FR2742687A1 - Procede de fourniture de soudure, appareil de fourniture de soudure et procede de soudage - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un procédé de fourniture d'une soudure. Le procédé est caractérisé, en ce qu'il comprend les opérations de: superposer un organe de masquage (11) ayant une pluralité de trous traversants (9) correspondant à une pluralité d'électrodes (5) formées sur un composant électronique (6) sur un organe de support (12-14) de façon que ledit organe de support recouvre la pluralité des trous traversants (9); remplir les portions de cavité (10) formées par ladite pluralité de trous traversants (9) et ledit organe de support (12-14) de pâte de soudure (3); disposer ledit composant électronique (6) et ledit organe de masquage (11) de façon que ladite pluralité d'électrodes soit superposée sur ladite pluralité de portions de cavité (10), respectivement; et chauffer ladite pâte de soudure (3) pour amener ladite pâte de soudure à se déposer sur ladite pluralité d'électrodes (5). L'invention est utilisable dans le domaine des circuits à semi-conducteurs.

Description

1 2742687
La présente invention concerne un procédé de fourniture de soudure à une portion de connexion utilisée pour souder des composants électroniques à un substrat à câblage imprimé pour assembler les composants électroniques, un appareil utilisé à cette fin et un procédé de soudage. Jusqu'à présent, un procédé de soudage par boule ou un procédé d'impression par soudure a été utilisé pour fournir de la soudure à des électrodes extérieures d'une boîte LSI (intégration à haute densité) pour former des bosses (Fen Maeda, "Cream Solder Printing Techniques and Applications for Forming BGA Bumps", Surface Mounting Techniques, Vol. 5, No. , 1995, pages. 1-6). D'autre part, un procédé décrit dans la demande de brevet japonais publiée et examinée No. Hei. 7-85887 a été proposé sous forme d'un procédé de formation de bosses
utilisant une pâte de soudure.
Les figures 22A à 22E sont des vues montrant un procédé de fourniture de soudure conventionnel, par exemple, comme décrit dans la publication de demande de brevet japonais examinée No. Hei. 7-85487. Sur le dessin, le numéro de référence 1 désigne un organe de transfert, 2 des trous prévus dans l'organe de transfert; 3 la pâte de soudure devant être chargée dans les trous 2 prévus dans l'organe de transfert, et 21 un substrat ayant des emplacements de métal 5. Dans le cas d'un tel procédé de fourniture de soudure conventionnel, les trous 2 prévus dans l'organe de transfert 1 sont remplis d'une pâte de soudure 3, comme cela est montré sur la figure 22B, et ensuite les emplacements de métal 5 (appelés ci-après électrodes) sur le substrat 21 et les trous
2 sont alignés comme cela est montré sur la figure 22C.
Ensuite, la pâte de soudure 3 est chauffée ensemble avec l'organe de transfert 1 de façon à s'écouler pour former
ainsi des bosses 7 comme le montre la figure 22D.
Dans le cadre du procédé décrit dans la publication de demande de brevet japonais examinée No. HEI. 7-85487, comme cela est montré sur la figure 22A, les trous 2 de l'organe de
2 2742687
transfert 1 ne passent pas à travers l'organe de transfert 1 et les trous 2 sont formés par alésage. De ce fait, si les profondeurs des trous deviennent différentes les unes des autres, comme il est exprimé par les trous 2a à 2e sur la figure 23, une telle différence occasionne directement des dispersions ou diffusion en quantités de soudure à fournir et résulte dans une formation de bosses différentes en hauteur les unes des autres, comme cela est exprimé par les bosses 7a à 7e. De plus, étant donné que les trous 2 de l'organe de transfert 1 sont formés par alésage, pour ne pas passer à travers l'organe de transfert 1, un temps plus long est nécessaire pour l'alésage dans le but de former des trous 2
lorsque le nombre de bosses 7 augmente.
De plus, comme le montre la figure 24, étant donné que le flux (colophane) dans un composant de solvant contenu dans la pâte de soudure est formé par un résidu de flux 8 sur les parois internes des trous 2 après la formation de bosses, un
temps important est nécessaire pour le nettoyage.
De plus, un matériau de soudure ayant un point de fusion élevé est utilisé pour les portions de connexion soudées nécessitant une résistance à la chaleur, telles que des portions de connexion soudées à l'intérieur d'un boîtier LSI. Lorsqu'un tel matériau de soudure à haute température de fusion est utilisé pour le soudage, cependant, un organe spécial ayant une résistance à la chaleur élevée doit être utilisé parce que la quantité de la chaleur introduite (dommage thermique) pour les organes périphériques tels qu'une puce LSI, un substrat à câblage imprimé etc., devient
importante.
Par exemple, comme cela est décrit dans la publication de demande de brevet japonais examinée No. Hei. 1-266987, il a été proposé un procédé de soudage selon lequel la température de soudage d'une portion de connexion nécessitant une résistance thermique élevée est abaissée en utilisant une pâte de soudure à deux types de métal ayant des températures
de fusion différentes.
3 2742687
Quand la pâte de soudure des deux types de métal ayant des températures de fusion différentes est utilisée d'avance, la coexistence des deux types de métal dans la pâte cependant fait progresser des diffusions mutuelles des métaux même à la température ordinaire dans une période à partir de l'instant de temps auquel la soudure est produite jusqu'à l'instant de temps auquel la soudure est utilisée. Par conséquent, des inconvénients tels qu'une conglutination de particules de métal ou analogue, peuvent se produire si bien que la pâte ne
peut pas être utilisée comme pâte de soudure.
Dans le cadre du procédé de fourniture de soudure conventionnel susmentionné, du fait que les trous 2 devant être remplis de pâte de soudure 3 sont formés par alésage de façon à ne pas passer à travers l'organe de transfert 1, une dispersion des profondeurs des trous 2 se produit. Par conséquent, une dispersion en hauteur des bosses se produit ou un temps plus long est nécessaire pour l'alésage dans le but de former des trous 2 lorsque le nombre de bosses 7 augmente. De plus, du flux (colophane) dans un composant de soudure contenu dans la pâte de soudure est formé sous forme de résidu de flux 8 sur les parois internes des trous 2,
après la formation des bosses.
La présente invention a pour but de résoudre les problèmes susmentionnés et un objectif de l'invention est de proposer un procédé de fourniture de soudure et un appareil de fourniture de soudure dans lesquels un organe de masquage ayant des trous traversants est utilisé pour rendre possible la formation de bosses avec une moindre dispersion en hauteur, pour abréger le temps nécessaire pour le nettoyage après la formation des bosses et pour supprimer l'augmentation du coût en raison de l'augmentation du nombre
de bosses.
Selon le procédé de soudage conventionnel susmentionné, étant donné que la pâte de soudure de deux types de métal ayant des températures de fusion différentes est utilisée, la diffusion mutuelle entre les métaux progresse même à la température ordinaire. Par conséquent, des inconvénients tels
4 2742687
qu'une conglutination des particules de métal ou analogue peuvent se produire de façon que la pâte ne puisse pas être
utilisée comme pâte de soudure.
La présente invention a pour but de résoudre les problèmes susmentionnés et un autre objectif de l'invention réside dans le fait de proposer un procédé de soudage selon lequel la pâte de soudure contenant un premier métal ayant une température de fusion prédéterminée et de la pâte de soudure contenant un métal ayant une température de fusion différente de celle du premier métal sont utilisées pour former des bosses pour qu'il devient ainsi possible d'abaisser la température de soudage d'une portion de
connexion nécessitant une haute résistance thermique.
(1) Le procédé de fourniture de soudure selon la présente invention comprend les opérations de: superposer un organe de masquage ayant une pluralité de trous traversants correspondant à la pluralité d'électrodes formées sur un composant électronique sur un organe de support de façon que l'organe de support recouvre la pluralité des trous traversants; remplir les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants et l'organe de support de pâte de soudure; disposer le composant électronique et l'organe de masquage de façon que la pluralité d'électrodes soit superposées sur la pluralité de portions de cavité respectivement; et chauffer la pâte de soudure de façon à amener la pâte
de soudure à se déposer sur la pluralité d'électrodes.
(2) Le procédé de fourniture de soudure comprend les opérations de: disposer un organe de masquage ayant une pluralité de trous traversants correspondant à une pluralité d'électrodes formées sur un composant électronique et le composant électronique de façon que la pluralité d'électrodes soit superposée sur la pluralité de trous traversants, respectivement;
2742687
remplir les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants et le composant électronique de pâte de soudure; superposer un organe de support sur l'organe de masquage de façon que l'organe de support recouvre la pluralité de portions de cavité; et chauffer la pâte de soudure de façon à amener la pâte
de soudure à se déposer sur la pluralité d'électrodes.
(3) Le procédé de fourniture de soudure comprend les opérations de: superposer un organe de masquage en une substance magnétique ayant une pluralité de trous traversants correspondant à une pluralité d'électrodes formées sur un composant électronique sur un organe de support de façon que l'organe de support recouvre la pluralité de trous traversants; appliquer une force magnétique à l'organe de support à partir d'un côté opposé à l'autre côté sur lequel l'organe de masquage est superposé de façon que l'organe de masquage et l'organe de support superposés l'un sur l'autre soient amenés à adhérer intimement l'un à l'autre; remplir les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants et l'organe de support de pâte de soudure; disposer le composant électronique et l'organe de masquage de façon que la pluralité d'électrodes soit superposée sur la pluralité de portions de cavité, respectivement, et chauffer la pâte de soudure pour amener la pâte de
soudure à se déposer sur la pluralité d'électrodes.
(4) Le procédé de fourniture de soudure comprend les opérations de: superposer un organe de masquage en une substance magnétique ayant une pluralité de trous traversants correspondant à une pluralité d'électrodes formées sur un composant électronique sur un organe de support de ou en
6 2742687
substance magnétique de façon que l'organe de support recouvre la pluralité des trous traversants; appliquer une force magnétique de façon que l'organe de masquage et l'organe de support superposés l'un sur l'autre soient amenés à adhérer intimement l'un à l'autre; remplir les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants et l'organe de support de pâte de soudure; disposer le composant électronique et l'organe de masquage de façon que la pluralité d'électrodes soit superposée sur la pluralité de portions de cavité respectivement, et chauffer la pâte de soudure pour amener la pâte de
soudure à se déposer sur la pluralité d'électrodes.
(5) L'appareil de fourniture de soudure selon la présente invention comprend: un organe de masquage ayant une pluralité de trous traversants correspondant à une pluralité d'électrodes formées sur un composant électronique; un organe de support superposé sur l'organe de masquage de façon à recouvrir la pluralité de trous traversants; des moyens pour charger la pâte de soudure dans les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants et le composant électronique ou l'organe de support; des moyens pour disposer l'organe de masquage et le composant électronique de façon que la pluralité d'électrodes soit superposée dans la pluralité de portions de cavité ou la pluralité de trous traversants respectivement, et un moyen de chauffage pour chauffer la pâte de soudure pour amener la pâte de soudure à se déposer sur la pluralité d'électrodes. (6) Dans l'item (5), l'organe de support est réalisé en céramique. (7) Dans l'item (5) ci-dessus, l'organe de support est
un organe ayant une perméabilité aux faisceaux chauffants.
7 2742687
(8) Dans l'item ci-dessus (7) les moyens de chauffage de pâte de soudure sont formés par un radiateur à faisceau de chauffage. (9) Dans l'item cidessus (5), l'organe de support est réalisé sous forme d'un organe en forme de feuille, résistant à la chaleur, et les moyens pour charger de la pâte de soudure sont réalisés sous forme d'un moyen pour faire adhérer l'organe en forme de feuille sur l'organe de masquage et les portions de cavité de remplissage formées par une pluralité de trous traversants de l'organe de masquage et
l'organe de support avec de la pâte de soudure.
(10) Dans l'item (5), l'organe de masquage est prévu comme organe ou élément d'une substance magnétique de façon que l'appareil comprenne des moyens pour transférer une force magnétique à l'organe de masquage depuis un côté de l'organe de support opposé à son autre côté sur laquelle l'organe de masquage est superposé, pour amener ainsi l'organe de masquage et l'organe de support à adhérer intimement l'un à l'autre ou de façon que l'organe de masquage et l'organe de support soient réalisés sous forme d'un élément d'une substance magnétique pour que l'appareil comprennent des moyens donnant une force magnétique à l'organe de masquage et l'organe de support superposés l'un sur l'autre afin d'amener l'organe de masquage et l'organe de support à adhérer
intimement l'un à l'autre.
(11) Dans l'item (10), les moyens pour donner une force magnétique pour amener ainsi l'organe de masquage et l'organe de support à adhérer intimement l'un à l'autre sont conçus de façon à conférer une force magnétique en utilisant un aimant
permanent ou un électro-aimant.
(12) Dans l'item ci-dessus (10) ou (11), il est prévu un moyen pour presser l'organe de masquage et l'organe de support en utilisant un élément presseur pour maintenir ainsi
un état d'adhésion intime.
(13) Dans l'un des items ci-dessus (5) à (12), il est prévu un élément résistant à la chaleur disposé entre l'organe de masquage et l'organe de support de façon à être
8 2742687
rempli dans un intervalle entre l'organe de masquage et
l'organe de support.
(14) Dans l'un des items ci-dessus (5) à (13), l'organe de masquage et l'organe de support sont formés en des matériaux bruts qui diffèrent l'un de l'autre, respectivement. (15) Dans un des items ci-dessus (5) à (8) et (10) à (13), l'organe de support est réalisé sous forme d'un organe ayant une portion d'ouverture pour absorber l'organe de masquage et le moyen pour charger de la pâte de soudure est prévu sous forme d'un moyen pour évacuer la portion d'ouverture pour amener l'organe de masquage et l'organe de support à adhérer intimement l'un à l'autre dans le but de charger de la pâte de soudure dans les portions de cavité formées par la pluralité de trous traversants de l'organe de
masquage et par l'organe de support.
(16) Dans l'un quelconque des items ci-dessus (5) à (8) et (10) à (15), l'organe de support est réalisé sous forme d'un organe ayant des portions en saillie formées à des endroits correspondant à la pluralité de trous traversants de l'organe de masquage de façon qu'aucun intervalle ne soit formé dans les portions de cavité formées par les portions en saillie et les trous traversants lorsque l'organe de masquage
et l'organe de support sont superposés l'un sur l'autre.
(17) Dans l'un quelconque des items ci-dessus (5) à (8) et (10) à (16), l'organe de support est réalisé sous forme d'un organe ayant une portion abaissée en niveau, de façon correspondante à une portion d'extrémité de l'organe de masquage de façon que la portion d'extrémité de l'organe de masquage ne vienne pas en butée contre l'organe de support lorsque l'organe de masquage et l'organe de support sont
superposés l'un sur l'autre.
(18) Dans l'un quelconque des items ci-dessus (5) à (8) et (10) à (16), l'organe de support est prévu comme organe ayant une portion en retrait devant être en contact avec l'organe de masquage pour qu'aucun déplacement ne soit produit entre l'organe de masquage et l'organe de support
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lorsque l'organe de masquage et l'organe de support sont
superposés l'un sur l'autre.
(19) Le procédé de soudage comprend les opérations de: chauffer la pâte de soudage contenant un premier métal pour amener la pâte de soudage à se déposer sur les électrodes d'un premier composant électronique dans le but de former des bases de brosse; chauffer la pâte de soudure contenant un second métal ayant une température de fusion différente de celle du premier métal pour amener la pâte de soudure citée en second lieu à se déposer sur les bases de bosse sur les électrodes du premier composant électronique dans le but de former des bosses; superposer le premier composant électronique et un second composant électronique l'un sur l'autre de façon que les électrodes respectives des premier et second composants électroniques correspondent les unes aux autres; chauffer les bosses pour amener les bosses à se déposer
sur les électrodes du second composant électrique.
(20) Dans l'item (19) ci-dessus, l'opération de chauffer les bosses pour amener les bosses à se déposer sur les électrodes du second composant électronique comporte une opération de chauffer les bosses à une température entre la température de fusion du premier métal et la température de fusion du second métal et ensuite de chauffer les bosses à une température plus élevée que les températures de fusion des premier et second métaux de façon que les électrodes du premier composant électronique soient reliées aux électrodes
du second composant électronique.
(21) Dans les items ci-dessus (19) ou (20), l'opération de former des bosses comporte une opération de chauffer la pâte de soudure contenant le second métal qui a une température de fusion supérieure au premier métal, à amener la pâte de soudure contenant le second métal à se déposer sur les bases de bosse sur les électrodes du premier composant électronique.
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(22) Dans les items ci-dessus (19) ou (20), l'opération de former les bosses comporte une opération de chauffer la pâte de soudure contenant le second métal qui a une température de fusion inférieure à celle du premier métal, pour amener la pâte de soudure contenant le second métal à se déposer sur les bases de bosses sur les électrodes du premier
composant électronique.
(23) Un procédé de connexion soudée comprenant les opérations de: chauffer la pâte de soudure contenant un premier métal de façon à amener la pâte de soudure à se déposer sur les électrodes d'un premier composant électronique pour former ainsi des premières bosses; chauffer une pâte de soudage contenant un second métal ayant une température de fusion différente de celle du premier métal, pour amener la pâte de soudure contenant le second métal à se déposer sur les électrodes d'un second composant électronique pour former ainsi des secondes bosses; superposer les premier et second composants électroniques l'un sur l'autre de façon que les électrodes respectives des premier et second composants électroniques correspondent les unes aux autres, et chauffer l'une ou les deux des première et seconde bosses de façon que les électrodes du premier composant électronique et les électrodes du second composant électrique
soient reliées les unes aux autres.
(24) Dans l'item ci-dessus (23), l'opération de relier les électrodes du premier composant électronique et les électrodes du second composant électronique les unes aux autres comprend une opération de chauffer l'une ou les deux des première et seconde bosses à une température entre une température de fusion du premier métal et une température de fusion du second métal et ensuite de chauffer les bosses à une température supérieure aux deux températures de fusion des premier et second métaux de façon que les électrodes du
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premier composant électronique et les électrodes du second
composant électronique soient reliées les unes aux autres.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - les figures 1A à 1E sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 2 est une vue montrant un effet par rapport à la caractéristique de nettoyage selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - les figures 3A à 3E sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 4 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 5 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon le troisième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 6A et 6B sont des vues montrant un procédé de fourniture de soudure selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 7A à 7C sont des vues illustrant un procédé de soudage selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 8A à 8D sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 9A à 9C sont des vues illustrant un procédé de soudage selon un sixième mode de réalisation de la présente invention;
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- les figures 10A à 10D sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon le sixième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 11 est une vue illustrant une portion de connexion après le soudage selon le sixième mode de réalisation de la présente invention; les figures 12A et 12B sont des vues illustrant un procédé de soudage selon le sixième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 13 est une vue illustrant un procédé de soudage selon le sixième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 14A à 14E sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un septième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 15A à 15D sont des vues illustrant un procédé de fourniture selon un huitième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 16 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un neuvième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 17 est une vue montrant un procédé de fourniture de soudure selon un dixième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 18A et 18B sont des vues illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un onzième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 19 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un douzième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 20 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un treizième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 21 est une vue illustrant un procédé de fourniture de soudure selon un quatorzième mode de réalisation de la présente invention;
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- les figures 22A à 22D sont des vues illustrant un procédé conventionnel de formation de bosses; - la figure 23 est une vue illustrant un procédé de formation de bosses conventionnel; et - la figure 24 est une vue montrant un procédé
conventionnel de formation de bosses.
(Mode de réalisation 1) Les figures 1A à 1E sont des vues conceptuelles d'un procédé de fourniture ou de distribution de soudure selon le
mode de réalisation 1.
L'organe de masquage 11 est une plaque en SUS de 50 mm x 50 mm x 0,15 mm, comportant 1024 trous 9 d'un diamètre de 0,4 mm (pas de 0,5 mm, matrice de 32 x 32) pratiqués dans la partie centrale par attaque chimique. L'organe de support 12 est une plaque SUS de 50 mm x 50 mm x 3 mm. De plus, la puce LSI 6 (intégration à haute densité) est une pastille fictive ayant un câblage en aluminium formé sur une plaquette en silicium de 16 mm x 16 mm x 0,4 mm. Sur une surface de la puce LSI 6, 1024 électrodes 5 sont traitées en surface par du
titane-tungstène, nickel et or.
Comme cela est montré sur la figure 1A, l'organe de masquage 11 et l'organe de support 12 sont superposés l'un sur l'autre et fixes et, comme il est montré sur la figure lB, les portions de cavité 10 sont remplies de pâte de soudure 3 (63GK-11OGP-L), 63Sn-37Pb du type eutectique, point de fusion 183 C, fabriqué par Nihon Genma) en utilisant une raclette 4. Ensuite, comme le montre la figure 1D, les électrodes 5 de la pastille LSI 6 et les portions de cavité sont alignées et chauffées en utilisant une plaque chauffante chauffée à 240 C, de façon que la pâte de soudure 3 soit chauffée/portée à fusion pour mouiller les électrodes de soudure dans le but de former ainsi des bosses 7, comme
cela est montré sur la figure 1E.
Bien que l'épaisseur de l'organe de masquage 11 utilisé dans ce mode de réalisation est de 0,15 mm, tout défaut dans la formation des bosses peut être supprimée en concevant la hauteur de la pâte de soudure 3 plus importante que
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l'épaisseur de masque lorsque la pâte de soudure chargée 3
est en fusion et configurée en sphère.
De plus, la pâte de soudure 3 peut être empêchée de jaillir vers l'extérieur au moment du chargement par insertion ou adhésion d'un organe en forme de feuille telle qu'une bande en polyimide, etc., ayant une résistance à la chaleur et une élasticité, un agent de collage ou analogue,
entre l'organe de masquage 11 et l'organe de support 12.
Bien que ce mode de réalisation a montré le cas o l'organe de masquage SUS 11 et l'organe de support SUS 12 sont utilisés, l'invention n'est pas limitée à cela et tout matériau tel que de l'aluminium ou analogue qui est à peine
mouillé de soudure est approprié.
Bien ce que mode de réalisation a montré le cas o les trous traversants 9 sont formés par attaque chimique, tout procédé tel que d'alésage, de décharge électrique, ablation
par laser ou analogue est approprié.
Bien que ce mode de réalisation a montré le cas o l'organe de masquage 11 est formé en prévoyant des trous traversants 9 dans un matériau en forme de plaque, l'organe de masquage 11 peut être produit par laminage en pratiquant une électro-déposition de la même manière qu'un masque
supplémentaire utilisé lors d'une impression à soudure.
De plus, par rapport au procédé de chauffage utilisant une plaque chaude, une soudure à haute précision peut également être fournie par un chauffage en utilisant un four
à fusion.
La figure 2 montre les résultats d'un essai comparatif selon lequel la caractéristique de nettoyage de l'organe de masquage 11 utilisé dans ce mode de réalisation est comparé à la caractéristique de nettoyage de l'organe de transfert 1 utilisé dans le procédé selon la publication de demande de
brevet japonais examinée No. Hei. 7-85487 selon la figure 14.
L'organe de transfert 1 préparé ici comprend 1024 cavités ayant un diamètre de 0,4 mm et une profondeur de 0,15 mm (valeur actuellement mesurée: 0,14 mm 0,01 mm) formées
par alésage dans une plaque SUS de 50 mm x 50 mm x 3 mm.
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Dans le cas o l'organe de masquage 11 et l'organe de transfert 1 sont immergés dans de l'acétone chauffé à 40 C et nettoyés par voie d'ultrasons après la formation des bosses 7 selon des procédés respectifs, le temps de nettoyage et la quantité du résidu du flux (chacun desquels constituent une valeur relative dans la supposition que la valeur immédiatement aprèsla formation des bosses de l'organe de
transfert est 100) sont comparés.
Selon ce test comparatif, la quantité du résidu du flux juste après la formation des bosses selon le procédé de ce mode réalisation est seulement de 20% en comparaison à celui du procédé selon la publication de demande de brevet japonais examinée No. Hei 7-85487 si bien que le temps de nettoyage nécessaire pour obtenir un état de réutilisation peut être
raccourci.
On pense que ceci est dû au fait que les résidus de flux sont appropriés pour être déposés au voisinage des fonds des cavités de l'organe de transfert 1 tandis que des résidus de flux sont à peine déposés au voisinage des trous traversants et un agent de nettoyage se répand suffisamment
dans les trous traversants au moment du nettoyage.
De plus, lorsque les hauteurs des bosses ainsi formées sont mesurées, la moyenne et la déviation standard dans le cas du procédé selon publication de demande de brevet japonais examinée No. Hei 7-85487 sont de 223 gm et de 9,2 um respectivement. Au contraire, on a trouvé que, dans le procédé selon ce mode de réalisation, la moyenne et la déviation de standard sont de 231 gm et de 7,2 gm respectivement et celle des hauteurs des bosses peut être
contrôlée avec une précision élevée.
Bien que ce mode de réalisation a montré le cas o l'organe de masquage SUS est utilisé comme il est, la surface de l'organe de masquage peut être revêtu par du fluororésine à une épaisseur d'environ 10 gm de façon que l'organe de masquage puisse être empêché d'être mouillé de soudure et
ainsi le temps de nettoyage puisse être raccourci.
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En outre, dans le cas d'un organe de masquage d'aluminium, la surface de celui-ci peut être traitée pour former de l'alumite pour que la propriété de nettoyage et la
durée puissent être améliorées.
(Mode de réalisation 2) Fig. 3 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 2.
Comme cela est montré sur la 3A, des trous traversants 9 d'un organe de masquage 11 sont alignés avec des électrodes 5 sur une puce ou une pastille en LSI 6 et, comme il est montré sur la figure 3B, de la pâte de soudure 3 est chargée en utilisant une raclette 4. De plus, comme il est montré sur la figure 3C, un organe de support 12 est superposé sur l'organe de masquage 11 et la structure lamifiée est chauffée en utilisant une plaque chaude chauffée à 240 C, de façon que la pâte de soudure 3 soit chauffée/en fusion pour mouiller l'électrode 5 sur la pastille LSI 6 de la soudure, dans le but de former ainsi des bosses 7, comme cela est montré sur
la figure 3D.
Dans ce mode de réalisation, rien n'est chargé dans les trous traversants 9 à l'étape o l'organe de masquage 11 est
aligné avec la pastille LSI 6, comme le montre la figure 3A.
Par conséquent, il en résulte un avantage que l'alignement peut être réalisé aisément en comparaison au mode de
réalisation 1.
(Mode de réalisation 3) La figure 4 est une vue conceptuelle d'un procédé de fourniture ou de distribution de soudure selon le mode de
réalisation 3.
L'organe de support 13 (50 mm x 50 mm x 2 mm) utilisé
dans ce mode de réalisation est réalisé en céramiques.
Des céramiques sont excellentes quant à la résistance à la chaleur et sont à peine cintrées lorsqu'elles sont chauffées et ont des caractéristiques non corrosives. Du fait qu'il est cependant pratiquement impossible de réaliser des perçages ou des alésages en utilisant l'attaque chimique, il
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est difficile d'utiliser des céramiques pour l'organe de
masquage 11 ou l'organe de transfert 1 sur la figure 14.
Par conséquent, un matériau qui a présenté des difficultés d'être utilisé conventionnellement peut être utilisé en prévoyant que l'organe de masquage 11 soit soumis à un perçage séparément de l'organe de support 13 n'ayant aucun besoin d'être alésé, comme cela est montré sur la
figure 4.
De plus, comme le montre la figure 5, un organe de support en céramique 13 qui est obtenu en réalisant l'organe de support 12 en céramique peut être également utilisé dans le procédé de fourniture de soudure selon le mode de
réalisation 2.
(Mode de réalisation 4) La figure 6 est une vue conceptuelle d'un procédé de fourniture ou de distribution de soudure selon le mode de
réalisation 4.
L'organe de support 14 (50 mm x 50 mm x 2 mm) utilisé
dans ce mode de réalisation est réalisé en verre.
L'organe de support 14 en verre est utilisé comme substitut pour l'organe de support 12 en SUS aluminium ou analogue, dans le même procédé que dans le mode de
réalisation 2.
Dans ce mode de réalisation, un laser du type YAG 15 est utilisé comme moyen de chauffage. Le laser YAG 15 est focalisé jusqu'à un diamètre de 0,1 mm inférieur au diamètre de 0,4 mm des portions de cavité 10 de l'organe de masquage 11, si bien de la chaleur appliquée à des portions autres que la pâte de soudure puisse être réduite remarquablement. Par conséquent, il se produit un effet que le cintrage de l'organe de masquage 11 ou analogue est supprimé et que tout
défaut lors de la formation des bosses est réduit.
Lorsque la température de la face arrière du masque est mesurée, la température monte seulement à environ 100 C au moment de l'irradiation laser. De plus, le cintrage de l'organe de masquage 11 est à peine produit parce que le
chauffage est donné localement.
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En outre, même dans le cas o la soudure à température
de fusion élevée (point de fusion: 314 C) telle que du 95Pb-
Sn est distribué, la température de la face arrière du masque est environ de 120 C et, par conséquent, une soudure à haute température de fusion peut être fournie même à un substrat en verre époxy à câblage imprimé, qui ne peut pas être utilisé, en général, à une température non inférieure à
250 C.
Bien que ce mode de réalisation a montré le cas o les portions de cavité 10 sont soumises à un rayonnement laser l'un après l'autre, individuellement, aucun cintrage n'est produit dans l'organe de masquage 11 à un degré occasionnant un problème même dans le cas o les portions de cavité 10
sont balayées continuellement pendant que le laser est émis.
Ceci contribue au fait que la température de l'organe de masquage 11 ne doit pas monté à un degré occasionnant un problème parce que la pâte de soudure 3 est constituée par un jeu de fines billes métalliques et le facteur d'absorption laser actuel de celle-ci est augmenté en raison de la réflexion diffusée du laser émis sur la pâte de soudure 3 si bien que la température de la pâte de soudure 3 augmente facilement en comparaison à l'organe de masquage 11 qui est
réalisé à partir d'un métal lisse.
(Mode de réalisation 5) La figure 7 est une vue conceptuelle d'un procédé de
soudage selon le mode de réalisation 5.
Sur le dessin, le numéro de référence 16 désigne une soudure à haute température de fusion d'une composition de métal 95Pb-5Sn (température de fusion: 314 C) et 17 une soudure à basse température de fusion d'une composition de
métal 70In-30Pb (température de fusion: 174 C).
Comme cela est montré sur la figure 7A, la soudure à basse température de fusion 17 comportant des fines particules de métal dispersées (taille de particule: 25 à 40 gm) de la soudure à température de fusion élevée 16 est fournie aux électrodes 5 d'une pastille LSI 6, de façon que
des bosses 7 soient formées sous la forme d'un ensemble.
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Comme le montre la figure 7B, les électrodes 18 prévues sur un substrat à câblage imprimé 19, conformément aux électrodes sur la pastille LSI 6, sont alignées de façon à correspondre aux électrodes 5 sur la pastille LSI 6 et le soudage est accompli en utilisant une plaque chaude de 220 C. Comme le montre la figure 7C, les portions de connexion soudées 20 ayant une composition uniforme contenant, dispersées, de la soudure à température de fusion élevée 16 et de la soudure à basse température de fusion 17 sont
établies.
Dans ce mode de réalisation, du fait que le rapport de quantité de la soudure à température de fusion élevée 16 et de la soudure à basse température de fusion 17 est établie de façon à être de 1:1, la composition de métal des portions de connexion soudées 20 est 62.5Pb-35In-2.5Sn et a une
température de fusion de 270 à 280 C.
De plus, la combinaison de la soudure à température de fusion élevée 16 et de la soudure à basse température de fusion 17 n'est pas limitée aux modes de réalisation spécifiques. Par exemple, la soudure Sn-Pb ou analogue est
également appropriée.
En outre, dans le cas o les portions de connexion 20 doivent être réalisées par soudure, un chauffage à une température plus élevée que la température de fusion de la soudure de basse température de fusion 17 peut être réalisé pour fixer les électrodes 5 sur la puce LSI 6 et les électrodes 18 sur le substrat à câblage imprimé 19, les uns par rapport aux autres, et ensuite un chauffage à une température plus élevée que la température de fusion de la soudure à haute température de fusion 16 peut être accompli de façon que les portions de connexion soudées 20 soient formées. La figure 8 est une vue montrant une procédure de
formation de bosses utilisée dans le mode de réalisation 5.
Premièrement, comme le montre la figure 8A, de la pâte de soudure 23 du métal à basse température de fusion 17 est chargé dans les portions de cavité 10 de la même manière que
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dans le mode de réalisation 2 (ou mode de réalisation 1) en utilisant un organe de masquage 11 d'une épaisseur de 75 um, une puce LSI 6 est placée de façon que les électrodes 5 sur la pastille LSI 6 correspondent aux portions de cavité 10, et le chauffage est accompli en utilisant une plaque chaude de 220 C afin que les bases de bosse 20 de métal à faible température de fusion 17 soient formées, comme le montre la
figure 8B.
Ensuite, comme cela est montré sur la figure 8C, de la pâte de soudure 24 du métal à haute température de fusion 16 et chargée dans les portions de cavité 10 en utilisant l'organe de masquage 11 de 75 gm d'épaisseur, la pastille LSI 6 pourvue de bases de bosse 22 de métal à basse température de fusion 17 est mise en place, et le chauffage est réalisé en utilisant la plaque chaude de 220 C pour mettre des particules de métal à haute température de fusion 16 dans les bases de bosse 22 pour que les bosses 7 soient formées, comme
cela est montré sur la figure 8D.
Bien que la pâte de soudure contenant deux types de métal ayant des températures de fusion différentes, d'avance, a été proposée dans la publication de demande de brevet japonais non examinée No. Hei 1-266987, la coexistence des deux métaux dans la pâte fait qu'une diffusion mutuelle entre les métaux progresse même à la température ordinaire dans une période allant de l'instant de temps quand la pâte est produite à l'instant de temps de l'utilisation de la pâte, si bien qu'il pourrait être impossible d'utiliser la pâte comme pâte de soudure en raison de la manifestation des désavantages tels qu'une conglutination des particules de
métal, ou analogue.
En outre, dans le cas o les particules de métal respectives sont insuffisamment mélangées, il existe la possibilité que la proportion de particules de métal respectives varie en fonction des portions de cavité 10 devant être remplies si bien qu'une température de fusion
souhaitée ne puisse pas être obtenue.
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En outre, la proportion de quantités du métal à basse température de fusion 17 et du métal à haute température de fusion 16 peut être librement changée en formant les bosses 7 de la manière montrée dans ce mode de réalisation de façon que des portions de connexion soudées 20 ayant une
température de fusion souhaitée puissent être formées.
(Mode de réalisation 6) Les figures 9a à 9C sont des vues conceptuelles d'un
procédé de soudage selon le mode de réalisation 6.
Sur le dessin, le numéro de référence 16 désigne la soudure au point de fusion élevé ou à température de fusion élevée d'une composition de métal 95Pb-5Sn (point de fusion: 314 C); et 17 une soudure au point de fusion bas d'une
composition de métal 70In-30Pb (point de fusion: 174 C).
Comme cela est montré sur la figure 9A, des bosses 7 ayant chacune une structure telle que l'extérieur de la soudure au point de fusion élevé 16 soit inclue dans la soudure au point de fusion bas 17 sont formées sur les électrodes 5 de la puce LSI 6. Comme on le montre sur la figure 9B, des électrodes 18 prévues sur un substrat à câblage imprimé 19, conformément aux électrodes 5 sur la puce LSI, sont alignées de façon à correspondre aux électrodes 5 sur la puce LSI 6 et le soudage est réalisé en utilisant une plaque chaude de 220 C. Comme le montre la figure 9C, les portions de connexion soudées 20 ayant une composition uniforme contenant, dispersées, de la soudure au point de fusion élevé 16 et de la soudure au point de fusion bas 17
sont réalisées.
Il est généralement dit que l'effet de relâcher les contraintes engendrées par la différence des coefficients d'expansion thermique linéaire entre la pastille LSI et le substrat à câblage imprimé augmente au fur et à mesure o la
hauteur des portions de connexion soudées augmente.
Dans ce mode de réalisation, du fait que le métal au point de fusion élevé 16 n'est pas fondu à l'instant de temps du soudage, le métal à température de fusion élevée 16 joue
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un rôle de limitation de la hauteur des portions de connexion
soudées 20.
En outre, dans le cas o les portions de connexion 20 doivent être formées pour soudage, un chauffage à une température supérieure au point de fusion de la soudure au point de fusion élevé 17 peut être réalisé pour fixer les électrodes 5 sur la puce LSI 6 et les électrodes 18 sur le substrat à câblage imprimé 19, les unes par rapport aux autres, et ensuite un chauffage à une température supérieure au point de fusion de la soudure au point de fusion élevé 16 peut être accompli de façon que les portions de connexion
soudées 20 soient formées.
La figure 10 est une vue illustrant une procédure de
réalisation de bosses utilisée dans le mode de réalisation 6.
Tout d'abord, comme le montre la figure 10A, de la pâte de soudure 24 de métal au point de fusion élevé 16 est chargée dans des portions de cavité 10 de la même manière que dans le mode de réalisation 2 (ou mode de réalisation 1) en utilisant un organe de masquage 11 d'une épaisseur de 75 fm, une puce LSI 6 est positionnée de façon que les électrodes 5 sur la pastille LSI 6 correspondent aux portions de cavité , et un chauffage est réalisé en utilisant une plaque chaude de 360 C, afin que les bases de bosse 22 du métal au point de fusion élevé 16 soient formées, comme cela est
montré sur la figure lOB.
Ensuite, comme le montre la figure 10C, de la pâte de soudure 23 d'un métal au point de fusion bas 17 est chargée dans les portions de cavité 10 en utilisant l'organe de masquage 11 de 75 gm d'épaisseur, la puce LSI 6 pourvue des bases de bosse 22 du métal au point de fusion élevé 16 est mise en place et le chauffage est accompli en utilisant la plaque chaude de 220 C pour recouvrir le métal au point de fusion élevé 16 du métal au point de fusion bas 17, de façon que des bosses 7 soient formées, comme cela est montré sur la
figure 10D.
La figure 11 est une vue montrant une portion de
connexion après le soudage dans le mode de réalisation 6.
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Une couche mince de métal au point de fusion faible 17 peut être observé du côté inférieur de la portion de connexion. En outre, cette couche est établie de façon à disparaître graduellement en continuant le chauffage à 220 C si bien que le point de fusion de l'ensemble de la portion de
connexion augmente à une température non inférieure à 270 C.
La figure 12 est une vue conceptuelle d'une procédure de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur obtenue en
appliquant le procédé de soudage du mode de réalisation 6.
Comme le montre la figure 12A, les électrodes de connexion LSI 181 correspondant aux électrodes 5 de la pastille LSI 6 et des électrodes extérieurs 182 sont formées sur un substrat à câblage imprimé 19. Du métal au point de fusion bas 17 est fourni aux électrodes respectives 181 et 182 selon le procédé du mode de réalisation 2 (ou mode de
réalisation 1).
Comme cela est montré sur la figure 12B, la puce LSI 6 pourvue du métal au point de fusion élevé 16 selon le procédé du mode de réalisation 2 (ou mode de réalisation 1) est mise en place et le soudage est accompli en utilisant une plaque
chaude de 220 C.
Le métal au point de fusion faible 17 fourni aux électrodes extérieures 182 peut être utilisé comme matériau de connexion lorsqu'un dispositif à semi-conducteur est monté sur un substrat mère de l'application électronique. I1 est ainsi préférable que le métal au point de fusion faible 17
soit formé de façon à être supérieur à la pastille LSI 6.
En outre, comme le montre la figure 13, ce mode de
réalisation peut être appliqué à un dispositif à semi-
conducteur ayant des électrodes extérieures 182 formées sur une surface du substrat à câblage imprimé 19, opposée à
l'autre surface sur lequel est montée la puce LSI 6.
En outre, dans le cas o les portions de connexion 20 doivent être formées, un chauffage à une température supérieure au point de fusion de la soudure au point de fusion bas 17 peut être réalisé et ensuite un chauffage à une température supérieure au point de fusion de la soudure au
24 2742687
point de fusion élevé 16 peut être accompli de façon que les
portions de jonction soudées 20 puissent être formées.
(Mode de réalisation 7) Les figures 14A à 14E sont des vues conceptuelles d'un procédé de fourniture de soudure selon le mode de réalisation 7. L'organe de masquage 11 est une plaque SUS de 50 mm x mm x 0,15 mm comprenant 1024 trous traversants 9 d'un diamètre de 0,4 mm (pas de 0,5 mm, matrice de 32 x 32) formés
dans la portion centrale par attaque chimique.
Un élément en forme de feuille 25 à titre d'organe de support est formé à partir d'une bande d'adhésif de polyimide, ayant une épaisseur de 100 gm et découpé de façon
à avoir une taille de 20 mm x 20 mm.
En plus, la pastille LSI 6 est réalisée à partir d'une pastille fictive ayant un câblage en aluminium formé sur une plaquette de silicium de 16 mm x 16 mm x 0,4 mm. Des électrodes 5 de 1024 prévues sur une surface de la pastille LSI 6 sont traitées en surface par du titane-tungstène,
nickel et or.
* Comme le montre la figure 14B, l'organe en forme de
feuille 25 est fixé au masque 11 de la figure 14A.
Ensuite, comme le montre la figure 14C, des portions de cavité 10 sont remplies de pâte de soudure 3 (63GK-11OGP-L, 63Sn-37Pb du type eutectique, point de fusion de 183 C,
réalisé par Nihon Genma) en utilisant une raclette 4.
Ensuite, comme le montre la figure 14D, les électrodes de la puce LSI 6 et les trous traversants 9 sont alignés et chauffés en utilisant une plaque chaude chauffée à 240 C, de façon que la pâte de soudure 3 soit chauffée/fondue pour mouiller les électrodes 5 de soudure pour former ainsi des
bosses 7 comme le montre la figure 14E.
En attachant l'élément en forme de feuille à l'organe de masquage, la pâte de soudure peut être empêchée de jaillir hors du côté arrière de l'organe de masquage quand le raclage
(chargement) est réalisé.
2742687
(Mode de réalisation 8) La figure 15 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 8.
L'organe de masquage 11 est une plaque en SUS430 de 50 mm x 50 mm x 0, 15 mm d'une substance magnétique ayant 1024 trous traversants 9 d'un diamètre de 0,4 mm (pas de 0,5 mm, matrice de 32 x 32) formés dans la portion centrale par
attaque chimique.
L'organe de support 121 est une plaque en SUS430 de 50
mm x 50 mm x 3 mm d'une substance magnétique.
L'aimant 26 est un aimant permanent d'un diamètre de 40
mm et d'une épaisseur de 5 mm.
La pastille LSI 6 est la même que dans le mode de
réalisation 7 montré sur la figure 14 et la description de
celui-ci est omise.
Comme le montre la figure 15A l'organe de masquage 111, l'organe de support 121 et l'aimant 26 sont superposés et fixés l'un sur l'autre, et comme le montre la figure 15B, les
trous traversants sont remplis de la pâte de soudure 3 (63GK-
11OGP-L, 63Sn-37Pb de type eutectique, point de fusion 183 C,
fabriqué par Nihon Genma) en utilisant une raclette 4.
Ensuite, comme le montre la figure 15C, les électrodes de la pastille LSI 6 et les trous traversants 9 sont alignés et chauffés en utilisant une plaque chaude chauffée à 240 C, de façon que la pâte de soudure 3 soit chauffée/fondue pour mouiller les électrodes 5 de soudure pour former ainsi
les bosses 7 comme le montre la figure 15D.
Comme cela est décrit ci-dessus, une substance magnétique SUS430 est utilisée comme matériau pour l'organe de masquage 111 et l'organe de support 121, l'aimant 26 est superposé sur l'organe de support 121 de façon que l'organe de masquage 111 puisse être amené à adhérer étroitement à l'organe de support 121 par la force magnétique de façon qu'une défaut consistant en un écoulement de la pâte de soudure dans un intervalle entre l'organe de masquage et
l'organe de support puisse être empêché au moment du raclage.
26 2742687
Bien que la description ci-dessus a été faite dans le
cas o à la fois l'organe de masquage 111 et l'organe de support 121 sont réalisés en une substance magnétique telle que du SUS430 ou analogue, seulement l'organe de masquage 111 pourrait être réalisé en une substance magnétique. Dans ce cas, du fait que l'organe de masquage 111 est attiré par la force magnétique de l'élément 26, l'organe de masquage 111 peut être amené à adhérer étroitement à l'organe de support 121 de façon que la pâte de soudure puisse être empêchée de jaillir hors des trous traversants lorsque la
pâte de soudure est chargée.
(Mode de réalisation 9) la figure 16 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 9.
L'électro-aimant 261 est le même que dans le mode de réalisation 8, à l'exception du fait que l'électro-élément
261 a un diamètre de 40 mm et une épaisseur de 5 mm.
Etant donné que l'électro-aimant 261 peut mettre en/hors service la production de la force magnétique, l'organe de masquage 111 peut être séparé de l'organe de
support 121, facilement, après la formation des bosses.
(Mode de réalisation 10) La figure 17 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 10.
Le gabarit de pressage 27 est réalisé en SUS430 ayant une taille de 50 mm x 50 mm x 5 mm. Dans le gabarit de pressage 27, une portion d'ouverture de 16,2 mm x 16,2 mm et d'une profondeur de 0,5 mm est formée pour y placer la
pastille LSI 6.
En pressant l'organe de masquage 111 à partir de la portion supérieure à travers le gabarit de pressage 27 pour amener l'organe de masquage 111 et l'organe de support 121 à adhérer étroitement l'un à l'autre, l'état de l'adhésion étroite de l'organe de masquage 111 et de l'organe de support 121 peut être maintenu même dans le cas o l'aimant est démagnétisé au moment du chauffage. Par conséquent, tout
défaut par écoulement de pâte de soudure peut être empêché.
27 2742687
La raison pourquoi une substance magnétique US430 est utilisée pour le gabarit de pressage 27 réside dans le fait qu'il contribue à supprimer un défaut dû à une différence du coefficient d'expansion thermique linéaire entre le gabarit de pressage 27 et chacun parmi l'organe de masquage 111 et l'organe de support 121, parce que ces organes 111 et 121
sont réalisés en SUS430. Alternativement, une substance non-
magnétique peut être utilisée pour le gabarit de pressage 27.
(Mode de réalisation 11) La figure 18 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 11.
Une rainure 28 d'une largeur de 2 mm et d'une profondeur de 1 mm est formée, de façon annulaire, dans la forme d'un circuit d'environ 40 mm x 40 mm dans l'organe de
support 121 de façon à être vidée par un côté.
Grâce à cette évacuation, l'organe de masquage 111 est aspiré vers l'organe de support 121 de façon que les deux organes 111 et 121 soient amenés à adhérer étroitement l'un à l'autre. Par conséquent, la pâte de soudure peut être empêchée de jaillir vers l'extérieur lorsque la pâte de
soudure est chargée.
(Mode de réalisation 12) La figure 19 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 12.
L'organe de masquage 11 est une plaque en SUS de 50 mm x 50 mm x 0,15 mm, ayant 1024 trous traversants d'un diamètre de 0,4 mm (pas de 0,5 mm, matrice de 32 x 32) formés dans la portion centrale par attaque chimique et est le même que dans
le mode de réalisation 1.
L'organe de support 123 est une plaque SUS de 50 mm x mm x 3 mm pourvue de portions en saillie 29 dont chacune a
un diamètre de 0,38 mm et une hauteur de 0,03 mm.
Grâce à ces portions en saillie 29, il est difficile qu'un intervalle puisse être formé entre l'organe de masquage 11 et l'organe de support 123. Par conséquent, tout défaut
par écoulement de la pâte de soudure peut être empêché.
28 2742687
(Mode de réalisation 13) La figure 20 est une vue conceptuelle d'un procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 13.
Dans l'organe de support 124, une portion découpée 30 d'une largeur de 2 mm et d'une profondeur de 1 mm est pratiquée le long de la circonférence extérieure de l'organe de support 124. La portion découpée 30 correspond à une
portion d'extrémité de l'organe de masquage 11.
Bien que des bavures peuvent être produites dans la portion d'extrémité de l'organe de masquage 11, selon ce mode de fabrication, le fait de prévoir une telle portion découpée peut empêcher qu'un intervalle soit formé entre l'organe de masquage 11 et l'organe de support 124 lorsque des bavures
sont produites dans l'organe de masquage 11.
(Mode de réalisation 14) La figure 21 est une vue conceptuelle du procédé de
fourniture de soudure selon le mode de réalisation 14.
L'organe de support 125 est une plaque SUS de 60 mm x mm x 3 mm dans laquelle une portion d'ouverture 31 de 50,2 mm x 50,2 mm est pratiquée de façon à avoir une profondeur de 0,05 mm pour que le masque 11 puisse être mis en place dans
la portion d'ouverture 31.
En prévoyant la portion d'ouverture 31 pour y recevoir l'organe de masquage 11, le masquage 11 peut être empêché de se déplacer par rapport à l'organe de support 121 au moment
du raclage.
Comme cela a été décrit plus haut, dans le cadre du procédé de fourniturede soudure et dans l'appareil de fourniture de soudure selon la présente invention, les bosses qui varient faiblement en hauteur peuvent être formées en
utilisant un organe de masquage ayant des trous traversants.
Par conséquent, il se produit un effet que le temps de nettoyage après la formation des bosses puisse être raccourci et que l'augmentation du coût occasionnée par l'augmentation
du nombre de bosses puisse être supprimée.
De plus, l'organe de masquage peut être amené à adhérer étroitement à l'organe de support par force magnétique en
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utilisant une substance magnétique comme matériau pour l'organe de masquage et l'organe de support et en superposant l'aimant sur ces organes. Par conséquent tout défaut d'écoulement de la pâte de soudure dans un intervalle entre l'organe de masquage et l'organe de support peut être empêché
au moment du raclage.
De plus, dans le cadre du procédé de soudage selon la présente invention, les bosses sont formées en utilisant une pâte de soudure contenant un premier métal ayant un point de fusion prédéterminé et une pâte de soudure contenant un métal ayant un point de fusion différent du point de fusion du premier métal. Par conséquent, il se produit l'effet que la température de soudage de la portion de connexion, nécessitant une résistance à la chaleur élevée, puisse être
réduite.
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Claims (19)

REVENDICATIONS
1. Procédé de fourniture d'une soudure, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: superposer un organe de masquage (11) ayant une pluralité de trous traversants (9) correspondant à une pluralité d'électrodes (5) formées sur un composant électronique (6) sur un organe de support (12-14) de façon que ledit organe de support recouvre la pluralité des trous traversants (9); remplir les portions de cavité (10) formées par ladite pluralité de trous traversants (9) et ledit organe de support (12-14) de pâte de soudure (3); disposer ledit composant électronique (6) et ledit organe de masquage (11) de façon que ladite pluralité d'électrodes soit superposée sur ladite pluralité de portions de cavité (10), respectivement; et chauffer ladite pâte de soudure (3) pour amener ladite pâte de soudure à se déposer sur ladite pluralité
d'électrodes (5).
2. Appareil de fourniture de soudure, caractérisé en ce qu'il comprend: un organe de masquage (11) ayant une pluralité de trous traversants (9) correspondant à une pluralité d'électrodes (5) formées sur un composant électronique (6); un organe de support (12-14) superposé sur ledit organe de masquage (11) de façon à recouvrir ladite pluralité de trous traversants (9); des moyens pour charger de la pâte de soudure dans les portions de cavité (10) formées par ladite pluralité de trous traversants (9) et ledit composant électronique (6) ou ledit organe de support (12-14); des moyens pour disposer ledit organe de masquage (11) et ledit composant électronique (6) de façon que ladite pluralité d'électrodes (5) soit superposée sur ladite
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pluralité de portions de cavité (10) ou ladite pluralité de trous traversants (9) respectivement; et des moyens de chauffage pour chauffer ladite pâte de soudure (3) de façon à amener ladite pâte de soudure à se déposer sur ladite pluralité d'électrodes (5).
3. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support
(12-14) précité est réalisé en céramiques.
4. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support (12-14) est un organe ayant une perméabilité à des faisceaux chauffants.
5. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de chauffage de pâte de soudure précités sont formés par un
radiateur de faisceaux chauffants.
6. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support précité est réalisé sous forme d'un organe en forme de feuille résistante à la chaleur, et les moyens pour charger de la pâte de soudure sont formés par un moyen faisant adhérer ledit organe en forme de feuille sur ledit organe de masquage et pour remplir les portions de cavité formées par ladite pluralité de trous traversants dudit organe de masquage et dudit organe de
support, de pâte de soudure.
7. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de masquage précité est réalisé sous forme d'un organe d'une substance magnétique de façon que ledit appareil comprenne: des moyens pour conférer une force magnétique audit organe de masquage depuis un côté dudit organe de support, opposé à l'autre côté de celui-ci sur lequel ledit organe de masquage est superposé, pour amener ledit organe de masquage et ledit organe de support à adhérer étroitement l'un à l'autre;
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chacun desdits organes de masquage et de support est réalisé sous forme d'un organe d'une substance magnétique de façon que ledit appareil comprenne des moyens pour conférer une force magnétique audit organe de masquage et audit organe de support superposés l'un sur l'autre pour amener ledit organe de masquage et ledit organe de support à adhérer
étroitement l'un à l'autre.
8. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens précités pour conférer une force magnétique pour amener l'organe de masquage précité et l'organe de support précité à adhérer étroitement l'un à l'autre est conçu de façon à donner une force magnétique en utilisant un aimant permanent ou un électro-aimant.
9. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: des moyens pour presser l'organe de masquage précité et l'organe de support en utilisant un organe de pressage pour
maintenir un état d'adhésion étroit.
10. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un organe résistant à la chaleur disposé entre l'organe de masquage et l'organe de support de façon à être introduit dans un intervalle entre ledit organe de masquage et ledit
organe de support.
11. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de masquage précité et l'organe de support précité sont réalisés en des
matériaux bruts différents l'un de l'autre, respectivement.
12. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support précité est réalisé sous forme d'un organe ayant une portion d'ouverture pour absorber l'organe de masquage précité, et lesdits moyens pour charger la pâte de soudure sont réalisés sous forme d'un moyen pour évacuer ou libérer ladite portion d'ouverture pour amener ledit organe de masquage et ledit organe de support à adhérer étroitement l'un à l'autre,
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dans le but de charger de la pâte de soudure dans les portions de cavité formées par ladite pluralité de trous traversants dudit organe de masquage et ledit organe de support.
13. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support précité est réalisé sous forme d'un organe ayant des portions en saillie formées à des emplacements correspondants à la pluralité précitée de trous traversants de l'organe de masquage précité de façon qu'aucun intervalle ne soit produit dans les portions de cavité formées par lesdites portions en saillie et lesdits trous traversants lorsque ledit organe de masquage et ledit organe de support sont superposés l'un sur l'autre.
14. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support précité est réalisé sous forme d'un organe ayant une portion d'un niveau abaissé conformément à une portion d'extrémité de l'organe de masquage précité de façon que ladite portion d'extrémité dudit organe de masquage ne vienne pas en butée contre l'organe de support précité lorsque ledit organe de masquage et ledit organe de support sont superposés l'un sur l'autre.
15. Appareil de fourniture de soudure selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de support précité est réalisé sous forme d'un organe ayant une portion en retrait devant être en contact avec l'organe de masquage précité de façon qu'aucun déplacement ne soit produit entre ledit organe de masquage et ledit organe de support lorsque ledit organe de masquage et ledit organe de support sont
superposés l'un sur l'autre.
16. Procédé de soudage caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: chauffer une pâte de soudure contenant un premier métal pour amener ladite pâte de soudure à se déposer sur les électrodes d'un premier composant électronique pour former des bases de bosse;
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chauffer la pâte de soudure contenant un second métal ayant un point de fusion différent de celui dudit premier métal, pour amener ladite pâte de soudure mentionnée en second lieu à se déposer sur lesdites bases de bosse sur lesdites électrodes dudit premier composant électronique pour former des bosses; superposer ledit premier composant électronique et un second composant électronique l'un sur l'autre de façon que les électrodes respectives desdits premier et second composants électroniques correspondent les unes aux autres; et chauffer lesdites bosses pour amener lesdites bosses à se déposer sur lesdites électrodes dudit second composant électronique.
17. Procédé de soudure selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape de chauffer les bosses précitées pour amener lesdites bosses à se déposer sur les électrodes précitées du second composant électronique précité comporte les opérations de: chauffer lesdites bosses à une température entre le point de fusion du premier métal précité et le point de fusion du second métal précité, et chauffer lesdites bosses à une température supérieure aux points de fusion desdits premier et second métaux de façon que lesdites électrodes dudit premier composant électronique soient connectées auxdites électrodes dudit
second composant électronique.
18. Procédé de soudage selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'opération de former les bosses précitées comporte les opérations de chauffer la pâte de soudure contenant le second métal précité qui a un pont de fusion supérieur à celui du premier métal, pour amener ladite pâte de soudure contenant ledit second métal à se déposer sur lesdites bases de bosse sur lesdites électrodes dudit premier
composant électronique.
19. Procédé de soudage selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape de former lesdites bosses
2742687
comprend l'opération de chauffer la pâte de soudure contenant
le second métal précité qui a un point de fusion inférieur à celui du premier métal précité, pour que ladite pâte de soudure contenant ledit second métal se dépose sur les bases5 de bosses précitées sur lesdites électrodes dudit premier composant électronique.
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0854768A1 (fr) * 1995-10-06 1998-07-29 Brown University Research Foundation Procedes et compositions pour brasage
JP3401391B2 (ja) * 1996-04-16 2003-04-28 日本特殊陶業株式会社 半田バンプを有する基板の製造方法
US5924622A (en) * 1996-07-17 1999-07-20 International Business Machines Corp. Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates
US7842599B2 (en) * 1997-05-27 2010-11-30 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
US7288471B2 (en) * 1997-05-27 2007-10-30 Mackay John Bumping electronic components using transfer substrates
US6609652B2 (en) 1997-05-27 2003-08-26 Spheretek, Llc Ball bumping substrates, particuarly wafers
US7007833B2 (en) * 1997-05-27 2006-03-07 Mackay John Forming solder balls on substrates
US7819301B2 (en) 1997-05-27 2010-10-26 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
US7654432B2 (en) 1997-05-27 2010-02-02 Wstp, Llc Forming solder balls on substrates
US6293456B1 (en) * 1997-05-27 2001-09-25 Spheretek, Llc Methods for forming solder balls on substrates
US6105852A (en) * 1998-02-05 2000-08-22 International Business Machines Corporation Etched glass solder bump transfer for flip chip integrated circuit devices
JP3481117B2 (ja) * 1998-02-25 2003-12-22 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6406988B1 (en) * 1998-04-24 2002-06-18 Amerasia International Technology, Inc. Method of forming fine pitch interconnections employing magnetic masks
US6153505A (en) * 1998-04-27 2000-11-28 International Business Machines Corporation Plastic solder array using injection molded solder
US6189772B1 (en) * 1998-08-31 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method of forming a solder ball
JP3565047B2 (ja) * 1998-10-07 2004-09-15 松下電器産業株式会社 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法
US6426564B1 (en) * 1999-02-24 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
DE19923805C2 (de) * 1999-05-19 2002-04-04 Siemens Ag Verfahren zum Erzeugen von Lotkontakten für elektrische Bauelemente
JP3303849B2 (ja) 1999-06-10 2002-07-22 日本電気株式会社 バンプ転写基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2001044607A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Fuji Mach Mfg Co Ltd 半田バンプ形成方法および装置
JP3239335B2 (ja) * 1999-08-18 2001-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的接続用構造体の形成方法およびはんだ転写用基板
US7156361B1 (en) 1999-09-02 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming metal contacts on a substrate
US6295730B1 (en) * 1999-09-02 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming metal contacts on a substrate
US6329631B1 (en) * 1999-09-07 2001-12-11 Ray Yueh Solder strip exclusively for semiconductor packaging
GB2372154B (en) * 1999-09-20 2003-09-24 Nas Interplex Ind Inc Solder-bearing wafer for use in soldering operations
US6142361A (en) * 1999-12-09 2000-11-07 International Business Machines Corporation Chip C4 assembly improvement using magnetic force and adhesive
US6659334B2 (en) * 2000-09-21 2003-12-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for forming end-face electrode
JP3859963B2 (ja) * 2000-11-29 2006-12-20 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
CA2446294A1 (fr) * 2001-05-08 2002-11-14 Yi Xu Proteines de surface issues de bacteries gram positif comportant des motifs fortement conserves et anticorps reconnaissant ces motifs
US20040134976A1 (en) * 2003-01-14 2004-07-15 Frank Keyser Method and system for solder connecting electrical devices
DE10332573B4 (de) * 2003-07-14 2007-08-16 Siemens Ag Verfahren zum Erzeugen von Lotkontakten auf Bauelementen
KR100642746B1 (ko) * 2004-02-06 2006-11-10 삼성전자주식회사 멀티 스택 패키지의 제조방법
DE102004017772A1 (de) * 2004-04-13 2005-11-03 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Reflow-Löten
DE102004041026A1 (de) * 2004-08-25 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines oder mehrerer Kontakthügel auf einer Substratscheibe
US20070175562A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-02 Sierra Madre Marketing Group Lock and key bonding system
CN100438008C (zh) * 2006-03-01 2008-11-26 南茂科技股份有限公司 高频集成电路封装构造及其制造方法
CN101411251B (zh) * 2006-03-28 2011-03-30 松下电器产业株式会社 凸块形成方法及凸块形成装置
DE102006024213A1 (de) * 2006-05-23 2007-11-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Bausteins mit einer elektrischen Kontaktierung
JP2010502028A (ja) * 2006-09-01 2010-01-21 オーリコン アッセンブリー エクイップメント エージー ステインハウセン 半導体チップのバンプを液状物質により溶着するための装置
US7348270B1 (en) * 2007-01-22 2008-03-25 International Business Machines Corporation Techniques for forming interconnects
KR100871034B1 (ko) * 2007-06-12 2008-11-27 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 페이스트 범프 형성 방법
KR101408731B1 (ko) * 2008-01-07 2014-06-17 세메스 주식회사 솔더 범퍼 형성용 템플레이트 및 솔더 범퍼 형성 방법
US9498837B2 (en) 2009-09-01 2016-11-22 International Business Machines Corporation Vacuum transition for solder bump mold filling
JP2012164855A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Denso Corp 電子装置の製造方法
CN202277943U (zh) * 2011-10-31 2012-06-20 华为终端有限公司 芯片凸块的蘸涂送料装置
US8534533B2 (en) * 2012-01-19 2013-09-17 Raytheon Company Solder paste transfer process
US8770462B2 (en) 2012-03-14 2014-07-08 Raytheon Company Solder paste transfer process
JP6051437B2 (ja) * 2012-06-12 2016-12-27 株式会社弘輝 レーザー加熱工法による電子デバイスの製造方法
US9790598B2 (en) * 2013-08-22 2017-10-17 Sikorsky Aircraft Corporation Removable mask for coating a substrate
TW201508848A (zh) * 2013-08-23 2015-03-01 Chipmos Technologies Inc 一種植球裝置及其植球方法
WO2015052780A1 (fr) * 2013-10-08 2015-04-16 リンテック株式会社 Procédé de fabrication d'un corps de montage de composant électronique
US9679862B2 (en) * 2014-11-28 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device having conductive bumps of varying heights
EP3499554A1 (fr) * 2017-12-13 2019-06-19 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Procédé de fabrication d'un agencement en sandwich de deux composants avec de la soudure placée entre lesdits composants par thermocompression au-dessous de la température de fusion de la soudure d'une préforme de soudure
DE102021117131A1 (de) 2021-07-02 2023-01-05 Lisa Dräxlmaier GmbH Leiterplatte und verfahren zum prozesssicheren auflöten eines chipgehäuses

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720402A (en) * 1987-01-30 1988-01-19 American Telephone And Telegraph Company Method for dispensing viscous material
US5250469A (en) * 1990-05-24 1993-10-05 Nippon Mektron, Ltd. IC mounting circuit substrate and process for mounting the IC
US5498575A (en) * 1993-06-23 1996-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding film member and mounting method of electronic component

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200641A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Hitachi Ltd はんだキヤリア
JPH01266987A (ja) * 1988-04-19 1989-10-24 Senju Metal Ind Co Ltd クリームはんだおよびクリームはんだのはんだ付け方法
US5211328A (en) * 1992-05-22 1993-05-18 International Business Machines Method of applying solder
JPH0779116B2 (ja) * 1993-03-16 1995-08-23 日本電気株式会社 ベアチップ型半導体装置の実装方法
JP2825740B2 (ja) * 1993-09-20 1998-11-18 シャープ株式会社 光ディスク装置
JPH07122594A (ja) * 1993-10-28 1995-05-12 Hitachi Ltd 導電性バンプの形成方法
JPH07221104A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法
JP3173547B2 (ja) * 1994-03-18 2001-06-04 松下電器産業株式会社 半田バンプの形成方法
JPH07297196A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Sony Corp バンプ電極の形成方法
TW336371B (en) * 1995-07-13 1998-07-11 Motorola Inc Method for forming bumps on a substrate the invention relates to a method for forming bumps on a substrate
US5775569A (en) * 1996-10-31 1998-07-07 Ibm Corporation Method for building interconnect structures by injection molded solder and structures built

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720402A (en) * 1987-01-30 1988-01-19 American Telephone And Telegraph Company Method for dispensing viscous material
US5250469A (en) * 1990-05-24 1993-10-05 Nippon Mektron, Ltd. IC mounting circuit substrate and process for mounting the IC
US5498575A (en) * 1993-06-23 1996-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding film member and mounting method of electronic component

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Publication number Publication date
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