JP2006261058A - 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 - Google Patents
有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006261058A JP2006261058A JP2005080131A JP2005080131A JP2006261058A JP 2006261058 A JP2006261058 A JP 2006261058A JP 2005080131 A JP2005080131 A JP 2005080131A JP 2005080131 A JP2005080131 A JP 2005080131A JP 2006261058 A JP2006261058 A JP 2006261058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- film
- protective film
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 上部電極となる第2電極5上に、保護膜6及び7が形成され、この保護膜上に、第2電極5に電気的に連結される第3電極8すなわち補助電極が形成された構成とする。
【選択図】 図1
Description
次に、少なくとも有機発光材料からなる有機膜を蒸着法などによって作製する。通常、RGBの各色に対応する有機膜の蒸着は、それぞれの色に対応する部分だけ開口しているメタルマスクを用いて行う。
次に、有機膜の上に、蒸着法などによって第2電極を作製する。
また、支持基板とは反対側から光を取り出す素子(トップエミッション型)の場合には、第1電極を光反射材料で構成し、第2電極を光透過材料で構成する。
このアクティブマトリクス方式による場合、第1電極と基板との間にTFT素子が形成されることから、素子構造としてはトップエミッション型であるほうが開口率を大きくでき、より大画面化に適している。
さらに、トップエミッション型の場合には、上述したように、第2電極を、透明もしくは半透明の光透過性材料で構成する必要があるが、通常用いられる光透過性電極であるITO(Indium Tin Oxide)などの酸化膜や金属薄膜は、スパッタによる作製時に有機膜が損傷を受け有機EL素子の表示品質の低下が起きることや、抵抗値が高くなるために大画面化したときに電圧降下が起き、画面の中央部と周辺部で発光強度が異なり画質低下が生じることが問題となる。
これに対し、下部電極すなわち第1電極と同一平面上に、最終的に上部電極が形成される位置と同程度の高さを有するように補助電極となる第3電極を形成し、この第3電極の側面で上部電極すなわち第2電極とのコンタクトをとる方法(例えば特許文献1参照)や、上部電極上に補助配線を直接積層させる方法(例えば特許文献2参照)などが提案されている。
また、この方法において、例えば補助電極をオーバーハング状に形成した場合にも、補助電極の形成後に有機膜の蒸着を行う限り、補助電極に対する有機膜の付着を抑制することは難しく、上部電極とのコンタクトすなわち電気的連結に支障をきたすおそれがあり、オーバーハング形状を極端に幅広に形成することも、電極の付着が困難になるほか、素子の高精細化を図る上で問題となる。
さらに、リソグラフィーなどの手法によって上部電極や有機膜をパターニングすることは、溶剤・水分などにより、有機層がダメージを受けるため、好ましくない。
本実施の形態に係る有機EL素子1は、図1A及び図1Bに示すように、例えばガラスよりなる基板2上に、少なくとも、第1電極3と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜4と、第2電極5とを有し、第2電極5上に、第1及び第2の保護膜6及び7が積層膜として形成され、その上に、第2電極5に電気的に連結される第3電極8が形成された構成を有する。
なお、図示しないが、第3電極8とその開口に露出する第2保護膜7の上に、これらと有機EL素子1の側面とを覆うように、接着樹脂と封止基板が形成されることが好ましい。
また、本実施形態に係る有機EL素子1は、基板2と第1電極3との間に、図示しないTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が設けられ、このTFT素子によって第1電極が駆動されるアクティブマトリクス型とされる。
また、本実施形態においては、有機膜4は、隣り合う画素10について共通に所謂ベタ膜として形成されている。
また、第3電極は主に複数の画素10の周縁に対応して形成されており、各画素10において有機膜4で生じる発光を阻害しない位置形状とされる。すなわち、第3電極8は、単位画素10ごと或いは複数の画素10を取り囲むように形成される。
例えば、図2Aに示すように、格子状に設けられた複数の画素10の画素間部に形成される、水平方向に延在する第3電極8と垂直方向に延在する第3電極8の全ての交点に設けることもできるし、図2Bに示すように、コンタクトホールを間引いて1つおきの交点に設けることもできる。また、図2Cに示すように、画素10の1つの対角線上に位置する交点のみに、所謂千鳥格子状に設けることもできる。
第2電極5の補助電極となる第3電極8は、第2電極に比して高い導電性を有することが好ましい。第2電極に比して導電性を高くするには、第2電極に比して小さな比抵抗を有する材料を用いても良いし、第2電極と同等または大きな比抵抗を有する材料を用いながらも第2電極よりも厚く形成するなどして実質抵抗の低減を図っても良い。
また、周縁とは、例えば複数並んだ画素間の少なくとも一部を指称し、必ずしも画素の周囲を完全に囲む形状でなくとも良い。
なおここで、第2保護膜7は、この第1保護膜6に対するエッチングにおけるマスクとなることから、第1保護膜6に比して高い耐エッチング性を有する材料で構成することが好ましい。
第3電極8のエッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。
また、例えば、図7に示すように、第3電極が各画素10全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、有機EL素子の外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。この場合の光透過材料としては、ITOなどを用いることができる。
また、絶縁膜を構成する材料も、PIに限られず、他の有機材料やSiO2などの酸化膜でも適用可能である。
また、第2電極すなわち上部電極を構成する材料も、Mg−Ag混合膜に限られず、例えばごく薄いAlやITOによる光透過性材料が適用可能である。
また、第1及び第2の保護膜を構成する材料も、SiOX、SiNXに限られず、逆の組み合わせ、もしくはAl2O3のような材料でも適用可能である。また、第1保護膜、第2保護膜が同一の材料であっても、例えば組成比を互いに異なる構成とすることによるなどして、エッチング耐性が異なる構成とすれば、同一材料による構成とすることも可能である。
Claims (16)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機EL素子であって、
前記第2電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記第3電極と前記第2電極との連結が、画素の周縁部で選択的になされる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第3電極と前記第2電極との連結が、前記保護膜内に形成されたコンタクトホールにおいてなされる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第3電極が、少なくとも一部、画素の周縁に対応して形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第3電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第3電極が、前記第2電極に比して高い導電性を示す
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記保護膜が、少なくとも2層以上の多層膜である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記有機膜が、少なくとも一部、隣り合う画素間で共通に形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記第1電極が、光反射材料よりなり、前記第2電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 有機EL素子を有する表示装置であって、
前記有機EL素子が、
第1電極と、第2電極と、前記第1及び第2の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、
前記第2電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第2電極に電気的に連結される第3電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする表示装置。 - 基板上に、第1電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第2電極とを積層形成する工程と、
前記第2電極上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に、前記第2電極に連結される第3電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記第3電極の形成に先立って、前記保護膜の一部を選択的にエッチングする
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第3電極を、少なくとも一部、画素の周縁に対応させて形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第3電極を、光透過材料により構成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記保護膜を、少なくとも2層以上の多層膜として形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜を、少なくとも一部、隣り合う画素について共通に形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080131A JP2006261058A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080131A JP2006261058A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261058A true JP2006261058A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=37100040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005080131A Pending JP2006261058A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006261058A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009193754A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
JP2011118341A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US9048206B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-06-02 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing thereof |
JP2019102446A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光装置 |
US10854839B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-12-01 | Joled Inc. | Organic el display panel and method of manufacturing organic el display panel |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033198A (ja) * | 2000-05-08 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002063991A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002252082A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-06 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2002530881A (ja) * | 1998-11-18 | 2002-09-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機含有材料の2つの層を有する電子装置を製造する方法 |
JP2003059653A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2003086352A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003234179A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oledディスプレイ |
JP2003257657A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、および製造装置 |
JP2003303687A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2004014366A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 |
JP2004119015A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2005011573A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法及び電子機器 |
JP2005019211A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Casio Comput Co Ltd | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 |
JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2005158693A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005080131A patent/JP2006261058A/ja active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002530881A (ja) * | 1998-11-18 | 2002-09-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機含有材料の2つの層を有する電子装置を製造する方法 |
JP2002033198A (ja) * | 2000-05-08 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002063991A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002252082A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-06 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2003059653A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2003086352A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003257657A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、および製造装置 |
JP2003303687A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2003234179A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oledディスプレイ |
JP2004014366A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 |
JP2004119015A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2005011573A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法及び電子機器 |
JP2005019211A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Casio Comput Co Ltd | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 |
JP2005158693A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009193754A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
US7786668B2 (en) | 2008-02-13 | 2010-08-31 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device |
JP4670875B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2011-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置 |
JP2011118341A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US9449547B2 (en) | 2009-12-01 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
US9048206B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-06-02 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and method of manufacturing thereof |
JP2019102446A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光装置 |
US10636995B2 (en) | 2017-11-28 | 2020-04-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US10854839B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-12-01 | Joled Inc. | Organic el display panel and method of manufacturing organic el display panel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10686025B2 (en) | Organic light emitting display device having connection lines passing through a bending region | |
JP4089544B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP6560847B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
US8120246B2 (en) | Display device with improved moisture prevention and production method for the same | |
US11081680B2 (en) | Pixel structure, method for forming the same, and display screen | |
US10937838B2 (en) | Organic light emitting display device | |
JP4517304B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2008078038A (ja) | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP6685142B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2007073338A (ja) | 有機el装置の製造方法及び有機el装置 | |
JP6837410B2 (ja) | 発光領域を含むディスプレイ装置 | |
JP2007280920A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2010272447A (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法、および電子機器 | |
JP2006261058A (ja) | 有機el素子、表示装置、有機el素子の製造方法 | |
JP4937935B2 (ja) | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 | |
TW201314989A (zh) | 有機發光裝置和其製造方法 | |
CN110785868B (zh) | 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法 | |
JP2019091673A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5313769B2 (ja) | 積層基板および発光素子の製造方法 | |
JP2010153171A (ja) | 有機el装置 | |
JP4789737B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP7339432B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法、駆動基板 | |
CN110085625B (zh) | 顶发射型显示器件及其制作方法 | |
JP4618497B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP2007059302A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111004 |