CN100566531C - 电磁波屏蔽罩 - Google Patents

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CN100566531C CNB2005100038086A CN200510003808A CN100566531C CN 100566531 C CN100566531 C CN 100566531C CN B2005100038086 A CNB2005100038086 A CN B2005100038086A CN 200510003808 A CN200510003808 A CN 200510003808A CN 100566531 C CN100566531 C CN 100566531C
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Abstract

本发明提供一种节省接地占有面积,同时在屏蔽罩的周围一体地形成以前没有的获得大弹性位移的超弹性凸缘的电磁波屏蔽罩,电磁波屏蔽罩(2)配设成覆盖线路板(1)上的电子元件(6),通过与屏蔽罩(2)作成一体的凸缘(7)发生弹性变形,与线路板(1)上的接地导通部分(3)连接而接地,以防止电磁波向屏蔽罩(2)外泄漏,凸缘(7)是用金属玻璃与屏蔽罩(2)成一体地制作的。由于是用金属玻璃制作的,因而能利用与塑性变形不同的原子单位的粘性流动引起的变形,由此能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘(7)的成形。

Description

电磁波屏蔽罩
技术领域
本发明涉及电磁波屏蔽罩及其制造方法,该屏蔽罩配设成覆盖着携带式电话机或计算机等所使用的线路板(印刷线路板)上的电子元件。
背景技术
当线路板上有振荡回路等发生电磁波的元件时,为了防止电磁波对其他回路元件的影响,具体地说、为了防止辐射噪声的发生,作为现有技术所采用的是用金属导体作为材料的电磁波屏蔽罩包围电子元件、并使发生的电磁波不向外部传播地对其屏蔽(遮蔽)。
在将这种电磁波屏蔽罩配设在线路板上的场合下,如图17所示、在线路板1上与屏蔽罩2的下端缘相对应的区域和该区域的周围,形成金属制的地线3(接地导通部分),在该地线3和屏蔽罩2的下端的一部分或全部之间进行锡焊接合4。
但是,这种锡焊接合方法有如下所述的问题是公知的。
即、锡焊接合方法有下述的问题:
a.由锡焊时的加热对印刷线路板或电子元件会产生坏的影响(变形或部分破损);
b.在将使用年限已经过期的线路板1上的屏蔽罩2用作再生资源时,有必须从金属罩2上将焊锡除去而引起的作业效率非常低的问题;
c.有锡焊前后必须进行洗净等处理的烦杂性问题;
d.在锡焊作业阶段中、有焊药焊剂和焊锡自身的飞散或随着飞散而附着到回路元件上的问题;
e.在更换屏蔽罩2内的电子元件时,有必须将锡焊形成的接合破坏而引起的作业烦杂性问题。
所以,以前为了解决上述问题曾经尝试过种种技术。
现有技术1是用于解决上述问题e的,它是采用所谓的2件式的屏蔽罩2,即、如图18所示地将构架状的框架组5用锡焊焊接4接合在地线3上,并将该框架组5与可装卸的上盖6结合。
现有技术2是为了解决上述问题a~e而由本发明人开发的技术,这种技术不进行锡焊连接,而是采用与屏蔽罩一体形成的具有弯曲弹性的锚销与设置在线路板上的通孔进行弹性接合的屏蔽罩的设置结构(例如、参照专利文献1)。
而现有技术3也是为了解决上述问题a~e而由本发明人开发的技术,这种技术也不进行锡焊连接,而是采用屏蔽罩的背面一侧上一体形成的具有弯曲弹性的锁销与覆盖线路板的框体弹性地结合、并将屏蔽罩下端缘的一部分与地线电连接的屏蔽罩设置结构(例如、参照专利文献2)。
此外,已知的技术还有本发明人在以前开发的大的非晶质形成能和强度·韧性优良的Zr系列的非晶质合金(金属玻璃)(例如、参照专利文献3、4)。
【专利文献1】特开2003-179378号
【专利文献2】特开2003-179379号
【专利文献3】特开2000-129378号
【专利文献4】特开2000-178700号
但是,现有技术1容易使背部的高度增高,阻碍线路板1上的结构簿型化,还有使制造成本增高的问题。
而现有技术2在小型化飞速进展的携带式电话机或计算机等中受到电子元件配设而引起的空间限制,由于因两面安装基板的普及而在线路板的背面一侧上也安装电子元件,因而产生了新的问题,即、线路板上已经不允许设置必要且充分个数的通孔。
此外,现有技术3虽然不必在线路板上设置通孔,但为了实现可靠的电连接,有如下所述新的问题。
即、由于现有技术3要满足2个主要条件,即、为了吸收更簿型化的框体或印刷线路板的挠曲,实现可靠的电连接,必需将与地线相连接的弹簧的位移取成更大;以及由于用于无线通信等中的频带正在不断高频化(短波长化),因而接地间隔必需取成更密。因此现有技术3受到弹簧接地所要求的空间的限制,同时又使与地线的接地非常密地与屏蔽罩一体形成,产生用以前的压力冲裁金属后进行弯曲成形的所谓板金加工方法在设计上无法实现的新的问题。
也就是说,要同时实现压力冲裁和弯曲成形方法进行的屏蔽罩批量加工性和高接地密度·节省接地占有面积、并有大的弹簧位移是极其困难的。
而且,在为了制作屏蔽罩而采用以往的对结晶金属材料进行塑性变形的弯曲成形或深拉深成形的方法中,既将弹性凸缘的突出幅度和弯曲半径保持得较小又能得到充分弹性位移的设计上存在界限。
为此,本发明人进行了种种研究,结果发现,用上述金属玻璃,利用与塑性变形不同的原子单位的粘性流动引起的变形,就能实现没有回弹的尺寸精度高的凸缘成形。
为了解决至今还存在的问题a~e、而且还要解决现有技术1~3存在的新问题,本发明的目的在于提供一种电磁波屏蔽罩及其制造方法,这种屏蔽罩是不需要通孔,在节省接地占有面积的同时,将采用以前没有的大弹性位移的超弹性凸缘一体地形成在屏蔽罩的周围而构成。
发明内容
为了达到上述目的,本发明技术方案1的电磁波屏蔽罩,它是借助覆盖着线路板上的电子元件而配设的与屏蔽罩作成一体的凸缘发生弹性变形、与线路板上的接地导通部分连接而接地,以防止电磁波向屏蔽罩外泄漏,其特征在于,上述凸缘是用破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属、与上述屏蔽罩成一体地制作的。
这里,所谓的破坏强度是用机械强度试验中的屈服应力或达到弹性极限时的应力进行定义的破坏强度;而所谓的弹性常数是用弹性极限内的应力和挠曲之间的比例常数定义的弹性常数。
因此,由于技术方案1的电磁波屏蔽罩是用破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属制作的,因而能利用与塑性变形不同的原子单位的粘性流动引起的变形,由此能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘成形。
本发明技术方案2是在技术方案1的电磁波屏蔽罩中,上述凸缘形成具有1mm以下的突出幅度。
因此,在技术方案2中,相互邻接的2个屏蔽罩的间隔能狭窄到最大为2mm。
本发明技术方案3是在技术方案1或2的电磁波屏蔽罩中,在上述凸缘上沿着幅度方向至少设置1个切口。
因此,在技术方案3中,可由切口的个数控制凸缘的弹性常数。
本发明技术方案4是在技术方案1~3中任意一项的电磁波屏蔽罩中,上述凸缘形成具有非直线形状的外周缘部。
因此,在技术方案4中,通过将凸缘的外周缘部作成非直线形状而使周长加长,由此能使凸缘的外周缘部与接地导通部分(地线)之间的摩擦力增大,能防止凸缘的横向滑移。
本发明技术方案5的电磁波屏蔽罩配设成覆盖线路板上的电子元件,通过与屏蔽罩作成一体的凸缘发生弹性变形,与线路板上的接地导通部分连接而接地,以防止电磁波向屏蔽罩外泄漏,其特征在于,上述凸缘是用金属玻璃与上述屏蔽罩成一体地制作的。
因此,由于技术方案5的电磁波屏蔽罩是用金属玻璃制作的,因而能利用与塑性变形不同的原子单位的粘性流动引起的变形,由此能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘成形。
本发明技术方案6是在技术方案5的电磁波屏蔽罩中,上述凸缘形成具有1mm以下的突出幅度。
因此,在技术方案6中,相互邻接的2个屏蔽罩的间隔能狭窄到最大为2mm。
本发明技术方案7是在技术方案5或6的电磁波屏蔽罩中,在上述凸缘上沿着幅度方向至少设置1个切口。
因此,在技术方案7中,可由切口的个数控制凸缘的弹性常数。
本发明技术方案8是在技术方案5~7中任一项的电磁波屏蔽罩中,上述凸缘形成具有非直线形状的外周缘部。
因此,在技术方案8中,通过将凸缘的外周缘部作成非直线形状而使周长加长,由此能使凸缘的外周缘部与接地导通部分(地线)之间的摩擦力增大,能防止凸缘的横向滑移。
本发明技术方案9是用于制造上述第5~8发明中任意一项所述的电磁波屏蔽罩的,其特征在于,上述电磁波屏蔽罩是用上述金属玻璃的过冷液体温度区域中的加压成形工艺制作的。
本发明技术方案10用于制造技术方案5~8中任一项所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述电磁波屏蔽罩是在上述金属玻璃的玻璃化转变温度和结晶化温度之间的温度区域通过温热加压制作的。
本发明技术方案11是在技术方案9或10的电磁波屏蔽罩的制造方法中,上述金属玻璃是具有锆基的非晶质合金。
因此,在技术方案9、10或11的电磁波屏蔽罩制造方法中,并不局限于将单轧辊方法形成的箔片进行深拉深成形的方法,可以选择以金属模铸造方法或高压注射成形方法为代表的各种各样成形方法,由此,屏蔽罩并不局限于箱型形状,能形成包含圆顶形状或非对称形状的其他形状,或者能容易地形成具有非直线形状的外周缘部的凸缘。
如上所述,根据本发明的技术方案1,由于是用破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属制作的,因而能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘成形,由此能提供一种无需以前必需使用的通孔、可在节省接地占有面积的同时在屏蔽罩的周围成一体地形成以前没有采用的大弹性位移的超弹性凸缘而构成的电磁波屏蔽罩。
根据本发明的技术方案2,能将相互邻接的2个屏蔽罩的间隔狭窄到最大为2mm,由此,除了技术方案1的效果之外,还能对应于线路板上的空间制约。
根据本发明的技术方案3,能用切口的个数控制凸缘的弹性常数,由此,除了技术方案1或2的效果之外,还能使凸缘和地线之间的连接接地更可靠,同时使收容线路板和屏蔽罩的框体的装卸容易。
根据本发明的技术方案4,通过将凸缘的外周缘部作成非直线形状而使周长加长,由此,除了技术方案1~3的效果之外,还能使凸缘的外周缘部与接地导通部分(地线)之间的摩擦力增大,能防止凸缘的横向滑移。
根据发明请技术方案5,由于电磁波屏蔽罩是用金属玻璃制作的,因而能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘成形,由此能提供一种无需以前必需使用的通孔、可在节省接地占有面积的同时在屏蔽罩的周围成一体地形成以前没有采用的大弹性位移的超弹性凸缘而构成的电磁波屏蔽罩。
根据本发明的技术方案6,能将相互邻接的2个屏蔽罩的间隔能狭窄到最大为2mm,由此,除了技术方案5的效果之外,还能对应于线路板上的空间制约。
根据本发明的技术方案7,能用切口的个数控制凸缘的弹性常数,由此,除了技术方案5或6的效果之外,还能使凸缘和地线之间的连接接地更可靠,同时使收容线路板和屏蔽罩的框体的装卸容易。
根据本发明的技术方案8,通过将凸缘的外周缘部作成非直线形状而使周长加长,由此,除了技术方案5~7中任一项的效果之外,还能使凸缘的外周缘部与接地导通部分(地线)之间的摩擦力增大,能防止凸缘的横向滑移。
根据本发明的技术方案9、10或11的电磁波屏蔽罩制造方法,并不局限于将单轧辊方法形成的箔片进行深拉深成形的方法,可以选择以金属模铸造方法或高压注射成形方法为代表的各种各样成形方法,由此,屏蔽罩并不局限于箱型形状,能形成包含圆顶形状或非对称形状的其他形状,或者能容易地形成具有非直线形状的外周缘部的凸缘。
附图说明
图1是将局部省略地表示本发明的一个实施方式的电磁波屏蔽罩的安装状态的概略立体图。
图2是沿着图1的II-II线取得的概略剖视图。
图3是与图1的II-II线相对应的概略剖视图,表示用上侧和下侧框体夹持电磁波屏蔽罩的安装状态。
图4是本发明的一个实施方式的电磁波屏蔽罩凸缘的作用说明图,(a)是表示用框体按压前、放置在线路板上的屏蔽罩;(b)是表示用框体按压的屏蔽罩;(c)是表示将框体卸下、对屏蔽罩的按压被解除了的状态。
图5是表示金属材料的破坏强度和弹性常数之间关系的图表。
图6是表示金属材料的应力和挠曲之间关系的图表。
图7中的(a)、(b)是作为比较例的2个屏蔽罩的立体图。
图8是表示将屏蔽罩配置在线路板上的配置例子的概略立体图。
图9是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图10是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图11是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图12是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图13是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图14是本发明另一个实施方式的电磁波屏蔽罩的主要部分立体图。
图15是表示本发明的另一个定位机构的概略剖视图。
图16是屏蔽性能的测定***的说明图。
图17是以前的电磁波屏蔽罩的接地状态的说明图。
图18是以前的另一个电磁波屏蔽罩的接地状态的说明图。
具体实施方式
下面,根据实施方式对本发明进行具体地说明。其中、与图17和图18所示的构成要素相同的构件都标上相同的符号、并省略对它们的说明。
图1和图2表示本发明的一个实施方式的电磁波屏蔽罩2。该屏蔽罩2配设成覆盖线路板1上的电子元件6,与屏蔽罩2作成一体的凸缘7弹性变形地与线路板1上的地线(接地导通部分)3相接而接地,由此防止电磁波向屏蔽罩2外部泄漏。
这时的凸缘7是用破坏强度/弹性常数的比例为0.01以上的金属与屏蔽罩2制作成一体。
具体地说,屏蔽罩2是用薄壁的金属箔形成,沿着其开口端的整个周缘形成窄幅带状的一体凸缘,放置在电子器械框体8内部所收容的线路板1的地线3上。屏蔽罩2例如由55Zr-30Cu-5Ni-10Al合金(数字为原子比率)制成,但并不仅限于此,只要是破坏强度(σf)/弹性常数(E)之比为0.01以上的金属即可。
这里,所谓的破坏强度(σf)是用机械强度试验中的屈服应力或达到弹性极限时的应力进行定义的破坏强度;所谓的弹性常数(E)是用弹性极限内的应力和挠曲之间的比例常数定义的杨氏模量。
屏蔽罩2在预先设定了角度的凸缘7的弹性作用下而上浮(参照图2)。在该状态下,由于线路板1的挠曲等原因,存在接地线3和凸缘7之间未电连接的部位。
图3是表示从放置在线路板1上的屏蔽罩2的上方进一步覆盖框体9的情况,电子器械通常在这种状态下使用。受到框体8、9的一部分按压的屏蔽罩2可因凸缘7的弹性变形而使凸缘7的周围与接地线3连接而接地。屏蔽罩2的顶部由设置在框体9内表面上的凸部9a按压。
图4说明这时的凸缘7的动作。图4(a)表示用框体9按压之前的线路板1上所放置的屏蔽罩2。凸缘7处在其前端与接地线3相接、而使其根部与地线3仅隔离位移d的状态。图4(b)表示用框体9按压的屏蔽罩2。凸缘7处在从其前端开始到根部的全部凸缘7都与地线3相接的状态。图4(c)表示将框体9卸下、解除对屏蔽罩2的按压的状态。即、凸缘7复原成图4(a)所示的状态。这样,由于凸缘7具有超弹性,因而能不发生破坏或永久变形、容易地将框体8、9卸下。
而为了使屏蔽罩2能产生上述动作,将其用破坏强度(σf)/弹性常数(E)的比例为0.01以上的金属制作。
即、如图5所示,从破坏强度(σf)/弹性常数(E)的图表上看时,不锈钢、钛或铝合金等结构用金属材料多在σf/E<0.01的范围内。判定在选择这些材料、形成本技术领域的普通技术人员通常所用的厚度从0.1mm到0.3mm左右的屏蔽罩2的场合下,进行1mm宽度的凸缘7的弯曲加工时,在弯曲R部会产生裂缝。当然、可以从块状材料进行切削而制作屏蔽罩2,但这时的效率是非常低的。
与此相对,本发明所采用的金属在σf/E>0.01的范围内(图5中以斜线表示),由于用这种金属制作屏蔽罩2,因而能利用与塑性变形不同的由原子单位的粘性流动引起的变形,由此能在弯曲R部不发生裂缝地实现没有回弹的尺寸精度高的凸缘7的成形。本发明所采用的金属可例举出如Ni-Nb-Zr-Ti合金、Cu-Zr-Ti-Be合金、Cu-Zr-Ti合金、Zr-Cu-Ni-Al合金(金属玻璃)、Mg玻璃、或β-Ti合金等。
而且,弹性常数小的金属材料有利于形成具有微小突出的锐角的凸缘7。由此,下面从弹性观点出发、说明适用于本发明的金属的限定理由。
图6是表示金属材料的弹性变形曲线(应力-挠度曲线),上述的多数结构用金属材料(不锈钢、钛、磷青铜、或铝合金)只受到少许弹性挠曲(所谓弹性挠曲ε是指在外力作用下引起的弹性位移ΔS除以原有长度S的量的自然对数:ε=Ln{ΔS/S})就发生永久变形。图6中、符号O表示弹性极限点。
与此相对,本发明采用的金属在σf/E>0.01的范围内,即、在与σf/E=0.01相当的σ-E线以下的范围(图6中以斜线表示)内,如果采用这些金属,则能具有比上述结构用金属材料大得多的弹性挠曲。
因此、如图7所示,用上述结构用金属材料,制作厚度从0.1mm~0.3mm的屏蔽罩20(比较例),当将开口部的周缘部上的突出作成1mm的针状弹簧21形成如图7(a)所示的放射状时,只能得到少许弹性位移,或在得到弹性位移之前就永久变形。另一方面、倘若如图7(b)所示地制作屏蔽罩30(比较例),将针状弹簧21替换而形成十分长的L字形状的弹簧31,则即使用上述的结构用金属材料也不会发生永久变形、能得到充分的位移,但这时没能解决上述现有技术2的新的问题,即、没能解决接地的高密度化。
与此相对,由于屏蔽罩2是用满足σf/E≥0.01的金属或金属玻璃制作的,因而能容易地制作厚度是0.1mm~0.3mm左右的、突出幅度在1mm以内的具有超弹性的带状凸缘7。
而且、最好将屏蔽罩2形成凸缘7具有1mm以下的突出幅度。
屏蔽罩2如图8所示,大多是按每线路板1上的功能区域邻接地配置多个屏蔽罩2、2...。这时,在现有技术中、锡焊接合工艺所必要的接合尺寸已达到1mm幅度,使相互邻接的2个屏蔽罩2、2之间的间隔t狭窄到2mm。如果考虑到线路板1上的空间制约,凸缘7的突出幅度不允许是1mm以上,一旦不是1mm以下,则长处就没有了。
由于屏蔽罩2是用满足σf/E≥0.01的金属或金属玻璃制作,因而能形成具有突出幅度为1mm以下的凸缘7的十分优良的设计制作。
最好如图9所示,在凸缘7上沿着幅度方向至少设有1个切口10。
在这种结构中,凸缘7的弹性常数可由切口10的个数对其加以控制,由此能使屏蔽罩2与地线3充分相连而接地,同时还能容易地装卸收容线路板1和屏蔽罩2的框体8、9。
最好是如图10所示,将凸缘7形成具有非直线形状的外周缘部11。这时的外周缘部11并不局限于该图所示的单纯的非线性形状,也可以是几何学的模样,此外、与地线3相连接的凸缘7的周长也可以被作成加长的立体结构。
在这种结构中,由于凸缘7的外周缘部11是形成非直线的形状,因而使周长加长,由此使凸缘7与地线3之间的摩擦力增大,进而能防止凸缘7的横向滑移。由此就能实现使屏蔽罩2定位。
图11~图14表示屏蔽罩2的变形例。当然、这些屏蔽罩2中的任意一种都是属于本发明的。
图11所示的屏蔽罩2虽然是将整体作成非对称的形状,但由于是用满足σf/E≥0.01的金属或金属玻璃制作,因而不仅能容易地制作,当然还能制作箱型、圆顶型或其他的形状。
图12所示的屏蔽罩2是在凸缘7上向外突出地形成的安装片12上设有与线路板1之间定位用的孔13。借助定位用的孔13,可以用螺栓将屏蔽罩2固定在线路板1上,也可以***到设置在线路板1或框体8(或框体9)一侧的突出部(图中没有表示)上而进行定位。
图13所示的屏蔽罩2是通过将粘接带14粘贴在顶面上而固定在框体9上而进行定位的。
图14所示的屏蔽罩2是通过在其顶面上形成多个微小的凹凸模样15而增大表面积的例子,兼有高效地对来自屏蔽罩2所覆盖的功率放大器等电子元件6发出的热量进行散热。
图15表示屏蔽罩2的定位机构的另一个例子。这时的定位机构是由设置在框体9一侧的面积与屏蔽罩2顶面部分相对应的凹陷16构成。屏蔽罩2在其顶面部分嵌入在该凹陷16中的状态下受到框体8、9的按压。
下面,对电磁波屏蔽罩的制造方法进行说明。
该制造方法是采用金属玻璃的过冷液体温度区域中的加压成形而制作电磁波屏蔽罩。
换句话说,该制造方法是在金属玻璃的玻璃化转变温度和结晶化温度之间的温度区域通过温热加压而制作电磁波屏蔽罩。
而且,这时的金属玻璃是具有锆基的非晶质合金。
具体地说,采用单轧辊方法等技术得到的厚度为0.1mm的55Zr-30Cu-5Ni-10Al(数字是原子比例)金属玻璃的箔片,在能维持非晶质结构的过冷液体温度区域中,而且选择没达到成为失去非晶质结构的上限温度的结晶化温度的温度条件,通过使用金属模的深拉深成形制作屏蔽罩。由于为了使液体过冷,在对液体进行冷却的过程中,必需对结晶核的生成或成长加以抑制,因而上述的温度条件的选择是必要的。
这里所谓的单轧辊方法是一种金属箔的制造方法,用电炉或高频感应电炉将合金溶解,用气体压力使该熔融的合金从坩埚前端的小孔喷出,使其与正在回转着的冷却用回转体的表面相接触而凝固。
这时,如果进行在过冷液体温度区域上的成形,则并不局限于对单轧辊方法形成的箔片进行深拉深成形的方法,可选择以金属模铸造方法或高压注射成形方法为代表的各种各样成形方法。
表1表示的是以凸缘的成形性、所得到的最大位移和屏蔽性能为基准,将实施例和比较例的屏蔽罩进行比较的结果。
【表1】
  屏蔽罩材料   σf/E   凸缘成形性   最大位移   屏蔽性能   备注
 实施例1   68Zr-Cu-6Ni-10Al   0.019   良好   0.5mm以上   ◎
 实施例2   52Zr-17Cu-16Ni-10Al-5Ti   0.021   ″   ″   ″
 实施例3   52Zr-17Cu-16Ni-10Al-4Ti-1Nb   0.019   ″   ″   ″
 实施例4   60Zr-20Cu-10Al-10Pd   0.020   ″   ″   ″
 实施例5   50Zr-5Ti-20Cu-5Fe-10Al-5Br   0.021   ″   ″   ″
 实施例6   57Cu-28Zr-10Ti-48r   0.020   ″   ″   ″
 实施例7   65Ni-20Nb-20Zr-5Ti   0.021   ″   ″   ″
 实施例8   β-Ti合金   0.012   可能   ″   ″
 比较例1   SUS304   0.001   ×   0.1mm   ×   替代/mm间隔的弹簧片形成
 比较例2   磷青铜(C51900)   0.007   ×   0.3mm   △   ″
 比较例3   7076-T6铝合金   0.008   ×   0.2mm   △   ″
 比较例4   JIS2级纯   0.002   ×   0.1mm   ×   ″
表1中,凸缘成形性是以能否成形出没有裂缝的、幅度为0.7mm的凸缘而进行判定。屏蔽性能是将相对于0.1~6GHz高频波的有效屏蔽量SE<-60dB的场合判断为◎(良好);将-60dB<SE<-30dB的场合判断为△(有问题);将-30dB<SE的场合判断为×(不良)。
从实施例1到实施例8的屏蔽罩是图1所示的屏蔽罩2,长度为33mm、宽度为23mm、壁厚为0.1mm,罩的下端周围形成了幅度为0.7mm的一体凸缘的屏蔽罩。
而且,从实施例1到实施例7的屏蔽罩是将单轧辊方法制成的金属玻璃(具有锆基的非晶质合金)的箔片在过冷液体温度区域用温热间加压成形制作的。而实施例8的屏蔽罩是用β-Ti合金的箔片、由深拉深加工制作的。
由于从比较例1到比较例4的屏蔽罩不能如图1所示的屏蔽罩2那样形成呈一体的凸缘7,因而如图7(a)所示的屏蔽罩20那样,以1mm间隔、用板金加工形成针状弹簧21。
还用图16所示的测定装置40对屏蔽性能进行了测定。测定装置40由下述构件组成,即、用机壳41覆盖的电波暗室42;在该电波暗室42内面向设置的发送天线43和接收天线44;使开设在中央的孔穴45a位于发送天线43和接收天线44之间地配设在电波暗室42内的线路板45;覆盖该孔穴45a地配设的供试验用屏蔽罩A;在抑制从发送天线43发射出的高频波的同时、经由接收天线44对供试验用屏蔽罩A泄漏出来的上述高频波进行测定的网络分析器46。图16中符号47是信号回路。
而屏蔽性能是用下述的方法进行评价,即、采用测定装置40,将供试验用屏蔽罩A配设成覆盖开设在线路板45中央的孔穴45a,从该屏蔽罩A所配设的相反侧的发送天线43试验地射入0.1~6GHz的高频波,经由接收天线44对泄漏到屏蔽罩A之外的高频电磁波的量进行计测。
在进行该测定时,实施例1~8的供试验用屏蔽罩A是以凸缘的位移为0.5mm以内地将罩子A按压固定在线路板45上。另一方面,比较例1~4是以弹簧片产生永久变形但不破坏的范围将屏蔽罩A少许按压而固定在线路板45上。
从表1可知,实施例1~8的全部屏蔽罩都能得到-60dB的效果良好的屏蔽量(SE),而比较例1~4的全部屏蔽罩未能得到充分的屏蔽效果。
由此可以理解为什么采用破坏强度(σf)/弹性常数(E)为0.01以上的金属或金属玻璃在制作屏蔽罩2方面是有用的。
具体地说,如果采用本实施方式,则可以用背高较低、凸缘7只要用少许突出幅度就能配设比以前锡焊接合更紧密邻接的多个电磁波屏蔽罩2。
而且,凸缘7可得到可靠性高的屏蔽用接地所必需的大的位移,作为可靠接地所得到的效果,能够获得良好的电磁波屏蔽性能。
不用说,屏蔽罩2的配设不需要以前所必须的通孔,装卸容易,在配设时不需要复杂的工序,价格也便宜,容易作为再生资源而重复使用。

Claims (7)

1.一种电磁波屏蔽罩,配设成覆盖线路板上的电子元件,通过与屏蔽罩作成一体、具有90度以下的角度的锥状凸缘发生弹性变形,与线路板上的接地导通部分连接而接地,以防止电磁波向屏蔽罩外泄漏,其特征在于,上述凸缘是用破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属与上述屏蔽罩成一体地制作的。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属为β-Ti合金。
3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述破坏强度/弹性常数为0.01以上的金属为Ni-Nb-Zr-Ti合金、Cu-Zr-Ti-Be合金、Cu-Zr-Ti合金、Zr-Cu-Ni-Al合金、或Mg玻璃。
4.如权利要求1~3中任意一项所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述凸缘形成具有1mm以下的突出幅度。
5.如权利要求1~3中任意一项所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,在上述凸缘上沿着幅度方向至少设置1个切口。
6.如权利要求1~3中任意一项所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述凸缘形成具有非直线形状的外周缘部。
7.如权利要求3所述的电磁波屏蔽罩,其特征在于,上述电磁波屏蔽罩是在上述Ni-Nb-Zr-Ti合金、Cu-Zr-Ti-Be合金、Cu-Zr-Ti合金、Zr-Cu-Ni-Al合金的玻璃化转变温度和结晶化温度之间的温度区域通过温热加压制作的。
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