。 如此,手機200由於具備有低分子有機EL元件1〇〇作為顯 不部201,故可實現顯示對比度高而品質優異之顯示。 以上,一面參照附圖一面說明本發明之適當實施型態, 但本發明當然不受該等例子所限定。上述之例中所示之各 構成構件之諸形狀及組合等僅係一例,在不脫離本發明之 主旨之範圍内,自可依據設計要求等作種種之變更。 例如雖使用金作為金屬膜65、75,但不限定於此,例 如,也可使用銀、鉑或鈀。將鈀無電解電鍍之情形,可使 用對氯化鈀0.12 mol/L、檸檬酸鈉〇·3 m〇1/L、次磷酸鈉 〇·〇5 mol/L、硝酸鉛1〇〇 ppm、硼酸〇·2〇 m〇1/L之液體,以 103465.doc -18- 1278522 稀釋硫酸調整至ΡΗ5·4±0.2,並將溫度調整κ80±Γ(:之無 電解鍍I巴液。 又’雖以無電解電鍍法形成金屬膜65、75,但也可利用 電解電鍍法形成。例如,對鉑而言,以電解電鍍法較為合 適。 又,作為成膜金屬底層膜60、70之際所使用之掩罩,係 以單晶矽構成之掩罩10加以說明,但不限定於此,例如也 可使用不銹鋼製之掩罩等。 【圖式簡單說明】 圖1係表示掩罩1 〇之立體局部剖面圖。 圖2(a)、(b)、⑷係表示金屬配線a之形成工序之圖。 圖3係表示金屬配線52之圖。 圖4(a)〜(e)係表示金屬配線52之形成工序之圖。 圖5係有機EL元件100之側面剖面圖。 圖6係表示電子機器之實施型態之圖。 【主要元件符號說明】 11 12 12a 14 50 52、54 60、7〇 65、75 掩罩基材 圖案間開口 開口形成區域 樑 玻璃基板(基板) 金屬配線(薄膜) 金屬底層膜 金屬膜 103465.doc -19- 1278522
70a 薄膜(缺陷部分) 100 有機EL元件(電子元件) 200 手機(電子機器) 201 顯示部 103465.doc -20-
Claims (1)
127%^2ι29503號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(的年^月) 十、申請專利範圍: ι 一種成膜方法,其係在基板上形成薄膜之圖案者;其特 徵在於包含 第1工序,其係利用掩罩藉氣相生長法在前述基板上 形成金屬底層膜,以形成前述圖案者;及 第2工序,其係在前述基板施以電鍍處理而在包含金 屬底層膜之前述圖案上形成金屬膜者。 如申喷專利範圍第i項之成膜方法,其中前述金屬底層 膜係包含金或鎳者。 3. 如申請專利範項之成膜方法,其中前述電鑛處理 係無電解鍍金處理者。 4. 如巾請專利範圍第丨項之成膜方法,其中前述金屬底層 膜係包含鋁者。 如申清專利範圍第4項之点腔古、土 ^ ^ 項之戚膜方法,其中在前述第2工序 之刖,施行辞酸鹽處理者。 6. 7. 如申睛專利範圍第5 夕士、描士、j> - 項之成膜方法,其中藉前述辞酸鹽 處理,除去脫離前述圖案之缺陷部分者。 如申請專利範圍第4至6項中任一項 月’J述第2工序,施行無電解鍍鎳後 電解鍍金者。 之成膜方法,其中在 ’施行置換鍍金及無 8.如申請專利範圍第 罘至6項中任一項之成膜方法,苴中 述掩罩係包含開口部、 士 及連、、Ό夾在如述開口部之區域 夾在前述開口部之區域外 ^ q以外之£域之樑部者。 9·如申請專利範圍第8 、之成膜方法,其中前述樑部係 103465-951130.doc ,1278522 成比前述樑部以外之區域薄者。 10. 11. 12. 13. 如申明專利範圍第8項之成膜方法,其中前述掩罩係由 矽所構成者。 如申請專利範圍第丨至6項中任一項之成膜方法,其中前 述掩罩係可藉剝離形成於前述掩罩上之薄膜而重複使用 者。 種電子元件,其特徵在於包含如申請專利範圍第1至 員中任項之成膜方法所形成之金屬配線圖案者。 種電子機斋,其特徵在於包含如申請專利範圍第12項 之電子元件者。 103465-951130.doc
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