JP2003203964A - 半導体チップを実装するためのピックアップツール - Google Patents
半導体チップを実装するためのピックアップツールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性的に変形可能な材料からなる
吸引手段（４）を有し、半導体チップ（２）を捕捉する
ための表面（６）が凸状に形成されるピックアップツー
ルを提供する。 【解決手段】 半導体チップ（２）をすでに実装
された半導体チップ（１４）に配置すると、半導体チッ
プ（２）の中心が最初に衝突する。凸状表面（６）は、
その表面と捕捉された半導体チップ（２）が平らになる
まで、圧力が増大することにより次第に変形される。圧
力は、吸引手段（４）の中心から外向きに増大する。こ
れを行う際、半導体チップ（２）は、下側の半導体チッ
プ（１４）に転がされることで、空気を継続的に逃がす
ことができる。
吸引手段（４）を有し、半導体チップ（２）を捕捉する
ための表面（６）が凸状に形成されるピックアップツー
ルを提供する。 【解決手段】 半導体チップ（２）をすでに実装
された半導体チップ（１４）に配置すると、半導体チッ
プ（２）の中心が最初に衝突する。凸状表面（６）は、
その表面と捕捉された半導体チップ（２）が平らになる
まで、圧力が増大することにより次第に変形される。圧
力は、吸引手段（４）の中心から外向きに増大する。こ
れを行う際、半導体チップ（２）は、下側の半導体チッ
プ（１４）に転がされることで、空気を継続的に逃がす
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを実
装するためのピックアップツールに関する。このような
ピックアップツールは、「ダイコレット」または「ダイ
ボンディングツール」の名称で知られている。
装するためのピックアップツールに関する。このような
ピックアップツールは、「ダイコレット」または「ダイ
ボンディングツール」の名称で知られている。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを実装する場合、ウェーハ
から切り分けられフォイルに付着された半導体チップ
は、ピックアップツールにより捕捉され、基板に配置さ
れる。このようなピックアップツールは、基本的に、金
属シャフトと、それに取り付けられた吸引手段とを備え
る。吸引手段は、捕捉する半導体チップの方向に向いた
キャビティを有し、そこにドリルホールを介して真空が
付与される。半導体チップ上に吸引手段が載ると、真空
により半導体チップが吸引手段に固着する。吸引手段
は、市場でピックアップツールまたはゴムチップと呼ば
れている。
から切り分けられフォイルに付着された半導体チップ
は、ピックアップツールにより捕捉され、基板に配置さ
れる。このようなピックアップツールは、基本的に、金
属シャフトと、それに取り付けられた吸引手段とを備え
る。吸引手段は、捕捉する半導体チップの方向に向いた
キャビティを有し、そこにドリルホールを介して真空が
付与される。半導体チップ上に吸引手段が載ると、真空
により半導体チップが吸引手段に固着する。吸引手段
は、市場でピックアップツールまたはゴムチップと呼ば
れている。
【０００３】また、半導体チップは、互いに重なり合わ
せて実装され、互いに重なり合わせて実装されたチップ
は、市場で「積層ダイ」として知られている。この場
合、エポキシからなる接着剤の一部を用いた一般的な従
来の方法で、基板に第１半導体チップが最初に実装され
る。第２半導体チップの背面に付着の接着剤フィルムに
より、第１半導体チップに第２半導体チップが接着され
る。この場合、第２半導体チップ付きのウェーハの背面
は接着剤で被覆され、ウェーハはフォイルに接着され、
個々の第２半導体チップに切り分けられる。その後半導
体チップは、ピックアンドプレースシステムにより捕捉
され、約１００〜１５０℃の範囲の温度で圧力をかけな
がら、第１半導体チップに張り付けられる。このような
実装プロセスは、市場で「プレコートチッププロセス」
または「フィルムボンディング」の名称で知られてい
る。このプロセスの利点として、接着フィルムの厚みが
均一であるため、実装された半導体チップが傾斜しない
ことが挙げられる。さらに、第２半導体チップの背面全
体に接着剤コーティングが塗布されるため、空隙が生じ
る危険性がなく、第２半導体チップを取り囲む接着剤の
フィレットがない。これにより、２つの半導体チップを
結合するボンドワイヤの結合領域（パッド）を、第２半
導体チップの縁端部にすぐに隣接した第１半導体チップ
に設けることができる。
せて実装され、互いに重なり合わせて実装されたチップ
は、市場で「積層ダイ」として知られている。この場
合、エポキシからなる接着剤の一部を用いた一般的な従
来の方法で、基板に第１半導体チップが最初に実装され
る。第２半導体チップの背面に付着の接着剤フィルムに
より、第１半導体チップに第２半導体チップが接着され
る。この場合、第２半導体チップ付きのウェーハの背面
は接着剤で被覆され、ウェーハはフォイルに接着され、
個々の第２半導体チップに切り分けられる。その後半導
体チップは、ピックアンドプレースシステムにより捕捉
され、約１００〜１５０℃の範囲の温度で圧力をかけな
がら、第１半導体チップに張り付けられる。このような
実装プロセスは、市場で「プレコートチッププロセス」
または「フィルムボンディング」の名称で知られてい
る。このプロセスの利点として、接着フィルムの厚みが
均一であるため、実装された半導体チップが傾斜しない
ことが挙げられる。さらに、第２半導体チップの背面全
体に接着剤コーティングが塗布されるため、空隙が生じ
る危険性がなく、第２半導体チップを取り囲む接着剤の
フィレットがない。これにより、２つの半導体チップを
結合するボンドワイヤの結合領域（パッド）を、第２半
導体チップの縁端部にすぐに隣接した第１半導体チップ
に設けることができる。
【０００４】実装時に最小限のダメージをも半導体チッ
プに与えないように、吸引手段がゴム製のピックアップ
ツールが使用される。ゴムを用いるさらなる利点は、ゴ
ムが中空チャンバを十分に密閉するため、比較的大きな
吸引力でフォイルから半導体チップを引き離すことが可
能なことである。
プに与えないように、吸引手段がゴム製のピックアップ
ツールが使用される。ゴムを用いるさらなる利点は、ゴ
ムが中空チャンバを十分に密閉するため、比較的大きな
吸引力でフォイルから半導体チップを引き離すことが可
能なことである。
【０００５】省スペース化を図るために、ますます半導
体チップの薄型化がなされている。しかしながら、ピッ
クアップツールで捕捉される半導体チップは、厚みが約
１５０μｍの場合、真空により生じる圧力により半導体
チップが吸引開口部に押圧されることが原因で屈曲する
ことがある。これは、厚みが１００μｍの場合、事実
上、例外なく起こる。半導体チップを下側の半導体チッ
プに配置すると、屈曲したチップがまず第１半導体チッ
プ上に縁端部で載り、２つの半導体チップ間に形成され
た空洞が密閉されて、閉じ込められた空気の逃げ道がな
くなるため、第２半導体チップの下方に望ましくない気
泡が生じる。
体チップの薄型化がなされている。しかしながら、ピッ
クアップツールで捕捉される半導体チップは、厚みが約
１５０μｍの場合、真空により生じる圧力により半導体
チップが吸引開口部に押圧されることが原因で屈曲する
ことがある。これは、厚みが１００μｍの場合、事実
上、例外なく起こる。半導体チップを下側の半導体チッ
プに配置すると、屈曲したチップがまず第１半導体チッ
プ上に縁端部で載り、２つの半導体チップ間に形成され
た空洞が密閉されて、閉じ込められた空気の逃げ道がな
くなるため、第２半導体チップの下方に望ましくない気
泡が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄型
の半導体チップを問題なく実装できるピックアップツー
ルを開発することである。
の半導体チップを問題なく実装できるピックアップツー
ルを開発することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１およ
び請求項６に記載の特徴を備える。好適なデザインは、
従属請求項から得られる。
び請求項６に記載の特徴を備える。好適なデザインは、
従属請求項から得られる。
【０００８】上述した課題を解決するために、半導体チ
ップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な
材料からなる吸引手段を有するピックアップツールが提
供される。真空を供給するために、半導体チップを捕捉
するための吸引手段の表面は、例えば、表面の中心には
開口部がないが、真空が付与される縁端部の領域に開口
部が配設される。この代わりとして、吸引手段は、多孔
材料で充填された少なくとも１つの空洞を有し、その上
の凸状表面に真空が供給される。半導体チップをすでに
実装された半導体チップに配置すると、凸状表面は、そ
の表面および捕捉された半導体チップが平らになるま
で、圧力が増大して次第に変形される。圧力は、吸引手
段の中心から外向きに増大する。これを行うさい、半導
体チップは、下側の半導体チップに転がされることによ
り、空気を継続的に逃がすことができる。
ップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な
材料からなる吸引手段を有するピックアップツールが提
供される。真空を供給するために、半導体チップを捕捉
するための吸引手段の表面は、例えば、表面の中心には
開口部がないが、真空が付与される縁端部の領域に開口
部が配設される。この代わりとして、吸引手段は、多孔
材料で充填された少なくとも１つの空洞を有し、その上
の凸状表面に真空が供給される。半導体チップをすでに
実装された半導体チップに配置すると、凸状表面は、そ
の表面および捕捉された半導体チップが平らになるま
で、圧力が増大して次第に変形される。圧力は、吸引手
段の中心から外向きに増大する。これを行うさい、半導
体チップは、下側の半導体チップに転がされることによ
り、空気を継続的に逃がすことができる。
【０００９】したがって、この実装プロセスの場合、吸
引手段により捕捉される半導体チップは、すでに実装さ
れた半導体チップに配置される前に凸状にされた後、配
置の最終段階で通常の形状に戻される。
引手段により捕捉される半導体チップは、すでに実装さ
れた半導体チップに配置される前に凸状にされた後、配
置の最終段階で通常の形状に戻される。
【００１０】接着フィルムで背面を被覆した第２半導体
チップを第１半導体チップに実装するための方法は、 −第２半導体チップを凸状に変形させるための凸状表面
を有するピックアップツールを用いて第２半導体チップ
を捕捉するステップと、 −第２半導体チップを第１半導体チップに配置させるた
めにピックアップツールを下降させ、最初に第２半導体
チップの中心が第１半導体チップに衝突するステップ
と、 −通常は凸状の表面が平らになるように、吸引手段を変
形させるために圧力を増大させるステップと、 −第２半導体チップを伴わずにピックアップツールを持
ち上げるステップとを含む。
チップを第１半導体チップに実装するための方法は、 −第２半導体チップを凸状に変形させるための凸状表面
を有するピックアップツールを用いて第２半導体チップ
を捕捉するステップと、 −第２半導体チップを第１半導体チップに配置させるた
めにピックアップツールを下降させ、最初に第２半導体
チップの中心が第１半導体チップに衝突するステップ
と、 −通常は凸状の表面が平らになるように、吸引手段を変
形させるために圧力を増大させるステップと、 −第２半導体チップを伴わずにピックアップツールを持
ち上げるステップとを含む。
【００１１】以下、図面を参照しながら本発明の実施形
態について詳細に説明する。図面は、本発明の本質を例
示的に表すために、一定の比例で示されていない。
態について詳細に説明する。図面は、本発明の本質を例
示的に表すために、一定の比例で示されていない。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、半導体チップ２を捕捉し
たピックアップツール１の横断面図を示す。ピックアッ
プツール１は、シャフト３と、シャフト３に固定され、
ゴムなどの弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段４
とを備える。シャフト３の下端部に、寸法的に安定した
材料からなる板５が取り付けられる。一般的に、シャフ
ト３と板５は一体に形成される。半導体チップ２を配置
する際にシャフト３により生じた圧力を吸引手段４の全
体に伝達させ、吸引手段４が板５の方向に上向きに屈曲
しないように、板５が吸引手段４を支持する。本発明に
よれば、半導体チップ２に面する吸引手段４の表面６
は、凸状に形成される。凸状の程度、すなわち、凸状表
面６の中心と縁端部の高低差は、参照特性Ｈで示され
る。吸引手段４は、シャフト３の長手方向ドリルホール
７を介して凸状表面６に供給される真空でもって半導体
チップ２を保持する。以下、真空の供給方法が異なる２
つの実施形態について説明する。
たピックアップツール１の横断面図を示す。ピックアッ
プツール１は、シャフト３と、シャフト３に固定され、
ゴムなどの弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段４
とを備える。シャフト３の下端部に、寸法的に安定した
材料からなる板５が取り付けられる。一般的に、シャフ
ト３と板５は一体に形成される。半導体チップ２を配置
する際にシャフト３により生じた圧力を吸引手段４の全
体に伝達させ、吸引手段４が板５の方向に上向きに屈曲
しないように、板５が吸引手段４を支持する。本発明に
よれば、半導体チップ２に面する吸引手段４の表面６
は、凸状に形成される。凸状の程度、すなわち、凸状表
面６の中心と縁端部の高低差は、参照特性Ｈで示され
る。吸引手段４は、シャフト３の長手方向ドリルホール
７を介して凸状表面６に供給される真空でもって半導体
チップ２を保持する。以下、真空の供給方法が異なる２
つの実施形態について説明する。
【００１３】
【実施例】実施例１
この実施形態では、半導体チップ２に面する吸引手段４
の凸状表面６は、真空を供給可能な開口部８を有する。
開口部８は、表面６の縁端部付近に配設されるのに対し
て、表面６の中心には開口部がない。図２（Ａ）および
図２（Ｂ）は、表面６の平面図を示す。開口部８は、例
えば、図２（Ａ）に示されているように、吸引手段４の
縁端部９に沿って延びるスリット１０に平行であるか、
または、図２（Ｂ）に示されているように、縁端部９の
領域に配設された多数のドリルホール１１からなる。
の凸状表面６は、真空を供給可能な開口部８を有する。
開口部８は、表面６の縁端部付近に配設されるのに対し
て、表面６の中心には開口部がない。図２（Ａ）および
図２（Ｂ）は、表面６の平面図を示す。開口部８は、例
えば、図２（Ａ）に示されているように、吸引手段４の
縁端部９に沿って延びるスリット１０に平行であるか、
または、図２（Ｂ）に示されているように、縁端部９の
領域に配設された多数のドリルホール１１からなる。
【００１４】また、図２（Ａ）は、座標軸をｘとｙで示
したデカルト座標系を示す。表面６は、単一の方向、例
えば、ｘ方向に対して凸状に形成されるか、または、ｘ
方向およびｙ方向に対して凸状に形成される。
したデカルト座標系を示す。表面６は、単一の方向、例
えば、ｘ方向に対して凸状に形成されるか、または、ｘ
方向およびｙ方向に対して凸状に形成される。
【００１５】図３は、シャフト３と板５内に真空チャネ
ル１８が可能な限り延びた状態のピックアップツール１
の実施形態を示す。吸引手段４において、真空チャネル
１８は垂直方向にしか延びていない。このようにして、
吸引手段４の中心領域の機械的な安定性が高められる。
ル１８が可能な限り延びた状態のピックアップツール１
の実施形態を示す。吸引手段４において、真空チャネル
１８は垂直方向にしか延びていない。このようにして、
吸引手段４の中心領域の機械的な安定性が高められる。
【００１６】実施例２
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して記載する実施形
態の場合、吸引手段４は、多孔材料で充填された空洞１
２を有し、そこに真空が付与される。空洞１２は、例え
ば、吸引手段４の表面６の中心に位置する。
態の場合、吸引手段４は、多孔材料で充填された空洞１
２を有し、そこに真空が付与される。空洞１２は、例え
ば、吸引手段４の表面６の中心に位置する。
【００１７】実施例１のスリット１０および／またはド
リルホール１１を提供する際、これらを多孔材料で充填
するためのさらなる可能性がある。
リルホール１１を提供する際、これらを多孔材料で充填
するためのさらなる可能性がある。
【００１８】図５および図６は、基板１３にすでに実装
された半導体チップ１４に半導体チップ２を配置するプ
ロセスのスナップショットをそれぞれ示しているが、ピ
ックアップツール１の詳細は示されていない。半導体チ
ップ２の背面に接着フィルム１５が接着される。以下、
半導体チップ２は、その背面に塗布された接着フィルム
１５を有する半導体チップ２を意味する。真空が開口部
８（図１）に広がると、半導体チップ２は、吸引手段４
の凸状表面６の曲率に適合する。その結果、半導体チッ
プ２の中心が最初に半導体チップ１４に衝突する。図５
に、この状態が示されている。ピックアップツール１の
シャフト３がさらに降下されると、半導体チップ２が半
導体チップ１４に平らに載るまで、吸引手段４とその凸
状表面６を変形させる圧力が増大する。図６に、この状
態が示されている。表面６の形状が凸状であることによ
り、吸引手段４の中心から外向きに圧力が増大する。こ
れを行う際に、半導体チップ２は、半導体チップ１４に
転がされることで、空気を継続的に逃がすことができ
る。半導体チップ２の縁部１６は、半導体チップ１４上
の縁端部にのみ衝突する。接着フィルム１５の接着性を
高めるために、基板１３は、従来の方法で必要な温度ま
で加熱される。半導体チップ１４は、従来のように接着
剤のフィレット１７により取り囲まれているのに対し
て、半導体チップ２には、このようなフィレットがな
い。
された半導体チップ１４に半導体チップ２を配置するプ
ロセスのスナップショットをそれぞれ示しているが、ピ
ックアップツール１の詳細は示されていない。半導体チ
ップ２の背面に接着フィルム１５が接着される。以下、
半導体チップ２は、その背面に塗布された接着フィルム
１５を有する半導体チップ２を意味する。真空が開口部
８（図１）に広がると、半導体チップ２は、吸引手段４
の凸状表面６の曲率に適合する。その結果、半導体チッ
プ２の中心が最初に半導体チップ１４に衝突する。図５
に、この状態が示されている。ピックアップツール１の
シャフト３がさらに降下されると、半導体チップ２が半
導体チップ１４に平らに載るまで、吸引手段４とその凸
状表面６を変形させる圧力が増大する。図６に、この状
態が示されている。表面６の形状が凸状であることによ
り、吸引手段４の中心から外向きに圧力が増大する。こ
れを行う際に、半導体チップ２は、半導体チップ１４に
転がされることで、空気を継続的に逃がすことができ
る。半導体チップ２の縁部１６は、半導体チップ１４上
の縁端部にのみ衝突する。接着フィルム１５の接着性を
高めるために、基板１３は、従来の方法で必要な温度ま
で加熱される。半導体チップ１４は、従来のように接着
剤のフィレット１７により取り囲まれているのに対し
て、半導体チップ２には、このようなフィレットがな
い。
【００１９】吸引手段４の表面６の凸状の程度は、接着
フィルム１５の厚みのほぼ半分であることが好ましい。
したがって、接着フィルム１５の厚みが６０μｍの場
合、表面６の中心と縁端部との高低差Ｈ（図１）は、例
えば、約３０μｍになる。
フィルム１５の厚みのほぼ半分であることが好ましい。
したがって、接着フィルム１５の厚みが６０μｍの場
合、表面６の中心と縁端部との高低差Ｈ（図１）は、例
えば、約３０μｍになる。
【００２０】典型的に１０ｍｍ×１０ｍｍの寸法と比較
すると、表面６の凸状が比較的小さいため、吸引手段４
が一方で必要な剛性または硬度を備えながら、他方では
表面６を無負荷の凸状の状態（図５）から半導体チップ
２の配置に必要な平坦な状態（図６）にするための必要
な弾性も備える場合、板５を省いてよい。
すると、表面６の凸状が比較的小さいため、吸引手段４
が一方で必要な剛性または硬度を備えながら、他方では
表面６を無負荷の凸状の状態（図５）から半導体チップ
２の配置に必要な平坦な状態（図６）にするための必要
な弾性も備える場合、板５を省いてよい。
【００２１】半導体チップ２が半導体チップ１４に衝突
する図５に示された状態から、半導体チップ２が半導体
チップ１４上に平らに載る図６に示された状態への移行
段階中、ピックアップツール１は、例えば、一定の速
度、または圧力または力の所望の増大曲線に適応させた
速度プロファイルで下降される。
する図５に示された状態から、半導体チップ２が半導体
チップ１４上に平らに載る図６に示された状態への移行
段階中、ピックアップツール１は、例えば、一定の速
度、または圧力または力の所望の増大曲線に適応させた
速度プロファイルで下降される。
【図１】図１は、半導体チップの実装に有用である凸状
表面を有する吸引手段を備えたピックアップツールの横
断面図である。
表面を有する吸引手段を備えたピックアップツールの横
断面図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、凸状表面の平面
図である。
図である。
【図３】図３は、第２のピックアップツールの横断面図
である。
である。
【図４】図４（Ａ）は、第３のピックアップツールの横
断面図であり、図４（Ｂ）は、第３のピックアップツー
ルの凸状表面の平面図である。
断面図であり、図４（Ｂ）は、第３のピックアップツー
ルの凸状表面の平面図である。
【図５】図５は、実装プロセス中のスナップショットで
ある。
ある。
【図６】図６は、実装プロセス中のスナップショットで
ある。
ある。
１ ピックアップツール
２、１４ 半導体チップ
３ シャフト
４ 吸引手段
５ 板
６ 凸状表面
７ 長手方向のドリルホール
８ 開口部
９ 吸引手段の縁端部
１０ スリット
１１ ドリルホール
１２ 空洞
１３ 基板
１５ 接着フィルム
１６ 半導体チップの縁端部
１７ フィレット
１８ 真空チャネル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 フヴィラー，ロルフ
スイス国 ＣＨ−5620 ブレームガルテ
ン，ヴァーゲンラインシュトラーセ 14
(72)発明者 シュネツラー，ダニエル
スイス国 ＣＨ−6314 ウンテラゲリ，フ
レンシュトラーセ 24エー
Ｆターム(参考） 3C007 AS08 AS24 DS01 FS01 FT07
FT08 NS17
5F031 CA13 FA05 FA07 FA11 FA12
GA23 GA26 MA35
5F044 PP02 PP16
5F047 FA08
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップを実装するためのピックア
ップツール（１）であって、 シャフト（３）と、 該シャフトに連結され、弾性的に変形可能な材料からな
り、半導体チップ（２）を捕捉するための凸状の表面
（６）からなる吸引手段（４）とを具備するピックアッ
プツール（１）。 - 【請求項２】 半導体チップ（２）を捕捉するための吸
引手段（４）の表面（６）が、真空が付与可能な縁端部
（９）の領域に配設された開口部（８）を有し、該表面
（６）の中心には開口部がない請求項１に記載のピック
アップツール。 - 【請求項３】 開口部（８）が、多孔材料で充填される
請求項２に記載のピックアップツール（１）。 - 【請求項４】 吸引手段（４）が、真空が付与可能な多
孔材料で充填された少なくとも１つの空洞（１２）を有
する請求項１に記載のピックアップツール（１）。 - 【請求項５】 シャフト（３）の下端部に、吸引手段
（４）を支持するための板（５）が配設される請求項１
から４のいずれか一項に記載のピックアップツール
（１）。 - 【請求項６】 接着フィルム（１５）で背面を被覆した
第２半導体チップ（２）を第１半導体チップ（１４）に
実装するための方法であって、 弾性的に変形可能な材料からなり、第２半導体チップを
凸状に変形させるための凸状表面（６）を有するピック
アップツールを用いて第２半導体チップ（２）を捕捉す
るステップと、 第２半導体チップ（２）を第１半導体チップ（１４）に
配置するためにピックアップツールを下降させ、第２半
導体チップの中心が最初に第１半導体チップに衝突する
ステップと、 通常は凸状の表面（６）が平らになるように、吸引手段
（４）を弾性的に変形させるために圧力を増大させるス
テップと、 第２半導体チップを伴わずにピックアップツールを持ち
上げるステップとを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01130532.3 | 2001-12-21 | ||
| EP20010130532 EP1321966B8 (de) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Greifwerkzeug zum Montieren von Halbleiterchips |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003203964A true JP2003203964A (ja) | 2003-07-18 |
| JP2003203964A5 JP2003203964A5 (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=8179631
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002366671A Pending JP2003203964A (ja) | 2001-12-21 | 2002-12-18 | 半導体チップを実装するためのピックアップツール |
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| EP (1) | EP1321966B8 (ja) |
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| DE (1) | DE50112340D1 (ja) |
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-
2001
- 2001-12-21 EP EP20010130532 patent/EP1321966B8/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-21 DE DE50112340T patent/DE50112340D1/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-18 JP JP2002366671A patent/JP2003203964A/ja active Pending
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