JP4203152B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波装置、特に無線通信機などに用いる比較的高い周波数領域で使用される弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波装置はその製造工程において、圧電性基板をパッケージに接着する際の加熱やキャップを溶接する際の温度上昇等により、すだれ状電極が静電破懐することがある。これは圧電性基板の持つ焦電性によるもので、これを防止するため、例えば特開平６−２２４６８２号公報に記載されているような提案がある。
【０００３】
この提案は入出力電極の一部に静電破懐犠牲用電極を設け、これを積極的に静電破懐させることによって、入出力電極の励振部を消失させないようにしたものである。
【０００４】
また、焦電性により生じる自発分極の電荷は、基板表面が短絡されていない自由表面で蓄積されるため、圧電性基板の表面は出来る限り薄膜電極で覆うことが有効であることも良く知られている。
【０００５】
しかしながら、上記公報の静電破懐犠牲用電極は、入出力電極の一部に設けているため、特に高周波で用いられる場合、この静電破懐犠牲用電極の持つ静電容量により、周波数特性が劣化してしまう不具合が生じる。
【０００６】
また、静電気によって静電破懐犠牲用電極が溶断する際、静電破懐犠牲用電極間に溶けた電極材料が付着し、絶縁抵抗値が低下するという不具合を生じる。さらに、溶けた電極材料によって、稀に静電破懐犠牲用電極間が短絡することがある。このとき、入出力電極の何れかが短絡することになるため、高周波信号が通過しないという極めて重大な欠陥が生じることとなる。また、圧電性基板の表面を出来る限り薄膜電極で覆った場合でも、すだれ状電極の静電破懐を防止できない場合がある。
【０００７】
図５に従来の弾性表面波装置を模式的に示す。圧電性基板１上に入力及び出力すだれ状電極２が形成されている。これらの電極は、共通電極６を介して入力用ワイヤボンディングパッド３、及び出力用ワイヤボンディングパッド４に接続される。また、それぞれのすだれ状電極２には、接地用ボンディングパッド５が設けられている。これらの電極とチップ端面の間には、自発分極による電荷を短絡する目的の薄膜電極７ｉ，７ｊが設けられている。
【０００８】
この薄膜電極７は、圧電性基板１の端面まで形成されている訳ではなく、切断用空白部（ダイシングマージン）９を有している。この理由は、ウェハを切断して圧電性基板１を切り出すときの破片によってすだれ状電極２が短絡することを防ぐためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような構造の弾性表面波装置では、薄膜電極７により自発分極の電荷量を抑えることが出来る効果があるものの、依然としてすだれ状電極２が静電破壊を起こしてしまう。この理由は、圧電性基板１の中で最も広い自由表面である切断用空白部９に生じる自発分極の電荷が、薄膜電極７ｉ，７ｊを通してすだれ状電極２に放電されるためである。
【００１０】
これを防止するため、図６のように、薄膜電極７ｉ，７ｊを、すだれ状電極２と間隔Ｓ２，Ｓ３を設けて電気的に接続しない構成とすることが考えられるが、数ｋＶにも及ぶ高い静電気のため、間隔Ｓ２，Ｓ３の絶縁を破り、静電破壊を起こしてしまう。また、間隔Ｓ２，Ｓ３を十分大きくしておけば絶縁を破ることはないが、間隔Ｓ２，Ｓ３の部分で自由表面が広くなり、当初の目的を達成できないこととなる。
【００１１】
そこで本発明は、弾性表面波装置の電気的性質や絶縁抵抗の劣化を起こさず、切断用空白部に生じる自発分極の電荷によるすだれ状電極の静電破壊を防止することが出来る弾性表面波装置を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明は、弾性表面波基板上に複数のすだれ状電極を有し、そのすだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、その薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に切断用空白部が形成され、かつ、少なくとも１つの隣合う薄膜電極間が、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて、
前記薄膜電極が２種類に分かれており、前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に第１の薄膜電極が形成され、その１の薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に前記第１の薄膜電極とは離れた第２の薄膜電極が形成されて、
前記切断用空白部で発生する静電気によるすだれ状電極の破壊を防止することを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
上記構成とすれば、自発分極を最も起こしやすい切断用空白部に発生した静電気が、すだれ状電極に印加されず、薄膜電極間で放電するため、入出力のすだれ状電極の破壊を起こさず保護できる。
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１に第１の実施形態の電極構成図を示す。圧電性基板１として６４°回転Ｙ軸カットＸ軸伝搬ニオブ酸リチウムを用いる。すだれ状電極２、入力用ワイヤボンディングパッド３、出力用ワイヤボンディングパッド４、接地用ワイヤボンディングパッド５、共通電極６、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが図のごとく設けてある。
【００１５】
薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、すだれ状電極２、入力用ワイヤボンディングパッド３、出力用ワイヤボンディングパッド４、接地用ワイヤボンディングパッド５、共通電極６の何れにも接続しておらず、電気的に独立している。また、薄膜電極７ａと７ｂ，薄膜電極７ｃと７ｄの間隔Ｓ１は５μｍとし、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとすだれ状電極２の間隔Ｓ２，Ｓ３は共に３０μｍとした。切断用空白部９の幅は１００μｍである。
【００１６】
次に本発明の静電破壊防止メカニズムについて説明する。圧電性基板１の中で自発分極による電荷の発生は一様でなく、最も広い自由表面である切断用空白部が最も多くなる。ここで発生した電荷は、温度変化が緩やかな場合などは徐々に空気中のイオンと結合し放電されるが、電荷の発生が急激な場合などでは近傍の金属部分で放電される。
【００１７】
本実施形態では、間隔Ｓ１が間隔Ｓ２，Ｓ３よりも十分狭くなっているので、静電気は、選択的に薄膜電極７ａと７ｂ、薄膜電極７ｃと７ｄの電極間で放電し、すだれ状電極２には静電破壊が発生することはない。
【００１８】
このように、静電気による放電を積極的に生ぜしめる薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、すだれ状電極２及びこれに接続する部位に対して電気的に独立しているので、装置の高周波性能、絶縁抵抗性能に影響を与えることはない。
【００１９】
次に、図２を用いて本発明の第２の実施形態を説明する。図２は図１に対して薄膜電極７ａと７ｂ、薄膜電極７ｃと７ｄの間に、放電用すだれ電極８を設けた構造としている。その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。放電用すだれ電極８の線幅及び間隔は、それぞれすだれ状電極２と同一の１．０μｍ，０．７μｍとした。電極対数は３対とした。
【００２０】
本実施形態においては、放電用すだれ電極８を設けているので、静電気による放電がよりスムーズに行われる。即ち、すだれ状電極２と同様の構成としているので、比較的低い帯電電圧でも放電用すだれ電極８で放電することができ、すだれ状電極２の保護効果が高い。
【００２１】
本実施例でも、薄膜電極７及び放電用すだれ電極８は、すだれ状電極２及びこれに接続する部位に対して電気的に独立しているので、装置の高周波性能、絶縁抵抗性能に影響を与えることがないことは明らかである。
【００２２】
また、ここでは放電用すだれ電極８の線幅及び間隔はそれぞれすだれ状電極２と同一としているが、すだれ状電極２よりも小さくしてもよいことは明らかであり、また、例えすだれ状電極２よりも大きくしても、電極の交差長さを小さくしておけば、同様の効果が得られる。さらに、すだれ状の形状でなくとも先端の尖ったくさび型の形状などでもよい。
【００２３】
次に、図３を用いて本発明の第３の実施形態を説明する。図３は図１に対して薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを分割して、薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２４】
本実施形態においては、すだれ状電極２と切断用空白部９の間に、２種類の薄膜電極を設けていることを特徴としており、切断用空白部９で発生した電荷は、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈで放電するため、より静電破壊の抑制効果が高い。
【００２５】
即ち、例えば薄膜電極７ａ，７ｂの間で放電し切れなかった場合でも、さらに薄膜電極７ａと７ｅ、薄膜電極７ｂと７ｆの間で放電させることによってすだれ状電極２の保護効果を高めるものである。さらに、この分割数を増やすことによって効果が高まることは明らかである。
【００２６】
次に、図４を用いて本発明の第４の実施形態を説明する。図４は図１に対して薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２７】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、すだれ状電極２と切断用空白部９の間に、２種類の薄膜電極を設けているが、圧電性基板１の端に近い部分に薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したことを特徴としている。動作は第３の実施形態と同様であるが、本実施形態の場合、静電気による放電は、すだれ状電極２から十分離れた圧電性基板１の端部に近い部分で生じることになるため、放電により溶断した電極材料が再付着しても、圧電性基板１の端部に溜まり、すだれ状電極２に悪影響を及ぼすことはない。
【００２８】
次に、図７を用いて本発明の第５の実施形態を説明する。図７は図１に対してパッケージ１０、ボンディングワイヤ１３を付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２９】
本実施形態において、圧電性基板１は熱硬化型または光硬化型接着剤（図示せず）によりパッケージ１０に固定されている。パッケージ１０との電気的接続は、入力端子１２ａと入力用ワイヤボンディングパッド３をボンディングワイヤ１３で接続し、出力端子１２ｂと出力用ボンディングパッド４をボンディングワイヤ１３で接続している。同様に、接地端子１１と接地用ボンディングパッド５をボンディングワイヤ１３で接続し、さらに薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄをボンディングワイヤ１３で接地端子１１に接続している。
【００３０】
本実施形態によれば、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは電気的に浮いておらず、電位を安定させているため、高周波領域でも安定した性能が得られるという効果がある。
【００３１】
この場合でもすだれ状電極２の入力用ボンディングパッド３、出力用ボンディングパッド４と薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは接続されず電気的に独立しているので、前記第１の実施形態と同様に静電破壊を抑止する効果を損なうことがなく、また電気的性能の劣化がないことは明らかである。なお、圧電性基板１とパッケージ１０の接続はボンディングワイヤ１３に限らず、例えばバンプなどでもよい。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、弾性表面波基板上に複数のすだれ状電極を有し、そのすだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、その薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に切断用空白部が形成され、かつ、少なくとも１つの隣合う薄膜電極間が、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて、前記薄膜電極が２種類に分かれており、前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に第１の薄膜電極が形成され、その１の薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に前記第１の薄膜電極とは離れた第２の薄膜電極が形成されているので、弾性表面波装置の電気的性能や絶縁抵抗の劣化を起こさず、切断用空白部に生じる自発分極の電荷によるすだれ状電極の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図４】 本発明の第４の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図５】 従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図６】 従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図７】 本発明の第５の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 圧電性基板
２ すだれ状電極
３ 入力用ワイヤボンディングパッド
４ 出力用ワイヤボンディングパッド
５ 接地用ワイヤボンディングパッド
６ 共通電極
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ，７ｊ 薄膜電極
８ 放電用すだれ状電極
９ 切断用空白部
１０ パッケージ
１１ 接地端子
１２ａ 入力端子
１２ｂ 出力端子
１３ ボンディングワイヤ
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波装置、特に無線通信機などに用いる比較的高い周波数領域で使用される弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波装置はその製造工程において、圧電性基板をパッケージに接着する際の加熱やキャップを溶接する際の温度上昇等により、すだれ状電極が静電破懐することがある。これは圧電性基板の持つ焦電性によるもので、これを防止するため、例えば特開平６−２２４６８２号公報に記載されているような提案がある。
【０００３】
この提案は入出力電極の一部に静電破懐犠牲用電極を設け、これを積極的に静電破懐させることによって、入出力電極の励振部を消失させないようにしたものである。
【０００４】
また、焦電性により生じる自発分極の電荷は、基板表面が短絡されていない自由表面で蓄積されるため、圧電性基板の表面は出来る限り薄膜電極で覆うことが有効であることも良く知られている。
【０００５】
しかしながら、上記公報の静電破懐犠牲用電極は、入出力電極の一部に設けているため、特に高周波で用いられる場合、この静電破懐犠牲用電極の持つ静電容量により、周波数特性が劣化してしまう不具合が生じる。
【０００６】
また、静電気によって静電破懐犠牲用電極が溶断する際、静電破懐犠牲用電極間に溶けた電極材料が付着し、絶縁抵抗値が低下するという不具合を生じる。さらに、溶けた電極材料によって、稀に静電破懐犠牲用電極間が短絡することがある。このとき、入出力電極の何れかが短絡することになるため、高周波信号が通過しないという極めて重大な欠陥が生じることとなる。また、圧電性基板の表面を出来る限り薄膜電極で覆った場合でも、すだれ状電極の静電破懐を防止できない場合がある。
【０００７】
図５に従来の弾性表面波装置を模式的に示す。圧電性基板１上に入力及び出力すだれ状電極２が形成されている。これらの電極は、共通電極６を介して入力用ワイヤボンディングパッド３、及び出力用ワイヤボンディングパッド４に接続される。また、それぞれのすだれ状電極２には、接地用ボンディングパッド５が設けられている。これらの電極とチップ端面の間には、自発分極による電荷を短絡する目的の薄膜電極７ｉ，７ｊが設けられている。
【０００８】
この薄膜電極７は、圧電性基板１の端面まで形成されている訳ではなく、切断用空白部（ダイシングマージン）９を有している。この理由は、ウェハを切断して圧電性基板１を切り出すときの破片によってすだれ状電極２が短絡することを防ぐためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような構造の弾性表面波装置では、薄膜電極７により自発分極の電荷量を抑えることが出来る効果があるものの、依然としてすだれ状電極２が静電破壊を起こしてしまう。この理由は、圧電性基板１の中で最も広い自由表面である切断用空白部９に生じる自発分極の電荷が、薄膜電極７ｉ，７ｊを通してすだれ状電極２に放電されるためである。
【００１０】
これを防止するため、図６のように、薄膜電極７ｉ，７ｊを、すだれ状電極２と間隔Ｓ２，Ｓ３を設けて電気的に接続しない構成とすることが考えられるが、数ｋＶにも及ぶ高い静電気のため、間隔Ｓ２，Ｓ３の絶縁を破り、静電破壊を起こしてしまう。また、間隔Ｓ２，Ｓ３を十分大きくしておけば絶縁を破ることはないが、間隔Ｓ２，Ｓ３の部分で自由表面が広くなり、当初の目的を達成できないこととなる。
【００１１】
そこで本発明は、弾性表面波装置の電気的性質や絶縁抵抗の劣化を起こさず、切断用空白部に生じる自発分極の電荷によるすだれ状電極の静電破壊を防止することが出来る弾性表面波装置を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明は、弾性表面波基板上に複数のすだれ状電極を有し、そのすだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、その薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に切断用空白部が形成され、かつ、少なくとも１つの隣合う薄膜電極間が、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて、
前記薄膜電極が２種類に分かれており、前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に第１の薄膜電極が形成され、その１の薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に前記第１の薄膜電極とは離れた第２の薄膜電極が形成されて、
前記切断用空白部で発生する静電気によるすだれ状電極の破壊を防止することを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
上記構成とすれば、自発分極を最も起こしやすい切断用空白部に発生した静電気が、すだれ状電極に印加されず、薄膜電極間で放電するため、入出力のすだれ状電極の破壊を起こさず保護できる。
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１に第１の実施形態の電極構成図を示す。圧電性基板１として６４°回転Ｙ軸カットＸ軸伝搬ニオブ酸リチウムを用いる。すだれ状電極２、入力用ワイヤボンディングパッド３、出力用ワイヤボンディングパッド４、接地用ワイヤボンディングパッド５、共通電極６、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが図のごとく設けてある。
【００１５】
薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、すだれ状電極２、入力用ワイヤボンディングパッド３、出力用ワイヤボンディングパッド４、接地用ワイヤボンディングパッド５、共通電極６の何れにも接続しておらず、電気的に独立している。また、薄膜電極７ａと７ｂ，薄膜電極７ｃと７ｄの間隔Ｓ１は５μｍとし、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとすだれ状電極２の間隔Ｓ２，Ｓ３は共に３０μｍとした。切断用空白部９の幅は１００μｍである。
【００１６】
次に本発明の静電破壊防止メカニズムについて説明する。圧電性基板１の中で自発分極による電荷の発生は一様でなく、最も広い自由表面である切断用空白部が最も多くなる。ここで発生した電荷は、温度変化が緩やかな場合などは徐々に空気中のイオンと結合し放電されるが、電荷の発生が急激な場合などでは近傍の金属部分で放電される。
【００１７】
本実施形態では、間隔Ｓ１が間隔Ｓ２，Ｓ３よりも十分狭くなっているので、静電気は、選択的に薄膜電極７ａと７ｂ、薄膜電極７ｃと７ｄの電極間で放電し、すだれ状電極２には静電破壊が発生することはない。
【００１８】
このように、静電気による放電を積極的に生ぜしめる薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、すだれ状電極２及びこれに接続する部位に対して電気的に独立しているので、装置の高周波性能、絶縁抵抗性能に影響を与えることはない。
【００１９】
次に、図２を用いて本発明の第２の実施形態を説明する。図２は図１に対して薄膜電極７ａと７ｂ、薄膜電極７ｃと７ｄの間に、放電用すだれ電極８を設けた構造としている。その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。放電用すだれ電極８の線幅及び間隔は、それぞれすだれ状電極２と同一の１．０μｍ，０．７μｍとした。電極対数は３対とした。
【００２０】
本実施形態においては、放電用すだれ電極８を設けているので、静電気による放電がよりスムーズに行われる。即ち、すだれ状電極２と同様の構成としているので、比較的低い帯電電圧でも放電用すだれ電極８で放電することができ、すだれ状電極２の保護効果が高い。
【００２１】
本実施例でも、薄膜電極７及び放電用すだれ電極８は、すだれ状電極２及びこれに接続する部位に対して電気的に独立しているので、装置の高周波性能、絶縁抵抗性能に影響を与えることがないことは明らかである。
【００２２】
また、ここでは放電用すだれ電極８の線幅及び間隔はそれぞれすだれ状電極２と同一としているが、すだれ状電極２よりも小さくしてもよいことは明らかであり、また、例えすだれ状電極２よりも大きくしても、電極の交差長さを小さくしておけば、同様の効果が得られる。さらに、すだれ状の形状でなくとも先端の尖ったくさび型の形状などでもよい。
【００２３】
次に、図３を用いて本発明の第３の実施形態を説明する。図３は図１に対して薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを分割して、薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２４】
本実施形態においては、すだれ状電極２と切断用空白部９の間に、２種類の薄膜電極を設けていることを特徴としており、切断用空白部９で発生した電荷は、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈで放電するため、より静電破壊の抑制効果が高い。
【００２５】
即ち、例えば薄膜電極７ａ，７ｂの間で放電し切れなかった場合でも、さらに薄膜電極７ａと７ｅ、薄膜電極７ｂと７ｆの間で放電させることによってすだれ状電極２の保護効果を高めるものである。さらに、この分割数を増やすことによって効果が高まることは明らかである。
【００２６】
次に、図４を用いて本発明の第４の実施形態を説明する。図４は図１に対して薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２７】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、すだれ状電極２と切断用空白部９の間に、２種類の薄膜電極を設けているが、圧電性基板１の端に近い部分に薄膜電極７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈを付加したことを特徴としている。動作は第３の実施形態と同様であるが、本実施形態の場合、静電気による放電は、すだれ状電極２から十分離れた圧電性基板１の端部に近い部分で生じることになるため、放電により溶断した電極材料が再付着しても、圧電性基板１の端部に溜まり、すだれ状電極２に悪影響を及ぼすことはない。
【００２８】
次に、図７を用いて本発明の第５の実施形態を説明する。図７は図１に対してパッケージ１０、ボンディングワイヤ１３を付加したものであり、その他の部分は本発明の第１の実施形態と同一である。
【００２９】
本実施形態において、圧電性基板１は熱硬化型または光硬化型接着剤（図示せず）によりパッケージ１０に固定されている。パッケージ１０との電気的接続は、入力端子１２ａと入力用ワイヤボンディングパッド３をボンディングワイヤ１３で接続し、出力端子１２ｂと出力用ボンディングパッド４をボンディングワイヤ１３で接続している。同様に、接地端子１１と接地用ボンディングパッド５をボンディングワイヤ１３で接続し、さらに薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄをボンディングワイヤ１３で接地端子１１に接続している。
【００３０】
本実施形態によれば、薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは電気的に浮いておらず、電位を安定させているため、高周波領域でも安定した性能が得られるという効果がある。
【００３１】
この場合でもすだれ状電極２の入力用ボンディングパッド３、出力用ボンディングパッド４と薄膜電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは接続されず電気的に独立しているので、前記第１の実施形態と同様に静電破壊を抑止する効果を損なうことがなく、また電気的性能の劣化がないことは明らかである。なお、圧電性基板１とパッケージ１０の接続はボンディングワイヤ１３に限らず、例えばバンプなどでもよい。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、弾性表面波基板上に複数のすだれ状電極を有し、そのすだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、その薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に切断用空白部が形成され、かつ、少なくとも１つの隣合う薄膜電極間が、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて、前記薄膜電極が２種類に分かれており、前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に第１の薄膜電極が形成され、その１の薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に前記第１の薄膜電極とは離れた第２の薄膜電極が形成されているので、弾性表面波装置の電気的性能や絶縁抵抗の劣化を起こさず、切断用空白部に生じる自発分極の電荷によるすだれ状電極の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図４】 本発明の第４の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図５】 従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図６】 従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【図７】 本発明の第５の実施形態による弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 圧電性基板
２ すだれ状電極
３ 入力用ワイヤボンディングパッド
４ 出力用ワイヤボンディングパッド
５ 接地用ワイヤボンディングパッド
６ 共通電極
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ，７ｊ 薄膜電極
８ 放電用すだれ状電極
９ 切断用空白部
１０ パッケージ
１１ 接地端子
１２ａ 入力端子
１２ｂ 出力端子
１３ ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 弾性表面波基板上に複数のすだれ状電極を有し、そのすだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、その薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に切断用空白部が形成され、かつ、少なくとも１つの隣合う薄膜電極間が、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて、
前記薄膜電極が２種類に分かれており、前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に第１の薄膜電極が形成され、その１の薄膜電極と弾性表面波基板端面との間に前記第１の薄膜電極とは離れた第２の薄膜電極が形成されて、
前記切断用空白部で発生する静電気によるすだれ状電極の破壊を防止することを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25867198A JP4203152B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 弾性表面波装置 |
| US09/265,958 US6034578A (en) | 1998-09-11 | 1999-03-11 | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| DE19910889A DE19910889C2 (de) | 1998-09-11 | 1999-03-11 | Oberflächenwellenvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25867198A JP4203152B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 弾性表面波装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008194993A Division JP2008306757A (ja) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091872A JP2000091872A (ja) | 2000-03-31 |
| JP4203152B2 true JP4203152B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=17323492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25867198A Expired - Fee Related JP4203152B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 弾性表面波装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6034578A (ja) |
| JP (1) | JP4203152B2 (ja) |
| DE (1) | DE19910889C2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818975B1 (en) * | 1999-07-02 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric charge generating semiconductor substrate bump forming device, method of removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate device for removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate, and electric charge generating semiconductor substrate |
| JP2002151999A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Nec Corp | 弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージ |
| WO2002043462A2 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Soliton Holdings Corp. | Saw wave-guides |
| CN1272904C (zh) * | 2001-04-19 | 2006-08-30 | 松下电器产业株式会社 | 弹性表面波装置 |
| CN1287516C (zh) * | 2001-06-21 | 2006-11-29 | 松下电器产业株式会社 | 弹性表面波装置及其制造方法和使用该装置的电子器件 |
| JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| US6946929B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having connection between elements made via a conductor not on the piezoelectric substrate |
| CN1242554C (zh) * | 2002-07-31 | 2006-02-15 | 松下电器产业株式会社 | 声表面波元件的制造方法 |
| US7039263B2 (en) * | 2002-09-24 | 2006-05-02 | Intel Corporation | Electrooptic assembly |
| JP2005094593A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP4202245B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2008-12-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| JP2006060565A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Alps Electric Co Ltd | Ｓａｗフィルタ、及びその製造方法 |
| US7619347B1 (en) | 2005-05-24 | 2009-11-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Layer acoustic wave device and method of making the same |
| US8490260B1 (en) | 2007-01-17 | 2013-07-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing SAW device substrates |
| US7408286B1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-08-05 | Rf Micro Devices, Inc. | Piezoelectric substrate for a saw device |
| US9077312B1 (en) * | 2014-07-25 | 2015-07-07 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave filter |
| US9331669B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-05-03 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave duplexer |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240207A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH03128518A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波素子 |
| JPH03293808A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JPH0435312A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPH04243311A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-31 | Fujitsu Ltd | Ｓａｗデバイス |
| JPH04371009A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
| JPH06132758A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPH06204779A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Japan Energy Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPH06224682A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH06350380A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US5701645A (en) * | 1994-04-06 | 1997-12-30 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device manufacturing method |
| DE4414160C1 (de) * | 1994-04-22 | 1995-12-21 | Siemens Matsushita Components | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement, insbesondere Oberflächenwellenfilter |
| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
| JPH09199974A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP25867198A patent/JP4203152B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-11 US US09/265,958 patent/US6034578A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 DE DE19910889A patent/DE19910889C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6034578A (en) | 2000-03-07 |
| JP2000091872A (ja) | 2000-03-31 |
| DE19910889A1 (de) | 2000-04-06 |
| DE19910889C2 (de) | 2002-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050817 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080930 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081010 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131017 Year of fee payment: 5 |
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