JPWO2015005346A1 - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及び冷蔵庫 - Google Patents

Abstract

本発明は、基板と、有機ＥＬ素子と、光触媒層と、を含み、有機ＥＬ素子が、基板上に設けられた第１導電層と、第１導電層上に設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２導電層と、を含み、光触媒層が、有機ＥＬ素子の発光領域の一部又は全部を覆っており、且つ、光触媒と助触媒とを含み、波長５８９ｎｍにおける光触媒の屈折率（Ｒ１）と助触媒の屈折率（Ｒ２）の差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、０〜０．３５である有機ＥＬデバイスに関する。

Description

本発明は、光触媒層を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスなどに関する。

一般的に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子が積層された構造を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも第１導電層と、有機エレクトロルミネッセンス層と、第２導電層とを有する。近年、このような有機エレクトロルミネッセンスデバイスを照明装置などに応用することが検討されている。以下、「有機エレクトロルミネッセンス」を単に「有機ＥＬ」と表す。

他方、空気中や水中に存在する有機性の環境汚染物質（有機性汚染物質）を光触媒によって分解できることが知られている。光触媒とは、特定の波長域にある光が照射されることにより触媒作用を示す物質である。具体的には、光触媒は、特定の波長域にある光（光触媒の価電子帯と導電帯の間のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光）を照射されることにより、価電子帯中の電子の励起（光励起）が生じ、導電電子と正孔を生成する。光励起によって導電帯に生成された電子の還元力と価電子帯に生成された正孔の酸化力によって、光触媒は種々の化学反応を促進し、触媒として機能することができる。
励起光の照射によって光触媒を活性化し、触媒機能を発揮し得る状態にすることで、光触媒に接触した空気や水中に含まれる有機性汚染物質を光触媒の強い酸化力によって分解することができる。

そして、近年、有機ＥＬ素子と光触媒を組み合わせ、空気中にある有機性汚染物質を分解することで脱臭や殺菌を行う試みがなされている。つまり、有機ＥＬ素子に光触媒を含んだ光触媒層を積層することにより、有機ＥＬ素子の発光で生じた励起光によって光触媒層を活性化させ、有機性汚染物質を酸化還元反応により分解することが知られている（例えば、特許文献１）。
ところが、一般的に、光触媒層は、透光性が低い。そのため、有機ＥＬ素子に光触媒を含む光触媒層を積層すると、有機ＥＬ素子から発せられた光が透過し難く、光触媒層付有機ＥＬデバイスを照明用途に用い難いという問題があった。
この点、光触媒層の透光性を上げるため、光触媒層の膜厚を薄くすることが考えられる。しかし、光触媒層を薄くすると、光触媒層の酸化還元力が低下し、空気中の有機性汚染物質を十分に分解できないという問題が生じる。

さらに、光触媒として、紫外光応答性光触媒がよく知られている。紫外光応答性光触媒は、バンドギャップが大きいため、エネルギーの大きな短波長（波長３８０ｎｍ未満）の紫外光を照射しなければ殆ど活性を示さない。そのため、光触媒層の光触媒として紫外光応答性光触媒を用いる場合、有機ＥＬ素子は、主として紫外光を発する必要がある。しかし、紫外光は、可視光線ではない上に人体や食物に有害である。そのため、光触媒層付有機ＥＬデバイスは、室内照明や冷蔵庫内の照明に用い難い。
この点、エネルギーの小さな可視光（波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で活性化し得る光触媒（可視光応答性光触媒）を用いて光触媒層を形成することが考えられる。しかし、一般的に、可視光応答性光触媒は、光触媒活性が低い（即ち、酸化還元力が弱い）。そのため、従来の可視光応答性光触媒を光触媒層に用いたとしても、十分に有機性汚染物質を分解できないという問題があった。

日本国特開２００６−２６９８１９号公報

本発明の第１の目的は、照明用途として用いるに十分な透光性を有する光触媒層を備えた有機ＥＬデバイスを提供することである。本発明の第２の目的は、照明用途として用いるに十分な透光性を有し、且つ、可視光において高い光触媒活性を示す光触媒層を備えた有機ＥＬデバイスを提供することである。

本発明者らは、可視光応答性光触媒を含む光触媒層の透光性が悪い理由について鋭意研究を行い、光触媒層に含まれる可視光応答性光触媒と助触媒の屈折率差が大きいことがその一因であることを見出した。
つまり、可視光応答性光触媒は、一般的に、それ単体では光触媒活性が低い。そのため、光触媒層には、可視光応答性光触媒だけでなく、通常、可視光応答性光触媒の光触媒活性を促進する助触媒が添加される。しかし、可視光応答性光触媒と助触媒の屈折率差が大きければ大きいほど、有機ＥＬ素子から発せられた光は、光触媒層内で屈折し易く、長時間光触媒層内に留まり易くなる。その結果、光が光触媒層から出射され難くなり、有機ＥＬデバイスの輝度が低下する。
本発明者らは、上記知見に基づき、可視光応答性光触媒と助触媒の屈折率差を小さくすることで、透光性の高い光触媒層を形成でき、その結果、輝度の高い有機ＥＬデバイスが得られることを見出した。

本発明の有機ＥＬデバイスは、基板と、有機ＥＬ素子と、光触媒層と、を含み、前記有機ＥＬ素子が、前記基板上に設けられた第１導電層と、前記第１導電層上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた第２導電層と、を含み、前記光触媒層が、前記有機ＥＬ素子の発光領域の一部又は全部を覆っており、且つ、光触媒と助触媒とを含み、波長５８９ｎｍにおける前記光触媒の屈折率（Ｒ１）と前記助触媒の屈折率（Ｒ２）の差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、０〜０．３５である。

本発明の好ましい一態様に係る有機ＥＬデバイスは、前記光触媒層が、可視光において光触媒活性を示す。

本発明の好ましい一態様に係る有機ＥＬデバイスは、前記光触媒が、酸化タングステンを含み、前記助触媒が、酸化セリウムを含む。また、より好ましくは、前記酸化タングステンが、酸化タングステン（ＶＩ）であり、前記酸化セリウムが酸化セリウム（ＩＶ）である。また、さらに好ましくは、前記酸化セリウムが、ドーピング型助触媒であり、その分子内にスズ（Ｓｎ）がドーピングされている。

本発明の好ましい一態様に係る有機ＥＬデバイスは、前記光触媒が酸化チタン（ＩＶ）を含み、かつ、前記助触媒が酸化銅（Ｉ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）を含んでおり、前記助触媒は前記光触媒に担持されている。

本発明の好ましい一態様に係る有機ＥＬデバイスは、前記光触媒層が、前記有機ＥＬ素子上に設けられており、前記有機ＥＬ素子が、トップエミッション型である。

本発明の好ましい一態様に係る有機ＥＬデバイスは、前記有機ＥＬ素子が、前記第２導電層上に透光性を有する絶縁層をさらに含み、前記光触媒層が、前記絶縁層の上に設けられている。

また、本発明は、別の局面において、上記何れかの有機ＥＬデバイスを含む冷蔵庫を提供する。

本発明の有機ＥＬデバイスは、光触媒層に含まれる可視光応答性光触媒と助触媒の屈折率差が十分に小さい（即ち、光触媒層は十分な透光性を有する）。そのため、光触媒機能を有し、且つ、輝度の高い有機ＥＬデバイスを提供できる。

図１は本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬデバイスを示す平面図。 図２は図１の有機ＥＬデバイスをＩＩ−ＩＩ線で切断した拡大断面図、及びその部分拡大参考図。 図３は本発明の第１変形例に係る有機ＥＬデバイスを示す拡大断面図。 図４は本発明の第２変形例に係る有機ＥＬデバイスを示す拡大断面図。 図５は実施例１０〜１２及び比較例７〜９の光触媒層付ガラス基板の経時的なアセトアルデヒド残存率を示すグラフ図。 図６は実施例１３〜１９及び比較例１０及び１１の光触媒層付ガラス基板のアセトアルデヒド分解率を示すグラフ図。 図７は実施例２０〜２３及び比較例１２の光触媒層付ガラス基板の経時的なアセトアルデヒド残存率を示すグラフ図。 図８は実施例２４〜３０及び比較例１３〜１７の光触媒層付ガラス基板のアセトアルデヒド分解率を示すグラフ図。 図９は実施例３１〜３３の光触媒層付ガラス基板の経時的なアセトアルデヒド残存率を示すグラフ図。

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。また、本明細書において、用語の接頭語として、第１、第２などを付す場合があるが、この接頭語は、用語を区別するためだけに付されたものであり、順序や優劣などの特別な意味を持たない。
さらに、本明細書において、方向を意味する「上」は、便宜上、図２に示すような水平面に置いた有機ＥＬデバイスを基準に、図面の上側を指し、「下」は図面の下側を指す。また、ある部材又は部分の面のうち、上側にある面を「表面」といい、下側にある面を「裏面」という。

図１は、本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬデバイス１を示す平面図であり、図２は、同拡大断面図である。
本実施形態において、有機ＥＬデバイス１は、平面視略帯状に形成されている。しかし、本発明において有機ＥＬデバイス１の平面視形状は特に限定されない。
平面視略帯状の有機ＥＬデバイス１の寸法は特に限定されないが、一般的には、有機ＥＬデバイス１の幅：長さは、１：３〜１：２０であり、好ましくは、１：３〜１：１０である。

図１及び図２に示すように、本発明の有機ＥＬデバイス１は、基板２と、基板２上に設けられた有機ＥＬ素子３と、光触媒層４と、を含む。
有機ＥＬ素子３は、基板２上に設けられた第１導電層３１と、第１導電層３１上に設けられた有機ＥＬ層３２と、有機ＥＬ層３２上に設けられた第２導電層３３と、を含む。
図１では、第１導電層３１は基板２の表面に積層されており、有機ＥＬ層３２は、第１導電層３１の表面に積層されており、第２導電層３３は、有機ＥＬ層３２の表面に積層されている。
第１導電層３１は、有機ＥＬ層３２の外側に配置された第１端子部３１１と、有機ＥＬ層３２の下に配置された第１電極部３１２からなる。また、第２導電層３３は、有機ＥＬ層３２の外側に配置された第２端子部３３１と、有機ＥＬ層３２の上に配置された第２電極部３３２からなる。

両端子部３１１，３３１は、第１及び第２導電層３１，３３の一部であって、外部電源（図示せず）から供給される電気を接受する部分である。具体的には、両端子部３１１，３３１は、両導電層３１，３３の一部であって、外気に露出した部分である。図２では、両端子部３１１，３３１は、基板２の表面に設けられている。もっとも、後述するように、有機ＥＬ素子３と基板２との間に絶縁層が設けられている場合、両端子部３１１，３３１は、この絶縁層の表面に設けられる。
図１及び図２に示すように、第１端子部３１１は、有機ＥＬデバイス１の幅方向一端部（図１の左側）に設けられており、第２端子部３３１は、有機ＥＬデバイス１の幅方向他端部（図１の右側）に設けられている。また、両端子部３１１，３３１は、有機ＥＬデバイス１の長さ方向一端部（図１の上側）から長さ方向他端部（図１の下側）にかけて帯状に設けられている。
第１端子部３１１及び第２端子部３３１には、リード線等の接続手段が接続される（図示せず）。接続手段は、さらに外部電源に繋がっており、外部電源から供給される電気が接続手段を介して第１端子部３１１及び第２端子部３３１に供給される。

第１電極部３１２は、第１端子部３１１と連続的に繋がった部分であり、第２電極部３３２は、第２端子部３３１と連続的に繋がった部分である。第１電極部３１２と第１端子部３１１は、一体的に形成されており、第２電極部３３２と第２端子部３３１は、一体的に形成されている。第１電極部３１２は、有機ＥＬ層３２の裏面に接するように配置されており、第２電極部３３２は、有機ＥＬ層３２の表面に接するように配置されている。従って、両端子部３１１，３３１が接受した電気は、両電極部３１２，３３２によって有機ＥＬ層３２に供給され、その結果、有機ＥＬ層３２が発光する。

なお、本明細書では、有機ＥＬデバイス１の第１導電層３１が陽極層であり、且つ、第２導電層３３が陰極層であることを前提としている。しかし、本発明の有機ＥＬデバイス１は、第１導電層３１が陰極層であり、且つ、第２導電層３３が陽極層であってもよい。

有機ＥＬ素子３は、発光領域３４を有する。発光領域３４は、有機ＥＬ素子３の最も外側にある部材又は部分の面であって、有機ＥＬ層３２に対応する部分である。有機ＥＬ層３２から発せられた光の大部分は、この発光領域３４から有機ＥＬ素子３の外部に出射される。
有機ＥＬ素子３が、主としてその上側に光を発するトップエミッション型である場合、発光領域３４は、有機ＥＬ素子３の最も上側にある部材又は部分の表面である。また、有機ＥＬ素子３が、主としてその下側に光を発するボトムエミッション型である場合、発光領域３４は、有機ＥＬ素子３の最も下側にある部材又は部分の裏面である。即ち、有機ＥＬ素子３がトップエミッション型である場合、発光領域３４の下側に有機ＥＬ層３２が存在し、有機ＥＬ素子３がボトムエミッション型である場合、発光領域３４の上側に有機ＥＬ層３２が存在する。
本発明の１つの実施形態では、図１及び図２に示すように、有機ＥＬ素子の最も上側にある第２導電層３３（第２電極部３３２）の表面が発光領域３４である。即ち、本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３が用いられている。なお、図１では、便宜上、発光領域３４に対応する部分に格子状模様を付して表している。

本発明の有機ＥＬデバイス１は、発光領域３４の一部又は全部が、光触媒層４によって覆われている。従って、有機ＥＬ層３２から発せられた光は、光触媒層４を介して有機ＥＬデバイス１の外部に出射される。そして、有機ＥＬ層３２から発せられた励起光によって光触媒層４が活性化し、空気中の有機性汚染物質を分解することができる。なお、図１及び図２に示すように、光触媒層４は、発光領域３４の全部を覆っていることが好ましい。光触媒層４が発光領域３４の一部を覆っている場合、光触媒層４が発光領域３４の全表面積の５０％以上を覆っていることが好ましく、より好ましは６０％以上を覆っていることが好ましく、さらに好ましくは７０％以上を覆っていることが好ましい。
以下、有機ＥＬデバイス１の各部材及び各部分の構成について説明する。

［基板］
基板は、有機ＥＬ素子が積層される板状の部材である。
基板の形成材料は、特に限定されない。基板の形成材料としては、例えば、ガラス、セラミック、金属、合成樹脂などが挙げられる。基板は、透明及び不透明の何れでよいが、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な基板が用いられる。
また、基板は、駆動時に有機ＥＬデバイスの温度上昇を防止するため、放熱性に優れていることが好ましく、有機ＥＬ層に水分が接触することを防止するため、防湿性を有することが好ましい。
放熱性や防湿性を考慮すると、基板の形成材料としては、金属を用いることが好ましい。なお、基板の形成材料として金属を用いる場合には、基板と第１導電層（陽極層）及び第２導電層（陰極層）との短絡を防止するため、基板の表面に絶縁層が設けられることが好ましい。

基板の形成材料として合成樹脂を用いる場合、この合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；酢酸ビニル系樹脂；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられ、好ましくは、ポリイミド系樹脂が用いられる。
基板の形成材料として金属を用いる場合、この金属としては、例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅、及びこれらの合金等が挙げられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
また、基板は、可撓性を有することが好ましい、このような可撓性を有する基板の形成材料としては、銅やアルミニウムが挙げられる。
なお、本明細書において、「可撓性を有する」とは、基板に力を加えた際に、基板の面内の全放射方向には殆ど変形しないが、基板の厚み方向に大きく変化する（撓む）性質を有することをいい、具体的には、基板の厚さをｘ（μｍ）とした場合、ｘ^１／２×１０（ｃｍ）の直径を有する丸棒に基板を巻き付けても、基板に破断及びクラックの発生が生じないことをいう（他の部材についても同様）。

基板の厚みは特に限定されず、通常、１０μｍ〜１００μｍであり、好ましくは、２０μｍ〜５０μｍである。また、基板の平面視形状は特に限定されず、積層される有機ＥＬ素子の配置によって適宜変更することができる。図１に示すように、本発明では、平面視略長方形状（帯状）の基板が用いられている。

［有機ＥＬ素子］
有機ＥＬ素子３は、第１導電層３１（陽極層）と、有機ＥＬ層３２と、第２導電層３３（陰極層）と、を含み、この順に基板２上に積層されている。
有機ＥＬ層は、少なくとも２つの機能層からなる積層体である。有機ＥＬ層の構造としては、例えば、（Ａ）正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の、３つの層からなる構造、（Ｂ）正孔輸送層及び発光層の、２つの層からなる構造、（Ｃ）発光層及び電子輸送層、の２つの層からなる構造、などが挙げられる。前記（Ｂ）の有機ＥＬ層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記（Ｃ）の有機ＥＬ層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明の有機ＥＬデバイスの有機ＥＬ層は、上記（Ａ）〜（Ｃ）の何れの構造であってもよい。なお、図１〜図４の有機ＥＬデバイスは、全て（Ａ）の構造を有する。即ち、図１〜図４の有機ＥＬデバイスは、下から順に正孔輸送層３２１、発光層３２２、及び電子輸送層３２３が積層された３層構造の有機ＥＬ層３２を有する。

有機ＥＬ層３２に含まれる正孔輸送層３２１は、発光層３２２に正孔を注入する機能を有し、電子輸送層３２３は、発光層３２２に電子を注入する機能を有する。
第１及び第２端子部３１１，３３１に電気が流れると、第１及び第２電極部３１２，３３２から発光層３２２に注入された正孔及び電子が再結合することにより、励起子（エキシトン）を生じる。この励起子が基底状態に戻るときに発光層３２２が発光する。
以下、有機ＥＬ素子３が有する第１導電層３１（陽極層）、正孔輸送層３２１、発光層３２２、電子輸送層３２３、及び第２導電層３３（陰極層）について説明する。

第１導電層（陽極層）は、導電性を有する膜からなる。
陽極層の形成材料は、特に限定されないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウム；金；白金；ニッケル；タングステン；銅；合金；などが挙げられる。陽極層は、透明及び不透明の何れでよいが、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な形成材料が用いられる。陽極層の厚みは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
陽極層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、金属によって陽極を形成する場合には、蒸着法が用いられる。

正孔輸送層は、陽極層の表面に設けられる。正孔輸送層は、発光層に正孔を注入する機能を有する層である。
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。正孔輸送層の形成材料としては、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＴｃＴａ）などの芳香族アミン化合物；１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼンなどのカルバゾール誘導体；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９’−スピロビスフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）などのスピロ化合物；高分子化合物；などが挙げられる。正孔輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、正孔輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されないが、有機ＥＬデバイスの駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、正孔輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。

発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、低分子蛍光発光材料、低分子燐光発光材料などの低分子発光材料を用いることができる。もっとも、後述するように本願発明の光触媒層は、可視光応答性光触媒を含んでいることが好ましい。可視光応答性光触媒は青色光によって励起し易いため、発光層の形成材料は青色に発光し得るものであることが好ましい。
低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；フルオレノン誘導体；アゾメチン亜鉛錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などの有機金属錯体；などが挙げられる。
発光層の厚みは、特に限定されないが、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、発光層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、通常、蒸着法によって形成される。

電子輸送層は、発光層の表面（陰極層の裏面）に設けられる。電子輸送層は、発光層に電子を注入する機能を有する。
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。電子輸送層の形成材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（略称：Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’,２’'−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）などの複素芳香族化合物；ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）などの高分子化合物；などが挙げられる。電子輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、電子輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚みは、特に限定されないが、有機ＥＬデバイスの駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、電子輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。

第２導電層（陰極層）は、導電性を有する膜からなる。
陰極層の形成材料は、特に限定されない。導電性を有する陰極層の形成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。陰極層は、透明及び不透明の何れでよいが、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な形成材料（例えば、ＩＴＯ）が用いられる。陰極層の厚みは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
陰極層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、ＩＴＯによって陰極層を形成する場合には、スパッタ法が用いられ、マグネシウム−銀合金又はマグネシウム−銀積層膜によって陰極層を形成する場合には、蒸着法が用いられる。

なお、必要に応じて、有機ＥＬ素子は、第２導電層（陰極層）の上に、保護膜や封止板を有していてもよい（図示せず）。
保護膜は、両導電層と有機ＥＬ層が傷つくことを防止する機能を有する。保護膜の形成材料は特に限定されないが、例えば、金属又は半金属が挙げられ、好ましくはそれらの酸化物、酸化窒化物、窒化物、又は酸化炭化窒化物などが挙げられる。金属又は半金属の酸化物としては、例えば、ＭｇＯ、ＳｉＯ、Ｓｉ_ｘＯ_ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、Ｔｉ_２Ｏなどが挙げられる。保護膜は、透明又は不透明であってもよいが、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な保護膜が用いられる。保護膜の厚みは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜１０μｍである。

封止板は、防湿性を有し、水分や酸素などが有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層に接触することを防止する機能を有する。封止板の形成材料は、防湿性を有するものであれば特に限定されず、例えば、エチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの合成樹脂を好適に用いることができる。封止板は、透明又であってもよく不透明であってもよいが、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な封止板が用いられる。封止板の厚みは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは１０μｍ〜２００μｍである。

［光触媒層］
光触媒層は、有機ＥＬ素子の発光領域の一部又は全部を覆う層である。図２に示すように、光触媒層４は、少なくとも光触媒４１と助触媒４２とを含む。なお、図２では、光触媒４１及び助触媒４２は、粒子状に形成されているが、本発明では光触媒４１と助触媒４２の形状は特に限定されない。
以下、光触媒層に含まれる光触媒と助触媒について説明する。

（光触媒）
光触媒は、特定の波長域にある光（光触媒の価電子帯と導電帯の間のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光）を照射されることにより光触媒活性を示す物質である。

光触媒としては、例えば、アナターゼ型又はルチル型の酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）、酸化タングステン（ＩＩＩ）（Ｗ_２Ｏ_３）、酸化タングステン（ＩＶ）（ＷＯ_２）、酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ_２Ｏ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、酸化ビスマス（ＩＩＩ）（Ｂｉ_２Ｏ_３）、バナジン酸ビスマス（ＢｉＶＯ_４）、酸化スズ（ＩＩ）（ＳｎＯ）、酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ_２）、酸化スズ（ＶＩ）（ＳｎＯ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化セリウム（ＩＩ）（ＣｅＯ）、酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）、酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）などの金属酸化物；硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化インジウム（ＩｎＳ）などの金属硫化物；セレン酸カドミウム（ＣｄＳｅＯ_４）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）などの金属セレン化物；窒化ガリウム（ＧａＮ）などの金属窒化物などがある。

上記に例示した光触媒は、例えば、固相反応法、燃焼合成法、ソルボサーマル合成法、熱分解法、プラズマ合成法などによって得ることができる。好ましくは、光触媒は、高周波誘導結合プラズマ法（ＲＦ−ＩＣＰ）によって得られる。ＲＦ−ＩＣＰ法は製造効率が高く、且つ純度の高い光触媒を得ることができる。光触媒は、例えば、米国特許第８，００３，５６３号公報に記載されたＲＦ−ＩＣＰの条件によって得ることができる。

また、光触媒に、ある種の元素をドープすることで、その活性を改善することができる。そのような元素は「ドーパント」とも呼ばれ、例えば、上記光触媒に、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属；マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属；金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）などの貴金属；鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ））、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、セリウム（Ｃｅ）などの遷移金属；スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）などのその他の金属、ホウ素（Ｂ）やヒ素（Ａｓ）などの半金属；窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、硫黄（Ｓ）、フッ素（Ｆ）、セレン（Ｓｅ）などの非金属やこれらの金属又は非金属を含む化合物が挙げられる。本明細書では、ドーパントがドーピングされた光触媒を、ドーピング型光触媒という。

なお、ドーピングとは、光触媒の基本結晶構造が殆ど変わらない範囲で任意の元素（ドーパント）をホスト化合物結晶中に入れることを表す。光触媒がドーピングされているか否かは、例えば、ＸＰＳ（Ｘ線高電子分光法）でのピークのシフトにより確認できる。ドーピング型光触媒を形成する方法は特に限定されず、ゾルゲル法、固相反応法、又はイオン注入法などが用いられる。
光触媒が、ドーピング型光触媒である場合、光触媒内において、ホスト化合物（ドーピングされる化合物）とドーパントのモル比は、特に限定されないが、好ましくは９９．９：０．１〜８０：２０であり、より好ましくは９９．９：０．１〜８５：１５であり、さらに好ましくは９９．９：０．１〜８７：１３である。

ドーピング型光触媒は、好ましくは、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、フッ素（Ｆ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、セレン（Ｓｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、セリウム（Ｃｅ）、及び鉄（Ｆｅ）から選ばれる少なくとも１つによってドーピングされていることが好ましい。

光触媒は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。なお、２種以上の光触媒を混合して用いた場合、一方の光触媒が他方の光触媒の助触媒として機能する場合がある。

また、光触媒は、ｐ型であってもよくｎ型であってもよい。ｐ型の光触媒は、例えば、上記光触媒に価数の多い元素（例えば、ヒ素（Ａｓ）など）をドーピングすることによって得ることができる。ｎ型の光触媒は、例えば、上記光触媒に価数の少ない元素（例えば、ホウ素（Ｂ））をドーピングすることによって得ることができる。

光触媒は、金属化合物（酸化物、窒化酸化物、酸化窒化炭化物、ハロゲン化物等）を含むことが好ましく、より好ましくはチタン化合物、スズ化合物又はタングステン化合物を含む。
チタン化合物におけるチタンの平均酸化数又は形式電荷は、好ましくは＋１〜＋６であり、より好ましくは＋２〜＋４であり、さらに好ましくは＋１〜＋３である。また、スズ化合物におけるスズの平均酸化数又は形式電荷は、好ましくは＋２〜＋８であり、より好ましくは＋１〜＋６であり、さらに好ましくは＋１〜＋４である。また、タングステン化合物におけるタングステンの平均酸化数又は形式電荷は、好ましくは＋１〜＋８であり、より好ましくは＋１〜＋６であり、さらに好ましくは＋１〜＋４である。
より、具体的には、光触媒は、好ましくは酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）、酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ_２）、酸化タングステン（ＩＩＩ）（Ｗ_２Ｏ_３）、酸化タングステン（ＩＶ）（ＷＯ_２）、及び酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）から選ばれる少なくとも１種を含む。なお、酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）としては、アナターゼ型の酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）が好ましい。

なお、本明細書において、たとえば、光触媒が酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）を含むとは、光触媒が純粋な酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）である場合だけでなく、酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）が他の元素や化合物によってドーピングされているものを含む（酸化タングステン以外の光触媒及び助触媒についても同様）。
特に、光触媒が、酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）を含んでいれば、可視光で十分な光活性を示す光触媒層を形成することができるため、好ましい。

光触媒は、波長５８９ｎｍにおける屈折率（Ｒ１）が、１．０〜４．０であることが好ましく、より好ましくは、１．０〜３．０であり、特に好ましくは１．５〜２．５である。光触媒の屈折率（Ｒ１）が１．０〜４．０の範囲内であれば、助触媒との屈折率差を小さくし易くなり、透光性に優れた光触媒層を形成し易くなる。なお、光触媒の屈折率は、ＪＩＳ Ｋ ００６２に規定された「固体試料の測定方法」に準じてアッベ屈折計を用いて測定される値である。

光触媒の形状は特に限定されないが、好ましくは、光触媒は粒子状である。光触媒は溶媒に難溶性のものが多い。そのため、光触媒を粒子状にすることで、分散媒に光触媒を分散させ分散液を作製することができ、この分散液を塗布・乾燥することで容易に光触媒層を形成することができる。
光触媒が粒子状である場合、光触媒の平均粒径は特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。光触媒の平均粒径が１０００ｎｍを超えると、光触媒全体の表面積が小さくなるため、助触媒が十分に光触媒と接触しない可能性があり、光触媒層が十分な光触媒活性を示せない虞がある。他方、光触媒の平均粒径が５ｎｍを下回ると、粒子が凝集し易くなる可能性があり、光触媒層の透光性が低下する虞がある。
なお、光触媒の平均粒径は、光触媒を任意の分散液に分散させた状態において、光触媒粒子の動的光散乱法・周波数解析（ＦＦＴ−ヘテロダイン法）により求められる体積基準の５０％累積分布径（Ｄ５０）を意味する。

（助触媒）
助触媒は、光触媒の光触媒活性を促進させる物質である。助触媒は、それ単体が光触媒活性を示すものであってもよく、それ単体では光触媒活性を示さないものであってもよい。助触媒は、光触媒と協働することで、光触媒単体を用いた時に比して、その光触媒の反応速度を１．２倍以上にすることができる物質であり、好ましくは１．５倍以上にすることができ、さらに好ましくは２．０倍以上にすることができ、特に好ましくは３．０倍以上にすることができる。なお、光触媒の反応速度は、例えば、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の一種であるアセトアルデヒドの分解速度を基準にすることができる。
具体的には、一定量の圧縮空気及びアセトアルデヒド（校正用ガス）で満たされた閉鎖空間に光触媒、又は、助触媒を配合あるいは担持した光触媒を入れ、可視光（波長４５５ｎｍ、照射強度２００ｍＷ／ｃｍ^２）の光を１時間照射する。そして、照射前後の閉鎖空間内におけるアセトアルデヒド濃度を比較することで光触媒の反応速度が何倍になったかを算出することができる。例えば、光照射前のアセトアルデヒド濃度が８０ｐｐｍである閉鎖空間内に光触媒だけを入れ、光照射後のアセトアルデヒド濃度が６０ｐｐｍである（即ち、２０ｐｐｍのアセトアルデヒドが分解された）場合と、光照射前のアセトアルデヒド濃度が８０ｐｐｍである閉鎖空間内に助触媒を配合あるいは担持した光触媒を入れ、光照射後のアセトアルデヒド濃度が２０ｐｐｍである（即ち、６０ｐｐｍのアセトアルデヒドが分解された）場合を比較すると、アセトアルデヒドの分解速度が、３倍になった（即ち、光触媒活性が３倍になった）と言える。

助触媒は、例えば、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）、酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）、酸化イットリウム（ＩＩＩ）（Ｙ_２Ｏ_３）、酸化モリブデン（ＶＩ）（ＭｏＯ_３）、酸化マンガン（ＩＩＩ）（Ｍｎ_２Ｏ_３）、酸化ガドリニウム（ＩＩＩ）（Ｇｄ_２Ｏ_３）、アナターゼ型又はルチル型の酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ_２）、酸化アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化鉄（ＩＩ，ＩＩＩ）（Ｆｅ_３Ｏ_４）、酸化ニッケル（ＩＩ）（ＮｉＯ）、酸化ニオブ（Ｖ）（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_５）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化セリウム（ＩＩ）（ＣｅＯ）、酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）、Ａ_ｒＸ_ｔＯ_ｓ（Ａは、希土類元素であり、Ｘは希土類元素以外の元素やその組み合わせであり、ｒは１〜２であり、ｔは０〜３であり、ｓは２〜３）、りんモリブデン酸アンモニウム三水和物（（ＮＨ_４）_３［ＰＭｏ_１２Ｏ_４０］）、１２タングストリン酸（ＰＷ_１２Ｏ_４０）、ケイ化タングステン酸（Ｈ_４［ＳｉＷ_１２Ｏ_４０］）、りんモリブデン酸（１２ＭｏＯ_３・Ｈ_３ＰＯ_４）、セリウム−ジルコニウム複合酸化物（Ｃｅ_ｘＺｒ_ｙＯ_２）（ｙ／ｘ＝０．００１〜０．９９９）などが挙げられる。

また、助触媒は、光触媒と単純に配合されてもよいし、助触媒は、光触媒に担持されてもよい。本明細書では、助触媒が担持された光触媒を、担持型光触媒という。担持とは、光触媒の表面に該光触媒とは異なる物質が付着している状態を表す。このような付着状態は、例えば、走査型電子顕微鏡などにより観察できる。担持型光触媒を形成する方法は特に限定されず、含浸法、光還元法、スパッタリングなどが用いられる。担持型光触媒は、例えば、米国特許２００８／０２４１５４２号公開公報に記載された方法によって形成することができる。なお、助触媒にドーパントがドーピングされていてもよい。ドーパントがドーピングされた助触媒を、ドーピング型助触媒という。助触媒にドーピングされる化合物や元素は、上欄で説明した光触媒にドーピングされる元素や化合物と同様である。

助触媒は、好ましくは、セリウム化合物、銅化合物、カリウム化合物、ストロンチウム化合物、タンタル化合物、ニオブ化合物、及びチタン化合物から選ばれる少なくとも１種を含んでおり、より好ましくは、セリウム化合物又は銅化合物を含んでいる。セリウム化合物におけるセリウムの平均酸化数又は形式電荷は、好ましくは＋２〜＋４であり、銅化合物における銅の平均酸化数又は形式電荷は、好ましくは＋１〜＋２である。
一つの実施態様では、助触媒は、酸化セリウムを含んでおり、さらに好ましくは酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）を含んでいる。この実施態様は、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の分解用途に適している。助触媒が酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）を含んでいる場合、酸化セリウム（ＩＶ）は、ドーピングされていることが好ましく、好ましくはスズ（Ｓｎ）によってドーピングされている。スズ（Ｓｎ）がドーピングされた酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２：Ｓｎ）において、スズ（Ｓｎ）は好ましくは助触媒（ＣｅＯ_２：Ｓｎ）全体の１モル％〜５０モル％を占め、より好ましくは１．５モル％〜１０モル％を占め、さらに好ましくは１．５モル％〜１０モル％を占め、特に好ましくは、１．５モル％〜４．５モル％を占める。
他の実施態様では、助触媒は、酸化銅を含んでおり、さらに好ましくは酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）を含んでいる。この実施態様は、抗菌用途に適している。助触媒が酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）を含んでいる場合、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）は、光触媒に担持されていることが好ましい。

助触媒の形状は特に限定されないが、上記光触媒と同様の理由により、助触媒は粒子状であることが好ましい。助触媒が粒子状である場合、助触媒の平均粒径は特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３０ｎｍである。

助触媒は、波長５８９ｎｍにおける屈折率（Ｒ２）が、１．０〜４．０であることが好ましく、より好ましくは、１．０〜３．０であり、特に好ましくは１．５〜２．５である。助触媒の屈折率（Ｒ２）が１．０〜４．０の範囲内であれば、光触媒との屈折率差を小さくなり、透光性に優れた光触媒層を形成し易くなる。

上述したような光触媒としては、波長３８０ｎｍ未満の紫外光でしか光触媒活性を示さない紫外光応答性光触媒、及び、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの可視光でも光触媒活性を示す可視光応答性光触媒が挙げられる。本発明では、光触媒層に含まれる光触媒は、紫外光応答性光触媒であってもよく、可視光応答性光触媒であってもよいが、好ましくは可視光応答性光触媒が用いられる。可視光応答性光触媒は、助触媒がなくとも可視光においてある程度の光活性を示す。そのため、可視光応答性光触媒は、助触媒と協働することで可視光において更に高い光活性を示すことが可能となる。光触媒が可視光応答性光触媒である場合、そのバンドギャップは、例えば、１．５ｅＶ〜３．５ｅＶであり、好ましくは、１．７ｅＶ〜３．３ｅＶであり、より好ましくは１．７７ｅＶ〜３．２７ｅＶである。なお、光触媒が紫外光応答性光触媒である場合においても、光触媒と助触媒の組み合わせによっては、光触媒が可視光応答性を示すようになることがある。

本発明においては、光触媒が可視光応答性を示すものであることが好ましい。可視光応答性を示す光触媒であると、蛍光灯やＬＥＤ光源といった可視光を発光する光源を用いた場合でも光触媒活性を示すことができ、人体に有害な紫外光の使用を避けることが可能である。
光触媒は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。なお、２種以上の光触媒を混合して用いた場合、一方の光触媒が他方の光触媒の助触媒として機能する場合がある。また、助触媒も、１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。

光触媒層は、上述した光触媒と助触媒を有していれば他の化合物（例えば、バインダー樹脂等）を含んでいてもよい。もっとも、他の化合物が光触媒層に含まれていると、この他の化合物と光触媒又は助触媒との屈折率差が大きくなる可能性があり、そうすると、光触媒層の透光性を十分に担保できない虞がある。
従って、光触媒層は実質的に光触媒と助触媒だけで構成されていることが好ましい。なお、光触媒層が実質的に光触媒と助触媒だけで構成されているとは、光触媒と助触媒が、光触媒層全体の８０質量％以上を占めることをいい、好ましくは９０質量％以上を占めることをいう。

光触媒層において、全光触媒と全助触媒の比率（モル比）は、好ましくは、９９．５：０．５〜１６．７：８３．３であり、より好ましくは９９．５：０．５〜２０：８０であり、さらに好ましくは９９．５：０．５〜５０：５０である。
光触媒の含有量が前記範囲の下限値未満である場合、光触媒の量に比して助触媒が過多であるため、光触媒層が十分な光触媒活性を示すことができない虞がある。他方、光触媒の含有量が前記範囲の上限値を超える場合、光触媒の量に比して助触媒が過少であるため、光触媒層が十分な光触媒活性を示すことができない虞がある。

本発明の光触媒層において、波長５８９ｎｍにおける光触媒の屈折率（Ｒ１）と助触媒の屈折率（Ｒ２）の差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）は、０〜０．３５であり、好ましくは、０〜０．３０であり、より好ましくは０〜０．２０であり、特に好ましくは０〜０．１６である。なお、｜Ｒ１−Ｒ２｜＝０とは、光触媒の屈折率（Ｒ１）と助触媒の屈折率（Ｒ２）が同じであることを意味する。光触媒層において、光触媒と助触媒は屈折率が互いに同じであるか、又は、その差が０を超え０．３５以下である。
光触媒と助触媒の屈折率差が上記範囲内であれば、有機ＥＬ素子から発せられた光が光触媒層内で屈折し難いため、光が透過し易い（即ち、光触媒層の透光性が高くなる）。従って、透光性に優れた光触媒層を有する有機ＥＬデバイスを形成することができる。

本発明では、光触媒層に含まれる光触媒と助触媒の組み合わせは特に限定されず、上記屈折率差を満たす範囲であれば任意に選択することができる。
好ましい一つの実施態様では、光触媒は、酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）を含んでおり、助触媒は、酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）を含んでいる。光触媒として酸化タングステン（ＶＩ）（ＷＯ_３）を用い、助触媒として酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ_２）を用いることで、可視光応答性及び光触媒活性に優れ、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）分解性に特に優れた光触媒層を形成することができる。
好ましい他の実施態様では、光触媒は、酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）を含んでおり、助触媒は、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）を含んでいる。この場合において、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）を含む助触媒は、酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）を含む光触媒に担持されていることが好ましい。光触媒として酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）を用い、助触媒として、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）を用いることで、可視光応答性及び光触媒活性に優れ、抗菌性に特に優れた光触媒層を形成することができる。なお、本明細書においては、助触媒としてのＣｕ_ｘＯが光触媒としてのＴｉＯ_２に担持された助触媒担持型光触媒を、Ｃｕ_ｘＯ−ＴｉＯ_２と表すことがある。ここで、「Ｃｕ_ｘＯ」とは、ＣｕＯ（Ｘ＝１、酸化銅（ＩＩ））及びＣｕ_２Ｏ（Ｘ＝２、酸化銅（Ｉ））の２種類の酸化銅が混在していることを表す。

光触媒層の厚みは特に限定されない。もっとも、光触媒層の厚みが厚すぎると、光触媒層の透光性が低下する虞がある。他方、光触媒層の厚みが薄すぎると、光触媒層が十分な光触媒活性を示さない虞がある。
これらを考慮すると、光触媒層の厚みは、好ましくは０．１μｍ〜２０μｍであり、より好ましくは０．１μｍ〜５．０μｍであり、さらに好ましくは１．０μｍ〜５．０μｍであり、特に好ましくは１．０μｍ〜２．０μｍである。

光触媒層の可視光透過率は、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは８０％以上であり、特に好ましくは９０％以上である。特に、光触媒層の波長５８９ｎｍにおける光線透過率は好ましくは８０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。
なお、可視光透過率は、ＪＩＳ Ｒ ３１０６に準じて測定される値である。

光触媒層の形成方法は特に限定されない。光触媒層は、例えば、高速フレーム溶射（ＨＶＯＦ）、コールドスプレー、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、又は物理蒸着（ＰＶＤ）などの乾式成膜法やスピンコーティングやディップコーティングなどの湿式製膜法によって形成される。
光触媒層は、有機ＥＬ素子の上側又は下側に設けられるが、有機ＥＬ素子が有する有機ＥＬ層は耐熱性が低く、高温で変性する虞がある。従って、光触媒層は比較的低温で製膜できる湿式製膜法によって形成されることが好ましい。

［有機ＥＬデバイスの製造方法］
本発明の光触媒層付有機ＥＬデバイスの製造方法は特に限定されないが、例えば、以下の工程を有する。
工程１…基板に有機ＥＬ素子を積層する工程。
工程２…有機ＥＬ素子の上、又は、基板の下に光触媒と助触媒を含んだ分散液を積層する工程。
工程３…積層した分散液から分散媒を除く工程。
以下、各工程について説明する。

（工程１）
基板上に、第１導電層、有機ＥＬ層、第２導電層の順に積層することで有機ＥＬ素子が基板上に形成される。各層の積層方法については上述の通りである。有機ＥＬ素子が、保護層、及び／又は封止板を有する場合、第２導電層上に保護層、及び／又封止板が積層される。

（工程２）
光触媒と助触媒を含んだ分散液は、有機ＥＬ素子の上、又は、基板の下に積層される。有機ＥＬ素子がトップエミッション型の場合、分散液は、有機ＥＬ素子の上に積層され、有機ＥＬ素子がボトムエミッション型の場合、分散液は、基板の下に積層される。
分散液は、分散媒中に光触媒及び助触媒が分散した液体である。分散媒は、光触媒と助触媒を分散することができれば特に限定されず、例えば、水、揮発性の有機溶剤、又は水と揮発性の有機溶媒の混合液が用いられる。好ましくは、分散媒は水である。分散媒が水であれば、乾燥後も光触媒の表面を汚染することがないため、乾燥直後において光触媒層が良好な光触媒活性を示すことができる。
なお、基板の下に分散液を積層する場合、有機ＥＬ素子が基板の上に積層される前に分散液を積層してもよい。

分散液中の光触媒と助触媒の濃度（モル濃度）は特に限定されず、光触媒層を形成した際における光触媒と助触媒の濃度を考慮して適宜調整することができる。分散液中の光触媒の濃度と助触媒の濃度の比率は、好ましくは、１：５〜５：１であり、より好ましくは１：３〜３：１であり、さらに好ましくは１：２〜２：１であり、特に好ましくは１：１である。
分散液を積層する方法は特に限定されず、例えば、グラビアコーティング、リバースコーティング、スプレーコーティング、又はディップコーティングなどを用いて塗布される。分散液は、発光領域の一部又は全部を覆うように積層される。従って、後の工程により、分散液から分散媒を除去することで、発光領域の一部又は全部が光触媒層によって覆われた有機ＥＬデバイスを形成することができる。

（工程３）
積層された分散液から十分に分散媒を取り除くことで光触媒層が形成される。分散媒を取り除く方法は特に限定されないが、好ましくは乾燥が用いられる。乾燥は、自然乾燥でもよく、乾燥装置によって強制的な乾燥であってもよく、自然乾燥と強制的な乾燥を併用することもできる。
乾燥温度は特に限定されず、光触媒、助触媒、分散液、及び有機ＥＬ層の形成材料などを考慮して適宜調整することができる。乾燥温度は、例えば、２０℃〜１５０℃であり、好ましくは２０℃〜８０℃であり、より好ましくは２０℃〜５０℃である。
また、乾燥時間は特に限定されず、分散媒が十分に乾燥し光触媒層を形成し得るまで乾燥される。乾燥時間は通常、１分〜１０分であり、好ましくは１分〜５分である。

以下、本発明の変形例について説明する。もっとも、以下の変形例の説明において、主として上記実施形態と異なる構成及び効果について説明し、上記実施形態と同様の構成などについては、その説明を省略し、用語及び符号を援用する場合がある。

［第１変形例］
図３は、本発明の第１変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。なお、図３の有機ＥＬデバイス１の拡大断面図は、図１のＩＩ−ＩＩ線と同様の位置で有機ＥＬデバイス１を切断した拡大断面図である（図４についても同様）。
図３に示すように、本発明の第１変形例に係る有機ＥＬデバイス１の有機ＥＬ素子３は、透明性を有する絶縁層３５を有する。絶縁層３５は、第２導電層３３（第２端子部３３１）の表面上に設けられている。第２導電層３３の表面が光触媒層４と接している場合、第２導電層３３の通電によって生じる電位の変化が光触媒層４の光触媒活性を低下させる虞がある。本変形例では、絶縁層３５を設けることにより、光触媒層４と第２導電層３３の接触を回避している。従って、光触媒層４の光触媒活性を安定化することができる。

絶縁層３５の可視光透過率は、８０％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、特に好ましくは９５％以上である。
絶縁層３５の形成材料は上記可視光透過率を満たす限り特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機化合物や、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、などの無機化合物が挙げられる。
絶縁層３５の厚みは上記可視光透過率を満たす限り特に限定されず、好ましくは１０ｎｍ〜３．０μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜２．０μｍであり、さらに好ましくは０．１μｍ〜１μｍである。
絶縁層３５は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング、スピンコーティングなどの塗布によって上記形成材料を導電層３３の上に積層することにより形成できる。

［第２変形例］
図４は、本発明の第２変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。本変形例では、有機ＥＬ素子３は、その下側（基板２側から）光を取り出すボトムエミッション型の素子である。従って、発光領域３４は、基板２の裏面の一部（有機層３２２に対応している部分）である。そして、光触媒層４は、基板２の裏面全体に設けられている。即ち、光触媒層４は、発光領域３４全体を覆っている。
本変形例でも、有機ＥＬ素子２から発せられた光は、光触媒層４を介して外部に出射される。従って、光触媒層４は光触媒活性を示すことができる。

本発明の有機ＥＬデバイスは、光触媒層が有機ＥＬ素子の発光領域の一部又は全部を覆っている。そして、光触媒層に含まれる光触媒と助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率差が０〜０．３５である。従って、光触媒層は優れた透光性を示す。
特に、光触媒が酸化タングステン（ＶＩ）であり且つ助触媒が酸化セリウム（ＩＶ）である場合、光触媒層は優れた透光性に加え、可視光において優れた光触媒活性を示すことができる。
なお、本発明の有機ＥＬデバイス、及びその製造方法は、上記で示したような実施形態に限定されず、本発明の意図する範囲で適宜設計変更できる。
本発明の有機ＥＬデバイスの用途は特に限定されないが、好ましくは、室内照明、車内照明、冷蔵庫内の照明などに用いられる。

以下、実施例及び比較例を示して本発明をさらに説明する。なお、本発明は、下記実施例のみに限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で用いた試料は、特に明示がない限り、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ（ＵＳＡ）より購入したものである。

＜光触媒活性の測定方法＞
実施例及び比較例について、特に明示がない限り、以下のアセトアルデヒド分解率の測定方法に基づいて光触媒活性を測定した。
５Ｌのテドラーバッグに光触媒活性の測定対象であるサンプルを真空下で入れた。その後、同テドラーバッグに、３Ｌの圧縮空気と校正用アセトアルデヒドを入れ、アセトアルデヒドの濃度が８０ｐｐｍとなるように調整した。アセトアルデヒドの濃度は、高感度水素炎イオン化型検出器を備えた校正用ガスクロマトグラフィ（ＧＣ−ＦＩＤ）（（株）島津製作所製、製品名「ＧＣ−２０１０ ｐｌｕｓ」）を用いて測定した。
テドラーバッグを１時間暗所に置き、アセトアルデヒド濃度を安定（平衡状態）させた。その後、単色の青色光を発するダイオードアレイ（波長４５５ｎｍ、照射強度２００ｍＷ／ｃｍ^２）をテドラーバッグに照射した。一定時間、光を照射した後にテドラーバッグ内の気体を回収し、ＧＣ−ＦＩＤを用いて分析した。アセトアルデヒド濃度の経時的変化は、クロマトグラムのピークに対応する領域によって特定した。
アセトアルデヒドの分解率（％）は、以下の式Ａによって算出した。式Ａ：アセトアルデヒドの分解率（％）＝（Ｘ−Ｙ）／Ｘ×１００。但し、Ｘは、光照射前のアセトアルデヒド濃度（８０ｐｐｍ）であり、Ｙは、光照射後のアセトアルデヒド濃度である。
また、アセトアルデヒドの残存率（％）は、以下の式Ｂによって算出した。式Ｂ：アセトアルデヒドの残存率（％）＝Ｙ／Ｘ×１００。式ＢのＸ及びＹは、上記式Ａのそれと同じである。
アセトアルデヒドの分解率が高い（アセトアルデヒドの残存率が低い）ほど光触媒活性が高く、アセトアルデヒドの分解率が低い（アセトアルデヒドの残存率が高い）ほど光触媒活性が低いと言える。

＜光触媒及び助触媒の屈折率の測定方法＞
アッベ屈折計を用いて、ＪＩＳ Ｋ ００６２に規定された「固体試料の測定方法」に準じて光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率を測定した。

［実施例１…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
縦９７．６ｍｍ×横９７．６ｍｍ×厚み２．１ｍｍの基板に積層された有機ＥＬ素子（ルミオテック（株）、型名「Ｐ０３Ａ０４０４Ｎ−Ａ１２Ａ」、輝度２７００ｃｄ／ｍ^２、定格電圧１０．５Ｖ）（以下、基板付有機ＥＬ素子）を用意した。
続いて、粒子状の光触媒（ＷＯ_３）２００ｍｇをＲＯ水（逆浸透膜を通過させた水）に加え分散液を作製した。この分散液を７４０ｍｇのＣｅＯ_２分散液（日産化学工業（株）製、製品名「ナノユースＣＥ−２０Ｂ」）に加え、混合液を調製した。この混合液において、ＷＯ_３とＣｅＯ_２のモル比は１：１であった。この混合液に、さらに８００ｍｇのＲＯ水を加え、塗布液を調製した。この塗布液における固形分濃度は２０ｗｔ％であった。
調製した塗布液をプローブ式超音波処理機（Ｓｏｎｉｃ ｄｉｓｍｅｍｂｒａｔｏｒ Ｍｏｄｅｌ １００）を用いて均質化し、その後、基板付有機ＥＬ素子の発光領域全体を覆うようにスピンコータを用いて塗布液を１２００ｒｐｍの回転速度で４０秒間有機ＥＬ素子上に塗布した。塗布液が積層された基板付有機ＥＬ素子を、４０℃で１５分間加熱することで光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

このようにして作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスを発光させ、その相対輝度（透過率）を測定した。具体的には、予め、光触媒層を積層する前の基板付有機ＥＬ素子に対し、１０．５Ｖの電圧を印加させることで基板付有機ＥＬ素子を発光させ、その輝度を測定した。輝度は２７００ｃｄ／ｍ^２であった。続いて、作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスを１０．５Ｖで発光させ、その輝度を測定し、下記式Ｃに代入することで光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度（透過率）を求めた。式Ｃ：相対輝度（透過率）（％）＝Ｗ／Ｖ×１００。但し、Ｗは、光触媒層付有機ＥＬデバイスの輝度であり、Ｖは基板付有機ＥＬ素子の輝度（２７００ｃｄ／ｍ^２）を表す。
さらに、上記の光触媒活性の測定方法に則り、光照射を１時間行った後におけるアセトアルデヒドの分解率を測定した。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例２…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（２．５モル％）］
０．１１９６ｇの２−エチルヘキサン酸スズ（ＩＩ）（Ｓｐｅｃｔｒｕｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（ＵＳＡ）製）と５ｇのＣｅ（ＮＯ_３）・６Ｈ_２Ｏと３．０ｇの硝酸アンモニウム（ＮＨ_４ＮＯ_３）を２５ｍＬのＲＯ水に溶解させた。この混合液に、１．１２９ｇのマレイン酸ヒドラジドを加えた直後、２０分間攪拌しながら１５０℃で加熱した。
得られた前駆体混合物を事前に加熱しておいたマッフル炉内（大気雰囲気、常圧）に入れ、４５０℃で４０分間加熱した。得られた粒子を５００℃で約２０分間アニール処理した。アニール処理したＣｅＯ_２粒子を、実施例１と同様に、粒子状のＷＯ_３と混合（モル比１：１）することで塗布液を調製し、光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に２．５モル％含んでおり、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例３…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（５．０モル％）］
２−エチルヘキサン酸スズ（ＩＩ）の量を０．２４５ｇにし、マレイン酸ヒドラジドの量を１．１２７ｇにしたこと以外は実施例２と同様に塗布液を調製し（光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＣｅＯ_２：Ｓｎ）のモル比は１：１）光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に５．０モル％含んでおり、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例４…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（７．５モル％）］
２−エチルヘキサン酸スズ（ＩＩ）の量を０．３７８ｇにしたこと以外は実施例２と同様に塗布液を調製し（光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＣｅＯ_２：Ｓｎ）のモル比は１：１）光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に７．５モル％含んでおり、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例５…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＫＴａＯ_３］
米国特許第８，００３，５６３号公報に開示された誘導結合型プラズマ処理により粒子状のＷＯ_３（プラズマＷＯ_３）を得た。
１３０ｍｇのプラズマＷＯ_３と１５０．３ｍｇの粒子状のＫＴａＯ_３（光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＫＴａＯ_３）のモル比は１：１）をＲＯ水に分散させ、固形分濃度が２０ｗｔ％となる分散液を調製した。その後、浴槽式超音波処理機（ＶＷＲ製、製品名「Ｂ３５００Ａ−ＭＴ」）を用いて１０分間超音波処理を行い、その後、プローブ式超音波処理機（Ｓｏｎｉｃ ｄｉｓｍｅｍｂｒａｔｏｒ Ｍｏｄｅｌ １００、連続モード）で５分間超音波処理を行い、塗布液を調製した。
この塗布液を実施例１と同様に基板付有機ＥＬ素子の発光領域全体を覆うようにスピンコータを用いて塗布・乾燥し、光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例６…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＳｒＴｉＯ_３］
ＫＴａＯ_３の代わりに１０２．８９ｍｇの粒子状のＳｒＴｉＯ_３を用い、光触媒（光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＳｒＴｉＯ_３）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は、実施例５と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例７…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｔａ_２Ｏ_５］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、Ｔａ_２Ｏ_５分散液（１３０ｍｇの粒子状のＴａ_２Ｏ_５を０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（Ｔａ_２Ｏ_５）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例８…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｎｂ_２Ｏ_５］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、Ｎｂ_２Ｏ_５分散液（１３０ｍｇの粒子状のＮｂ_２Ｏ_５を０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（Ｎｂ_２Ｏ_５）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例９…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…アナターゼ型のＴｉＯ_２］
ＫＴａＯ_３の代わりに４４．７８ｍｇのアナターゼ型のＴｉＯ_２を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＴｉＯ_２）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例５と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［実施例３４…光触媒：アナターゼ型のＴｉＯ_２，助触媒…Ｃｕ_２ＯとＣｕＯの混合物］
実施例１で用いたＷＯ_３粉末及びＣｅＯ_２粉末の代わりに、下記のようにＣｕ_ｘＯ担持型ＴｉＯ_２粉末（助触媒担持型光触媒）を作製して用いたほかは、実施例１と同様に、光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。
まず、ナスフラスコ５００ｍｌ中に、ＴｉＯ_２粉末（光触媒、平均粒径０．０３μｍ、日本アエロジル株式会社製）２５ｇ、及びイオン交換水２５０ｍｌを加え、室温で撹拌を行い、粒子を均一に分散させて、ＴｉＯ_２粉末の水分散液を作製した。
次に、塩化銅（ＩＩ）二水和物（和光純薬工業株式会社製）０．６８ｇをイオン交換水５ｍｌに溶解させ、塩化銅（ＩＩ）水溶液をＴｉＯ_２粉末の水分散液に加えた。次に、９０℃で加熱しながら撹拌を１時間行い、Ａ液を作製した。
次に、水酸化ナトリウム１．２５５ｇをイオン交換水２５ｍｌに溶解した水酸化ナトリウム水溶液をＡ液に加え、溶液のｐＨを３から１１に増加させ、Ｂ液を作製した。
次に、グルコース（和光純薬工業株式会社製）６．２７５ｇをイオン交換水３７．５ｍｌに溶解したグルコース水溶液をＢ液に加え、さらに９０℃で加熱しながら１時間撹拌し、酸化チタン粒子の表面上に、酸化銅（Ｉ）及び酸化銅（ＩＩ）の粒子を析出させた。
次に、反応後の粒子を濾過後、十分に水洗浄を行い、１００℃で粒子を乾燥させた。以上より、Ｃｕ_ｘＯ担持型ＴｉＯ_２粉末（助触媒担持型光触媒）を作製した。得られた粉末のＩＣＰ分析結果により、酸化チタン１００重量部に対して、１．０重量部の酸化銅粒子が担持していることを確認した。
なお、実施例３４の光触媒層付有機ＥＬデバイスにおける光触媒層においては、光触媒としてのＴｉＯ_２粒子に、助触媒としてのＣｕ_ｘＯ粒子が担持されていることが、走査型電子顕微鏡により確認された。

［比較例１…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ａｌ_２Ｏ_３］
粒子状のＷＯ_３（０．８ｇ）を５ｇのＡｌ_２Ｏ_３分散液（日産化学工業（株）製、製品名「アルミナゾル２００」）に加え混合液（混合液中におけるＷＯ_３とＡｌ_２Ｏ_３の重量比は１：１）を調製し、５．８ｇのＲＯ水を加え、固形分濃度が１４ｗｔ％の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［比較例２…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｉｎ_２Ｏ_３］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、Ｉｎ_２Ｏ_３分散液（１３０ｍｇの粒子状のＩｎ_２Ｏ_３を０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（Ｉｎ_２Ｏ_３）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［比較例３…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＳｉＣ］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、ＳｉＣ分散液（２２．５ｍｇの粒子状のＳｉＣを０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＳｉＣ）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［比較例４…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｙ_２Ｏ_３］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、Ｙ_２Ｏ_３分散液（１３０ｍｇの粒子状のＹ_２Ｏ_３を０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（Ｙ_２Ｏ_３）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［比較例５…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｕＯ］
ＣｅＯ_２分散液に代えて、ＣｕＯ分散液（１３０ｍｇの粒子状のＣｕＯを０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行ったもの）を用い、光触媒（ＷＯ_３）と助触媒（ＣｕＯ）のモル比が１：１の塗布液を調製したこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［比較例６…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…なし］
粒子状の光触媒（ＷＯ_３）をＣｅＯ_２分散液と混合しなかったこと以外は実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
作製した光触媒層付有機ＥＬデバイスの相対輝度、１時間の光照射後のアセトアルデヒド分解率、光触媒及び助触媒の波長５８９ｎｍにおける屈折率、並びに光触媒及び助触媒の屈折率差を表１に表す。

［評価１］
表１に示すように、光触媒と助触媒の屈折率差が０〜０．３５であれば、相対輝度が８０％以上の有機ＥＬデバイスを作製できることが分かる。
また、助触媒としてＣｅＯ_２を用いることで有機ＥＬデバイスは高い光触媒活性を示し、中でも、助触媒としてスズ（Ｓｎ）をドーピングしたＣｅＯ_２を用いることでより高い光触媒活性と相対輝度を併せ持った有機ＥＬデバイスを作製できることが分かる。

［実施例１０…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
２００ｍｇの粒子状のＷＯ_３（グローバルタングステン＆パワー（ＧＴＰ）製）と粒子状のＣｅＯ_２を含む塗布液（ＷＯ_３とＣｅＯ_２のモル比は１：１）をガラス基板（縦７５ｍｍ×横２５ｍｍ）上に実施例１と同条件でスピンコートし、４００℃で約１時間アニール処理を行うことで光触媒層を形成した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、ホットプレート上で全波長域の光をキセノンランプ（ランプ出力約３００Ｗ）を用いて光触媒層付ガラス基板に照射した（１２０℃で１時間）。そして、その後、光触媒層付ガラス基板を真空下で５Ｌのテドラーバッグに入れ、さらにテドラーバッグに３Ｌの圧縮空気と８０ｍＬのアセトアルデヒドを封入した。テドラーバッグを２分間手で軽く揉み、暗所に１５分間置いた。テドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度は、ＧＣ−ＦＩＤによって８０±２ｐｐｍと測定された。
その後、光触媒層付ガラス基板を入れたテドラーバッグを暗所に１時間置き、単色の青色光を発するダイオードアレイ（波長４５５ｎｍ、照射強度５０ｍＷ／ｃｍ^２）をテドラーバッグに５時間照射した。その間、３０分毎にテドラーバッグ中のアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を表にプロットした結果を図５に示す。

［実施例１１…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
５ｇのＷＯ_３（ＧＴＰ製）を約３ｍｍの直径を有する約５０ｇのＺｒＯ_２のボールを含んだ高純度アルミナボールミル（ＭＴＩ製、ＳＦＭ−１型卓上遊星ミル）を２５ｍＬのメタノールと共に入れ、４時間粉砕することで粒子状のＷＯ_３を得た。
そして、２００ｍｇの粒子状のＷＯ_３と粒子状のＣｅＯ_２を含む塗布液（ＷＯ_３とＣｅＯ_２のモル比は１：１）を用いたこと以外は実施例１０と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図５に示す。

［実施例１２…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
米国特許第８，００３，５６３号公報に開示された製造方法によって得られた誘導結合型プラズマ処理により粒子状のＷＯ_３（プラズマＷＯ_３）を得た。
そして、２００ｍｇのプラズマＷＯ_３と粒子状のＣｅＯ_２を含む塗布液（ＷＯ_３とＣｅＯ_２のモル比は１：１）を用いたこと以外は実施例１０と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図５に示す。

［比較例７…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…なし］
ＣｅＯ_２を含まず、ＷＯ_３（ＧＴＰ製）のみを含む塗布液を用いたこと以外は実施例１０と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図５に示す。

［比較例８…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…なし］
ＣｅＯ_２を含まず、粒子状のＷＯ_３のみを含む塗布液を用いたこと以外は実施例１１と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図５に示す。

［比較例９…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…なし］
ＣｅＯ_２を含まず、プラズマＷＯ_３のみを含む塗布液を用いたこと以外は実施例１２と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図５に示す。

なお、実施例１０〜１２は、光触媒と助触媒の屈折率差（絶対値）が、全て０〜０．３５の範囲内にあった。

［評価２］
図５に示すように、光触媒としてＷＯ_３を用い、助触媒としてＣｅＯ_２を用いた光触媒層は、ＷＯ_３のみを含む光触媒層に比して、アセトアルデヒド残存率が低い（即ち、光触媒活性が高い）ことが分かる。

［実施例１３〜１９、並びに、比較例１０及び１１］
光触媒（ＷＯ_３）及び助触媒（ＣｅＯ_２）の総モル数を基準（１００％）にして、ＣｅＯ_２の占めるモル濃度が０モル％（比較例１０）、５モル％（実施例１３）、１０モル％（実施例１４）、３０モル％（実施例１５）、５０モル％（実施例１６）、７５モル％（実施例１７）、９０モル％（実施例１８）、９５モル％（実施例１９）、１００モル％（比較例１１）である塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様に光触媒層付有機ＥＬデバイスを作製し、各光触媒層付有機ＥＬデバイスのアセトアルデヒド分解率（光照射から１時間後）を測定した。但し、テドラーバッグに照射した光は、単色の青色光を発するダイオードアレイ（波長４５５ｎｍ、照射強度２７０ｍＷ／ｃｍ^２）とした。
実施例１３〜１９、比較例１０及び１１のアセトアルデヒド分解率を表にプロットした。その結果を図６に示す。

［評価３］
図６に示すように、光触媒層に含まれる助触媒の濃度を上げれば、光学補償層の光触媒活性が上昇するが、助触媒の濃度を上げすぎると光学補償層の光触媒活性が低下することが分かる。特に、助触媒が２０モル％〜８０モル％含まれる（即ち、光触媒と助触媒のモル比が４：１〜１：４である）塗布液を用いることで、特に高い光触媒活性を示す光触媒層を形成できることが分かる。

［実施例２０…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
まず、１３０ｍｇのプラズマＷＯ_３と９６．５ｍｇの粒子状のＣｅＯ_２（両者のモル比は約１：１）をＲＯ水に分散させ、固形分濃度が２０ｗｔ％となる分散液を調製した。その後、浴槽式超音波処理機（ＶＷＲ製、製品名「Ｂ３５００Ａ−ＭＴ」）を用いて１０分間超音波処理を行い、その後、プローブ式超音波処理機（Ｓｏｎｉｃ ｄｉｓｍｅｍｂｒａｔｏｒ Ｍｏｄｅｌ １００、連続モード）で５分間超音波処理を行い、塗布液を調製した。
その後、ガラス基板（７５ｍｍ×５０ｍｍ）に塗布液をスピンコートし、実施例１０と同条件でアニール処理を行い、光触媒層付きガラス基板を得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図７に示す。

［実施例２１…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…アナターゼ型ＴｉＯ_２］
ＣｅＯ_２の代わりに４４．７８ｍｇの粒子状のアナターゼ型のＴｉＯ_２を用いたこと以外は、実施例２０と同様に光触媒層付ガラス基板を得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。 その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図７に示す。

［実施例２２…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＫＴａＯ_３］
ＣｅＯ_２の代わりに１５０．３ｍｇの粒子状のＫＴａＯ_３を用いたこと以外は、実施例２０と同様に光触媒層付ガラス基板を得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図７に示す。

［実施例２３…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＳｒＴｉＯ_３］
ＣｅＯ_２の代わりに１０２．８９ｍｇの粒子状のＳｒＴｉＯ_３を用いたこと以外は、実施例２０と同様に光触媒層付ガラス基板を得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図７に示す。

［比較例１２…光触媒：プラズマＷＯ_３，助触媒…なし］
ＣｅＯ_２を用いなかったこと以外は、実施例２０と同様に光触媒層付ガラス基板を得た。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
その後、実施例１０と同様の条件でテドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド濃度を測定し、経時的なアセトアルデヒド残存率を算出した。その結果を図７に示す。

なお、実施例２０〜２３は、光触媒と助触媒の屈折率差（絶対値）が、全て０〜０．３５の範囲内にあった。

［評価３］
図７に示すように、光触媒としてＷＯ_３を用い、助触媒としてＣｅＯ_２を用いた光触媒層は、光照射１時間後における光触媒活性が最も高い。即ち、助触媒としてＣｅＯ_２を用いた光触媒層を有する有機ＥＬデバイスは、他の助触媒を用いた光触媒層に比して、短時間で有機性汚染物質を分解することができる。

［比較例１３…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｕＯ］
１３０ｍｇの粒子状のＣｕＯを０．６ｇのＲＯ水に分散させ、５分間均質化を行った。得られた化合物を実施例１と同様にＷＯ_３とモル比１：１で混ぜ合わせ分散液を作製した。その後、エタノールで綺麗に拭き取られたペトリ皿表面を、コロナ装置によってイオン化（１〜２分）し、イオン化したペトリ皿表面に分散液を注いだ。分散液が均一に分散するようペトリ皿を回しつつ１２０℃で加熱し、ペトリ皿の上に光触媒層を形成した。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。
光触媒層付ペトリ皿を実施例１０と同様にキセノンランプを照射し、テドラーバッグに入れ、光照射から５時間後におけるアセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。

［比較例１４…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＭｏＯ_３］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＭｏＯ_３を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［比較例１５…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｍｎ_２Ｏ_３］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＭｎ_２Ｏ_３を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［比較例１６…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｙ_２Ｏ_３］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＹ_２Ｏ_３を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［比較例１７…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｇｄ_２Ｏ_３］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＧｄ_２Ｏ_３を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２４…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｎｂ_２Ｏ_５］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＮｂ_２Ｏ_５を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２５…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…Ｔａ_２Ｏ_５］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＴａ_２Ｏ_５を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２６…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ルチル型及びアナターゼ型ＴｉＯ_２混合物］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のルチル型及びアナターゼ型ＴｉＯ_２混合物を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２７…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇのＣｅＯ_２（日本化学工業（株）製）を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２８…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のＣｅＯ_２（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ製）を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例２９…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２］
ＣｕＯの代わりにプラズマ合成法によって得られた１３０ｍｇの粒子状のＣｅＯ_２（プラズマＣｅＯ_２）を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例３０…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…アナターゼ型ＴｉＯ_２］
ＣｕＯの代わりに１３０ｍｇの粒子状のアナターゼ型ＴｉＯ_２を用いたこと以外は比較例１３と同様にペトリ皿上に光触媒層を形成し、アセトアルデヒドの濃度を測定し、アセトアルデヒドの分解率を算出した。その結果を図８に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

なお、実施例２４〜３０は、光触媒と助触媒の屈折率差（絶対値）が、全て０〜０．３５の範囲内にあった。

［実施例３１…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（７．５モル％）］
実施例４で作製した塗布液をガラス基板（縦７５ｍｍ×横５０ｍｍ）上にスピンコータを用いて１２００ｒｐｍの回転速度で４０秒間塗布した。塗布液が積層されたガラス基板を、１２０℃で２分間加熱することで光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に７．５モル％含んでいた。
その後、実施例１０と同様の条件で光触媒層付ガラス基板のアセトアルデヒド濃度を測定し、テドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド分解率の経時的変化を表にプロットした。その結果を図９に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例３２…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（５．０モル％）］
実施例３で作製した塗布液を用いたこと以外は実施例３１と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に５モル％含んでいた。
その後、実施例１０と同様の条件で光触媒層付ガラス基板のアセトアルデヒド濃度を測定し、テドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド分解率の経時的変化を表にプロットした。その結果を図９に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［実施例３３…光触媒：ＷＯ_３，助触媒…ＣｅＯ_２：Ｓｎ（２．５モル％）］
実施例２で作製した塗布液を用いたこと以外は実施例３１と同様に光触媒層付ガラス基板を作製した。なお、光触媒層に含まれるＣｅＯ_２はスズ（Ｓｎ）をその分子内に２．５モル％含んでいた。
その後、実施例１０と同様の条件で光触媒層付ガラス基板のアセトアルデヒド濃度を測定し、テドラーバッグ中におけるアセトアルデヒド分解率の経時的変化を表にプロットした。その結果を図９に示す。なお、光触媒層の厚みは、０．２μｍであった。

［評価４］
図９に示すように、助触媒としてスズ（Ｓｎ）をドーピングしたＣｅＯ_２を用いた光触媒層は、非常に光触媒活性が高いことが分かる。特に、スズ（Ｓｎ）が助触媒の分子内に２．５モル％含まれていれば、光照射から０．５時間で殆ど（９０％以上）のアセトアルデヒドを分解することができることが分かる。

本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。
なお、本出願は、２０１３年７月９日付けで出願された日本特許出願（特願２０１３−１４３５８４）に基づいており、その全体が引用により援用される。

本発明の有機ＥＬデバイスは、例えば、室内又は冷蔵庫の照明などに利用できる。

１…有機ＥＬデバイス、２…基板、３…有機ＥＬ素子、３１…第１導電層、３２…有機ＥＬ層、３３…第２導電層、３４…発光領域、３５…絶縁層、４…光触媒層、４１…光触媒、４２…助触媒

Claims (9)

1. 基板と、有機エレクトロルミネッセンス素子と、光触媒層と、を含み、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記基板上に設けられた第１導電層と、前記第１導電層上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第２導電層と、を含み、
   前記光触媒層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域の一部又は全部を覆っており、且つ、光触媒と助触媒とを含み、
   波長５８９ｎｍにおける前記光触媒の屈折率（Ｒ１）と前記助触媒の屈折率（Ｒ２）の差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、０〜０．３５であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
2. 前記光触媒層が、可視光において光触媒活性を示す請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
3. 前記光触媒が、酸化タングステンを含み、前記助触媒が、酸化セリウムを含む請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
4. 前記酸化タングステンが、酸化タングステン（ＶＩ）であり、前記酸化セリウムが酸化セリウム（ＩＶ）である請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
5. 前記酸化セリウムが、ドーピング型助触媒であり、その分子内にスズ（Ｓｎ）がドーピングされている請求項３又は４に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
6. 前記光触媒が酸化チタン（ＩＶ）を含み、かつ、前記助触媒が酸化銅（Ｉ）及び／又は酸化銅（ＩＩ）を含んでおり、前記助触媒は前記光触媒に担持されている請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
7. 前記光触媒層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられており、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、トップエミッション型である請求項１〜６の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
8. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記第２導電層上に透光性を有する絶縁層をさらに含み、前記光触媒層が、前記絶縁層の上に設けられている請求項１〜７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
9. 請求項１〜８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む冷蔵庫。

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