JP2005019211A - El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板12上にはトランジスタ21,21,…が形成され、トランジスタ21,21,…は絶縁被覆膜18によって被覆されている。絶縁被覆膜18には画素ごとに光学干渉多層膜19、画素電極16、EL層15が順に積層されている。複数のEL層15は対向透明電極13によって被覆されており、対向透明電極13上には画素ごとにブロッキングレイヤ41が成膜されている。平面視して複数の画素電極16間の領域全体に重なるようにして網目状に形成された補助電極層42が対向透明電極13上に直接形成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL(Electro Luminescence:エレクトロルミネッセンス)素子が基板上に配列されてなるEL表示パネル及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
特許文献1に記載されているように、エレクトロルミネッセンス素子(EL素子と略称する)はガラス基板上に第一電極、EL層、第二電極の順に積層した積層構造となっており、第一電極と第二電極との間に電圧が印加されるとEL層に正孔及び電子が注入され、EL層で電界発光する。EL層で発した表示光は第一電極を介しEL層が積層されたガラス基板から外部に出射するようになっている。
【0003】
複数のEL素子を画素としてマトリクス状に基板上に配列することによってEL表示パネルが提供される。EL表示パネルには主にアクティブマトリクス駆動方式とパッシブ駆動方式(単純マトリクス駆動方式)の二種類に分類されるが、アクティブマトリクス駆動方式のEL表示パネルは、EL素子に印加される単位時間辺りの電圧が低いためにEL素子への電圧負担を軽減し長寿命化できる等の優位性を持っている。
【0004】
アクティブマトリクス駆動方式のEL表示パネルでは一画素につき一又は複数のトランジスタ(TFT)が設けられており、トランジスタによってEL素子を発光させる。アクティブマトリクス駆動方式のEL表示パネルを製造するに際しては、EL素子をマトリクス状にパターニング形成する前にトランジスタを基板上に形成するが、これはトランジスタを形成する際の温度がEL素子の耐熱温度を超えてしまうためである。
【0005】
画素ごとにトランジスタが形成されているから、複数のEL素子をマトリクス状に形成するに際してトランジスタに接続する下層側の第一電極をEL素子ごとに独立してマトリクス状に形成する。一方、第二電極は全てのEL素子に共通した共通電極としてべた一面に成膜する。EL表示パネルの各画素の発光領域は、第一電極と、第二電極が交差する領域となるが、アクティブマトリクス駆動方式のEL表示パネルでは、第一電極をフォトリソグラフィでパターニングすることが可能なため、フォトリソグラフィより解像度の下がるメタルマスクで第二電極をパターニングするパッシブ駆動方式のEL表示パネルと比べて高精細な画素とすることができる。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−151063号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、第二電極を成膜している時に熱的要因・化学的要因でEL層が損傷することがあるため、EL層の損傷を抑えるために第二電極の成膜時間をできる限り短くすることが望ましいが、第二電極の成膜時間を短くすると第二電極が薄くなる。
しかしながら、第二電極の薄膜化に伴い第二電極のシート抵抗が高くなってしまい、第二電極の高抵抗化によって第二電極の電圧が面内で一様にならず電圧の高低差が面内で顕著に表れてしまう。第二電極が共通電極としてべた一面に形成されているから、仮に全ての第一電極に同じ電位が印加された場合でもEL素子ごとに発光強度が異なってしまい、面内の発光強度が一様にならない。
また、EL層からの光をガラス基板を介して出射する場合、ガラス基板に入射された光が、ガラス基板の屈折率と厚みのためにガラス基板内で乱反射したり吸収されてしまい、EL層内で発光した光のガラス基板内での損失が大きいといった問題が生じた。
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、第二電極の電圧を面内で一様にできるようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項1に記載の発明のEL表示パネルは、
基板上に配列された複数の画素電極と、
それぞれの前記画素電極上に形成されたEL層と、
前記EL層上に形成された対向電極と、
前記複数の画素電極間に重なるようにして前記対向電極と接続された補助電極と、を備えることを特徴とする。
【0009】
請求項13に記載の発明のEL表示パネルの製造方法は、
複数の画素電極を基板上に形成し、
それぞれの前記画素電極上にEL層を形成し、
対向電極を前記複数の画素電極と重なるように前記EL層上に形成し、
前記対向電極と接続するように且つ前記複数の画素電極間と重ねるように補助電極を形成することを特徴とする。
【0010】
請求項1、13に記載の発明では、対向電極を透明にしてEL表示パネルがEL層からの光を対向電極を介して出射する構造にするために、対向電極に比較的抵抗率の高い材料を適用したとしても、補助電極が対向電極と接続され且つ複数の画素電極間に重なるように形成されているので、対向電極面上での光の出射率を下げることなく、補助電極及び対向電極全体でシート抵抗を下げることが可能となり、対向電極の電圧を面内で一様にすることができる。従って、一つの画素電極に対向する部分の対向電極を流れる電流の電流値がほぼ一定となり、同一画素内での発光が均一化されるので、EL層の一部のみに強い電界がかからないため、EL層の電圧負担が軽減されて長寿命化が可能となる。また一般のELパネルの構造では、対向電極をより多くの画素に共通した共通電極とし、透明にするために例えばITOのような金属酸化物とした場合、対向電極に電圧を供給する配線付近の対向電極部分と配線から離れた位置の対向電極部分では電圧値が異なってしまう。つまり、配線から遠ざかる部位にしたがい電圧値が減衰してしまい、これは、対向電極の面積が増大するにしたがい顕著になるが、本発明では、画素単位の面積レベルに補助電極を張り巡らせることが可能なために、配線と画素の相対的な位置によって印加電圧又は流れる電流の電流値がばらつくことを抑えることができ、仮に全ての画素電極及び対向電極間に互いに同じ電位の信号を出力した場合でも、どのEL層の発光強度もほぼ等しくなり、面内の発光強度を一様することができる。
また、対向電極をより薄膜化することが可能なので、EL層を発した光が対向電極を透過中に減衰し難くなる。更に、補助電極が複数の画素電極間につまり複数のEL層間に重なっているため、開口率の減少を最小限に抑えることができる。
【0011】
請求項12に記載の発明のEL表示パネルは、
基板上に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極に接続するように当該画素電極の周囲に設けられ且つ該画素電極に隣接する画素電極と離間した補助電極と、
それぞれの前記画素電極上に形成されたEL層と、
前記EL層上に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
【0012】
請求項12に記載の発明では、補助電極及び画素電極の組合せによりシート抵抗を下げることができ、このため、低電圧で効率よくEL層を発光することができる。
【0013】
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のEL表示パネルにおいて、前記対向電極が光透過性を有し、前記補助電極が遮光性を有することを特徴とする。
【0014】
請求項3に記載の発明では、対向電極が光透過性を有するため、EL層で発した光は対向電極から外部に出射する。一般に光透過性電極材料は抵抗率が高いため、補助電極によるシート抵抗の低減がより効果的となる。また、補助電極が遮光性を有するため、補助電極が画素間のブラックマスクとして機能し、コントラスト及び色純度の低下並びに画素間(EL層間)の漏れ光を防止することができる。更に、EL層から補助電極までの間に介在する層が対向電極だけであり、補助電極がEL層に近いから、EL層で光が放射状に発しても、補助電極によるコントラスト比低下、色純度低下及び漏れ光の防止効率が非常に良く、光が対向電極から外部に効率よく出射する。
【0015】
請求項4に記載の発明は、請求項1から3の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記対向電極は、前記EL層の発光する波長域の少なくとも一部を透過する性質を有することを特徴とする。
【0016】
請求項5に記載の発明は、請求項1から4の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記EL層の発光を出射する側が前記対向電極側であることを特徴とする。
【0017】
請求項6に記載の発明は、請求項1から5の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記補助電極に重なるようにして前記補助電極上に形成された遮光性マスクを更に具備することを特徴とする。
【0018】
請求項6に記載の発明では、対向電極が光透過性を有するため、EL層で発した光は対向電極から外部に出射する。また、補助電極上に遮光性マスクが形成されているため、コントラスト及び色純度の低下の防止並びに画素間(EL層間)の漏れ光を防止することができる。
【0019】
請求項7に記載の発明は、請求項1から6の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記補助電極が前記複数の画素電極間の領域全体に重なるように網目状に形成されていることを特徴とする。
【0020】
請求項7に記載の発明では、補助電極が複数の画素電極間の領域全体に重なるように網目状に形成されているため、対向電極の電圧を面内でより一様にすることができる。
【0021】
請求項8に記載の発明は、請求項1から7の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記補助電極が横方向に隣り合う画素電極間又は縦方向に隣り合う画素電極間に重なるようにストライプ状に形成されていることを特徴とする。
【0022】
請求項8に記載の発明では、補助電極がストライプ状に形成されているため、対向電極の電圧を面内でより一様にすることができる。
【0023】
請求項9に記載の発明は、請求項1から8の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記EL層の発光の少なくとも一部の光を共振する共振器をさらに備えることを特徴とする。
【0024】
請求項9に記載の発明では、共振器を備えることでEL層の光のうち所定の色の波長域の出射率を向上することができるので色純度を高くすることができる。
【0025】
請求項10に記載の発明は、請求項9に記載のEL表示パネルにおいて、前記共振器は、前記画素電極の下に配置された半反射層と、前記半反射層と接するように前記半反射層の下に形成された透明層と、前記透明層と接するように前記透明層の下に形成された反射層と、を備え、光透過率が前記透明層、前記半反射層、前記反射層の順に高く、光反射率が前記反射層、前記半反射層、前記透明層の順に高く、前記画素電極が透明であることを特徴とする。
【0026】
請求項10に記載の発明では、外部から透明層内に進入した外光のうち、波長が透明層の光学的厚さ2の整数倍でない成分は、反射を繰り返す間に干渉を引き起こしても共振器の外に出射されにくいのでEL表示パネルから反射することがほとんどない。このため、外光によるぎらつきを抑え、EL表示パネルが明るい環境下にあってもコントラスト比の低下を抑えることができ、ユーザにとって見やすいEL表示パネルを提供することができる。
【0027】
請求項11に記載の発明は、請求項1から8の何れか一項に記載のEL表示パネルにおいて、前記画素電極と接するように前記画素電極の下に形成された透明層と、前記透明層と接するように前記透明層の下に形成された反射層と、を更に備え、光透過率が前記透明層、前記画素電極、前記反射層の順に高く、光反射率が前記反射層、前記画素電極、前記透明層の順に高いことを特徴とする。
【0028】
請求項11に記載の発明では、画素電極が共振器の一部として構成することで少ない構成で外光の反射を抑えることができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、『平面視して』とは、『表示面に対して垂直な方向に向かって見て』という意味である。
【0030】
図1は本発明が適用されたEL表示パネル1の平面図であり、図2は図1のII−II線における一画素の断面図であり、図3は図2のIII領域を拡大して示した図面である。
このEL表示パネル1は、アクティブマトリクス駆動方式によりドットマトリクス表示を行うものであり、一画素につき一つのEL素子11と二つのトランジスタ21,21を具備する。EL表示パネル1は、トランジスタ21,21のいずれかに流れる電流の電流値により階調を制御する電流階調表示型でもよく、トランジスタ21,21のいずれかに印加される電圧の電圧値により階調を制御する電圧階調表示型でもよい。
【0031】
このEL表示パネル1は基板12を更に具備し、基板12に種々の層を積層することでEL表示パネル1が構成されている。基板12は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、PMMA、ポリカーボネート、その他の樹脂で平板状に形成されたものである。基板12は必ずしも可視光の透過率が高くなくてもよい。
【0032】
基板12の表面12a上には、横方向に長尺となって帯状に形成された複数の走査線が互いに平行になって配列されている。これら走査線は、基板12の表面12a全面にわたって成膜されたゲート絶縁膜23によって被覆されている。このゲート絶縁膜23上には、縦方向に長尺となって帯状に形成された複数の信号線が互いに平行となって配列されている。
【0033】
基板12の表面12aには、一画素につき二つのnチャネル型トランジスタ21,21が形成されている。各トランジスタ21は、ゲート電極22、ゲート絶縁膜23、半導体膜24、不純物半導体膜25,26、ドレイン電極27、ソース電極28、保護絶縁膜29、半導体膜24の表面をエッチング液から保護するブロッキング絶縁膜30、から構成されており、これらが積層されてなるMOS型電界効果薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜23は、基板12の表面12a全面にわたって成膜されており、全てのトランジスタ21,21,…に共通した層となっている。一画素中の二つのトランジスタ21,21のうち一方のトランジスタ21のゲート電極22が走査線と接続されており、この一方のトランジスタ21のドレイン電極27が信号線と共通となっている。トランジスタ21,21は逆スタガ構造以外にもコプラナ型でもよく、また少なくともいずれかがpチャネル型トランジスタであってもよく、またアモルファスシリコンTFTでもポリシリコンTFTであってもよい。なお、各トランジスタ21の光劣化を防止するために基板12が遮光性であるのが望ましい。
【0034】
二つのトランジスタ21,21は、データドライバ・走査ドライバから信号線及び走査線を介して信号を入力し、入力した信号に従ってEL素子11の電流値を次の周期まで保持することでEL素子11の発光輝度を一定に保持する画素回路を構成している。
【0035】
全てのトランジスタ21,21,…は絶縁被覆膜18によって被覆されている。絶縁被覆膜18は基板12の全面に成膜された平坦化膜として機能しており、基板12の表面とトランジスタ21,21,…との間に生じた段差がこの絶縁被覆膜18によって解消され、絶縁被覆膜18の表面はほぼ平坦な面となっている。この絶縁被覆膜18は、樹脂(例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂)からなるものである。なお、トランジスタ21,21,…の光劣化を防止するために、例えばカーボンブラック等の顔料を混在させるようにして絶縁被覆膜18を遮光性にしてもよい。
【0036】
絶縁被覆膜18上には、画素ごとに独立した光学干渉多層膜19が形成されている。平面視して、このような光学干渉多層膜19が複数マトリクス状となって配列されている。光学干渉多層膜19は、絶縁被覆膜18から順に、上方からの光を鏡面反射する反射層19a、所定の厚さ及び所定の屈折率に設定された光透過性の透明層19b、ハーフミラーとして機能する半反射層19cを積層したものである。可視光波長領域の光に対しての反射率が反射層19a、半反射層19c、透明層19bの順に高くなるように、且つ、可視光波長領域の光に対しての透過率が透明層19b、半反射層19c、反射層19aの順に高くなるように光学干渉多層膜19が光学設計されている。反射層19aは、Ag、Pt、Cu、Sn等の金属又は合金からなる表面が平滑な金属光沢を有する膜であり、透明層19bは、酸化シリコンや酸化チタン等の誘電体であり、単層でもよいが多層の方が好ましい。
【0037】
また、透明層19bの光学的厚さ(厚さd×屈折率n)は、後述するEL素子11のEL層15で発する光の主波長(ピーク波長)の2分の1の整数倍である。これにより、光学干渉多層膜19は共振構造となる。つまり、EL層15で発した光、特に主波長近傍の波長域の光が光学干渉多層膜19内に進入すると、このうちの主波長の光が反射層19aと半反射層19cとの間で反射を繰り返して共振し、光学干渉多層膜19から外部に出射する光の強度が強まる。一方、光学干渉多層膜19内に進入する外光のうち共振される主波長以外の光が反射層19aと半反射層19cとの間で反射している間に干渉しても位相が透明層19bの光学的厚さによる光路長と一致せずやがて減衰されるのであまり光学干渉多層膜19の外に出射することはない。したがって、光学干渉多層膜19はEL層15で発する光を増幅して比較的広めの波長域の光をより狭い波長域として出射させるので各色の色純度を向上することができる。加えて外光の内部反射によるぎらつきを抑えることができるのでより暗い表示または黒表示が可能となりコントラスト比を向上することができる。なお、透明層19bの光学的厚さは、各画素の発光色の波長域に応じて異なることが望ましく、各画素の発光色が図1に示すようにそれぞれR(赤)、G(緑)B(青)であれば、画素Rの透明層19bの光学的厚さ>画素Gの透明層19bの光学的厚さ>画素Bの透明層19bの光学的厚さと設定される。
【0038】
光学干渉多層膜19上には、EL素子11が形成されている。EL素子11は、アノードとしての画素電極16、電界発光を行うためのEL層15、カソードとしての対向透明電極13の順に積層した積層構造となっている。このうち、画素電極16及びEL層15は画素ごとに電気的に分離するように互いに離間・独立して形成され、複数の画素電極16及び複数のEL層15が平面視してマトリクス状となって配列されているが、対向透明電極13は全ての画素に共通して形成され平面視して基板12の全面に形成されている。なお、対向透明電極13が複数に分割された電極であってもよく、また縦方向に隣接する画素に共通に接続されるストライプ形状の複数の電極であってもよく、横方向に隣接する画素に共通に接続されるストライプ形状の複数の電極であってもよい。
【0039】
画素電極16は、可視光に対して透過性を有するとともに導電性を有し、アノードとして機能する限り比較的仕事関数の高いものである。画素電極16は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物(CTO))で形成されている。なお、画素電極16をハーフミラーとすることによって半反射層19cを形成しなくても良いが、この場合には可視光波長領域の光に対しての反射率が反射層19a、画素電極16、透明層19bの順に高く、且つ、可視光波長領域の光に対しての透過率が透明層19b、画素電極16、反射層19aの順に高い。この場合でも透明層19bの光学的厚さは、EL素子11のEL層15で発する光の主波長(ピーク波長)の2分の1の整数倍である。また、光学干渉多層膜19を形成しない場合には、画素電極16が透明でなくても良く、可視光波長領域の光に対して反射性の方が好ましい。
【0040】
画素電極16は、絶縁被覆膜18に形成されたコンタクトホール18aを通じて一方のトランジスタ21のソース電極28に電気的に接続されている。なお、コンタクトホール18aには画素電極16の導電性材料が埋め込まれている。
【0041】
画素電極16上には、EL層15が形成されている。EL層15は、発光材料で形成された層であって、画素電極16から注入されたキャリア(ここでは正孔。)と対向透明電極13から注入されたキャリア(ここでは電子。)を再結合させることによって発光する層である。なお、図1においてEL素子11に付されたR(赤)、G(緑)、B(青)はEL層15で発する光の色を表しており、同じ列に配列された複数のEL素子11は同じ色に発光するようになっている。
【0042】
EL層15には、電子輸送性の物質が適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が適宜混合されていても良い。つまり、EL層15は、画素電極16から正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層した三層構造であっても良いし、正孔輸送層、発光層の順に積層した二層構造であっても良いし、発光層、電子輸送層の順に積層した二層構造であっても良いし、発光層からなる単層構造であっても良い、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した多層構造であっても良い。また、EL層15を構成した層全てが有機化合物からなるものであっても良いし、EL層15を構成した層全てが無機化合物からなるものであっても良いし、EL層15が無機化合物からなる層と有機化合物からなる層とを積層したものでも良い。なお、EL層15を構成した層全てが無機化合物からなる場合には、EL素子11が無機EL素子であり、EL層15を構成した層に有機化合物からなる層がある場合には、EL素子11が有機EL素子である。
【0043】
EL層15が低分子有機材料又は無機物からなる場合、蒸着法、スパッタリング法等の気相成長法によってEL層15を形成することができる。一方、EL層15が高分子有機材料又は低分子有機材料からなる場合、有機化合物含有液を塗布すること(つまり、湿式塗布法)によってEL層15を形成することができる。有機化合物含有液とは、EL層15を構成した有機化合物又はその前駆体を含有した液であり、EL層15を構成した有機化合物又はその前駆体が溶質として溶媒に溶けた溶液であっても良いし、EL層15を構成した有機化合物又はその前駆体が分散媒に分散した分散液であっても良い。
【0044】
ここでは、EL層15は、湿式塗布法により形成された層であって、導電性高分子であるPEDOT(ポリチオフェン)及びドーパントであるPSS(ポリスチレンスルホン酸)からなる正孔輸送層15a、ポリフルオレン系発光材料からなる発光層15bの順に積層した二層構造である。なお、EL層15が湿式塗布法により形成される場合、液体に対してなじんで液体が40°以下の接触角で濡れる性質(以下、「親液性」という。)を有した親液性膜を画素電極16上に形成した状態で有機化合物含有液をその親液性膜に塗布するのが望ましい。
【0045】
EL層15の周囲には、液体をはじいて液体が50°以上の接触角で濡れる性質(以下、「撥液性」という。)を有した撥液性膜14(例えば、フッ素樹脂膜、反応性シリコン膜)が形成されている。平面視して、撥液性膜14が網目状に形成されることで、撥液性膜14によって囲繞された複数の囲繞領域がマトリクス状に配列され、囲繞領域内にEL層15が形成されている。図2に示すように、撥液性膜14の一部は画素電極16の外縁の一部に重なっていてもよい。撥液性膜14は、EL層15を湿式塗布法により形成した場合に隣の画素電極16に塗布された有機化合物含有液と混じることを防止するためのものである。なお、EL層15を気相成長法により形成する場合には、撥液性膜14を設けなくても良い。
【0046】
EL層15上には、EL層15の発光波長域の少なくとも一部を透過する対向透明電極13が形成されている。つまり、EL表示パネル1は対向透明電極1側からEL層15の光を出射する、いわゆるトップエミッション構造である。対向透明電極13は基板12のほぼ全面に形成されている。対向透明電極13は、EL層15側から電子注入層13a、透明導電層13bの順に積層した積層構造である。電子注入層13aは、光を透過する程度に非常に薄く形成されており、比較的仕事関数の低い材料(例えば、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム若しくは希土類からなる単体金属又はこれらの単体を少なくとも一種を含む合金)からなるものであり、その厚さは可視光波長域よりも薄く、10〜200nmである。透明導電層13bは、可視光に対して透過性を有するとともに導電性を有し、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物(CTO))で形成されている。また、透明導電層13bの光の透過率を高めるために透明導電層13bを非常に薄く形成するのが望ましく、その膜厚は100〜1000Åである。
【0047】
対向透明電極13上には、画素ごとに独立したブロッキングレイヤ41が形成されている。平面視して、複数のブロッキングレイヤ41は、マトリクス状に配列されており、それぞれの画素電極16に重なっている。ブロッキングレイヤ41は光透過性を有し、例えば酸化シリコン(SiO2)及び窒化シリコン(SiN)等の無機珪素化物またはポリイミド等の有機樹脂で形成されている。
【0048】
ブロッキングレイヤ41の周囲には導電性の補助電極層42が形成されており、ブロッキングレイヤ41の間において補助電極層42が透明導電層13bに直接接している。平面視して補助電極層42が複数の画素電極16間の領域全体に重なるように網目状に形成されており、補助電極層42によって囲繞された領域内にブロッキングレイヤ41、EL層15、画素電極16及び光学干渉多層膜19が配置されている。補助電極層42の一部はブロッキングレイヤ41の外縁の一部に重なっている。また補助電極層42をトランジスタ21,21と平面視して重なるように位置してもよい。
【0049】
補助電極層42は、対向透明電極13と一体の電極としてシート抵抗を低くする機能を有する。このため、透明導電層13bより低い抵抗率で酸化されにくい材料が好ましく、この点では銅、金、銀、アルミニウム又はこれらのいずれかを含む合金が好ましい。また補助電極層42は、トランジスタ21に接続された走査線及び信号線の配設位置と平面視して重なるように位置しているので、補助電極層42は遮光性を有し更に低反射率(暗色)であり、画素間のブラックマスク(ブラックマトリックス)として機能してもよい。走査線又は信号線が光反射性の導電材料で形成されていて且つ光学干渉多層膜19が平面視して走査線又は信号線と重ならない場合、或いは走査線又は信号線が光反射性の導電材料で形成されていて且つEL表示パネル1に光学干渉多層膜19が設けられない場合は、補助電極層42が、外光による走査線又は信号線での反射を抑えることができ、視認性を向上することができる。この場合、具体的には、補助電極層42は、金属クロム、クロム酸化物、クロム酸化物−クロム合金、ニッケル−タンタル合金、ニッケル−銅合金(モネル(登録商標))、その他のクロム合金、その他のニッケル合金が好ましい。なお、透明導電層13bを形成せずに補助電極層42がブロッキングレイヤ41の間において電子注入層13aに直接接しても良い。
【0050】
補助電極層42は、透明導電層13bよりも抵抗率が低い材料を有しているので、EL層15の上側の電極のシート抵抗を下げる効果をもたらすのに加えて、透明導電層13bをほとんど遮らないので透明導電層13bを透過して外側に出射する光の出射率を高くすることができる。
【0051】
補助電極層42及びブロッキングレイヤ41は封止膜43によって被覆されている。封止膜43は基板12の全面に成膜されており、ブロッキングレイヤ41と補助電極層42との間に生じた段差が封止膜43によって解消され、封止膜43の表面はほぼ平坦な面となっている。この封止膜43は光を透過する性質を有し、透明な樹脂(例えば、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂)からなるものである。
【0052】
図4〜図11を用いてEL表示パネル1の製造方法について説明する。ここで、図4〜図11の各(a)図は三画素の製造過程の平面図であり、各(b)図は図3と同じ図示範囲の製造過程を示した図面である。
【0053】
(1)アレイ基板の製造工程
一画素につき二つのトランジスタ21,21を平板状の基板12の表面上にパターニングするとともに複数の走査線及び複数の信号線をパターニングした後、樹脂を基板12に塗布し又は蒸着させることによって絶縁被覆膜18をべた一面に成膜し、その後光学干渉多層膜19をマトリクス状に形成する(図4)。
【0054】
(2)コンタクトホールの形成工程
次に、一画素中の一方のトランジスタ21のドレイン電極27にまで通じるコンタクトホール18aを絶縁被覆膜18に形成する。そして、絶縁被覆膜18の高さが画素電極16の厚さより厚い場合は、コンタクトホール18a内にに導電性材料を埋め込んでもよい(図5)。
【0055】
(3)画素電極アレイの形成工程
次に、気相成長法によりべた一面に光透過性の導電性膜(例えば、ITO膜)を形成し、フォトレジスト法によりその導電性膜の上にレジストをマトリクス状に形成し、レジストでマスクをした状態で導電性膜をエッチング法等により形状加工する。その後、レジストを除去する。以上によって残留した導電性膜が、絶縁被覆膜18に形成されたコンタクトホール18aを通じて一方のトランジスタ21のソース電極28に電気的に接続されている画素電極16となり、複数の画素電極16をマトリクス状にパターニングすることができる(図6)。なお、平面視して光学干渉多層膜19に画素電極16を重ねるようにして、画素電極16を形成する。
【0056】
(4)EL層アレイの形成工程
次に、画素電極16を露出させるようにして撥液性膜14を網目状にパターニングし、その後複数のEL層15をマトリクス状にパターニングする(図7)。EL層15のパターニングは液滴吐出技術(インクジェット技術)を応用して行う。つまり、EL層15の構成材料を含有した有機化合物含有液を吐出することのできるノズルを基板12に対向させ、ノズルを基板12に対して平行に移動させつつノズルが囲繞領域上に位置した時にノズルから有機化合物含有液を吐出する。これにより平面視して画素電極16にEL層15を重ねるようにしてEL層15を形成することができる。ここではEL層15が正孔輸送層15aと発光層15bからなるので、まず正孔輸送層15aの有機化合物含有液を吐出することで正孔輸送層15aを成膜し、次いで狭義の発光層15bの有機化合物含有液を各囲繞領域内に吐出することで発光層15bを成膜する。なお、画素電極16が露出するように網目状のマスクを基板12に施し、その状態で気相成長法を行うことによってEL層15をマトリクス状にパターニングしても良い。正孔輸送層15a又は発光層15b含む液滴が多少撥液性膜14の縁に落ちても、液滴は撥液性膜14によりはじかれて撥液性膜14により周囲を囲まれた開口部(画素電極16)に収まる。なお、正孔輸送層15aの成膜前に撥液性膜14を全面に形成し、EL層15を成膜すべき撥液性膜14の領域にのみに、所定の波長域の光を受光すると撥液性膜14の撥液性を消失させる化学反応を促進する活性種が発生する光触媒を重ねて、その上から所定の波長域の光を入射することによりEL層15を成膜すべき撥液性膜14の領域を親液性としてその上から正孔輸送層15a又は発光層15b含む液滴を吐出して成膜してもよい。なお、撥液性膜14を形成しない場合、各画素の発光色にかかわらず正孔輸送層15aを各画素に跨って連続した層としてもよい。
【0057】
(5)対向透明電極の形成工程
次に、蒸着法により電子注入層13aをべた一面に成膜し、その後スパッタリング法又は蒸着法により透明導電層13bをべた一面に成膜する(図8)。電子注入層13aは可視光波長域よりも薄い厚さであることが好ましい。
【0058】
(6)ブロッキングレイヤアレイの形成工程
次に、気相成長法、フォトレジスト法、エッチング法、レジストの除去を順次行うことによって複数の透明なブロッキングレイヤ41をマトリクス状にパターニングする(図9)。ここで、平面視してEL層15にブロッキングレイヤ41を重ねるよにして、ブロッキングレイヤ41を形成する。なお、ブロッキングレイヤ41が有機樹脂からなる場合には、気相成長法、フォトレジスト法、エッチング法、レジストの除去を順次行わずに液滴吐出技術(インクジェット技術)を応用することによって、ブロッキングレイヤ41を直接マトリクス状にパターニングしても良い。
【0059】
(7)補助電極層の形成工程
次に、気相成長法(スパッタリングが望ましい)に遮光性の導電性膜(例えば、金属クロム膜)をべた一面に成膜し、その導電性膜の上に平面視してブロッキングレイヤ41を囲繞するように網目状のレジストをフォトレジスト法により形成し、レジストでマスクした状態で導電性膜を乾式又は湿式のエッチング法等により形状加工する。その後、レジストを除去する。以上によって残留した導電性膜が補助電極層42となり、平面視して網目状の補助電極層42を複数の画素電極16間に重ねるようにして対向透明電極13上に直接パターニングすることができる(図10)。ここで、透明導電層13b上にブロッキングレイヤ41が予め形成されているため、エッチャントによって透明導電層13bにダメージを与えることを防止することができ、また比較的酸化されやすい電子注入層13aも上方にブロッキングレイヤ41及び透明導電層13bが被膜していることでエッチャントにより酸化されることが防止できる。なお、導電性膜が金属クロム膜である場合には、硝酸第二セリウムアンモニアと過塩素酸の混合液をエッチング液として用いて湿式エッチング法を行う。
【0060】
(9)封止膜の形成工程
次に、樹脂を塗布し又は蒸着させることによって封止膜43をべた一面に成膜する(図11)。なお封止膜43の表面を平滑にしてEL層15の光を効率よく出射させるために封止膜43の表面に対して化学的研磨、機械的研磨又は機械化学的研磨を行っても良い。
【0061】
以上のように製造されたEL表示パネル1では、トランジスタ21,21が信号線及び走査線を介して入力した信号に従ってEL素子11に電流を流す。EL素子11では、画素電極16からEL層15へ正孔が注入され且つ対向透明電極13からEL層15へ電子が注入される。そして、EL層15において正孔及び電子が輸送されて、EL層15にて正孔及び電子が再結合することによってEL層15で発光する。対向透明電極13、ブロッキングレイヤ41及び封止膜43が透明であるため、EL層15で発した光は封止膜43から外部に出射する。そのため、封止膜43の表面が表示面となり、封止膜43に向き合ったユーザが表示内容を見ることができる。
【0062】
以上のように、本実施の形態では、網目状に形成された補助電極層42が複数の画素電極16間の領域全体に重なるようにして対向透明電極13上に直接形成されているため、対向透明電極13が比較的高抵抗率の金属酸化物材料等で構成されていても電極全体のシート抵抗を下げて電流を流しやすくさせ、また対向透明電極13の周囲を低抵抗の補助電極層42によって包囲しているので対向透明電極13の電圧を面内で一様にすることができるので、仮に全ての画素電極16に同じ電位を印加した場合でも、流れる電流の電流値が均一になりどのEL層15の発光強度もほぼ等しくなり、面内の発光強度を一様することができる。
また、より低抵抗な補助電極層42が十分に電極全体のシート抵抗を低くしているので、対向透明電極13をより薄くしてEL層15を発した光が対向透明電極13を透過する際に減衰する程度を抑えることができる。このように、低電圧駆動でも明るい表示画面を提供することができ、更には印加電圧によるEL層15の劣化を抑制しEL表示パネル1の長寿命化を図ることができる。
【0063】
遮光性の補助電極層42がブラックマスクとして機能することによって、コントラスト比及び色純度の低下の防止並びにEL層15間の漏れ光を防止することができる。EL層15から補助電極層42までの間に介在する層が対向透明電極13だけであるから、EL層15で光が放射状に発しても、補助電極層42によるコントラスト比低下、色純度低下及び漏れ光の防止効率がより良くなるとともに、光が対向透明電極13から外部に効率よく出射する。そのため、EL表示パネル1の表示画面はユーザにとって見やすい。
【0064】
光学干渉多層膜19で外光の干渉作用が生ずることによって、EL表示パネル1の表示面に入射した外光の反射効率を低減することができ、EL表示パネル1が明るい環境下にあっても表示面のコントラスト比の低下を抑えることができる。従って、EL表示パネル1の表示画面はユーザにとって見やすい。
【0065】
〔変形例〕
以下、変形例について説明する。なお、変形例のEL表示パネルは以下で説明することを除いて上記実施形態のEL表示パネル1と同様の構成となっている。
【0066】
(変形例1)
上記実施形態では画素電極16がアノードであるとともに対向透明電極13がカソードであったが、図12に示すように画素電極16がカソードであるとともに対向透明電極13がアノードであっても良い。この場合、画素電極16は、光学干渉多層膜19から透明導電層16b、電子注入層16aの順に積層した積層構造である。透明導電層16b及び電子注入層16aは、画素ごとに独立して形成され、マトリクス状となって配列されている。透明導電層16bの特性・成分は上記実施形態における透明導電層13bと同じであり、電子注入層16aの特性・成分は上記実施形態における電子注入層13aと同じである。透明導電層13bはコンタクトホール18aを通じてトランジスタ21のドレイン電極27に接続されている。
【0067】
この場合更に対向透明電極13は一層構造であり、その一層がべた一面に成膜されている。対向透明電極13の特性・成分は上記実施形態における画素電極16と同じである。
【0068】
また、EL層15は上記実施形態におけるEL層15と積層順が逆になる。つまり、この変形例1では、EL層15が、画素電極16から発光層15b、正孔輸送層15aの順に積層した構造となっている。なお、EL層15は、画素電極16から電子輸送層、発光層、正孔輸送層の順に積層した三層構造であっても良いし、電子輸送層、発光層の順に積層した二層構造であっても良いし、発光層のみの単層構造であっても良い。
【0069】
この変形例1のEL表示パネルでも、網目状に形成された補助電極層42によって対向透明電極13の電圧を面内で一様にすることができる。
【0070】
(変形例2)
図13に示すように、ブラックマスク44を補助電極層42上に形成しても良い。ブラックマスク44は補助電極層42と同様に平面視してマトリクス状に形成したものであり、補助電極層42に合致して重なっている。ブラックマスク44自体は導電性を有していなくても良いが、遮光性を有するとともに低反射率である。従って、ブラックマスク44が樹脂製であっても良い。ここで、ブラックマスク44は、樹脂等の母材(バインダー)にカーボンブラック等の遮光性・低反射率の黒色顔料を分散させたものでも良いし、遮光性・低反射率の樹脂自体で形成したものでも良い。この場合において、補助電極層42自体が遮光性・低反射率でなくても良いし、補助電極層42自体が遮光性・低反射率であっても良い。この変形例2のEL表示パネルでも、網目状に形成された補助電極層42によって対向透明電極13の電圧を面内で一様にすることができる。
【0071】
(変形例3)
上記実施形態では補助電極層42を画素電極16間の領域全体に重なるように網目状に形成しているが、図14に示すように補助電極層42をストライプ状に形成しても良い。つまり、縦方向に長尺となって帯状に形成された補助電極層42が、補助電極層42と横方向に隣り合う画素電極16間(EL素子11間)それぞれと重なるように、対向透明電極13に直接接続される。この変形例3のEL表示パネルでも、ストライプ状に形成された補助電極層42によって対向透明電極13の電圧を面内で一様にすることができる。なお、図示は省略するが、横方向に長尺となって帯状に形成された遮光性・低反射率の補助電極層が、補助電極層と縦方向に隣り合う画素電極16間それぞれと重なるように対向透明電極13に接続されても良い。
【0072】
(変形例4)
上記実施形態では高抵抗の透明導電層13bに補助電極層42を設けてシート抵抗を下げたが、画素電極16を例えば透明電極とするために金属酸化物を適用し比較的高抵抗となった場合、図15に示すように、上記実施形態又は各変形例の補助電極層42よりも基板12側であって平面視して補助電極層42に対応する位置に画素電極用補助電極層45を形成しても良い。画素電極用補助電極層45は画素ごとに独立して形成されており、或る画素の画素電極用補助電極層45は隣りの画素の画素電極用補助電極層45から離れている。画素電極用補助電極層45は、対応する画素電極16を囲繞するように額縁状に形成されており、対応する画素電極16に直接接している。補助電極層42の下方で互いに隣り合う画素電極用補助電極層45同士は、その上を撥液性膜14で覆われている。そして撥液性膜14によって周囲を囲繞されているEL層15が画素電極16上面に形成され、EL層15の上面には対向透明電極13が複数の画素にまたがって形成されている。ここで、撥液性膜14が画素電極16と対向透明電極13との間で十分な絶縁性を示すことができない場合は、図15に示すように、窒化シリコンやポリイミド等の網目状の絶縁膜46を撥液性膜14上に設けることが望ましい。なお、画素電極用補助電極層45は全体の厚さを薄くするために画素電極16よりも抵抗率が低い材料からなることが望ましく、また画素電極用補助電極層45の寸法は、補助電極層42の上方から見たときに、画素電極用補助電極層45が見えないように補助電極層42より幅狭に設計してもよく、補助電極層42と完全に重なるように同一寸法に設計してもよい。また、補助電極層42を設けることなしに画素電極用補助電極層45のみ設けてもよい。
【0073】
本発明は上記実施形態、上記変形例に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
上述の説明では複数の画素電極16の二次元配列の一例としてマトリクス状に配列したものとしたが、複数の画素電極16を、隣接するRGB画素をそれぞれ頂点とした三角形が描けるデルタ配列としてもよく、また画素形状を六角形としてハニカム状に配列しても良い。画素電極16をハニカム状に配列した場合でも、デルタ配列した場合でも、補助電極層42を複数の画素電極16間に重なるようにして対向透明電極13上に形成するのは勿論である。
また、上述の説明では、平面視して補助電極層42によって囲繞された一つの囲繞領域内につき一つのEL素子11(つまり、一つの画素電極16と一つのEL層15)を配置しているが、一つの囲繞領域内につき複数のEL素子11を配置しても良い。
また、上記実施形態、上記各変形例では、補助電極層42は透明導電層13b上に形成されているが、画素電極16間に重なる位置で且つ透明導電層13bと電気的に接続されていれば、透明導電層13bの下に配置されていてもよい。
【0074】
【発明の効果】
本発明によれば、補助電極及び対向電極全体でシート抵抗を下げることが可能となり、対向電極の電圧を面内で一様にすることができる。従って、一つの画素電極に対向する部分の対向電極を流れる電流の電流値がほぼ一定となり、同一画素内での発光が均一化されるので、EL層の一部のみに強い電界がかからないため、EL層の電圧負担が軽減されて長寿命化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したEL表示パネルを示した平面図である。
【図2】図1のII−II線における断面図である。
【図3】図2のIII領域を拡大して示した図面である。
【図4】上記EL表示パネルを製造するための一工程を示した図面である。
【図5】図4の続きの工程を示した図面である。
【図6】図5の続きの工程を示した図面である。
【図7】図6の続きの工程を示した図面である。
【図8】図7の続きの工程を示した図面である。
【図9】図8の続きの工程を示した図面である。
【図10】図9の続きの工程を示した図面である。
【図11】図10の続きの工程を示した図面である。
【図12】図1に示されたEL表示パネルとは別のEL表示パネルを示した断面図である。
【図13】図1、図12に示されたEL表示パネルとは別のEL表示パネルを示した断面図である。
【図14】図1、図12、図13に示されたEL表示パネルとは別のEL表示パネルを示した平面図である。
【図15】図1、図12、図13、図14に示されたEL表示パネルとは別のEL表示パネルを示した平面図である。
【符号の説明】
1 … EL表示パネル
11 … EL素子
13 … 対向透明電極
13a … 電子注入層
13b … 透明導電層
15 … EL層
15a … 正孔輸送層
15b … 発光層
16 … 画素電極
19 … 光学干渉多層膜
19a … 反射層
19b … 透明層
19c … 半反射層
41 … ブロッキングレイヤ
42 … 補助電極層
43 … ブラックマスク
Claims (13)
- 基板上に配列された複数の画素電極と、
それぞれの前記画素電極上に形成されたEL層と、
前記EL層上に形成された対向電極と、
前記複数の画素電極間に重なるようにして前記対向電極と接続された補助電極と、を備えることを特徴とするEL表示パネル。 - 前記補助電極は、前記対向電極より抵抗率が低いことを特徴とする請求項1又は2に記載のEL表示パネル。
- 前記対向電極が光透過性を有し、前記補助電極が遮光性を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のEL表示パネル。
- 前記対向電極は、前記EL層の発光する波長域の少なくとも一部を透過する性質を有することを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記EL層の発光を出射する側が前記対向電極側であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記補助電極に重なるようにして前記補助電極上に形成された遮光性マスクを更に具備することを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記補助電極が前記複数の画素電極間の領域全体に重なるように網目状に形成されていることを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記補助電極が横方向に隣り合う画素電極間又は縦方向に隣り合う画素電極間に重なるようにストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記EL層の発光の少なくとも一部の光を共振する共振器をさらに備えることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 前記共振器は、前記画素電極の下に配置された半反射層と、前記半反射層と接するように前記半反射層の下に形成された透明層と、前記透明層と接するように前記透明層の下に形成された反射層と、を備え、光透過率が前記透明層、前記半反射層、前記反射層の順に高く、光反射率が前記反射層、前記半反射層、前記透明層の順に高く、前記画素電極が透明であることを特徴とする請求項9に記載のEL表示パネル。
- 前記画素電極と接するように前記画素電極の下に形成された透明層と、前記透明層と接するように前記透明層の下に形成された反射層と、を更に備え、光透過率が前記透明層、前記画素電極、前記反射層の順に高く、光反射率が前記反射層、前記画素電極、前記透明層の順に高いことを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載のEL表示パネル。
- 基板上に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極に接続するように当該画素電極の周囲に設けられ且つ該画素電極に隣接する画素電極と離間した補助電極と、
それぞれの前記画素電極上に形成されたEL層と、
前記EL層上に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするEL表示パネル。 - 複数の画素電極を基板上に形成し、
それぞれの前記画素電極上にEL層を形成し、
対向電極を前記複数の画素電極と重ねるように前記EL層上に形成し、
前記対向電極と接続するように且つ前記複数の画素電極間と重ねるように補助電極を形成することを特徴とするEL表示パネルの製造方法。
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---|---|
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116507A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
JP2006261058A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Sony Corp | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 |
JP2006269329A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP2006269326A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2007059116A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2007134268A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007147814A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法並びに電子機器 |
JP2007156388A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007156387A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
WO2008001756A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Élément à électroluminescence organique |
JP2008034362A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008108530A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2009164068A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Seiko Epson Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
US7666707B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-02-23 | Sony Corporation | Display device and method for manufacturing display device |
JP2010164983A (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2011040380A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置および有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
CN101728488B (zh) * | 2008-10-30 | 2011-05-04 | 北京大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
JP2012142315A (ja) * | 2007-02-08 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
US10319935B2 (en) | 2017-04-05 | 2019-06-11 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4020060B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-12-12 | 株式会社豊田自動織機 | 有機電界発光素子 |
JP4167651B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2008-10-15 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
WO2006115283A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Showa Denko K. K. | Method of producing a display device |
KR20070039433A (ko) * | 2005-10-08 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
JP5250960B2 (ja) | 2006-01-24 | 2013-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
US8477102B2 (en) * | 2006-03-22 | 2013-07-02 | Eastman Kodak Company | Increasing conductive polymer life by reversing voltage |
JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US8053971B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
US7728512B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-06-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having an external microcavity |
JP2008310974A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2009032553A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2009092908A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Canon Inc | 表示装置及びその製造方法 |
JP2009122652A (ja) | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
KR101432236B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2014-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20100030865A (ko) * | 2008-09-11 | 2010-03-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100963074B1 (ko) * | 2008-10-17 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR100963075B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
WO2011027676A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI413441B (zh) * | 2009-12-29 | 2013-10-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構及電致發光裝置 |
US8154183B2 (en) * | 2010-03-04 | 2012-04-10 | General Electric Company | Mitigating shorting risks in encapsulated organic light emitting devices (OLEDs) |
JP4941572B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2012-05-30 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置及び発光装置並びに電子機器 |
KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
US8912550B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-12-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dislocations in SiC semiconductor substrate |
CN104094669B (zh) * | 2012-02-01 | 2016-06-22 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
JP5998626B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR101407590B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN103022049B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
EP2995595B1 (en) * | 2013-05-09 | 2020-11-25 | AGC Inc. | Translucent substrate, organic led element and method of manufacturing translucent substrate |
JPWO2015005346A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2017-03-02 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及び冷蔵庫 |
JP6426402B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN103456764B (zh) * | 2013-09-09 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN109273516A (zh) * | 2013-12-31 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Amoled阵列基板及显示装置 |
JP6577344B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2019-09-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
WO2017127563A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Groturbel Research Llc | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
US9847351B2 (en) * | 2016-01-26 | 2017-12-19 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP2017174553A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102608418B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN108666343B (zh) * | 2017-03-31 | 2019-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示面板 |
CN107977632B (zh) * | 2017-12-05 | 2021-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其纹路识别方法 |
US10627673B2 (en) * | 2018-04-06 | 2020-04-21 | Glo Ab | Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same |
TWI673544B (zh) * | 2018-05-09 | 2019-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板與含其的電子裝置 |
US11886084B2 (en) * | 2020-10-30 | 2024-01-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel and display device |
TWI826076B (zh) * | 2022-10-27 | 2023-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3300065B2 (ja) | 1992-11-13 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5796509A (en) * | 1996-08-21 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Thin film frontlighting and backlighting for spatial light modulators |
JPH1092579A (ja) | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ |
US5998805A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
JPH11224783A (ja) | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3203227B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP3875401B2 (ja) | 1998-05-12 | 2007-01-31 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置及び有機el素子 |
JP2000003793A (ja) | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子 |
TW482927B (en) | 1998-07-24 | 2002-04-11 | Seiko Epson Corp | Display apparatus |
JP2001035653A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機elパネルとそのフィルタ |
GB2353400B (en) | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
JP4595143B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機elデバイスとその製造方法 |
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US6882102B2 (en) * | 2000-02-29 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2002033185A (ja) | 2000-05-06 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP4713010B2 (ja) | 2000-05-08 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002108250A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法 |
US6680570B2 (en) | 2001-03-21 | 2004-01-20 | Agilent Technologies, Inc. | Polymer organic light emitting device with improved color control |
JP2002318553A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2003045674A (ja) | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Seiko Instruments Inc | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP4058930B2 (ja) | 2001-10-09 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP3693051B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2005-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の輝度設計方法と電気光学装置の輝度設計プログラム、及び電子機器 |
JP4071652B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-04-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el発光表示装置 |
US7045861B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US6911772B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
KR100504472B1 (ko) | 2002-09-05 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조 방법 |
US6812637B2 (en) | 2003-03-13 | 2004-11-02 | Eastman Kodak Company | OLED display with auxiliary electrode |
-
2003
- 2003-06-26 JP JP2003182489A patent/JP2005019211A/ja active Pending
-
2004
- 2004-06-14 US US10/867,630 patent/US7580014B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-22 KR KR1020040046353A patent/KR100698349B1/ko active IP Right Grant
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- 2004-06-28 CN CN200410062038A patent/CN100585909C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7492096B2 (en) | 2003-10-09 | 2009-02-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same |
JP2005116507A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
US7686666B2 (en) | 2003-10-09 | 2010-03-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same |
JP2006261058A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Sony Corp | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 |
JP2006269329A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP2006269326A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4742639B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
US7980911B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-07-19 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a light emitting apparatus provided with an insulating film between reflective layers and patterned anodes formed of different thicknesses |
US8120021B2 (en) | 2005-08-17 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Display device and method for manufacturing display device |
US7666707B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-02-23 | Sony Corporation | Display device and method for manufacturing display device |
JP2007059116A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2007156387A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007156388A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
US8487313B2 (en) | 2005-11-14 | 2013-07-16 | Seiko Epson Corporation | Emissive device and electronic apparatus |
JP2007134268A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP4702483B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
US7719011B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-05-18 | Seiko Epson Corporation | Emissive device and electronic apparatus |
JP4513777B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2010164983A (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007147814A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法並びに電子機器 |
JP2008034362A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2008001756A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Élément à électroluminescence organique |
JP2008108530A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7982392B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-07-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device |
JP2012142315A (ja) * | 2007-02-08 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
TWI484863B (zh) * | 2007-02-08 | 2015-05-11 | Seiko Epson Corp | 發光裝置及電子機器 |
JP2009164068A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Seiko Epson Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
CN101728488B (zh) * | 2008-10-30 | 2011-05-04 | 北京大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
JP2011040380A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置および有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
US8362469B2 (en) | 2009-08-10 | 2013-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
US10319935B2 (en) | 2017-04-05 | 2019-06-11 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel |
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