JPH05205339A - 光磁気記録用偏光光学系 - Google Patents

光磁気記録用偏光光学系

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JPH05205339A
JPH05205339A JP4034205A JP3420592A JPH05205339A JP H05205339 A JPH05205339 A JP H05205339A JP 4034205 A JP4034205 A JP 4034205A JP 3420592 A JP3420592 A JP 3420592A JP H05205339 A JPH05205339 A JP H05205339A
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polarized light
polarization
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正 谷口
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千秋 小島
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Abstract

(57)【要約】 【目的】小型で且つ薄型の光磁気記録用ピックアップを
作ることができる光磁気記録用偏光光学系を提供する。 【構成】光28を偏光膜15へ入射させると、p偏光の
みが透過してフォトダイオード13へ入射し、s偏光は
反射されて四分の一波長板17へ入射する。このs偏光
は、全反射膜18で反射され四分の一波長板17中を往
復してp偏光になるので、偏光膜15を透過してフォト
ダイオード14へ入射する。従って、偏光膜15の入射
面に対して偏光方向が45°だけ傾いている光28を用
いれば、光磁気ディスク29で偏光面を回転されていな
い成分は、フォトダイオード13、14へ等分される。
従って、光磁気記録用ピックアップを作ることができ、
しかも、小型で且つ薄型にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体から記
録情報を読み取るためのピックアップに用いて好適な光
磁気記録用偏光光学系に関するものである。
【0002】
【従来の技術】情報の記録及び消去を何度でも繰り返し
て行うことができる記録媒体の一つとして、光磁気ディ
スクが知られている。この様な光磁気ディスクに対して
情報の記録や読み取りを行うピックアップとしては、偏
光ビームスプリッタ等の部品をアセンブリして接着等で
固定したものが従来から知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、部品をアセン
ブリした従来のピックアップでは、小型化、薄型化が困
難である。なお、コンパクトディスクを再生するための
ピックアップは、レーザダイオードやマイクロプリズム
等を一体的にしたレーザカプラを用いて作られている。
しかし、コンパクトディスク用のレーザカプラで採用さ
れているのは無偏光光学系であり、反射光の偏光面の回
転から記録情報を読み取る光磁気記録用ピックアップを
作ることができない。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明による光磁気記録
用偏光光学系22は、半導体基板12に形成されている
第1及び第2の受光素子13、14と、少なくともこれ
ら第1及び第2の受光素子13、14上に設けられてお
り、直線偏光である第1の光を透過すると共にこの第1
の光とは偏光面が直交する直線偏光である第2の光を反
射する偏光膜15と、この偏光膜15上に配されている
プリズム16と、このプリズム16の前記偏光膜15と
は反対側の面上に設けられている四分の一波長板17
と、この四分の一波長板17上に配されている全反射膜
18とを具備している。
【0005】
【作用】本発明による光磁気記録用偏光光学系22で
は、偏光膜15の入射面に対して偏光方向が45°だけ
傾いている光28を、プリズム16を介して偏光膜15
へ入射させると、この光28のうちで第1の光のみが、
偏光膜15を透過して第1の受光素子13へ入射する。
【0006】偏光膜15へ入射した光28のうちで第2
の光は、偏光膜15で反射され、プリズム16中を進行
して、四分の一波長板17へ入射する。四分の一波長板
17を透過した第2の光は、全反射膜18で反射され、
再び四分の一波長板17を透過する。このため第2の光
は、四分の一波長板17中を往復して第1の光になる。
【0007】四分の一波長板17から出てきてプリズム
16中を進行し偏光膜15へ入射した光28は、第1の
光になっているので、偏光膜15を透過して第2の受光
素子14へ入射する。従って、偏光膜15の入射面に対
して偏光方向が45°だけ傾いている光28で光磁気記
録媒体29を照射すれば、光磁気記録媒体29で偏光面
を回転されていない成分は、第1及び第2の受光素子1
3、14へ半分ずつ振り分けられる。
【0008】
【実施例】以下、光磁気記録用レーザカプラに適用した
本発明の一実施例を、図1を参照しながら説明する。
【0009】図1(a)に示す様に、本実施例を適用し
た光磁気記録用レーザカプラ11では、Si基板12に
2個のフォトダイオード13、14が形成されている。
フォトダイオード13、14は、図1(b)に示す様
に、これらの配列方向とは直角な方向に分割されている
3個ずつの部分A〜C及びD〜Fから成っている。
【0010】Si基板12の上面には、その全体に偏光
膜15が設けられている。この偏光膜15は、p偏光の
みを透過し、s偏光は反射する。偏光膜15上でフォト
ダイオード13、14の上方には、高さが1mm程度で
斜面の傾斜角が45°である断面台形のマイクロプリズ
ム16が接着されている。
【0011】なお偏光膜15は、Si基板12の上面の
全体ではなく、マイクロプリズム16の下面の全体に設
けられていてもよく、Si基板12の上面うちでフォト
ダイオード13、14上の部分にのみ、またはマイクロ
プリズム16の下面のうちでフォトダイオード13、1
4に対応する部分にのみ設けられていてもよい。
【0012】マイクロプリズム16の上面には、四分の
一波長板17が貼り付けられており、この四分の一波長
板17上には、全反射膜18が形成されている。また、
マイクロプリズム16の斜面には、反射率が50%であ
る無偏光膜21が形成されている。なお、配向をそろえ
た高分子膜を用いた位相膜を四分の一波長板17の代わ
りに使用してもよい。
【0013】以上が本実施例の光磁気記録用偏光光学系
22であるが、光磁気記録用レーザカプラ11を構成す
るために、偏光膜15上でマイクロプリズム16の斜面
に対向する位置に、Si基板12とは別のSi基板23
が銀ペースト等で固定されている。
【0014】Si基板23の上面には、フォトダイオー
ド24が形成されると共に、レーザダイオード25が半
田等で固定されている。そして更に、この様な光磁気記
録用レーザカプラ11と対物レンズ26とで、光磁気記
録用ピックアップ27が構成されている。
【0015】以上の様な光磁気記録用ピックアップ27
では、レーザダイオード25から射出された光28は、
電場成分が偏光膜15の入射面に対して45°だけ傾い
ている偏光である。この光28は、無偏光膜21へ入射
し、そのうちの50%だけが上方へ反射される。なお、
フォトダイオード24は所謂リアAPC用である。
【0016】無偏光膜21で反射された光28は、対物
レンズ26によって光磁気ディスク29上に集光され、
光磁気ディスク29に記録されている磁気信号によって
偏光面が回転される。光磁気ディスク29で反射された
光28は再び無偏光膜21へ入射し、そのうちの50%
だけがこの無偏光膜21を透過する。
【0017】無偏光膜21を透過した光28は、マイク
ロプリズム16中を進行し、偏光膜15へ入射する。偏
光膜15へ入射した光28のうちでp偏光のみがこの偏
光膜15を透過してフォトダイオード13へ入射し、s
偏光は偏光膜15で反射される。
【0018】偏光膜15で反射された光28は、マイク
ロプリズム16中を進行し、四分の一波長板17を透過
して全反射膜18へ入射し、この全反射膜18で反射さ
れて再び四分の一波長板17を透過する。つまり光28
は、四分の一波長板17中を往復して、p偏光になる。
【0019】全反射膜18で反射された光28は、マイ
クロプリズム16中を進行して偏光膜15へ入射する
が、この光28は上述の様にp偏光になっているので、
偏光膜15を透過してフォトダイオード14へ入射す
る。従って、 RF=(A+B+C)−(D+E+F) という差動検出によって、光磁気信号が得られる。
【0020】また、光磁気記録用ピックアップ27と光
磁気ディスク29とが合焦状態にある時に、図1(a)
に示す様に、光28は全反射膜18上で焦点を結ぶの
で、 FE=(A+C+E)−(B+D+F) という差動検出によって、フォーカスエラー信号が得ら
れる。
【0021】
【発明の効果】本発明による光磁気記録用偏光光学系で
は、偏光膜の入射面に対して偏光方向が45°だけ傾い
ている光で光磁気記録媒体を照射すれば、光磁気記録媒
体で偏光面を回転されていない成分は、第1及び第2の
受光素子へ半分ずつ振り分けられる。
【0022】従って、光磁気記録媒体からの反射光の偏
光面の回転を第1及び第2の受光素子の差動出力によっ
て検出することができ、光磁気記録用ピックアップを作
ることができる。しかも、半導体チップレベルのアセン
ブリを行うことができるので、小型で且つ薄型の光磁気
記録用ピックアップを作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例を適用した光磁気記
録用ピックアップの側面図、(b)は一実施例における
フォトダイオードの平面図である。
【符号の説明】
12 Si基板 13 フォトダイオード 14 フォトダイオード 15 偏光膜 16 マイクロプリズム 17 四分の一波長板17 18 全反射膜 22 光磁気記録用偏光光学系 28 光 29 光磁気ディスク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板に形成されている第1及び第2
    の受光素子と、 少なくともこれら第1及び第2の受光素子上に設けられ
    ており、直線偏光である第1の光を透過すると共にこの
    第1の光とは偏光面が直交する直線偏光である第2の光
    を反射する偏光膜と、 この偏光膜上に配されているプリズムと、 このプリズムの前記偏光膜とは反対側の面上に設けられ
    ている四分の一波長板と、 この四分の一波長板上に配されている全反射膜とを具備
    する光磁気記録用偏光光学系。
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