TWI484863B - 發光裝置及電子機器 - Google Patents

發光裝置及電子機器 Download PDF

Info

Publication number
TWI484863B
TWI484863B TW097104665A TW97104665A TWI484863B TW I484863 B TWI484863 B TW I484863B TW 097104665 A TW097104665 A TW 097104665A TW 97104665 A TW97104665 A TW 97104665A TW I484863 B TWI484863 B TW I484863B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
light
substrate
emitting device
range
Prior art date
Application number
TW097104665A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200847848A (en
Inventor
Takehiko Kubota
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of TW200847848A publication Critical patent/TW200847848A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI484863B publication Critical patent/TWI484863B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

發光裝置及電子機器
本發明乃有關利用有機EL(電激發光)元件等之發光元件之發光裝置。
於基板上的有效範圍，配列複數的發光元件，於包圍有效範圍之周邊範圍，配置各種配線等之發光裝置。各發光元件係具有以挾持於第1電極和第2電極間之有機EL材料等的發光材料所形成之發光層。多半，此第2電極係共通於複數的發光元件而設置之共通電極，於上述有效範圍整體加以設置。但是，較具有電極本身之阻抗，在於電極的面內，產生電壓下降，經由基板之位置，供給於發光元件之電位則不均，恐發光元件亮度會由於位置而有不均之問題。於此，在於以往，設置較共通電極低阻抗的材料加以形成，與共通電極電性連接之補助電極，使共通電極的阻抗下降(例如，專利文獻1)。
[專利文獻]日本特開2002－352963號公報
但是，補助電極係例如以鋁膜等遮光性構件加以形成的情形為多。為此，為不遮蔽由發光元件射出的光線，期望通過發光元件的間隙的範圍而形成，並期望使用高精度 位置機構加以形成。對此，共通電極係以光透過性的材料而形成，於被覆有效範圍整體之範圍一樣地形成。因此，與補助電極相較，可得定位之容許誤差。因此，相較補助電極，共通電極定位的誤差會成為問題。因此，為可吸收共通電極的誤差，於基板上，期望有充分確保周邊範圍寬度(即邊框範圍)，而阻礙裝置之小型化。
又，為控制發光元件的發光之電晶體等的電路元件，係配置於共通電極或補助電極的下層。為此，於共通電極及補助電極間，設置絕緣層，使共通電極及補助電極由電路元件被絕緣。但是，絕緣層包含階差時，在與該階差重疊上層的部分，於電極恐有產生斷線或龜裂之虞。產生斷線或龜裂處因會增加電極的阻抗值之故，發光元件的亮度會變得不均。
本發明係鑑於上述事情而成者，可縮小發光裝置邊框範圍之同時，提供可抑制發光元件的亮度不均之發光裝置為解決課題。
為解決上述課題，本發明的第1發光裝置，係於在基板上，具有排列複數之發光元件之有效範圍與包圍該有效範圍之周邊範圍，前述各發光元件乃具有在於第1電極與第2電極兩者間之發光層，前述第2電極乃共通設於前述複數之發光元件，具有為控制前述發光元件之發光的電路元件的元件層之發光層，其特徵乃具有：與前述第2電極 電性連接之補助電極，和配置於前述元件層之上層的同時，具有較前述第2電極及前述補助電極配置於下層之部分，為使前述第2電極及前述補助電極，自前述電路元件加以絕緣的絕緣層，前述第2電極乃被覆前述有效範圍，溢出於前述周邊範圍，一形式地加以形成，前述補助電極乃於前述有效範圍，通過前述複數之發光元件之間隙，形成於前述周邊範圍之一部分，於前述周邊範圍中，前述第2電極之端乃在於前述基板之面內，較前述補助電極之端及前述絕緣層之端更位於內側者。
於本發明的發光裝置中，補助電極之端係相較共通電極之端配置於外側。又，補助電極係於有效範圍中，通過發光元件的間隙加以形成。為此，期望使用高精度的定位機構加以形成。對此，共通電極係於被覆有效範圍整體之範圍，一樣地形成之故，共通電極形成時，定位精度無需如補助電極。即，補助電極係較共通電極為小之誤差形成之情形為多。因此，根據本發明，與使共通電極之端較補助電極之端，配置於外側之構成相較，對應補助電極的誤差，可縮小邊框範圍，可進行裝置的小型化。然後，補助電極乃較第2電極阻抗為低地加以構成。尤其，補助電極乃較第2電極以低阻抗材料形成者佳。
更且，於本發明的發光裝置中，共通電極之端係較絕緣層之端配置於內側。絕緣層係例如電路階差平坦化膜，為平坦化下層凸凹加厚形成的情形為多。因此，絕緣層之端係成為大的階差。對此，共通電極係以脆的材料形成， 或形成較薄之情形為多，會有由於絕緣層之端的階差影響，於共通電極產生斷線或龜裂之情形。但是，於本發明，共通電極之端係較絕緣層之端配置於內側之故，可防止共通電極斷線或龜裂。因此，可防範斷線或龜裂所造成阻抗值的增加於未然。因此，可抑制發光元件的亮度不均。於本發明較佳的形態，前述第2電極乃配置於前述補助電極的下層為佳。根據此形態，可由外氣保護第2電極。
更且，本發明之第2發光裝置，係屬於在於基板上，具有排列複數之發光元件之有效範圍與包圍該有效範圍之周邊範圍的發光裝置，其中，對應於各前述複數之發光元件而設置之複數之第1電極，和共通設於前述複數之發光元件之第2電極，介入存在於前述複數之第1電極與前述第2電極之發光層，與前述第2電極電性連接之補助電極，和配置為控制前述發光元件之發光電路元件之元件層，和絕緣前述第2電極或前述補助配線與前述元件層間之絕緣層，前述第2電極乃設於包含前述有效範圍整體與前述周邊範圍之至少一部分之第1之範圍，前述絕緣層乃在於前述有效範圍整體，與前述第1之範圍重疊，於前述周邊範圍，較前述第1之範圍，向第1之方向溢出之第2之範圍，前述補助電極乃於前述有效範圍，通過前述複數之發光元件之間隙地加以設置，且前述周邊範圍中，在於前述第1之範圍之內側與前述第1之範圍之外側，且通過是為前述第2之範圍之內側的範圍，到達前述第2之範圍 之外側地加以設置者。
於上述第2發光裝置中，補助電極係較設置共通電極之第1範圍設置於外側的範圍。因此，補助電極之端係相較共通電極之端則配置於外側。又，補助電極係於有效範圍中，通過發光元件的間隙加以形成之故，補助電極的形成中，則使用高精度的定位機構。對此，共通電極係於被覆有效範圍整體之範圍，一形式地加以形成之故，共通電極形成時，定位精度無需如補助電極。因此，補助電極的誤差係較共通電極為小之故，根據本發明，與共通電極之端較補助電極之端，配置於外側構成相較，對應補助電極的誤差，而可縮小邊框範圍，可進行裝置的小型化。
更且，於上述第2發光裝置中，設置共通電極之第1範圍較設置絕緣層之第2範圍配置於內側。因此，於絕緣層之端與共通電極重疊的部分中，可防範共通電極之斷線或龜裂所造成阻抗值的增加於未然。因此，可抑制發光元件的亮度不均。
於上述第2發光裝置較佳的形態中，前述複數之發光元件乃排列呈矩陣狀，前述補助電極乃具有通過前述複數之發光元件之間隙，且從前述有效範圍之內側到達外側地，沿第1之方向，設呈條紋狀之複數之個別電極。較佳地，前述補助電極於前述周邊範圍，更具有相互連接前述複數之個別電極之連接電極者。此時，前述絕緣層之前述第1之方向之端乃與前述連接電極重疊地，配置前述連接電極者。
於上述第2發光裝置另外較佳的形態中，前述複數之發光元件乃排列呈矩陣狀，前述補助電極乃通過前述複數之發光元件之間隙，且從前述有效範圍之內側到達前述第2之範圍之外側地，沿前述第1之方向，設呈條紋狀之複數之個別電極。
又，對於上述第2發光裝置，於上述任一形態中，於前述第2電極，為供給電位之第2電極用電源線，則與前述第1之方向交叉地，設置於前述周邊範圍，前述第2電極用電源線乃與前述補助電極電性連接者。此時，較佳地，前述第2電極用電源線乃設於前述第1之範圍之外側者。
更且，本發明係亦可作為具有上述任一形態的第1或第2發光裝置之電子機器。根據此電子機器，可達成上述任一效果。
以下，參照附加圖面，說明關於本發明之實施形態。然而，於圖面中，使各部之尺寸比率與實際者適切變更而說明。
<A－1：第1實施例形態>
圖1(A)係顯示關於本發明第1實施形態之發光裝置1的構成一部分概略平面圖，圖1(B)係於圖1(A)的狀態後，更加形成補助電極150及畫素電極76狀態之平面圖。如圖1(A)所示，此發光裝置1係具備基板10及可撓 性配線基板20。基板10的端部中，形成連接端子，形成於此連接端子和可撓性配線基板20之連接端子則藉由含有稱為ACF(anisotropic conductive film：向異性導電膜)之導電粒子之薄膜狀黏著劑加以壓著固定。又，可撓性配線基板20中，設置資料線驅動電路200，更且，藉由可撓性配線基板20，各種電源電壓則供給於基板10。
基板10中，設置有效範圍A和該外側(即，基板或基板10外周的有效範圍A間)的周邊範圍B。周邊範圍B中，形成掃描線驅動電路100A及100B，以及預充電電路120。預充電電路120係於寫入動作之前，將資料線112的電位設定在特定的電位電路。掃描線驅動電路100A及100B，預充電電路120係有效範圍A的周邊之周邊電路。但是，周邊電路可含有檢查單位電路P或配線良窳之檢查電路(未圖示)，資料線驅動電路200為設置於周邊範圍B之周邊電路亦可。
有效範圍A中，形成複數掃描線111和複數資料線112，於此等交叉點各附近中，設置複數單位電路(畫素電路)P。單位電路P係含有OLED(organic light emitting diode)元件，由電流供給線113接受供電。複數電流供給線113係連接於第1電極用電源線130。
圖2乃顯示發光裝置1的單位電路P之詳細電路圖。各單位電路P係含有n通道型電晶體68，p通道型電晶體60，電容元件69，及發光元件(OLED元件)70。p通道型電晶體60之源極電極乃連接於電流供給線113，另一方 面該汲極電極乃連接於發光元件70之陽極。又，於電晶體60之源極電極和閘極電極間，設置電容元件69。n通道型電晶體68之閘極電極乃連接於掃描線111，該源極電極乃連接於資料線112，該汲極電極乃與電晶體60之閘極電極連接。
單位電路P係使對應於該單位電路之掃描線111，藉由掃描線驅動電路100A及100B加以選擇時，電晶體68則開啟將藉由資料線112所供給資料訊號保持於內部的電容元件69。然後，電晶體60對應資料訊號位準電流，供給於發光元件70。由此，發光元件70係以對應資料訊號位準亮度而發光。
又，如圖1(A)所示，周邊範圍B的外周部側(即基板或基板10外周和周邊範圍B間)中，形成ㄈ字狀的第2電極用電源線140。第2電極用電源線140係如後述，於發光元件的陰極(第2電極)供給電源電壓(此例中，Vss：接地線)之配線。然而，代替第2電極用電源線140配設呈ㄈ字狀(即，沿著基板10的3邊)，沿著基板10對向的2邊加以設置形態亦可。即，圖示例中，沿著各掃描線驅動電路100A及100B加以配設亦可。
發光元件70係具有挾持畫素電極76(陽極)和共通電極72(陰極)間之發光機能層(含有發光層)74(參照圖4)。共通電極72係形成於跨有如圖1(B)所示有效範圍A整體和周邊範圍B一部份範圍(第1範圍)。又，連接共通電極72和第2電極用電源線140之補助電極150，於周邊範圍 B，被覆周邊電路地加以形成。補助電極150係包含設置於有效範圍A之補助電極的第1部分150a和設置於周邊範圍B之補助電極的第2部分150b。有效範圍A中，不接觸補助電極150的第1部分150a和畫素電極76地，補助電極150的第1部分150a乃形成於格子狀。即，於發光元件70的間隙，配置補助電極150的第1部分150a。本說明書所謂補助電極，重疊於共通電極72加以電性連接，使共通電極72的阻阬下降之導體。為更明確，圖3顯示擴大圖1(B)的一部分。
此實施形態的發光裝置1係以頂發射之形式構成，由發光機能層74的光，則通過共通電極72射出。共通電極72乃由透明材料所形成。為此，周邊範圍B無法經由共通電極72遮光。另一方面，上述補助電極150中，使用具有導電性及遮光性金屬之故，可經由補助電極150遮光。由此，於周邊電路入射光線，可抑制發生光電流。又，補助電極150係可以有效範圍A的畫素電極76同一工程加以形成獲得。因此，於周邊範圍B，無需為附加遮光性，加上特別的工程。
圖4乃顯示發光裝置1的部分截面圖。於同圖中，有效範圍A中，形成發光元件70，另一方面，於周邊範圍B中，形成周邊電路之掃描線驅動電路100A。於同圖中，發光裝置1的上面，成為射出光線之射出面。如同圖所示，於基板10上，形成基材保護層31，於其上，形成電晶體40，50及60。電晶體40係為n通道型、電晶體 50及60係p通道型。電晶體40，50係掃描線驅動電路100A的一部分，電晶體60和發光元件70係單位電路P的一部份。
電晶體40、50及60係設於形成於基板10的表面氧化矽為主體之基材保護層31上。基材保護層31上層中，形成矽層401、501及601。被覆矽層401、501及601地，閘極絕緣層32則設置於基材保護層31的上層。閘極絕緣層32係例如由氧化矽所成。閘極絕緣層32的上面中，對向於矽層401、501及601部分，設置閘極電極42、52及62。於電晶體40，藉由閘極電極42，於矽層401中，摻雜V族元素，形成汲極範圍40c及源極範圍40a。於此，未摻雜V族元素範圍，成為通道範圍40b。
於電晶體50及60，藉由閘極電極52及62，於矽層501及601中，藉由閘極電極52及62，摻雜III族元素，形成汲極範圍50a及60a，以及源極範圍50c及60c。於此，未摻雜III族元素範圍，成為通道範圍50b及60b。然而，形成電晶體40、50及60的閘極電極42、52及62之同時，形成掃描線111。
第1層間絕緣層33，則被覆閘極電極42、52及62，而形成於閘極絕緣層32的上層。第1層間絕緣層33的材料中，使用氧化矽等。更且，源極電極41、51及63、汲極、源極電極43，以及汲極電極61則在於閘極絕緣層32及第1層間絕緣層33，藉由開孔連接孔，與矽層401、501及601連接。又，以與此等電極同一工程，形成第2 電極用電源線140、資料線112及電流供給線113。此等電極及第2電極用電源線140等乃以具有導電性鋁等之材料形成。
電路保護膜34被覆源極電極41、51及63，汲極、源極電極43、汲極電極61、以及第2電極用電源線140地，設置於第1層間絕緣層33的上層。電路保護膜34係例如由氮化矽或氧化矽等氣體透過率低的材料所形成。又，此等氮化矽或氮氧化矽可為非晶質材料，包含氫亦可。經由電路保護膜34，可防止電晶體40、50、及60等之氫的脫離。然而，將電路保護膜34形成於源極電極或汲極電極下亦可。
第2層間絕緣膜35係設置於電路保護膜34的上層。於此，第2層間絕緣膜係設置於源極電極41、51及63，汲極、源極電極43、汲極電極61、以及第2電極用電源線140，和後述畫素電極76、補助電極150或共通電極72間，此等則達到絕緣效果。此時，不使供給於掃描線或訊號線之訊號延遲，設定膜厚。然而，第2層間絕緣膜35係較對向電路保護膜34之下面凹凸，使與電路保護膜34相反上面的凹凸為小者為佳。即，為平坦化電晶體40，50，60掃描線111，資料線112，電流供給線113等所產生凹凸，使用第2層間絕緣膜35。此第2層間絕緣膜35係在有效範圍A整體與上述第1範圍重疊(形成共通電極72之範圍)，在周邊範圍B，較第1範圍，設置於向第1方向溢出之第2範圍。更詳細而言，於本實施形態， 於配設基板10的4邊中之第2電極用電源線140之左右兩邊及上邊之至少3邊側，第2範圍較第1範圍，向基板10面內之外側方向突出。
第2層間絕緣層35的材料中，例如使用丙烯酸系、聚醯亞胺系的有機高分子材料。此時，於有機樹脂混合為圖案化的感光性材料，與光阻膜相同進行曝光而圖案化。或者，由氧化矽、氮氧化矽等無機材料經由化學氣相成長法(chemical vapor deposition：CVD)形成第2層間絕緣膜35，經由蝕刻法等，平坦化該上面亦可。無機材料係經由化學氣相成長法形成膜時，該膜厚係1μm以下，且幾近一樣之故，相較於上面容易接受下層凹凸的影響，有機樹脂係經由塗佈形成之故，該膜厚可大於2~3μm程度，且，該上面係難以受下層凹凸的影響之故，而適於做為第2層間絕緣膜35的材料。尤其，容許某種程度的凹凸的話，可將氧化矽，氧氮化矽等無機材料適用於第2層間絕緣膜35。如以上所述，第2層間絕緣膜係必需特定的膜厚之故，於周邊範圍會發生階差。
於第2層間絕緣膜35上，於有效範圍A形成畫素電極76(第1電極)及補助電極的第1部分150a之同時，於周邊範圍B，形成補助電極的第2部分150b。即，畫素電極76和補助電極150係於同一層，使用同一材料，同時形成。此實施形態之畫素電極76係發光元件70的陽極，於每一發光元件70相互隔離形成，藉由貫通第2層間絕緣膜35及電路保護膜34之連接孔，與電晶體60的汲極 電極61連接。又，做為陽極之畫素電極76的材料，期望為工作函數大的材料，例如，適合為鎳、金、白金等或此等合金。此等的材料係具有反射性之故，將發光機能層74所發光之光線朝向共通電極72反射。此時，補助電極150亦由此等材料形成。
又，作為畫素電極76，包含具備工作函數高之如ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、或ZnO2 之氧化導電材料所成光透過性、導電性之第1層，和反射性的金屬，例如包含由鋁膜所成第2層，於發光機能層側設置第1層而構成亦可。此時，補助電極150係可具有第1層和第2層兩方，具有此等任一層亦可。
補助電極150係於有效範圍A，通過複數的發光元件70的間隙而形成呈格子狀(第1部分150a)，於周邊範圍，形成第2層間絕緣膜35之第2範圍，則在較形成共通電極72之第1範圍溢出側(本實施形態中，基板10的左右兩邊及上邊側)，通過第1範圍的內側和第1範圍的外側中且第2範圍的內側範圍，到達第2範圍的外側而形成(第2部分150b)。補助電極150係於周邊範圍B，藉由形成電路保護膜34之連接孔，與第2電極用電源線140連接。如圖所示，於第2電極用電源線140上，未形成第2層間絕緣膜35，僅於電路保護膜34形成連接孔，可將補助電極150的第2部分150b直接接觸於第2電極用電源線140。
接著，形成間隔壁37。間隔壁37係將各畫素電極76 的外形緣經由間隔壁37加以被覆形成而具有開口部37a。因此，開口部37a的各整體係重疊於畫素電極76，在形成發光機能層74的前階段中，通過開口部37a，露出畫素電極76。間隔壁37係絕緣畫素電極76與之後形成之共通電極72(第2電極)間，或絕緣複數的畫素電極76之間。經由設置間隔壁37，可獨立控制各畫素電極76，可將複數的發光元件以各個特定的亮度發光。即，間隔壁37係分割複數的發光元件。例如，丙烯酸或聚醯亞胺等為間隔壁37的絕緣性材料。此時，混合為了圖案化的感光性材料，與光阻膜相同以曝光加以圖案化。間隔壁37中同時形成連接孔CH。於有效範圍A中，藉由此連接孔CH，連接與補助電極150的第1部分150a與後述之共通電極72。又，於周邊範圍B之補助電極150的第2部分150b上，未設置與間隔壁37之同一層。
接著，於畫素電極76上，至少形成包含發光層之發光機能層74。發光層中使用有機EL物質。有機EL物質可為低分子材料，亦可為高分子材料。作為構成發光機能層74之其他層，具備正孔植入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子植入層、正孔阻隔層、及電子阻隔層的一部分或全部亦可。
接著，在於有效範圍A及周邊範圍B，被覆補助電極150及發光機能層74，而形成共通電極72(第2電極)。共通電極72為透光性，由發光元件70的光線係透過共通電極72，向圖中上側的方向射出。為了將此實施形態之共 通電極72做為所有發光元件70的陰極加以工作，使共通電極72容易注入電子地，經由工作函數低的材料加以形成。例如鋁、鈣、鎂、或鋰金屬或此等之金屬化合物。又，此合金係期望使用工作函數低的材料和安定化該材料之材料。例如，鎂和銀合金為適切者。將此等金屬或合金使用於共通電極72時，為獲得透光性，縮小厚度即可。
又，共通電極72(第2電極)，包含上述工作函數低之材料，或工作函數低之材料和安定化該材料所成第1層，和如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、或ZnO2 之氧化導電材料所成光透過性、導電性之第2層；於發光機能層側設置第1層而構成亦可。如ITO、IZO、或ZnO2 的氧化導電材料係緊密的素材，氣體透過率為低。於如此的材料，形成共通電極72時，共通電極72為在於有效範圍A及周邊範圍B加以形成之故，可使有效範圍A的單位電路P及周邊範圍B的周邊電路由外氣保護，而抑制此等劣化。如此，共通電極72(第2電極)為包含上述第2層之構成時，與構成第1層材料相比，光透過性、導電性為優之故，可大幅減低共通電極72的電源阻抗之同時，可提升由發光機能層的光取出效率。又，共通電極72(第2電極)經由包含由工作函數低的材料和安定化該材料所成第1層，和由上述氧化導電材料所成第2層而構成，使第1層和第2層反應，可防止電子植入效率劣化。
又，在形成共通電極72之前，於間隔壁37，形成連接孔CH。藉由此連接孔CH，於有效範圍A，連接補助電 極的第1部分150a與共通電極72。於有效範圍A，於形成呈格子狀之補助電極的第1部分150a(參照圖1(B))，經由連接共通電極72，可大幅減低共通電極72的電源阻抗。除此之外，補助電極的第2部分150b，係於周邊範圍B，不經由間隔壁37被覆之故，與共通電極72在廣面積面接觸之故，可降低接續阻阬。因此，可大幅減低電源阻抗。
接著，被覆共通電極72及補助電極150，形成封閉膜80。封閉膜80中，例如，使用透明度高、防濕性良好的氧氮化矽、氧化矽等氣體透過率低的無機材料。此封閉膜80係被覆周邊電路(具有電晶體40，50之掃描線驅動電路100A、100B及預充電電路120)的範圍整體。惟，基板10的外端緣中，不形成封閉膜80，於此外端緣中，於電路保護膜34上，接合密封材90，於該上部，接合透明封閉基板(對向基板)110。密封材90係例如可為黏著劑，亦可將為保持對向基板110之間隔物以黏著劑加以黏合。
圖5乃圖4之範圍C的簡略截面圖。即，周邊範圍B中，較掃描線驅動電路100一部分之電晶體40，50為外側之端部的截面圖。為方便說明，將如圖4所示基材保護層31，閘極絕緣層32，第1層間絕緣層33，電路保護膜34及顯示挾於此等各層之電晶體40、50及60的各電極，於圖5中做為元件層30加以整體顯示。於此元件層30內的上層部中，形成第2電極用電源線140，如上述，第2電極用電源線140的上面，係做為上層的電極和接點 範圍加以工作。圖4中，除了元件層30及第2電極用電源線140之外，顯示第2層間絕緣膜35、補助電極150、共通電極72、封閉膜80、密封材90及對向基板110。以下，參照此圖，對於各層的相對位置關係，詳細加以說明。
然而，如上述，第2層間絕緣膜35係將經由配置於下層之電晶體或配線等所產生之凹凸，為平坦化而使用。另外，第2層間絕緣膜35係具有以丙烯酸系、聚醯亞胺系絕緣性有機高分子材料等形成之故，具有自配置於元件層30內之電晶體40、50、60等電路元件，絕緣陽極76、共通電極72、補助電極150等電極之機能。即，做為自控制發光元件的發光之電路元件絕緣各電極之絕緣層加以工作。
如圖5所示，包含第2電極用電源線140之元件層30的上層中，形成第2層間絕緣膜35，第2層間絕緣膜35之端E2係較第2電極用電源線140的接點範圍的內側之端E3更為內側。挾持於第2層間絕緣膜35上面，和挾於元件層30上面中的第2層間絕緣膜35之端E2和端E3範圍及接點範圍中，形成補助電極150的第2部分150b(以下，單稱為「補助電極150」)。由此，補助電極150係與第2電極用電源線140連接重疊，與第2電極用電源線140電性連接。於圖示的例子中，補助電極150之端E4係與接點範圍外側之端一致，但未必需一致，只要補助電極150被覆接點範圍加以形成即可。即，補助電極 之端E4係於較接點範圍外側之端更為外側而構成亦可。
然而，本說明書中，「內側」「外側」係顯示將基板10之端E5作為基準之時之基板面內之相對位置。因此，例如，「端E1係較(略)端E2為內側」端E1和基板10之端E5的距離，係顯示較端E2和端E5的距離為長。
於補助電極150上，形成共通電極72。共通電極72之端E2係較第1層間絕緣膜35之端El外側。又，補助電極150之端E4較共通電極72之端E1位於外側地加以形成。然而，如上述，補助電極150係與畫素電極76同時形成，其次，依序形成問隔壁37、發光機能層74之後，被覆間隔壁37及發光機能層74，形成共通電極72。
如上述，補助電極150中，使用具有導電性及遮光性之金屬。為此，有效範圍A中，使補助電極150和畫素電極76不重疊，補助電極150的第1部分150a乃形成呈格子狀。即，於有效範圍A中，使不遮斷由發光元件70的射出光線，僅於發光元件70的間隙，配置補助電極150的第1部分150a。發光元件70係以彼此微小的間隔加以配置之故，補助電極150係使用高精度的對準機構加以形成為佳。對此，共通電極72係由透明材料形成之故，於有效範圍A，被覆發光元件70地，於有效範圍A內同樣地加以形成。為此，共通電極72係使用較使用於補助電極150的形成對準機構精度為低者亦可形成。但是，使用精度低對準機構，形成共通電極72時，恐有共通電極72之端E1的位置變動之虞。
在此，令共通電極72之端E1的位置誤差範圍為t1，令補助電極150之端E4的位置誤差範圍為t2。對於補助電極150，使用精度更高對準機構時，則成為t1>t2。又，將具有補助電極150形成所需程度精度之單一對準機構，對於補助電極和共通電極72的雙方使用時，大約成為t1＝t2。因此，補助電極150的誤差t2較共通電極72的誤差變大的可能性為低，相反地，於後者時，即使成為t1<t2，使用高精度的對準機構之故，t1的誤差不會成為大大問題。在此，於本實施形態中，補助電極150之端E4較共通電極72之端E1位於外側地加以構成。根據此構成，補助電極150的誤差考量在基板10端E5側，成為最大位置E4max(端E4亦接近於基板10之端E5側時的位置)至端E5的距離，而決定周邊範圍B的寬度(即，可決定「邊框範圍」)。因此，將容許更大的誤差之共通電極72之端E1與較補助電極150之端E4配置於外側相比，可縮小邊框範圍。即，使用於共通電極72形成對準機構的精度，可減低賦予邊框範圍寬度的影響。然而，使共通電極72的誤差於基板10之端E5側成為最大之位置E1max，較在補助電極150的誤差於基板10端E5側成為最大位置E4max為內側，而訂定端E2及端E4的基準位置(無誤差時的位置)為佳。
於圖6，做為比較例，顯示共通電極72重疊於第2層間絕緣膜35之端E2而形成的情形。如圖6所示，於此比較例，共通電極72之端E1係較第2層間絕緣膜35之 端E2配置於外側。如上所述，第2層間絕緣膜35係為平坦化下層凸凹而加厚形成的情形為多。因此，第2層間絕緣膜35之端E2係成為大的階差。對此，共通電極72係例如以ITO等薄膜材料形成。為此，於示於比較例構成中，由於第2層間絕緣膜35之端E2的階差影響，於共通電極72，產生圖6所示龜裂I。產生龜裂I時，在龜裂部分阻抗值會增加之故，產生龜裂I部分與未產生龜裂I部分，流入電流值會有不同，電壓下降量則有所不同。但是，於本實施形態，共通電極72之端E1係較第2層間絕緣膜35層之端E2配置於內側之故，可防止共通電極72斷線或龜裂。因此，可防範斷線或龜裂所造成阻抗值的增加於未然。因此，可抑制發光元件70的亮度不均。
<A－2：第1實施例形態的變形例>
上述實施形態中，雖對於補助電極150和畫素電極76同時形成時的構成加以說明，不與畫素電極76同時形成，在間隔壁37後的工程，形成補助電極150亦可。
圖7係關於本變形例之發光裝置1A的部分截面圖。如圖7所示，於發光裝置1A中，被覆第2層間絕緣膜35及間隔壁37，形成補助電極150(150a，150b)。上述實施形態中，如圖4所示，補助電極150係具有形成第2層間絕緣膜35和間隔壁37上之部分。對此，此變形例中，有間隔壁37部分中，於問隔壁37上形成補助電極150。於此，間隔壁37係與第2層間絕緣膜35相同，令共通電極72或補助電極150做為由電晶體40，50，60分離之絕緣 層加以工作。又，與上述第1實施形態相同，補助電極150之端E4係與第2電極用電源線140重疊，共通電極72之端E1較補助電極150之端E4為內側，且，形成於第2層間絕緣膜35之端E2的內側。
發光裝置1A的製造工程概略係如以下所述。形成第2層間絕緣膜35後，於第2層間絕緣膜35的上層，形成畫素電極76。之後，於畫素電極76的上層，形成間隔壁37，於去除第2層間絕緣膜35及間隔壁37上的開口部37a之表面，形成補助電極150。接著，於以間隔壁37分隔之畫素電極76上的空間(即，開口部37a)，形成發光機能層74。然而，相反地，形成發光機能層74後，形成補助電極150亦可。更且，將具有透明性的共通電極72，於有效範圍A及周邊範圍B加以形成。之後，於共通電極72上，形成封閉膜80。但是，於基板10的外端緣，未形成封閉膜80，於此外端緣中，於電路保護膜34上，接合密封材90，於該上部，接合透明封閉基板110。
形成補助電極150後，有形成發光機能層74的話，在形成補助電極150的時點，未形成發光機能層74之故，於補助電極150的形成，使用微縮術，亦不會有劣化發光機能層74之虞。因此，經由微縮術可形成補助電極150的圖案，以與電晶體40、50、60或掃描線111等的配線同樣的精度，可形成補助電極150。另一方面，形成發光機能層74後，形成補助電極150的話，有補助電極150不會污染發光材料，可連接補助電極150和共通電極 72的優點。
更且，本變形例中，於補助電極150的上層，形成共通電極72之故，形成較共通電極72為厚之補助電極150，亦不會對共通電極72產生應力。因此，可抑制由上層應力所造成共通電極72的變形。
<B：第2實施例形態>
接著，對於關於本發明之第2實施形態之發光裝置加以說明。圖8係關於本實施形態之發光裝置2A的部分截面圖。如圖8所示，補助電極150係於共通電極72上，呈面接觸地加以形成，被覆補助電極150及共通電極72地，形成封閉膜80。發光裝置2A係除了共通電極72形成於補助電極150下層部分之外，與第1實施形態的發光裝置1A(圖7)相同。因此，適宜省略該說明。
與上述發光裝置1A相同，本實施形態中，有間隔壁37之部分中，於間隔壁37之更上層形成補助電極150。因此，間隔壁37係與第2層間絕緣膜35相同，將共通電極72或補助電極150做為由電晶體40，50，60分離之絕緣層加以工作。
發光裝置2A的製造工程概略係如以下所述。形成第2層間絕緣膜35後，於第2層間絕緣膜35的上層，形成畫素電極76。之後，於畫素電極76的上層，形成間隔壁37，於以間隔壁37分隔之畫素電極76上的空間(即，開口部37a)，形成發光機能層74。更且，令透明的共通電極72，在有效範圍A及周邊範圍B加以形成。之後，於 排除共通電極72上的開口部37a的上層之範圍，形成補助電極150，形成封閉膜80。但是，於基板10的外端緣，未形成封閉膜80，於此外端緣中，於電路保護膜34上，接合密封材90，於該上部，接合透明封閉基板110。
圖9乃顯示圖8之範圍F的部分簡略截面圖。如圖8及圖9所示，於發光裝置2A中，藉由掃描線驅動電路100的一部份之電晶體40，50，於基板10的面內外側，共通電極72之端E1，係較第2層間絕緣膜35之端E2形成於內側，較補助電極150之端E4形成於內側。因此，可得與上述第1實施形態相同的效果。
<C：變形例>
(1)於上述第1及第2實施形態中，雖然將共通電極72或補助電極150的上層經由以封閉膜80被覆，將包含元件層30、第2電極用電源線140、第2層間絕緣膜35、共通電極72、補助電極150之層構造，作為由外氣保護之構成，但省去封閉膜80之構成亦可。
圖10係顯示關於本變形例之發光裝置1C的簡略截面圖。如圖10所示，於發光裝置1C中，未設置封閉膜80，經由密封材90和對向基板110，保護形成於基板10上之層構造。然而，於對向基板110的內側，配置為吸著水分之乾燥劑(圖示略)，或者，於對向基板110本身，使用埋入乾燥劑之構成亦可。又，於對向基板110和密封材90的替換中，使用封閉罐。
圖11係顯示關於本變形例之另外的發光裝置1D的 簡略截面圖。如圖11所示，於發光裝置1D中，在形成於對向基板110和基板10上之層構造間，經由填充防濕性填充材65，可使層構造由外氣保護。做為防濕性填充材65，以光透過性低吸濕者為佳，可使用環氧系或胺基甲酸乙酯系黏著劑等。
(2)於上述第1~第4實施形態中，雖對於第2電極用電源線140在於周邊範圍B形成呈ㄈ字狀形態加以說明，但未限定於此等，做可適宜變形。
各圖12及圖13係為說明關於本變形例之各發光裝置的佈局之概略說明圖。於此等圖中，對於與上述實施形態共通部分中，附上同一符號，該說明則適宜省略。
如圖12(A)所示，於發光裝置3A中，沿著基板10對向2邊的各邊緣部，配設第2電極用電源線140。更且，沿著剩餘2邊一方之邊範圍，配設訊號輸入端子G，於該訊號輸入端子G的基板10面內之內側，配設第1電極用電源線130。第2電極用電源線140的內側中，沿著有效範圍A，掃描線驅動電路100A及100B則沿著各個有效範圍A加以配置，經由第2電極用電源線140供電之同時，藉由訊號輸入端子G，供予由外部之控制訊號。又，於第1電極用電源線130的內側中，資料線驅動電路200沿著有效範圍A加以配置。資料線驅動電路200係由第1電極用電源線130一一給電，藉由訊號輸入端子G，接受由外部的控制訊號，給與各資料線。
於此例中，第2層間絕緣膜35係被覆有效範圍A、 掃描線驅動電路100A，100B、及資料線驅動電路200的全部、以及第1電極用電源線130的一部分(圖示例中，將配設訊號輸入端子G之邊做為長度方向之時，於延伸存在於長度方向之部分全部和與長度方向正交之方向，朝向基板10的下邊而延伸部分的一部分而形成)。又，共通電極72係被覆有效範圍A及掃描線驅動電路100A，100B的全部，配設第2電極用電源線140之側的左右端，係較第2層問絕緣膜35之端為內側加以形成。又，共通電極72之端中、下邊側(訊號輸入端子G側)端，乃位於有效範圍A的外側且位於資料線驅動電路200的內側，上邊側之端係較第2層間絕緣膜35之端位於內側。即，共通電極72之四邊各端係較第2層間絕緣膜35之對應各邊之端位於內側。換言之，第2層間絕緣膜35之端係在所有的邊下，較共通電極72之端突出於外側。即，第2範圍係被覆第1範圍整體，且，於所有的邊側，較第1範圍向外側突出。
補助電極係令與配設訊號輸入端子G之邊同方向，做為長度之條紋狀的個別電極150c加以形成。詳細而言，個別電極150c係於有效範圍A，通過發光元件70的間隙，於周邊範圍B，第1範圍的內側和第1範圍的外側中，且通過第2範圍的內側範圍，到達第2範圍的外側，延伸至與第2電極用電源線140重疊之範圍，與第2電極用電源線140電性連接。即，該端係較第2層間絕緣膜35之端位於外側，且較共通電極72之端位於外側。經由 本變形例，可得與上述各實施形態相同的效果。
接著，如圖12(B)所示，發光裝置3B係除了掃描線驅動電路和資料線驅動電路的位置相反之外，成為與發光裝置3A同樣的構成。即，於發光裝置3B，掃描線驅動電路100於基板10的下邊側的周邊範圍B，沿著有效範圍A加以配置，資料線驅動電路200A，200B配置於基板10的各左邊及右邊側的周邊範圍B。第2電極用電源線140係於各資料線驅動電路200A，200B的外側，沿著基板10對向2邊(左右兩邊)加以配置，補助電極150係形成呈令與第2電極用電源線140正交方向(即，與配設訊號輸入端子G相同方向)作為長度之條紋狀。與發光裝置3A相同，補助電極150c的左右各端，係較共通電極72之端位於外側，更且，較第2層間絕緣膜35之端位於外側，與第2電極用電源線140重疊連接地加以形成。因此，經由發光裝置3B，可得與上述和實施形態相同的效果。
然而，於發光裝置3A及3B任一情形中，如圖12(A)右側所示，補助電極150形成於條紋狀的複數個別電極150c和周邊範圍B，具有連接複數個別電極150c之連接電極150d亦可。此時，連接電極150d係具有重疊於第1範圍的內側部分，和通過第1範圍的外側且為第2範圍的內側範圍到達第2範圍的外側部分，更且，與第2電極用電源線140重疊而形成。即，連接電極150d係不僅與第2電極用電源線140重疊，第2層間絕緣膜35之端及共通電極72之端則與連接電極150d重疊加以配置。
圖13(A)及(B)乃顯示發光裝置其他的佈局例。如圖13(A)所示，於發光裝置4A中，沿著基板10下邊緣，配設訊號輸入端子G，於該內側，第2電極用電源線140配設呈ㄈ字狀。更且，於第2電極用電源線140的內側中，第1電極用電源線130配設呈ㄈ字狀，此第1電極用電源線130和有效範圍A間，配設資料線驅動電路200。掃描線驅動電路100A，100B係沿著有效範圍A的左右各邊之範圍各別配設。
如圖示所示，第2層間絕緣膜35係被覆有效範圍A整體、掃描線驅動電路100A，100B、及資料線驅動電路200的全部、以及第1電極用電源線130的一部分(圖示例中，令配設訊號輸入端子G之邊做為長度方向之時，延伸存在於長度方向之部分而形成)。共通電極72係被覆與第2層間絕緣膜35幾乎相同部分，且於共通電極72的四邊各端，成為較第2層間絕緣膜35對應之端位於內側地加以形成。因此，於本變形例中，於基板10所有的邊側，形成第2層間絕緣膜35之第2範圍，係於基板10的面內外側方向，較形成共通電極72之第1範圍更為冒出。
如圖所示，補助電極係將與掃描線驅動電路100A，100B平行的方向，做為長度延伸存在之條紋狀的個別電極150e加以形成。基板10下端側之個別電極150e端係與第2電極用電源線140重疊連接加以形成。然而，於此例中，個別電極150e雖與第1電極用電源線130交叉， 經由第1電極用電源線130和第2電極用電源線140在個別層形成，個別電極150e沒有與第1電極用電源線130連接，僅與第2電極用電源線140連接形成。同樣地，共通電極72與第1電極用電源線130雖為重疊，藉由第1電極用電源線130和第2電極用電源線140在個別層形成，共通電極72和第1電極用電源線130成為不電性接觸之構成。另一方面，基板10上端側之個別電極150e之端，係較共通極72之端之個別電極150e位於外側，更且，較第2層間絕緣膜35之端(第2範圍)位於外側地加以形成。因此，經由發光裝置4A，可獲得與上述各實施形態相同的效果。
接著，如圖13(B)所示，發光裝置4B係除了掃描線驅動電路和資料線驅動電路的位置相反部分之外，與發光裝置4A同樣的構成。即，於發光裝置4B，掃描線驅動電路100於基板10的下邊側的周邊範圍B中，沿著有效範圍A加以配置，資料線驅動電路200A，200B配置於基板10的各左邊及右邊側的周邊範圍B。第2電極用電源線140於基板10下端側，在較訊號輸入端子G之內側，配置呈ㄈ字狀，補助電極150係形成呈與資料線驅動電路200A，200B平行的方向做為長度之條紋狀。與發光裝置4A相同，補助電極150的上下各端，係較共通電極72之端位於外側，且，較第2層間絕緣膜35之端位於外側之同時，與第2電極用電源線140重疊連接地加以形成。因此，經由發光裝置4B，可獲得與上述實施形態相同的效 果。
如圖12(A)、圖12(B)、圖13(A)及圖13(B)所示，於周邊範圍B，補助配線150係對於第2電極用電源線140延伸方向呈交叉之方向，延伸存在於條紋狀。即，圖1至圖3中，補助配線150b雖亦延伸存在於第2電極用電源線140延伸方向，僅延伸存在於對於第2電極用電源線140的延伸存在方向交叉方向。換言之，補助配線150係未必需與第2電極用電源線140的延伸存在方向平行形成，與第2電極用電源線140交叉加以形成亦可。
<D：電子機器>
接著，對於利用關於本發明之發光裝置之電子機器加以說明。圖14至圖16中，圖示將關於以上任一形態之發光裝置做為顯示裝置加以採用的電子機器的形態。
圖14係顯示採用發光裝置之可攜型之個人電腦之構成斜視圖。個人電腦2000係具備顯示各種畫像之發光裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B，和設置電源開關2001或鍵盤2002之本體部2010。發光裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B，係將有機發光二極體元件做為發光元件70加以使用之故，可顯示視野寬廣而易見的畫面。
圖15乃顯示適用發光裝置之攜帶電話機之構成的斜視圖。攜帶電話機3000係具備複數操作鈕3001及捲軸鈕3002，和顯示各種畫像之發光裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B。經由操作捲軸鈕3000，顯示發光 裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B之畫面。
圖16乃顯示適用發光裝置之攜帶資訊終端(PDA：Personal Digital Assistants)構成之斜視圖。資訊攜帶終端4000係具備複數操作鈕4001及電源開關4002，和顯示各種畫像之發光裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B。操作電源開關4002時，住址或行程資訊等則顯示於發光裝置1，1A，1C，1D，2A，3A，4A，4B。
然而，做為適用關於本發明之發光裝置之電子機器，除了圖14至圖16所示者之外，可列舉數位相機、電視、攝錄放影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本、電子紙、電算機、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、印表機、掃描器、影印機、錄放影機、具備觸控面板之機器等。又，關於本發明之發光裝置之用途乃不限定於畫像之顯示。例如於光寫入型之印表機或電子影印機之畫像形成裝置中，雖使用曝光對應於欲形成在用紙等之畫像之感光體之光學頭，做為此種之光學頭亦可利用本發明之發光裝置。
1，1A，1C，1D，2A，3A，3B，4A，4B‧‧‧發光裝置
10‧‧‧基板
70‧‧‧發光元件
34‧‧‧電路保護膜
35‧‧‧第2層間絕緣膜(絕緣層)
37‧‧‧間隔壁
37a‧‧‧開口部
65‧‧‧防濕性填充材
72‧‧‧共通電極(第2電極)
74‧‧‧發光機能層
76‧‧‧畫素電極(第1電極)
80封‧‧‧閉膜
90‧‧‧密封材
100A，100B‧‧‧掃描線驅動電路
110‧‧‧對向基板
111‧‧‧掃描線
112‧‧‧資料線
113‧‧‧電源供給線
120‧‧‧預充電電路
140‧‧‧第2電極用電源線
150‧‧‧補助電極
150c，150e‧‧‧個別電極
150d‧‧‧連接電極
200，200A，200B‧‧‧資料線驅動電路
A‧‧‧有效範圍
B‧‧‧周邊範圍
C，F‧‧‧範圍
E1~E5‧‧‧端
G‧‧‧訊號輸入端子
P‧‧‧單位電路
圖1(A)係顯示關於本發明第1實施形態之發光裝置的構成一部分概略平面圖，(B)係於(A)的狀態後，更形成補助電極及畫素電極狀態之平面圖。
圖2顯示同裝置之畫素電路的詳細電路圖。
圖3乃圖1(B)一部分擴大圖。
圖4係同裝置的部分之截面圖。
圖5係同裝置的部分之簡略截面圖。
圖6係於比較例，顯示於共通電極產生龜裂情形之圖。
圖7係關於第1實施形態變形例之發光裝置部分截面圖。
圖8係關於本發明第2實施形態之發光裝置部分截面圖。
圖9係同裝置的部分之簡略截面圖。
圖10係關於本發明變形例之發光裝置部分簡略截面圖。
圖11係關於本發明變形例之發光裝置部分簡略截面圖。
圖12係關於本發明變形例之發光裝置佈局概略圖。
圖13係關於本發明變形例之發光裝置佈局概略圖。
圖14係顯示採用發光裝置之可攜型之個人電腦之構成斜視圖。
圖15乃顯示適用發光裝置之攜帶電話機之構成的斜視圖。
圖16乃顯示適用發光裝置之攜帶資訊終端的構成的斜視圖。
10‧‧‧基板
30‧‧‧元件層
35‧‧‧第2層間絕緣膜(絕緣層)
72‧‧‧共通電極(第2電極)
80‧‧‧封閉膜
90‧‧‧密封材
110‧‧‧對向基板
140‧‧‧第2電極用電源線
150b‧‧‧第2部分
E1~E5‧‧‧端
G‧‧‧訊號輸入端子
P‧‧‧單位電路
E1max‧‧‧最大位置
E4max‧‧‧最大位置

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，將基板、和包含設於前述基板上之複數之第1電極、和共通設於前述複數之第1電極之第2電極、和設於前述複數之第1電極與前述第2電極間之發光層的複數之發光元件、和電性連接於各個前述複數之第1電極之複數之電晶體，設於有效領域的發光裝置中，其特徵係具備：為在於前述第2電極供給電位之第2電極用電源線、和電性連接於前述第2電極與前述第2電極用電源線的補助電極、和於前述基板，在垂直方向，設於前述複數之第1電極與前述複數之電晶體間之層之絕緣層；前述第2電極及前述絕緣層，係設於前述有效領域及前述基板之端部與前述有效領域間之領域的周邊領域；前述補助電極，係具有與前述第2電極接觸之第2電極連接部分；前述第2電極連接部分，係於前述周邊領域，被覆與前述絕緣層之前述第2電極對向之面；前述絕緣層之端部，係於前述基板，從垂直方向視之，配置於前述基板之端部與前述第2電極之端部間；前述第2電極之端部，係於前述基板之周邊領域中，於前述基板，從垂直方向視之，重疊於與前述絕緣層之第2電極之面； 前述補助電極之端部，係於前述基板，從垂直方向視之，配置於前述基板之端部與前述絕緣層之端部間。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述補助電極，係具有與前述第2電極用電源線接觸之電源線連接部分；前述電源線連接部分係於前述基板，從垂直方向視之，配置於前述基板之端部與前述絕緣層之端部間。
  3. 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，具有於前述有效領域中，與前述第2電極電性連接之複數之補助電極；前述複數之發光元件，係由排列在平行於前述基板之一邊之第1之方向的前述複數之發光元件所成之發光元件列，則排列成複數排列於與前述第1之方向交叉之第2之方向的矩陣狀；前述各複數之補助電極，係通過前述複數之發光元件之間隙，且從前述有效領域之內側到達外側，沿第1之方向，設於條紋上，於前述周邊領域，與前述補助電極連接者。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中，前述補助電極係於前述周邊領域，相互連接前述各個複數之補助電極。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項之發光裝置，其中，前述第2電極用電源線，係使與前述第1之方向交叉，設於前述周邊領域。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之發光裝置，其中，前述補助電極係具有遮光性。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之發光裝置，其中，前述補助電極，係與前述第1電極形成於同層。
  8. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之發光裝置，其中，具有設於前述周邊領域之周邊電路；前述周邊電路係具有構成前述周邊電路之電晶體；前述周邊電路係檢查電路、資料線驅動電路、掃瞄線驅動電路、預充電電路之任一者；前述補助電極，係於前述基板，從垂直方向視之，重疊於與構成前述周邊電路之電晶體。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之發光裝置，其中，前述各個複數之電晶體係具有源極電極、汲極電極；前述電源線係與前述源極電極及/或前述汲極電極，形成於同層。
  10. 一種電子機器，其特徵係具有如申請專利範圍第1項至第9項之任一項之發光裝置。
TW097104665A 2007-02-08 2008-02-05 發光裝置及電子機器 TWI484863B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007028843 2007-02-08
JP2007319270A JP5104274B2 (ja) 2007-02-08 2007-12-11 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200847848A TW200847848A (en) 2008-12-01
TWI484863B true TWI484863B (zh) 2015-05-11

Family

ID=39838170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097104665A TWI484863B (zh) 2007-02-08 2008-02-05 發光裝置及電子機器

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP5104274B2 (zh)
KR (1) KR101492488B1 (zh)
CN (1) CN101242692B (zh)
TW (1) TWI484863B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5401784B2 (ja) * 2007-02-08 2014-01-29 セイコーエプソン株式会社 発光装置
KR101034718B1 (ko) * 2009-10-13 2011-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5799492B2 (ja) * 2010-10-05 2015-10-28 セイコーエプソン株式会社 照明装置
US8692457B2 (en) * 2010-12-20 2014-04-08 General Electric Company Large area light emitting electrical package with current spreading bus
KR101917753B1 (ko) * 2011-06-24 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5974372B2 (ja) 2011-11-07 2016-08-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置
WO2013069234A1 (ja) 2011-11-07 2013-05-16 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置
CN103907397B (zh) 2011-11-07 2016-03-30 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板和有机el显示装置
US9209227B2 (en) 2011-11-07 2015-12-08 Joled Inc. Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display apparatus
KR101992903B1 (ko) * 2012-12-20 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR102009802B1 (ko) * 2012-12-20 2019-08-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101980760B1 (ko) * 2012-12-20 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP2014192149A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Japan Display Inc Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
JP6217161B2 (ja) * 2013-06-19 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2015041566A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 三井金属鉱業株式会社 有機半導体デバイス
JP6255878B2 (ja) * 2013-10-10 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP6255877B2 (ja) * 2013-10-10 2018-01-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN104576688B (zh) 2013-10-10 2018-11-09 精工爱普生株式会社 发光装置以及电子设备
TWI645560B (zh) 2013-10-10 2018-12-21 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
KR102206268B1 (ko) * 2013-12-18 2021-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
JP6387561B2 (ja) * 2014-01-29 2018-09-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光装置および電子機器
CN104212976B (zh) * 2014-08-30 2016-08-17 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) 从湿法锌冶炼废渣中回收银的方法
WO2016055897A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102297075B1 (ko) * 2014-11-14 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR102393931B1 (ko) * 2015-05-01 2022-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101879180B1 (ko) * 2015-11-16 2018-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2017027963A (ja) * 2016-11-10 2017-02-02 株式会社ジャパンディスプレイ Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
JP6935244B2 (ja) * 2017-06-27 2021-09-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
JP7253536B2 (ja) * 2018-04-17 2023-04-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
CN108761933B (zh) * 2018-05-28 2021-07-27 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法
CN108919571B (zh) * 2018-07-11 2021-07-27 业成科技（成都）有限公司 显示面板
JP6747536B2 (ja) * 2019-02-27 2020-08-26 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN114335114B (zh) 2019-11-15 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200302439A (en) * 2002-01-24 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003288994A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003332073A (ja) * 2002-03-07 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004031201A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示パネルの製造方法
CN1575058A (zh) * 2003-05-12 2005-02-02 索尼株式会社 沉积掩模、应用它制造显示装置的方法及显示装置
JP2005115362A (ja) * 2003-09-19 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2006012856A (ja) * 2001-06-18 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
JP2006156374A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Samsung Sdi Co Ltd 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP4545385B2 (ja) * 2002-03-26 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2004213910A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置とその作製方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006012856A (ja) * 2001-06-18 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
TW200302439A (en) * 2002-01-24 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
CN1434668A (zh) * 2002-01-24 2003-08-06 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
JP2003288994A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003332073A (ja) * 2002-03-07 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004031201A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN1575058A (zh) * 2003-05-12 2005-02-02 索尼株式会社 沉积掩模、应用它制造显示装置的方法及显示装置
TWI232700B (en) * 2003-05-12 2005-05-11 Sony Corp Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示パネルの製造方法
JP2005115362A (ja) * 2003-09-19 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
JP2006156374A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Samsung Sdi Co Ltd 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008218395A (ja) 2008-09-18
KR20080074739A (ko) 2008-08-13
KR101492488B1 (ko) 2015-02-11
CN101242692A (zh) 2008-08-13
CN101242692B (zh) 2011-04-27
TW200847848A (en) 2008-12-01
JP5104274B2 (ja) 2012-12-19
JP2012142315A (ja) 2012-07-26
JP5327354B2 (ja) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI484863B (zh) 發光裝置及電子機器
TWI455643B (zh) 發光裝置及電子機器
US7679284B2 (en) Light emitting device and electronic apparatus
US7839083B2 (en) Light emitting device and electronic apparatus
JP5017851B2 (ja) 発光装置および電子機器
JP4742835B2 (ja) 発光装置および電子機器
JP4736757B2 (ja) 発光装置および電子機器
US11424312B2 (en) Display device
US11943976B2 (en) Display device
JP4849821B2 (ja) 表示装置、電子機器
US11411066B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
JP2007147814A (ja) 発光装置およびその製造方法並びに電子機器
US11574970B2 (en) Display device with gate conductive layer forming wire pad in pad area and method of fabricating the same
JP5163430B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
KR102538361B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20230284486A1 (en) Display panel, method of manufacturing the same, and electronic device including the same
US20230403879A1 (en) Display device
US20230209874A1 (en) Top emission type electroluminescence display having micro-cavity structure
US20240224709A1 (en) Display device
JP2009059531A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20220161618A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN117794295A (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
CN116419619A (zh) 显示面板
CN116367616A (zh) 显示装置