JP2000214800A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス表示装置

Info

Publication number
JP2000214800A
JP2000214800A JP11012280A JP1228099A JP2000214800A JP 2000214800 A JP2000214800 A JP 2000214800A JP 11012280 A JP11012280 A JP 11012280A JP 1228099 A JP1228099 A JP 1228099A JP 2000214800 A JP2000214800 A JP 2000214800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tft
drain
gate
display device
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11012280A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Yamada
努 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP11012280A priority Critical patent/JP2000214800A/ja
Priority to TW089100688A priority patent/TW439388B/zh
Priority to US09/487,004 priority patent/US6781155B1/en
Priority to KR1020000002561A priority patent/KR100714946B1/ko
Publication of JP2000214800A publication Critical patent/JP2000214800A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速の書き込みと保持特性が良い第１のＴＦ
Ｔと、電流制御性が良い第２のＴＦＴとを備えているの
で、良好な階調表示が可能なＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 スイッチング用の第１のＴＦＴ３０と、
有機ＥＬ素子駆動用の第２のＴＦＴと、陽極６１、陰極
６６及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６５から成
る有機ＥＬ素子６０とを備えた有機ＥＬ表示装置であっ
て、第１のＴＦＴ３０はｎ型チャネルを有しＬＤＤ構造
を備えており、第２のＴＦＴはｐ型チャネルを有してい
る構造であるので、オン電流を高くリーク電流を小さく
することができるとともに、良好な階調表示を得ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図６に、従来のＥＬ素子及びＴＦＴを備え
たＥＬ表示装置の等価回路図を示す。
【０００４】同図は、第１のＴＦＴ１３０、第２のＴＦ
Ｔ１４０及び有機ＥＬ素子１６０からなるＥＬ表示装置
の等価回路図であり、第ｎ行のゲート信号線Ｇｎと第ｍ
列のドレイン信号線Ｄｍ付近を示している。
【０００５】ゲート信号を供給するゲート信号線Ｇｎと
ドレイン信号を供給するドレイン信号線Ｄｍとが互いに
直交しており、両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素
子１６０及びこの有機ＥＬ素子１６０を駆動するＴＦＴ
１３０，１４０が設けられている。
【０００６】スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦ
Ｔ１３０は、ゲート信号線Ｇｎに接続されておりゲート
信号が供給されるゲート電極１３１と、ドレイン信号線
Ｄｍに接続されておりドレイン信号が供給されるドレイ
ン電極１３２と、第２のＴＦＴ１４０のゲート電極１４
１に接続されているソース電極１３３とからなる。
【０００７】有機ＥＬ素子駆動用のＴＦＴである第２の
ＴＦＴ１４０は、第１のＴＦＴ１３０のソース電極１３
３に接続されているゲート電極１４１と、有機ＥＬ素子
１６０の陽極１６１に接続されたソース電極１４２と、
有機ＥＬ素子１６０に供給される駆動電源１５０に接続
されたドレイン電極１４３とから成る。
【０００８】また、有機ＥＬ素子１６０は、ソース電極
１４２に接続された陽極１６１と、コモン電極１６４に
接続された陰極１６２、及びこの陽極１６１と陰極１６
２との間に挟まれた発光素子層１６３から成る。
【０００９】また、第１のＴＦＴ１３０のソース電極１
３３と第２のＴＦＴ１４０のゲート電極１４１との間に
一方の電極１７１が接続され他方の電極１７２がコモン
電極１７３に接続された補助容量１７０を備えている。
【００１０】ここで、図６の等価回路図に示す回路の駆
動方法について、図７に示す各信号のタイミングチャー
トに基づいて説明する。図７（ａ）は第ｎ行の第１のＴ
ＦＴ１３０のゲート電極１３１に供給される信号ＶG(n)
1の、同（ｂ）はドレイン信号線Ｄｍのドレイン信号ＶD
の、同（ｃ）は第ｎ行の第２のＴＦＴ１４０のゲート電
極１４１に供給される信号ＶG(n)２のそれぞれのタイミ
ングチャートを示す。
【００１１】図７（ａ）に示すゲート信号線Ｇｎからの
ゲート信号ＶG(n)1がゲート電極１３１に印加される
と、第１のＴＦＴ１３０がオンになる。そのため、ドレ
イン信号線Ｄｍから図７（ｂ）に示すドレイン信号ＶD
がゲート電極１４１に供給され、ゲート電極１４１の電
位がドレイン信号線Ｄmの電位と同電位になる。そして
ゲート電極１４１に供給された電流値に相当する電流が
駆動電源１５０から有機ＥＬ素子１６０に供給される。
それによって有機ＥＬ素子１６０は発光する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ここで、第１のＴＦＴ
１３０がオンの期間には、ドレイン信号線Ｄｍの電位と
同電位になるまで電流が流れてゲート電極１４１のゲー
ト容量に電荷が蓄積される。そして、第１のＴＦＴ１３
０がオフになると、そのゲート容量に蓄積された電荷は
その状態を維持し、ゲート電位は、図７（ｃ）の点線で
示すように保持される必要がある。
【００１３】しかしながら、上述の従来のＥＬ表示装置
ではＴＦＴのオフ時にリーク電流が流れるため、ドレイ
ン信号ＶDが図６（ｂ）に示すように１水平期間（１
Ｈ）毎に変化すると、ゲート電極１４１の電位ＶG(n)2
は、図６（ｃ）の実線に示すように変化してしまい保持
されない。
【００１４】即ち、図７（ｃ）の実線に示すように、
（１）ドレイン信号線Ｄｍの電位がゲート電極１４１に
供給された電位よりも低い場合には、第１のＴＦＴ１３
０を介してドレイン信号線Ｄｍにリーク電流が流れてゲ
ート電極１４１の電位が低下する。また、（２）ドレイ
ン信号線Ｄｍの電位がゲート電極１４１に供給された電
位よりも高い場合には第１のＴＦＴ１３０を介してゲー
ト電極１４１にリーク電流が流れ、電荷が更に蓄積され
てゲート電極１４１の電位が高くなる。
【００１５】そうすると、（１）の場合には、本来有機
ＥＬ素子１６０に流れるべき電流よりも大きい電流が流
れることになり有機ＥＬ素子の輝度が高くなってしま
い、（２）の場合には、逆に輝度が低くなってしまう。
【００１６】これらいずれの場合にも、図７（ｃ）の点
線で示すように、第１のＴＦＴ１３０のリーク電流が大
きいと、発光する表示画素が発光すべき輝度で発光する
ことが困難であるという欠点があった。
【００１７】また、第２のＴＦＴは、有機ＥＬを駆動す
る電源からの電流を、第２のＴＦＴのゲートに印加され
た電圧に応じて制御して有機ＥＬ素子に供給する機能を
有しており、また、その能動層は、ゲートと重畳するチ
ャネル領域は真性又は実質的に真性な領域と、その両側
の領域に不純物をドーピングしたソース及びドレイン領
域を備えている。
【００１８】ところが、図９の点線で示すように、第２
のＴＦＴがｎ型チャネルの場合にはそのドレイン電流−
ドレイン電圧（Ｉd−Ｖd）特性において、ドレイン電圧
Ｖdが増大しても一定のドレイン電流値Ｉdになる、いわ
ゆる飽和する領域が極めて狭い（飽和特性が悪い）た
め、Ｖd値が大きくなると電流値Ｉdが大きくなってしま
い、電圧Ｖdによって一定の電流が得られず電流の制御
性が悪いという欠点があった。
【００１９】特にｎ型チャネルの多結晶シリコンＴＦＴ
では結晶粒界が存在し、粒界にトラップされた電子によ
ってポテンシャルバリアが形成され空乏層が広がる。こ
のためドレイン電極エッジにおいて粒界に強い電界がか
かり、これにより加速された電子が格子と衝突する衝突
電離現象が発生するため、ドレイン電流は飽和せずに増
加する。
【００２０】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、第１のＴＦＴ１３０のリーク電
流を抑制して第２のＴＦＴ１４０のゲート電極１４１の
電位を保持するとともに、第２のＴＦＴ１４０の電流制
御性を良くすることにより、良好な階調表示が得られる
ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層の
ソースが補助容量に、前記能動層のドレインがドレイン
信号線に、前記能動層のチャネル上方に設けたゲート電
極がゲート信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トラ
ンジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレイ
ンが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、
ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソースにそれぞ
れ接続された第２の薄膜トランジスタとを備えており、
前記第１の薄膜トランジスタはｎ型チャネルを有すると
ともに、ＬＤＤ構造、マルチゲート構造またはオフセッ
ト構造のうちいずれか１つの構造を備えており、前記第
２の薄膜トランジスタはｐ型チャネルを備えているもの
である。
【００２２】また、本発明のＥＬ表示装置は、陽極と陰
極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素
子と、非単結晶半導体膜からなる能動層のソースが補助
容量に、前記能動層のドレインがドレイン信号線に、前
記能動層のチャネル下方に設けたゲート電極がゲート信
号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、
非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレ
クトロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲートが前記
第１の薄膜トランジスタのソースにそれぞれ接続された
第２の薄膜トランジスタとを備えており、前記第１の薄
膜トランジスタはｎ型チャネルを有するとともに、ＬＤ
Ｄ構造、マルチゲート構造またはオフセット構造のうち
いずれか１つの構造を備えており、前記第２の薄膜トラ
ンジスタはｐ型チャネルを備えているものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明のＥＬ表示装置について以
下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明を有機ＥＬ表示装置
に適用した場合の１表示画素を示す平面図を示し、図２
（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図２
（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２４】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成さ
れている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が
備えられており、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは後述
の補助容量電極線５４との間で補助容量をなす容量電極
５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１
に接続されている。第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機
ＥＬの陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有
機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されてい
る。
【００２５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に補助容量電極線５４が配置されている。この
補助容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと接続された
容量電極５５との間で電荷を蓄積して補助容量を成して
いる。この補助容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極
４１に印加される電圧を保持するために設けられてい
る。
【００２６】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示装置を形
成する。
【００２７】本実施の形態においては、第１及び第２の
ＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下
方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、能
動層として多結晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ
−Ｓｉ」と称する。）膜を用いた場合を示す。またゲー
ト電極１１がダブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示
す。
【００２８】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０について説明する。
【００２９】図２（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌか
ら成るドレイン信号線５２を形成する。そして有機ＥＬ
素子の駆動電源であり駆動電源に接続されＡｌから成る
駆動電源線５３を形成する。
【００３０】続いて、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ
膜からなる能動層１３を順に形成する。
【００３１】その能動層１３には、いわゆるＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造が形成されている。即ち、ゲ
ート電極１１上のチャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１
４をマスクにしてイオンドーピングし、更にゲート電極
１１及びその両側のゲート電極１１から一定の距離まで
をレジストにてカバーしイオンドーピングしてゲート電
極１１の両側に低濃度領域１３ＬＤ（図中左上方から右
下方に向かう斜線で表示）とその外側に高濃度領域（図
中右上方から左下方に向かう斜線で表示）のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。
【００３２】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。
【００３３】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００３４】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
【００３５】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４３を順に形成する。
【００３６】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側に、その両側をレジストにてカバ
ーしてイオンドーピングしてソース１３ｓ及びドレイン
１３ｄが設けられている。
【００３７】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有
機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成す
る。
【００３８】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であ
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methy lphenylp
henylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６
２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナ
クリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-
ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る
発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる
発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成
る陰極６６がこの順番で積層形成された構造である。
【００３９】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００４０】図３に各信号のタイミングチャートを示
す。なお、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の等
価回路は前述の図６と同じである。
【００４１】図３において、図（ａ）は第ｎ行の第１の
ＴＦＴのゲート電極に供給される信号ＶG(n)1の、同
（ｂ）は第ｍ列のドレイン信号ＶDの、同（ｃ）は第ｎ
行の第２のＴＦＴのゲート電極の信号ＶG(n)2のそれぞ
れのタイミングチャートを示す。
【００４２】図３（ａ）に示すようにゲート信号線Ｇｎ
に接続されたゲート１１にゲート信号が供給されると第
１のＴＦＴ３０が１水平期間（１Ｈ）オン状態を保ちそ
の後オフになる。そのオン状態になったとき図３（ｃ）
に示すようにドレイン信号線Ｄｍから図３（ｂ）に示す
ドレイン信号がソース４３ｓを介してゲート電極４１に
供給され、そのゲート電極４１の電位がドレイン信号線
Ｄｍの電位と同電位になる。こうしてゲート電極４１に
電位が供給されると第２のＴＦＴ４０がオン状態とな
り、ゲート電極４１の電流値に相当する電流が駆動電源
５０からドレイン４３ｄ及びソース４３ｓを介して有機
ＥＬ素子６０の陽極６１に供給される。そうして有機Ｅ
Ｌ素子６０が発光する。
【００４３】このように構成された表示画素が基板１０
上にマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表
示装置が形成される。
【００４４】以上のように、本発明によれば、第１のＴ
ＦＴ３０がｎ型を呈する不純物をドーピングしたソース
及びドレインを備えた能動層１３を備えたＬＤＤ構造で
あるｎ型チャネルＴＦＴであるので、電界移動度が高く
第１のＴＦＴ３０のリーク電流を抑制することができ
る。即ち高速で書き込みができるとともに電圧保持特性
が良いため、図３（ｂ）に示すようにドレイン信号が１
Ｈごとに変化する信号に追従して書き込みをすることが
でき、図３（ｃ）の点線で示す従来のようにゲート電極
４１の電位が変化することなく、実線で示したように電
位を保持することができるとともに、更に図８中の実線
で示すように高いオン電流を得ることができるため、発
光すべき電流を低下させることなく安定して有機ＥＬ素
子に供給することができる。
【００４５】また、第２のＴＦＴ４０がｐ型を呈する不
純物をドーピングしたソース及びドレインを備えた能動
層を備えたｐ型チャネルＴＦＴであるので、図９中に実
線で示すように、Ｉd−Ｖd特性において飽和する領域を
広くすることができるため、Ｖdに応じてＩdが変化しに
くくなる、即ちドレイン電圧の変化に応じたドレイン電
流値のばらつきが少なくなるので有機ＥＬ素子の発光輝
度が再現性良く均一にすることができることから良好な
階調表示を容易に得ることができる。
【００４６】特に多結晶シリコンＴＦＴでは、従来の技
術の欄で説明したように、結晶粒界が存在し、粒界にト
ラップされた電子によってポテンシャルバリアが形成さ
れ空乏層が広がる。このためドレイン電極エッジにおい
て粒界に強い電界がかかり、これにより加速された電子
が格子と衝突する衝突電離現象が発生するが、その現象
はｎ型チャネルＴＦＴの場合に比べｐ型チャネルの場合
の方が著しく小さいことから、ドレイン電流は飽和する
領域を示し良好な飽和特性を得ることができることか
ら、第２のＴＦＴとしてｐ型チャネルＴＦＴを用いる。
【００４７】以上のように、ｎ型チャネルを有しＬＤＤ
構造を備えた第１のＴＦＴ及びｐ型チャネルを有する第
２のＴＦＴを備えたことにより、高速の書き込みが可能
でリーク電流を低減できるとともに、再現性の良い発光
輝度を得ることができる有機ＥＬ表示装置が得られる。 ＜第２の実施の形態＞図４に本発明のＥＬ表示装置の第
１のＴＦＴの断面図を示す。
【００４８】本実施の形態が第１の実施の形態と異なる
点は、図４に示すように、第１のＴＦＴがｎ型チャネル
であってダブルゲート構造及びオフセット構造を有する
点である。
【００４９】図４に示すように、第１のＴＦＴは、ゲー
ト電極１１、ゲート絶縁膜１２を積層した上に設けたｐ
−Ｓｉから成る能動層のうち、ゲート電極１１の上方及
びゲート電極１１の両側に、真性又は実質的に真性な領
域１３OSが形成されている。この領域がいわゆるオフセ
ット領域である。更に図の斜線で示す領域にはリン等の
ｎ型の不純物がドーピングされているソース１３ｓ及び
ドレイン１３ｄである。こうして、第１のＴＦＴはオフ
セット領域を備えたいわゆるオフセット構造を備えてい
る。
【００５０】このように、ｎ型チャネルを有する第１の
ＴＦＴがダブルゲート構造及びオフセット構造とを備え
ることにより、電界移動度が高くリーク電流を小さくで
き、更に第２のＴＦＴを第１の実施の形態と同様にｐ型
チャネルを備えたＴＦＴとすることによりドレイン電圧
に対するドレイン電流のばらつきが少なく有機ＥＬ素子
の発光輝度が再現性良く均一にすることができ良好な階
調表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置が得られ
る。 ＜第３の実施の形態＞本実施の形態においては、第１及
び第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層
１３の上に設けたいわゆるトップゲート型のＴＦＴを用
いた場合を示す。なお、ゲート電極１１がダブルゲート
構造であるＴＦＴの場合を示す。
【００５１】図５（ａ）に第１のＴＦＴの断面図を示
し、図５（ｂ）に第２のＴＦＴの断面図を示す。
【００５２】図５（ａ）に示すように、絶縁性基板１０
上に、ｐ−Ｓｉから成る能動層を形成し、その能動層１
３には、ゲート絶縁膜１２を介して形成した２つのゲー
ト電極１１と重畳するチャネル１３ｃと、その両側にリ
ン等のｎ型の低濃度不純物をドーピングした低濃度領域
１３ＬＤを形成している。更に、ｎ型の不純物をドーピ
ングした高濃度領域のソース１３ｓ及びドレイン１３ｄ
を形成する。
【００５３】こうして、ＬＤＤ構造及びトップゲート構
造を有するスイッチング用の第１のＴＦＴが形成され
る。
【００５４】図５（ｂ）に示すように、絶縁性基板１０
上に、第１のＴＦＴの能動層１３の形成と同時に能動層
４３を形成する。この能動層４３には、第１のＴＦＴと
同様に、ゲート絶縁膜１２を介して形成した２つのゲー
ト電極４１と重畳するチャネル４３ｃと、その両側にボ
ロン（Ｂ）等のｐ型の不純物をドーピングしてソース４
３ｓ及びドレイン４３ｄを形成する。ソース４３ｓは有
機ＥＬ素子の陽極６１に接続されている。なお、有機Ｅ
Ｌ素子の構造は第１の実施の形態の場合と同様であるの
で説明は省略する。
【００５５】こうして、ｐ型チャネルを備えた有機ＥＬ
素子駆動用の第２のＴＦＴが形成される。
【００５６】このように、トップゲート構造を有する第
１及び第２のＴＦＴの場合も、前述のボトムゲート構造
を有する場合と同様に、電界移動度が高いので書き込み
が速くリーク電流が少ないので電圧保持特性が良い第１
のＴＦＴ、及び飽和特性がよく電流値のばらつきの小さ
い第２のＴＦＴを得ることができる。
【００５７】そのため、映像信号の保持特性が良く、良
好な階調表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置を得
ることができる。
【００５８】なお、上述の各実施の形態においては、第
１のＴＦＴはダブルゲート構造について説明したが、本
発明はそれに限定されるものではなく、ゲート電極が３
つ以上のマルチゲート構造においても適用が可能であ
る。
【００５９】また、上述の各実施の形態においては、能
動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコンを用いても良い。
【００６０】更に、上述の各実施の形態においては、有
機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機
ＥＬ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得ら
れる。
【００６１】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置は、高速の書き込
みと保持特性が良い第１のＴＦＴと、電流制御性が良い
第２のＴＦＴとを備えているので、良好な階調表示が可
能なＥＬ表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置の各信号のタイミングチ
ャートである。
【図４】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図６】ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図７】従来のＥＬ表示装置の各信号のタイミングチャ
ートである。
【図８】ＴＦＴの特性図である。
【図９】ＴＦＴの特性図である。
【符号の説明】
１１，４１ ゲート １３ｓ、４３ｓ ソース １３ｄ、４３ｄ ドレイン １３ｃ、４３ｃ チャネル １３ｓ、４３ｓ ＬＤＤ領域 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴＦＴ ５０ 駆動電源 ６０ 有機ＥＬ素子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
    クトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からな
    る能動層のソースが補助容量に、前記能動層のドレイン
    がドレイン信号線に、前記能動層のチャネル上方に設け
    たゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第１
    の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動
    層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆
    動電源に、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソー
    スにそれぞれ接続された第２の薄膜トランジスタとを備
    えており、前記第１の薄膜トランジスタはｎ型チャネル
    を有するとともに、ＬＤＤ構造、マルチゲート構造また
    はオフセット構造のうちいずれか１つの構造を備えてお
    り、前記第２の薄膜トランジスタはｐ型チャネルを備え
    ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
    装置。
  2. 【請求項２】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
    クトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からな
    る能動層のソースが補助容量に、前記能動層のドレイン
    がドレイン信号線に、前記能動層のチャネル下方に設け
    たゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第１
    の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動
    層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆
    動電源に、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソー
    スにそれぞれ接続された第２の薄膜トランジスタとを備
    えており、前記第１の薄膜トランジスタはｎ型チャネル
    を有するとともに、ＬＤＤ構造、マルチゲート構造また
    はオフセット構造のうちいずれか１つの構造を備えてお
    り、前記第２の薄膜トランジスタはｐ型チャネルを備え
    ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
    装置。
JP11012280A 1999-01-20 1999-01-20 エレクトロルミネッセンス表示装置 Pending JP2000214800A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11012280A JP2000214800A (ja) 1999-01-20 1999-01-20 エレクトロルミネッセンス表示装置
TW089100688A TW439388B (en) 1999-01-20 2000-01-18 Electro luminescence display device
US09/487,004 US6781155B1 (en) 1999-01-20 2000-01-19 Electroluminescence display device with a double gate type thin film transistor having a lightly doped drain structure
KR1020000002561A KR100714946B1 (ko) 1999-01-20 2000-01-20 일렉트로 루미네센스 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11012280A JP2000214800A (ja) 1999-01-20 1999-01-20 エレクトロルミネッセンス表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000214800A true JP2000214800A (ja) 2000-08-04

Family

ID=11800964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11012280A Pending JP2000214800A (ja) 1999-01-20 1999-01-20 エレクトロルミネッセンス表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6781155B1 (ja)
JP (1) JP2000214800A (ja)
KR (1) KR100714946B1 (ja)
TW (1) TW439388B (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001013893A (ja) * 1999-04-27 2001-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置及び電気器具
JP2002196700A (ja) * 2000-12-22 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2003044762A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-30 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical apparatus, and electronic device
JP2003208110A (ja) * 2001-11-09 2003-07-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2004126106A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100441436B1 (ko) * 2002-06-17 2004-07-21 삼성에스디아이 주식회사 투과율이 향상된 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100441435B1 (ko) * 2002-05-31 2004-07-21 삼성에스디아이 주식회사 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100441433B1 (ko) * 2001-04-12 2004-07-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2005182061A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子とその製造方法
KR100584060B1 (ko) * 2002-01-29 2006-05-29 산요덴키가부시키가이샤 구동 회로
JP2007041612A (ja) * 2002-01-18 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器
US7208765B2 (en) * 1999-10-29 2007-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR100712211B1 (ko) 2005-11-11 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
CN100375144C (zh) * 2002-11-06 2008-03-12 三菱电机株式会社 采样保持电路以及使用它的图像显示装置
US7368868B2 (en) 2003-02-13 2008-05-06 Fujifilm Corporation Active matrix organic EL display panel
JP2010002938A (ja) * 2002-01-18 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8022903B2 (en) 2007-07-03 2011-09-20 Sony Corporation Organic EL device and organic EL display apparatus
JP2012118533A (ja) * 2000-09-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2013231986A (ja) * 2005-03-18 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014222346A (ja) * 2001-09-21 2014-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016119482A (ja) * 2010-09-15 2016-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018019084A (ja) * 2001-11-09 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2022178842A1 (zh) * 2021-02-26 2022-09-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、显示面板及显示装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6677613B1 (en) * 1999-03-03 2004-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6876145B1 (en) * 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP2003195815A (ja) 2000-11-07 2003-07-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004264634A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4443179B2 (ja) * 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
CN100438067C (zh) * 2005-09-19 2008-11-26 友达光电股份有限公司 显示装置及其薄膜晶体管的放电方法
KR101518742B1 (ko) * 2008-09-19 2015-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102046997B1 (ko) 2013-04-04 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치
KR20150001154A (ko) * 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN104882414B (zh) * 2015-05-06 2018-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
KR102434370B1 (ko) 2015-08-27 2022-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3949040B2 (ja) * 2002-09-25 2007-07-25 東北パイオニア株式会社 発光表示パネルの駆動装置

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293483B2 (en) 1999-04-27 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US8994711B2 (en) 1999-04-27 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US7274349B2 (en) 1999-04-27 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US7843407B2 (en) 1999-04-27 2010-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2001013893A (ja) * 1999-04-27 2001-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置及び電気器具
US9837451B2 (en) 1999-04-27 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US6879309B2 (en) 1999-04-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US7208765B2 (en) * 1999-10-29 2007-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2012118533A (ja) * 2000-09-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2002196700A (ja) * 2000-12-22 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100441433B1 (ko) * 2001-04-12 2004-07-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
US9847381B2 (en) 2001-09-21 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9165952B2 (en) 2001-09-21 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2015187739A (ja) * 2001-09-21 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
US10068953B2 (en) 2001-09-21 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876063B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2014222346A (ja) * 2001-09-21 2014-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9876062B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9368527B2 (en) 2001-09-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2018097383A (ja) * 2001-11-09 2018-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9577016B2 (en) 2001-11-09 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100920316B1 (ko) * 2001-11-09 2009-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US10461140B2 (en) 2001-11-09 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7723721B2 (en) 2001-11-09 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having TFT
US8324618B2 (en) 2001-11-09 2012-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003208110A (ja) * 2001-11-09 2003-07-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2018019084A (ja) * 2001-11-09 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9905624B2 (en) 2001-11-09 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9054199B2 (en) 2001-11-09 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8154015B2 (en) 2001-11-09 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including thin film transistor
JP6306808B1 (ja) * 2001-11-09 2018-04-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2018106182A (ja) * 2001-11-09 2018-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US10680049B2 (en) 2001-11-09 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US11063102B2 (en) 2001-11-09 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8648338B2 (en) 2001-11-09 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising an organic compound layer
EP2287825A3 (en) * 2001-11-21 2012-08-15 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
US7982692B2 (en) 2001-11-21 2011-07-19 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
WO2003044762A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-30 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical apparatus, and electronic device
US8294637B2 (en) 2001-11-21 2012-10-23 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
EP1447786A1 (en) * 2001-11-21 2004-08-18 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical apparatus, and electronic device
EP1447786A4 (en) * 2001-11-21 2008-04-02 Seiko Epson Corp ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, ELECTROOPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
JPWO2003044762A1 (ja) * 2001-11-21 2005-03-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、電気光学装置および電子機器
US8525760B2 (en) 2001-11-21 2013-09-03 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
US7483001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
US10978613B2 (en) 2002-01-18 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4490403B2 (ja) * 2002-01-18 2010-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2010002938A (ja) * 2002-01-18 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012083771A (ja) * 2002-01-18 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012150483A (ja) * 2002-01-18 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびモジュール
US8723760B2 (en) 2002-01-18 2014-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2007041612A (ja) * 2002-01-18 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器
KR100584060B1 (ko) * 2002-01-29 2006-05-29 산요덴키가부시키가이샤 구동 회로
KR100441435B1 (ko) * 2002-05-31 2004-07-21 삼성에스디아이 주식회사 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100441436B1 (ko) * 2002-06-17 2004-07-21 삼성에스디아이 주식회사 투과율이 향상된 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP2004126106A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
CN100375144C (zh) * 2002-11-06 2008-03-12 三菱电机株式会社 采样保持电路以及使用它的图像显示装置
US7368868B2 (en) 2003-02-13 2008-05-06 Fujifilm Corporation Active matrix organic EL display panel
JP2005182061A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Lg Phillips Lcd Co Ltd 有機電界発光素子とその製造方法
US8097882B2 (en) 2003-12-22 2012-01-17 Lg Display Co., Ltd. Organic EL display and method of fabricating comprising plural TFTs and with connection electrode wrapped on organic pattern
JP2013231986A (ja) * 2005-03-18 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR100712211B1 (ko) 2005-11-11 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
US8022903B2 (en) 2007-07-03 2011-09-20 Sony Corporation Organic EL device and organic EL display apparatus
KR101474565B1 (ko) 2007-07-03 2014-12-18 소니 주식회사 유기 ｅｌ 소자, 및, 유기 ｅｌ 표시 장치
JP2016119482A (ja) * 2010-09-15 2016-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019165228A (ja) * 2010-09-15 2019-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2022178842A1 (zh) * 2021-02-26 2022-09-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、显示面板及显示装置
GB2610946A (en) * 2021-02-26 2023-03-22 Boe Technology Group Co Ltd Thin film transistor, display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010014450A (ko) 2001-02-26
US6781155B1 (en) 2004-08-24
TW439388B (en) 2001-06-07
KR100714946B1 (ko) 2007-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000214800A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4334045B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100653297B1 (ko) 일렉트로 루미네선스 표시 장치
KR100637822B1 (ko) 전자 발광 표시 장치
US6762564B2 (en) Display apparatus
KR100527029B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
JPH11231805A (ja) 表示装置
US20030076046A1 (en) Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
JP2000242196A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
US20050287750A1 (en) Transistor, method of fabricating the same, and light emitting display comprising the same
JP2003223120A (ja) 半導体表示装置
JP2001110575A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3649927B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001282137A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000223279A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001111053A (ja) 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP2000172199A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101183437B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치
JP2001134214A (ja) 表示装置
JP2001272930A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
US20030213955A1 (en) Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
JP2006330719A (ja) 有機発光ディスプレイ及びその製造方法
KR100482328B1 (ko) 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법
US8304281B2 (en) Driving transistor of organic light-emitting, method for fabricating the transistor, and organic light-emitting device including the transistor
US20040217355A1 (en) Electroluminescent display device

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090317

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090714