JP4263435B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4263435B2 JP4263435B2 JP2002221186A JP2002221186A JP4263435B2 JP 4263435 B2 JP4263435 B2 JP 4263435B2 JP 2002221186 A JP2002221186 A JP 2002221186A JP 2002221186 A JP2002221186 A JP 2002221186A JP 4263435 B2 JP4263435 B2 JP 4263435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- layer
- organic
- organic electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子(Organic Electroluminescent Device)に係り、特に上部発光方式(Top emission type)の有機電界発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近の液晶ディスプレイ装置(LCD)は軽くて電力消耗が少ない長所があるため、平板ディスプレイとして現在最も多く用いられている。
【0003】
しかし、液晶ディスプレイ装置は、それ自体発光素子ではなく受光素子であり、明るさ、コントラスト、視野角、そして大面積化等に技術的限界があるために、このような短所を克服できる新しい平板ディスプレーを開発する努力が活発に展開されている。
【0004】
新しい平板ディスプレイのうちの一つである有機電界発光素子は、それ自体が発光形素子であるために液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが秀れているだけでなく、バックライトが要らないために軽量・薄形が可能であって、消費電力の面でも有利である。そして、直流低電圧駆動が可能であって応答速度が速く、全部固体で構成されているために外部衝撃に強くて使用温度範囲も広いうえ、製造費用の面でも低廉な長所を有している。
【0005】
特に、前記有機電界発光素子の製造工程には、液晶ディスプレイ装置や、プラズマディスプレイ装置(PDP)と異なり、蒸着及び封止装備のみで製造できるために、工程が非常に単純である。
【0006】
従来はこのような有機電界発光素子の駆動方式として発光素子に付随した薄膜トランジスタ(TFT)を備えないパッシブマトリックス型が主に利用された。
【0007】
しかし、前記パッシブマトリックス方式では走査線と信号線が交差しながらマトリックス状に素子を構成し、各々の画素を駆動するために走査線を時間によって順次に駆動するので、要求される平均輝度を得るためには平均輝度にライン数を乗じただけの瞬間輝度を出さなければならない。
【0008】
しかし、アクティブマトリックス方式では、各画素を開閉するスイッチング素子である薄膜トランジスタが画素毎に配置してあり、この薄膜トランジスタがスイッチの役割をして、薄膜トランジスタと連結された第1電極は画素単位でオン/オフされて、この第1電極と対向する第2電極は共通電極になる形態をとっている。
【0009】
さらに、前記アクティブマトリックス方式では画素に印加された電圧がストレージキャパシタ(CST)に充電されて、その次のフレーム信号が印加される時まで電源を印加することによって、走査線数に関係なく1画面が表示される間引続き駆動される。
【0010】
したがって、アクティブマトリックス方式によると、低い電流を印加しても同一な輝度を示すので低消費電力、高精細、大型化が可能な長所を有する。
【0011】
以下、このようなアクティブマトリックス型の有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性について図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
図1は一般的なアクティブマトリックス型の有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面である。
【0013】
図示したように、第1方向に走査線L1が形成されていて、この第1方向と交差する第2方向には相互に一定間隔だけ離隔された信号線L2及び電力供給ラインL3が形成されていて、一つの画素領域を定義する。
【0014】
前記走査線L1と信号線L2の交差地点にはアドレッシングエレメントであるスイッチング薄膜トランジスタT1が形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタT1及び電力供給ラインL3と連結されてストレージキャパシタCSTが形成されている。このストレージキャパシタCST及び電力供給ラインL3と連結されて電流源エレメントである駆動薄膜トランジスタT2が形成されていて、この駆動薄膜トランジスタT2と連結されて有機電界発光ダイオードDが構成されている。
【0015】
この有機電界発光ダイオードDは、有機発光物質に順方向の電流を供給すると、正孔提供層である陽極と電子提供層である陰極間のP−N接合部分を通して電子と正孔が移動しながら相互に再結合して、前記電子と正孔が離れている場合より小さなエネルギーを有するようになり、このとき発生するエネルギー差によって光を放出する原理を利用するものである。
【0016】
前記スイッチング薄膜トランジスタT1は電圧を制御して、電流源を貯蔵する役割をする。
【0017】
前記有機電界発光素子は、有機電界発光ダイオードから発光された光の進行方向によって上部発光方式(top emission type)と下部発光方式(bottom emission type)に分けられる。
【0018】
下部発光方式では、薄膜トランジスタが形成された基板側に発光された光が放出されるので、薄膜トランジスタを含む配線部分は表示領域から除外されるが、上部発光方式では薄膜トランジスタ上部側に発光された光を放出する方式であるので、発光領域を全体パネル面積の70〜80%まで拡大することができる。
【0019】
それゆえ、上部発光方式は、下部発光方式より外部光の反射による影響でコントラストが低下しやすい。
【0020】
このような有機電界発光素子におけるコントラスト比は素子のオン/オフ時の輝度比であって、オフ時の輝度は外部光に対する素子の反射率によって決定される。
【0021】
したがって、コントラストを高めるためには外部光に対する反射率を低くすることが非常に重要である。
【0022】
図2は従来の第1例による上部発光方式有機電界発光素子の一部領域を示す断面図であって、この図により前記図1の一つの画素部において駆動薄膜トランジスタT2を中心に両側に各々連結されたストレージキャパシタCST及び有機電界発光ダイオードD部の一例について説明する。
【0023】
図示したように、絶縁基板1上に半導体層32、ゲート電極38、ソース及びドレイン電極50、52で構成された薄膜トランジスタTが形成されていて、この薄膜トランジスタTのソース及びドレイン電極50、52には図示しなかった電源供給ラインに接続されたパワー電極42及び有機電界発光ダイオードEが各々連結されている。
【0024】
そして、前記パワー電極42に対応する下部には絶縁体が介在された状態で前記半導体層32と同一物質からなるキャパシタ電極34が配置されており、これらが対応する領域はストレージキャパシタCSTを構成している。
【0025】
そして、前記有機電界発光ダイオードEは、有機電界発光層64が介在された状態で相互に対向する陽極58及び陰極66で構成される。
前記有機電界発光ダイオードEは、それ自体が発光された光を外部に放出させる発光領域Aを構成している。
【0026】
そして、前記有機電界発光素子の最上部層には有機電界発光素子を水分及び外部環境から保護するための目的を有するトップ保護層68が形成されている。
【0027】
このトップ保護層68をなす材質は、無機または有機絶縁物質であるが、このような物質は屈折率が1.5以上で空気の屈折率である1.0との差によって約4%の表面反射率を有するようになっている。このような要因によって外部光に対するコントラストが低下することがある。
【0028】
また、前記有機電界発光ダイオードEの陽極58は、反射率が高い金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)のような金属で構成されるが、これら金属の反射率は60%を越えるものが大部分であって、照度が高い環境ではこのような物質で構成された電極表面における反射によって外部環境とのコントラストが急激に低下する問題点がある。
【0029】
そして、図面には示さなかったが、前記最上部層は位相差調節が可能な偏光板である円形偏光板で形成することができるが、この円形偏光板は高温高湿環境に対して脆弱で、製品寿命が短く、材料費が高価になる短所を有する。
【0030】
図3は従来の第2例による上部発光方式有機電界発光素子についての断面図であって、発光された光が透過する領域で定義される発光領域部を中心に図示した。
【0031】
図示したように、発光領域Aが定義された絶縁基板1上にゲート電極12、半導体層16、ソース及びドレイン電極18、20で構成された薄膜トランジスタTが形成されていて、この薄膜トランジスタTと連結されて有機電界発光ダイオードEが形成されている。
【0032】
前記有機電界発光ダイオードEは、有機電界発光層26が介在された状態で相互に対向する上部電極28及び下部電極24で構成される。
【0033】
このとき、前記有機電界発光層26は、下部電極24上部に配置する絶縁層27によって画素単位で構成されるが、図3の上部発光方式では有機電界発光層26が薄膜トランジスタTを覆う領域まで形成されている。
【0034】
そして、前記有機電界発光ダイオードEの上部及び下部電極28、24各々をなす電極は薄膜トランジスタTから供給されるキャリアによって陽極または陰極をなす。
【0035】
すなわち、電子をキャリアとするn型薄膜トランジスタと連結した時には下部電極24が陰極、上部電極28が陽極を構成して、p型薄膜トランジスタと連結した時にはこれと反対に構成される。
【0036】
一方、前記上部電極28と連接される上部にはバッファ層29が形成されていて、該バッファ層29上の最上部層には保護層30が形成されている。
【0037】
前記バッファ層29は、有機電界発光ダイオードEのように真空蒸着条件で形成可能な絶縁物質で構成して、真空蒸着工程以後最上部層をなす保護層30を形成する工程中に有機電界発光ダイオードE素子を保護する役割をする。
【0038】
特に、前記保護層30をなす材質は比較的厚い厚さのコーティング処理された絶縁物質や、またはガラス基板からなる保護板で代えることができる。
【0039】
ところで、図3の従来の第2例による上部発光方式有機電界発光ダイオードで、上部電極をなす材質は光透過性物質、例えばITOまたはITOを含む金属物質で構成され、下部電極は反射率が高い金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)のような金属で構成されるが、これら金属の反射率は60%を越えるものが大部分であって、照度が高い環境ではこのような物質で構成された電極表面における反射によって外部環境とのコントラストが急激に低下する問題点がある。
【0040】
【発明が解決しようとする課題】
前記問題点を解決するために、本発明では外部光に対する反射率を低めてコントラストが向上された有機電界発光素子を提供することによって、画質特性が向上された高品位有機電界発光素子を提供することを目的にする。
【0041】
このために、本発明ではトップ保護層を覆う最上部層と有機電界発光ダイオード部に各々第1及び第2補償層を形成する。このとき、第1補償層は外部光に対する反射率を低下させることができる物質で構成され、第2補償層は光吸収層または光透過度が相異なる複数個の層で構成されるようにする。
【0042】
また、本発明では有機電界発光ダイオードの下部電極を光透過性物質で形成して、これにより下部電極下部に光遮断膜を構成する構造またはこのような構造に別途の補償層を追加する構造を提示する。
【0043】
【課題を解決するための手段】
前記目的を解決するために、本発明の第1特徴は、絶縁基板と;前記絶縁基板上に形成された光学的干渉物質からなる第1電極と;前記第1電極上部に形成された有機電界発光層と;前記有機電界発光層上部に形成された光透過性物質からなる第2電極と;前記第2電極上部に形成された保護層と;前記保護層と連接する最上部層に配置され、無反射コーティング物質、遮光コーティング物質のうちの少なくともいずれか一つの物質からなる補償層を含む有機電界発光素子を提供する。
【0044】
本発明の第2特徴は、絶縁基板と;前記絶縁基板上部に形成された第1電極と;前記第1電極と連接する上部に形成された伝導度を帯びる光吸収物質からなる第1補償層と;前記第1補償層上部に形成された有機電界発光層と;前記有機電界発光層上部に配置された、光透過性物質からなる第2電極と;前記第2電極上部に形成された保護層と;前記保護層と連接する最上部層に配置され、無反射コーティング物質、遮光コーティング物質中少なくともいずれか一つの物質でなされた第2補償層を含む有機電界発光素子を提供する。
【0045】
本発明の第3特徴は、絶縁基板と;前記絶縁基板上部に形成された有機系光吸収物質からなる第1補償層と;前記第1補償層上部に形成された第1電極と;前記第1電極上部に形成された有機電界発光層と;前記有機電界発光層上部に形成された光透過性物質からなる第2電極と;前記第2電極上部に形成された保護層と;前記保護層と連接する最上部層に配置され、無反射コーティング物質、遮光コーティング物質のうちの少なくともいずれか一つの物質からなる第2補償層を含む有機電界発光素子を提供する。
【0046】
そして、本発明の第1ないし第3特徴における前記第2電極をなす光透過性物質は、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)のうちのいずれか一つに選択されたり、またはITO、IZOのうちのいずれか一つの物質と金属薄膜で構成されることを特徴としており、前記無反射コーティング物質は真空蒸着法によって形成され、前記遮光コーティング物質はスピンコーティング法によって形成されることを特徴とする。
【0047】
前記遮光コーティング物質は、レジンにシリカ粒子を混ぜた物質である。
そして、本発明の第1ないし3特徴による前記有機電界発光素子は、各画素を個別的に開閉するスイッチング素子を含むアクティブマトリックス型有機電界発光素子であって、前記スイッチング素子はp型半導体を含む薄膜トランジスタであり、前記第1及び第2電極は各々陽極と陰極であることを特徴とする。
【0048】
そして、本発明の第1特徴による前記第1電極は、有機電界発光層と近接した側から半透過層、透過層、全反射層が順次積層された構造を有することを特徴としており、前記半透過層をなす物質は有機電界発光層と仕事関数の差が少ない物質であることを特徴とする。
【0049】
そして、本発明の第2特徴による前記第1補償層は、クロム(Cr)を含む物質であって、本発明の第3特徴による前記第1補償層はブラックレジンであることを特徴とする。
【0050】
また、前記目的を解決するために、本発明の第4特徴では発光領域が定義された絶縁基板と;前記絶縁基板上に形成された光吸収性物質からなる光遮断膜と;前記光遮断膜上部に形成され、第1、2光透過性物質で各々構成された第1、2電極と、前記第1、2電極間に介在され、前記発光領域に配置する有機電界発光層で構成された有機電界発光ダイオードを含む上部発光方式有機電界発光素子を提供する。
【0051】
前記第4特徴の有機電界発光素子は、各画素を個別的に開閉するスイッチング素子を含むアクティブマトリックス型有機電界発光素子であり、前記スイッチング素子は光遮断膜下部に配置して、前記有機電界発光ダイオードと連結される駆動スイッチング素子をさらに含み、前記光遮断膜は基板全面にかけて形成され、前記駆動スイッチング素子と有機電界発光ダイオードを連結させる複数個のコンタクトホールが形成されたことを特徴とする。そして、前記光遮断膜は光吸収性ポリマー系物質から選択され、前記光吸収性ポリマー系物質はブラックレジンであることを特徴とする。スイッチング素子は正孔をキャリアとするp型スイッチング素子であり、前記第1電極は陽極である下部電極であって、前記第2電極は陰極である上部電極であり、前記第1光透過性物質はITOであって、前記第2光透過性物質は前記隣接した有機電界発光層と仕事関数の差が少ない光透過性物質で構成される。
【0052】
前記第4特徴の有機電界発光素子は、第2電極上部に配置するトップ保護層をさらに含んでおり、前記第2電極とトップ保護層間にバッファ層をさらに含み、前記トップ保護層上部に光反射率が低い物質からなる補償層をさらに含むことを特徴とする。
【0053】
前記第4特徴の補償層をなす材質は、無反射コーティング処理した物質、遮光コーティング処理した物質のうちの少なくともいずれか一つの物質であることを特徴とする。
【0054】
本発明による上部発光方式有機電界発光素子には、前記図1の基本画素構造を適用することができる。
【0055】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による望ましい実施例を図面を参照して詳細に説明する。
<実施例1>
第1実施例による上部発光方式有機電界発光素子は、最上部層に外部光を反射または散乱させることができる物質のうちの少なくともいずれか一つの物質からなる第1補償層と、有機電界発光ダイオード部に配置した光透過度が相異なる複数個の層で構成された第2補償層を含む。
【0056】
図4は、本発明の第1実施例による上部発光方式有機電界発光素子の断面図であって、図5は前記図4のB領域についての拡大図面である。
【0057】
図示したように、絶縁基板100上に半導体層106、ゲート電極112、ソース及びドレイン電極120、122で構成される薄膜トランジスタTが形成されていて、この薄膜トランジスタTのソース及びドレイン電極120、122にはパワー電極116及び有機電界発光素子の第1電極126が各々連結されている。
【0058】
前記第1電極126上部には有機電界発光層128及び第2電極130が順序どおり形成されていて、第1及び第2電極126、130と有機電界発光層128は有機電界発光ダイオードEを構成する。
【0059】
そして、前記パワー電極116に対応する下部には絶縁された状態でキャパシタ電極108が形成されていて、このパワー電極116及びキャパシタ電極108が対応する領域はストレージキャパシタCSTを構成する。
【0060】
そして、前記有機電界発光素子を保護するために、有機電界発光ダイオードE、薄膜トランジスタT、ストレージキャパシタCSTの上部にはトップ保護層136が形成されていて、このトップ保護層136を覆う領域には第1補償層138が形成されている。
【0061】
前記トップ保護層136をなす物質は、有機または無機物質や透光性を有する絶縁物質から選択することができる。
【0062】
前記第1補償層138をなす材質は、外部光の反射率を低めることができる物質で形成されることを特徴とする。
【0063】
このような物質は無反射コーティング処理した物質や、遮光コーティング処理した物質のうちの少なくともいずれか一つの物質で構成されることが望ましい。
【0064】
前記無反射コーティング処理した物質は、単一層または複数個の層で構成されるが、複数個の層で構成される場合には複数個の層間に発生する光の干渉によって流入した外部光に対する反射率を落とすものであって、真空蒸着法によって形成される。
【0065】
そして、遮光コーティング処理された物質は、レジンにシリカ粒子を混ぜた物質を利用して、シリカ粒子による光の散乱作用によって外部光に対する反射率を低めるようにする。
【0066】
この遮光コーティング処理は、主にスピンコーティング法によってなされる。
【0067】
そして、前記第1電極126は、光干渉を起こすことができる物質で形成することを特徴とする。
【0068】
図5に示したように、前記第1電極126の積層構造及び外部光の進行方向について説明すると、第1電極126は外部光が流入する順序どおりに半透過層126a、透過層126b、全反射層126cで構成される。
【0069】
前記全反射層126cは、金、銀、白金、アルミニウムのように比較的反射率が高い不透明金属で形成することが望ましく、透過層126bはITO、IZOのような透明伝導性物質で形成することが望ましく、半透過層126aは100Å程度の厚さで形成したとき半透過性を帯びる不透明金属薄膜で形成することが望ましい。
【0070】
このとき、半透過層126aは、有機電界発光層128と連接構成されるので、正孔の注入を円滑にできる程度の伝導度を有し、有機電界発光層128と仕事関数の差が少ない物質から選択されることが重要である。
【0071】
以下、本発明による有機電界発光素子に外部光が流入した時の光の進行経路について説明する。
【0072】
例えば、光の強さが同一でない第1、第2、第3の外部光L1、L2、L3(ただしL1<(L2≒L3))が有機電界発光素子に流入する場合、まず最上部層に配置した第1補償層138によって第1の外部光L1を無反射または散乱させる方法によって反射率を落とすことができる。一方、有機電界発光ダイオードE部まで流入した第2及び第3の外部光L2、L3は、半透過層126aで第2の外部光L2が反射されて第3の外部光L3はそのままその下部層をなす透過層126bまで透過するが、この透過層126bをそのまま透過した第3の外部光L3はその下部層をなす全反射層126cで再び全反射する。このようにして、第2の外部光L2及び第3の外部光L3における反射光は相互間の光学的干渉によって外部光の主要波長を破壊的に干渉させることによって外部への反射率を低めることができる。
【0073】
一方、各素子を絶縁または保護するための絶縁物質では、前記絶縁基板100と半導体層106間で緩衝作用をするバッファ層104と、前記ストレージキャパシタCSTを構成する第1保護層114と、ソース電極120とパワー電極116間の第2保護層118と、第1電極126とドレイン電極122間の第3保護層124と、薄膜トランジスタTと有機電界発光層128間の第4保護層129が順次積層された構造を有し、前記第1ないし4保護層114、118、124、129には各々素子間の電気的連結のためのコンタクトホール(図示せず)が形成されている。
【0074】
前記第1ないし4保護層114、118、124、129は、無機絶縁物質で形成することが望ましく、さらに望ましくはシリコン酸化膜(Si02)、シリコン窒化膜(Si3N4)のうちのいずれか一つで構成される。
前記第2電極130は、ITO、IZO単一層または薄膜金属層を含む二重層構造のITO、IZOで形成することが望ましい。
【0075】
そして、前記有機電界発光層128は、第1電極126及び第2電極130間に順序どおり正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層からなる複層膜で構成される。
【0076】
そして、本発明によるアクティブマトリックス型有機電界発光素子は、真空蒸着法によって形成されることを特徴とする。
以下に記述する他の実施例は、有機電界発光ダイオード部に別途の補償層をさらに形成した例に関するものである。
【0077】
<実施例2>
第2実施例では上部発光方式有機電界発光素子のコントラストを向上させるために、最上部層に前記第1実施例の第1補償層と同一の物質からなる補償層を形成するとともに、第2電極と有機電界発光層間に伝導度を帯びる光吸収物質からなる他の補償層を形成することを特徴とする。
【0078】
図6は、本発明の第2実施例による上部発光方式有機電界発光素子の断面図であって、前記図4と重複する説明は省略する。
【0079】
図6に示したように、前記有機電界発光素子では外部光反射率を落とすために最上部層に第1補償層238を形成するとともに、有機電界発光ダイオードE領域に第2補償層226が形成されたことを特徴とする。第1補償層238は前記実施例1の第1補償層238と同一の物質を適用することができ、第2補償層226は第1電極224と有機電界発光層228間に配置することを特徴とする。
【0080】
前記第2補償層226は、電気伝導度を有する光吸収物質で構成されることを特徴とする。このような第2補償層226をなす物質としてクロム(Cr)を含む物質を挙げることができる。
【0081】
<実施例3>
第3実施例では、前記第2実施例と比較して発光領域に形成される第2補償層の形成位置及び材質を異なるように構成することを特徴とする。
図7は、本発明の第3実施例による上部発光方式有機電界発光素子の断面図であって、前記図4及び図6と重複する説明は省略する。
【0082】
図7に示したように、第1補償層338は第1及び第2実施例の第1補償層138、238と同様に形成することができて、第2補償層322は第1電極324と連接される下部に配置することを特徴とする。
【0083】
この第2補償層322は、光吸収力を有する有機系絶縁物質で形成することが望ましく、さらに望ましくはブラックレジンで形成するものである。
しかし、本発明は前記実施例に限らず、本発明の趣旨から外れない範囲内で多様に変更して実施できる。
【0084】
例えば、前記有機電界発光ダイオードと連結される薄膜トランジスタは正孔をキャリアとするp型半導体または電子をキャリアとするn型半導体のうちのいずれか一つで構成されるので、本発明による有機電界発光素子では、p型では第1電極を陽極、第2電極を陰極に構成して、n型では第1電極を陰極、第2電極を陽極に構成することを特徴とする。
【0085】
しかし、本発明は前記実施例による薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタ部の構造に限らず、また発光素子に付随した薄膜トランジスタを備えないパッシブマトリックス方式有機電界発光素子にも適用できる。
【0086】
<実施例4>
第4実施例は有機電界発光ダイオード用の下部電極を透過性物質で構成することによって、下部電極下部に光遮断膜を構成する実施例に関するものである。
【0087】
図8は、本発明の第4実施例による上部発光方式有機電界発光素子の断面図である。
【0088】
図示したように、発光領域Aが定義された絶縁基板100上の所定の位置に薄膜トランジスタTが形成されていて、薄膜トランジスタTと連結されて有機電界発光ダイオードEが形成されている構造の有機電界発光素子において、前記薄膜トランジスタTにはゲート電極402が形成されていて、ゲート電極402上部にはゲート絶縁膜404が形成されていて、ゲート絶縁膜404上部にはアクティブ層406a、オーミックコンタクト層406bが順次積層された半導体層406が形成されている。半導体層406上部には相互に一定間隔離隔されてソース及びドレイン電極408、410が形成されていて、ソース及びドレイン電極408、410間離隔区間には前記アクティブ層406aを露出させたチャネルCHが形成されている。
【0089】
そして、薄膜トランジスタT上部にはドレインコンタクトホール413を有する第1保護層412及び光遮断膜414が順次形成されている。第1保護層412上部にはドレインコンタクトホール413を通してドレイン電極410と連結される第1電極416が形成されていて、第1電極416上部には発光領域Aと対応する第1電極416を露出させる第2保護層418が形成されている。この第2保護層418の第1電極416露出部を通して有機電界発光層420が形成されていて、この有機電界発光層420上部には第2電極422が形成されていて、この第2電極422上部にはバッファ層424及びトップ保護層426が順序どおり配置されている。
【0090】
このバッファ層424及びトップ保護層426は、前記図3で前述したバッファ層及びトップ保護層を適用することができる。
【0091】
前記第1及び第2電極416、422をなす材質はすべて光透過性材質から選択されることを特徴とする。
【0092】
前記第1及び第2電極416、422は、薄膜トランジスタTから提供されるキャリア種によって陽極と陰極が決定され、例えばp型薄膜トランジスタを採用した時にはこれと連結される第1電極416はキャリアとしての正孔を提供する陽極で構成され、その材質はITOのような透明導電性物質から選択される。また、前記薄膜トランジスタTにn型を採用した時にはこれと連結された第1電極416はキャリアとしての電子を提供するので陰極で構成されて、その材質は光透過性物質のうち隣接した有機電界発光層と仕事関数差が少ない金属から選択されることが望ましく、このような電極選択及びその物質特性は第2電極422にも適用される。
【0093】
このように、本発明では上部発光方式有機電界発光素子におけるコントラスト特性を向上させるために第1電極416を光透過性物質で構成することによって、有機電界発光層420から発光される光が第1電極416下部で損失することを防止するために第1電極416下部に光遮断膜414を構成することを特徴とする。
【0094】
この光遮断膜414は、第1電極416を光透過性物質で構成することによって、第1電極416を透過して流入する発光領域A上の光または外部から流入した光が薄膜トランジスタTのチャネルCHに照射されることを防止する役割をするので、紫外線から可視光線、赤外線領域にかけた光を吸収またはある程度反射する性質を有する材質で構成されることが望ましい。
【0095】
このような材質として、液晶ディスプレイ装置用ブラックマトリックス材質で通常的に利用されている光吸収性ポリマー系物質から選択することが望ましく、代表的な物質としてブラックレジンを挙げることができる。
【0096】
さらに、前記光遮断膜414は、有機電界発光ダイオードE下部の薄膜トランジスタTが形成された下部膜を平坦化する役割及び薄膜トランジスタT基板と有機電界発光ダイオードEを絶縁させる機能も兼ねる。
【0097】
また、本発明の第4実施例による上部発光方式有機電界発光素子は、アクティブマトリックス方式に限らず、発光素子に付随する薄膜トランジスタが備わらないパッシブマトリックス方式に適用することも差し支えない。
【0098】
そして、本発明の第4実施例によるアクティブマトリックス方式有機電界発光素子に適用する薄膜トランジスタの種類を限定しない。例えば、前記第4実施例では非晶質シリコンからなる半導体層を含む逆スタガ型(inverted stagger type)薄膜トランジスタを一例として提示したが、それ以外にも結晶質シリコンからなる半導体層を含む薄膜トランジスタを採用することができる。一例として、結晶質シリコンのうちの特にポリシリコン(p−Si)薄膜トランジスタは、ポリシリコンからなる半導体層上の中心部にゲート電極を形成して、この半導体層の両端部とソース及びドレイン電極を連結構成するトップゲート型(top gate type)薄膜トランジスタを適用することができる。
【0099】
そして、本発明の第4実施例による有機電界発光素子をなす材質(ゲート絶縁膜からバッファ層まで)は真空蒸着工程が可能な物質から選択されることが望ましい。
【0100】
図9は、本発明による光遮断膜の平面図を示したものである。
図示したように、本発明による光遮断膜414は、別途のパターン化工程を経ないで、基板全面を覆われる面積を有するようにして、外部及び発光領域(図8のA)における光が有機電界発光ダイオード(図8のE)の下部に流入することを効果的に遮断する。
【0101】
このとき、前記光遮断膜414内には相互に一定間隔離隔された複数個のドレインコンタクトホール413が形成されている。
【0102】
しかし、前記有機電界発光ダイオードと連結される薄膜トランジスタ電極は場合によってソース電極になるので、本発明では前記有機電界発光ダイオードと連結される薄膜トランジスタ電極をドレイン電極に限定しない。これにより、前記光遮断膜に形成されるコンタクトホールはソース電極またはドレイン電極中いずれか一つの電極を一部露出させるコンタクトホールに該当する。
【0103】
<実施例5>
第5実施例は、前記第4実施例による有機電界発光素子の最上部層に外部光反射率を低めることができる補償層をさらに構成するものである。
【0104】
図10は本発明の第5実施例による上部発光方式有機電界発光素子の断面図であって、前記図8と重複する部分に対する説明は省略する。
【0105】
図示したように、有機電界発光ダイオードEと薄膜トランジスタT基板間に光遮断膜414が介在された上部発光方式有機電界発光素子の最上部層に外部光の反射率を低めることができる補償層510を備えることを特徴とする。
【0106】
このような補償層510をなす物質は無反射コーティング処理した物質や、遮光コーティング処理した物質のうちの少なくともいずれか一つの物質で構成されることが望ましい。
【0107】
前記無反射コーティング処理した物質は、単一層または複数個の層で構成されるが、複数個の層で構成される場合には複数個の層間に発生する光の干渉によって流入した外部光に対する反射率を落とすものであって、真空蒸着法によって形成される。
【0108】
そして、遮光コーティング処理された物質は、レジンにシリカ粒子を混ぜた物質を利用して、シリカ粒子による光の散乱作用によって外部光源に対する反射率を低めるようにする。
【0109】
この遮光コーティング処理は、主にスピンコーティング法によってなされる。
【0110】
すなわち、このように実施例5による有機電界発光素子では、外部光が表面に反射されてコントラスト比が落ちることを防止するための補償層510と、第1電極416を光透過性物質で構成することによって第1電極416下部に発光された光が透過したり、発光された光または外部光によって光漏れ電流が発生することを防止するために光遮断膜414を構成することによって、コントラスト比をさらに高めることができる効果を有する。
【0111】
しかし、本発明は前記実施例に限らず、本発明の趣旨を外れない範囲内で多様に変更して実施できる。
【0112】
【発明の効果】
以上のように、本発明による上部発光方式有機電界発光素子によると、次のような効果を有する。
【0113】
第一に、外部光が主に反射される位置であるトップ保護層表面と有機電界発光ダイオード電極表面の反射率を同時に下げることによって、最終的に外部光に対する低い反射でコントラスト比を大幅に向上させることができる。
【0114】
第二に、既存の円形偏光板に比べて材料費用が低廉で、高温高湿環境に対して脆弱でなくて、外部出力率が高くて信頼性のある有機電界発光素子を提供できる。
【0115】
第三に、下部電極である第1電極を光透過性物質で構成する上部発光方式有機電界発光素子から光漏れ発生原因を除去することができて、コントラスト比が向上された信頼性高い有機電界発光素子を提供できる。
【0116】
第四に、光遮断膜によって平坦化及び絶縁特性を有するようになるので、薄膜トランジスタの設計工程が容易になり得る。
【0117】
第五に、適用モデル素子の特性によって補償層をさらに適用することができて、さらにコントラスト比の向上幅を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面。
【図2】従来の第1例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図3】従来の第2例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図4】本発明の第1実施例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図5】前記図4のB領域に対する拡大図面。
【図6】本発明の第2実施例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図7】本発明の第3実施例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図8】本発明の第4実施例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【図9】前記図8の光遮断膜に対する平面図。
【図10】本発明の第5実施例による上部発光方式有機電界発光素子に対する断面図。
【符号の説明】
126:第1電極
128:有機電界発光層
130:第2電極
136:トップ保護層
138:第1補償層
E:有機電界発光ダイオード
Claims (11)
- 発光領域が定義された絶縁基板;
前記絶縁基板上に形成された光吸収性物質からなる光遮断膜;
前記光遮断膜上部に形成され、第1及び第2光透過性物質で各々構成された第1及び第2電極;
前記第1及び第2電極間に介在されて発光領域に配置された有機電界発光層;
前記第1及び第2電極とその間に介在された有機電界発光層からなる有機電界発光ダイオード;及び
前記絶縁基板上に駆動用スイッチ素子を含むスイッチング手段とからなり、
前記光遮断膜は、前記スイッチング手段を有する前記絶縁基板の全面に配置され、光吸収ポリマー系物質からなり、そして複数のコンタクトホールを有しており、
前記有機電界発光ダイオードは、前記コンタクトホールを通して前記駆動用スイッチ素子に接続され、前記光遮蔽膜の上面は平坦であり、前記第1の電極は前記光遮断膜に接触していることを特徴とする上部発光方式の有機電界発光素子。 - 前記光吸収性ポリマー系物質は、ブラックレジンであることを特徴とする請求項1に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記スイッチング素子は、正孔をキャリアとするp型スイッチング素子であり、前記第1電極は陽極である下部電極であって、前記第2電極は陰極である上部電極であり、前記第1光透過性物質はITOであって、前記第2光透過性物質は前記隣接した有機電界発光層と仕事関数の差が少ない光透過性物質からなることを特徴とする請求項1に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記第2電極上部に配置するトップ保護層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記第2電極とトップ保護層間にバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記トップ保護層上部に光反射率が低い物質で構成された補償層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記補償層をなす材質は、無反射コーティング処理した物質及び遮光コーティング処理した物質のうちの少なくともいずれか一つの物質であることを特徴とする請求項6に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記無反射コーティング物質は、真空蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項7に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記遮光コーティング物質は、スピンコーティング法によって形成されることを特徴とする請求項7に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記遮光コーティング物質は、レジンにシリカ粒子を混ぜた物質であることを特徴とする請求項9に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
- 前記光遮断膜は、紫外線から可視光線、赤外線領域にかけた光を遮断する性質を有する材質からなることを特徴とする請求項1に記載の上部発光方式有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0062307A KR100438797B1 (ko) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 유기전계발광 소자 |
KR2001-062307 | 2001-10-10 | ||
KR2001-068485 | 2001-11-05 | ||
KR1020010068485A KR100563131B1 (ko) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | 유기전계발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003123965A JP2003123965A (ja) | 2003-04-25 |
JP4263435B2 true JP4263435B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=26639383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002221186A Expired - Lifetime JP4263435B2 (ja) | 2001-10-10 | 2002-07-30 | 有機電界発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7071613B2 (ja) |
JP (1) | JP4263435B2 (ja) |
CN (2) | CN101572268B (ja) |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW595254B (en) * | 2002-03-29 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescense display device |
KR100563675B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 |
JP3757899B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2006-03-22 | 株式会社豊田自動織機 | 駆動用半導体装置及び表示装置ならびに輝度バランス調整方法 |
US7242140B2 (en) * | 2002-05-10 | 2007-07-10 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same |
TW588571B (en) * | 2002-05-24 | 2004-05-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device |
AU2003236752A1 (en) * | 2002-06-11 | 2003-12-22 | Hofstra, Peter, G. | Oled display with contrast enhancing interference members |
JP2004087439A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-03-18 | Toyota Industries Corp | 照明装置及び液晶表示装置 |
JP2004119016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004119015A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP4371297B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2009-11-25 | パイオニア株式会社 | 有機elディスプレイ |
FR2846794A1 (fr) * | 2002-11-05 | 2004-05-07 | Thomson Licensing Sa | Panneau organique electroluminescent bi-stable ou chaque cellule comprend une diode de shockley |
KR100497096B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
US7057208B2 (en) * | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP4362696B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-11-11 | ソニー株式会社 | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
KR100570973B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광차단용 기판을 구비한 표시장치 및 그의 제조방법 |
TW586333B (en) * | 2003-05-19 | 2004-05-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Light-emitting device having anti-reflecting member |
CN100345321C (zh) * | 2003-05-30 | 2007-10-24 | 统宝光电股份有限公司 | 具有抗反射构件的发光元件 |
JP2005011572A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法、並びに電子機器 |
JP4465992B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-05-26 | カシオ計算機株式会社 | El表示装置 |
TW595257B (en) * | 2003-06-27 | 2004-06-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Organic electro-luminescent device and method of manufacturing the same |
JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7710032B2 (en) * | 2003-07-11 | 2010-05-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Encapsulation structure for display devices |
KR100542997B1 (ko) | 2003-08-07 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
US7227306B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence display having recessed electrode structure |
JP4131218B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2008-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル、及び表示装置 |
JP4497881B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
JP4428979B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4547599B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-09-22 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
KR100581901B1 (ko) | 2004-02-06 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
WO2005098986A1 (fr) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Thomson Licensing | Panneau electroluminescent comprenant une couche d’extraction de lumiere incorporant partiellement des particules transparentes. |
CN100438118C (zh) * | 2004-03-15 | 2008-11-26 | 深圳市中显微电子有限公司 | 高显示对比度的有机电致发光器件及其制造方法 |
WO2005094134A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 |
JP2005285395A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Fujitsu Display Technologies Corp | 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置 |
TWI231723B (en) * | 2004-04-16 | 2005-04-21 | Ind Tech Res Inst | Organic electroluminescence display device |
JP2005317476A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR100635065B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR100721552B1 (ko) | 2004-05-19 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US20050269943A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
KR101068395B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
TWI240593B (en) * | 2004-10-15 | 2005-09-21 | Ind Tech Res Inst | Top-emitting organic light emitting diode (OLED) |
KR100601381B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
US7586121B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-09-08 | Au Optronics Corp. | Electroluminescence device having stacked capacitors |
JP5121118B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2013-01-16 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
WO2006108272A2 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Zheng-Hong Lu | Metal/fullerene anode structure and application of same |
KR101219036B1 (ko) | 2005-05-02 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN100369288C (zh) * | 2005-05-11 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光显示元件 |
US7811679B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
KR100712295B1 (ko) | 2005-06-22 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2007005173A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR20070003250A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2007121583A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Adrian Kitai | High contrast sphere-supported thin-film electroluminescent devices |
KR100760881B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-09-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 그 제조 방법, 및표시장치 |
JP4858379B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP5256909B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
US8076838B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-12-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP5302532B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-10-02 | 三菱電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
KR100932940B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
US8273997B2 (en) * | 2009-01-16 | 2012-09-25 | The Boeing Company | Antireflective apparatus with anisotropic capacitive circuit analog sheets |
FR2949775B1 (fr) | 2009-09-10 | 2013-08-09 | Saint Gobain Performance Plast | Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement |
FR2949776B1 (fr) * | 2009-09-10 | 2013-05-17 | Saint Gobain Performance Plast | Element en couches pour l'encapsulation d'un element sensible |
KR101076262B1 (ko) * | 2009-11-05 | 2011-10-27 | 한국과학기술원 | 무반사 유기 발광 다이오드 소자 |
KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101156436B1 (ko) * | 2010-01-19 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학필름 및 이를 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101084198B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101097337B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101146984B1 (ko) | 2010-03-09 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101857248B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
FR2973939A1 (fr) | 2011-04-08 | 2012-10-12 | Saint Gobain | Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible |
CN102810641B (zh) * | 2011-05-30 | 2016-04-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
KR101380335B1 (ko) * | 2011-10-10 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 헤테로시클릭 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치 |
WO2014009601A1 (en) * | 2012-06-21 | 2014-01-16 | Beneq Oy | Transparent inorganic thin-film electroluminescent display element and method for manufacturing it |
US9379259B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-28 | International Business Machines Corporation | Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices |
KR102028505B1 (ko) | 2012-11-19 | 2019-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법 |
KR102028053B1 (ko) | 2012-12-12 | 2019-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치 |
CN104218167A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机发光面板及其制备方法 |
CN103456764B (zh) * | 2013-09-09 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
KR102086805B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2020-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN103700685B (zh) * | 2013-12-12 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
CN104749667A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种抗反射基板及其制备方法和应用 |
WO2015118426A2 (en) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, lighting device, and electronic appliance |
KR102230943B1 (ko) | 2014-08-14 | 2021-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광흡수층을 포함하는 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
CN104332478A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102336004B1 (ko) | 2015-04-28 | 2021-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107068709A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-08-18 | 财团法人工业技术研究院 | 显示设备 |
JP2017147192A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
CN106374053B (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种oled显示面板和显示装置 |
US10354583B2 (en) * | 2017-02-22 | 2019-07-16 | Int Tech Co., Ltd. | Electroluminescent display and method of driving the same |
CN108630726A (zh) * | 2017-03-21 | 2018-10-09 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN108630725A (zh) * | 2017-03-21 | 2018-10-09 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN108630724A (zh) * | 2017-03-21 | 2018-10-09 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN107331688B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN107516662B (zh) * | 2017-07-31 | 2020-08-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
KR102459045B1 (ko) | 2017-11-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN109638044A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1302547C (en) * | 1988-12-02 | 1992-06-02 | Jerzy A. Dobrowolski | Optical interference electroluminescent device having low reflectance |
JPH03261047A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Toshiba Corp | 表示装置 |
KR950006658B1 (ko) | 1992-09-22 | 1995-06-21 | 대우전자주식회사 | 외기 온도를 반영한 보일러의 화력제어 방법 |
US5478658A (en) * | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5923464A (en) * | 1996-12-20 | 1999-07-13 | Summit Coating Technologies, Llc | Substance for front surface mirror |
FR2759360B1 (fr) * | 1997-02-10 | 1999-03-05 | Commissariat Energie Atomique | Materiau polymerique inorganique a base d'oxyde de tantale notamment a indice de refraction eleve, mecaniquement resistant a l'abrasion, son procede de fabrication et materiau optique comprenant ce materiau |
JP3633229B2 (ja) * | 1997-09-01 | 2005-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法 |
JP3799829B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2006-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置 |
EP1022931A4 (en) * | 1998-06-30 | 2004-04-07 | Nippon Seiki Co Ltd | ELECTROLUMINESCENT SCREEN |
US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
GB2351840A (en) * | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6411019B1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-06-25 | Luxell Technologies Inc. | Organic electroluminescent device |
TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP2002083691A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型有機led表示装置及びその製造方法 |
US6515428B1 (en) * | 2000-11-24 | 2003-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method |
JP2003017264A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Canon Inc | 電界発光素子及び画像表示装置 |
-
2002
- 2002-04-29 US US10/133,323 patent/US7071613B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-13 CN CN2009101429780A patent/CN101572268B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-13 CN CNB021213062A patent/CN100385707C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-30 JP JP2002221186A patent/JP4263435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1413069A (zh) | 2003-04-23 |
CN101572268A (zh) | 2009-11-04 |
US7071613B2 (en) | 2006-07-04 |
JP2003123965A (ja) | 2003-04-25 |
CN100385707C (zh) | 2008-04-30 |
US20030067266A1 (en) | 2003-04-10 |
CN101572268B (zh) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4263435B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR100563131B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
US8933443B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus providing mirror function | |
TWI578593B (zh) | 有機發光二極體裝置及其製造方法 | |
US6114715A (en) | Display apparatus using electroluminescence elements | |
JP4591451B2 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
KR101730609B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
US8809873B2 (en) | Display device | |
KR101575168B1 (ko) | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2005019211A (ja) | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 | |
JP2002208491A (ja) | 自己発光型表示装置 | |
KR100438797B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
KR100653265B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR20170041309A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
US11963423B2 (en) | Transparent display device | |
KR20150067974A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
JP4540303B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
KR102365036B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN111415963B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
KR100781594B1 (ko) | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 | |
JP2009109883A (ja) | 電場発光表示装置 | |
KR101952191B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20160042679A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
KR101770592B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
KR20220072109A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070319 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070619 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080702 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090212 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4263435 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |