JP2000036280A - イオン化装置 - Google Patents
イオン化装置Info
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- JP2000036280A JP2000036280A JP10203082A JP20308298A JP2000036280A JP 2000036280 A JP2000036280 A JP 2000036280A JP 10203082 A JP10203082 A JP 10203082A JP 20308298 A JP20308298 A JP 20308298A JP 2000036280 A JP2000036280 A JP 2000036280A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少流量である反応ガス導入量の調整を容易に
行う。 【解決手段】 抵抗管２２の上流にスプリット流路２８
を分岐して設け、その上流とスプリット流路２８とにそ
れぞれ流量制御弁２７、２９を設ける。第２流量制御弁
２９は、イオン化室１１への反応ガス導入量に応じて計
算された目標圧力Ｐ1に圧力計２４の検出ガス圧が一致
するようにスプリット流量を調節する。一方第１流量制
御弁２７は、充分なスプリット流量と反応ガス導入量と
を加算した流量の反応ガスを流す。その結果、抵抗管２
２には所望の導入量ｆ1の、スプリット流路２８にはそ
の残りの大部分の流量ｆ2の反応ガスが流れ、目標圧力
を修正するとすぐに導入量が追従して変化する。
行う。 【解決手段】 抵抗管２２の上流にスプリット流路２８
を分岐して設け、その上流とスプリット流路２８とにそ
れぞれ流量制御弁２７、２９を設ける。第２流量制御弁
２９は、イオン化室１１への反応ガス導入量に応じて計
算された目標圧力Ｐ1に圧力計２４の検出ガス圧が一致
するようにスプリット流量を調節する。一方第１流量制
御弁２７は、充分なスプリット流量と反応ガス導入量と
を加算した流量の反応ガスを流す。その結果、抵抗管２
２には所望の導入量ｆ1の、スプリット流路２８にはそ
の残りの大部分の流量ｆ2の反応ガスが流れ、目標圧力
を修正するとすぐに導入量が追従して変化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は質量分析装置などに
利用されるイオン化装置に関し、更に詳しくは、化学イ
オン化の際にイオン化室に反応ガスを導入するための反
応ガス導入部に関する。
利用されるイオン化装置に関し、更に詳しくは、化学イ
オン化の際にイオン化室に反応ガスを導入するための反
応ガス導入部に関する。
【０００２】
【従来の技術】質量分析装置は、イオン源にて気体状の
試料分子をイオン化し、そのイオンを質量数（質量ｍ／
電荷数ｚ）に応じて分離して検出する構成を有する。試
料分子をイオン化する方法としては、電子衝撃法、表面
電離法等種々のものが用いられている。
試料分子をイオン化し、そのイオンを質量数（質量ｍ／
電荷数ｚ）に応じて分離して検出する構成を有する。試
料分子をイオン化する方法としては、電子衝撃法、表面
電離法等種々のものが用いられている。
【０００３】図２は、イオン化の一手法である化学イオ
ン化法（以下「ＣＩ＝Chemical Ionization」と称す）
による従来のイオン化装置を用いた質量分析装置の構成
図である。イオン化室１１、イオンレンズ１２、四重極
フィルタ１３、検出器１４等は真空ハウジング１０中に
配置されており、真空ハウジング１０は真空排気ポンプ
１５により高真空状態に維持される。イオン化室１１に
は試料ガスを導入する試料ガス流路２０とメタン、イソ
ブタン等の反応ガスを導入するための反応ガス流路２１
とが接続されている。
ン化法（以下「ＣＩ＝Chemical Ionization」と称す）
による従来のイオン化装置を用いた質量分析装置の構成
図である。イオン化室１１、イオンレンズ１２、四重極
フィルタ１３、検出器１４等は真空ハウジング１０中に
配置されており、真空ハウジング１０は真空排気ポンプ
１５により高真空状態に維持される。イオン化室１１に
は試料ガスを導入する試料ガス流路２０とメタン、イソ
ブタン等の反応ガスを導入するための反応ガス流路２１
とが接続されている。
【０００４】上記質量分析装置では、試料分子を含む試
料ガスが試料ガス流路２０を通して、上記反応ガスが反
応ガス流路２１を通してイオン化室１１へ導入される。
反応ガスに含まれる反応ガス分子はイオン化室１１内で
電子流（図２中ではｅで示している）と衝突し、電子が
叩き出されて特定のイオン（例えばＣＨ５ ＋、(ＣＨ ３)
３Ｃ＋等）が発生する。こうした反応イオンは試料分子
と化学反応し、その結果、試料分子はイオン化される。
イオン化室１１内で生成した試料イオンはイオン化室１
１から飛び出て、適当な電圧が印加されているイオンレ
ンズ１２により収束及び加速された後に四重極フィルタ
１３に導入される。四重極フィルタ１３には直流電圧と
交流電圧とを重畳した電圧が印加されており、その電圧
に応じた特定の質量数を有するイオンのみが四重極フィ
ルタ１３を通り抜けて検出器１４に到達する。
料ガスが試料ガス流路２０を通して、上記反応ガスが反
応ガス流路２１を通してイオン化室１１へ導入される。
反応ガスに含まれる反応ガス分子はイオン化室１１内で
電子流（図２中ではｅで示している）と衝突し、電子が
叩き出されて特定のイオン（例えばＣＨ５ ＋、(ＣＨ ３)
３Ｃ＋等）が発生する。こうした反応イオンは試料分子
と化学反応し、その結果、試料分子はイオン化される。
イオン化室１１内で生成した試料イオンはイオン化室１
１から飛び出て、適当な電圧が印加されているイオンレ
ンズ１２により収束及び加速された後に四重極フィルタ
１３に導入される。四重極フィルタ１３には直流電圧と
交流電圧とを重畳した電圧が印加されており、その電圧
に応じた特定の質量数を有するイオンのみが四重極フィ
ルタ１３を通り抜けて検出器１４に到達する。
【０００５】このようなＣＩでは、発生した試料イオン
が過剰な内部エネルギをもたないので開裂を生じにく
い。そのため、元の試料分子の質量にきわめて近いイオ
ンを検出器１４で検出することができ、試料分子の分子
量を推定するのに極めて有用である。
が過剰な内部エネルギをもたないので開裂を生じにく
い。そのため、元の試料分子の質量にきわめて近いイオ
ンを検出器１４で検出することができ、試料分子の分子
量を推定するのに極めて有用である。
【０００６】ところで一般に、イオン化室１１に導入さ
れる反応ガスの流量は１cc/min以下とかなり少量であ
る。そのため、図２に示すように、従来の反応ガス流路
２１は、下流側より順に、流路抵抗の大きな抵抗管２２
（例えば数十μｍ径で長さ数ｍの細管）、電磁弁２３、
圧力計２４、調圧弁２５が配設された構成となってい
る。電磁弁２３を開放して抵抗管２２に反応ガスを流す
とき、その反応ガスの流量は抵抗管２２の入口側圧力Ｐ
1と、出口側圧力Ｐ2と、抵抗管２２の流路抵抗と、反応
ガスの粘性係数などによって決まる。これらのパラメー
タのうち入口側圧力Ｐ1を除いて他のパラメータは決ま
った値であるので、調圧弁２５により入口側圧力Ｐ1
（圧力計２４での検出ガス圧）を調節することで、イオ
ン化室１１への反応ガスの導入流量を制御することがで
きる。
れる反応ガスの流量は１cc/min以下とかなり少量であ
る。そのため、図２に示すように、従来の反応ガス流路
２１は、下流側より順に、流路抵抗の大きな抵抗管２２
（例えば数十μｍ径で長さ数ｍの細管）、電磁弁２３、
圧力計２４、調圧弁２５が配設された構成となってい
る。電磁弁２３を開放して抵抗管２２に反応ガスを流す
とき、その反応ガスの流量は抵抗管２２の入口側圧力Ｐ
1と、出口側圧力Ｐ2と、抵抗管２２の流路抵抗と、反応
ガスの粘性係数などによって決まる。これらのパラメー
タのうち入口側圧力Ｐ1を除いて他のパラメータは決ま
った値であるので、調圧弁２５により入口側圧力Ｐ1
（圧力計２４での検出ガス圧）を調節することで、イオ
ン化室１１への反応ガスの導入流量を制御することがで
きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の構成には次のような問題点がある。まず第１に、調
圧弁２５と抵抗管２２出口との間に大きな流路抵抗が存
在するため、入口側圧力Ｐ1を下げて流量を減少させよ
うとしてもガス圧がすぐには下がらず、流量が一定に安
定する迄に比較的長い時間を要する。第２に、上述のよ
うに反応ガス導入量が極めて少量であるため、比較的ラ
フな制御しか行えない電気的開閉制御式の弁を調圧弁２
５に用いることが困難である。更に第３に、反応ガスの
流量が少量であるため、反応ガス流路２１の配管内の汚
れの影響が相対的に大きくなり、高精度な分析を行うに
は配管内を常に清浄に維持しておかなけばならない。本
発明は、このような種々の課題を解決することを目的と
して成されたものである。
来の構成には次のような問題点がある。まず第１に、調
圧弁２５と抵抗管２２出口との間に大きな流路抵抗が存
在するため、入口側圧力Ｐ1を下げて流量を減少させよ
うとしてもガス圧がすぐには下がらず、流量が一定に安
定する迄に比較的長い時間を要する。第２に、上述のよ
うに反応ガス導入量が極めて少量であるため、比較的ラ
フな制御しか行えない電気的開閉制御式の弁を調圧弁２
５に用いることが困難である。更に第３に、反応ガスの
流量が少量であるため、反応ガス流路２１の配管内の汚
れの影響が相対的に大きくなり、高精度な分析を行うに
は配管内を常に清浄に維持しておかなけばならない。本
発明は、このような種々の課題を解決することを目的と
して成されたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明は、イオン化室に反応ガスを導入して
イオン化を行うイオン化装置において、 a)イオン化室に出口端が接続された抵抗管と、 b)該抵抗管の入口端側において、その上流から流れてく
る反応ガスを分岐するスプリット流路と、 c)スプリット流路と抵抗管との分岐点より上流側に設け
られた圧力検出手段と、 d)該圧力検出手段より上流側に設けられ、抵抗管及びス
プリット流路の両者に流れる反応ガスの総流量を所定流
量に調節する第１流量調節手段と、 e)前記スプリット流路上に設けられ、前記圧力検出手段
による検出値が所定値になるようにスプリット流量を調
節する第２流量調節手段と、を備えることを特徴として
いる。
に成された本発明は、イオン化室に反応ガスを導入して
イオン化を行うイオン化装置において、 a)イオン化室に出口端が接続された抵抗管と、 b)該抵抗管の入口端側において、その上流から流れてく
る反応ガスを分岐するスプリット流路と、 c)スプリット流路と抵抗管との分岐点より上流側に設け
られた圧力検出手段と、 d)該圧力検出手段より上流側に設けられ、抵抗管及びス
プリット流路の両者に流れる反応ガスの総流量を所定流
量に調節する第１流量調節手段と、 e)前記スプリット流路上に設けられ、前記圧力検出手段
による検出値が所定値になるようにスプリット流量を調
節する第２流量調節手段と、を備えることを特徴として
いる。
【０００９】
【発明の実施の形態】抵抗管を介してイオン化室へ導入
される反応ガスの導入量は、抵抗管の出口側であるイオ
ン化室内のガス圧、抵抗管の寸法、反応ガスの粘性係数
などが既知であれば、抵抗管入口側すなわち圧力検出手
段が設けられた位置でのガス圧に依存している。従っ
て、所望の反応ガス導入量が決まると、抵抗管入口側の
目標圧力値を計算により求めることができる。そこで、
第２流量調節手段に対しこの目標圧力値を与えると、第
２流量調節手段は圧力検出手段による検出値がその目標
圧力値に一致するようにスプリット流量を調節する。一
方、第１流量調節手段は、少なくとも上記所望の反応ガ
ス導入量と第２流量調節手段の制御が可能である程度の
スプリット流量との合計以上の総流量になるように通過
流量を調節する。これにより、第１流量調節手段を通過
した反応ガスのうち、上記所望の反応ガス導入量分が抵
抗管側に流れ、残りはスプリット流路を通して排出され
る。
される反応ガスの導入量は、抵抗管の出口側であるイオ
ン化室内のガス圧、抵抗管の寸法、反応ガスの粘性係数
などが既知であれば、抵抗管入口側すなわち圧力検出手
段が設けられた位置でのガス圧に依存している。従っ
て、所望の反応ガス導入量が決まると、抵抗管入口側の
目標圧力値を計算により求めることができる。そこで、
第２流量調節手段に対しこの目標圧力値を与えると、第
２流量調節手段は圧力検出手段による検出値がその目標
圧力値に一致するようにスプリット流量を調節する。一
方、第１流量調節手段は、少なくとも上記所望の反応ガ
ス導入量と第２流量調節手段の制御が可能である程度の
スプリット流量との合計以上の総流量になるように通過
流量を調節する。これにより、第１流量調節手段を通過
した反応ガスのうち、上記所望の反応ガス導入量分が抵
抗管側に流れ、残りはスプリット流路を通して排出され
る。
【００１０】
【発明の効果】この発明に係るイオン化装置では、反応
ガス導入量を減少させたい場合には、目標圧力値を下方
修正すれば、それに応じて第２流量調節手段の開度が大
きくなってスプリット流量が増加する。それにより、抵
抗管側へ流れる反応ガスの流量は速やかに減少する。従
って、従来の構成と異なり、反応ガスの流量変化の応答
性が極めて良好である。
ガス導入量を減少させたい場合には、目標圧力値を下方
修正すれば、それに応じて第２流量調節手段の開度が大
きくなってスプリット流量が増加する。それにより、抵
抗管側へ流れる反応ガスの流量は速やかに減少する。従
って、従来の構成と異なり、反応ガスの流量変化の応答
性が極めて良好である。
【００１１】また、反応ガス導入量自体はごく少量であ
っても、第１、第２流量調節手段を通過する反応ガスの
流量は反応ガス導入量よりもずっと多くすることができ
るので、比較的なラフな制御しかできないような電気的
制御による弁を第１、第２流量調節手段に用いることが
できる。更に、スプリット流路の分岐点から上流側では
反応ガス流量が多く、そのうちの一部がイオン化室へ導
入されるので、その分岐点より上流側の配管中の汚れに
よる影響が相対的に軽減されることになり、分析の精度
の改善に寄与する。
っても、第１、第２流量調節手段を通過する反応ガスの
流量は反応ガス導入量よりもずっと多くすることができ
るので、比較的なラフな制御しかできないような電気的
制御による弁を第１、第２流量調節手段に用いることが
できる。更に、スプリット流路の分岐点から上流側では
反応ガス流量が多く、そのうちの一部がイオン化室へ導
入されるので、その分岐点より上流側の配管中の汚れに
よる影響が相対的に軽減されることになり、分析の精度
の改善に寄与する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係るイオン化装置の一実施例
を図１を参照して説明する。図１は本実施例のイオン化
装置における反応ガス流路２１の構成図である。反応ガ
ス流路２１の上流側より、調圧弁２５、流量計２６、第
１流量制御弁２７、圧力計２４が配置され、流路は圧力
計２４下流の分岐点でスプリット流路２８と抵抗管２２
とに分岐されている。スプリット流路２８上には第２流
量制御弁２９が配設され、該流路の末端は排気ダクト３
１に接続されている。一方、抵抗管２２の出口端は三方
バルブ（３ポート２ポジションバルブ）３０を介してイ
オン化室１１に接続されている。
を図１を参照して説明する。図１は本実施例のイオン化
装置における反応ガス流路２１の構成図である。反応ガ
ス流路２１の上流側より、調圧弁２５、流量計２６、第
１流量制御弁２７、圧力計２４が配置され、流路は圧力
計２４下流の分岐点でスプリット流路２８と抵抗管２２
とに分岐されている。スプリット流路２８上には第２流
量制御弁２９が配設され、該流路の末端は排気ダクト３
１に接続されている。一方、抵抗管２２の出口端は三方
バルブ（３ポート２ポジションバルブ）３０を介してイ
オン化室１１に接続されている。
【００１３】第１流量制御弁２７は、外部より与えられ
た目標流量値に流量計２６の検出値が一致するように弁
の開度を自動的に調整する構成となっている。一方、第
２流量制御弁２９は、外部より与えられた目標圧力値に
圧力計２４の検出値が一致するように弁の開度を自動的
に調整する構成となっている。制御部３２はマイクロコ
ンピュータ等を内蔵して構成されており、第１流量制御
弁２７に対し目標流量値を、第２流量制御弁２９に対し
目標圧力値を送出する。
た目標流量値に流量計２６の検出値が一致するように弁
の開度を自動的に調整する構成となっている。一方、第
２流量制御弁２９は、外部より与えられた目標圧力値に
圧力計２４の検出値が一致するように弁の開度を自動的
に調整する構成となっている。制御部３２はマイクロコ
ンピュータ等を内蔵して構成されており、第１流量制御
弁２７に対し目標流量値を、第２流量制御弁２９に対し
目標圧力値を送出する。
【００１４】まず、上記構成においてイオン化室１１に
反応ガスを導入する際の動作を説明する。この場合、制
御部３２は三方バルブ３０を図１中の点線の接続状態に
切り替えて、抵抗管２２の出口端とイオン化室１１とを
連通させる。
反応ガスを導入する際の動作を説明する。この場合、制
御部３２は三方バルブ３０を図１中の点線の接続状態に
切り替えて、抵抗管２２の出口端とイオン化室１１とを
連通させる。
【００１５】例えば、図示しない入力部を介して使用者
が所望の反応ガス導入量を入力設定すると、制御部３２
は、予め設定されている抵抗管２２の寸法（内径及び長
さ）、反応ガスの粘性係数、抵抗管２２の周囲温度（こ
れは実測値でも設定値でもよい）、イオン化室１１内の
真空度（つまりガス圧Ｐ2）等の既知のパラメータを利
用して所定の計算を行い、その所望の反応ガス導入量に
対する抵抗管２２の入口圧Ｐ1を算出する。そして、そ
の入口圧Ｐ1を目標圧力値として第２流量制御弁２９へ
指示する。第２流量制御弁２９は圧力計２４の検出値が
このＰ1になるように、スプリット流路２８に流れる反
応ガス流量を調節する。
が所望の反応ガス導入量を入力設定すると、制御部３２
は、予め設定されている抵抗管２２の寸法（内径及び長
さ）、反応ガスの粘性係数、抵抗管２２の周囲温度（こ
れは実測値でも設定値でもよい）、イオン化室１１内の
真空度（つまりガス圧Ｐ2）等の既知のパラメータを利
用して所定の計算を行い、その所望の反応ガス導入量に
対する抵抗管２２の入口圧Ｐ1を算出する。そして、そ
の入口圧Ｐ1を目標圧力値として第２流量制御弁２９へ
指示する。第２流量制御弁２９は圧力計２４の検出値が
このＰ1になるように、スプリット流路２８に流れる反
応ガス流量を調節する。
【００１６】一般に電気的な開閉制御が可能な流量制御
弁では、流量が最低限界流量（例えば１cc/min）以下に
なると正確な制御が行えなくなる。そこで、制御部３２
は、少なくとも上記反応ガス導入量にその最低限界流量
を加えた流量以上（例えば数cc/min）の値を目標流量値
として第１流量制御弁２７に指示する。この目標流量値
は制御部３２が算出してもよいが、使用者が上記入力部
を介して入力設定するようにしてもよい。第１流量制御
弁２７は流量計２６により検出される流量がこの目標流
量値になるように弁の開度を調節する。なお、調圧弁２
５は第１流量制御弁２７に充分な流量の反応ガスが流れ
るように予め適度に開放しておく。
弁では、流量が最低限界流量（例えば１cc/min）以下に
なると正確な制御が行えなくなる。そこで、制御部３２
は、少なくとも上記反応ガス導入量にその最低限界流量
を加えた流量以上（例えば数cc/min）の値を目標流量値
として第１流量制御弁２７に指示する。この目標流量値
は制御部３２が算出してもよいが、使用者が上記入力部
を介して入力設定するようにしてもよい。第１流量制御
弁２７は流量計２６により検出される流量がこの目標流
量値になるように弁の開度を調節する。なお、調圧弁２
５は第１流量制御弁２７に充分な流量の反応ガスが流れ
るように予め適度に開放しておく。
【００１７】こうして上記目標流量値付近の流量の反応
ガスが流れると、上述のように抵抗管２２の入口圧がＰ
1になるように第２流量制御弁２９はスプリット流量を
常に調整しているので、抵抗管２２には所望導入量ｆ1
の反応ガスが流れ、残りの大部分の反応ガスは流量ｆ2
でもってスプリット流路２８を通って排気ダクト３１か
ら外部へ排出される。抵抗管２２を通った反応ガスは三
方バルブ３０を介してイオン化室１１内へと導入され、
化学イオン化に利用される。
ガスが流れると、上述のように抵抗管２２の入口圧がＰ
1になるように第２流量制御弁２９はスプリット流量を
常に調整しているので、抵抗管２２には所望導入量ｆ1
の反応ガスが流れ、残りの大部分の反応ガスは流量ｆ2
でもってスプリット流路２８を通って排気ダクト３１か
ら外部へ排出される。抵抗管２２を通った反応ガスは三
方バルブ３０を介してイオン化室１１内へと導入され、
化学イオン化に利用される。
【００１８】イオン化室１１への反応ガスの導入が不要
である場合には、制御部３２は、上述の反応ガスの流通
状態のまま三方バルブ３０を図１の実線の接続状態に切
り替える。すると、抵抗管２２に流れた反応ガスもスプ
リット流路２８に流れた反応ガスと合流し、まとめて排
気ダクト３１から外部へと排出される。この状態では抵
抗管２２に所定流量の反応ガスが流れ続けているので、
三方バルブ３０を点線で示す接続状態に切り換えさえす
れば、すぐにイオン化室１１に反応ガスが導入される。
従って、この構成では、イオン化室１１に反応ガスを導
入しない電子衝撃法によるイオン化と、反応ガスを必要
とする化学イオン化又は負化学イオン化とを短時間で相
互に切り替えることができるという効果も奏する。
である場合には、制御部３２は、上述の反応ガスの流通
状態のまま三方バルブ３０を図１の実線の接続状態に切
り替える。すると、抵抗管２２に流れた反応ガスもスプ
リット流路２８に流れた反応ガスと合流し、まとめて排
気ダクト３１から外部へと排出される。この状態では抵
抗管２２に所定流量の反応ガスが流れ続けているので、
三方バルブ３０を点線で示す接続状態に切り換えさえす
れば、すぐにイオン化室１１に反応ガスが導入される。
従って、この構成では、イオン化室１１に反応ガスを導
入しない電子衝撃法によるイオン化と、反応ガスを必要
とする化学イオン化又は負化学イオン化とを短時間で相
互に切り替えることができるという効果も奏する。
【００１９】上述のように化学イオン化又は負化学イオ
ン化を行う必要がない場合には、第１、第２流量制御弁
２７、２９を完全に閉鎖し、しかも三方バルブ３０を図
１に実線で示す接続状態としておけばよい。これによ
り、反応ガスは停止する。
ン化を行う必要がない場合には、第１、第２流量制御弁
２７、２９を完全に閉鎖し、しかも三方バルブ３０を図
１に実線で示す接続状態としておけばよい。これによ
り、反応ガスは停止する。
【００２０】なお、上記実施例は一例であって、本発明
の趣旨の範囲で適宜修正や変更を行なえることは明らか
である。
の趣旨の範囲で適宜修正や変更を行なえることは明らか
である。
【図１】 本発明のイオン化装置における反応ガス流路
の構成図。
の構成図。
【図２】 従来の化学イオン化装置の構成図。
１１…イオン化室 ２１…反応ガス流路 ２２…抵抗管 ２４…圧力計 ２６…流量計 ２７…第１流量制御弁 ２８…スプリット流路 ２９…第２流量制御弁 ３０…三方バルブ ３２…制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン化室に反応ガスを導入してイオン
化を行うイオン化装置において、 a)イオン化室に出口端が接続された抵抗管と、 b)該抵抗管の入口端側において、その上流から流れてく
る反応ガスを分岐するスプリット流路と、 c)スプリット流路と抵抗管との分岐点より上流側に設け
られた圧力検出手段と、 d)該圧力検出手段より上流側に設けられ、抵抗管及びス
プリット流路の両者に流れる反応ガスの総流量を所定流
量に調節する第１流量調節手段と、 e)前記スプリット流路上に設けられ、前記圧力検出手段
による検出値が所定値になるようにスプリット流量を調
節する第２流量調節手段と、を備えることを特徴とする
イオン化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10203082A JP2000036280A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | イオン化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10203082A JP2000036280A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | イオン化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036280A true JP2000036280A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16468072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10203082A Pending JP2000036280A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | イオン化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000036280A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7176453B2 (en) | 1999-07-21 | 2007-02-13 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method and apparatus for chromatography-high field asymmetric waveform ion mobility spectrometry |
| JP2013520673A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド | 質量分析計の反応および衝突セルのためのガス送達システム |
| JP2016127025A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-11 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
| CN109283264A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 产生气体分析装置和产生气体分析方法 |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP10203082A patent/JP2000036280A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7176453B2 (en) | 1999-07-21 | 2007-02-13 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method and apparatus for chromatography-high field asymmetric waveform ion mobility spectrometry |
| US7365316B2 (en) | 1999-07-21 | 2008-04-29 | The Charles Stark Draper Laboratory | Method and apparatus for chromatography-high field asymmetric waveform ion mobility spectrometry |
| JP2013520673A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド | 質量分析計の反応および衝突セルのためのガス送達システム |
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| CN109283264B (zh) * | 2017-07-21 | 2023-02-28 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 产生气体分析装置和产生气体分析方法 |
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