JP2000223279A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ表示素子とＴＦＴとからなるＥＬ表示装
置の各表示画素の発光輝度のばらつきを抑制したＥＬ表
示装置を提供する。 【解決手段】 陽極６１、陰極６６及び該両電極の間に
挟まれた発光素子層６５から成る有機ＥＬ素子６０と、
ドレイン電極１６がドレイン信号線に、ゲート電極１１
がゲート信号線にそれぞれ接続され互いに並列に接続さ
れた第１及び第２のＴＦＴ３０，３５と、ソース４３ｓ
が前記陽極６１に、ドレイン４２ｄが駆動電源５０に、
ゲート４１が前記第１の薄膜トランジスタ３０のソース
電極１８に接続された第３のＴＦＴ４０とを備えた有機
ＥＬ表示装置であって、前記第１及び第２のＴＦＴ３
０，３５の能動層１３，２３上の層間絶縁膜１５の上に
ドレイン電極１６を延在させた遮光体５６を設ける。
置の各表示画素の発光輝度のばらつきを抑制したＥＬ表
示装置を提供する。 【解決手段】 陽極６１、陰極６６及び該両電極の間に
挟まれた発光素子層６５から成る有機ＥＬ素子６０と、
ドレイン電極１６がドレイン信号線に、ゲート電極１１
がゲート信号線にそれぞれ接続され互いに並列に接続さ
れた第１及び第２のＴＦＴ３０，３５と、ソース４３ｓ
が前記陽極６１に、ドレイン４２ｄが駆動電源５０に、
ゲート４１が前記第１の薄膜トランジスタ３０のソース
電極１８に接続された第３のＴＦＴ４０とを備えた有機
ＥＬ表示装置であって、前記第１及び第２のＴＦＴ３
０，３５の能動層１３，２３上の層間絶縁膜１５の上に
ドレイン電極１６を延在させた遮光体５６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にエレクト
ロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエ
レクトロルミネッセンス表示装置に関する。
ロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエ
レクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図７に、ＥＬ素子及びＴＦＴ素子を備えた
ＥＬ表示装置の一表示画素の平面図を示す。
ＥＬ表示装置の一表示画素の平面図を示す。
【０００４】同図に示すように、ゲート信号を供給する
ゲート信号線Ｇｎとドレイン信号を供給するドレイン信
号線Ｄｍとが互いに直交しており、両信号線の交差点付
近には、有機ＥＬ素子１６０、スイッチング用の第１の
ＴＦＴ１３０、及び有機ＥＬ素子１６０を駆動する第３
のＴＦＴ１４０が設けられている。
ゲート信号線Ｇｎとドレイン信号を供給するドレイン信
号線Ｄｍとが互いに直交しており、両信号線の交差点付
近には、有機ＥＬ素子１６０、スイッチング用の第１の
ＴＦＴ１３０、及び有機ＥＬ素子１６０を駆動する第３
のＴＦＴ１４０が設けられている。
【０００５】図８に、ＥＬ素子及びＴＦＴ素子を備えた
ＥＬ表示装置の等価回路図を示す。
ＥＬ表示装置の等価回路図を示す。
【０００６】同図は、第１のＴＦＴ１３０、第３のＴＦ
Ｔ１４０及び有機ＥＬ素子１６０からなるＥＬ表示装置
の等価回路図であり、第ｎ行のゲート信号線Ｇｎと第ｍ
列のドレイン信号線Ｄｍ付近を示している。
Ｔ１４０及び有機ＥＬ素子１６０からなるＥＬ表示装置
の等価回路図であり、第ｎ行のゲート信号線Ｇｎと第ｍ
列のドレイン信号線Ｄｍ付近を示している。
【０００７】スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦ
Ｔ１３０は、ゲート信号線Ｇｎに接続されておりゲート
信号が供給されるゲート電極１３１と、ドレイン信号線
Ｄｍに接続されておりドレイン信号が供給されるドレイ
ン電極１３２と、第２のＴＦＴ１４０のゲート電極１４
１に接続されているソース電極１３３とからなる。
Ｔ１３０は、ゲート信号線Ｇｎに接続されておりゲート
信号が供給されるゲート電極１３１と、ドレイン信号線
Ｄｍに接続されておりドレイン信号が供給されるドレイ
ン電極１３２と、第２のＴＦＴ１４０のゲート電極１４
１に接続されているソース電極１３３とからなる。
【０００８】有機ＥＬ素子駆動用のＴＦＴである第３の
ＴＦＴ１４０は、第１のＴＦＴ１３０のソース電極１３
３に接続されているゲート電極１４１と、有機ＥＬ素子
１６０の陽極１６１に接続されたソース電極１４２と、
有機ＥＬ素子１６０に供給される駆動電源１５０に接続
されたドレイン電極１４３とから成る。
ＴＦＴ１４０は、第１のＴＦＴ１３０のソース電極１３
３に接続されているゲート電極１４１と、有機ＥＬ素子
１６０の陽極１６１に接続されたソース電極１４２と、
有機ＥＬ素子１６０に供給される駆動電源１５０に接続
されたドレイン電極１４３とから成る。
【０００９】また、有機ＥＬ素子１６０は、ソース電極
１４２に接続された陽極１６１と、コモン電極１６４に
接続された陰極１６２、及びこの陽極１６１と陰極１６
２との間に挟まれた発光素子層１６３から成る。
１４２に接続された陽極１６１と、コモン電極１６４に
接続された陰極１６２、及びこの陽極１６１と陰極１６
２との間に挟まれた発光素子層１６３から成る。
【００１０】また、第１のＴＦＴ１３０のソース電極１
３３と第３のＴＦＴ１４０のゲート電極１４１との間に
一方の電極１７１が接続され他方の電極１７２が駆動電
源線１５３に接続された保持容量１７０を備えている。
３３と第３のＴＦＴ１４０のゲート電極１４１との間に
一方の電極１７１が接続され他方の電極１７２が駆動電
源線１５３に接続された保持容量１７０を備えている。
【００１１】ここで、ゲート信号線Ｇｎからのゲート信
号がゲート１３１に印加されると、第１のＴＦＴ１３０
がオンになる。そのため、ドレイン信号線Ｄｍからドレ
イン信号がゲート１４１に供給され、保持容量１７０及
びゲート電極１４１のゲート容量に電荷が蓄積される。
そしてゲート１４１に供給された電圧に相当する電流が
駆動電源１５０から有機ＥＬ素子１６０に供給される。
それによって有機ＥＬ素子１６０は発光する。
号がゲート１３１に印加されると、第１のＴＦＴ１３０
がオンになる。そのため、ドレイン信号線Ｄｍからドレ
イン信号がゲート１４１に供給され、保持容量１７０及
びゲート電極１４１のゲート容量に電荷が蓄積される。
そしてゲート１４１に供給された電圧に相当する電流が
駆動電源１５０から有機ＥＬ素子１６０に供給される。
それによって有機ＥＬ素子１６０は発光する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子１６０に電流を
供給して駆動する第３のＴＦＴ１４０の特性が各表示画
素においてばらつきが生じる。例えば、第３のＴＦＴ１
４０の能動層が非晶質半導体膜にレーザーを照射して多
結晶化した半導体層である場合には、照射するレーザー
ビームが各半導体層のチャネル部に均一に照射されず、
半導体層の結晶のグレインサイズが不均一になってしま
いその特性がばらついてしまう。このように第３のＴＦ
Ｔ１４０の特性にばらつきがあると、有機ＥＬ素子１６
０に供給される電流値にも各表示画素においてばらつき
が生じてしまい発光輝度が不均一になってしまうという
欠点があった。
従来のＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子１６０に電流を
供給して駆動する第３のＴＦＴ１４０の特性が各表示画
素においてばらつきが生じる。例えば、第３のＴＦＴ１
４０の能動層が非晶質半導体膜にレーザーを照射して多
結晶化した半導体層である場合には、照射するレーザー
ビームが各半導体層のチャネル部に均一に照射されず、
半導体層の結晶のグレインサイズが不均一になってしま
いその特性がばらついてしまう。このように第３のＴＦ
Ｔ１４０の特性にばらつきがあると、有機ＥＬ素子１６
０に供給される電流値にも各表示画素においてばらつき
が生じてしまい発光輝度が不均一になってしまうという
欠点があった。
【００１３】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、スイッチング用のＴＦＴのリー
ク電流を制御して、その制御に応じてＥＬ素子駆動用の
ＴＦＴのゲート電極の電位を制御することにより、各表
示画素における輝度のばらつきを抑制して均一な輝度の
表示を得ることができるＥＬ表示装置を提供することを
目的とする。
て為されたものであり、スイッチング用のＴＦＴのリー
ク電流を制御して、その制御に応じてＥＬ素子駆動用の
ＴＦＴのゲート電極の電位を制御することにより、各表
示画素における輝度のばらつきを抑制して均一な輝度の
表示を得ることができるＥＬ表示装置を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、非
単結晶半導体膜からなる能動層のドレインがドレイン信
号線に、前記能動層のチャネル上又はチャネル下に設け
たゲート電極がゲート信号線に、それぞれ接続され互い
に並列接続された第１及び第２の薄膜トランジスタと、
非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記ＥＬ
素子の前記駆動電源に、ゲートが前記第１及び第２の薄
膜トランジスタの前記能動層のソースにそれぞれ接続さ
れた第３の薄膜トランジスタとを備えており、前記第
１、第２及び第３の薄膜トランジスタの上層に前記ＥＬ
素子が形成されており、前記第１又は第２の薄膜トラン
ジスタの少なくともチャネルが遮光されるように該チャ
ネル上方に遮光体が設けられているものである。
は、陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、非
単結晶半導体膜からなる能動層のドレインがドレイン信
号線に、前記能動層のチャネル上又はチャネル下に設け
たゲート電極がゲート信号線に、それぞれ接続され互い
に並列接続された第１及び第２の薄膜トランジスタと、
非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記ＥＬ
素子の前記駆動電源に、ゲートが前記第１及び第２の薄
膜トランジスタの前記能動層のソースにそれぞれ接続さ
れた第３の薄膜トランジスタとを備えており、前記第
１、第２及び第３の薄膜トランジスタの上層に前記ＥＬ
素子が形成されており、前記第１又は第２の薄膜トラン
ジスタの少なくともチャネルが遮光されるように該チャ
ネル上方に遮光体が設けられているものである。
【００１５】また、上述のＥＬ表示装置の前記第１の薄
膜トランジスタのチャネル長及び第２の薄膜トランジス
タのチャネル長のうち、前記遮光体が設けられた薄膜ト
ランジスタのチャネル長のほうが長いＥＬ表示装置であ
る。
膜トランジスタのチャネル長及び第２の薄膜トランジス
タのチャネル長のうち、前記遮光体が設けられた薄膜ト
ランジスタのチャネル長のほうが長いＥＬ表示装置であ
る。
【００１６】更に、前記遮光体は前記駆動電源に接続さ
れた駆動電源線の一部又は前記ドレイン信号線の一部を
チャネル上方に延在させてなる。
れた駆動電源線の一部又は前記ドレイン信号線の一部を
チャネル上方に延在させてなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞本発明のＥ
Ｌ表示装置について以下に説明する。
Ｌ表示装置について以下に説明する。
【００１８】図１に本発明の実施の形態である有機ＥＬ
素子及びＴＦＴを備えたＥＬ表示装置の１つの画素を示
す平面図を示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿っ
た断面図を示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示し、図２（ｃ）に図１中のＣ−Ｃ線に沿っ
た断面図を示す。
素子及びＴＦＴを備えたＥＬ表示装置の１つの画素を示
す平面図を示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿っ
た断面図を示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示し、図２（ｃ）に図１中のＣ−Ｃ線に沿っ
た断面図を示す。
【００１９】図１に示すように、ゲート信号線５１とド
レイン信号線５２との交点付近にはスイッチング用の第
１のＴＦＴ３０と第２のＴＦＴ３５とが並列接続するよ
うに形成する。またそれらのＴＦＴ３０，３５のソース
は後述の保持容量電極線５４と容量をなす容量電極５５
を兼ねるとともに、有機ＥＬ駆動用の第３のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第３のＴＦＴ４０のソ
ース電極４３ｓは表示画素１を成す陽極６１に接続さ
れ、他方のドレイン電極４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動す
る駆動電源線５３に接続されている。
レイン信号線５２との交点付近にはスイッチング用の第
１のＴＦＴ３０と第２のＴＦＴ３５とが並列接続するよ
うに形成する。またそれらのＴＦＴ３０，３５のソース
は後述の保持容量電極線５４と容量をなす容量電極５５
を兼ねるとともに、有機ＥＬ駆動用の第３のＴＦＴ４０
のゲート４１に接続されている。第３のＴＦＴ４０のソ
ース電極４３ｓは表示画素１を成す陽極６１に接続さ
れ、他方のドレイン電極４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動す
る駆動電源線５３に接続されている。
【００２０】また第１及び第２のＴＦＴ３０，３５の付
近には、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４
が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等
から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して第１及び第
２のＴＦＴのソース１３ｓ，２３ｓと接続された容量電
極５５との間で電荷を蓄積する保持容量である。この保
持容量は、第３のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加さ
れる電圧が第１及び第２のＴＦＴ３０，３５のリーク電
流により電圧が減少することを防止し印加された電圧を
保持するために設けられている。
近には、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４
が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等
から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して第１及び第
２のＴＦＴのソース１３ｓ，２３ｓと接続された容量電
極５５との間で電荷を蓄積する保持容量である。この保
持容量は、第３のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加さ
れる電圧が第１及び第２のＴＦＴ３０，３５のリーク電
流により電圧が減少することを防止し印加された電圧を
保持するために設けられている。
【００２１】図２に示すように、表示画素１は、ガラス
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
や合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あ
るいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０とし
て導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合に
は、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁
膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
【００２２】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０及び第２のＴＦＴ３５について説明する。
のＴＦＴ３０及び第２のＴＦＴ３５について説明する。
【００２３】図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）な
どの高融点金属からなるゲート電極１１を兼ねたゲート
信号線５１、有機ＥＬ素子の駆動電源であり駆動電源５
０に接続されゲート信号線５１と駆動電源線５３を形成
する。
うに、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）な
どの高融点金属からなるゲート電極１１を兼ねたゲート
信号線５１、有機ＥＬ素子の駆動電源であり駆動電源５
０に接続されゲート信号線５１と駆動電源線５３を形成
する。
【００２４】続いて、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ
膜からなる第１のＴＦＴの能動層１３及び第２のＴＦＴ
の能動層２３を順に形成する。能動層の材料はいずれの
ＴＦＴも多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）であり、同時に形成する。
膜からなる第１のＴＦＴの能動層１３及び第２のＴＦＴ
の能動層２３を順に形成する。能動層の材料はいずれの
ＴＦＴも多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）であり、同時に形成する。
【００２５】その能動層１３，２３には、ゲート電極１
１上方のチャネル１３ｃ，２３ｃと、このチャネル１３
ｃ，２３ｃの両側に、チャネル１３ｃ，２３ｃ上のスト
ッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオンドーピングし更に
ゲート電極１１の両側をレジストにてカバーしてイオン
ドーピングしてゲート電極１１の両側に低濃度領域とそ
の外側に高濃度領域のソース１３ｓ，２３ｓ及びドレイ
ン１３ｄ，２３ｄが設けられている。即ち、いわゆるＬ
ＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
１上方のチャネル１３ｃ，２３ｃと、このチャネル１３
ｃ，２３ｃの両側に、チャネル１３ｃ，２３ｃ上のスト
ッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオンドーピングし更に
ゲート電極１１の両側をレジストにてカバーしてイオン
ドーピングしてゲート電極１１の両側に低濃度領域とそ
の外側に高濃度領域のソース１３ｓ，２３ｓ及びドレイ
ン１３ｄ，２３ｄが設けられている。即ち、いわゆるＬ
ＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
【００２６】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３，
２３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１
５を形成し、ドレイン１３ｄ，２３ｄに対応して設けた
コンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電
極１６を形成する。その際、同時にチャネル１３ｃ，２
３ｃを覆うように、チャネル１３ｃ上にはドレイン信号
線５２から延在させたドレイン電極１６を更に延在させ
て設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平
坦化絶縁膜１７のソース１３ｓ，２３ｓに対応した位置
にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを
介してソース１３ｓ，２３ｓを延在させた有機ＥＬの陽
極６１に接続されている。
２３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１
５を形成し、ドレイン１３ｄ，２３ｄに対応して設けた
コンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電
極１６を形成する。その際、同時にチャネル１３ｃ，２
３ｃを覆うように、チャネル１３ｃ上にはドレイン信号
線５２から延在させたドレイン電極１６を更に延在させ
て設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平
坦化絶縁膜１７のソース１３ｓ，２３ｓに対応した位置
にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを
介してソース１３ｓ，２３ｓを延在させた有機ＥＬの陽
極６１に接続されている。
【００２７】ここで、第１及び第２のＴＦＴ３０，３５
は、第１及び第２のＴＦＴのうち、一方の第１のＴＦＴ
３０はそのチャネル２３ｃを覆っておらず、他方の第２
のＴＦＴ３５は、ドレイン信号線５２から能動層と並行
な方向に突出したドレイン電極１６にて、能動層２３の
ドレイン２３ｄ、チャネル２３ｃ及びソース２３ｓを覆
う。このとき少なくともチャネル２３ｃを覆っていれば
よい。
は、第１及び第２のＴＦＴのうち、一方の第１のＴＦＴ
３０はそのチャネル２３ｃを覆っておらず、他方の第２
のＴＦＴ３５は、ドレイン信号線５２から能動層と並行
な方向に突出したドレイン電極１６にて、能動層２３の
ドレイン２３ｄ、チャネル２３ｃ及びソース２３ｓを覆
う。このとき少なくともチャネル２３ｃを覆っていれば
よい。
【００２８】また、第１のＴＦＴ３０のチャネルの長さ
Ｌ１と第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２は、遮光した
第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２の方が大きく設定さ
れている。
Ｌ１と第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２は、遮光した
第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２の方が大きく設定さ
れている。
【００２９】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第３のＴＦＴ４０について説明する。
る第３のＴＦＴ４０について説明する。
【００３０】図２（ｃ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１を形成す
る。
【００３１】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４３を順に形成する。
る能動層４３を順に形成する。
【００３２】その能動層４３には、ゲート電極４１上方
のチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、チ
ャネル４３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極４１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極４１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース４３
ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。即ち、第３の
ＴＦＴはいわゆるＬＤＤ構造を有する。
のチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、チ
ャネル４３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極４１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極４１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース４３
ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。即ち、第３の
ＴＦＴはいわゆるＬＤＤ構造を有する。
【００３３】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層４３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極６１を平
坦化絶縁膜１７上に形成する。また、ドレイン４３ｄは
駆動電源線５４に接続されている。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極６１を平
坦化絶縁膜１７上に形成する。また、ドレイン４３ｄは
駆動電源線５４に接続されている。
【００３４】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であ
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylph
enylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６２、
ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光
素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成る陰
極６６がこの順番で積層形成された構造である。
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylph
enylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６２、
ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリ
ドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベン
ゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光
層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光
素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成る陰
極６６がこの順番で積層形成された構造である。
【００３５】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００３６】図３に本発明のＥＬ表示装置の等価回路図
を示す。
を示す。
【００３７】同図は、第１のＴＦＴ３０、第２のＴＦＴ
３５、第３のＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０からなる
ＥＬ表示装置の等価回路図であり、第ｎ行のゲート信号
線Ｇｎと第ｍ列のドレイン信号線Ｄｍ付近を示してい
る。
３５、第３のＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子６０からなる
ＥＬ表示装置の等価回路図であり、第ｎ行のゲート信号
線Ｇｎと第ｍ列のドレイン信号線Ｄｍ付近を示してい
る。
【００３８】ゲート信号を供給するゲート信号線Ｇｎと
ドレイン信号を供給するドレイン信号線Ｄｍとが互いに
直交しており、両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素
子６０、及びこの有機ＥＬ素子６０を駆動するＴＦＴ３
０，３５，４０が設けられている。
ドレイン信号を供給するドレイン信号線Ｄｍとが互いに
直交しており、両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素
子６０、及びこの有機ＥＬ素子６０を駆動するＴＦＴ３
０，３５，４０が設けられている。
【００３９】スイッチング用のＴＦＴである第１及び第
２のＴＦＴ３０，３５のゲート３１，３６はゲート信号
線Ｇｎに接続されておりゲート信号が供給され、また両
ＴＦＴ３０，３５のドレインはドレイン信号線Ｄｍに接
続されておりドレイン信号が供給される。第１及び第２
のＴＦＴは互いに並列に接続されている。
２のＴＦＴ３０，３５のゲート３１，３６はゲート信号
線Ｇｎに接続されておりゲート信号が供給され、また両
ＴＦＴ３０，３５のドレインはドレイン信号線Ｄｍに接
続されておりドレイン信号が供給される。第１及び第２
のＴＦＴは互いに並列に接続されている。
【００４０】また両ＴＦＴ３０，３５のソース３３は第
３のＴＦＴ４０のゲート４１及び保持容量７０の一方の
電極７１に接続されている。
３のＴＦＴ４０のゲート４１及び保持容量７０の一方の
電極７１に接続されている。
【００４１】第３のＴＦＴ４０のドレインは有機ＥＬ駆
動用の電源５０に接続されており、ソース４３は有機Ｅ
Ｌ素子６０の陽極６１に接続されている。
動用の電源５０に接続されており、ソース４３は有機Ｅ
Ｌ素子６０の陽極６１に接続されている。
【００４２】有機ＥＬ素子６０の陰極６２は共通電極６
４に接続されている。また、保持容量電極の他方の電極
７２は駆動電源線５３に接続されている。
４に接続されている。また、保持容量電極の他方の電極
７２は駆動電源線５３に接続されている。
【００４３】ここで、図３の等価回路図に示す回路の駆
動方法について、図４に示す各信号のタイミングチャー
トに基づいて説明する。図４（ａ）は第ｎ行の第１のＴ
ＦＴ１３０のゲート電極１３１に供給される信号ＶG(n)
1の、同（ｂ）はドレイン信号線Ｄｍのドレイン信号ＶD
の、同（ｃ）は第ｎ行の第２のＴＦＴ１４０のゲート電
極１４１に供給される信号ＶG(n)２のそれぞれのタイミ
ングチャートを示す。
動方法について、図４に示す各信号のタイミングチャー
トに基づいて説明する。図４（ａ）は第ｎ行の第１のＴ
ＦＴ１３０のゲート電極１３１に供給される信号ＶG(n)
1の、同（ｂ）はドレイン信号線Ｄｍのドレイン信号ＶD
の、同（ｃ）は第ｎ行の第２のＴＦＴ１４０のゲート電
極１４１に供給される信号ＶG(n)２のそれぞれのタイミ
ングチャートを示す。
【００４４】図４（ａ）に示すゲート信号線Ｇｎからの
ゲート信号ＶG(n)1がゲート３１，３６に印加される
と、第１及び第２のＴＦＴ３０，３５がオンになる。そ
のため、ドレイン信号線Ｄｍのドレイン信号がドレイン
３２からソース３３に流れ、ドレイン信号線Ｄｍから図
４（ｂ）に示すドレイン信号ＶDが第３のＴＦＴ４０の
ゲート４１に供給され、ゲート４１の電位がドレイン信
号線Ｄmの電位と同電位になる。このときその電圧ＶDは
保持容量７０にも蓄積される。そしてゲート４１に供給
された電流値に相当する電流が駆動電源５０から有機Ｅ
Ｌ素子６０に供給される。それによって有機ＥＬ素子６
０は発光する。
ゲート信号ＶG(n)1がゲート３１，３６に印加される
と、第１及び第２のＴＦＴ３０，３５がオンになる。そ
のため、ドレイン信号線Ｄｍのドレイン信号がドレイン
３２からソース３３に流れ、ドレイン信号線Ｄｍから図
４（ｂ）に示すドレイン信号ＶDが第３のＴＦＴ４０の
ゲート４１に供給され、ゲート４１の電位がドレイン信
号線Ｄmの電位と同電位になる。このときその電圧ＶDは
保持容量７０にも蓄積される。そしてゲート４１に供給
された電流値に相当する電流が駆動電源５０から有機Ｅ
Ｌ素子６０に供給される。それによって有機ＥＬ素子６
０は発光する。
【００４５】このように構成された表示画素が基板１０
上にマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表
示装置が形成される。
上にマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表
示装置が形成される。
【００４６】以上のように、第１及び第２のＴＦＴ３
０，３５は、第１及び第２のＴＦＴのうち、一方の第１
のＴＦＴ３０はそのチャネル２３ｃを覆っておらず、他
方の第２のＴＦＴ３５は、ドレイン信号線５２から能動
層と並行な方向に突出したドレイン電極１６にて、能動
層２３のドレイン２３ｄ、チャネル２３ｃ及びソース２
３ｓを覆うので、第１及び第２のＴＦＴに接続された有
機ＥＬ素子６０によって発光した光が能動層２３に到達
しなくなるので第２のＴＦＴ３５はリーク電流が発生す
ることなくスイッチング素子として動作することができ
る。
０，３５は、第１及び第２のＴＦＴのうち、一方の第１
のＴＦＴ３０はそのチャネル２３ｃを覆っておらず、他
方の第２のＴＦＴ３５は、ドレイン信号線５２から能動
層と並行な方向に突出したドレイン電極１６にて、能動
層２３のドレイン２３ｄ、チャネル２３ｃ及びソース２
３ｓを覆うので、第１及び第２のＴＦＴに接続された有
機ＥＬ素子６０によって発光した光が能動層２３に到達
しなくなるので第２のＴＦＴ３５はリーク電流が発生す
ることなくスイッチング素子として動作することができ
る。
【００４７】また、第１のＴＦＴ３０のチャネルの長Ｌ
１と第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２は、遮光した第
２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２の方が大きく設定され
ている。そのため、第２のＴＦＴ３５の方のリーク電流
を低減することができる。
１と第２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２は、遮光した第
２のＴＦＴ３５のチャネル長Ｌ２の方が大きく設定され
ている。そのため、第２のＴＦＴ３５の方のリーク電流
を低減することができる。
【００４８】そこで、第３のＴＦＴの特性が各表示画素
においてばらついてある表示画素に大電流が有機ＥＬ素
子６０に流れて発光輝度が大きくなっても、遮光体を備
えない第１のＴＦＴ３０にリーク電流を発生してしまい
第３のＴＦＴ４０のゲートに印加される電圧が低くな
り、有機ＥＬ素子６０の発光輝度を低くすることができ
る。なお、第２のＴＦＴ３５はチャネルを遮光している
のでリーク電流が発生することなくスイッチング用ＴＦ
Ｔとして動作する。
においてばらついてある表示画素に大電流が有機ＥＬ素
子６０に流れて発光輝度が大きくなっても、遮光体を備
えない第１のＴＦＴ３０にリーク電流を発生してしまい
第３のＴＦＴ４０のゲートに印加される電圧が低くな
り、有機ＥＬ素子６０の発光輝度を低くすることができ
る。なお、第２のＴＦＴ３５はチャネルを遮光している
のでリーク電流が発生することなくスイッチング用ＴＦ
Ｔとして動作する。
【００４９】即ち、発光した当該表示画素の有機ＥＬ素
子６０の光が第１及び第２のＴＦＴに照射されると、遮
光体６５を備えていない第１のＴＦＴ３０のチャネルに
光が照射されてリーク電流が発生すると、第３のＴＦＴ
４０のゲート４１に印加される電圧が低くなるので有機
ＥＬ素子６０に供給される駆動電源からの電流値が低く
なり発光輝度も小さくなる。
子６０の光が第１及び第２のＴＦＴに照射されると、遮
光体６５を備えていない第１のＴＦＴ３０のチャネルに
光が照射されてリーク電流が発生すると、第３のＴＦＴ
４０のゲート４１に印加される電圧が低くなるので有機
ＥＬ素子６０に供給される駆動電源からの電流値が低く
なり発光輝度も小さくなる。
【００５０】更に言い換えると、第１のＴＦＴ３０の光
によるリーク電流を発生させて第３のＴＦＴ４０のゲー
トに印加される電圧を制御して有機ＥＬ素子６０発光輝
度を制御する。逆に、有機ＥＬ素子６０の発光輝度が小
さい場合には、第１のＴＦＴ３０のリーク電流は比較的
小さいので第３のＴＦＴ４０のゲートに印加される電圧
は強い光が照射された場合に比べて低減することはない
ので、発光輝度が低くなることはない。
によるリーク電流を発生させて第３のＴＦＴ４０のゲー
トに印加される電圧を制御して有機ＥＬ素子６０発光輝
度を制御する。逆に、有機ＥＬ素子６０の発光輝度が小
さい場合には、第１のＴＦＴ３０のリーク電流は比較的
小さいので第３のＴＦＴ４０のゲートに印加される電圧
は強い光が照射された場合に比べて低減することはない
ので、発光輝度が低くなることはない。
【００５１】以上のように、遮光体を備えた第１のＴＦ
Ｔと遮光体を備えていない第２のＴＦＴとを並列に接続
してスイッチング用のＴＦＴとすることにより、各表示
画素における発光輝度のばらつきを制御することができ
る。 ＜第２の実施の形態＞図５に本発明の第２の実施の形態
の表示画素近傍の平面図を示す。
Ｔと遮光体を備えていない第２のＴＦＴとを並列に接続
してスイッチング用のＴＦＴとすることにより、各表示
画素における発光輝度のばらつきを制御することができ
る。 ＜第２の実施の形態＞図５に本発明の第２の実施の形態
の表示画素近傍の平面図を示す。
【００５２】同図において、第１の実施の形態と異なる
点は、第２のＴＦＴ３５のチャネル２３ｃを覆う遮光体
が島状に形成されている点である。この遮光体は、ドレ
イン電極１６を形成する際に同時に形成しても良く、あ
るいは別の工程で形成しても良い。この遮光体の材料と
しては、アルミニウム（Ａｌ）等の金属や樹脂等の遮光
できる材料であれば良い。
点は、第２のＴＦＴ３５のチャネル２３ｃを覆う遮光体
が島状に形成されている点である。この遮光体は、ドレ
イン電極１６を形成する際に同時に形成しても良く、あ
るいは別の工程で形成しても良い。この遮光体の材料と
しては、アルミニウム（Ａｌ）等の金属や樹脂等の遮光
できる材料であれば良い。
【００５３】なお、第１及び第２のＴＦＴ３０，３５の
チャネル長Ｌ１，Ｌ２は、Ｌ１＜Ｌ２である。
チャネル長Ｌ１，Ｌ２は、Ｌ１＜Ｌ２である。
【００５４】本実施の形態においても第１の実施の形態
と同様に、各表示画素において発光輝度がばらつくこと
を防止できるという効果が得られる。 ＜第３の実施の形態＞図６に本発明の第３の実施の形態
の表示画素近傍の平面図を示す。
と同様に、各表示画素において発光輝度がばらつくこと
を防止できるという効果が得られる。 ＜第３の実施の形態＞図６に本発明の第３の実施の形態
の表示画素近傍の平面図を示す。
【００５５】本実施の形態が他の実施の形態と異なる点
は、第２のＴＦＴ３５のチャネル２３ｃを駆動電源線５
３の一部を兼ねた部分で遮光する点である。なお、駆動
電源線５３との重畳による寄生容量の発生を防ぐため、
保持容量電極５４と容量を成す半導体層は能動層１３，
２３のソース側１３ｓ，２３ｓで、両ＴＦＴを接続して
いる。
は、第２のＴＦＴ３５のチャネル２３ｃを駆動電源線５
３の一部を兼ねた部分で遮光する点である。なお、駆動
電源線５３との重畳による寄生容量の発生を防ぐため、
保持容量電極５４と容量を成す半導体層は能動層１３，
２３のソース側１３ｓ，２３ｓで、両ＴＦＴを接続して
いる。
【００５６】このような構成においても、他の各実施の
形態と同様の効果を得ることができる。
形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】以上のように、各実施の形態で示したよう
に、本発明によれば、第２のＴＦＴのチャネルを遮光体
で覆うので、電界移動度が高く第１のＴＦＴ３０のリー
ク電流を抑制することができる。即ち、図９中の実線で
示すように、リーク電流を抑制することができるので電
圧保持特性が良いため、従来のように第３のＴＦＴのゲ
ート４１の電位が変化することなく、電位を保持するこ
とができるとともに、更にＬＤＤ構造を備えているので
図９中の実線で示すように高いオン電流を得ることがで
きるため、発光すべき電流を低下させることなく安定し
て有機ＥＬ素子に供給することができる。
に、本発明によれば、第２のＴＦＴのチャネルを遮光体
で覆うので、電界移動度が高く第１のＴＦＴ３０のリー
ク電流を抑制することができる。即ち、図９中の実線で
示すように、リーク電流を抑制することができるので電
圧保持特性が良いため、従来のように第３のＴＦＴのゲ
ート４１の電位が変化することなく、電位を保持するこ
とができるとともに、更にＬＤＤ構造を備えているので
図９中の実線で示すように高いオン電流を得ることがで
きるため、発光すべき電流を低下させることなく安定し
て有機ＥＬ素子に供給することができる。
【００５８】また、第２のＴＦＴ３５はチャネル長が大
きいので、リーク電流を抑制することができる。そのた
め、安定したスイッチング用のＴＦＴとして動作するこ
とができるので、有機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く
均一にすることができる。
きいので、リーク電流を抑制することができる。そのた
め、安定したスイッチング用のＴＦＴとして動作するこ
とができるので、有機ＥＬ素子の発光輝度が再現性良く
均一にすることができる。
【００５９】このように、本発明によれば、上述のよう
な第１及び第２のＴＦＴを備えることにより、各表示画
素における発光輝度のばらつきを抑制することができ
る。
な第１及び第２のＴＦＴを備えることにより、各表示画
素における発光輝度のばらつきを抑制することができ
る。
【００６０】なお、各実施の形態においては、第１及び
第２のＴＦＴ３０，３５のチャネル長Ｌ１，Ｌ２をＬ１
＜Ｌ２の関係を満たすようにチャネル長を設定した場合
について説明したが、本発明は第２のＴＦＴ４０のチャ
ネル部に遮光体を設けただけでも本願特有の効果を奏す
るものである。
第２のＴＦＴ３０，３５のチャネル長Ｌ１，Ｌ２をＬ１
＜Ｌ２の関係を満たすようにチャネル長を設定した場合
について説明したが、本発明は第２のＴＦＴ４０のチャ
ネル部に遮光体を設けただけでも本願特有の効果を奏す
るものである。
【００６１】また、各実施の形態においては、第１及び
第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１
３の下に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴについ
て説明したが、ゲート電極が能動層の上にあるいわゆる
トップゲート型ＴＦＴでも良い。また、能動層としてｐ
−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は非晶質シリ
コンを用いても良い。
第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１
３の下に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴについ
て説明したが、ゲート電極が能動層の上にあるいわゆる
トップゲート型ＴＦＴでも良い。また、能動層としてｐ
−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は非晶質シリ
コンを用いても良い。
【００６２】また、各実施の形態においては、ダブルゲ
ート構造及びＬＤＤ構造を有するＴＦＴについて説明し
たが、本発明はそれに限定されるものではなく、シング
ルゲート及びゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造
においても適用が可能であり、また、ＬＤＤ構造を備え
ない場合にも適用は可能である。更に能動層にオフセッ
ト領域を有するいわゆるオフセット構造を有するＴＦＴ
に適用することも可能であり、同様の効果を得ることが
できる。ＬＤＤ構造及びオフセット構造を有さない構造
でも適用は可能である。
ート構造及びＬＤＤ構造を有するＴＦＴについて説明し
たが、本発明はそれに限定されるものではなく、シング
ルゲート及びゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造
においても適用が可能であり、また、ＬＤＤ構造を備え
ない場合にも適用は可能である。更に能動層にオフセッ
ト領域を有するいわゆるオフセット構造を有するＴＦＴ
に適用することも可能であり、同様の効果を得ることが
できる。ＬＤＤ構造及びオフセット構造を有さない構造
でも適用は可能である。
【００６３】更に、各実施の形態においては、ＥＬ素子
は有機ＥＬ素子の場合について説明したが無機ＥＬ素子
であっても良い。
は有機ＥＬ素子の場合について説明したが無機ＥＬ素子
であっても良い。
【００６４】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置は、遮光体を備え
た第１のＴＦＴと遮光体を備えていない第２のＴＦＴと
を並列に接続してスイッチング用のＴＦＴとすることに
より、各表示画素における発光輝度のばらつきを制御す
ることができるＥＬ表示装置を得ることができる。
た第１のＴＦＴと遮光体を備えていない第２のＴＦＴと
を並列に接続してスイッチング用のＴＦＴとすることに
より、各表示画素における発光輝度のばらつきを制御す
ることができるＥＬ表示装置を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の等価回路図である。
装置の等価回路図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の各信号のタイミングチャートである。
装置の各信号のタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態を示す有機ＥＬ表示
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図７】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図８】従来のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図９】従来のＥＬ表示装置に用いるＴＦＴの特性図で
ある。
ある。
１ 表示画素 １１，４１，３１，３６ ゲート １３ｓ，１３ｓ，３３ ソース １３ｄ，２３ｄ，３２ ドレイン １３ｃ，２３ｃ チャネル ３０ 第１のＴＦＴ ３５ 第２のＴＦＴ ４０ 第３のＴＦＴ ５０ 駆動電源 ６０ 有機ＥＬ素子 ５６ 遮光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BA06 BB07 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EA00 EB00 EC03 GA02 GA04 5C094 AA03 AA55 BA03 BA27 CA19 DA13 DB04 EA04 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB03 FB12 FB14 GB10
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
クトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からな
る能動層のドレインがドレイン信号線に、前記能動層の
チャネル上又はチャネル下に設けたゲート電極がゲート
信号線に、それぞれ接続され互いに並列接続された第１
及び第２の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜から
なる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス
素子の駆動電源に、ゲートが前記第１及び第２の薄膜ト
ランジスタの前記能動層のソースにそれぞれ接続された
第３の薄膜トランジスタとを備えており、前記第１、第
２及び第３の薄膜トランジスタの上層に前記エレクトロ
ルミネッセンス素子が形成されており、前記第１又は第
２の薄膜トランジスタの少なくともチャネルが遮光され
るように該チャネル上方に遮光体が設けられていること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記第１の薄膜トランジスタのチャネル
長及び第２の薄膜トランジスタのチャネル長のうち、前
記遮光体が設けられた薄膜トランジスタのチャネル長の
ほうが長いことを特徴とする請求項１に記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光体は前記駆動電源に接続された
駆動電源線の一部又は前記ドレイン信号線の一部をチャ
ネル上方に延在させてなることを特徴とする請求項１又
は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
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|---|---|---|---|
| JP11022183A JP2000223279A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022183A JP2000223279A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223279A true JP2000223279A (ja) | 2000-08-11 |
| JP2000223279A5 JP2000223279A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=12075690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022183A Withdrawn JP2000223279A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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|---|---|
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002132184A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| WO2003067316A1 (fr) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unite d'affichage d'image |
| JP2003332072A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-11-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ発光表示装置 |
| US6758538B2 (en) | 2000-09-29 | 2004-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminescent display device of active matrix drive type and fabrication method therefor |
| KR100560777B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부 |
| US7312473B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device using the same |
| US7701134B2 (en) | 1999-06-04 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with improved operating performance |
| US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| JP2013033280A (ja) * | 2001-11-09 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8648338B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising an organic compound layer |
| US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| JP2014222346A (ja) * | 2001-09-21 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9293483B2 (en) | 1999-04-27 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| CN113406832A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-17 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | Tft阵列基板及其驱动方法 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11022183A patent/JP2000223279A/ja not_active Withdrawn
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9293483B2 (en) | 1999-04-27 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| US9837451B2 (en) | 1999-04-27 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| US7741775B2 (en) | 1999-06-04 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US7701134B2 (en) | 1999-06-04 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with improved operating performance |
| US9368680B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9123854B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US6758538B2 (en) | 2000-09-29 | 2004-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Luminescent display device of active matrix drive type and fabrication method therefor |
| JP2002132184A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP4698010B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-06-08 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100560777B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부 |
| US9165952B2 (en) | 2001-09-21 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| US9368527B2 (en) | 2001-09-21 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| US9847381B2 (en) | 2001-09-21 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| US10068953B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| US9876062B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| JP2014222346A (ja) * | 2001-09-21 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9876063B2 (en) | 2001-09-21 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8648338B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising an organic compound layer |
| JP2013033280A (ja) * | 2001-11-09 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7312473B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device using the same |
| WO2003067316A1 (fr) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unite d'affichage d'image |
| US7145543B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Image display unit |
| CN1325966C (zh) * | 2002-02-06 | 2007-07-11 | 三菱电机株式会社 | 图像显示装置 |
| US7667674B2 (en) | 2002-03-04 | 2010-02-23 | Hitachi, Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| US8446347B2 (en) | 2002-03-04 | 2013-05-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| US11289565B2 (en) | 2002-03-04 | 2022-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| JP2003332072A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-11-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ発光表示装置 |
| US8847858B2 (en) | 2002-03-04 | 2014-09-30 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| US8134524B2 (en) | 2002-03-04 | 2012-03-13 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
| US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| US8558445B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
| CN113406832A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-17 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | Tft阵列基板及其驱动方法 |
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