DE602005005366T2

DE602005005366T2 - Elektromagnetisches Abschirmgehäuse und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number: DE602005005366T2
Application number: DE602005005366T
Authority: DE
Inventors: Naokuni Muramatsu; Akihisa Inoue; Tao 37 Zhang; Hisamichi Kimura
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2004-01-08
Filing date: 2005-01-05
Publication date: 2009-04-16
Anticipated expiration: 2025-01-06
Also published as: CN100566531C; JP2005197510A; JP4299152B2; DE602005005366D1; EP1553814A1; KR100648162B1; EP1553814B1; KR20050073407A; CN1658747A; US20050162842A1; US7626832B2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Feld der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein für die Abdeckung von elektronischen Bauteilen auf einer Leiterplatte (gedruckten Leiterplatte) angeordnetes Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen, das für ein Mobiltelefon und einen Computer verwendet wird, und ein Herstellungsverfahren für Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen.
2. Beschreibung des technischen Gebiets
Wenn elektronische Bauteile, wie etwa ein Oszillator zur Erzeugung elektromagnetischer Wellen auf einer Leiterplatte vorhanden sind, ist es erforderlich Einflüsse auf andere Schaltungsbauteile aufgrund von elektromagnetischen Wellen zu verhindern. Besonders um das Auftreten von Strahlungsrauschen zu verhindern, wurden Technologien aufgezeigt, die elektronische Bauteile abschirmen, so dass erzeugte elektromagnetische Wellen sich nicht nach Außen fortpflanzen, indem die elektronischen Bauteile umgeben werden mit einem Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen, im Wesentlichen aus metallischen Materialen gemacht, welche aus einer leitfähigen Substanz bestehen. Wenn solch ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (nachstehend bezeichnet als „Abschirmgehäuse", wenn angebracht) sich auf der Leiterplatte befindet, wie in 1 gezeigt, wird ein metallischer Erdleiter 3 (mit der Erde leitend verbundener Bereich (nachstehend „Erdungsleitungsbereich")) in einer Region der Leiterplatte 1 bereitgestellt, entsprechend dem untersten Anteil eines Abschirmgehäuses 50A und darum herum. Der metallische Erdleiter 3 und der unterste Anteil des Abschirmgehäuses 50A, oder ein Teil dessen untersten Anteils sind durch Verlötung miteinander verbunden, und ein Lötstellenbereich 4 wird gebildet.
Allerdings hat das Verbinden des Abschirmgehäuses 50A mit dem metallischen Erdleiter 3 durch Löten die folgenden Probleme. Bei einem Lötverbindungsverfahren können nämlich folgende Probleme aufgezählt werden:

(a) schädliche Auswirkungen, welche Verformung oder partielles Brechen der gedruckten Leiterplatte und elektronischer Bauteile einschließen, aufgrund von Erhitzung beim Löten;
(b) ein ineffizientes Ausführen des Entfernens der Lötung von dem Abschirmgehäuse 50A, wenn das Abschirmgehäuse 50A auf der Leiterplatte 1 als rezykliertes Produkt verwendet wird, nachdem seine Gültigkeitsdauer abgelaufen ist;
(c) ein mühsames Ausführen von Behandlungen, wie etwa Waschen vor und nach dem Löten;
(d) Verdünnungen, feine Verteilung von Lötung, und Festkleben verteilter Lötung auf Schaltkreiselementen beim Lötschritt; und
(e) die Notwendigkeit die Lötung zu entfernen und das Abschirmgehäuse 50A abzunehmen, wenn elektronische Bauteile innerhalb des Abschirmgehäuses 50A ausgetauscht werden.

Folglich wurden bisher verschiedene Technologien vorgeschlagen.
Stand der Technik #1 löst das Problem (e), und entsprechend dem Stand der Technik #1, wie in 2 gezeigt, ist ein jochförmiger Rahmen 5 mit dem metallischen Erdleiter 3 durch Lötung verbunden, und ein sogenanntes Zweistück-artiges Abschirmgehäuse 50B, in welchem der jochförmige Rahmen 5 und eine abnehmbare Abdeckung 60 kombiniert sind.
Stand der Technik #2, welcher von den Erfindern dieser Anwendung entwickelt wurde, löst die Probleme (a) bis (e), wobei ein Abschirmgehäuse, in dem ein Ankerstift, damit integral, ohne Verlötung, vereinigt und Biege-Elastizität besitzend, elastisch mit einer in der Leiterplatte vorhandenen Durchgangsbohrung verbunden ist (zum Beispiel, Japanische Patentanmeldung Offenbarungs-Nr. 2003-179378 ).
Stand der Technik #3 wurde ebenfalls von den Erfindern dieser Anwendung entwickelt um die Probleme (a) bis (e) zu lösen. Nach Stand der Technik #3 ist ein Arretierstift mit Biege-Elastizität, welcher integral, ohne Verlötung, mit der hinteren Fläche eines Abschirmgehäuses vereinigt ist, elastisch an ein Gehäuse für eine Leiterplatte gefügt. Im Stand der Technik #3 wird eine Struktur angenommen, in welcher Teil des untersten Endes des Abschirmgehäuses leitend gemacht wird, indem es dem Teil erlaubt wird mit einem metallischen Erdleiter elektrisch verbunden zu sein (zum Beispiel, Japanische Patentanmeldung Offenbarungs-Nr. 2003-179379 ). Amorphe Legierung der Zr-Gruppe (metallisches Glas), welche eine große amorphe Formungsfähigkeit sowie eine große Festigkeit und Duktilität besitzt, welche von den Erfindern dieser Anwendung entwickelt wurde, war ebenso bekannt (zum Beispiel, Japanische Patentanmeldungen Offenbarungs-Nr. 2000-129378 und 2000-177800 ).
Allerdings hat der Stand der Technik #1 das Problem, dass die Höhe des Abschirmgehäuses 50B dazu neigt hoch zu sein, und eine Verringerung der Dicke der Leiterplatte 1 gestört wird, resultierend in hohen Herstellungskosten. In Mobiltelefonen und Computern, bei welchen die Dicke rapide dünner geworden ist, kommen Einschränkungen bezüglich ihrer Freiräume auf, aufgrund des Layouts elektronischer Bauteile. Ferner können elektronische Bauteile durch die Verbreitung einer doppelseitigen Montageplatine auf die Rückseite einer Leiterplatte montiert werden. Das Bereitstellen der Anzahl an Durchgangsbohrungen auf einer Leiterplatte, welche notwendig und ausreichend ist, wurde somit nicht mehr zulässig, und ein neues Problem, bei dem Stand der Technik #2 nicht angewendet werden kann tritt auf. Obwohl Stand der Technik #3 eine Bereitstellung von Durchgangsbohrungen in einer Leiterplatte nicht erfordert, hat Stand der Technik #3 das folgende neue Problem hinsichtlich der Realisierung einer verlässlichen elektrischen Verbindung des Abschirmgehäuses und des metallischen Erdleiters.
Insbesondere ist es notwendig die elastische Federauslenkung des Abschirmgehäuses größer zu machen, um Verformung des Gehäuses und der dünner gemachten Leiterplatte (gedruckte Leiterplatte) zu kompensieren, und um die elektrische Verbindung des Abschirmgehäuses und des metallischen Erdleiters mit hoher Verlässlichkeit zu realisieren.
Ferner ist es notwendig, dass ein Erdungsabstand für das Abschirmgehäuse und den metallischen Erdleiter kürzer ist, da ein für die Funk-Kommunikation genutztes Frequenzband beginnt höhere Frequenzen zu haben. Um diesen beiden Erfordernissen zu entsprechen wird bei Stand der Technik #3 der Erdungsabstand für das Abschirmgehäuse und den metallischen Erdleiter extrem kurz gemacht, während man in Bezug auf den für die Erdung des Abschirmgehäuses benötigten Platz eingeschränkt ist. Somit kommt bei einem konventionellen Blechverarbeitungsverfahren, welches angewendet wird nachdem das Metall druckgestanzt wird, in welchem das Metall durch biegen geformt wird, ein neues Problem auf, da das Design des Abschirmgehäuses schwierig geworden ist.
Besonders das Design des Abschirmgehäuses, welches die Anforderungen erfüllt, einschließlich Massenproduzierbarkeit durch Druckstanzen und Biegeformen, der kürzere Erdungsabstand, eine Verringerung der belegten Fläche zur Erdung, und die Bereitstellung einer großen elastischen Federauslenkung, wird extrem schwierig.
Um das Abschirmgehäuse in einem konventionellen Verfahren herzustellen, in welchem ein kristallines metallisches Material durch Biegen oder Tiefziehen mittels einer plastischen Verformung geformt wird, gibt es eine Begrenzung bei der Sicherstellung einer ausreichenden elastischen Verformung, während die Ausstellweite und der Biegeradius des Abschirmgehäuses klein gehalten werden. WO 00/48444 eröffnet ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen, für ein elektrisches Bauteil auf einer Leiterplatte, welches metallische, nachgiebige Ausläufer hat, angeordnet in der Oberfläche des Abschirmgehäuses und integral mit dem Abschirmgehäuse gebildet. Diese Ausläufer werden elastisch verformt um einen elektrischen Kontakt mit Erdleitern auf der Leiterplatte bereitzustellen, um ein Austreten elektromagnetischer Wellen nach Außerhalb des Abschirmgehäuses zu verhindern.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Um nicht nur die konventionellen Probleme (a) bis (e) zu lösen, sondern auch die neuen Probleme in Bezug auf Stand der Technik #1 bis #3, ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen und ein Herstellungsverfahren für Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen bereitzustellen, welches keine Durchgangsbohrung benötigt und fähig ist eine große elastische Federauslenkung sicherzustellen, während ein für die Erdung belegter Platz verringert wird. Als ein Ergebnis von Untersuchungen erlangten die Erfinder dieser Anwendung die Kenntnis, dass ein hochpräziser Bund ohne eine Rückfederung durch Verwendung einer Verformung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene gebildet werden kann, welcher sich von einer plastischen Verformung unterscheidet, metallisches Glas verwendend. Die Erfinder führten dann die vorliegende Erfindung basierend auf dem Wissen aus. Um das Ziel zu erreichen ist ein erster Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2), beinhaltend einen Abschirmgehäusekörper (2), konfiguriert elektronische Bauteile (6) auf einer Leiterplatte (1) abzudecken, und einen mit dem Abschirmgehäuse (2) integral gebildeten Bund (7), dadurch gekennzeichnet, dass der Abschirmgehäusekörper (2) und der Bund (7) aus metallischem Material gemacht sind mit einem Verhältnis von Bruchfestigkeit/Elastizitätskonstante von 0,01 oder mehr, und der Bund (7) elastisch verformt wird, um an dem Erdungsleitungsbereich (3) auf der Leiterplatte (1) geerdet zu sein, um ein Austreten elektromagnetischer Wellen nach Außerhalb des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen (2) zu verhindern. Hierbei bedeutet die Bruchfestigkeit eine, definiert durch eine Streckgrenze in einer mechanischen Belastungsprüfung oder eine Belastung, welche eine Elastizitätsgrenze ist. Die Elastizitätskonstante ist eine, definiert durch eine Proportionalitätskonstante in Bezug auf eine Spannung und eine Dehnung innerhalb der Elastizitätsgrenze ist.
Entsprechend dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann eine Verformung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene verwendet werden, welche sich von einer plastischen Verformung unterscheidet, da das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen aus dem metallischem Material gemacht ist mit einem Wert von 0,01 oder mehr ausgedrückt durch eine Bruchfestigkeit/Elastizitätskonstante, und somit kann ein hochpräziser Bund ohne eine Rückfederung gebildet werden. Ein zweiter Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen nach dem ersten Aspekt, wobei der Bund (7) eine Ausstellweite von 1 mm oder weniger hat (nicht mehr als 1 mm).
Ein dritter Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen nach dem zweiten Aspekt, wobei der Bund (7) wenigstens einen Einschnitt (10) entlang einer Richtung der Ausstellweite hat.
Ein vierter Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen nach den ersten bis dritten Aspekten, wobei der Bund (7) einen äußeren Umfangsbereich (11) hat, mit einer Form von nicht geraden Linien.
Ein fünfter Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) nach den ersten bis vierten Aspekten wobei der Abschirmgehäusekörper (2) und der Bund (7) aus metallischem Glas gemacht sind.
Nach dem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es möglich eine Verformung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene zu verwenden, welche sich von einer plastischen Verformung unterscheidet, da das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen unter Verwendung metallischen Glases hergestellt wird, und somit kann ein hochpräziser Bund ohne eine Rückfederung gebildet werden.
Ein sechster Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen nach dem fünften Aspekt, wobei das metallische Glas eine Zirkonium Grundlegierung mit amorpher Struktur ist.
Ein siebter Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen (2) nach Ansprüchen 5 oder 6, wobei das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen durch Druckformen hergestellt wird in einem Temperaturbereich einer unterkühlten Flüssigkeit des für das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen einzusetzenden Glases.
Ein achter Aspekt ist ein Verfahren zur Herstellung eines Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen (2) nach Ansprüchen 5 oder 6, wobei das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen durch Warmpressen in einem Temperaturbereich hergestellt wird, definiert zwischen einer Glasübergangstemperatur und einer Kristallisationstemperatur des für das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen einzusetzenden metallischen Glases.
Bezüglich solcher Aspekte können verschiedene Verfahren ausgewählt werden, dargestellt durch ein Druckpressverfahren oder ein Hochdruck-Spritzgussverfahren, ohne Begrenzung auf das Verfahren der Durchführung einer Tiefziehformung für ein Folienmaterial, welches ein Einwalzenverfahren verwendet.
Somit ist es möglich das Abschirmgehäuse und desgleichen leicht zu formen, welches hat eine Kuppelform, andere Formen, einschließlich nicht symmetrische Formen, oder welches einen Bund hat mit einen äußeren Umfangsbereich mit nicht geraden Linien.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt, wo ein konventionelles Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen geerdet ist;
2 ist eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt, wo ein weiteres konventionelles Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen geerdet ist;
3 ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen zeigt, ausgestattet mit einer Leiterplatte nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4 ist ein schematischer Schnitt entlang der Linie IV-IV von 3;
5 ist eine Ansicht, welche das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen zeigt, eingeschlossen von oberen und unteren Gehäusen in dem Schnitt entlang der Linie IV-IV von 3;
6A ist eine Ansicht, welche das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen angebracht auf der Leiterplatte zeigt, zu der Zeit bevor es durch die Gehäuse angedrückt wird;
6B ist eine Ansicht, welche das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen zeigt, angedrückt durch die Gehäuse;
6C ist eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt, wo die Gehäuse entfernt sind und das Andrücken des Abschirmgehäuses abgebaut wurde;
7 ist ein Graph, welcher eine Beziehung zwischen der Bruchfestigkeit metallischer Materialien und der Elastizitätskonstante davon zeigt;
8 ist ein Graph, welcher eine Beziehung zwischen der Spannung metallischer Materialen und der Dehnbelastbarkeit davon zeigt;
9A und 9B sind perspektivische Ansichten eines Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einem Vergleichsbeispiel;
10 ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche ein Anordnungsbeispiel des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen auf der Leiterplatte zeigt;
11 ist eine ausschnittsweise perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
12 ist eine ausschnittsweise perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
13 ist eine perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
14 ist eine perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
15 ist eine perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
16 ist eine ausschnittsweise perspektivische Ansicht des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
17 ist ein schematischer Schnitt, welcher ein Verfahren der Positionierung des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
18 ist eine erläuternde Ansicht eines Messsystems für die Schirmgüte.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachstehend beschrieben. Beachten Sie, dass dieselben Komponenten wie die in den 1 und 2 mit den gleichen Referenznummerierungen und -Symbolen bezeichnet sind, und Beschreibungen für sie weggelassen werden. 3 und 4 zeigen ein Abschirmgehäuse 2, elektromagnetische Wellen abschirmend, nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Abschirmgehäuse 2 ist zur Abdeckung von elektronischen Bauteilen 6 auf einer Leiterplatte 1 angeordnet. Ein Bund 7, integral mit dem Abschirmgehäuse 2 (Abschirmgehäusekörper) ausgebildet, welcher elastisch verformt wird, um geerdet zu werden mit einem metallischen Erdleiter 3 (Erdungsleitungsbereich) auf der Leiterplatte 1, so dass Austreten der elektromagnetischen Wellen nach Außerhalb des Abschirmgehäuses 2 verhindert wird.
Der Bund 7 ist integral mit dem Abschirmgehäuse 2 hergestellt. Das Abschirmgehäuse 2 und der Bund 7 werden hergestellt aus metallischem Material mit einem Wert (Verhältnis) von etwa 0,01 oder mehr (nicht weniger als 0,01) ausgedrückt durch eine Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E).
Ferner sind in dieser Ausführungsform das Abschirmgehäuse 2 und der Bund 7 hergestellt aus metallischem Material mit einem Wert der Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E) ist etwa 0,1 oder weniger. In anderen Worten ist der Wert der Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E) für das Abschirmgehäuse 2 und den Bund 7 in dem Bereich von 0,01 ≤ σf/E ≤ 0,1.
Es ist vorzuziehen, dass der Wert σf/E für das Anschirmgehäuse 2 und den Bund 7 in einem Bereich von 0,01 ≤ σf/E ≤ 0,05 liegt.
Insbesondere ist das Abschirmgehäuse 2 aus einer dünnen metallischen Folie gebildet, und der bandförmige Bund 7 mir einer geringen Breite, ist über den gesamten Umfang eines offenen Endes des Anschirmgehäuses 2 gebildet. Das Abschirmgehäuse 2 ist auf dem metallischen Erdleiter 3 der Leiterplatte 1 platziert, eingefasst in einem Gehäuse 8 einer elektronischen Vorrichtung.
Das Abschirmgehäuse 2 kann beispielsweise mit 55Zr-30Cu-5Ni-10Al Legierung (die Zahlensymbole stellen ein atomares Verhältnis dar) hergestellt werden. Indes ist das Material des Abschirmgehäuses 2 nicht immer auf die Legierung (metallisches Material) begrenzt. Das Material des Abschirmgehäuses 2 kann metallisches Material sein, mit einem Wert (Verhältnis) von etwa 0,01 oder mehr, ausgedrückt durch die Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E). Hierbei bedeutet die Bruchfestigkeit (σf) eine, definiert durch eine Streckgrenze in einer mechanischen Belastungsprüfung oder eine Belastung, die eine Elastizitätsgrenze ist. Die Bruchfestigkeit (σf) kann in Übereinstimmung mit JIS Z2241 gemessen werden. Die Elastizitätskonstante (E) bedeutet ein Elastizitätsmodul, definiert durch eine Proportionalitätskonstante in Bezug auf eine Spannung und eine Dehnung innerhalb der Elastizitätsgrenze. Die Elastizitätskonstante (E) kann zum Beispiel gemessen werden durch das Verfahren, beschrieben in „Engineering Materials/An introduction to their properties and applications", M. F. Ashby und D. R. H. Jones, Cambridge University, England Pergamon Press.
Das Abschirmgehäuse 2 liegt durch Federung des Bunds 7 mit einem Winkel auf (siehe 4). In diesem Zustand gibt es eine Möglichkeit einen Teilbereich zu haben, wo der metallische Erdleiter 3 und der Bund 7 aufgrund der Biegung der Leiterplatte 1 nicht elektrisch verbunden sein könnten.
5 zeigt das Abschirmgehäuse 2, abgedeckt von einem Gehäuse 9, und die elektronischen Bauteile werden normalerweise in diesem Zustand verwendet. Das Abschirmgehäuse 2, gegen die Gehäuse 8 und 9 gedrückt, kann es dem Bund 7 erlauben mit dem metallischen Erdleiter 3 geerdet zu werden durch elastische Verformung des Bunds 7. Das Abschirmgehäuse 2 wird an seinem Dachbereich angedrückt von einem erhabenen Teil 9a, bereitgestellt auf einer inneren Fläche des Gehäuses 9.
6A bis 6C sind beschreibende Ansichten zur Erklärung der Bewegung des Bunds 7 zu der Zeit, wenn das Abdeckgehäuse 2 durch den erhabenen Anteil 9a angedrückt wird. 6A zeigt ein Abschirmgehäuse 2, aufgebracht auf eine Leiterplatte 1, zu der Zeit bevor das Abschirmgehäuse 2 durch das Gehäuse 9 angedrückt wird. Der Bund 7 ist in einem Zustand, wo seiner Spitze erlaubt wird mit dem metallischen Erdleiter 3 elektrisch verbunden zu sein und seinem Basisbereich erlaubt wird mit einem Abstand „d" von dem metallischen Erdleiter 3 entfernt zu sein.
6B zeigt ein Abschirmgehäuse 2, angedrückt durch das Gehäuse 9. Der Bund 7 ist in einem Zustand, wo dem gesamten Bereich, von der Spitze des Abschirmgehäuses 2 bis zu seinem Basisbereich erlaubt wird mit dem metallischen Erdleiter 3 elektrisch verbunden zu sein. 6C zeigt einen Zustand, wo das Gehäuse 9 entfernt ist und der Druck auf das Abdeckgehäuse abgebaut ist. Der Bund 7 kehrt in seinen ursprünglichen Zustand von 6A zurück. Wie oben beschriebnen, wird der Bund 7 niemals kaputt gehen oder permanent Verformt werden, da der Bund 7 hyperelastisch ist. Daher kann das Abschirmgehäuse 2 leicht auf der Leiterplatte 1 eingepasst und leicht von der Leiterplatte 1 entfernt werden, indem man die Gehäuse 8 und 9 anbringt oder entfernt.
Um die oben beschriebene Bewegung des Abschirmgehäuses 2 zu realisieren, wird das Abdeckgehäuse 2 hergestellt aus metallischen Materialien, mit einem Wert der Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E), welcher etwa 0,01 oder mehr ist.
Besonders wenn eine Beziehung zwischen der Bruchfestigkeit (σf) und der Elastizitätskonstante (E) in einem Graphen betrachtet wird, wie in 7 gezeigt, sind viele der Baumetallmaterialien wie rostfreier Stahl, Titan und Aluminiumlegierung bei Werten innerhalb eines Bereichs von σf/E < 0,01 verstreut.
In einem Fall, wo das Abschirmgehäuse 2 eine Dicke von 0,1 bis 0,3 mm hat, was üblicherweise von den Herstellern verwendet wurde, und unter Auswahl dieser metallischen Materialien geformt wurde, wurde festgestellt, dass Risse beim Biege-R-Anteil erzeugt werden, wenn das Verbiegen für einen Bund 7 mit einer Breite von 1 mm durchgeführt wird. Obwohl das Abschirmgehäuse 2 durch Zuschneiden eines Blockmaterials hergestellt werden kann, ist eine solche Herstellung des Abschirmgehäuses 2 ganz selbstverständlich ineffizient.
Im Gegensatz dazu sind die bei dem Abschirmgehäuse 2 und dem Bund 7 der vorliegenden Erfindung verwendeten metallischen Materialien bei Werten innerhalb eines Bereichs von σf/E > 0,01 verstreut (was durch die schrägen Linien in 7 illustriert wird). Es ist daher möglich eine Verformung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene zu verwenden, welches sich von der plastischen Verformung unterscheidet, indem man das Abschirmgehäuse 2 aus diesen metallischen Materialien herstellt.
Somit kann das Ausbilden eines Bunds 7 mit einer hohen Maßgenauigkeit ohne eine Rückfederung erreicht werden ohne Risse beim Biege-R-Anteil zu verursachen. Beispielhaft für die metallischen Materialien der vorliegenden Erfindung werden Ni-Nb-Zr-Ti Legierung, Cu-Zr-Ti-Be Legierung, Cu-Zr-Ti Legierung, Zr-Cu-Ni-Al Legierung (metallisches Glas), Mg Glas, β-Ti Legierung und desgleichen angeführt.
Metallische Materialien mit einer geringen Federkonstante sind zur Ausbildung des spitzen Bunds mit einer sehr geringen Ausdehnung vorteilhafter. Folglich wird der Grund beschrieben, warum die auf die vorliegende Erfindung angewandten metallischen Materialien begrenzt sind.
8 zeigt einen Graphen, der die elastische Verformungskurve (Spannungs-Dehnungsdiagramm) metallischer Materialien zeigt. Da viele der zuvor genannten Baumetallmaterialien, einschließlich rostfreier Stahl, Titan, Phosphorbronze, und Aluminiumlegierung nur geringe elastische Dehnung aufweisen, werden sie permanent Verformt werden. Die elastische Dehnung ε ist ein natürlicher Logarithmus einer Größe, erhalten durch die Division einer elastischen Verformung ΔS, welche durch Zufügen einer externen Kraft verursacht wird, durch eine ursprüngliche Länge S, und ausgedrückt durch ε = Ln(ΔS/S). In 8 stellt der Kreis einen Elastizitätsgrenzpunkt dar.
Im Gegensatz zu dem oben beschriebenen Fall sind die metallischen Materialien bei der vorliegenden Erfindung bei Werten innerhalb des Bereichs von σf/E > 0,01 verstreut, das heißt ein Bereich, begrenzt durch die Steigung σ-ε entsprechend σf/E = 0,01 und darunter liegend (mit schrägen Linen in 8 gezeigt). Diese metallischen Materialien können ausreichend größere elastische Verformungen bereitstellen, als solche der oben beschriebenen Baumetallmaterialien. Hierbei (wie in 9A gezeigt) wurde ein Abschirmgehäuse 20 (Vergleichsbeispiel) mit einer Dicke von 0,1 bis 0,3 mm aus dem zuvor genannten Baumetallmaterial hergestellt. Das Abschirmgehäuse 20 hat eine nadelförmige elastische Federn 21 in seinem Umfangsbereich, von denen jede 1 mm hervorsteht. Wie in 9A gezeigt kann das Abschirmgehäuse 20 nur eine geringe Federauslenkung erlangen oder verformt sich permanent bevor die Federauslenkung erreicht ist, wenn die elastischen Federn 21 so ausgebildet sind, dass sie strahlenförmig sind.
Demgegenüber wurde ebenso ein Abschirmgehäuse 30 (Vergleichsbeispiel) hergestellt, wie in 9B gezeigt. Das Abschirmgehäuse 30 hat ausreichend lange L-förmige elastische Federn 31 anstatt der nadelförmigen elastischen Federn 21. Mit der Ausbildung der L-förmigen elastischen Federn 31 wird selbst durch die zuvor genannten Baumetallmaterialen eine ausreichende Auslenkung ohne permanente Verformung erlangt. In diesem Fall ist die Anforderung an das hochdichte Erdungsintervall nicht erfüllt.
Im Gegensatz dazu ist es möglich den hyperelastischen bandförmigen Bund 7 leicht zu realisieren, mit einer Ausstellweite von nicht mehr als 1 mm, da das Abschirmgehäuse 2 aus metallischem Material oder metallischem Glas gemacht ist, das σf/E ≥ 0,01 erfüllt. Es ist vorzuziehen, dass das Abschirmgehäuse 2 so geformt ist, dass der Bund 7 eine Bundbreite von nicht mehr als 1 mm hat.
Wie in 10 gezeigt, wird oftmals eine Vielzahl von Abschirmgehäusen, d. h. Abschirmgehäuse 2S, 2M und 2L angrenzend angeordnet, für entsprechende Funktionsbereiche der Leiterplatte 1. In diesem Fall wird ein Verbindungsrand von 1 mm, der für die Lötverbindung notwendig ist, bereits erreicht, und der Abstand „t" zwischen den beiden benachbarten Abschirmgehäusen wird auf 2 mm verschmälert. Zu diesem Zeitpunkt ist es im Hinblick auf die räumliche Einschränkung aus der Leiterplatte 1 niemals zulässig, dass die Ausstellweite des Bunds 7 nicht weniger als 1 mm ist. Insbesondere stellt diese Ausstellweite keinen Vorteil bereit, solange sie nicht größer als 1 mm ist.
Durch Herstellung des Abschirmgehäuses 2 aus metallischem Material oder metallischem Glas, das σf/E ≥ 0,01 erfüllt, kann das Abschirmgehäuse 2 mit einen Bund 7 mit einer Bundbreite von nicht mehr als 1 mm, zufriedenstellend hergestellt werden.
Wie ein Abschirmgehäuse 2A, in 11 gezeigt, sollte vorzugsweise zumindest ein Einschnitt 10 entlang der Richtung der Ausstellweite bereitgestellt werden. Mit solch einem Aufbau kann eine Federkonstante des Bunds 7 durch die Anzahl an Einschnitten 10 reguliert werden. Daher ist es möglich die Erdung des Abschirmgehäuses 2A (Bund 7) und des metallischen Erdleiters 3 perfekt zu machen. Ferner ist es möglich Leichtigkeit zu erreichen bei der Anbringung und dem Entfernen der Gehäuse 8 und 9, zur Unterbringung der Leiterplatte 1 und des Anschirmgehäuses 2A.
In einem Anschirmgehäuse 2B, in 12 gezeigt, sollte der Bund 7 vorzugsweise so ausgebildet sein, dass er einen nicht geraden äußeren Umfangsbereich 11 hat. Der äußere Umfangsbereich 11 ist nicht auf einen mit einfachen nicht geraden Linien (Wellenform) geformten beschränkt, wie in 12 illustriert, sondern der äußere Umfangsbereich kann ein geometrisches Muster sein. Ferner kann der Bund 7 eine Raumstruktur aufweisen, in der eine Umfangslänge des Bunds, die mit dem metallischen Erdleiter 3 elektrisch verbunden ist, lang ist. Bei dieser Anordnung wird die Umfangslänge des äußeren Umfangsbereichs 11 dadurch lang, dass der äußere Umfangsbereich 11 mit nicht geraden Linien ausgeformt wird. Daher wird eine zwischen dem und dem metallischen Erdleiter 3 ausgeübte Reibungskraft groß, und seitliches Gleiten des Bunds 7 kann verhindert werden, und dann ist eine Positionierung des Abschirmgehäuses 2B erreicht. Überdies sind Modifikationen des Abschirmgehäuses 2 in den 13 bis 16 illustriert. Es ist natürlich, dass jedes dieser Abschirmgehäuse zu der vorliegenden Erfindung gehört.
Das Abschirmgehäuse 2C, illustriert in 13, hat als Ganzes eine asymmetrische Form und kann leicht gemacht werden durch Anwendung von Metall oder metallischem Glas, jeweils erfüllend σf/E ≥ 0,01. Ferner kann das Abschirmgehäuse 2C selbstverständlich gemacht werden, wenn das Abschirmgehäuse 2C eine Kuppelform oder eine andere Form hat.
Das Abschirmgehäuse 2D, illustriert in 14, hat Fixierstücke 12 im Bund 7, welche geformt sind um zur Außenseite herauszuragen, und ein Loch 13, zum Positionieren des Abschirmgehäuses 2D mit der Leiterplatte 1, ist in jedem Fixierstück 12 bereitgestellt. Das Abschirmgehäuse 2D kann an die Leiterplatte 1 fixiert werden, indem einer Schraube erlaubt wird durch das Loch 13 durchzutreten. Zudem ist es auch möglich das Abschirmgehäuse 2D zu positionieren, indem man einen Vorsprung (nicht gezeigt) in das Loch 13 einbringt, welcher in der Leiterplatte 1 oder dem Gehäuse 8 (oder dem Gehäuse 9) bereitgestellt ist.
Ein Klebeband 14 wird an die Decke des Abschirmgehäuses 2E angebracht, illustriert in 15, und das Abschirmgehäuse 2E wird positioniert durch Befestigung des Klebebands 14 an das Gehäuse 9.
Das Abschirmgehäuse 2F, illustriert in 16, bildet eine große Anzahl unebener Bereiche 15 auf der Decke aus um die Fläche der Oberfläche größer zu machen. Das Abschirmgehäuse 2F hat eine Rolle Hitze effektiv abzustrahlen von den elektronischen Bauteilen 6, wie etwa ein von einem Abschirmgehäuse 2F bedeckter Leistungsverstärker.
17 zeigt ein weiteres Beispiel des Verfahrens des Positionierens des Abschirmgehäuses 2. Die Positionierung des Abschirmgehäuses 2 ist ausgeführt durch eine dem Deckenbereich des Abschirmgehäuses 2 entsprechenden Höhlung 16, welche auf Seite des Gehäuses 9 bereitgestellt ist. Das Abschirmgehäuse 2 wird gedrückt durch die Gehäuse 8 und 9 mit dem Deckenbereich in die Höhlung 16 eingepasst.
Als Nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen beschrieben.
Bei dem Verfahren der Herstellung des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen ist das Abschirmgehäuse 2 zum Beispiel durch Druckformen gemacht in einem Temperaturbereich einer unterkühlten Flüssigkeit des metallischen Glases.
Mit anderen Worten, ist bei diesem Verfahren das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen gemacht durch Warmpressen in einem Temperaturbereich, definiert zwischen einer Glasübergangstemperatur des metallischen Glases und einer Kristallisationstemperatur davon. Das metallische Glas nach dieser Ausführungsform ist eine Zirkonium Basislegierung mit amorpher Struktur.
Um präzise zu sein ist das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen gemacht in einem Temperaturbereich einer unterkühlten Flüssigkeit in welchem eine amorphe Struktur aufrechterhalten werden kann, und unter dem Umfang wo eine Temperaturbedingung, in welcher eine Temperatur eine Kristallisationstemperatur nicht erreicht die eine obere Grenze für das Verlieren der amorphe Struktur ist.
Ein, eine Modellform verwendendes, Tiefziehverfahren wird angewendet auf ein Foliematerial, gemacht aus 55Zr-30Cu-5Ni-10Al (die Zahlensymbole stellen ein atomares Verhältnis dar) metallischem Glas mit einer Dicke von 0,1 mm, welches erhalten wird durch ein Einwalzenverfahren oder desgleichen.
Durch solch ein Verfahren wird das vorgenannte Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen nach dieser Ausführungsform (Abschirmgehäuse 2, etc.) gemacht. Da es notwendig ist die Erzeugung und das Wachsen eines Kristallkeims während des Verlaufs des Kühlens der Flüssigkeit zu verhindern, zwecks unterkühlter Flüssigkeit, muss eine Auswahl der vorgenannten Temperaturbedingung gemacht werden.
Hierbei ist das Einwalzenverfahren ein Verfahren der Herstellung einer metallischen Folie, in welcher Legierung gelöst wird durch Verwendung eines elektrischen Ofens oder eines Hochfrequenzofens, geschmolzener Legierung wird erlaubt durch Gasdruck aus einer Düsenbohrung eines Tiegels ausgeworfen zu werden. Die ausgeworfene Legierung wird kontaktiert mit einer Oberfläche eines rotierenden Drehkühlers um darauf erstarrt zu werden.
Falls das Formen in dem Temperaturbereich einer unterkühlten Flüssigkeit durchgeführt wird, können zu diesem Zeitpunkt verschiedene Formungsverfahren, dargestellt durch ein Druckgussverfahren und ein Hochdruck-Spritzgussverfahren, ausgewählt werden ohne Begrenzung auf das Verfahren in welchem das Folienmaterial durch das Einwalzenverfahren gemacht ist.

Tabelle unten zeigt Ergebnisse, erhalten durch Vergleichen der Formbarkeit des Bunds, der erhaltenen maximalen Auslenkung und der Schirmgüte betreffend die Abschirmgehäuse der Ausführungsformen und der Vergleichsbeispiele.

	Abschirmgehäusematerial	σf/E	Rundformbarkeit	Max. Auslenkung (mm)	Schirmgüte	Bemerkungen
Ausführung 1	55Zr-30Cu-5Ni-10Al	0,019	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 2	52Zr-17Cu-16Ni+10Al-5Ti	0,021	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 3	52Zr-17Cu-16Ni+10Al-4Ti-1Nb	0,019	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 4	60Zr-20Cu-10Al-10Pd	0,020	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 5	50Zr-5Ti-20Cu-5Fe-10Al-5Be	0,021	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 6	57Cu-29Zr-10Ti-4Be	0,020	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 7	55Ni-20Nb-20Zr-5Ti	0,021	Gut	Nicht weniger als 0,5	Gut
Ausführung 8	β-Ti Legierung	0,012	Möglich	Nicht weniger als 0,5	Gut
Vergleich 1	SUS304	0,001	Schlecht	0,1	Schlecht	Alternative Gestaltung des Federstücks bei Abständen von 1 mm
Vergleich 2	Phosphorbronze (C51900)	0,007	Schlecht	0,3	Mit Problem
Vergleich 3	7075-T6 Al-Legierung	0,008	Schlecht	0,2	Mit Problem
Vergleich 4	JIS2-Klasse Ti	0,002	Schlecht	0,1	Schlecht

Die Bundformbarkeit bedeutet, ob der Bund mit einer Breite von 0,7 mm geformt werden kann ohne Risse zu erzeugen. Bei der Schirmgüte bedeutet „Gut" eine effektive Schirmungsmenge SE für hohe Frequenzen, von 0,1 bis 6 GHz reichend, erfüllt SE < –60 dB. „Mit Problem" bedeutet die effektive Schirmungsmenge SE erfüllt –60 dB < SE < –30 dB. „Schlecht" bedeutet die effektive Schirmungsmenge SE erfüllt –30 dB < SE.
Die Abschirmgehäuseart der Ausführungsformen 1 bis 8 ist gleich, wie das in 3 gezeigte Abschirmgehäuse 2.
Das Abschirmgehäuse 2 hat den folgenden Aufbau.
Insbesondere ist die Länge in der Längsrichtung 33 mm, die Länge in der Querrichtung ist 23 mm, und die Dicke ist 0,1 mm. Ferner hat das Abschirmgehäuse den Bund 7 von 0,7 mm Breite in seinem untersten Umfang integral damit ausgebildet.
Die Abschirmgehäuse der Ausführungsformen 1 bis 7 wurden gemacht durch Ausführen von Warmpressen in dem Temperaturbereich einer unterkühlten Flüssigkeit für das Folienmaterial, gemacht aus metallischem Glas (mit amorpher Struktur der Zirkonium Basislegierung), welches mit dem Einwalzenverfahren gemacht wurde. Das Abschirmgehäuse der Ausführungsform 8 wurde gemacht aus dem Folienmaterial, gemacht aus der β-Ti Legierung durch Verwendung der Tiefziehformung. In Bezug auf die Abschirmgehäuse der Vergleichsbeispiele 1 bis 4, sind die nadelförmigen elastischen Federn 21 gebildet durch Blechverarbeitungsverfahren in Abständen von 1 mm wie in dem Fall des in 9A gezeigten Abschirmgehäuses 20. Weil es unmöglich ist den Bund integral innerhalb des Abschirmgehäuses 20 auszubilden, anders im Fall des in 3 gezeigten Abschirmgehäuses 2.
Überdies wurde die Schirmgüte gemessen durch Verwendung einer in 18 gezeigten Messvorrichtung 40. Die Messvorrichtung 40 weist auf eine Funkwellendunkelkammer 42, umfasst mit einer Ummantelung 41, eine Sendeantenne 43 und eine Empfangsantenne 44, welche vorgesehen sind einander gegenüber zu sein.
In der Messvorrichtung 40 befindet sich eine Leiterplatte 45, mit einem Loch 45A, zwischen der Sendeantenne 43 und der Empfangsantenne 44 in der Radiowellendunkelkammer 42. Ein geprüftes Abschirmgehäuse A wird angeordnet in der Funkwellendunkelkammer 42, um das Loch 45a zu bedecken. Die Messvorrichtung 40 weist ein Ersatznetzwerk 46 und einen Steuerstromkreis 47 auf. Das Ersatznetzwerk 46 kontrolliert hohe Frequenzen, ausgestrahlt von der Sendeantenne 43, und erfasst hohe Frequenzen, die aus dem geprüften Abschirmgehäuse A austreten, durch die Empfangsantenne 44 um sie zu messen.
Insbesondere wurden hohe Frequenzen, von 0,1 bis 6 GHz reichend, von der Sendeantenne 43 ausgestrahlt, und die Menge an hohen Frequenzen, die nach Außerhalb des geprüften Abschirmgehäuses A austreten, wurde durch die Empfangsantenne 44 gemessen, wodurch die Schirmgüte evaluiert wurde.
In Bezug auf die Abschirmgehäuse der Ausführungsformen 1 bis 8, wurde beim Messen der Schirmgüte das Abschirmgehäuse an die Leiterplatte 45 gedrückt um darauf fixiert zu sein innerhalb einer Auslenkung von 0,5 mm des Bunds 7. Dahingegen wurde im Bezug auf die Abschirmgehäuse der Vergleichsbeispiele 1 bis 4 das Abschirmgehäuse etwas an die Leiterplatte 45 gedrückt um darauf fixiert zu sein in einem Bereich, wo Federstücke permanent verformt waren und nicht kaputt gegangen waren. Wie sich klar aus der Tabelle ergibt waren die Abschirmgehäuse der Ausführungsformen 1 bis 8 fähig eine gute effektive Schirmungsmenge SE von –60 dB zu erreichen. Allerdings waren die Abschirmgehäuse der Vergleichsbeispiele 1 bis 4 unfähig ausreichende Schirmungseffekte zu erzielen. (Betrieb und Effekt) Wie oben für das Abschirmgehäuse 2 beschrieben ist es selbstverständlich, wie nützlich das Abschirmgehäuse 2 ist gemacht aus metallischem Material oder metallischem Glas mit einem Wert (Verhältnis) von ca. 0,01 oder mehr (nicht weniger als 0,01) ausgedrückt durch die Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E).
Um genau zu sein, bezüglich dieser Ausführungsform, da die Höhe des Abschirmgehäuses 2 niedrig ist und die Ausstellweite des Bunds 7 klein ist. Deshalb kann die Vielzahl von Abschirmgehäuse 2 (zum Beispiel das Abschirmgehäuse 2S, 2M und 2L, gezeigt in 10), welche dichter aneinander angrenzend ist als der konventionelle Lötpunkt, angeordnet werden.
Der Bund 7 kann eine große Auslenkung erreichen, welche notwendig ist um einen zuverlässigen Schirm zu erhalten, d. h., eine elektrische Verbindung. Daher ist es im Bezug auf das Abschirmgehäuse dieser Ausführungsform möglich eine gute Schirmgüte zur Abschirmung elektromagnetischer Wellen zu erreichen.
Ferner ist die Durchgangsbohrung unnötig um das Abschirmgehäuse 2 auf der Leiterplatte 1 einzupassen, was zuvor notwendig war. Daher wird das Abschirmgehäuse 2 leicht angebracht auf und entfernt von der Leiterplatte 1. Wenn das Abschirmgehäuse 2 auf der Leiterplatte 1 eingepasst wird, werden komplizierte Vorgehensweisen nicht benötigt, und das Abschirmgehäuse 2 ist billig. Überdies kann das Abschirmgehäuse 2 leicht als rezykliertes Produkt verwendet werden.
Da das Abschirmgehäuse nach dieser Ausführungsform gemacht ist aus metallischen Materialien mit einem Wert (Verhältnis) von etwa 0,01 oder mehr (nicht weniger als 0,01) ausgedrückt durch die Bruchfestigkeit (σf)/Elastizitätskonstante (E), ist es möglich eine Verformung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene zu verwenden, welche sich von einer plastischen Verformung unterscheidet. Somit ist es möglich einen hochpräzisen Bund ohne eine Rückfederung zu bilden.
Folglich kann das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen mit einem hyperelastischen, integral damit gebildeten, Bund bereitgestellt werden, welches keine Durchgangsbohrung benötigt und fähig ist eine große elastische Federauslenkung sicherzustellen, während die zur Erdung belegte Fläche verringert wird.
Entsprechend dieser Ausführungsform kann der Abstand zwischen zwei einander benachbarten Abschirmgehäusen verschmälert werden auf höchstens 2 mm. Somit ist es möglich mit der Einschränkung im Bezug auf Platz auf der Leiterplatte 1 fertig zu werden.
Entsprechend dieser Ausführungsform kann die Federkonstante des Bunds 7 reguliert werden durch die Anzahl an Einschnitten 10. Es ist daher möglich die Erdung des Bunds 7 und des metallischen Erdleiters 3 perfekt zu machen. Ferner ist es möglich Leichtigkeit zu erreichen bei Anbringung und Entfernung der Gehäuse 8 und 9 zur Unterbringung der Leiterplatte 1 und des Abschirmgehäuses 2A.
Nach dieser Ausführungsform ist die Umfangslänge des Bunds 7 lang durch Bildung eines äußeren Umfangsbereichs 11 des Bunds 7 mit nicht geraden Linien geformt. Daher wird die Reibungskraft, ausgeübt zwischen dem Bund 7 und dem metallischen Erdleiter 3 (Erdungsleitungsbereich), groß, und seitliches Rutschen des Bunds 7 kann verhindert werden.
Nach dieser Ausführungsform ist es möglich hochpräzisen Bund ohne eine Rückfederung zu bilden, da das Abschirmgehäuse aus metallischem Glas gemacht ist.
Somit kann das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen mit dem hyperelastischen, integral damit gebildeten, Bund bereitgestellt werden. Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen, welches keine Durchgangsbohrung benötigt, und fähig ist eine große elastische Federauslenkung sicherzustellen, welches vordem noch nicht vorlag, kann auch bereitgestellt werden, während die für die Erdung belegte Fläche verringert wird.
Im Bezug auf das Verfahren zur Herstellung des Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen dieser Ausführungsform können verschiedene Formungsverfahren ausgewählt werden, dargestellt durch ein Druckgussverfahren und ein Hochdruck-Spritzgussverfahren, ohne Einschränkung auf das Verfahren in dem das Folienmaterial unter Verwendung des Einwalzenverfahrens tiefgezogen wird. Somit ist es möglich das Abschirmgehäuse leicht zu formen, welches eine Kuppelform hat, andere Formen einschließlich eine unsymmetrische Form, oder welches den Bund hat mit einem äußeren Umfangsbereich mit nicht geraden Linien, ohne Einschränkung der Form des Abschirmgehäuses auf eine Kastenform.
Die vorliegende Erfindung wurde durch die Ausführungsformen im Detail beschrieben. Es ist ersichtlich, dass die vorliegende Erfindung nicht beschränkt ist auf die in der Beschreibung dieser Anmeldung beschriebenen Ausführungsformen. Die vorliegende Erfindung kann als verschiedene Modifikationen ausgeführt werden ohne sich zu entfernen vom Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung, welcher in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es einen hyperelastischen Bund zu bilden, integral in einem Abschirmgehäusekörper um einen Umfang davon, während eine belegte Fläche zur Erdung verringert wird. Das Abschirmgehäuse 2 nach der vorliegenden Erfindung ist angeordnet für die Abdeckung von elektronischen Bauteilen 6 auf einer Leiterplatte 1, und welches einen Bund 7 integral damit gebildet hat, um mit einem metallischen Erdleiter 3 auf der Leiterplatte 1 elektrisch verbunden zu sein. Der Bund 7 wird elastisch verformt um geerdet zu werden, somit wird ein austreten elektromagnetischer Wellen nach Außerhalb des Abschirmgehäuses 2 verhindert.
Der Bund 7 ist aus metallischem Glas gemacht. Durch Bildung des Bunds 7 aus metallischem Glas kann eine Verschiebung aufgrund viskosen Fließens auf der atomaren Ebene verwendet werden, welches sich von einer plastischen Verformung unterscheidet, und somit kann ein hochpräziser Bund ohne eine Rückfederung gebildet werden.

Claims

Ein Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2), umfassend: ein Abschirmgehäusekörper (2), der zur Abdeckung elektronischer Teile (6) auf einer Leiterplatte (1) konfiguriert ist, und ein mit dem Abschirmgehäusekörper integral ausgebildeten Bund (7), wobei der Bund (7) elastisch verformt ist, um an einen Erdungsleitungsbereich (3) auf der Leiterplatte (1) geerdet zu sein, um ein Austreten der elektromagnetischen Wellen aus dem Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) zu verhindern, dadurch gekennzeichnet, dass der Abschirmgehäusekörper (2) und der Bund (7) aus metallischem Material mit einem Verhältnis von Bruchfestigkeits-/Elastizitätskonstante von 0,01 oder mehr ausgebildet sind.
Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) gemäß Anspruch 1, wobei der Bund (7) eine Ausstellweite von 1 mm oder weniger hat, wobei die Ausstellweite die Weite ist, in der der verformte Bund (7) mit dem Erdungsleitungsbereich (3) leitend verbunden ist.
Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2A) gemäß Anspruch 2, wobei der Bund (7) wenigstens einen Einschnitt (10) entlang der Richtung der Ausstellweite hat.
Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2B) gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Bund (7) einen äußeren Umfangsbereich (11) in einer Form von nicht geraden Linien aufweist.
Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Abschirmgehäusekörper (2) und der Bund (7) aus metallischem Glas gemacht sind.
Das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) gemäß Anspruch 5, wobei das metallische Glas eine Legierung auf Zirkoniumbasis mit amorpher Struktur ist.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen (2) gemäß Anspruch 5 oder 6, wobei das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) durch Druckformung in einem Temperaturbereich einer überkühlten Flüssigkeit des für das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) einzusetzenden metallischen Glases hergestellt wird.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Abschirmgehäuses für elektromagnetische Wellen (2) gemäß Anspruch 5 oder 6, wobei das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) durch Warmpressen in einem Temperaturbereich hergestellt wird, der zwischen einer Glasübergangstemperatur und einer Kristallisationstemperatur des für das Abschirmgehäuse für elektromagnetische Wellen (2) einzusetzenden metallischen Glases definiert ist.