JP3039971B2 - 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 - Google Patents
接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子Info
- Publication number
- JP3039971B2 JP3039971B2 JP23984490A JP23984490A JP3039971B2 JP 3039971 B2 JP3039971 B2 JP 3039971B2 JP 23984490 A JP23984490 A JP 23984490A JP 23984490 A JP23984490 A JP 23984490A JP 3039971 B2 JP3039971 B2 JP 3039971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- brazing
- metal
- piezoelectric ceramic
- ceramic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧電セラミツクス素子をマウント部材に接
合して一体化した接合型圧電装置及びその製造方法に係
り、特に弾性波検出用のセンサや各種のアクチユエータ
に好適なセラミツクス圧電装置とその製造方法に関す
る。
合して一体化した接合型圧電装置及びその製造方法に係
り、特に弾性波検出用のセンサや各種のアクチユエータ
に好適なセラミツクス圧電装置とその製造方法に関す
る。
センサや各種のアクチユエータとして使用されている
電気−機械変換素子、いわゆるトランスデユーサとして
は、種々の方式のものが知られているが、その一種に圧
電型のトランスデユーサがあり、その中でも圧電セラミ
ツクスの圧電特性を利用したトランスデユーサ、すなわ
ち、セラミツクス圧電装置が従来から広く使用されてい
る。
電気−機械変換素子、いわゆるトランスデユーサとして
は、種々の方式のものが知られているが、その一種に圧
電型のトランスデユーサがあり、その中でも圧電セラミ
ツクスの圧電特性を利用したトランスデユーサ、すなわ
ち、セラミツクス圧電装置が従来から広く使用されてい
る。
しかして、近年、アコーステイツク・エミツシヨン
（AE）法や超音波探傷法（UT）法あるいは振動法による
非破壊検査技法が発達し、発電プラントや鉄鋼プラント
の設備診断や検査に広く使用されるようになつている
が、このような場合には、その環境温度がかなり高いと
ころが多く、このため、従来の接合型圧電装置では対応
できなかつた。
（AE）法や超音波探傷法（UT）法あるいは振動法による
非破壊検査技法が発達し、発電プラントや鉄鋼プラント
の設備診断や検査に広く使用されるようになつている
が、このような場合には、その環境温度がかなり高いと
ころが多く、このため、従来の接合型圧電装置では対応
できなかつた。
また、超電導機器の監視などへの使用に際しても、極
低温での使用が要求されるため、従来のセラミツクス圧
電装置は使用出来なかつた。
低温での使用が要求されるため、従来のセラミツクス圧
電装置は使用出来なかつた。
一方、上記AE法への使用に際しては、そのセンサとし
て、外部から与えられる弾性波を高率良くセンサ素子に
伝達させ、充分な感度特性が得られるようにしなければ
ならないから、圧電セラミツクスからなるセンサ素子の
接合面を、金属やセラミツクスのマウント部材に接合し
て一体に形成した、いわゆる接合型圧電センサが必要で
あるが、このとき、上記従来の接合型圧電装置では、こ
の接合に合成樹脂系の接着剤が用いられているため、弾
性波の減衰が著しく、適用が困難であつた。
て、外部から与えられる弾性波を高率良くセンサ素子に
伝達させ、充分な感度特性が得られるようにしなければ
ならないから、圧電セラミツクスからなるセンサ素子の
接合面を、金属やセラミツクスのマウント部材に接合し
て一体に形成した、いわゆる接合型圧電センサが必要で
あるが、このとき、上記従来の接合型圧電装置では、こ
の接合に合成樹脂系の接着剤が用いられているため、弾
性波の減衰が著しく、適用が困難であつた。
そこで、この接合をハンダ付けによる方法が提案され
ており、その例を特開昭52−19094号公報，特開昭58−9
9100号及び特開昭57−201399号の公報に見ることが出来
る。上記３つの従来技術のうち、特開昭52−19094号公
報によるものでは、センサ素子の効率を高める、圧電素
子のキユーリー温度（190℃）以下ハンダ付けするもの
である。また、特開昭58−99100号では、圧電素子の接
着を短時間で接着することを目的とし、分極した圧電素
子を低融点（143℃）ハンダで直接接合している。さら
に、特開昭57−201399号公報は、高温処理を行うと分極
が破壊されてしまうので、これを防ぐために分極を施す
前に、圧電素子の接合面にメタライズした電極（通常は
銀:Agで行う）面と音響整合層とを接合したあとに分極
処理をしたものである。
ており、その例を特開昭52−19094号公報，特開昭58−9
9100号及び特開昭57−201399号の公報に見ることが出来
る。上記３つの従来技術のうち、特開昭52−19094号公
報によるものでは、センサ素子の効率を高める、圧電素
子のキユーリー温度（190℃）以下ハンダ付けするもの
である。また、特開昭58−99100号では、圧電素子の接
着を短時間で接着することを目的とし、分極した圧電素
子を低融点（143℃）ハンダで直接接合している。さら
に、特開昭57−201399号公報は、高温処理を行うと分極
が破壊されてしまうので、これを防ぐために分極を施す
前に、圧電素子の接合面にメタライズした電極（通常は
銀:Agで行う）面と音響整合層とを接合したあとに分極
処理をしたものである。
従つて、これらによれば前述した温度80℃より高いハ
ンダの溶融点温度まで使用できるが、高温や低温では単
に直接ハンダ付けしたたため、あるいは単にAgメタライ
ズしたために、使用中に接合部が剥離しやすい問題があ
る。また、これらの方法では、圧電セラミツクスの熱膨
張係数について配慮がされておらず、ハンダ接合時の熱
歪が残留応力として発生し、製造過程や使用中に接合部
の剥離や圧電素子が破壊するなどの問題があつた。
ンダの溶融点温度まで使用できるが、高温や低温では単
に直接ハンダ付けしたたため、あるいは単にAgメタライ
ズしたために、使用中に接合部が剥離しやすい問題があ
る。また、これらの方法では、圧電セラミツクスの熱膨
張係数について配慮がされておらず、ハンダ接合時の熱
歪が残留応力として発生し、製造過程や使用中に接合部
の剥離や圧電素子が破壊するなどの問題があつた。
本発明の目的は、接合部の剥離や圧電素子が破壊しな
い、信頼性の高い接合型圧電装置や、その製造方法を提
供することにある。
い、信頼性の高い接合型圧電装置や、その製造方法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、絶対零度付近から圧電素子のキ
ユリー点までの、充分に広い温度範囲で使用可能な接合
型圧電装置や、その製造方法を提供することにある。
ユリー点までの、充分に広い温度範囲で使用可能な接合
型圧電装置や、その製造方法を提供することにある。
上記目的は、圧電セラミツクス材の接合面に圧電セラ
ミツクス材と接合しやすい金属（例えば、チタンTi,ジ
ルコニウムZr,ハフニウムHf,ニオブNb,タンタルTa,モリ
ブデンMo,タルグステンＷ）を蒸着（メタライズ）した
活性層を設けることによつて達成できる。圧電セラミツ
クス材をろう付けで接合する場合には、上記手段の他に
ろう付け接合面において、ろう付け接合面と反応しやす
い金属（例えば、金Au,銀Ag）でメタライズしたろう付
け層を設けることによつて達成される。さらには、上記
２つの手段を用いるときは、活性層とろう付け層との間
に、前記両層の金属の反応あるいは拡散が生じ脆化を防
ぐ金属（例えば、白金Pt,ニツケルNi,クロムCr）をメタ
ライズしたバリヤ層を設けることで達成される。また、
上記目的は、圧電セラミツクス材の無分極状態における
熱膨張係数の略同じ熱膨張係数を有することで達成され
る。最後に、上記目的は上記手段の少なくとも１つを施
した後、圧電セラミツクスを無分極状態でろう付けし、
その後分極することで達成される。
ミツクス材と接合しやすい金属（例えば、チタンTi,ジ
ルコニウムZr,ハフニウムHf,ニオブNb,タンタルTa,モリ
ブデンMo,タルグステンＷ）を蒸着（メタライズ）した
活性層を設けることによつて達成できる。圧電セラミツ
クス材をろう付けで接合する場合には、上記手段の他に
ろう付け接合面において、ろう付け接合面と反応しやす
い金属（例えば、金Au,銀Ag）でメタライズしたろう付
け層を設けることによつて達成される。さらには、上記
２つの手段を用いるときは、活性層とろう付け層との間
に、前記両層の金属の反応あるいは拡散が生じ脆化を防
ぐ金属（例えば、白金Pt,ニツケルNi,クロムCr）をメタ
ライズしたバリヤ層を設けることで達成される。また、
上記目的は、圧電セラミツクス材の無分極状態における
熱膨張係数の略同じ熱膨張係数を有することで達成され
る。最後に、上記目的は上記手段の少なくとも１つを施
した後、圧電セラミツクスを無分極状態でろう付けし、
その後分極することで達成される。
接合面に活性層を設けることは、活性層を形成する金
属が圧電セラミツクス材と反応し強固な結合を生じ圧電
セラミツクス材が剥離しにくくなる。また、ろう付けの
場合、ろう付け層も形成する金属がろう付け層を構成す
るろうと反応し、ろう付け層がろう付けの接合層を介し
て圧電セラミツクス材の固定する部材と強固に接合され
る。その結果、圧電セラミツクスが前記部材から剥離し
にくくなる。また、活性層とろう付け層の間にバリヤー
層を設けることで、両層の金属間の反応あるいは拡散の
結果、更に信頼性の高い接合型圧電装置を提供する。
属が圧電セラミツクス材と反応し強固な結合を生じ圧電
セラミツクス材が剥離しにくくなる。また、ろう付けの
場合、ろう付け層も形成する金属がろう付け層を構成す
るろうと反応し、ろう付け層がろう付けの接合層を介し
て圧電セラミツクス材の固定する部材と強固に接合され
る。その結果、圧電セラミツクスが前記部材から剥離し
にくくなる。また、活性層とろう付け層の間にバリヤー
層を設けることで、両層の金属間の反応あるいは拡散の
結果、更に信頼性の高い接合型圧電装置を提供する。
次に、固定部材に圧電セラミックス材を無分極でろう
付けし、その後分極することの作用について説明する。
銀ろう付けなどの硬ろう接合法、またはハンダ付けなど
の軟ろう接合法を用いる金属的ろう接合法を圧電セラミ
ツクス素子の接合に適用した場合には、接合時の処理温
度がかなりの高温になる。圧電セラミツクス素子は、圧
電特性を与えるために分極しておく必要があるが、分極
されている圧電セラミツクスは熱膨張係数が大きくなつ
ているので、接合処理により残留応力が大きくなり壊れ
やすくなる。従つて、圧電性セラミツクス素子を分極の
無い状態にし、この無分極状態で圧電セラミツクス素子
が接合し、接合完了後に所定の分極処理を施すことによ
り、残留応力が少なくなり、破壊の恐れが無く、信頼性
の高い圧電セラミツクス装置を得ることができる。上記
と共に、この無分極状態での圧電セラミツクスの概略の
熱膨張係数（５×10-6）とほぼ同じ熱低膨張係数をもつ
ものを固定部材として選択すれば、熱膨張による接合部
の剥離や圧電セラミツクスの破壊が生じない。
付けし、その後分極することの作用について説明する。
銀ろう付けなどの硬ろう接合法、またはハンダ付けなど
の軟ろう接合法を用いる金属的ろう接合法を圧電セラミ
ツクス素子の接合に適用した場合には、接合時の処理温
度がかなりの高温になる。圧電セラミツクス素子は、圧
電特性を与えるために分極しておく必要があるが、分極
されている圧電セラミツクスは熱膨張係数が大きくなつ
ているので、接合処理により残留応力が大きくなり壊れ
やすくなる。従つて、圧電性セラミツクス素子を分極の
無い状態にし、この無分極状態で圧電セラミツクス素子
が接合し、接合完了後に所定の分極処理を施すことによ
り、残留応力が少なくなり、破壊の恐れが無く、信頼性
の高い圧電セラミツクス装置を得ることができる。上記
と共に、この無分極状態での圧電セラミツクスの概略の
熱膨張係数（５×10-6）とほぼ同じ熱低膨張係数をもつ
ものを固定部材として選択すれば、熱膨張による接合部
の剥離や圧電セラミツクスの破壊が生じない。
以下、本発明によるセラミツクス圧電装置及びその製
造方法について、図示の実施例により詳述に説明する。
まず、第１図，第２図に本発明をアコーステイツク・エ
ミツシヨン（AE）法に使用する不平衡型センサに適用し
た場合の実施例を示す。第１図は製造工程と完成した装
置とを示し、第２図は圧電セラミツクスとその固定部材
である金属性マウント板４とのメタライズ及び接合状態
を示す図である。まず、第１図（ａ）に示すように、素
子となる平板状の圧電セラミツクス１を用意し、その両
面２と３に、それぞれ第２図に示すメタライズ処理を行
う。メタライズ処理した場合に、リード線を取る電極を
形成するメタライズ層を電極メタライズ層２と呼び（単
に電極とも呼ぶ）、圧電素子を固定する部材と接合する
メタライズ層を接合メタライズ層３と呼ぶ。このあと、
圧電セラミツクス１が無分極状態にあることを確認し、
必要なら無分極にする処理を施す。次に、無分極状態に
してある圧電セラミツクス１を、第１図（ｂ）に示すよ
うに、所定のろう材５をはさんで、軟鋼などの金属材料
からなるマウント板４を重ね、高温炉６中に設置し、そ
の炉内７を真空状態またはアルゴンなどを満たした不活
性ガス状態にした上で、ろう材５の溶融点以上の温度に
してろう接合処理する。このときの、ろう材５として
は、ハンダや銀ろうなどを用いる。
造方法について、図示の実施例により詳述に説明する。
まず、第１図，第２図に本発明をアコーステイツク・エ
ミツシヨン（AE）法に使用する不平衡型センサに適用し
た場合の実施例を示す。第１図は製造工程と完成した装
置とを示し、第２図は圧電セラミツクスとその固定部材
である金属性マウント板４とのメタライズ及び接合状態
を示す図である。まず、第１図（ａ）に示すように、素
子となる平板状の圧電セラミツクス１を用意し、その両
面２と３に、それぞれ第２図に示すメタライズ処理を行
う。メタライズ処理した場合に、リード線を取る電極を
形成するメタライズ層を電極メタライズ層２と呼び（単
に電極とも呼ぶ）、圧電素子を固定する部材と接合する
メタライズ層を接合メタライズ層３と呼ぶ。このあと、
圧電セラミツクス１が無分極状態にあることを確認し、
必要なら無分極にする処理を施す。次に、無分極状態に
してある圧電セラミツクス１を、第１図（ｂ）に示すよ
うに、所定のろう材５をはさんで、軟鋼などの金属材料
からなるマウント板４を重ね、高温炉６中に設置し、そ
の炉内７を真空状態またはアルゴンなどを満たした不活
性ガス状態にした上で、ろう材５の溶融点以上の温度に
してろう接合処理する。このときの、ろう材５として
は、ハンダや銀ろうなどを用いる。
接合処理後、徐々に冷却させ、常温に戻つたら高温炉
６内から取り出し、今度は、第１図（ｃ）に示すよう
に、電極面２とマウント板４に所定の電源８から所定の
電圧を印加し、これにより圧電セラミツクス１に電界を
加え、分極を行う。
６内から取り出し、今度は、第１図（ｃ）に示すよう
に、電極面２とマウント板４に所定の電源８から所定の
電圧を印加し、これにより圧電セラミツクス１に電界を
加え、分極を行う。
このあと、第１図（ｄ）に示すように、金属ケース９
を取り付け、コネクタ10にリード線11で接続し、AE法に
使用する不平衡型センサAESとして完成させる。なお、
このセンサAESは、圧電セラミツクス１の一方の電極
（下側の電極）が金属製のマウント板に直接接合され、
共通電位に保たれた状態で使用されるので、不平衡型の
センサと呼ばれる。
を取り付け、コネクタ10にリード線11で接続し、AE法に
使用する不平衡型センサAESとして完成させる。なお、
このセンサAESは、圧電セラミツクス１の一方の電極
（下側の電極）が金属製のマウント板に直接接合され、
共通電位に保たれた状態で使用されるので、不平衡型の
センサと呼ばれる。
次に、第２図を用いてメタライズ処理とろう付けによ
る接合を詳細に説明する。本実施例のメタライズ層は活
性層2a,3a、ハンダ付け層2c,3c及びバリヤ層2b,3bの三
層を有する。圧電セラミックス１の両面には活性層2a,3
aを付着させる。この活性層2a,3aは圧電セラミツクスと
反応して強固な接合強度が得られる元素からなる。この
元素としては、本発明で用いた圧電セラミツクス１は、
チタン酸ジルコン酸鉛，チタン酸，ニオブ酸鉛などで、
成分として酸素が含有されているため、この酸素と反応
して化合物を形成しやすいチタンTi,ジルコンZr,ハフニ
ウムHf,タンタリウムTa,モリブデンMo,タングステンＷ
などが用いられる。次に、活性層2a,3aと次にハンダ付
けするハンダ付け層2c,3cの間で反応あるいは拡散が生
じ脆化するのを防止するためバリヤ層2b,3bを付着させ
る。このバリヤ層2b,3bは高温で安定な白金Pt,ニツケル
Ni,クロムCrなどが用いられる。さらに、バリヤー層2b,
3bの上にハンダ，銀ろうなどのろう材が接合しやすいよ
うに、ろう付け層2c,3cが付着される。このろう付け層2
c,3cはろう材にぬれて接合しやすい安定な金Au,銀Agな
どが用いられる。
る接合を詳細に説明する。本実施例のメタライズ層は活
性層2a,3a、ハンダ付け層2c,3c及びバリヤ層2b,3bの三
層を有する。圧電セラミックス１の両面には活性層2a,3
aを付着させる。この活性層2a,3aは圧電セラミツクスと
反応して強固な接合強度が得られる元素からなる。この
元素としては、本発明で用いた圧電セラミツクス１は、
チタン酸ジルコン酸鉛，チタン酸，ニオブ酸鉛などで、
成分として酸素が含有されているため、この酸素と反応
して化合物を形成しやすいチタンTi,ジルコンZr,ハフニ
ウムHf,タンタリウムTa,モリブデンMo,タングステンＷ
などが用いられる。次に、活性層2a,3aと次にハンダ付
けするハンダ付け層2c,3cの間で反応あるいは拡散が生
じ脆化するのを防止するためバリヤ層2b,3bを付着させ
る。このバリヤ層2b,3bは高温で安定な白金Pt,ニツケル
Ni,クロムCrなどが用いられる。さらに、バリヤー層2b,
3bの上にハンダ，銀ろうなどのろう材が接合しやすいよ
うに、ろう付け層2c,3cが付着される。このろう付け層2
c,3cはろう材にぬれて接合しやすい安定な金Au,銀Agな
どが用いられる。
これらのメタライズ処理をするために、従来の銀ペー
ス塗布による厚膜法や化学メツキ法では膜が厚く、充分
な接合強度が得られないため、物理的に金属蒸着を付着
させる蒸着法，スパツター法を用いる法が良い。その
後、前述した第１図（ｂ）以下の処理を行う。
ス塗布による厚膜法や化学メツキ法では膜が厚く、充分
な接合強度が得られないため、物理的に金属蒸着を付着
させる蒸着法，スパツター法を用いる法が良い。その
後、前述した第１図（ｂ）以下の処理を行う。
このようにメタライズされた圧電セラミツクスを金属
製マウント板、あるいは絶縁用セラミツクスにろう付け
される場合、ろう付け層によりろう材のぬれが良好で接
合面の全面に接合されてブローホールなどの欠陥が少な
く接合強度が増大する。この様子を示したのが第３図で
ある。第３図（ａ）は、活性層の金属をTi、バリヤ層の
金属をzPt、ろう付け層の金属をAuとした場合の本発明
によるメタライズによる場合の状態を示したもので、第
３図（ｂ）は従来の銀ペース塗布による接合状態を示し
たものである。圧電セラミツクスとろう付け部の間のメ
タライズ層に注目する。従来例では、メタライズ層を形
成する白く見える銀がはつきりと確認出来、圧電セラミ
ツクスとろう付け部が充分に接合されていない。一方、
本発明はメタライズ層がはつきりと確認出来ず、且つろ
う付け部を構成するろう材（黒い部分）が圧電セラミツ
クス内部に溶け、両者が充分に接合されていることを示
している。本発明の圧電セラミツクスのメタライズ層の
接合強度を評価するために、メタライズされた圧電セラ
ミツクス上に金属ワイヤをろう付けし引つ張つたとこ
ろ、3kg/mm2以上の引つ張り強さが得られた。
製マウント板、あるいは絶縁用セラミツクスにろう付け
される場合、ろう付け層によりろう材のぬれが良好で接
合面の全面に接合されてブローホールなどの欠陥が少な
く接合強度が増大する。この様子を示したのが第３図で
ある。第３図（ａ）は、活性層の金属をTi、バリヤ層の
金属をzPt、ろう付け層の金属をAuとした場合の本発明
によるメタライズによる場合の状態を示したもので、第
３図（ｂ）は従来の銀ペース塗布による接合状態を示し
たものである。圧電セラミツクスとろう付け部の間のメ
タライズ層に注目する。従来例では、メタライズ層を形
成する白く見える銀がはつきりと確認出来、圧電セラミ
ツクスとろう付け部が充分に接合されていない。一方、
本発明はメタライズ層がはつきりと確認出来ず、且つろ
う付け部を構成するろう材（黒い部分）が圧電セラミツ
クス内部に溶け、両者が充分に接合されていることを示
している。本発明の圧電セラミツクスのメタライズ層の
接合強度を評価するために、メタライズされた圧電セラ
ミツクス上に金属ワイヤをろう付けし引つ張つたとこ
ろ、3kg/mm2以上の引つ張り強さが得られた。
次に、熱膨張係数と無分極状態における接合の効果に
ついて述べる。まず、このようなAE法に使用するセンサ
の圧電セラミツクス１の材質としては、チタン酸ジルコ
ン酸鉛（キユリー点:320−370℃）、チタン酸鉛（同:46
0℃）、ニオブ酸鉛（同:570℃）などがあり、接合に使
用するろう材としては、高溶融点ハンダ（融点:307
℃）、銀−銅ろう材（730℃）などがある。一方、圧電
セラミツクスが接合される金属製マウント板４として
は、低膨張合金，軟鋼などが使用される。そこで、この
ような材質の使用を前提として、それらの熱膨張係数α
について示すと、第４図のようになつている。なお、こ
の第４図で横軸は温度を表わすが、ここでは、この温度
Txとして、圧電セラミツクスのキユリー点温度TQに対す
る倍数を使用している。この第４図から明らかなよう
に、圧電セラミツクスと軟鋼とでは、それらの熱膨張係
数にかなりの違いがあり、特に分極されている圧電セラ
ミツクスでは、そのキユリー点温度付近で正から負へと
大きな変化を示していることが分かる。
ついて述べる。まず、このようなAE法に使用するセンサ
の圧電セラミツクス１の材質としては、チタン酸ジルコ
ン酸鉛（キユリー点:320−370℃）、チタン酸鉛（同:46
0℃）、ニオブ酸鉛（同:570℃）などがあり、接合に使
用するろう材としては、高溶融点ハンダ（融点:307
℃）、銀−銅ろう材（730℃）などがある。一方、圧電
セラミツクスが接合される金属製マウント板４として
は、低膨張合金，軟鋼などが使用される。そこで、この
ような材質の使用を前提として、それらの熱膨張係数α
について示すと、第４図のようになつている。なお、こ
の第４図で横軸は温度を表わすが、ここでは、この温度
Txとして、圧電セラミツクスのキユリー点温度TQに対す
る倍数を使用している。この第４図から明らかなよう
に、圧電セラミツクスと軟鋼とでは、それらの熱膨張係
数にかなりの違いがあり、特に分極されている圧電セラ
ミツクスでは、そのキユリー点温度付近で正から負へと
大きな変化を示していることが分かる。
従つて、従来技術のように、圧電セラミツクスの分極
状態について考慮すること無く、そのまま、ろう付けな
どにより接合を行うと、第４図のキユリー点温度TQ付近
で接合処理されてしまう場合を生じ、正のかなり大きな
熱膨張係数のもとで、かなり熱膨張している軟鋼製のマ
ウント板と、反対に負のかなり大きな熱膨張係数のもと
で、かなり熱収縮している圧電セラミツクスとが接合し
てしまうことになり、大きな残留応力が発生し、温度変
化による機械歪のため、接合が剥離したり、圧電セラミ
ツクス素子が破壊したりするおそれを生じるのである
が、上記実施例によれば、ろう付け接合時には、圧電セ
ラミツクス１が無分極状態にされているため、第４図か
ら明らかなように、接合のため、たとえキユリー点温度
TQ付近にまで、或いは、それ以上にまで加熱されたとし
ても、マウント板と圧電セラミツクスの熱膨張係数に大
きな差を生じることが無くなり、確実な接合状態が得ら
れ、高精度で信頼性の高いAE法用のセンサを容易に得る
ことができる。
状態について考慮すること無く、そのまま、ろう付けな
どにより接合を行うと、第４図のキユリー点温度TQ付近
で接合処理されてしまう場合を生じ、正のかなり大きな
熱膨張係数のもとで、かなり熱膨張している軟鋼製のマ
ウント板と、反対に負のかなり大きな熱膨張係数のもと
で、かなり熱収縮している圧電セラミツクスとが接合し
てしまうことになり、大きな残留応力が発生し、温度変
化による機械歪のため、接合が剥離したり、圧電セラミ
ツクス素子が破壊したりするおそれを生じるのである
が、上記実施例によれば、ろう付け接合時には、圧電セ
ラミツクス１が無分極状態にされているため、第４図か
ら明らかなように、接合のため、たとえキユリー点温度
TQ付近にまで、或いは、それ以上にまで加熱されたとし
ても、マウント板と圧電セラミツクスの熱膨張係数に大
きな差を生じることが無くなり、確実な接合状態が得ら
れ、高精度で信頼性の高いAE法用のセンサを容易に得る
ことができる。
つまり、この実施例によれば、マウント４板と圧電セ
ラミツクス１との金属的ろう接合に際しても、大きな残
留応力を発生させないように出来、圧電セラミツクスの
キユリー点温度TQに対する考慮を要すること無く、任意
のろう材の使用が可能になるので、極低温からかなりの
高温度までの広い温度範囲までの使用が可能なセンサを
提供できることになり、且つ、弾性波に対して充分に良
好な伝達特性をもたせ、高感度で極めて高い信頼性を備
えたセンサを容易に得ることが出来る。
ラミツクス１との金属的ろう接合に際しても、大きな残
留応力を発生させないように出来、圧電セラミツクスの
キユリー点温度TQに対する考慮を要すること無く、任意
のろう材の使用が可能になるので、極低温からかなりの
高温度までの広い温度範囲までの使用が可能なセンサを
提供できることになり、且つ、弾性波に対して充分に良
好な伝達特性をもたせ、高感度で極めて高い信頼性を備
えたセンサを容易に得ることが出来る。
ところで、上記実施例では、金属製マウント板４とし
て軟鋼板を使用しているが、これに代えて、圧電セラミ
ツクス１の熱膨張係数にほぼ等しい熱膨張係数を呈す
る、所定の低熱膨張係数合金を使用するようにしても良
く、このようにすれば、さらに残留応力の発生を少なく
抑えることが出来、更に高い精度と信頼性を備えたセラ
ミツクス圧電装置を得ることが出来る。この場合、圧電
セラミツクスをろう材の融点直下の高温からヘリウム中
の極低温（−269℃）までの熱サイクルを課しても剥
離，破壊などは生じなかつた。
て軟鋼板を使用しているが、これに代えて、圧電セラミ
ツクス１の熱膨張係数にほぼ等しい熱膨張係数を呈す
る、所定の低熱膨張係数合金を使用するようにしても良
く、このようにすれば、さらに残留応力の発生を少なく
抑えることが出来、更に高い精度と信頼性を備えたセラ
ミツクス圧電装置を得ることが出来る。この場合、圧電
セラミツクスをろう材の融点直下の高温からヘリウム中
の極低温（−269℃）までの熱サイクルを課しても剥
離，破壊などは生じなかつた。
次に、第５図，第６図に本発明をAE法に使用する平衡
型のセンサに適用した場合の一実施例を示す。本実施例
のメタライズは、第６図に示すようにバリヤ層を設けて
いない。まず、全体的な製造工程を第５図を用いて示
す。同図（ａ）に示すように、分極の無い状態にある圧
電セラミツクス１の電極メタライズ層２と接合メタライ
ズ層３に、第６図に示すメタライズ処理する。一方、12
は絶縁用のセラミツクスで、これの上側接合メタライズ
層13と下側接合メタライズ層14にも、それぞれ、同様に
メタライズ処理する。このとき、上側接合メタライズ層
13では、後述するろう材の不要な流れを防止するため、
周辺端部にメタライズされない部分を、リング状に残す
ようにしてある。次に、第５図（ｂ）に示すように、金
属製マウント板４の上に絶縁用セラミツクス12をはさん
で圧電セラミツクス１を積み重ね、高温炉６の中にいれ
る。このとき、相互間に所定のろう材からなる上部ろう
材15と下部ろう材16を介在させておく。そして、炉内７
を真空状態またはアルゴンなどの不活性ガス状態にし
て、ろう材の溶融点以上の温度まで加熱してろう接合処
理する。ろう接合が完了したら徐々に冷却し、常温にま
で戻したら炉内７から取り出し、第５図（ｃ）に示すよ
うに、所定の分極用の電源８を電極メタライズ層２と上
部ろう材15に接続し、圧電セラミツクス１を分極する。
最後に、第５図（ｄ）に示すように、所定の金属ケース
９に収容し、リード線11を用いて電極メタライズ層２と
上部ろう材15とをコネクタ10に接続すると共に、マウン
ト板４に金属ケース９を装着して平衡型センサAESを得
る。
型のセンサに適用した場合の一実施例を示す。本実施例
のメタライズは、第６図に示すようにバリヤ層を設けて
いない。まず、全体的な製造工程を第５図を用いて示
す。同図（ａ）に示すように、分極の無い状態にある圧
電セラミツクス１の電極メタライズ層２と接合メタライ
ズ層３に、第６図に示すメタライズ処理する。一方、12
は絶縁用のセラミツクスで、これの上側接合メタライズ
層13と下側接合メタライズ層14にも、それぞれ、同様に
メタライズ処理する。このとき、上側接合メタライズ層
13では、後述するろう材の不要な流れを防止するため、
周辺端部にメタライズされない部分を、リング状に残す
ようにしてある。次に、第５図（ｂ）に示すように、金
属製マウント板４の上に絶縁用セラミツクス12をはさん
で圧電セラミツクス１を積み重ね、高温炉６の中にいれ
る。このとき、相互間に所定のろう材からなる上部ろう
材15と下部ろう材16を介在させておく。そして、炉内７
を真空状態またはアルゴンなどの不活性ガス状態にし
て、ろう材の溶融点以上の温度まで加熱してろう接合処
理する。ろう接合が完了したら徐々に冷却し、常温にま
で戻したら炉内７から取り出し、第５図（ｃ）に示すよ
うに、所定の分極用の電源８を電極メタライズ層２と上
部ろう材15に接続し、圧電セラミツクス１を分極する。
最後に、第５図（ｄ）に示すように、所定の金属ケース
９に収容し、リード線11を用いて電極メタライズ層２と
上部ろう材15とをコネクタ10に接続すると共に、マウン
ト板４に金属ケース９を装着して平衡型センサAESを得
る。
なお、以上の工程において、上部ろう材15と下部ろう
材16とは同一の材質のろう材としても良く、或いは溶融
点の異なる異質のろう材を用いるようにしても良い。異
質のろう材を使用した場合には、まず、溶融点の高いろ
う材を使用した法の接合を行い、その後、他方のろう材
を用いた接合を行うようにすれば良いことはいうまでも
ない。
材16とは同一の材質のろう材としても良く、或いは溶融
点の異なる異質のろう材を用いるようにしても良い。異
質のろう材を使用した場合には、まず、溶融点の高いろ
う材を使用した法の接合を行い、その後、他方のろう材
を用いた接合を行うようにすれば良いことはいうまでも
ない。
第６図は、活性層2a,3a及びろう付け層2c,3cからなる
メタライズの接合状態を示す。メタライズする方法は既
述の他の実施例と同じである。本実施例のメタライズ
は、既述の他の実施例に比べてバリヤーがないので多少
強度が落ちるが、従来に比べ充分な強度を有する。本実
施例においても、既述の他の実施例の効果と同様な効果
をもつ。本実施例のメタライズの方法として既述の他の
実施例の３層メタライズの方法を用いても良く、既述の
他の実施例に本実施例の２層メタライズを用いても良
い。
メタライズの接合状態を示す。メタライズする方法は既
述の他の実施例と同じである。本実施例のメタライズ
は、既述の他の実施例に比べてバリヤーがないので多少
強度が落ちるが、従来に比べ充分な強度を有する。本実
施例においても、既述の他の実施例の効果と同様な効果
をもつ。本実施例のメタライズの方法として既述の他の
実施例の３層メタライズの方法を用いても良く、既述の
他の実施例に本実施例の２層メタライズを用いても良
い。
次に、本発明の接合型圧電装置を、圧電アクチユエー
タに応用した場合の実施例を第７図を用いて示す。この
圧電アクチユエータとは、圧電セラミツクスの電気−機
械変換機能を利用したもので、周知のようにインパクト
プリンタヘツドや機械的接点リレーなどとして用いられ
ているものである。なお、これに合わせて表現すれば、
上記したセンサは、圧電セラミツクスの機械−電気変換
機能を利用したものと言うことが出来る。第７図は圧電
アクチユエータの一実施例で、図示した通りの所定の形
状のベースブロツク17に圧電セラミツクス18が取付けら
れ、該圧電セラミツクス18の上部開放端には、左アーム
19と右アーム20とが取付けられている。これら左アーム
19と右アーム20は、それぞれ左支柱21と右支柱22により
ベースブロツク17の上部に支持されると共に、さらに、
これらには、それぞれ左伝達レバー23と右伝達レバー24
が取付けられている。そして、これらの左伝達レバー23
と右伝達レバー24の先端に駆動レバー25が取付けられて
いる。従つて、圧電セラミツクス18を所定の方向に分極
した上で、その電極18a,18bに所定の極性の所定の電圧
を印加してやれば、この圧電セラミツクス18は矢印Ａの
方向に応力を発生し、変位するから、この変域が左アー
ム19では矢印Ｂとして、右アーム20では矢印Ｃとして、
それぞれ現われ、これらの結果として駆動レバー25を矢
印Ｄの方向に動かすことができ、圧電アクチユエータと
して機能させることが出来る。そこで、この駆動レバー
25によつてインパクトプリンタのヘツドやリレーの接点
を駆動させるようにしてやれば良い。
タに応用した場合の実施例を第７図を用いて示す。この
圧電アクチユエータとは、圧電セラミツクスの電気−機
械変換機能を利用したもので、周知のようにインパクト
プリンタヘツドや機械的接点リレーなどとして用いられ
ているものである。なお、これに合わせて表現すれば、
上記したセンサは、圧電セラミツクスの機械−電気変換
機能を利用したものと言うことが出来る。第７図は圧電
アクチユエータの一実施例で、図示した通りの所定の形
状のベースブロツク17に圧電セラミツクス18が取付けら
れ、該圧電セラミツクス18の上部開放端には、左アーム
19と右アーム20とが取付けられている。これら左アーム
19と右アーム20は、それぞれ左支柱21と右支柱22により
ベースブロツク17の上部に支持されると共に、さらに、
これらには、それぞれ左伝達レバー23と右伝達レバー24
が取付けられている。そして、これらの左伝達レバー23
と右伝達レバー24の先端に駆動レバー25が取付けられて
いる。従つて、圧電セラミツクス18を所定の方向に分極
した上で、その電極18a,18bに所定の極性の所定の電圧
を印加してやれば、この圧電セラミツクス18は矢印Ａの
方向に応力を発生し、変位するから、この変域が左アー
ム19では矢印Ｂとして、右アーム20では矢印Ｃとして、
それぞれ現われ、これらの結果として駆動レバー25を矢
印Ｄの方向に動かすことができ、圧電アクチユエータと
して機能させることが出来る。そこで、この駆動レバー
25によつてインパクトプリンタのヘツドやリレーの接点
を駆動させるようにしてやれば良い。
ところで、この第７図の実施例では、圧電セラミツク
ス18のベースブロツク17に対する取付けに下部ろう材26
による金属的ろう付け接合が使用されており、さらに、
この圧電セラミツクス18に対する左アーム19と左アーム
20の取付けにも、上部ろう材27による金属的ろう付け接
合が使用されている。そして、この下部ろう材26と上部
ろう材27による金属的ろう付け接合に際しては、前記２
つの実施例と同様に、まず、第３図又は第６図に示す方
法で圧電セラミツクス18にメタライズ処理を施し、つい
でこの圧電セラミツクス18が無分極の状態にあることを
条件として、所定のろう材によるろう付け接合を実行
し、その後、圧電セラミツクス18の分極処理を行うので
ある。従つて、この実施例によれば、圧電セラミツクス
18とベースブロツク17との接合及び左アーム19,右アー
ム20との接合に際して、金属的ろう付けによる接合を適
用したにもかかわらず、接合部での残留応力発生を充分
に抑えることが出来るから、金属的な接合による強固な
接合と、高い信頼性とを容易に得ることが出来、広い温
度範囲にわたる適用が可能な圧電アクチユエータを提供
することができる。
ス18のベースブロツク17に対する取付けに下部ろう材26
による金属的ろう付け接合が使用されており、さらに、
この圧電セラミツクス18に対する左アーム19と左アーム
20の取付けにも、上部ろう材27による金属的ろう付け接
合が使用されている。そして、この下部ろう材26と上部
ろう材27による金属的ろう付け接合に際しては、前記２
つの実施例と同様に、まず、第３図又は第６図に示す方
法で圧電セラミツクス18にメタライズ処理を施し、つい
でこの圧電セラミツクス18が無分極の状態にあることを
条件として、所定のろう材によるろう付け接合を実行
し、その後、圧電セラミツクス18の分極処理を行うので
ある。従つて、この実施例によれば、圧電セラミツクス
18とベースブロツク17との接合及び左アーム19,右アー
ム20との接合に際して、金属的ろう付けによる接合を適
用したにもかかわらず、接合部での残留応力発生を充分
に抑えることが出来るから、金属的な接合による強固な
接合と、高い信頼性とを容易に得ることが出来、広い温
度範囲にわたる適用が可能な圧電アクチユエータを提供
することができる。
第８図は本発明を超音波探傷用トランスデユーサに適
用した場合の一実施例で、まず、同図（ａ）に示すよう
に、圧電セラミツクス28のダンパ面とマウント面に、第
３図又は第６図に示した多層メタライズを施し、ダンパ
メタライズ層29及びマウントメタライズ層30を形成す
る。同様に、低熱膨張合金とセラミツクスの複合材から
なる吸音用のダンパ31を用意し、その接合面マウント用
のセラミツクス板33の接合面にも同様にメタライズを施
し、接合メタライズ層32,34を形成する。
用した場合の一実施例で、まず、同図（ａ）に示すよう
に、圧電セラミツクス28のダンパ面とマウント面に、第
３図又は第６図に示した多層メタライズを施し、ダンパ
メタライズ層29及びマウントメタライズ層30を形成す
る。同様に、低熱膨張合金とセラミツクスの複合材から
なる吸音用のダンパ31を用意し、その接合面マウント用
のセラミツクス板33の接合面にも同様にメタライズを施
し、接合メタライズ層32,34を形成する。
次に、圧電セラミツクス28が無分極状態にあることを
確認してから、第８図（ｂ）に示すように、ろう材35,3
6を挾んで、セラミツクス板33、圧電セラミツクス28,ダ
ンパ31を順次積み重ね、高温炉６の中に設置し、炉内７
を真空状態、又はアルゴンなどの不活性ガス状態に保
ち、ろう材35,36の溶融点以上の温度に加熱し、相互に
ろう付け接合する。なお、ろう材としては、ハンダ、銀
ろうなど前の実施例と同様なものを使用する。ろう付け
が終つたら、同じく徐々に冷却し、常温に戻つたら高温
炉６から取り出して、こんどは第８図（ｃ）に示すよう
にして分極用の電源に接続し、圧電セラミツクス28を分
極する。最後に第８図（ｄ）に示すように、金属ケース
37,コネクタ38,リード線39を取付け、超音波探傷用トラ
ンスデユーサとして完成させるのである。従つて、この
第８図（ｄ）に示す超音波探傷用トランスデユーサによ
れば、各構成要素の接合が全て金属的ろう付け接合され
ており、且つ、このろう付け接合によつても、圧電セラ
ミツクス28に発生する残留応力は、充分に小さい値に抑
えることが出来るから、広い温度範囲にわたる適用が可
能で、しかも充分な信頼性を持たせることができる。
確認してから、第８図（ｂ）に示すように、ろう材35,3
6を挾んで、セラミツクス板33、圧電セラミツクス28,ダ
ンパ31を順次積み重ね、高温炉６の中に設置し、炉内７
を真空状態、又はアルゴンなどの不活性ガス状態に保
ち、ろう材35,36の溶融点以上の温度に加熱し、相互に
ろう付け接合する。なお、ろう材としては、ハンダ、銀
ろうなど前の実施例と同様なものを使用する。ろう付け
が終つたら、同じく徐々に冷却し、常温に戻つたら高温
炉６から取り出して、こんどは第８図（ｃ）に示すよう
にして分極用の電源に接続し、圧電セラミツクス28を分
極する。最後に第８図（ｄ）に示すように、金属ケース
37,コネクタ38,リード線39を取付け、超音波探傷用トラ
ンスデユーサとして完成させるのである。従つて、この
第８図（ｄ）に示す超音波探傷用トランスデユーサによ
れば、各構成要素の接合が全て金属的ろう付け接合され
ており、且つ、このろう付け接合によつても、圧電セラ
ミツクス28に発生する残留応力は、充分に小さい値に抑
えることが出来るから、広い温度範囲にわたる適用が可
能で、しかも充分な信頼性を持たせることができる。
次に、本発明によるセラミツクス圧電装置の応用例に
ついて説明する。
ついて説明する。
本発明によれば、高温度で使用可能なAE法用のセンサ
を得ることができるので、まず、第９図に示すような、
AE方式のプラント異常診断装置を構成することが出来
る。
を得ることができるので、まず、第９図に示すような、
AE方式のプラント異常診断装置を構成することが出来
る。
この装置は、発電プラントや製鉄プラントなど、100
℃を超す高温状態で運転される機器や設備の異常診断装
置に本発明によるAEセンサを適用したもので、例えば、
蒸気配管系での蒸気漏れや、すべり軸受の損傷を初期段
階で検出し、事故を未然に防ごうとするものであり、第
９図において、まず、40は第１図、または第５図で示し
た本発明によるAEセンサで、高温用として作成されたも
のであり、プラント内の電動機など、高温状態で運転さ
れる設備41に、高温用グリースなどを介して直接設置し
てある。なお、グリースを介しているのは、弾性波の伝
達を効率的に得るためである。
℃を超す高温状態で運転される機器や設備の異常診断装
置に本発明によるAEセンサを適用したもので、例えば、
蒸気配管系での蒸気漏れや、すべり軸受の損傷を初期段
階で検出し、事故を未然に防ごうとするものであり、第
９図において、まず、40は第１図、または第５図で示し
た本発明によるAEセンサで、高温用として作成されたも
のであり、プラント内の電動機など、高温状態で運転さ
れる設備41に、高温用グリースなどを介して直接設置し
てある。なお、グリースを介しているのは、弾性波の伝
達を効率的に得るためである。
AEセンサ40の出力はプリアンプ42で所定のレベルに増
幅された後、信号処理回路43から異常判定部44に供給さ
れ、所定の異常判定処理されて表示部45とアラーム46を
作動させる出力が発生されるようになつている。
幅された後、信号処理回路43から異常判定部44に供給さ
れ、所定の異常判定処理されて表示部45とアラーム46を
作動させる出力が発生されるようになつている。
設備41が正常な状態にあるときにセンサ40から検出さ
れる弾性波のレベルや波形などを記憶させておき、これ
と実際にセンサ40から検出されてくる弾性波による出力
とを比較することにより、異常をいち早く検出すること
ができ、故障を未然に防止することが出来る。
れる弾性波のレベルや波形などを記憶させておき、これ
と実際にセンサ40から検出されてくる弾性波による出力
とを比較することにより、異常をいち早く検出すること
ができ、故障を未然に防止することが出来る。
そして、上記したように、本発明によれば、高温度に
充分に耐え、且つ、高精度で信頼性に富んだAEセンサを
得ることが出来るから、上記したプラントなどでの高温
状態での適用が可能になり、例えば、センサ40を、上記
したように蒸気配管系に設置して、配管やバルブなどか
らの弾性波を検出するようにすれば、蒸気漏れを早期に
検出することができる。
充分に耐え、且つ、高精度で信頼性に富んだAEセンサを
得ることが出来るから、上記したプラントなどでの高温
状態での適用が可能になり、例えば、センサ40を、上記
したように蒸気配管系に設置して、配管やバルブなどか
らの弾性波を検出するようにすれば、蒸気漏れを早期に
検出することができる。
同様に、センサ40を回転機のすべり軸受に直接設置し
てやれば、油膜切れなどによつて発生する弾性波の検出
により、焼き付きの発生を未然に防止することが出来
る。
てやれば、油膜切れなどによつて発生する弾性波の検出
により、焼き付きの発生を未然に防止することが出来
る。
次に、第10図は、本発明によるAEセンサを極低温の超
電導装置に適用した場合の応用例を示したものである。
電導装置に適用した場合の応用例を示したものである。
周知のように、このような超電導機器では、超電導コ
イルの僅かな動きによつても超電導状態から常電導状態
に戻つてしまう、いわゆるクエンチ現象の存在が知られ
ている。そこで、この第10図の例は、本発明によるAEセ
ンサが極低温でも高精度，高信頼度を保つ点を利用し、
上記したクエンチ現象をAE法により監視するようにした
ものである。この第10図において、47は超電導機器で、
48はその中で極低温状態にあるコイルである。そして、
この極低温状態にあるコイル48に直接、或いはその近傍
に、第１図、又は第５図に示した本発明によるAEセンサ
49が設置してある。
イルの僅かな動きによつても超電導状態から常電導状態
に戻つてしまう、いわゆるクエンチ現象の存在が知られ
ている。そこで、この第10図の例は、本発明によるAEセ
ンサが極低温でも高精度，高信頼度を保つ点を利用し、
上記したクエンチ現象をAE法により監視するようにした
ものである。この第10図において、47は超電導機器で、
48はその中で極低温状態にあるコイルである。そして、
この極低温状態にあるコイル48に直接、或いはその近傍
に、第１図、又は第５図に示した本発明によるAEセンサ
49が設置してある。
AEセンサ49の検出信号はプリアンプ50から信号処理回
路51に供給され、その信号信号回路51の出力が通電制御
部52に供給される。そして、この通電制御部52から出力
される信号により励磁電源53の出力が制御されるように
なつている。そこで、いま、超電導機器47のコイル48が
僅かにモーシヨンを起し、そして次第に各部に伝播し始
めると弾性波が発生する。そうすると、この弾性波がAE
センサ49により検出されるので、その出力により通電制
御部52が動作し、これによりコイル48の励磁電流が制御
されるので、クエンチ現象に移行するのが未然に防止で
き、安定した運転状態を容易に得ることが出来る。
路51に供給され、その信号信号回路51の出力が通電制御
部52に供給される。そして、この通電制御部52から出力
される信号により励磁電源53の出力が制御されるように
なつている。そこで、いま、超電導機器47のコイル48が
僅かにモーシヨンを起し、そして次第に各部に伝播し始
めると弾性波が発生する。そうすると、この弾性波がAE
センサ49により検出されるので、その出力により通電制
御部52が動作し、これによりコイル48の励磁電流が制御
されるので、クエンチ現象に移行するのが未然に防止で
き、安定した運転状態を容易に得ることが出来る。
また、本発明によれば、高温で使用可能な超音波トラ
ンスデユーサを得ることができるので、第11図に示すよ
うな欠陥監視型自動溶接機を得ることが出来る。
ンスデユーサを得ることができるので、第11図に示すよ
うな欠陥監視型自動溶接機を得ることが出来る。
この第11図において、自動溶接機54は溶接棒取付部55
を備え、これにより被溶接物Ｗを対象にして自動溶接作
業を行う。一方、この溶接棒取付部55には、第８図で説
明した本発明による高温用超音波トランスデユーサ56が
取付けてあり、溶接部58を超音波で監視出来るようにな
つている。そして、この高温用超音波トランスデユーサ
56は超音波探傷器57に接続されている。
を備え、これにより被溶接物Ｗを対象にして自動溶接作
業を行う。一方、この溶接棒取付部55には、第８図で説
明した本発明による高温用超音波トランスデユーサ56が
取付けてあり、溶接部58を超音波で監視出来るようにな
つている。そして、この高温用超音波トランスデユーサ
56は超音波探傷器57に接続されている。
一般に、このような溶接機では、その溶接部58の近傍
がかなりの高温になる。しかして、本発明による超音波
トランスデユーサ56によれば、このような高温状態のも
とでも、高精度で、しかも高い信頼性を保つことが出来
るから、この第11図の例によれば、リアルタイムで溶接
部分の状態を監視出来、信頼性の高い溶接が容易に得る
ことが出来る。
がかなりの高温になる。しかして、本発明による超音波
トランスデユーサ56によれば、このような高温状態のも
とでも、高精度で、しかも高い信頼性を保つことが出来
るから、この第11図の例によれば、リアルタイムで溶接
部分の状態を監視出来、信頼性の高い溶接が容易に得る
ことが出来る。
以上説明したように、本発明によれば接合部の剥離や
圧電素子が破壊しない信頼性の高い接合型圧電装置やそ
の製造方法を提供できる また、絶対零度付近から圧電素子のキユリー点までの
充分に広い温度範囲で使用することの可能な接合型圧電
装置やその製造方法を提供できる。
圧電素子が破壊しない信頼性の高い接合型圧電装置やそ
の製造方法を提供できる また、絶対零度付近から圧電素子のキユリー点までの
充分に広い温度範囲で使用することの可能な接合型圧電
装置やその製造方法を提供できる。
さらに、本発明の接合型圧電装置を用いることによつ
て高温部や低温部でも使用可能な圧電アクチユエータや
溶接部検査装置が提供できる。
て高温部や低温部でも使用可能な圧電アクチユエータや
溶接部検査装置が提供できる。
第１図は本発明による接合型圧電装置とその製造方法の
一実施例を示す図、第２図は第１図の一実施例における
メタライズ層の構成図、第３図は本発明と従来例の接合
部の金属組織の写真、第４図は圧電セラミツクスの熱膨
張係数特性図、第５図は本発明の接合型圧電装置とその
製造方法の他の実施例を示す図、第６図は第５図の実施
例におけるメタライズ層の構成図、第７図は本発明のさ
らに別の一実施例を示す説明図、第８図は本発明のさら
に別の一実施例の説明図、第９図，第10図、及び第11図
はそれぞれ本発明の応用例を示すブロツク図である。 １……圧電セラミックス、２……電極メタライズ層、３
……接合メタライズ層、４……金属製マウント板、５…
…ろう材。
一実施例を示す図、第２図は第１図の一実施例における
メタライズ層の構成図、第３図は本発明と従来例の接合
部の金属組織の写真、第４図は圧電セラミツクスの熱膨
張係数特性図、第５図は本発明の接合型圧電装置とその
製造方法の他の実施例を示す図、第６図は第５図の実施
例におけるメタライズ層の構成図、第７図は本発明のさ
らに別の一実施例を示す説明図、第８図は本発明のさら
に別の一実施例の説明図、第９図，第10図、及び第11図
はそれぞれ本発明の応用例を示すブロツク図である。 １……圧電セラミックス、２……電極メタライズ層、３
……接合メタライズ層、４……金属製マウント板、５…
…ろう材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米山 隆雄 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社 日立製作所エネルギー研究所内 (72)発明者 岡村 久宣 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 小倉 慧 茨城県勝田市堀口832番地の２ 日立マ テリアルエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 柳橋 実 茨城県日立市会瀬町２丁目９番１号 株 式会社日立エンジニアリングサービス内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 41/09
Claims (9)
- 【請求項１】接合面を有する圧電セラミックス材と、前
記接合面に装着されたメタライズ層と、前記メタライズ
層に金属的ろう付け接合層を介して固定される部材とを
具備し、前記メタライズ層は、前記圧電セラミックス材
と融合性の高い金属からなり圧電セラミックス材と接合
する活性層と、前記金属的ろう付け接合層と融合性の高
い金属からなり金属的ろう付け接合層と接合するろう付
け層とを有することを特徴とする接合型圧電装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記メタライズ層は前
記２層の中間層を形成し前記２層間の金属の拡散を防止
するバリヤ層を有することを特徴とする接合型圧電装
置。 - 【請求項３】請求項１又は２において、前記メタライズ
層の活性層を形成する金属はTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのう
ちいずれか一つを有し、前記メタライズ層のろう付け層
を形成する金属はAu,Agのうちいずれか一つを有するこ
とを特徴とする接合型圧電装置。 - 【請求項４】請求項２において、前記メタライズ層のバ
リヤ層を形成する金属はPt,Ni,Crのうちいずれか一つを
有することを特徴とする接合型圧電装置。 - 【請求項５】接合面を有する圧電セラミックス材と、前
記接合面に装着されたメタライズ層と、前記メタライズ
層に金属的ろう付け接合層を介して固定される金属材料
からなるマウント板を具備し、前記メタライズ層は、金
属Tiからなり圧電セラミックス材と接合する活性層と、
金属Auからなり金属的ろう付け接合層と接合するろう付
け層と、前記２層の中間層を形成し金属Ptからなりバリ
ヤ層とを有することを特徴とする接合型圧電装置。 - 【請求項６】接合面を有する圧電セラミックス材と、前
記接合面に装着されたメタライズ層と、前記メタライズ
層に接合層を介して固定される部材とを具備し、前記固
定される部材は前記圧電セラミックス材の無分極状態に
おける熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有することを特
徴とする接合型圧電装置。 - 【請求項７】圧電セラミックス材の接合面に層状に金属
を装着するメタライズステツプと前記形成されたメタラ
イズ層に部材を金属的ろう付け接合するろう付け接合ス
テップを有し、前記メタライズステツプは前記圧電セラ
ミックス材と融合性の高い金属を前記接合面に装着する
第１ステップと、前記接合面への装着により形成された
面に前記金属的ろう付け接合層と融合性の高い金属を装
着する第２ステップとを有し、前記ろう付け接合ステッ
プは無分極状態の圧電セラミックス材に施し、その後分
極することを特徴とする接合型圧電装置の製造方法。 - 【請求項８】圧電セラミックス材の接合面に層状に金属
を装着するメタライズステツプと前記形成されたメタラ
イズ層に部材を金属的ろう付け接合するろう付け接合ス
テップを有し、前記メタライズステツプは、前記圧電セ
ラミックス材と融合性の高い金属を前記接合面に装着す
る第１ステップと、前記接合面への装着により形成され
た面に前記金属的ろう付け接合層と融合性の高い金属を
装着する第２ステップと、前記第１ステップと第２ステ
ップとの間において前記２層間の金属の拡散を防止する
金属を装着する第３ステツプとを有し、前記ろう付け接
合ステップは無分極状態の圧電セラミックス材に施し、
その後分極することを特徴とする接合型圧電装置の製造
方法。 - 【請求項９】平面を有する圧電セラミックス材と前記平
面に装着されたメタライズ層とを有し、前記メタライズ
層は、前記圧電セラミックス材と融合性の高い金属から
なり圧電セラミックス材と接合する活性層と、前記金属
的ろう付け接合層と融合性の高い金属からなり金属的ろ
う付け接合層と接合するろう付け層とを有することを特
徴とする接合型圧電素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24057689 | 1989-09-19 | ||
| JP1-240576 | 1989-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218687A JPH03218687A (ja) | 1991-09-26 |
| JP3039971B2 true JP3039971B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17061576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23984490A Expired - Fee Related JP3039971B2 (ja) | 1989-09-19 | 1990-09-12 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5325012A (ja) |
| JP (1) | JP3039971B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6203958B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-03-20 | Fuji Xerox Co., Ltd | Toner and method of image formation using the same |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3039971B2 (ja) * | 1989-09-19 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
| WO1993022140A1 (en) * | 1992-04-23 | 1993-11-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head and production thereof |
| JPH066986A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Canon Inc | 振動波モーター及びその製造方法 |
| US5505364A (en) * | 1993-12-30 | 1996-04-09 | Compaq Computer Corporation | Method of manufacturing ink jet printheads |
| US5465897A (en) * | 1994-03-29 | 1995-11-14 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Bonded ultrasonic transducer and method for making |
| EP0698490B1 (en) * | 1994-08-25 | 1999-06-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head |
| JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
| JPH1054726A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 振動ジャイロおよびその製造方法 |
| WO1998024296A2 (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-11 | The Regents Of The University Of California | Multilaminate piezoelectric high voltage stack |
| DE19735101A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-02-18 | Krautkraemer Gmbh | Prüfkopf für die Ultraschallprüfung nach dem Impuls-Echo-Verfahren |
| US6249074B1 (en) * | 1997-08-22 | 2001-06-19 | Cts Corporation | Piezoelectric resonator using sacrificial layer and method of tuning same |
| CN1142034C (zh) * | 1999-03-08 | 2004-03-17 | 约翰逊父子公司 | 用于连接承受振荡的雾化器部件的方法及雾化器 |
| JP2000270574A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Seiko Instruments Inc | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| DE19928190A1 (de) * | 1999-06-19 | 2001-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
| US6850392B1 (en) * | 1999-06-24 | 2005-02-01 | Seagate Technology, Llc | Direct joining of stainless steel suspension to aluminum actuator arm |
| US6904921B2 (en) * | 2001-04-23 | 2005-06-14 | Product Systems Incorporated | Indium or tin bonded megasonic transducer systems |
| US6222305B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-04-24 | Product Systems Incorporated | Chemically inert megasonic transducer system |
| US6188162B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-02-13 | Product Systems Incorporated | High power megasonic transducer |
| WO2001037609A1 (fr) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Materiau d'adaptation acoustique, son procede de fabrication, et emetteur utilisant ce materiau |
| US6291931B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-09-18 | Tfr Technologies, Inc. | Piezoelectric resonator with layered electrodes |
| JP3925199B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2007-06-06 | 株式会社大真空 | 水晶振動デバイス |
| US6286747B1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-09-11 | Hong Kong Polytechnic University | Ultrasonic transducer |
| JP3405329B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US6635358B2 (en) * | 2000-07-27 | 2003-10-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite member comprising bonded different members and method for making the composite member |
| US7518284B2 (en) * | 2000-11-02 | 2009-04-14 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
| US7548015B2 (en) | 2000-11-02 | 2009-06-16 | Danfoss A/S | Multilayer composite and a method of making such |
| JP2002141576A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Fujitsu Ltd | ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ |
| US8181338B2 (en) * | 2000-11-02 | 2012-05-22 | Danfoss A/S | Method of making a multilayer composite |
| JP4248777B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2009-04-02 | 株式会社デンソー | インジェクタ用圧電体素子及びその製造方法，並びにインジェクタ |
| JP4885377B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2012-02-29 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電体装置の製造方法 |
| JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| EP1466149B1 (en) | 2001-12-21 | 2008-01-23 | Danfoss A/S | Dielectric actuator or sensor structure and method of making it |
| EP1540807B1 (en) | 2002-09-20 | 2013-01-09 | Danfoss A/S | Elastomer actuator and method of making the actuator |
| JP4064208B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-03-19 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| US6786383B2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-09-07 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Ultrasonic horn assembly with fused stack components |
| DE602004014592D1 (ja) * | 2003-02-24 | 2008-08-07 | Danfoss As | |
| DE10338486B3 (de) * | 2003-08-21 | 2005-04-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung eines piezoelektrischen Aktors und Polarisierung des piezoelektrischen Aktors |
| US20050225211A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Matching layer systems and methods for ultrasound transducers |
| JP5089860B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2012-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド |
| US20060186757A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Iptrade, Inc. | Distributed vibration analysis and suppression system with collocated control electronics |
| US7482731B2 (en) * | 2005-02-18 | 2009-01-27 | Iptrade, Inc. | Kit and method for constructing vibration suppression and/or sensing units |
| DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
| US7732999B2 (en) * | 2006-11-03 | 2010-06-08 | Danfoss A/S | Direct acting capacitive transducer |
| US7880371B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-01 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
| JP5070813B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| DE102007037502B4 (de) * | 2007-08-08 | 2014-04-03 | Epcos Ag | Bauelement mit reduziertem Temperaturgang |
| DE112008002199B4 (de) * | 2007-08-14 | 2021-10-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Verfahren zum Bilden einer Multilayer-Elektrode, welche unter einer piezoelektrischen Schicht liegt, und entsprechende Struktur |
| US20090053401A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoelectric deposition for BAW resonators |
| US8512800B2 (en) * | 2007-12-04 | 2013-08-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters |
| US20110186759A1 (en) * | 2008-04-30 | 2011-08-04 | Danfoss Polypower A/S | Power actuated valve |
| WO2009132651A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Danfoss A/S | A pump powered by a polymer transducer |
| US7768364B2 (en) * | 2008-06-09 | 2010-08-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes |
| US8680745B2 (en) | 2010-07-21 | 2014-03-25 | General Electric Company | Device for measuring material thickness |
| US8264129B2 (en) * | 2010-07-21 | 2012-09-11 | General Electric Company | Device and system for measuring material thickness |
| EP2635901B1 (en) | 2010-11-05 | 2022-04-20 | National Research Council of Canada | Method for producing a flexible ultrasonic transducer assembly |
| KR101771717B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 수정 진동자 및 수정 진동자의 전극 구조 |
| FR2977377B1 (fr) * | 2011-06-30 | 2015-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Traducteur ultrasonore haute temperature utilisant un cristal de niobate de lithium brase avec de l'or et de l'indium |
| US8698291B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-04-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Packaged leadless semiconductor device |
| US8891222B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-11-18 | Danfoss A/S | Capacitive transducer and a method for manufacturing a transducer |
| US8692442B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-04-08 | Danfoss Polypower A/S | Polymer transducer and a connector for a transducer |
| US8857261B2 (en) | 2012-04-12 | 2014-10-14 | General Electric Company | Sensing device and method of attaching the same |
| US8803302B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-08-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | System, method and apparatus for leadless surface mounted semiconductor package |
| KR101456925B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-11-03 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 디폴링된 압전체를 이용한 초음파 프로브 제조방법 |
| JP2014060267A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Hitachi Metals Ltd | 圧電膜素子及びそれを備えた圧電膜デバイス |
| US9322720B2 (en) * | 2013-02-25 | 2016-04-26 | U.S. Department Of Energy | Use of aluminum nitride to obtain temperature measurements in a high temperature and high radiation environment |
| AT13719U1 (de) * | 2013-03-11 | 2014-07-15 | Ctr Carinthian Tech Res Ag | Verfahren zur Herstellung eines Sensors und damit hergestellter Sensor |
| DE102013206933A1 (de) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Continental Automotive Gmbh | Modulare Aktuatoreinheit für ein Einspritzventil |
| JP6270505B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-01-31 | オリンパス株式会社 | 積層型超音波振動デバイス、積層型超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置 |
| US10312429B2 (en) * | 2016-07-28 | 2019-06-04 | Eyob Llc | Magnetoelectric macro fiber composite fabricated using low temperature transient liquid phase bonding |
| DE102017212283A1 (de) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | SKF Aerospace France S.A.S | Ein mit einem Sensor versehenes mechanisches Teil |
| US20220173305A1 (en) | 2019-03-23 | 2022-06-02 | Secretary, Department Of Atomic Energy | Diffusion bonding of piezoelectric crystal to metal wear plate |
| US11598684B1 (en) | 2021-05-14 | 2023-03-07 | Precis Llc | Thickness-shear mode resonators |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2430013A (en) * | 1942-06-10 | 1947-11-04 | Rca Corp | Impedance matching means for mechanical waves |
| US3230503A (en) * | 1962-06-22 | 1966-01-18 | Jr Jack Elliot | Transducer |
| US3243792A (en) * | 1963-04-08 | 1966-03-29 | Lockheed Aircraft Corp | Detection devices |
| US3441754A (en) * | 1966-05-31 | 1969-04-29 | Linden Lab Inc | Base mounted piezoelectric transducer assembly having intermediate stress absorbing member |
| US3481014A (en) * | 1968-01-04 | 1969-12-02 | Litton Precision Prod Inc | Method of making a high temperature,high vacuum piezoelectric motor mechanism |
| US3740822A (en) * | 1969-02-03 | 1973-06-26 | Robertson Co H H | Method of making protected metal article |
| US3683211A (en) * | 1971-04-05 | 1972-08-08 | Rca Corp | Ferro-electric transformers with means to supress or limit resonant vibrations |
| JPS4979797A (ja) * | 1972-12-09 | 1974-08-01 | ||
| US4075364A (en) * | 1976-04-15 | 1978-02-21 | Brunswick Corporation | Porous ceramic seals and method of making same |
| US4109031A (en) * | 1976-12-27 | 1978-08-22 | United Technologies Corporation | Stress relief of metal-ceramic gas turbine seals |
| US4111572A (en) * | 1977-03-10 | 1978-09-05 | General Electric Company | Ceramic-metal assembly |
| JPS54132187A (en) * | 1978-04-06 | 1979-10-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Crystal oscillator |
| US4381469A (en) * | 1979-07-20 | 1983-04-26 | Murata Manufacturing Company, Ltd. | Temperature stable piezoelectric device |
| US4297607A (en) * | 1980-04-25 | 1981-10-27 | Panametrics, Inc. | Sealed, matched piezoelectric transducer |
| DE3167430D1 (en) * | 1980-06-27 | 1985-01-10 | Hitachi Ltd | Piezoelectric resonator |
| US4338300A (en) * | 1981-02-05 | 1982-07-06 | The Regents Of The University Of California | Use of purified clostridial collangenase in the treatment of Peyronie's disease |
| SU1080244A1 (ru) * | 1981-10-28 | 1984-03-15 | Предприятие П/Я А-3987 | Пьезоэлектрический вибратор |
| US4468582A (en) * | 1982-04-20 | 1984-08-28 | Fujitsu Limited | Piezoelectric resonator chip and trimming method for adjusting the frequency thereof |
| US4609427A (en) * | 1982-06-25 | 1986-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing ink jet recording head |
| JPS595720A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
| US4445066A (en) * | 1982-06-30 | 1984-04-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrode structure for a zinc oxide thin film transducer |
| US4551647A (en) * | 1983-03-08 | 1985-11-05 | General Electric Company | Temperature compensated piezoelectric transducer and lens assembly and method of making the assembly |
| JPS60814A (ja) * | 1983-06-18 | 1985-01-05 | Yoshihiro Watanabe | 濾過機用プレコ−ト層の形成方法ならびに濾過方法 |
| JPS6098710A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電磁器濾波器 |
| JPS6370582A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Tohoku Metal Ind Ltd | 積層型圧電バイモルフ |
| US4769882A (en) * | 1986-10-22 | 1988-09-13 | The Singer Company | Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers |
| DE3638286A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-11 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
| US4804007A (en) * | 1987-04-29 | 1989-02-14 | Verteq, Inc. | Cleaning apparatus |
| JPS6430473A (en) * | 1987-07-23 | 1989-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultrasonic motor |
| US4825117A (en) * | 1987-11-27 | 1989-04-25 | General Electric Company | Temperature compensated piezoelectric transducer assembly |
| US4890783A (en) * | 1988-11-29 | 1990-01-02 | Li Chou H | Ceramic-metal joining |
| US5161728A (en) * | 1988-11-29 | 1992-11-10 | Li Chou H | Ceramic-metal bonding |
| JP3039971B2 (ja) * | 1989-09-19 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP23984490A patent/JP3039971B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-20 US US07/837,977 patent/US5325012A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6203958B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-03-20 | Fuji Xerox Co., Ltd | Toner and method of image formation using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5325012A (en) | 1994-06-28 |
| JPH03218687A (ja) | 1991-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3039971B2 (ja) | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 | |
| Kažys et al. | High temperature ultrasonic transducers | |
| JP4850113B2 (ja) | 高温用超音波探触子及びその製造方法 | |
| McNab et al. | Ultrasonic transducers for high temperature applications | |
| US4918990A (en) | Ultrasonic transducer assembly | |
| JP2005308691A (ja) | 超音波探触子及び超音波検査装置 | |
| Aasmundtveit et al. | In–Bi low-temperature SLID bonding for piezoelectric materials | |
| US11193836B2 (en) | Apparatus having a semiconductor strain gage encased within ceramic material for measuring strain and methods for making and using same | |
| US4961347A (en) | Probe for ultrasonic flaw detectors | |
| JPH10153586A (ja) | 超音波探触子およびその製造法 | |
| CN105940684A (zh) | 层叠型超声波振动器件、层叠型超声波振动器件的制造方法以及超声波医疗装置 | |
| EP3948967B1 (en) | Diffusion bonding of piezoelectric crystal to metal wear plate | |
| US20240057482A1 (en) | Method and arrangement for joining a piezoelectric material for a wide temperature range | |
| JPH06329478A (ja) | 圧電製品の製造方法 | |
| US6228197B1 (en) | Assembly method allowing easy re-attachment of large area electronic components to a substrate | |
| JPH0937394A (ja) | 高分子圧電探触子の素子構造 | |
| JP6129980B2 (ja) | 力学量測定装置及びその製造方法 | |
| Sosnowchik et al. | Silicon-to-steel bonding using rapid thermal annealing | |
| EP0095284B1 (en) | Tantalum bonding method | |
| JPS6133512B2 (ja) | ||
| JP3445461B2 (ja) | ハンダ接合方法および超音波センサー | |
| JP2008047971A (ja) | アレイ型超音波探触子及び探傷装置 | |
| JPH10120474A (ja) | アルミニウムとセラミックスとの接合方法 | |
| JP2001048668A (ja) | セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置 | |
| JP3423428B2 (ja) | 超音波探触子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |