JPH11242828A

JPH11242828A - 光学装置および光学ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH11242828A
Application number: JP10104946A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Nemoto; 和彦根本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-25
Filing date: 1998-04-15
Publication date: 1999-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】簡潔な構成で、トラッキングエラー信号等の
各種信号の導出を行うことができるようにする。【解決手段】レーザ光の光路上に複屈折光学素子４１
が配されてこのレーザ光の２ビーム化を行う光学系４２
を有する光学装置と、これを用いた光学ピックアップ装
置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置および光
学ピックアップ装置に関わる。

【０００２】

【従来の技術】ＲＯＭ(Read Only Memory)型の光学ディ
スク例えばＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc−ROM)、あるい
は書き換え可能いわゆるＲＷ（Rewritable) 型の例えば
相変化型光学ディスク等の光学記録媒体に対する記録、
再生のいづれか、もしくはその双方がなされる光学ピッ
クアップ装置として、そのレーザ光の出射部と、光学記
録媒体からの戻り光を検出する光検出部とをハイブリッ
ド集積化した光学装置いわゆるレーザカプラを用いてそ
の小型化と、量産化を図ることがなされている。

【０００３】図１２は、このレーザカプラ型の光学装置
１２を用いたピックアップ装置の一例の概略構成図を示
す。この場合、光学装置１２から出射させた１本すなわ
ち１ビームレーザ光Ｌは、対物レンズ１０によって光学
記録媒体Ｍに集束させ、これよりの戻り光、すなわち反
射光を、再び光学装置１２に導入するようになされる。

【０００４】この光学装置１２は、図１３にその断面図
を示し、図１４Ａにその斜視図を示すうに、光検出素子
１３を表面に有し、半導体集積回路が形成された例えば
Ｓｉ基体による半導体基体１４上に、半導体レーザＬＤ
が配置され、この半導体レーザＬＤの後方出射光を検出
するモニター用の例えばｐｉｎ型のフォトダイオードＰ
Ｄ_Mが形成された例えばＳｉチップによる半導体チップ
１５が載置されて成る。また、半導体基体１４の光検出
素子１３の配置部上にマイクロプリズム１６が載置され
る。

【０００５】マイクロプリズム１６下の光検出素子１３
は、図１４Ｂに、その平面的パターン図を示すように、
例えば２つの４分割フォトダイオードＰＤ₁〔ＰＤ_a〜
ＰＤ_d〕およびＰＤ₂〔ＰＤ_i〜ＰＤ_l〕を有して成
る。

【０００６】半導体レーザＬＤ、半導体チップ１５、マ
イクロプリズム１６等が配置された半導体基体１４は、
窓部が開口されたパッケージ１７内に配置され、その窓
部は透明のカバーガラス等のレーザ光Ｌを透過する透明
カバー１８によって封止されている。

【０００７】この集積化されたカプラ型の光学装置によ
れば、各部品が独立に構成された、いわゆるハイブリッ
ド構成による光学装置に比して、小型密実に構成され、
また、いわゆる半導体製造技術によって量産化が可能で
あり、高精度に構成できることなどの利点を有する。

【０００８】この光学装置１２を用いたピックアップ装
置１１においては、半導体レーザ素子ＬＤからの出射光
Ｌがマイクロプリズム１６に形成された例えば４５°の
ハーフミラー斜面で反射されて、パッケージ１７の透明
カバー１８を通じて、光学記録媒体Ｍ、例えば光ディス
クに照射され、これよりの戻り光が、マイクロプリズム
１６の前記ハーフミラー斜面を通じてマイクロプリズム
１６内に入射される。このマイクロプリズム１６内に入
射された戻りレーザ光は、前段の４分割フォトダイオー
ドＰＤ₁〔ＰＤ_a〜ＰＤ_d）に一部受光されると共に、
一部反射されてマイクロプリズム１６の上面に形成され
た反射面で反射され、後段の４分割フォトダイオードＰ
Ｄ₂〔ＰＤ_i〜ＰＤ_l〕に受光される。図１４Ｂにおい
て、ＳＰ₁およびＳＰ₂は、前段および後段のフォトダ
イオードＰＤ₁およびＰＤ₂に対する戻り光のスポット
を示す。

【０００９】このようにして、戻り光の検出がなされる
４分割フォトダイオードＰＤ₁〔ＰＤ_a〜ＰＤ_d〕、Ｐ
Ｄ₂〔ＰＤ_i〜ＰＤ_l〕の各検出信号を演算することに
よって光学記録媒体の記録情報信号すなわちＲＦ（高周
波）信号や、フォーカシングエラー信号や、トラッキン
グエラー信号等の検出を行うことができる。

【００１０】いま、各ダイオードＰＤ₁〔ＰＤ_a〜ＰＤ
_d〕、ＰＤ₂〔ＰＤ_i〜ＰＤ_l〕の各検出信号を、便宜
的に信号ＰＤ_a〜ＰＤ_lで表わすと、ＲＦ信号は、ＲＦ＝（ＰＤ_a＋ＰＤ_b＋ＰＤ_c＋ＰＤ_d＋ＰＤ_i＋Ｐ
Ｄ_j＋ＰＤ_k＋ＰＤ_l）によって得ることができる。また、フォーカシングエラ
ー信号ＦＥは、ＦＥ＝〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_d）−（ＰＤ_b＋ＰＤ_C）〕−
〔（ＰＤ_i＋ＰＤ_l）−（ＰＤ_j＋ＰＤ_k）〕によって得ることができる。そして、トラッキングエラ
ー信号を得る方法としては、例えばプッシュプル法によ
る。すなわち、この場合、トラッキングエラー信号ＴＥ
は、ＴＥ＝〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_b）−（ＰＤ_c＋ＰＤ_d）〕＋
〔（ＰＤ_k＋ＰＤ_l）−（ＰＤ_i＋ＰＤ_j）〕によって得る。このようにして得たフォーカシングエラ
ー信号およびトラッキングエラー信号によって、ピック
アップ装置におけるフォーカシングサーボおよびトラッ
キングサーボがなされて光学記録媒体に対するレーザ光
の照射が、良好にフォーカシングされ、かつ所定のトラ
ック上を走査することができるようになされている。

【００１１】ところが、このような、１ビーム型のピッ
クアップ装置において、上述したプッシュプル法によっ
てトラッキングエラー信号を導出する場合、良く知られ
ているように、例えば対物レンズの移動等に伴う光軸の
ずれや傾き、光学記録媒体の傾きいわゆるディスクスキ
ュー（ラジアル方向）等によってトラッキングエラー信
号に大きなオフセットを生じる。そこで、この種のピッ
クアップ装置においては、このオフセットを電気回路に
よる補正によって、キャンセルさせるという方法が採ら
れる。このような電気回路による補正は、対象とする光
学記録媒体Ｍが、ＣＤ−ＲＯＭ等である場合には、問題
がないが、反射率の小さいＣＤ−ＲＷ等では、信号強度
の違いから、ゲインを切り換えたり、信号強度の適応範
囲を広くする等の改良が必要となる。

【００１２】このような不都合を回避するピックアップ
装置、すなわち光学装置としては、いわゆる３ビーム型
のものがある。図１５は、この３ビーム型構成によるピ
ックアップ装置の概略構成図を示すもので、図１６にそ
の概略構成の斜視図を示す。このピックアップ装置は、
各光学素子が、それぞれ独別に構成されて組み立てられ
たいわゆるディスクリート型構成とされている。

【００１３】このピックアップ装置２１は、それぞれ独
別に構成した半導体レーザＬＤ、グレーティング２２、
ビームスプリッタ２３、対物レンズ５、光検出素子１３
を有して成る。そして、半導体レーザＬＤからのレーザ
光Ｌ_Fが、グレーティング２２によって、図１６で模式
的に示すように、０次光と±１次光とによる３本のビー
ムＢ₀、Ｂ₁およびＢ₂ を得るようになされ、ビームス
プリッタ２３によって、図１５に示した対物レンズ１０
に向かわしめられ、それぞれ光学記録媒体Ｍ上にフォー
カシングするようになされる。そして、この光学記録媒
体Ｍで反射された各戻り光が対物レンズ５、ビームスプ
リッタ２３を通じて、往路と分離されて光検出素子１３
に入射するようになされている。

【００１４】そして、この光検出素子１３による戻り光
の検出を行い、その検出信号の演算によって、光学記録
媒体Ｍ上の記録情報信号すなわちＲＦ信号の導出、フォ
ーカシングエラー信号、およびトラッキングエラー信号
の導出等を行う。

【００１５】この３ビーム法によると、レンズシフトや
ディスクスキュー（ラジアル方向）によるトラッキング
エラー信号ＴＥのオフセットがほとんど生じないか、ま
たは簡単にキャンセルできるという特徴がある。

【００１６】この各信号の取出しは、いわゆるノーマル
３ビーム法と、差動プッシュプル法いわゆるＤＰＰ(Dif
ferential Push-Pull)法によることができる。

【００１７】ノーマル３ビーム法は、図１７Ａに、その
光検出素子１３のパターン図を示し、図１８Ａに、光学
記録媒体上におけるスポットと光検出素子上におけるス
ポットとの関係を示すように、前述の２つの１次回折光
である副ビームスポットＳ₁，Ｓ₂が、０次回折光であ
る主ビームスポットＳ₀を中心に、光学記録媒体Ｍ、例
えば光学ディスクの例えばそれぞれ記録ピット６１が配
列されたトラックＴのトラックピッチの約１／４分だけ
トラック幅方向に互いに反対側にずらした配置関係に選
定するものであり、一方、この場合の光検出素子１３
は、図１７Ａに示すように、主ビームスポットＳ₀の戻
り光を受光する田の字型の４分割フォトダイオードＰＤ
₀〔ＰＤ_a，ＰＤ_b，ＰＤ_c，ＰＤ_d〕と、その両側の
２つの副ビームスポットＳ₁，Ｓ₂の戻り光をそれぞれ
受光するフォトダイオードＰＤ₁およびＰＤ₂ とから構
成される。この場合においても、各フォトダイオードＰ
Ｄ₀〔ＰＤ_a，ＰＤ_b，ＰＤ_c，ＰＤ_d〕、ＰＤ₁およ
びＰＤ₂ からの各検出信号を、便宜的にそれぞれＰＤ₀
〔ＰＤ_a，ＰＤ_b，ＰＤ_c，ＰＤ_d〕、ＰＤ₁およびＰ
Ｄ₂ とすると、トラックエラー信号ＴＥは、差動アンプ
から、ＴＥ＝（ＰＤ₁−ＰＤ₂ ）として得ることができる。この場合、レンズシフトやラ
ジアルスキューがあって、スポットが少し動いても副ビ
ームスポットＳ₁，Ｓ₂はフォトダイオードＰＤ₁，Ｐ
Ｄ₂に入っていればよいので、スポットずれによるオフ
セットは生じない。ＲＦ信号は、主ビームスポットＳ₀
を受光する４分割フォトダイオードＰＤ_a〜ＰＤ_dから
の検出信号の総和であるＲＦ＝（ＰＤ_a＋ＰＤ_b＋ＰＤ_c＋ＰＤ_d）によって得ることができる。また、フォーカスエラー信
号ＦＥは、４分割されたフォトダイオードＰＤ_a〜ＰＤ
_dからの検出信号において、その対角和の差信号であるＦＥ＝〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_c）−（ＰＤ_b＋ＰＤ_d）〕：
非点収差法で得られる。

【００１８】しかしながら、このノーマル３ビーム法で
は、書き込み用光学記録媒体においては、トラッキング
エラー信号ＴＥにオフセットが生じてしまう場合があ
る。

【００１９】これに対し、ＤＰＰ法によるときは、この
オフセットを回避することができる。このＤＰＰ法は、
図１７Ｂに、その光検出素子１３のパターン図を示し、
図１８Ｂに、光学記録媒体上におけるスポットＳ₀，Ｓ
₁，Ｓ₂と光検出素子上におけるスポットとの関係を示
すように、ノーマル３ビーム法におけるフォトダイオー
ドＰＤ₁とＰＤ₂ とを、それぞれＰＤ_eおよびＰＤ_f、
ＰＤ_gおよびＰＤ_hによる２分割構成とする。そして、
この場合は、２つの１次回折光である副ビームスポット
Ｓ₁，Ｓ₂が、０次回折光である主ビームスポットＳ₀
を中心に、トラックＴのピッチの１／２分互いに反対側
にずれた位置関係に選定する。この構成において、主ビ
ームスポットＳ₀の戻り光と、副ビームスポットＳ₁，
Ｓ₂の戻り光でプッシュプル信号ＴＥ_main，ＴＥ
_{side1 ,}ＴＥ_side2を検出し、トラッキングエラー信号
ＴＥを、ＴＥ＝ＴＥ_main−Ｋ×（ＴＥ_side1＋ＴＥ_side2）によって導出する（ここで、Ｋ：定数）。

【００２０】すなわち、トラッキングエラー信号ＴＥ
は、ＴＥ＝〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_d）−（ＰＤ_b＋Ｐ
Ｄ_c）〕−Ｋ〔（ＰＤ_e−ＰＤ_f）＋（ＰＤ_g−Ｐ
Ｄ_h）〕によって得られる。ＲＦ信号およびフォーカス
エラー信号ＦＥは、上述のノーマル３ビーム法と同様の
演算によって得ることができる。

【００２１】このＤＰＰ法では、フォトダイオードＰＤ
₁およびＰＤ₂ を２分割にし、かつトラックピッチの１
／２のずれているので主ビームスポットＳ₀と副ビーム
スポットＳ₁，Ｓ₂のプッシュプルが逆相になってトラ
ッキングエラー信号のオフセットがキャンセルすること
ができ、また、トラッキングエラー信号ＴＥの強度を２
倍にすることができる。

【００２２】このように、ＤＰＰ法によれば、例えば光
学記録媒体Ｍが、相変化ディスクや光磁気ディスク等の
書き込み用ディスクである場合においても、オフセット
がなく安定したトラッキングエラー信号ＴＥを得ること
ができるものある。

【００２３】上述した、３ビーム法による場合、電気的
補正を回避できることから、各種光学記録媒体に対する
ピックアップ装置に対応し易いという利点を有するもの
の、戻り光に関しては、グレーティングから分離する必
要があり、また、グレーティングと半導体レーザとの間
隔は、中心のスポットとサイドスポットとの間隔を、必
要充分に確保する必要があること、対物レンズの開口、
視野、倍率等の制約から、グレーティングと半導体レー
ザとの間隔を大きくする必要があって、小型化を阻害す
るなどの問題がある。

【００２４】したがって、このようなグレーティングを
有するピックアップ装置、したがって、光学装置を前述
したハイブリッド集積化したレーザカプラ構成にするこ
とが困難で、このため、その組み立てが煩雑となり、そ
の組み立てにおける精度を高める必要があるなど、量産
性を阻害し、また、大型化が余儀なくされる。

【００２５】一方、ホログラムを用いた３ビーム型の光
学装置の提案がなされている。図１９は、この光学装置
の一例の概略断面図で、この光学装置２４においては、
半導体レーザＬＤ、光検出素子１３を構成するフォトダ
イオードおよびレーザ出力のモニタ用フォトダイオード
ＰＤ_Mが収容されたパッケージ２５上に、グレーティン
グ２６と、これと所定の距離を保持してするようにホロ
グラム２７が形成された素子が載置されて成る。この構
成による場合、半導体レーザＬＤからの出射光Ｌ_Fが、
グレーティング２６によって３ビームに分離され、光学
記録媒体Ｍ（図示せず）からの戻り光をホログラム３７
によりグレーティング２６を回避して光検出素子１３に
向かうようになされている。

【００２６】しかしながら、この構成による場合、ホロ
グラム２７の存在等によって全体がして縦長になり、充
分な小型、扁平化を図ることができないという問題があ
る。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、簡潔な構成
によって、しかもトラッキングエラー信号の導出を確実
に行うことができるようにした光学装置とピックアップ
装置を提供する。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明による光学装置
は、レーザ光の光路上に複屈折を有する光学素子が配置
されてこのレーザ光の２ビーム化を行う光学系を具備す
る構成とする。

【００２９】また、本発明による光学装置は、レーザ光
の光路上に複屈折を有する光学素子と、波長板が配置さ
れて、その複屈折を有する光学素子に対する上記レーザ
光の往路および復路の双方に関して２ビーム化がなされ
るようにした光学系を具備する構成とする。

【００３０】本発明による光学ピックアップ装置は、半
導体レーザと、この半導体レーザからのレーザ光の光路
上に複屈折を有する光学素子が配置されてレーザ光の２
ビーム化を行う光学系と、対物レンズと、前記２ビーム
の戻り光を前記複屈折を有する光学素子から分離するビ
ームスプリッタと、光検出素子とを有する構成とする。

【００３１】また、本発明による光学ピックアップ装置
は、半導体レーザと、この半導体レーザからのレーザ光
の光路上に複屈折を有する光学素子と波長板とが配置さ
れて、前記光学素子に対するレーザ光の往路および復路
の双方において２ビーム化を行う光学系と、対物レンズ
と、光検出素子とを有する構成とする。

【００３２】上述した各本発明装置によれば、２ビーム
法によるものであり、この２ビーム化は、複屈折を有す
る光学素子すなわち複屈折を有する光学結晶によって行
うことからその構成は、極めて簡潔化される。

【００３３】また、複屈折を有する光学素子と波長板と
を組み合わせることによって、この複屈折を有する光学
素子に復路のレーザ光を透過させる構成としても、この
光学素子を透過して後のレーザ光についても２ビームを
保持することができることから、レーザ光の復路を、光
学素子から分離することを回避でき、光学装置、および
光学ピックアップ装置の小型、簡潔化を図ることがで
き、更にそのレーザ光を発生させる半導体レーザと、光
検出素子等を集積化することができ、小型化、量産化を
可能にするものである。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明による光学装置とピックア
ップ装置の実施の形態を説明する。本発明による光学装
置は、レーザ光の光路上に複屈折を有する光学素子が配
置されて前記レーザ光の２ビーム化を行う光学系を具備
する構成とする。あるいは、この構成において、その光
学系に、その複屈折を有する光学素子とともに、波長板
を配置して、複屈折を有する光学素子に対する上記レー
ザ光の往路および復路の双方に関して２ビーム化がなさ
れるようにした構成とする。

【００３５】そして、その複屈折を有する光学素子は、
これに対するレーザ光を出射する半導体レーザのパッケ
ージの窓部に、この窓部を閉塞する透明カバ−グラス等
の透明カバーに代えて配置することもできるし、この窓
部を閉塞する前記透明カバ−の前面もしくは後面に対向
ないしは重ねて光学的に例えば接合して配置することも
できる。

【００３６】また、上述したように光学系において、複
屈折を有する光学素子とともに、波長板を配置して、複
屈折を有する光学素子に対する上記レーザ光の往路およ
び復路の双方に関して２ビーム化がなされるようにした
構成とする場合においては、この光学系の戻り光を検出
する光検出素子が形成された半導体基体上に、半導体レ
ーザと、マイクロプリズムとが載置されて集積化された
構造体を構成し、この構造体を、パッケージ内に収容
し、このパッケージの窓部に、その複屈折を有する光学
素子と波長板とを有する光学系を、この窓部を閉塞する
透明カバ−グラス等の透明カバーに代えて配置すること
もできるし、この窓部を閉塞する前記透明カバ−の前面
もしくは後面に対向ないしは重ねて光学的に例えば接合
して配置することもできる。

【００３７】そして、本発明による光学ピックアップ装
置は、上述した各光学装置における構成を適用した構成
による。この本発明による光学ピックアップ装置として
は、半導体レーザと、この半導体レーザからのレーザ光
の光路上に複屈折を有する光学素子が配置されてレーザ
光の２ビーム化を行う光学系と、対物レンズと、２ビー
ムの戻り光を、複屈折を有する光学素子から分離するビ
ームスプリッタと、光検出素子とを有する構成とする。

【００３８】あるいは、複屈折を有する光学素子ととも
に、波長板を配置して、複屈折を有する光学素子に対す
る上記レーザ光の往路および復路の双方に関して２ビー
ム化がなされるようにした構成とする。すなわち、この
場合、半導体レーザと、この半導体レーザからのレーザ
光の光路上に複屈折を有する光学素子と波長板とが配置
されて、光学素子に対する前記レーザ光の往路および復
路の双方において２ビーム化を行う光学系と、対物レン
ズと、光検出素子とを有する構成とする。

【００３９】また、本発明による光学ピックアップ装置
は、光学系の戻り光を検出する光検出素子が形成された
半導体基体上に、レーザ光を出射する半導体レーザと、
マイクロプリズムとが載置されて集積化された構造体が
パッケージ内に収容され、このパッケージの窓部に、前
記複屈折を有する光学素子と前記波長板とを有する光学
系が配置された構成とする。この場合においても、この
パッケージの窓部に、その複屈折を有する光学素子と波
長板とを有する光学系を、この窓部を閉塞する透明カバ
−グラス等の透明カバーに代えて配置することもできる
し、この窓部を閉塞する前記透明カバ−の前面もしくは
後面に対向ないしは重ねて光学的に例えば接合して配置
することもできる。

【００４０】そして、上述した各光学ピックアップ装置
において、各光検出素子によって、２ビームの戻り光を
検出して差動プッシュプル法でトラッキング誤差信号を
得るようにすることができる。

【００４１】次に、本発明による光学装置と光学ピック
アップ装置の例を説明する。しかしながら、本発明によ
る光学装置と光学ピックアップ装置は、図示の例に限ら
れるものではない。

【００４２】図１は、本発明による光学装置４０を用い
た本発明による光学ピックアップ装置の一例の概略構成
図を示し、図２は、その光学装置の概略構成図を示す。
光学装置４０は、レーザ光を出射する半導体レーザＬ
Ｄを有し、これよりのレーザ光をマイクロプリズム１６
によって屈曲させてこの光学装置４０と光学記録媒体Ｍ
との間に配置された対物レンズ１０を通じて光学記録媒
体Ｍに照射するようになされている。また、この光学装
置４０においては、そのレーザ光の光路上に複屈折を有
する光学素子（以下複屈折光学素子という）４１と波長
板４２例えば１／４波長板もしくは１／２波長板が配置
された構成による、レーザ光の２ビーム化を行う光学系
４３を有する。

【００４３】次に、図３を参照して、本発明の基本的構
成を説明する。すなわち、本発明においては、レーザ光
Ｌの光路上に、複屈折光学素子４１例えばＫＴＰ(KTiOP
O₄）、水晶等のいわゆる正結晶、あるいはＬＮ（LiNb
O₃) 、方解石等のいわゆる負結晶による光学結晶板を配
置するものである。この場合、レーザ光Ｌは直線偏光に
よることから、この光学結晶の光学軸方向を選定するこ
とによって、この複屈折光学素子４１によって、これに
入射させたレーザ光Ｌを、いわゆる常光と異常光による
２つのレーザビームＬ₁およびＬ₂ として取り出すこと
ができる。

【００４４】いま、光学素子４１が、平行平板形状であ
るとすると、これに入射させるレーザ光Ｌの偏光方向
が、このレーザ光Ｌの光軸方向Ｏ−Ｏ’に直交する図３
中矢印５２で示す方向であるとすると、光学素子４１の
光学軸方向は、例えばレーザ光Ｌの光軸方向Ｏ−Ｏ’に
平行な面（イ，ロ，ハ，ニによる面）内で、かつレーザ
光Ｌの入射方向と４５°をなす方向に選定する。

【００４５】このようにすると、この光学素子４１が正
結晶すなわち常光屈折率ｎ₀と異常光屈折率ｎ_eとがｎ
₀＜ｎ_eの正結晶による光学結晶である場合は、光学結
晶の光学軸を５３の方向にとれば入射したレーザ光Ｌ
は、光軸Ｏ−Ｏ’上に直進する常光による第１の出射レ
ーザ光Ｌ₁と、屈折して導出された異常光による第２の
出射レーザ光Ｌ₂ の２ビームが導出される。そして、こ
の場合、各レーザ光Ｌ₁およびＬ₂ は、互いに平行で、
かつその偏光方向が図３中矢印５５と５６で示すよう
に、互いに９０°をなす。

【００４６】そして、複屈折光学素子４１が、負結晶す
なわちｎ₀＞ｎ_eの結晶による光学結晶である場合は、
光学結晶の光学軸を５４の方向にとれば、同様に第１の
レーザ光Ｌ₁が常光、第２のレーザ光Ｌ₂ が異常光とな
る。

【００４７】図４ＡおよびＢは、これら光学素子４１を
正結晶によって構成する場合と、負結晶によって構成す
る場合とを、対比して模式的に示したもので、第１およ
び第２のレーザＬ₁およびＬ₂ の分離幅ｄは、光学素子
４１すなわち複屈折性結晶板の結晶の種類と、板厚ｔで
設定できる。

【００４８】この複屈折性結晶板による光学素子４１
が、正結晶および負結晶である場合のそれぞれの例と、
板厚ｔと、常光および異常光の分離幅ｄの関係を表１お
よび表２に例示する。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表２】

【００５１】そして、この場合、図３で示した光学素子
４１への入射レーザ光Ｌの偏光方向５２と、光学素子４
１の例えば図３のイ−ロ−ハ−ニによる平面とのなす角
度によって、常光によるレーザ光Ｌ₁と異常光によるレ
ーザ光Ｌ₂ の強度が変化する。すなわち、図５Ａ，Ｂお
よびＣで模式的に示すように、４５°とした場合は、図
５Ａで示すように、常光と異常光との強度は、矢印５７
および５８で示すように、互いに等しく、４５°を超え
る角度とした場合は、図５Ｂで示すように、常光と異常
光との強度は、矢印５７および５８で示すように、常光
の強度が異常光の強度より大きくなる。また、４５°未
満の角度とするときは、図５Ｃに示すように、常光の強
度が異常光の強度より小さくなる。

【００５２】上述したように、複屈折光学素子４１にレ
ーザ光を通過させることによって１本の入射ビーム光を
２ビーム化することができる。しかしながら、この場
合、複屈折光学素子４１を通過して２ビームとされたレ
ーザ光が、光学記録媒体Ｍによって反射して光学素子４
１を通過すると、この復路のレーザ光は、再び１ビーム
化される。

【００５３】これに対し、複屈折を有する光学素子４１
に対向して、例えば１／４波長板４２を配置する場合、
図６に図４Ａに対応して模式的に示すと、偏光方向が方
向５２を有する半導体レーザＬＤから出射したレーザ光
Ｌが、複屈折光学素子４１によって図６の紙面と直交す
る方向の偏光方向５５を有する常光による第１のレーザ
光Ｌ₁と、紙面に沿う方向の偏光方向５６を有する異常
光による第２のレーザ光Ｌ₂ とに分離するとすると、波
長板４２を往復することによって、その各偏光方向が第
１のレーザ光Ｌ₁が紙面に沿う方向５５’となり、第２
のレーザ光Ｌ₂が紙面と直交する方向５６’の互いに直
交するものの、逆の関係となる。したがって、波長板４
２を往復したこれら第１および第２のレーザ光Ｌ₁およ
びＬ₂ が、再び複屈折光学素子４１を通過すると、この
復路に関しては、第２のレーザ光Ｌ₂ が直進し、第１の
レーザ光Ｌ₁が屈折する。この結果、複屈折光学素子４
１を往復した第１および第２のレーザ光Ｌ₁およびＬ₂
の間隔Ｄは、前記分離幅ｄの２倍となり、両者の間隔Ｄ
を充分大とすることができる。

【００５４】そして、複屈折性結晶板による複屈折光学
素子４１は、その板面方向、すなわち、光学軸の方向の
選定がなされて後は、必要なのはレーザ光軸に対する回
転調整のみであり、その他のいわゆるＸ，Ｙ，Ｚ方向の
調整は全く必要としないので、実際の光学装置４０への
組み込みにおいて、その位置設定が極めて容易となる。

【００５５】尚、波長板４２としては、１／４波長板に
限られるものではなく、１／２波長板によることもでき
る。

【００５６】上述したように、複屈折光学素子４１と波
長板４２とのペアによって、復路のレーザ光を互いに充
分距離を隔てた２本のレーザ光Ｌ₁およびＬ₂ に分離す
ることができるものであるが、更に、これら複屈折光学
素子４１と波長板４２とのペアを、入射レーザ光の光軸
を中心に回転させることによって、レーザ光Ｌ₁および
Ｌ₂ の相互の光強度を選定することができる。

【００５７】したがって、このように、２ビーム化した
レーザ光Ｌ₁およびＬ₂ は、その一方をメインビームと
し、他方をサブビームとし、光学記録媒体Ｍ上でそれぞ
れ図７Ａに示すように、メインスポットＳ_Mとサブスポ
ットＳ_Sとすることができる。そして、これらスポット
Ｓ_MおよびＳ_sは、図７Ａに示すように、例えば記録ピ
ット６１が配列さたトラック（図においては、３本のト
ラックについて、その各一部を示している）上におい
て、１／２トラック（トラックピッチの１／２）ずれる
位置に照射するように設定する。

【００５８】一方、光検出素子として、例えば図７Ｂに
示すように、第１および第２の、それぞれ２分割構成に
よるフォトダイオードＰＤ₁₁およびＰＤ₁₂に対して、光
学記録媒体Ｍからの各メインスポットＳ_Mとサブスポッ
トＳ_Sの戻り光を照射するようにすれば、ＤＰＰ法によ
ってトラッキングエラー信号ＴＥを検出することができ
る。すなわち、今、フォトダイオードＰＤ₁₁およびＰＤ
₁₂の各２分割ダイオードＰＤ_11a、ＰＤ_11b、Ｐ
Ｄ_12a、ＰＤ_12bの各検出出力を、便宜上それぞれＰＤ
_11a、ＰＤ_11b、ＰＤ_12a、ＰＤ_12bとするとき、トラ
ッキングエラー信号ＴＥは、次の演算で得ることができ
る。ＴＥ＝（ＰＤ_11a−ＰＤ_11b）−Ｋ（ＰＤ_12a−ＰＤ
_12b）ここで、Ｋは定数。

【００５９】図１および図２に示す例においては、光学
装置４０が、図７で説明した、複屈折光学素子４１と、
波長板４２とを有する光学系４３による場合で、この場
合、光学装置を、ハイブリッド光集積回路構造とするこ
とができる。すなわち、この本発明装置においても、光
検出素子１３を表面に有し、半導体集積回路が形成され
た例えばＳｉ基板による半導体基体１４上に、半導体レ
ーザＬＤが配置され、この半導体レーザＬＤの後方出射
光Ｌ_Bを検出し、半導体レーザＬＤの出力制御を行うた
めのモニター用の例えばｐｉｎ型のフォトダイオードＰ
Ｄ_Mが形成された例えばＳｉによる半導体チップ１５が
載置される。また、半導体基体１４の光検出素子１３の
配置部上にマイクロプリズム１６が載置された構造体８
１を構成する。

【００６０】このように、構造体８１、すなわちハイブ
リッド光集積回路化された半導体基体１４は、パッケー
ジ１７に収容される。このパッケージ１７には、マイク
ロプリズム１６のハーミラー構成とされた斜面１６ａ上
に窓部を有し、この窓部には、これを気密的に封止する
透明カバーガラス等の、半導体レーザＬＤのレーザ光を
透過する透明カバー１８が配置される。そして、この透
明カバー１８の外面もしくは内面に、前述の光学結晶板
よりなる複屈折光学素子４１と波長板４２とが光学的に
貼り合わせられ成る光学系４３が光学的に接合される。
図示の例では、透明カバー１８に、光学系の配置がなさ
れた場合であるが、透明カバー１８に代えて、すなわち
この透明カバー１８を兼ねて光学素子４１と波長板４２
とを有する光学系４３を配置することもできる。

【００６１】図１および図２の構成による光学装置およ
びピックアップ装置は、半導体レーザＬＤから出射され
たレーザ光Ｌが、マイクロプリズム１６のハーフミラー
構成による斜面１６ａで反射して光学系４３を通じて対
物レンズ１０によって光学記録媒体Ｍ、例えばＣＤによ
る光学ディスクに照射され、これからの反射光が再び、
対物レンズ１０および光学系４３を通じてマイクロプリ
ズム１６の斜面に入射する。このとき、光学系４３、す
なわち複屈折光学素子４１および波長板４２を往復通過
することから、図６で説明したように、半導体レーザＬ
Ｄから出射された１本のレーザ光Ｌは、２本の、しかも
充分大きい間隔をもって分離されたレーザ光Ｌ₁および
Ｌ₂ として、マイクロプリズム１６の斜面１６ａに戻
る。

【００６２】このマイクロプリズム１６の、ハーフミラ
ー構成による斜面１６ａに入射した戻りレーザ光Ｌ₁お
よびＬ₂ は、それぞれその一部が、マイクロプリズム１
６内に入り、光検出素子１３に照射する。この場合にお
いても、光検出素子１３は、所要の配置による複数の例
えばフォトダイオードによって構成され、各フォトダイ
オードに、マイクロプリズム１６の上面に反射膜等が被
着されることによって形成された反射面で反射して効率
よく対応する各フォトダイオードに入射するようになさ
れる。

【００６３】尚、図２においては、レーザ光路を模式的
に示したもので、往路の光軸Ｌ、戻り光の光軸Ｌ，Ｌ₂
は同一紙面内にはない。

【００６４】光検出素子１３は、図８に示すように、４
分割フォトダイオードと２分割フォトダイオードの組が
２組設けた構成とすることができる。すなわち、この場
合、第１の４分割フォトダイオードＰＤ₃₁〔ＰＤ_a，Ｐ
Ｄ_b，ＰＤ_c，ＰＤ_d〕と第１の２分割フォトダイオー
ドＰＤ₄₁〔ＰＤ_e，ＰＤ_F〕の組と、第２の４分割フォ
トダイオードＰＤ₃₂〔ＰＤ_i，ＰＤ_j，ＰＤ_k，Ｐ
Ｄ_l〕と第２の２分割フォトダイオードＰＤ₄₂〔Ｐ
Ｄ_m，ＰＤ_n〕の組とが設けられる。

【００６５】第１の４分割フォトダイオードＰＤ₃₁、第
１の２分割フォトダイオードＰＤ₄₁、第２の４分割フォ
トダイオードＰＤ₃₂および第２の２分割フォトダイオー
ドＰＤ₄₂は、図示の例では、順次ジグザグ状に配列され
る。

【００６６】このとき、前述したように、２本のビーム
による２つのメインスポットＳ_MおよびサブスポットＳ
_Sは、光学記録媒体Ｍ上で１／２トラックずれて照射す
るようになされ、これよりの各戻り光によるスポット
（図８においてもＳ_MおよびＳ_Sとして示す）が、マイ
クロプリズム１６によって、各フォトダイオードＰ
Ｄ₃₁、ＰＤ₄₁、ＰＤ₃₂、ＰＤ₄₂上に入射するようになさ
れる。そして、これら各フォトダイオードＰＤ₃₁、ＰＤ
₄₁、ＰＤ₃₂、ＰＤ₄₂の各分割フォトダイオードＰＤ_a〜
ＰＤ_nからの検出出力を、便宜上それぞれＰＤ_a〜ＰＤ
_nで表すと、トラッキングエラー信号ＴＥは、ＴＥ＝｛〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_b）−（ＰＤ_c＋ＰＤ_d）〕
＋〔（ＰＤ_k＋ＰＤ_l）−（ＰＤ_i＋ＰＤ_j）〕｝−α
〔（ＰＤ_e−ＰＤ_f）＋（ＰＤ_n−ＰＤ_m）〕 α：定数、で得られる。

【００６７】また、ＲＦ信号は、ＲＦ＝ＰＤ_a＋ＰＤ_b＋ＰＤ_c＋ＰＤ_d＋ＰＤ_i＋ＰＤ
_j＋ＰＤ_k＋ＰＤ_ｌで得られる。

【００６８】更に、フォーカスエラー信号ＦＥは、ＦＥ＝〔（ＰＤ_ａ＋ＰＤ_d）−（ＰＤ_b＋ＰＤ_c）〕
−〔（ＰＤ_i＋ＰＤ_l）−（ＰＤ_j＋ＰＤ_k）〕で得られる。

【００６９】尚、トラッキングエラー信号ＴＥとして
は、前段の第１の４分割フォトダイオードＰＤ₃₁〔ＰＤ
_a〜ＰＤ_d〕と第１の２分割フォトダイオードＰＤ
₄₁〔ＰＤ_e，ＰＤ_f〕のみで得ることもできる。即ち、ＴＥ＝〔（ＰＤ_a＋ＰＤ_b）−（ＰＤ_c＋ＰＤ_d）〕−
β（ＰＤ_e−ＰＤ_f） β：定数、で得られる。同様に後段のみでも可能であ
る。

【００７０】すなわち、２ビーム法でＤＰＰ法によるト
ラッキングエラー信号の検出を行なうことができること
から、オフセットがなく、安定なトラッキングエラー信
号が得られる。

【００７１】図１および図２で示した例では、光学装置
４０を、光集積回路構成とした場合で、この場合、その
製造を量産的に行うことができる。これについて図９お
よび図１０を参照して説明する。この場合、図９Ａに示
すように、半導体ウエハ７１が用意され、これに多数組
の光検出素子すなわち所要のパターンのフォトダイオー
ドと半導体集積回路を、縦横にさいの目状に配列した各
領域７２に、それぞれ周知の半導体装置の製造技術によ
って形成する。一方、図９Ｂに示すように、マイクロプ
リズム１６と、モニター用のフォトダイオードＰＤ_Mが
形成され、半導体レーザＬＤが載置された半導体チップ
１５を用意し、図９Ｃに示すように、各領域７２に対
し、それぞれ光検出素子上にマイクロプリズム１６をマ
ウントし、これに対向する位置に、半導体チップ１５を
マウントする。次に、図９Ｄに示すように、半導体ウエ
ハ７１を各領域毎に分断し、構造体８１、すなわちマイ
クロプリズム１６、半導体レーザＬＤを有する半導体チ
ップ１５が載置された半導体基体１４を多数形成する。

【００７２】一方、図１０Ａに示すように、多数のパッ
ケージ１７の構成部が、縦横に配列されたパッケージ基
板７４が用意される。そして、その各パッケージ１７の
構成部内に、図９Ｄの半導体基体１４を収容し、ワイヤ
ボンドを行い、各パッケージ１７に、例えば透明カバ
ー、あるいはこの透明カバーを施すことなく前述の光学
系４３を配置し、各パッケージ１７毎に切断する。この
ようにすると、図１０Ｂに示すように、パッケージ１７
に、半導体レーザ、プリズム、光検出素子等が集積化さ
れた光集積回路構成による本発明による光学装置４０が
複数個、同時に量産的に製造される。

【００７３】上述した例では、光学系４３が、複屈折光
学素子４１と波長板４２との組み合わせ構成として、復
路において、２ビームが得られるようにした場合で、こ
の場合、半導体レーザＬＤを含めて光集積回路構成とす
ることができ、この場合、装置の簡略化、製造の簡易
化、精度の向上等がはかられるが、必ずしも光集積回路
構成とする場合に限られるものではなく、ディスクリー
ト型構成とすることもできる。

【００７４】また、光学系４３を、波長板４２を設ける
ことのない構成とすることができる。図１１は、この場
合の一例の概略構成を示すもので、この場合半導体レー
ザＬＤに対向して複屈折光学素子４１を配置し、半導体
レーザＬＤからのレーザ光を、複屈折光学素子４１によ
って、図３、図４で説明した動作によって２ビーム化し
て、これらビームＬ₁およびＬ₂ をビームスプリッタ８
０によって、対物レンズ１０を通じて光学記録媒体Ｍに
照射し、これよりの戻り光を、ビームスプリッタによっ
て、複屈折光学素子４１への光路と分離し、その分離光
路上に配置した光検出素子１３に導入する。

【００７５】この場合においても、前述におけると同様
の光検出素子構成とするなどによって、同様にＤＰＰ法
によって、例えば図７で説明したと同様に、トラッキン
グエラー信号ＴＥを得ることができる。また、同様に信
号ＲＦ、ＦＥを得ることができる。

【００７６】そして、この構成においても、複屈折光学
素子４１によって２ビーム化したことから、この複屈折
光学素子４１と、半導体レーザＬＤとは近接して配置す
ることができることから、この複屈折光学素子４１は、
半導体レーザＬＤのパッケージの窓部の透明カバーに接
合することもできるし、透明カバーに代わって配置する
構成とすることもできる。したがって、この場合におい
ても、部品点数の低減化、組み立ての簡易化、小型化を
はかることができる。

【００７７】上述したように、本発明構成による光学装
置およびピックアップ装置においては、２ビーム構成と
したことによって、冒頭に述べた１ビームもしくは３ビ
ームにおける諸問題を解決することができる。また、Ｄ
ＰＰ法によってトラッキングエラー信号を得ることがで
きるようにしたことから、オフセットの改善が図られ、
これによって補正回路の省略もしくは簡略化をはから
れ、安定してトラッキングサーボを行うことができるも
のである。

【００７８】また、複屈折光学素子によって２ビーム化
を行うので、グレーティングによる場合におけるよう
に、グレーティングと、例えば半導体レーザとの間隔を
大きくする必要がないことから、全体として小型に構成
できるものであり、この複屈折光学素子をパッケージ自
体に組み込むなどの構成が可能となることから、構成の
簡潔化、製造の簡易化をはかることができる。

【００７９】また、グレーティングによらないことか
ら、取り付け位置が狭い範囲に限定されず、柔軟に対応
できる。例えば、平面内での直交する方向をＸＹとする
と、これらＸＹに関する調整を必要とせず組立てが容易
となる。したがって、上述したパッケージへの直接的な
貼り付けや、パッケージの窓部材とすることが容易とな
る。

【００８０】また、従来のグレーティングで３ビームに
分離した主ビームと副ビームの距離は、温度や波長変動
で変化するが、本発明による複屈折光学素子による２ビ
ームの分離はビーム間の変動が少ないという特徴があ
る。

【００８１】また、２つのビームの相互の強度は、入射
レーザ光の偏光方向や、複屈折光学素子の結晶の光学軸
の選定によって自由に選定することができるので、最適
な条件で各信号の検出を行うことができる。

【００８２】また、複屈折性結晶板４１と波長板４２の
ペアを用いた光学系では、例えば半導体レーザを用いた
場合、半導体レーザに戻り光が戻らない構成となるの
で、ノイズ特性上、低ノイズとなり、有利である。従っ
て、使用可能な半導体レーザの選択の自由度が広がる。

【００８３】尚、上述したように、本発明においては、
２ビーム化する構成とするので、これを、例えば２チャ
ネルの記録、再生のビームとして用いる態様をとること
もできる。

【００８４】

【発明の効果】上述したように、本発明による光学装置
およびピックアップ装置によれば、２ビーム化構造とし
てことによって、１ビームおよび３ビームによる場合の
不都合が回避され、また、これによってピックアップ装
置においては、ＤＰＰ法によるトラッキング誤差信号を
検出できることから、効果的にオフセットの改善が図ら
れる。

【００８５】また、本発明によれば、複屈折光学素子に
よって２ビーム化がなされるので、グレーティングやホ
ログラムを用いる場合の、配置関係の問題、構成の複雑
さが回避され、また、特に波長板との組み合わせによっ
て、光集積化が容易になされることから、より小型化、
量産性の向上、信頼性の向上が図られる。

【００８６】また、複屈折光学素子を用いることから、
前述したように、位置合わせが容易となり、設計の自由
度、組み立て精度の余裕が大となるなど多くの利点を有
する。

【００８７】複屈折光学素子、あるいは複屈折光学素子
と波長板のペアによって２ビーム化することから、２ビ
ーム間の分離幅の変動が小さくビームスポット位置が安
定する。したがって、ピックアップ装置において、再
生、記録および再生、トラッキングサーボ、フォーカシ
ングサーボを正確に行うことができる。また、複屈折光
学素子と波長板のペアを用いるときは、戻りの２ビーム
スポットの分離幅を充分大とするこができることから、
その光検出を正確に行うことができ、また光検出素子の
配置に裕度を持たすことができる。更に、往路と帰路の
光軸が一致しないことによって半導体レーザへの戻り光
を回避できる構成となるので、低ノイズ化が図られる。

【００８８】上述したように、本発明構成によれば、既
存の装置では得られない多くのかつ重要な利益をもたら
すものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるピックアップ装置の一例の概略構
成図である。

【図２】本発明による光学装置の一例の概略断面図で
る。

【図３】本発明の原理の説明図である。

【図４】ＡおよびＢは、複屈折光学素子の正結晶と負結
晶におけるレーザ光の分離状態を示す図である。

【図５】Ａ，ＢおよびＣは、それぞれ複屈折光学素子の
結晶方向と入射レーザ光の偏光方向との関係による常光
および異常光の強さとの関係を示す図である。

【図６】本発明の原理の説明図である。

【図７】Ａは、本発明装置における２ビームのスポット
の位置関係を示す模式的平面図である。Ｂは、本発明装
置の光検出素子を構成するフォトダイオードのパターン
図である。

【図８】本発明装置の光検出素子を構成するフォトダイ
オードのパターン図である。

【図９】Ａ〜Ｃは、本発明による光学装置の製造方法の
一例の各工程の斜視図である。

【図１０】ＡおよびＢは、本発明による光学装置の製造
方法の一例の各工程の斜視図である。

【図１１】本発明によるピックアップ装置の一例の構成
図である。

【図１２】従来のピックアップ装置の構成図である。

【図１３】従来のピックアップ装置の光学装置の概略断
面図である。

【図１４】Ａは、従来のピックアップ装置の光学装置の
概略斜視図である。Ｂは、同様の光学装置の光検出素子
を構成するフォトダイオードのパターン図である。

【図１５】従来のピックアップ装置の他の例の構成図で
ある。

【図１６】図１５に示すピックアップ装置の光路図であ
る。

【図１７】ＡおよびＢは、それぞれ従来のピックアップ
装置の光検出素子を構成するフォトダイオードのパター
ン図である。

【図１８】ＡおよびＢは、それぞれ従来のピックアップ
装置の光学記録媒体上のスポット位置と光検出素子から
の各信号の検出方法の説明図である。

【図１９】従来の光学装置のさらに他の例の概略断面図
である。

【符号の説明】

Ｍ・・・光学記録媒体、ＬＤ・・・半導体レーザ、Ｌ，
Ｌ₁，Ｌ₂ ・・・レーザ光、１０・・・対物レンズ、１
１，２１・・・ピックアップ装置、１４・・・半導体基
体、１５・・・半導体チップ、１６・・・マイクロプリ
ズム、１７，・・・パッケージ、１８・・・透明カバ
ー、２２，２６・・・グレーティング、２３，８０・・
・ビームスプリッタ、２５・・・パッケージ、２７・・
・ホログラム、４０・・・光学装置、４１・・・複屈折
光学素子（複屈折を有する光学素子）、４２・・・波長
板、４３・・・光学系、６１・・・ピット、７１・・・
半導体ウエハ、７２・・・領域、７３・・・パッケージ
基体、８１・・・構造体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光の光路上に複屈折を有する光学
素子が配置されて前記レーザ光の２ビーム化を行う光学
系を具備して成ることを特徴とする光学装置。
【請求項２】前記光学系に波長板が配置されて前記複
屈折を有する光学素子に対する上記レーザ光の往路およ
び復路の双方に関して２ビーム化がなされるようにした
請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】前記複屈折を有する光学素子が、前記レ
ーザ光を出射する半導体レーザのパッケージの窓部に配
置された構成としたことを特徴とする請求項１に記載の
光学装置。
【請求項４】前記光学系の戻り光を検出する光検出素
子が形成された半導体基体上に、前記レーザ光を出射す
る半導体レーザと、マイクロプリズムとが載置されて集
積化された構造体がパッケージ内に収容され、該パッケージの窓部に、前記複屈折を有する光学素子と
前記波長板とを有する光学系が配置されて成ることを特
徴とする請求項２に記載の光学装置。
【請求項５】半導体レーザと、該半導体レーザからのレーザ光の光路上に複屈折を有す
る光学素子が配置されて前記レーザ光の２ビーム化を行
う光学系と、対物レンズと、前記２ビームの戻り光を前記複屈折を有する光学素子か
ら分離するビームスプリッタと、光検出素子とを有することを特徴とする光学ピックアッ
プ装置。
【請求項６】半導体レーザと、該半導体レーザからのレーザ光の光路上に複屈折を有す
る光学素子と波長板とが配置されて、前記光学素子に対
する前記レーザ光の往路および復路の双方において２ビ
ーム化を行う光学系と、対物レンズと、光検出素子とを有することを特徴とする光学ピックアッ
プ装置。
【請求項７】前記光学系の戻り光を検出する光検出素
子が形成された半導体基体上に、前記レーザ光を出射す
る半導体レーザと、マイクロプリズムとが載置されて集
積化された構造体がパッケージ内に収容され、該パッケージの窓部に、前記複屈折を有する光学素子と
前記波長板とを有する光学系が配置されて成ることを特
徴とする請求項６に記載の光学ピックアップ装置。
【請求項８】前記光検出素子によって、上記２ビーム
の戻り光を検出して差動プッシュプル法でトラッキング
誤差信号を得ることを特徴とする請求項５に記載の光学
ピックアップ装置。
【請求項９】前記光検出素子によって、上記２ビーム
の戻り光を検出して差動プッシュプル法でトラッキング
誤差信号を得ることを特徴とする請求項６に記載の光学
ピックアップ装置。
【請求項１０】前記光検出素子によって、上記２ビー
ムの戻り光を検出して差動プッシュプル法でトラッキン
グ誤差信号を得ることを特徴とする請求項７に記載の光
学ピックアップ装置。