JP2002025104A

JP2002025104A - 集積光ヘッド装置

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Publication number: JP2002025104A
Application number: JP2000215881A
Authority: JP
Inventors: Kimio Tateno; 公男立野; Masahide Tokuda; 正秀徳田; Takeshi Shimano; 健島野; Shigeru Nakamura; 滋中村; Yasuyuki Arikawa; 康之有川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-07-12
Filing date: 2000-07-12
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】CD,DVD、青紫色半導体レーザ対応など種類の異
なる光ディスクを一台の装置で記録、再生するための光
ヘッドにおいて、波長の異なる３個の半導体レーザのス
ポットを低収差で光ディスク上に形成し、同時にヘッド
の小型、薄型、集積化を実現する。【解決手段】２波長モノリシックGaAs半導体レーザの２
個の発光点位置と、青紫色波長のGaN半導体レーザの発
光点位置を左右非対称に形成し、波長の異なる３つの半
導体レーザ発光点位置を近づけて配列し、OEIC，ＰＤパ
ターン、および、反射ミラー付基板にインデクスアライ
メントして集積化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号で変調さ
れた半導体レーザ光を光ディスク上に当て、記録、ある
いは再生する装置の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】最近、波長780nmのCD、CD-ROM、CD-R、C
D-Rewritable仕様と、波長650nmのDVD、DVD-ROM、DVD-R
AM仕様の各種光ディスクをいずれもかけることのできる
光ディスク装置が登場したが、異なる波長の半導体レー
ザ毎に光源部と光検知器が分離している。さらに将来的
には、記録密度をさらに向上した青色、あるいは、紫色
以下の短波長レーザがつかわれる状況にあり、光ヘッド
の部品点数増加は避けられない見通しである。このた
め、光源と光検知器の実装集積密度があがらず、光ディ
スク装置全体の小型化、薄型化が阻まれていた。このた
め、従来から特開平1-150244や、日経エレクトロニク
ス、 1999.11.29 (No. 758),p49に見られるように、光
ディスクの再生ヘッドの光検知器部分と半導体レーザを
ハイブリッド集積化する試みがなされて来た。しかし、
上記公知例には、半導体レーザの位置決め誤差の低減の
必要性が記載されているだけで、位置合わせ精度向上の
具体的な方法については何も開示されていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】光ディスクの記録再生
ヘッドの集積化には、上記波長の異なる３種の半導体レ
ーザを並列に配置し、一つの光学系で三つの半導体レー
ザのスポットを光ディスク上に形成する必要がある。し
かし、該光学系は比較的開口数の大きい対物レンズを持
っており、画角、すなわち、低収差を保証する光軸方向
に対する中心光線（物点と像点を結ぶ線）の角度は有限
である。言いかえれば、３個の半導体レーザのうちの一
個を、光ディスク上で十分収差の取れたスポットに形成
できても、他方のスポットは収差でボケてしまうという
事体が生じる。また、３個の半導体レーザの発光点の相
対位置合わせも重要な課題である。従って、上記従来例
では、装置全体の薄型化、小型化が抱える問題を完全に
解決されたとは言い難い状況である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決して、波長780nmのCD、波長650nmのDVD、そし
て、波長400nm近辺の新しい超高密度光ディスクなど、
各種光ディスクを互換性を持って記録再生できるドライ
バ装置全体の小型化、薄型化のためのブレークスルーを
提供するものである。即ち、波長780nm、650nmの異なる
２個の発光部を持つモノリシックなGaAs半導体レーザ
と、波長410nmのGaN半導体レーザを、対応する波長に感
度を持つ自動焦点検出、および、トラッキング検出用光
検知器をモノリシックに形成した半導体基板からなる集
積モジュールを搭載した光ヘッドにより、光ディスクを
記録再生する装置において、該２種の半導体レーザの発
光点を、前記GaAs半導体レーザと前記GaN半導体レーザ
との中央に対して左右非対称位置に形成し、該複数の発
光点を該光ヘッド光学系の画角が許容する範囲内にはい
るように互いに近づけて配列する。

【０００５】具体的には以下の通りである。第一の手段
は、波長780nmと波長650nmの異なる２種のGaAs半導体レ
ーザをモノリシックに作成したレーザ光源と、波長400n
m近辺のGaN半導体レーザと、これらの異なる波長に対応
する三種の光検知器をマスク精度で位置合わせした上で
該２個の半導体レーザをハイブリッド集積化し、モノリ
シック並みに部品点数を削減する。そして、従来、複数
光路であった光ヘッドを単一の光路とし、かつ、該３個
の半導体レーザの発光点を左右非対称位置に形成し、該
発光点を互いに近づけて配列した集積モジュールを提供
するものである。

【０００６】本発明の第２の手段は、光検知器を形成し
たシリコン基板上と、半導体レーザ双方に位置合わせ用
のインデクスマークをつけて、可視光、あるいは赤外光
を照射し、それらの像をCCDや撮像管などの光電変換面
に結ばせてコンピュータに取りこみ、各々のマークの重
心や形を計算して位置合わせを行うものである。重心計
算のため、位置合わせ精度はサブミクロンのオーダーで
達成可能である。

【０００７】本発明の第三の手段は、光検知器を形成し
たシリコン基板上に反射ミラーを形成するものである。
すなわち、９．７度近辺のオフ基板を用意し、シリコン
の異方性エッチングにより４５度近辺の反射ミラーを形
成し、半導体レーザからのビームをこのミラーで反射さ
せ、シリコン基板面に対し、ほぼ直角方向にビームを曲
げるものである。

【０００８】本発明の第４の手段は、光検知器を形成し
たシリコン基板上に光検知器で発生した光電流を電気的
に増幅するアンプをモノリシックに形成し、かつ、斜め
ミラー、位置合わせインデクスマークを作り付けるもの
である。

【０００９】本発明の第５の手段は、シリコンカーバイ
ドのような熱伝導率の高い基板に位置合わせ用のインデ
クスマークを付け、高い精度で該２個の半導体レーザ、
反射用のプリズムミラー、光検知器、そして、アンプを
ハイブリッド集積するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明による光ヘッドの構
成を示すものである。すなわち、半導体基板１、２波長
モノリシックGaAs半導体レーザチップ４a、１波長GaN半
導体レーザ4b、反射ミラー５、光検知器７、８、９など
からなる集積モジュール１００からのレーザ光は、それ
ぞれ、ビーム6a,6b,6cとなり、コリメータレンズ１０で
平行光となり、立上げミラー１１、回折格子板１２など
を経て対物レンズ１３に至り、光ディスク１４面にスポ
ット１５a、１５b,１６として形成される。対物レンズ
１３は半導体レーザ波長に応じて複数個からなる場合、
あるいは、複数の波長の光を集光できる単体の場合があ
る。該レンズはアクチュエータ１７により、光ディスク
の回転に伴う動きに応じて記録面上に焦点合わせされ、
かつ、トラッキング、すなわち、ディスク面上の記録ト
ラック１８を追随するものである。かくして、半導体レ
ーザのオン・オフに応じて信号が光ディスク上にピット
の列として記録され、あるいは、既に記録されたピット
を読み出して信号を再生するものである。このように、
集積モジュール１００に複数の半導体レーザを集積すれ
ば、コリメータレンズ１０、対物レンズ１３、立ち上げ
ミラー１１などが一個となり、光ヘッドの光路を単一化
することができる。すなわち、本光ヘッドを使えば、例
えば、厚さ１．２mmのCD、CD−Rを、GaAs半導体レーザ4
aのうちの波長λａ(=780nm)の発光部分で記録再生し、
厚さ0.6mmのDVD、DVD-RAMをGaAs半導体レーザ4aのうち
の波長λb(=650nm)の発光部分で記録再生し、さらに、
波長λc(=400nm)近辺のGaN半導体レーザ４ｂで記録再生
することができる。

【００１１】図２は回折格子１２を説明するものであ
る。これは偏光性の４分割回折格子２３と４分の一波長
板２４を張り合わせて一体にした複合素子で、半導体レ
ーザチップ側に偏光性の４分割回折格子を向けて配置す
る。偏光性の４分割回折格子は、複屈折性の光学結晶板
や液晶板からなり、入射光が常光線の場合は屈折せずに
透過し、異常光線の場合は回折格子として作用する。半
導体レーザ4a,4bから出射された直線偏光のビーム6a,6
b,6cは、偏光性の４分割回折格子と４分の１波長板の複
合素子１２に入射した時、常光線として入射した場合は
偏光性回折格子部分では回折せずにそのまま透過して、
複合素子１２の４分の１波長板により円偏光となる。光
ディスクで反射したレーザビーム6a,6b,6cは、複合素子
１２の４分の１波長板により異常光線となり、偏光性の
４分割回折格子で回折される。図２に示した複合素子は
境界線２１と２２で４つの領域に分割されている。円２
０はレーザビーム6a,6bあるいは６cを示し、４分割回折
格子により、４つの＋一次回折光と４つの一１次回折光
に分離されて、半導体基板１の光検知器部７、または８
に至り、光電変換されて自動焦点信号、トラックング信
号、そして、情報信号となる。以下詳細に説明する。

【００１２】図３（ａ）は、コリメートレンズ１０側か
ら見た半導体基板１の表面を示す。３２ａで示す８つの
黒塗りの４分の１円は、上記回折格子２３で分離された
波長λａのレーザビームを示し、３２ｂで示す８つの塗
りつぶさない４分の１円は回折格子で分離された波長λ
ｂのレーザビームを示す。３２ｃは波長λcに対応して
いる。７は焦点ずれ検出信号を得るための光検出素子
で、波長λａのレーザビーム３２ａを受光する８つの短
冊型光検出素子７ａと、波長λｂのレーザビーム３２ｂ
を受光する８つの短冊型光検出素子７ｂ、波長λcのレ
ーザビーム３２cを受光する８つの短冊型光検出素子７c
とからなる。焦点ずれ検出方法は、４分割ビームによる
ナイフエッジ法（フーコー法）を用い、図３（a）に示
したごとくアルミニューム等の導電性薄膜３３で結線す
れば、ワイヤーボンディング用パット３４のＡ端子とＢ
端子から差動用の信号が得られる。８はトラックずれ検
出信号と情報再生信号を得るための光検出素子で、４つ
の光検出素子８の出力信号は半導体基板上に形成したア
ンプ３５を通りパット３４のＤ端子とＥ端子とＦ端子と
Ｇ端子から出力される。９は半導体レーザチップ４ａと
４ｂの発光光量を監視するための光検出素子で、光検出
素子９の出力信号はパット３４のＣ端子から出力され
る。点３１ａ、３１ｂ、３１cは、半導体レーザチップ
４ａと４ｂから放射したレーザビーム６ａ、６ｂ、６c
の半導体ミラー５面上の反射位置を示す。

【００１３】例えば、図２に示した４つの領域の回折格
子ピッチＰがすべて等しく回折格子の方向が縦線２１に
対して＋α度、−α度、＋３α度、−３α度、とし、ま
たコリメートレンズの焦点距離をｆｃとすれば、回折格
子で分離された波長λａのレーザビーム３２ａは、点３
１ａを中心とした半径Ｒａ＝ｆｃ＊λａ／Ｐの円周上で
中心から２α度の間隔の位置に集光する。同様に、回折
格子で分離された波長λｂのレーザビーム３２ｂは、点
３１ｂを中心とした半径Ｒｂ＝ｆｃ＊λｂ／Ｐの円周上
で中心から２α度の間隔の位置に集光する。回折格子で
分離された波長λｃのレーザビーム３２ｃは、点３１ｃ
を中心とした半径Ｒｃ＝ｆｃ＊λｃ／Ｐの円周上で中心
から２α度の間隔の位置に集光する。点３１ａと３１ｃ
の間隔である半導体レーザチップ４ａと４ｂの発光点間
隔Ｄを、ほぼＤ≒ｆｃ＊（λｃ−λａ）／Ｐとすれば、
波長λａのレーザビームの集光位置と波長λｃのレーザ
ビームの集光位置をほぼ一致させることができ、本実施
例のように、異なる波長のビームで光検出素子やアンプ
を共通化でき、半導体基板１の表面を節約できるばかり
か、ワイヤーボンディング用パットや出力線の数を低減
できるので、半導体基板１を収納するパッケージの小型
化にも効果がある。

【００１４】図３（ｂ）は、図３（ａ）の点線ＡＡ‘位
置における半導体基板１の断面構造を示す。半導体ミラ
ー５はレーザチップ取付け面２に対して４５度の角度で
形成するのが好適である。例えば、シリコン基板による
ミラー面の加工では、シリコン(１００)面を水酸化カリ
ウム系の水溶液でエッチングすると、(１００)面に対す
る(１１１)面のエッチング速度がほぼ２桁遅い為に、平
坦な(１１１)面を斜面とする四角錐台状の凹部が形成さ
れるという異方性エッチングに基づいている。このと
き、 (１１１)面が(１００)面となす角は約５４.7°と
なるため、４５度の半導体ミラーを形成するためには、
例えば表面に対して結晶軸が傾斜したオフアングル約
９.7度のシリコン基板を用いる必要がある。しかしなが
ら、オフアングル角は、光検出素子や電子回路形成のた
めの半導体プロセスの適合性も考慮して決める必要があ
り、半導体ミラー５が４５度からずれる場合があり、レ
ーザビーム６ａ、６ｂ、６ｃの出射方向が半導体基板１
の垂直方向からずれる場合がある。

【００１５】図４(a)は、反射ミラーとして、異方性エ
ッチングによる加工ではなく、反射プリズム５０を搭載
するものである。一般に、光ディスクの記録用半導体レ
ーザでは、再生専用型に比べて出力が高く、入力電力が
大きい。このため熱が発生し、これを放熱する構造を採
用する必要がある。通常、この種の半導体レーザのサブ
マウントには、シリコンカーバイトが使われる。本発明
の一実施例では、シリコンカーバイド基板５１の上に半
導体レーザ４a,4bを半田付けする。半導体レーザからの
ビームは、反射ミラープリズム５０で反射され、図３で
説明したと同じ光路を経て信号再生される。光検知器群
７，８を形成したシリコン基板５２、５３はシリコンカ
ーバイト基板５１に半田付けされる。このとき、半田バ
ンプ群５４によるセルフアライメント方式を使って半導
体レーザの発光点との相対位置合わせを高精度に行うこ
とができる。図４（b）は図４(a)のAA断面図である。図
４(c)は図４(a)の立面図である。

【００１６】図５は本発明による半導体レーザの発光点
位置を示すものである。すなわち、CD、CD-R、CD-Rewri
table光ディスクの波長λaに対応する発振波長を持つ半
導体レーザ部分とDVD、DVD-RAM光ディスクの波長λｂに
対応する発振波長をもつ半導体レーザ部分をGaAs基板上
にモノリシックに形成する４a。そして、該二つの発光
点５a,5bを通常、半導体レーザの中央にある発光点位置
５１a,５１bと異なり、中央より左右非対称の位置に形
成する。一方、波長400nm近辺の青紫色の発振波長を持
つGaN基板の半導体レーザ４ｂの発光点５ｃを通常の発
光位置５１ｃではなく、隣接する２波長モノリシック半
導体レーザ側に寄せて形成する。そして、両者の発光点
位置が近づく方向に２種の半導体レーザを実装する。こ
うすれば、図１で示した単路光学系において、３つの発
光点がつくる画角を小さく取ることが可能となり、光デ
ィスク上でのスポット１５a、１５ｂ、１６を低い収差
で形成することができる。

【００１７】図６(a),(b)は半導体基板１の収納パッケ
ージである。すなわち、導通ピン２０１のついたパッケ
ージ基板２００、および、シリコン基板２０２からな
る。図６(b)は、図６(a)におけるA-A断面図であり、キ
ャップ２０３、パッケージの封止ウインド２０４からな
っている。パッケージのウインド２０４は、図１におけ
る複合素子１２を兼ねることができる。

【００１８】図７(a),(b),(c)は、半導体基板１を収納
したパッケージの別の例である。すなわち、図７（a）
はパッケージの構造を示し、（ｂ）は破線ＡＡ‘におけ
る断面図、（ｃ）は破線ＢＢ‘における断面図である。
４２はリード線で半導体基板１のパット３４とボンディ
ングワイヤーで接続される。半導体基板１を取付ける台
座４３面は、レーザビーム６ａや６ｂの出射方向が垂直
方向となるように傾けてある。４４は半導体基板１を密
閉するための硝子カバーで、硝子カバー４４の内側には
レーザビーム６ａや６ｂの外周部分を反射するための反
射面４５が設けてある。反射面４５による反射ビームを
半導体基板１の光検出素子９で受光し、半導体レーザチ
ップ４ａと４ｂの発光光量を監視するための信号を得
る。

【００１９】次に、複数の半導体レーザをシリコン半導
体基板に高い精度で搭載する方法について、図８、９、
１０、および、図１１を用いて説明する。すなわち、
図８は本発明によるインデクスパターン４００をシリコ
ン基板1に付けたものである。４０１はソルダーパター
ンであり、この上に半導体レーザを半田接着する。ソル
ダパターン４０１には、電極パターン４０２が繋げて形
成される。

【００２０】一方、図９は対応する半導体レーザ４a、
４ｂの裏面に形成したソルダパターン５０１、および、
位置合わせ用のインデクスパターン５０２である。図１
０は基板１上のインデクスパターン４００と半導体レー
ザ4a,4bの裏面上のインデクスパターン５０２を位置合
わせする方法を説明するものである。すなわち、基板
１、及び、半導体レーザ4a,4bを赤外線６００で表面、
あるいは、裏面から照明し、反射光、あるいは、透過光
を顕微鏡６０１で受け、インデクスパターンを拡大して
ビデオモニタ６０２に映し出す。そして、コンピュータ
６０３により各々のインデクスパターン４００、５０２
のセンター位置を算出し、二つのセンターの位置ずれが
一定の値になるまで、基板１、あるいは、半導体レーザ
4a、あるいは4bを微動する。位置合わせが完了した時点
でタクトボンドし、ソルダーリフロー炉にかけて半田接
着を終了する。

【００２１】図１１は、半導体レーザ4a,4bをミラー付
基板１に半田実装した場合の断面図で、図3(a)のＡ−Ａ
‘に対応する。半導体レーザの裏面に電極5０1、位置合
わせ用のインデクスパターン５０２、が形成されてお
り、電極4０2、ソルダ4０1が形成された基板1上に半田
付けされる。半導体レーザと基板の位置合わせはインデ
クスパターン５０２と400の間で行われる。半導体レー
ザ4a,4bからのビームは発光点７０４を発してミラー5で
反射され、ビームスプリッタ、対物レンズ、そして、光
ディスクに至る。発光点７０４からのビームが基板の底
面で蹴られないように、基板１には台座７０５が形成さ
れている。

【００２２】図１２は本発明による集積モジュールの他
の実施例である。すなわち、シリコン、あるいはGaN基
板1に光検知器３2 a、３２ｂ、３２ｃからの光電流を増
幅するアンプ９００をモノリシックに形成するものであ
る。かくして、部品点数削減による集積度の向上をはか
ることが可能となる。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数個の半導体レーザを搭載する光ヘッドを小型、集積
化することが可能となり、CD、ＤＶＤ，青紫レーザ対応
光ディスクなど再生、記録を問わず光ディスク装置全体
の小型、薄型化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による集積光源モジュールを搭載した単
一光路の光ヘッド。

【図２】ビーム分割用複合素子。

【図３】本発明による集積光源の構造図。

【図４】プリズムミラーを配置した集積光源。

【図５】半導体レーザの発光点位置を示す図。

【図６】集積光源のパッケージ形態。

【図７】本発明による集積光源を横形のフラットパッケ
ージに搭載した図。

【図８】本発明による集積光源の集積基板と位置合わせ
インデクス、半田パターン、電極を示す図。

【図９】半導体レーザに付けた位置合わせ用のインデク
スパターン。

【図１０】インデクス付の半導体レーザ光源と、対応す
るインデクスパターンの付いた集積基板を位置合わせす
る方法を示す。

【図１１】図３(a)のＡ−Ａ‘断面図。

【図１２】本発明による集積基板にアンプ、光検知器な
どOEIC(Optoelectric IntegratedCircuit)をモノリシッ
クに集積化した場合の図。

【符号の説明】

１：半導体基板、２：半導体レーザ取りつけ面、４a：
２波長モノリシック半導体レーザチップ,4b：１波長半
導体レーザチップ、５：反射ミラー、6a,6b、６ｃ：半
導体レーザからのビーム、７：光検知器、８：光検知
器、９：光モニター検知器、１０：コリメータレンズ、
１１：立ち上げミラー、１２：回折格子と波長板の複合
素子、１３対物レンズ、１４：光ディスク、１５a、１
５b、１６：光スポット、１７：アクチュエータ、１
８：トラック。２１：境界線、２２：回折格子、２３：
回折格子、２４：４分の１波長板。３１a,31b、３１
ｃ：ミラー上のスポット、32a,32b、32c：自動焦点検出
光スポット、33：配線、３４：電極パット、３５：アン
プ。5a,5b,5c:本発明による半導体レーザの発光点、51
a,51b,51c；通常の半導体レーザの発光点位置、２０
０：パッケージ台、２０１：導通ピン、２０３：キャッ
プ、２０４：ウインド。４１：ケース、４２：リードフ
レーム、４３：台、４４：ウインド、４５：反射膜。４
００：インデクスマーク、４０１：ソルダーパターン、
４０２：電極パターン。５０１：半導体レーザの電極パ
ターン、５０２：半導体レーザのインデクスマーク。６
００：赤外線、６０１：赤外線カメラ、６０２：モニタ
ー、６０３：コンピュータ。７０４：半導体レーザの発
光点、７０５：台。９００：アンプ付きのOEIC基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｓ 5/022 5/026 5/026 (72)発明者島野健東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者中村滋茨城県ひたちなか市稲田1410番地株式会社日立製作所デジタルメディア製品事業部内 (72)発明者有川康之茨城県ひたちなか市稲田1410番地株式会社日立製作所デジタルメディア製品事業部内Ｆターム(参考） 5D119 AA02 AA41 BA01 CA10 EC45 EC47 FA05 FA08 JA57 LB04 MA09 NA05 5F073 AB06 AB27 AB29 CA01 EA04 FA13 FA23 FA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】波長780nm、650nmの異なる２個の発光部を
持つモノリシックなGaAs半導体レーザと、波長410nmのG
aN半導体レーザを、対応する波長に感度を持つ自動焦点
検出、および、トラッキング検出用光検知器をモノリシ
ックに形成した半導体基板からなる集積モジュールを搭
載した光ヘッドにより、光ディスクを記録再生する装置
において、該２種の半導体レーザの発光点を、前記GaAs
半導体レーザと前記GaN半導体レーザとの中央に対して
左右非対称位置に形成し、該複数の発光点を該光ヘッド
光学系の画角が許容する範囲内にはいるように互いに近
づけて配列したことを特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項２】請求項１記載の集積光ヘッド装置におい
て、該複数の半導体レーザ、および、該半導体基板のい
ずれか、または両方に位置合わせ用のマークを付けたこ
とを特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項３】請求項１記載の集積光ヘッド装置におい
て、該半導体基板に斜めミラーをエッチング加工し、か
つ、該複数の半導体レーザ、および、該半導体基板のい
ずれか、または両方に位置合わせ用のマークを付けたこ
とを特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項４】請求項１記載の集積光ヘッド装置におい
て、該光検知器からの光電流を増幅するアンプを該半導
体基板にモノリシックに形成し、かつ、斜めミラーを加
工した該半導体基板、及び、該半導体レーザのいずれ
か、または、両方に位置合わせ用のマークを付けたこと
を特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項５】請求項１記載の集積光ヘッド装置におい
て、該光検知器、光電流増幅器をモノリシックに形成
し、かつ、斜めミラーを加工した該半導体基板と、該半
導体レーザとにつける位置合わせ用のマークを、該半導
体レーザと、該基板が接する面に付け、赤外の透過光、
あるいは反射光で画像処理による位置合わせをするたこ
とを特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項６】請求項２記載の集積光ヘッド装置におい
て、位置合わせ用のマークを付け、かつ、光検知器をモ
ノリシックに形成した基板に位置合わせ用のマークを付
け、かつ、４５°の傾斜を持つプリズムミラーをシリコ
ンカーバイトの放熱基板上にハイブリッド集積したこと
を特徴とする集積光ヘッド装置。
【請求項７】前記GaAs半導体レーザの発光点は、GaAsレ
ーザーチップの中央よりも端に寄せて形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の集積光ヘッド装置。
【請求項８】前記ＧａＮ半導体レーザの発光点は、Ｇａ
Ｎレーザーチップの中央よりも端に寄せて形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の集積光ヘッド装置。
【請求項９】請求項１記載の集積光ヘッド装置におい
て、該光検知器からの光電流を増幅するアンプを該半導
体基板にハイブリッドに搭載し、かつ、斜めミラーを加
工した該半導体基板、及び、該半導体レーザのいずれ
か、または、両方に位置合わせ用のマークを付けたこと
を特徴とする集積光ヘッド装置。