JP2006108168A - 半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができ、かつ薄型化が可能な半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置を提供する。
【解決手段】 ベース１１０はＹＺ平面内で長軸および短軸を有する。ベース１１０の正面下方側にはＸ方向に延びる板状のヒートシンク１１０Ｓが一体形成されている。ヒートシンク１１０Ｓは、ベース１１０の上面１１３および下面１１４と平行な実装面１１０ｄを有する。実装面１１０ｄには１チップ半導体レーザ素子１０００が実装される。Ｚ方向において、ベース１１０にはヒートシンク１１０Ｓと対向するように、金属製のリードピンｐ１〜ｐ５がＹ方向へ順に等間隔で並んでいる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、波長の異なる複数の光を出射可能な半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置に関する。

従来より、ＣＤ（コンパクトディスク）／ＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブには、光源として波長７８０ｎｍ程度の赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブには、光源として波長６５０ｎｍ程度の赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。

一方、近年、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を用いて記録および再生可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いたＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤ／ＣＤ−ＲおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。

この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ピックアップ装置を設ける方法、または１つの光ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を設ける方法により、従来のＣＤ、ＤＶＤおよび新しいＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、ＤＶＤドライブの小型化、構成の簡単化および低コスト化が困難となる。

このような部品点数の増加を防止するために、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子と青紫色半導体レーザ素子とを１チップに集積化した半導体レーザ素子（以下、１チップ半導体レーザ素子と呼ぶ。）の開発が進められている（特許文献１参照）。この１チップ半導体レーザ素子は、主に金属性の丸型パッケージに収容される。
特開２００１−２３０５０２号公報 特開２００２−２５１０４号公報

ところで、上記の１チップ半導体レーザ素子では、集積化されたそれぞれの半導体レーザ素子を駆動するために複数の配線が必要となる。それにより、１チップ半導体レーザ素子を収容する丸型パッケージには複数の配線に対応するリードピンが必要となる。

引用文献１の発光装置においては、丸型パッケージに４本のリードピンが設けられている。４本のリードピンのうち３本は集積化された各半導体レーザ素子に接続され、１本は共通端子として用いられている。なお、この丸型パッケージの直径は一般に約５．６ｍｍで設計されている。

青紫色半導体レーザ素子は赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子よりも駆動電圧が高い。したがって、複数の半導体レーザ素子を集積化する場合には、一般に青紫色半導体レーザ素子の両極を金属性のパッケージから絶縁させる結線（フローティング結線）が施される。このような結線を行った場合、配線の増加とともに必要とされるリードピンの本数が増加する。

したがって、４本以上のリードピンを設けるためには丸型パッケージの大きさ（直径）をより大きくする必要がある。

しかしながら、このような半導体レーザ装置を搭載する光ピックアップ装置は、装置の薄型化が要求されている。それにともない、半導体レーザ装置の薄型化が求められており、上記の丸型パッケージを大きくすることはできない。

これに対して、長手形状を有する角型パッケージに収納された集積光ヘッド装置が提案されている（特許文献２参照）。この集積光ヘッド装置は、角型パッケージ内に複数の半導体レーザ素子とともに半導体ミラーおよび反射ミラープリズム等の光学素子を備える半導体基板が収納され、構造上大きな寸法を有する。

本発明の目的は、複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができ、かつ薄型化が可能な半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置を提供することである。

第１の発明に係る半導体レーザ装置は、互いに直交する長軸および短軸を有する一面および他面を備えたベース部材と、ベース部材の一面に設けられ、実装面を有する台座部と、ベース部材の一面に垂直な方向に第１、第２および第３の波長の光をそれぞれ出射するように実装面に実装される第１、第２および第３の半導体レーザ素子と、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続され、ベース部材の他面から突出するように設けられる３つ以上の端子とを備え、３つ以上の端子のうち少なくとも２つの端子が長軸の方向に沿って配置されたものである。

第１の発明に係る半導体レーザ装置においては、ベース部材の一面に台座部が設けられ、その台座部の実装面に第１、第２および第３の半導体レーザ素子が実装される。第１、第２および第３の半導体レーザ素子からそれぞれ第１、第２および第３の波長の光がベース部材の一面に垂直な方向に出射される。３つ以上の端子が、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続され、ベース部材の他面から突出するように設けられる。３つ以上の端子のうち少なくとも２つの端子は長軸の方向に沿って配置されている。これにより、ベース部材の短軸の方向における半導体レーザ装置の薄型化が実現される。

また、３つ以上の端子が設けられることにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子にそれぞれ独立に電圧を印加することができる。その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を個別に駆動することが容易となる。

したがって、複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができるとともに、薄型化が可能な半導体レーザ装置が実現される。

第１、第２および第３の波長のうち少なくとも１つの波長は、３６０ｎｍ〜４８０ｎｍであってもよい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子のうちの少なくとも１つから３６０ｎｍ〜４８０ｎｍの光が出射される。

ベース部材の一面に設けられ、台座部と、第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを覆う封止部材と、封止部材に設けられ、第１、第２および第３の半導体レーザ素子から出射される第１、第２および第３の波長の光を透過する透光性部材とをさらに備えてもよい。

この場合、封止部材、透光性部材およびベース部材の一面により台座部ならびに第１、第２および第３の半導体レーザ素子が封止される。それにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子が外気から遮断され、信頼性が向上する。

実装面は長軸の方向に平行であってもよい。この場合、半導体レーザ装置を短軸の方向により薄型化することができる。

ベース部材は長軸の方向に略平行な第１および第２の側面を有してもよい。この場合、半導体レーザ装置を短軸の方向により薄型化することができる。

台座部は、第１の側面と第２の側面との中間点よりも第１および第２の側面の一方に近い位置に配置されてもよい。この場合、台座部の実装面上に第１、第２および第３の半導体レーザ素子を実装する際に、第１、第２および第３の半導体レーザ素子のそれぞれの発光点をともにベース部材のほぼ中心となるように調整することができる。これにより、レーザ光をレンズで集光する場合に、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の光の取り出し効率がともに向上する。

ベース部材、台座部、封止部材および３つ以上の端子は金属材料からなってもよい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の放熱が効率的に行われる。また、半導体レーザ装置の強度が向上する。

３つ以上の端子は、第１、第２、第３および第４の端子を含み、第１の端子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第２の端子は、第２の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第３の端子は、第３の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第４の端子は、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続されてもよい。

この場合、第１の端子と、第４の端子との間に電圧が印加されることにより、第１の半導体レーザ素子が駆動され、第１の波長の光が出射される。

また、第２の端子と、第４の端子との間で電圧が印加されることにより、第２の半導体レーザ素子が駆動され、第２の波長の光が出射される。

さらに、第３の端子と、第４の端子との間で電圧が印加されることにより、第３の半導体レーザ素子が駆動され、第３の波長の光が出射される。

これにより、少ない数の端子で、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を個別に駆動することができる。

３つ以上の端子は、第１、第２、第３、第４および第５の端子を含み、第１の端子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第２の端子は、第２の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第３の端子は、第３の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、第４の端子は、第１の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続され、第５の端子は、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続されてもよい。

この場合、第１の端子と、第４の端子との間で電圧が印加されることにより、第１の半導体レーザ素子が駆動され、第１の波長の光が出射される。

また、第２の端子と、第５の端子との間で電圧が印加されることにより、第２の半導体レーザ素子が駆動され、第２の波長の光が出射される。

さらに、第３の端子と、第５の端子との間で電圧が印加されることにより、第３の半導体レーザ素子が駆動され、第３の波長の光が出射される。

これにより、第１の端子または第４の端子に負の電圧を印加することが可能となる。

特に、半導体レーザ装置が第１の半導体レーザ素子として波長約４００ｎｍの光を出射する青紫色半導体レーザ素子を備えるとともに、第２の半導体レーザ素子として波長約６５０ｎｍの光を出射する赤色半導体レーザ素子を備え、第３の半導体レーザ素子として波長約７８０ｎｍの光を出射する赤外半導体レーザ素子を備える場合を想定する。

この場合、青紫色半導体レーザ素子は、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子に比べて動作電圧が高いため、それぞれの半導体レーザ素子に印加する電圧の自由度を高める必要がある。

本願発明によれば、上記のように、それぞれの半導体レーザ素子に印加する電圧の自由度が向上されている。それにより、駆動装置の構成の自由度が高くなる。その結果、駆動装置を単純にすることができる。

台座部の実装面に設けられ、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続される第１、第２および第３の電極をさらに備え、３つ以上の端子は、ぞれぞれ第１、第２および第３の電極を通じて第１、第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極または他方電極に電気的に接続されてもよい。

この場合、３つ以上の端子と第１、第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極または他方電極との間に接続されるワイヤの長さを短くすることができる。その結果、ワイヤのインダクタンス成分が低減されるので、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の高周波特性が向上する。

第２の発明に係る光ピックアップ装置は、光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体からの帰還光を検出する光ピックアップ装置であって、仮想面に略平行な第１の方向に光を出射する第１の発明に係る半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から出射された光を第１の方向から仮想面に略平行な第２の方向に屈曲させる第１の光学素子と、第１の光学素子により屈曲された光を仮想面に略垂直な第２の方向に屈曲させる第２の光学素子と、光を検出する光検出器と、半導体レーザ装置、第１の光学素子、第２の光学素子および光検出器を支持する支持部材とを備え、第２の光学素子は、光学記録媒体からの帰還光を第１の光学素子に導き、第１の光学素子は、第２の光学素子からの光を光検出器に導き、半導体レーザ装置は、支持部材によりベース部材の長軸の方向が仮想面と平行となるように支持されるものである。

第２の発明に係る光ピックアップ装置においては、第１の発明に係る半導体レーザ装置により仮想面に略平行な第１の方向に光が出射され、半導体レーザ装置から出射された光が第１の光学素子により第１の方向から仮想面に略平行な第２の方向に屈曲され、第１の光学素子により屈曲された光が第２の光学素子により仮想面に略垂直な第２の方向に屈曲され、光学記録媒体に照射される。また、光学記録媒体からの帰還光が第２の光学素子に導かれ、第２の光学素子からの光が第１の光学素子により光検出器に導かれ、光検出器により検出される。

第１の発明に係る半導体レーザ装置においては、ベース部材の一面に台座部が設けられ、その台座部の実装面に第１、第２および第３の半導体レーザ素子が実装される。第１、第２および第３の半導体レーザ素子からそれぞれ第１、第２および第３の波長の光がベース部材の一面に垂直な方向に出射される。３つ以上の端子が、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続され、ベース部材の他面から突出するように設けられる。３つ以上の端子のうち少なくとも２つの端子は長軸の方向に沿って配置されている。これにより、ベース部材の短軸の方向における半導体レーザ装置の薄型化が実現される。

また、３つ以上の端子が設けられることにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子にそれぞれ独立に電圧を印加することができる。その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を個別に駆動することが容易となる。

したがって、複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができるとともに、薄型化が可能な半導体レーザ装置が実現される。

その上、第１の発明に係る半導体レーザ装置が、支持部材によりベース部材の長軸の方向が仮想面と平行となるように支持されるので、光ピックアップ装置をベース部材の短軸の方向に薄型化することができる。

第３の発明に係る光学記録媒体駆動装置は、光学記録媒体を回転させる回転駆動部と、第２の発明に係る光ピックアップ装置と、光ピックアップ装置から出射された光を光学記録媒体に集光する集光レンズと、光ピックアップ装置を光学記録媒体の半径方向に移動させるピックアップ駆動部と、光ピックアップ装置の光検出器からの出力信号を処理する信号処理部とを備えたものである。

第３の発明に係る光学記録媒体駆動装置においては、回転駆動部により光学記録媒体が回転される。光学記録媒体には、第２の発明に係る光ピックアップ装置から出射された光が集光レンズにより集光される。光ピックアップ装置は、ピックアップ駆動部により光学記録媒体の半径方向に移動される。光ピックアップ装置の光検出器からの出力信号は信号処理部により処理される。

第３の発明に係る光学記録媒体駆動装置の備える第２の発明に係る光ピックアップ装置は、第１の発明に係る半導体レーザ装置を備える。この第１の発明に係る半導体レーザ装置においては、ベース部材の一面に台座部が設けられ、その台座部の実装面に第１、第２および第３の半導体レーザ素子が実装される。第１、第２および第３の半導体レーザ素子からそれぞれ第１、第２および第３の波長の光がベース部材の一面に垂直な方向に出射される。３つ以上の端子が、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続され、ベース部材の他面から突出するように設けられる。３つ以上の端子のうち少なくとも２つの端子は長軸の方向に沿って配置されている。これにより、ベース部材の短軸の方向における半導体レーザ装置の薄型化が実現される。

また、３つ以上の端子が設けられることにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子にそれぞれ独立に電圧を印加することができる。その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を個別に駆動することが容易となる。

したがって、複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができるとともに、薄型化が可能な半導体レーザ装置が実現される。

その上、第１の発明に係る半導体レーザ装置が、支持部材によりベース部材の長軸の方向が仮想面と平行となるように支持されるので、光学記録媒体駆動装置をベース部材の短軸の方向に薄型化することができる。

本発明に係る半導体レーザ装置によれば、複数の半導体レーザ素子を容易に駆動することができるとともに、薄型化が可能な半導体レーザ装置が実現される。

以下、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置について説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図である。

以下の説明では、図１の矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように、水平面内で直交する２方向をＸ方向およびＹ方向と定義し、Ｘ方向およびＹ方向に垂直な方向をＺ方向と定義する。図２以降の図面についても上記と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

図１の半導体レーザ装置１００において、金属製のベース１１０はＹ方向に延びる略直方体形状を有する。Ｘ方向におけるベース１１０の一方側の面（正面）１１１にＸ方向へ延びる金属製のキャップ１２０が取り付けられている。ベース１１０にはキャップ１２０内で、後述の１チップ半導体レーザ素子（図２参照）が実装される。この１チップ半導体レーザ素子とは、後述の複数の半導体レーザ素子が１チップに集積化されたものである。

キャップ１２０のＹＺ平面と平行な一側面には、１チップ半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を外部に取り出すための取り出し窓１２１が設けられている。取り出し窓１２１は１チップ半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長の光を透過する透光性の材料（例えば、透光性の樹脂またはガラス等）からなる。

Ｘ方向におけるベース１１０の他方側の面（背面）１１２からＸ方向へ延びるように複数のリードピンｐ１〜ｐ５が設けられている。詳細は後述する。

ベース１１０は、正面１１１のＹ方向に沿った一辺および背面１１２のＹ方向に沿った一辺を含む上面１１３を有する。また、ベース１１０は、正面１１１のＹ方向に沿った他辺および背面１１２のＹ方向に沿った他辺を含む下面１１４を有する。

以下、Ｘ方向において、１チップ半導体レーザ素子からレーザ光が取り出される（出射される）方向を正面側とし、正面の逆の方向を背面側として説明する。

図２は、図１の半導体レーザ装置１００の１チップ半導体レーザ素子１０００、ベース１１０およびリードピンｐ１〜ｐ５を説明するための図である。

図２（ａ）に１チップ半導体レーザ素子１０００の正面図が示されている。１チップ半導体レーザ素子１０００は、波長約４００ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）１、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）２および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）３を備える。

青紫色半導体レーザ素子１はＧａＮ基板上に半導体層を形成することにより作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３はＧａＡｓ基板上に半導体層を形成することにより作製される。

図２（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１は上面側にストライプ状のリッジ部Ｒｉを有する。青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉの側面の両側には絶縁膜４が形成され、リッジ部Ｒｉの上面を覆うようにｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。

青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４は、青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との間を電気的に絶縁するとともに、青紫色半導体レーザ素子１の電流ブロック層の役割を果たす。

赤色半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。

赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。

青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４にｐ電極１２から離間するようにｐパッド電極１３，１４が形成されている。

ｐパッド電極１３，１４の上面にそれぞれはんだ膜Ｈが形成されている。赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐパッド電極１３上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐパッド電極１４上に接合されている。

これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｐパッド電極１３とが電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２とｐパッド電極１４とが電気的に接続される。

なお、図２（ａ）に示すように、ｐパッド電極１３は赤色半導体レーザ素子２との接合部以外の上面が外部に露出している。ｐパッド電極１３の露出部は赤色半導体レーザ素子２から青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２と反対側の側方に延びる。

また、ｐパッド電極１４は赤外半導体レーザ素子３との接合部以外の上面が外部に露出している。ｐパッド電極１４の露出部は赤外半導体レーザ素子３から青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２と反対側の側方に延びる。

図２（ａ）において、Ｘ方向およびＹ方向は、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に垂直な方向である。

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０におけるリッジ部Ｒｉの下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）１１から波長約４００ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｎ電極２３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）２１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２とｎ電極３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）３１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

図２（ｂ）に１チップ半導体レーザ素子１０００のベース１１０の正面図が示されている。

図２（ｂ）に示すように、ベース１１０の正面下方側にはＸ方向に延びる板状のヒートシンク１１０Ｓが一体形成されている。このヒートシンク１１０Ｓは、図１で説明したベース１１０の上面１１３および下面１１４と平行な実装面１１０ｄを有する。実装面１１０ｄには上述の１チップ半導体レーザ素子１０００が実装される。Ｚ方向において、ベース１１０にはヒートシンク１１０Ｓと対向するように、金属製のリードピンｐ１〜ｐ５が設けられている。

換言すれば、ベース１１０において、ヒートシンク１１０Ｓは上面１１３と下面１１４との中間点よりも下面１１４に近い位置に配置され、リードピンｐ１〜ｐ５は上面１１３と下面１１４との中間点よりも上面１１３に近い位置に配置されている。

リードピンｐ１〜ｐ５はＹ方向へ順に等間隔で並んでいる。リードピンｐ１〜ｐ４は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。なお、Ｘ方向において、リードピンｐ１〜ｐ４はベース１１０から正面側にわずかに突出するとともにベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように取り付けられている（後述の図４参照）。リードピンｐ５はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、リードピンｐ１〜ｐ４はベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ５はベース１１０と電気的に接続されている。

図２（ｂ）において、ベース１１０はＹＺ平面内で矢印Ａに示すように長軸を有し、矢印Ｂに示すように短軸を有する。図２（ｂ）のヒートシンク１１０Ｓの実装面１１０ｄ上に図２（ａ）の１チップ半導体レーザ素子１０００が実装される。ヒートシンク１１０Ｓの実装面１１０ｄはベース１１０の長軸の方向と平行である。

図３は図２のベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態を説明するための正面図であり、図４は図２のベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態を説明するための上面図である。

図３および図４に示すように、ヒートシンク１１０Ｓの中央部に絶縁性の層を有するサブマウント１３０が設けられている。サブマウント１３０の上面側にはサブマウント上面電極１３１が形成され、サブマウント１３０の下面側にはサブマウント下面電極１３２が形成されている。さらに、サブマウント１３０の正面側中央部に図２（ａ）の１チップ半導体レーザ素子１０００が設けられている。

なお、図では省略しているが、サブマウント下面電極１３２およびヒートシンク１１０Ｓ間、ならびにサブマウント上面電極１３１および青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５間は、それぞれはんだにより接着されている。

これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５およびサブマウント上面電極１３１が電気的に接続され、青紫色半導体レーザ素子１とヒートシンク１１０Ｓとがサブマウント１３０の絶縁性の層により互いに電気的に絶縁される。

ここで、ベース１１０から正面側にわずかに突出するリードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介してサブマウント上面電極１３１に接続され、リードピンｐ３はワイヤＷ３を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続されている。

ベース１１０から正面側にわずかに突出するリードピンｐ４はワイヤＷ４を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ６を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。上記のワイヤＷ１〜Ｗ７は、例えばＡｕからなる。

その結果、リードピンｐ２とリードピンｐ３との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ１とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ４とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、リードピンｐ３に正の電圧が印加され、リードピンｐ２に負の電圧が印加される。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、リードピンｐ４に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。

図５は、図３の半導体レーザ装置１００の駆動装置の一例を示す図である。図５の駆動装置７００は、半導体レーザ装置１００、駆動回路７０１、直流電源７０２およびスイッチ７０３を備える。

図５の駆動回路７０１には、直流電圧Ｖを発生する直流電源（図示せず）が内蔵されている。この直流電圧Ｖは、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の動作電圧よりも高い。直流電源７０２は、負（逆極性）の直流電圧−Ｖａを出力する。

駆動回路７０１の陽極端子７０１ａは、スイッチ７０３の端子７０３ａに接続される。スイッチ７０３の端子７０３ｂは半導体レーザ装置１００のリードピンｐ４に接続され、端子７０３ｃは半導体レーザ装置１００のリードピンｐ１に接続される。スイッチ７０３の端子７０３ｄは半導体レーザ装置１００のリードピンｐ３に接続される。

駆動回路７０１の陰極端子７０１ｂは、ノードａに接続される。ノードａは直流電源７０２の陽極側に接続されるとともに、半導体レーザ装置１００のリードピンｐ５に接続される。また、ノードａは接地（０Ｖ）されている。直流電源７０２の陰極側は半導体レーザ装置１００のリードピンｐ２に接続される。

スイッチ７０３が端子７０３ｂに切り替えられることにより、赤外半導体レーザ素子３に駆動回路７０１に内蔵された直流電源により直流電圧Ｖが印加される。それにより、赤外半導体レーザ素子３から波長約７８０ｎｍのレーザ光が出射される。

一方、スイッチ７０３が端子７０３ｃに切り替えられることにより、赤色半導体レーザ素子２に駆動回路７０１に内蔵された直流電源により直流電圧Ｖが印加される。それにより、赤色半導体レーザ素子２から波長約６５０ｎｍのレーザ光が出射される。

さらに、スイッチ７０３が端子７０３ｄに切り替えられることにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２に駆動回路７０１に内蔵された直流電源により直流電圧Ｖが印加されるとともに、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５に直流電源７０２の負の直流電圧−Ｖａが印加される。それにより、青紫色半導体レーザ素子１には、駆動回路７０１の直流電圧と負の直流電源７０２の直流電圧との合計電圧Ｖ＋Ｖａが青紫色半導体レーザ素子１に印加される。それにより、青紫色半導体レーザ素子１から波長約４００ｎｍのレーザ光が出射される。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の動作電圧が４〜６Ｖであり、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の動作電圧が２〜２．５Ｖである場合、直流電圧Ｖを２〜２．５Ｖに設定し、負の直流電圧−Ｖａを−１．５〜−４Ｖに設定するのが好ましい。

このように、ベース１１０に５つのリードピンｐ１〜ｐ５が設けられることにより、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５に接続されるリードピンｐ２に負の電圧を印加することができる。これにより、動作電圧の高い青紫色半導体レーザ素子１を駆動させるための直流電圧を、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の直流電源と同じにすることができる。

それにより駆動装置７００の構成の自由度が高くなっている。そして、駆動装置７００の構成が単純化している。

上記のように、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００においては、リードピンｐ１〜ｐ５がＹ方向に配列されているので、ベース１１０のＺ方向における半導体レーザ装置１００の薄型化が実現される。

また、３つ以上のリードピンｐ１〜ｐ５が設けられることにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３にそれぞれ独立に電圧を印加することができる。これにより、複数の半導体レーザ素子を個別に駆動することが容易になっている。

１チップ半導体レーザ素子１０００は、キャップ１２０、取り出し窓１２１およびベース１１０の正面１１１により封止されている。これにより、１チップ半導体レーザ素子１０００が外気から遮断され、信頼性が向上されている。

なお、キャップ１２０、取り出し窓１２１およびベース１１０の正面１１１により封止される空間内にＮ₂ ガス等の不活性ガスを充填してもよい。この場合、１チップ半導体レーザ素子１０００の信頼性がさらに向上される。

さらに、ベース１１０の長軸の方向とヒートシンク１１０Ｓの実装面１１０ｄとが平行になっているので、半導体レーザ装置１００をＺ方向により薄型化することができる。さらに、ベース１１０の上面１１３および下面１１４は互いに平行となっている。これにより、半導体レーザ装置１００をＺ方向により薄型化することができる。

第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００においては、ヒートシンク１１０Ｓが上面１１３と下面１１４との中間点よりも下面１１４に近い位置に配置されている。これにより、ヒートシンク１１０Ｓ上に１チップ半導体レーザ素子１０００を実装する際に、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１をともに半導体レーザ装置１００のほぼ中心となるように調整することができる。

それにより、レーザ光をレンズで集光する場合に、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の光の取り出し効率がともに向上する。

ベース１１０、ヒートシンク１１０Ｓ、キャップ１２０およびリードピンｐ１〜ｐ５は金属材料からなる。これにより、１チップ半導体レーザ素子１０００の放熱が効率的に行われる。また、半導体レーザ装置１００の強度が向上されている。

動作電圧の高い青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３，３３と電気的に絶縁されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１はリードピンｐ２およびリードピンｐ３との間で電圧が印加されることにより駆動される。赤色半導体レーザ素子２はリードピンｐ１とリードピンｐ５との間で電圧が印加されることにより駆動される。赤外半導体レーザ素子３はリードピンｐ４とリードピンｐ５との間で電圧が印加されることにより駆動される。それにより、リードピンｐ２に負の電圧を印加することができる。

ここで、青紫色半導体レーザ素子１は赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３に比べて動作電圧が高いため、それぞれの半導体レーザ素子に印加する電圧の自由度を高める必要がある。

上記のように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００によれば、各半導体レーザ素子に印加する電圧の自由度が向上されている。それにより、駆動装置７００の構成の自由度が高くなり、駆動装置７００を単純にすることができる。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を個別に駆動する際の印加電圧の調整が容易となっている。

第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００は、上述のように薄型化が実現されるとともに、金属製のベース１１０がＹ方向に延びている。それにより、１チップ半導体レーザ素子１０００において発生する熱がＹ方向に広がるので１チップ半導体レーザ素子１０００の放熱性が向上されている。その結果、１チップ半導体レーザ素子１０００の信頼性が向上している。

第１の実施の形態においては、図２（ｂ）の矢印Ａが長軸に相当し、図２（ｂ）の矢印Ｂが短軸に相当し、Ｙ方向が長軸の方向に相当し、Ｚ方向が短軸の方向に相当し、正面１１１が一面に相当し、背面１１２が他面に相当し、ベース１１０がベース部材に相当し、実装面１１０ｄが実装面に相当し、ヒートシンク１１０Ｓが台座部に相当する。

また、波長約４００ｎｍ、波長約６５０ｎｍおよび波長約７８０ｎｍのレーザ光が第１、第２および第３の波長の光に相当し、リードピンｐ１〜ｐ５が３つ以上の端子に相当し、半導体レーザ装置１００が半導体レーザ装置に相当する。

さらに、キャップ１２０は封止部材に相当し、取り出し窓１２１が透光性部材に相当し、上面１１３が第１の側面に相当し、下面１１４が第２の側面に相当し、リードピンｐ３が第１の端子に相当し、リードピンｐ１が第２の端子に相当し、リードピンｐ４が第３の端子に相当し、リードピンｐ２が第４の端子に相当し、リードピンｐ５が第５の端子に相当する。

ｐ電極１２、ｐ型パッド電極１３，１４が順に第１、第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１５が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相応し、ｎ電極２３，３３が順に第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。

（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図６は、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図６では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図６に示すように、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ａは、ベース１１０の中央部上方に出力制御用のフォトダイオード１４０が設けられている。

さらに、図６によれば、Ｙ方向へ順に等間隔で配列されたリードピンｐ１〜ｐ５のうち、リードピンｐ１，ｐ２，ｐ４，ｐ５は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。リードピンｐ１〜ｐ５の中央に位置するリードピンｐ３はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、リードピンｐ１，ｐ２，ｐ４，ｐ５がベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ３がベース１１０と電気的に接続されている。

リードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続されている。また、リードピンｐ４はワイヤＷ３を介してフォトダイオード１４０のｐ電極１４１に接続されている。なお、フォトダイオード１４０の図示しないｎ電極はベース１１０と電気的に接続されている。さらに、リードピンｐ５はワイヤＷ４を介して半導体レーザ装置１０００のｐ側パッド電極１４に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ６を介してサブマウント上面電極１３１に接続され、サブマウント上面電極１３１はワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ８を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

その結果、リードピンｐ２とリードピンｐ３との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ１とリードピンｐ３との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ３とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

このように、第２の実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極１５，２３，３３に対して、サブマウント上面電極１３１およびヒートシンク１１０Ｓが共通のｎ電極として作用している。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、リードピンｐ２に正の電圧が印加され、リードピンｐ３が接地電位にされる。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ３が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、リードピンｐ５に正の電圧が印加され、リードピンｐ３が接地電位にされる。

上述のように、フォトダイオード１４０はリードピンｐ４にｐ電極１４１が接続され、リードピンｐ３にｎ電極が接続されている。

これにより、フォトダイオード１４０が１チップ半導体レーザ素子１０００から出射されるレーザ光を受光することにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３から出射されるレーザ光をフィードバック制御することができる。

ここで、一般にフォトダイオード１４０は、受光するレーザ光の発振波長が短いと感度が低下する。しかし、上述のように青紫色半導体レーザ素子１を半導体レーザ装置１００ａの略中央部に設けることができるので、半導体レーザ装置１００ａの中央部に設けられたフォトダイオード１４０に効率よく青紫色半導体レーザ素子１から出射される波長約４００ｎｍ（青紫色）のレーザ光を照射することができる。

それにより、フォトダイオード１４０の光強度が増すのでフォトダイオード１４０に流れるモニタ電流が増加する。その結果、制御信号および雑音比の向上により、青紫色半導体レーザ素子１の出力制御を正確に行なうことができる。

第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ａにおいて、リードピンｐ３は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極１５およびｎ電極２３，３３とぞれぞれ電気的に接続されている。これにより、４つのリードピンｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ５により青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を個別に駆動することができる。すなわち、少ない本数のリードピンで青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を個別に駆動することが可能となっている。

第２の実施の形態においては、リードピンｐ２が第１の端子に相当し、リードピンｐ１が第２の端子に相当し、リードピンｐ５が第３の端子に相当し、リードピンｐ３が第４の端子に相当する。

（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図７は、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図７では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図７に示すように、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｂは、ベース１１０の中央部上方でＹ方向に等間隔となるようにリードピンｐ１〜ｐ４が順に配列されている。また、ベース１１０の中央部下方にリードピンｐ５が設けられている。

リードピンｐ１〜ｐ４は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。リードピンｐ５はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、リードピンｐ１〜ｐ４がベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ５がベース１１０と電気的に接続されている。

リードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続されている。また、リードピンｐ３はワイヤＷ３を介してサブマウント上面電極１３１に接続され、リードピンｐ４はワイヤＷ４を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ６を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

その結果、リードピンｐ２とリードピンｐ３との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ１とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ４とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、リードピンｐ２に正の電圧が印加され、リードピンｐ３に負の電圧が印加される。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、リードピンｐ４に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。

上記のように、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｂにおいては、複数のリードピンｐ１〜ｐ５のうち、リードピンｐ５がリードピンｐ１〜ｐ４の下方に設けられている。すなわち、リードピンｐ１〜ｐ５がＺ方向において複数列となるように配置されている。

これにより、半導体レーザ装置１００ｂのＹ方向の長さが制限されている場合でも、複数の配線に対応する数のリードピンを設けることができる。

第３の実施の形態においては、リードピンｐ２が第１の端子に相当し、リードピンｐ１が第２の端子に相当し、リードピンｐ４が第３の端子に相当し、リードピンｐ３が第４の端子に相当し、リードピンｐ５が第５の端子に相当する。

（第４の実施の形態）
第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図８は、第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図８では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図８に示すように、第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｃは、ベース１１０の中央部上方にＹ方向に延びるリードフレーム１５０が取り付けられている。リードフレーム１５０においては、５つの端子ｒ１〜ｒ５が絶縁性の樹脂１５１内で順に等間隔となるように配置されている。これにより、端子ｒ１〜ｒ５はベース１１０と電気的に絶縁されている。

端子ｒ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、端子ｒ２はワイヤＷ２を介してサブマウント上面電極１３１に接続されている。端子ｒ３はワイヤＷ３を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続され、端子ｒ４はワイヤＷ４を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続されている。

端子ｒ５はワイヤＷ５を介してベース１１０の本体に接続され、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ６を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

その結果、端子ｒ２と端子ｒ３との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、端子ｒ１と端子ｒ５との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、端子ｒ４と端子ｒ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、端子ｒ２に負の電圧が印加され、端子ｒ３に正の電圧が印加される。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、端子ｒ１に正の電圧が印加され、端子ｒ５が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、端子ｒ４に正の電圧が印加され、端子ｒ５が接地電位にされる。

上記のように、第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｃにおいては、第１の実施の形態において用いられるリードピンｐ１〜ｐ５に代えて、端子ｒ１〜ｒ５を備えるリードフレーム１５０が用いられている。

これにより、半導体レーザ装置１００ｃの構造が単純化し、半導体レーザ装置１００ｃの製造が容易となる。また、ベース１１０にリードフレーム１５０を取り付けることにより、製造コストを低減することができる。

第４の実施の形態においては、端子ｒ３が第１の端子に相当し、端子ｒ１が第２の端子に相当し、端子ｒ４が第３の端子に相当し、端子ｒ２が第４の端子に相当し、端子ｒ５が第５の端子に相当する。

（第５の実施の形態）
第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図９は、第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図９では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図９に示すように、第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｄは、ベース１１０の中央部上方でＹ方向へ順に等間隔となるようにリードピンｐ１〜ｐ３が配列されている。また、ベース１１０の中央部下方でＹ方向へ順に等間隔となるようにリードピンｐ４〜ｐ６が配列されている。

リードピンｐ１〜ｐ４，ｐ６は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。リードピンｐ５はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、第５の実施の形態においては、リードピンｐ１〜ｐ４，ｐ６がベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ５がベース１１０と電気的に接続されている。

リードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続されている。また、リードピンｐ３はワイヤＷ３を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続され、リードピンｐ４はワイヤＷ４を介してサブマウント上面電極１３１に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ８を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

なお、図９の半導体レーザ装置１００ｄにおいては、リードピンｐ６は１チップ半導体レーザ素子１０００の配線に用いられていない。

その結果、リードピンｐ２とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ１とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ３とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、リードピンｐ２に正の電圧が印加され、リードピンｐ４に負の電圧が印加される。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、リードピンｐ３に正の電圧が印加され、リードピンｐ５が接地電位にされる。

上記のように、第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｄにおいては、複数のリードピンｐ１〜ｐ６のうち、リードピンｐ１〜ｐ３がベース１１０の上段側に設けられ、リードピンｐ４〜ｐ６がベース１１０の下段側に設けられている。すなわち、リードピンｐ１〜ｐ６がＺ方向において複数列（２列）となるように配置されている。

これにより、半導体レーザ装置１００ｂの長軸の方向（Ｙ方向）の長さが制限されている場合でも、複数の配線に対応するリードピンを設けることができる。

第５の実施の形態においては、リードピンｐ２が第１の端子に相当し、リードピンｐ１が第２の端子に相当し、リードピンｐ３が第３の端子に相当し、リードピンｐ４が第４の端子に相当し、リードピンｐ５が第５の端子に相当する。

（第６の実施の形態）
第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図１０は、第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図１０では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図１０に示すように、第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｅは、ベース１１０の中央部上方に出力制御用のフォトダイオード１４０が設けられている。

さらに、ベース１１０の中央部上方でＹ方向へ順にリードピンｐ１，ｐ２が配列されている。また、ベース１１０の中央部下方でＹ方向へ順に等間隔となるようにリードピンｐ３〜ｐ５が配列されている。

リードピンｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ５は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。リードピンｐ４はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、リードピンｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ５がベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ４がベース１１０と電気的に接続されている。

リードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介してフォトダイオード１４０のｐ電極１４１に接続されている。また、リードピンｐ３はワイヤＷ３を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ５はワイヤＷ５を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続されている。なお、フォトダイオード１４０の図示しないｎ電極はベース１１０と電気的に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ６を介してサブマウント上面電極１３１に接続され、サブマウント上面電極１３１はワイヤＷ７を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、ワイヤＷ８を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

その結果、リードピンｐ１とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ３とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ５とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

このように、第６の実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極１５，２３，３３に対して、サブマウント上面電極１３１およびヒートシンク１１０Ｓが共通のｎ電極として作用している。

例えば、青紫色半導体レーザ素子１の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。赤色半導体レーザ素子２の駆動時には、リードピンｐ３に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。赤外半導体レーザ素子３の駆動時には、リードピンｐ５に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。

上述のように、フォトダイオード１４０はリードピンｐ２にｐ電極１４１が接続され、リードピンｐ４にｎ電極が接続されている。

これにより、フォトダイオード１４０が１チップ半導体レーザ素子１０００から出射されるレーザ光を受光することにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３から出射されるレーザ光をフィードバック制御することができる。

ここで、一般にフォトダイオード１４０は、受光するレーザ光の発振波長が短いと感度が低下する。しかし、上述のように青紫色半導体レーザ素子１を半導体レーザ装置１００ｅの略中央部に設けることができるので、半導体レーザ装置１００ｅの中央部に設けられたフォトダイオード１４０に効率よく青紫色半導体レーザ素子１から出射される波長約４００ｎｍ（青紫色）のレーザ光を照射することができる。

それにより、フォトダイオード１４０の光強度が増すのでフォトダイオード１４０に流れるモニタ電流が増加する。その結果、制御信号および雑音比の向上により、青紫色半導体レーザ素子１の出力制御を正確に行なうことができる。

また、第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｅにおいては、複数のリードピンｐ１〜ｐ５のうち、リードピンｐ１，ｐ２がベース１１０の上段側に設けられ、リードピンｐ３〜ｐ５がベース１１０の下段側に設けられている。すなわち、リードピンｐ１〜ｐ６がＺ方向において複数列（２列）となるように配置されている。

これにより、半導体レーザ装置１００ｅの長軸の方向（Ｙ方向）の長さが制限されている場合でも、複数の配線に対応するリードピンを設けることができる。

第６の実施の形態においては、リードピンｐ１が第１の端子に相当し、リードピンｐ３が第２の端子に相当し、リードピンｐ５が第３の端子に相当し、リードピンｐ４が第４の端子に相当する。

（第７の実施の形態）
第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｅと構造が異なる。

図１１は、第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図１１では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

図１１に示すように、第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｆにおいては、第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｅと同様に中央部上方に出力制御用のフォトダイオード１４０が設けられている。

そして、Ｙ方向においてフォトダイオード１４０を挟むようにリードピンｐ１，ｐ２が配列されている。

これらリードピンｐ１，ｐ２のＹ方向における配置間隔は、ベース１１０の下段側に設けられたリードピンｐ３，ｐ４，ｐ５のＹ方向における配置間隔と同じである。

また、リードピンｐ１はＹ方向においてリードピンｐ３，ｐ４間の略中央に位置し、リードピンｐ２はＹ方向においてリードピンｐ４，ｐ５間の略中央に位置する。

上述のように、リードピンｐ１〜ｐ５が配置されることにより、リードピンｐ１，ｐ２から１チップ半導体レーザ素子１０００およびフォトダイオード１４０までの距離が短くなる。

これにより、リードピンｐ１と１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２とを接続するワイヤＷ１の長さを短くすることができる。また、リードピンｐ２とフォトダイオード１４０のｐ電極１４１とを接続するワイヤＷ２の長さを短くすることができる。

その結果、ワイヤＷ１，Ｗ２のインダクタンス成分が低減されるので、１チップ半導体レーザ素子１０００の高周波特性が向上されている。

第７の実施の形態においては、リードピンｐ１が第１の端子に相当し、リードピンｐ３が第２の端子に相当し、リードピンｐ５が第３の端子に相当し、リードピンｐ４が第４の端子に相当する。

（第８の実施の形態）
第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図１２は、第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図であり、図１３は第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための上面図である。図１２および図１３では、第１の実施の形態の説明に用いた図３と同様に、ベース１１０上への１チップ半導体レーザ素子１０００の実装状態が示されている。

第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｇにおいては、リードピンｐ１〜ｐ５と１チップ半導体レーザ素子１０００との間の配線が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる。

サブマウント１３０の上面側には上述のサブマウント上面電極１３１は形成されていない。サブマウント１３０と青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５との間には、パターニング電極１３０ｃが形成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５およびパターニング電極１３０ｃは、ヒートシンク１１０Ｓと電気的に絶縁されている。

図１２では、リードピンｐ１〜ｐ５と１チップ半導体レーザ素子１０００との間の配線が導電通路Ｗ１０〜Ｗ６０により簡易的に示されている。

図１２によれば、リードピンｐ１は導電通路Ｗ１０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１３に接続され、リードピンｐ２は導電通路Ｗ２０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極１５に接続されている。また、リードピンｐ３は導電通路Ｗ３０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ電極１２に接続され、リードピンｐ４は導電通路Ｗ４０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｐ型パッド電極１４に接続されている。

また、ヒートシンク１１０Ｓは導電通路Ｗ５０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極２３に接続されるとともに、導電通路Ｗ６０を介して１チップ半導体レーザ素子１０００のｎ電極３３に接続されている。

その結果、リードピンｐ２とリードピンｐ３との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１が駆動される。また、リードピンｐ１とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２が駆動される。さらに、リードピンｐ４とリードピンｐ５との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３が駆動される。

第８の実施の形態において、図１２の導電通路Ｗ１０〜Ｗ６０の各々は図１３に示すように複数のワイヤおよびサブマウント１３０上に形成されるパターニング電極により構成されている。

したがって、第８の実施の形態において、サブマウント１３０は熱伝導率の高い絶縁性の材料から構成されることが好ましい。しかしながら、サブマウント１３０が導電性の材料により構成される場合には後述のパターニング電極との間に絶縁膜を形成する必要がある。

図１３によれば、導電通路Ｗ１０はパターニング電極１３０ｂおよびワイヤＷ１１，Ｗ１２からなる。サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ｂは、ワイヤＷ１１を介してリードピンｐ１に接続されるとともに、ワイヤＷ１２を介してｐ型パッド電極１３に接続されている。

導電通路Ｗ２０は図１３で示すように、青紫色半導体レーザ素子１の下部から延びるようにサブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ｃおよびワイヤＷ２１からなる。パターニング電極１３０ｃは、ワイヤＷ２１を介してリードピンｐ２に接続されている。

導電通路Ｗ３０はパターニング電極１３０ｄおよびワイヤＷ３１，Ｗ３２からなる。サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ｄは、ワイヤＷ３１を介してリードピンｐ３に接続されるとともに、ワイヤＷ３２を介してｐ電極１２に接続されている。

導電通路Ｗ４０はパターニング電極１３０ｅおよびワイヤＷ４１，Ｗ４２からなる。サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ｅは、ワイヤＷ４１を介してリードピンｐ４に接続されるとともに、ワイヤＷ４２を介してｐ型パッド電極１４に接続されている。

導電通路Ｗ５０はパターニング電極１３０ａおよびワイヤＷ５１，Ｗ５２からなる。サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ａは、ワイヤＷ５１を介してヒートシンク１１０Ｓに接続されるとともに、ワイヤＷ５２を介してｎ電極２３に接続されている。

導電通路Ｗ６０はパターニング電極１３０ｆおよびワイヤＷ６１，Ｗ６２からなる。サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ｆは、ワイヤＷ６１を介してヒートシンク１１０Ｓに接続されるとともに、ワイヤＷ６２を介してｎ電極３３に接続されている。

上記のように、第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｇにおいては、サブマウント１３０上に形成されたパターニング電極１３０ａ〜１３０ｆにより１チップ半導体レーザ素子１０００の配線に用いられるワイヤの長さが短くされている。

これにより、１チップ半導体レーザ素子１０００の配線に用いられるワイヤＷ１１，Ｗ１２，Ｗ２１，Ｗ３１，Ｗ３２，Ｗ４１，Ｗ４２，Ｗ５１，Ｗ５２，Ｗ６１，Ｗ６２のインダクタンス成分がそれぞれ低減されるので、１チップ半導体レーザ素子１０００の高周波特性が向上されている。

また、サブマウント１３０上に複数のパターニング電極１３０ａ〜１３０ｆを形成することができるので、サブマウント１３０およびヒートシンク１１０Ｓを大きくすることができる。その結果、放熱性が向上し、１チップ半導体レーザ素子１０００の信頼性が向上する。

第８の実施の形態においては、パターニング電極１３０ｃ，１３０ｄが第１の電極に相当し、パターニング電極１３０ａ，１３０ｂが第２の電極に相当し、パターニング電極１３０ｅ，１３０ｆが第３の電極に相当する。

また、リードピンｐ３が第１の端子に相当し、リードピンｐ１が第２の端子に相当し、リードピンｐ４が第３の端子に相当し、リードピンｐ２が第４の端子に相当し、リードピンｐ５が第５の端子に相当する。

（第９の実施の形態）
第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を備える。

図１４は、第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構造の一例を示す外観斜視図である。

図１４に示すように、第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置５００は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００、ケーシング２１０、ビームスプリッタ２２０、フォトダイオード２３０、ミラー２４０および図示しない上蓋から構成されている。

ここで、図１４においても、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すようにＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１と同様にＸ方向は半導体レーザ装置１００から出射されるレーザ光の出射方向と一致する。さらに、Ｙ方向は半導体レーザ装置１００の長軸の方向と一致する。Ｚ方向は半導体レーザ装置１００の短軸の方向と一致する。

なお、図１４では、光ピックアップ装置５００を構成しない集光レンズ６１０が示されている。

図１４に示すように、ケーシング２１０は長方形の箱型形状を有する。ケーシング２１０のＹＺ平面に平行な一側面にはレーザ取り付け孔２１１が形成されている。レーザ取り付け孔２１１はＹ方向に延びる。このレーザ取り付け孔２１１には、半導体レーザ装置１００が取り付けられる。

レーザ取り付け孔２１１に取り付けられた半導体レーザ装置１００のＸ方向における同軸上で、かつケーシング２１０の略中央部にビームスプリッタ２２０が配置されている。

ケーシング２１０の内部では、ビームスプリッタ２２０を中心としてＹ方向で対向するようにフォトダイオード２３０およびミラー２４０が配置されている。フォトダイオード２３０は、ＸＺ平面に平行なケーシング２１０の一内側面に取り付けられている。ミラー２４０のＺ方向における同軸上に集光レンズ６１０が配置されている。

図１５は、図１４の光ピックアップ装置５００の動作時におけるレーザ光の光路を説明するための図である。図１５（ａ）は光ピックアップ装置５００の外観斜視図を示し、図１５（ｂ）は光ピックアップ装置５００の側面図を示す。

図１５（ａ），（ｂ）に示すように、光ピックアップ装置５００の動作時においては、光ディスク３００が、図示しない駆動機構によりＸＹ平面に平行となるように光ピックアップ装置５００および集光レンズ６１０の上方で保持されるとともに、回転される。

光ピックアップ装置５００の動作時において、半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光は、実線の矢印に示すようにＸ方向に沿って出射され、ビームスプリッタ２２０に入射する。そして、レーザ光はビームスプリッタ２２０によりＸＹ平面内でＹ方向に屈折し、ミラー２４０に入射する。その後、レーザ光はミラー２４０によりＹＺ平面内でＺ方向に屈折し、集光レンズ６１０を通じて光ディスク３００の表面に入射する。

続いて、光ディスク３００により反射されたレーザ光は、破線の矢印で示すように、集光レンズ６１０を通じてミラー２４０に入射する。ミラー２４０に入射したレーザ光はＹＺ平面内でＹ方向に屈折し、ビームスプリッタ２２０を通じてフォトダイオード２３０に入射する。

このように、第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置５００においては、半導体レーザ装置１００の長軸の方向（Ｙ方向）および半導体レーザ装置１００のレーザ光の出射方向（Ｘ方向）に平行な平面（ＸＹ平面）上に、ビームスプリッタ２２０、フォトダイオード２３０およびミラー２４０が配置されている。

換言すれば、半導体レーザ装置１００は、半導体レーザ装置１００と、ビームスプリッタ２２０、フォトダイオード２３０およびミラー２４０のうちのいずれか２つの構成部材とで形成される平面において、レーザ光の出射方向に対して垂直な方向に長軸の方向を有する。

また、半導体レーザ装置１００は、半導体レーザ装置１００と、ビームスプリッタ２２０、フォトダイオード２３０およびミラー２４０のうちのいずれか２つの構成部材とで形成される平面に垂直な方向に短軸の方向を有する。

さらに、換言すれば、半導体レーザ装置１００は図示しない駆動機構により保持される光ディスク３００対して垂直な方向に短軸の方向を有する。

このように、第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置５００においては、半導体レーザ装置１００が、光ピックアップ装置５００の少なくとも３つの構成部材により形成される平面に垂直な方向に短軸の方向を有するので、光ピックアップ装置５００のＺ方向における薄型化が実現されている。

図１６は、第９の実施の形態に係る光学記録媒体駆動装置の構成を示すブロック図である。図１６の光学記録媒体駆動装置６００は光ディスク３００から情報を読み取り、また光ディスク３００へ情報を記録する光ディスクドライブ装置である。

光学記録媒体駆動装置６００は、上記の光ピックアップ装置５００、モータ６１１、送りモータ６１２、回転制御系６１３、信号処理系６１４、ピックアップ制御系６１５、送りモータ制御系６１６およびドライブコントローラ６１７を含む。

モータ６１１は、光ディスク３００を所定の速度で回転させる。回転制御系６１３は、モータ６１１の回転動作を制御する。送りモータ６１２は、光ピックアップ装置５００を光ディスク３００の半径方向に移動させる。送りモータ制御系６１６は、送りモータ６１２の動作を制御する。光ピックアップ装置５００は、光ディスク３００にレーザ光を照射するとともに光ディスク３００からの反射光束を受光する。ピックアップ制御系６１５は、光ピックアップ装置５００の投受光操作を制御する。

信号処理系６１４は、図１４の光ピックアップ装置５００のフォトダイオード２３０からの出力信号を受け、再生信号、焦点誤差信号およびトラッキング誤差信号を算出し、再生信号をドライブコントローラ６１７に与え、焦点誤差信号およびトラッキング誤差信号をピックアップ制御系６１５に与える。ドライブコントローラ６１７は、ドライブインターフェイス６１８を介して与えられる指令にしたがって回転制御系６１３、信号処理系６１４、ピックアップ制御系６１５および送りモータ制御系６１６を制御するとともに、ドライブインターフェイス６１８を介して再生信号を出力する。

図１６の光学記録媒体駆動装置６００においては、上記の光ピックアップ装置５００が用いられているので、Ｚ方向における薄型化が実現される。

第９の実施の形態においては、光ディスク３００が光学記録媒体に相当し、光ピックアップ装置５００が光ピックアップ装置に相当し、光学記録媒体駆動装置６００が光学記録媒体駆動装置に相当する。

また、Ｘ方向およびＹ方向に平行な面が仮想面に相当し、ビームスピリッタ２２０が第１の光学素子に相当し、ミラー２４０が第２の光学素子に相当し、フォトダイオード２３０が光検出器に相当し、ケーシング２１０が支持部材に相当する。

さらに、モータ６１１および回転制御系６１３が回転駆動部に相当し、集光レンズ６１０が集光レンズに相当し、送りモータ６１２および送りモータ制御系６１６がピックアップ駆動部に相当し、信号処理系６１４が信号処理部に相当する。

（第１０の実施の形態）
第１０の実施の形態に係る半導体レーザ装置は以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と構造が異なる。

図１７は、第１０の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。図１７では、ベース１１０上への１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００の実装状態が示されている。

１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００は３つの半導体レーザ素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を備える。

３つの半導体レーザ素子Ｌ１〜Ｌ３は、共通のＧａＮ基板上にそれぞれ半導体層を形成することにより作製されている。半導体レーザ素子Ｌ１〜Ｌ３の上部には、それぞれｐ電極ｅ１，ｅ２，ｅ３が形成されている。

半導体レーザ素子Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ電気的に分離されている。これにより、半導体レーザ素子Ｌ１〜Ｌ３をそれぞれ個別に駆動することができる。

図１７に示すように、第１０の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｈは、ベース１１０の中央部上方でＹ方向に等間隔となるようにリードピンｐ１〜ｐ４が順に配列されている。

リードピンｐ１〜ｐ３は絶縁リング１１０ｚを介してベース１１０に取り付けられている。リードピンｐ４はベース１１０の背面側からＸ方向に延びるように接着されている。

これにより、リードピンｐ１〜ｐ３はベース１１０と電気的に絶縁され、リードピンｐ４がベース１１０と電気的に接続されている。

リードピンｐ１はワイヤＷ１を介して１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００のｐ電極ｅ１に接続され、リードピンｐ２はワイヤＷ２を介して１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００のｐ電極ｅ２に接続され、リードピンｐ３はワイヤＷ３を介して１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００のｐ電極ｅ３に接続されている。

また、ヒートシンク１１０ＳはワイヤＷ４およびサブマウント上面電極１３１を介して１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００のｎ電極１５に接続されている。

その結果、リードピンｐ１とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより半導体レーザ素子Ｌ１が駆動される。また、リードピンｐ２とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより半導体レーザ素子Ｌ２が駆動される。さらに、リードピンｐ３とリードピンｐ４との間に電圧を印加することにより半導体レーザ素子Ｌ３が駆動される。

例えば、半導体レーザ素子Ｌ１の駆動時には、リードピンｐ１に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。半導体レーザ素子Ｌ２の駆動時には、リードピンｐ２に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。半導体レーザ素子Ｌ３の駆動時には、リードピンｐ３に正の電圧が印加され、リードピンｐ４が接地電位にされる。

上記のように、第１０の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００ｈにおいては、薄型化が実現されるとともに、金属製のベース１１０がＹ方向に延びている。それにより発熱の大きい青紫色半導体レーザ素子を複数有する１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００において発生する熱がＹ方向に広がるので、１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００の放熱性が向上されている。その結果、１チップ青紫色半導体レーザ素子２０００の信頼性が向上している。

第１０の実施の形態においては、リードピンｐ１が第１の端子に相当し、リードピンｐ２が第２の端子の相当し、リードピンｐ３が第３の端子に相当し、リードピンｐ４が第４の端子に相当する。

（他の構成について）
以上、第１〜第９の実施の形態において説明した半導体レーザ装置１００の１チップ半導体レーザ素子１０００は、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３から形成されている。しかしながら、半導体レーザ装置１００のヒートシンク１１０Ｓに実装される１チップ半導体レーザ素子１０００は、他の発光波長を有する半導体レーザ素子を積層したものであってもよい。

また、半導体レーザ装置１００のヒートシンク１１０Ｓ上には、必ずしも複数の半導体レーザ素子が積層された１チップ半導体レーザ素子が実装される必要はない。半導体レーザ装置１００のヒートシンク１１０Ｓ上には、複数の半導体レーザ素子がＹ方向に並ぶように配置されてもよい。

半導体レーザ装置１００のサブマウント１３０は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ（ケイ素）またはダイヤモンド等の熱伝導性に優れた絶縁性材料を用いてもよいし、Ｃｕ（銅）、ＣｕＷ（銅タングステン）およびＡｌ（アルミニウム）等の導電性材料を用いてもよいし、用いなくてもよい。

ただし、１チップ半導体レーザ素子１０００の駆動方法に応じて、１チップ半導体レーザ素子１０００と各リードピンとの接続を行う必要がある。また、導電性材料を用いる場合には、適宜絶縁層等を形成する必要がある。

半導体レーザ装置１００のベース１１０およびヒートシンク１１０Ｓは必ずしも、一体形成される必要はなく、個別に作製されてもよい。また、ベース１１０およびヒートシンク１１０Ｓには、Ｃｕ、Ｆｅ（鉄）およびＡｌまたはこれらの合金等の熱伝導性に優れた金属材料を用いることが好ましい。

第９の実施の形態において、半導体レーザ装置１００は光ピックアップ装置５００の少なくとも３つの構成部材により形成される平面に垂直な方向に短軸の方向を有するとしているが、半導体レーザ装置１００の短軸の方向は、必ずしも３つの構成部材により形成される平面と正確に垂直となる必要はなく、略垂直であってもよい。

本発明は、複数種類の光学記録媒体の記録および再生を行うための光ピックアップ装置、表示装置、光源等ならびにそれらの製造に有効に利用できる。

第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図である。 図１の半導体レーザ装置の１チップ半導体レーザ素子、ベースおよびリードピンを説明するための図である。 図２のベース上への１チップ半導体レーザ素子の実装状態を説明するための正面図である。 図２のベース上への１チップ半導体レーザ素子の実装状態を説明するための上面図である。 図３の半導体レーザ装置の駆動装置の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。 第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図であり、 第８の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための上面図である。 第９の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構造の一例を示す外観斜視図である。 図１４の光ピックアップ装置の動作時におけるレーザ光の光路を説明するための図である。 第９の実施の形態に係る光学記録媒体駆動装置の構成を示すブロック図である。 第１０の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための正面図である。

符号の説明

１２ ｐ電極
１３，１４ ｐ型パッド電極
２３，３３ ｎ電極
１００ 半導体レーザ装置
１１０ ベース
１１１ 正面
１１２ 背面
１１３ 上面
１１４ 下面
１１０ｄ 実装面
１１０Ｓ ヒートシンク
１２０ キャップ
１２１ 取り出し窓
２１０ ケーシング
２２０ ビームスピリッタ
２３０ フォトダイオード
２４０ ミラー
３００ 光ディスク
５００ 光ピックアップ装置
６００ 光学記録媒体駆動装置
６１０ 集光レンズ
６１１ モータ
６１２ 送りモータ
６１３ 回転制御系
６１４ 信号処理系
６１６ 送りモータ制御系
Ａ，Ｂ 矢印
ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４，ｐ５ リードピン
ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５ 端子

Claims (12)

1. 互いに直交する長軸および短軸を有する一面および他面を備えたベース部材と、
   前記ベース部材の一面に設けられ、実装面を有する台座部と、
   前記ベース部材の一面に垂直な方向に第１、第２および第３の波長の光をそれぞれ出射するように前記実装面に実装される第１、第２および第３の半導体レーザ素子と、
   前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ベース部材の他面から突出するように設けられる３つ以上の端子とを備え、
   前記３つ以上の端子のうち少なくとも２つの端子が前記長軸の方向に沿って配置されることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記第１、第２および第３の波長のうち少なくとも１つの波長は、３６０ｎｍ〜４８０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 前記ベース部材の一面に設けられ、前記台座部と、前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを覆う封止部材と、
   前記封止部材に設けられ、前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子から出射される前記第１、第２および第３の波長の光を透過する透光性部材とをさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
4. 前記実装面は前記長軸の方向に平行であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
5. 前記ベース部材は前記長軸の方向に略平行な第１および第２の側面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
6. 前記台座部は、前記第１の側面と前記第２の側面との中間点よりも前記第１および第２の側面の一方に近い位置に配置されることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。
7. 前記ベース部材、前記台座部、前記封止部材および前記３つ以上の端子は金属材料からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
8. 前記３つ以上の端子は、第１、第２、第３および第４の端子を含み、
   前記第１の端子は、前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第２の端子は、前記第２の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第３の端子は、前記第３の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第４の端子は、前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
9. 前記３つ以上の端子は、第１、第２、第３、第４および第５の端子を含み、
   前記第１の端子は、前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第２の端子は、前記第２の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第３の端子は、前記第３の半導体レーザ素子の一方電極に電気的に接続され、
   前記第４の端子は、前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続され、
   前記第５の端子は、前記第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
10. 前記台座部の実装面に設けられ、
    前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子に電気的に接続される第１、第２および第３の電極をさらに備え、
    前記３つ以上の端子は、それぞれ前記第１、第２および第３の電極を通じて前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極または他方電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項８または９記載の半導体レーザ装置。
11. 光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体からの帰還光を検出する光ピックアップ装置であって、
    仮想面に略平行な第１の方向に光を出射する請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置から出射された光を前記第１の方向から前記仮想面に略平行な第２の方向に屈曲させる第１の光学素子と、
    前記第１の光学素子により屈曲された光を前記仮想面に略垂直な第２の方向に屈曲させる第２の光学素子と、
    光を検出する光検出器と、
    前記半導体レーザ装置、前記第１の光学素子、前記第２の光学素子および前記光検出器を支持する支持部材とを備え、
    前記第２の光学素子は、前記光学記録媒体からの帰還光を前記第１の光学素子に導き、
    前記第１の光学素子は、前記第２の光学素子からの光を前記光検出器に導き、
    前記半導体レーザ装置は、前記支持部材により前記ベース部材の長軸の方向が前記仮想面と平行となるように支持されることを特徴とする光ピックアップ装置。
12. 光学記録媒体を回転させる回転駆動部と、
    請求項１１記載の光ピックアップ装置と、
    前記光ピックアップ装置から出射された光を前記光学記録媒体に集光する集光レンズと、
    前記光ピックアップ装置を前記光学記録媒体の半径方向に移動させるピックアップ駆動部と、
    前記光ピックアップ装置の前記光検出器からの出力信号を処理する信号処理部とを備えたことを特徴とする光学記録媒体駆動装置。

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