DE60030444T2 - Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen - Google Patents

Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen Download PDF

Info

Publication number
DE60030444T2
DE60030444T2 DE60030444T DE60030444T DE60030444T2 DE 60030444 T2 DE60030444 T2 DE 60030444T2 DE 60030444 T DE60030444 T DE 60030444T DE 60030444 T DE60030444 T DE 60030444T DE 60030444 T2 DE60030444 T2 DE 60030444T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silane
chemical
polishing composition
mechanical polishing
composition according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60030444T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60030444D1 (de
Inventor
K. Steven Aurora GRUMBINE
C. Christopher Patten STREINZ
Shumin Naperville Wang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CMC Materials Inc
Original Assignee
Cabot Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Microelectronics Corp filed Critical Cabot Microelectronics Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE60030444D1 publication Critical patent/DE60030444D1/de
Publication of DE60030444T2 publication Critical patent/DE60030444T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436Composite particles, e.g. coated particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials

Description

  • (1) Anwendungsbereich der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine chemisch-mechanische Polierzusammensetzung (CMP), die eine aus silanmodifizierten Metalloxidschleifpartikeln bestehende Dispersion umfasst, die das Produkt der Kombination eines Schleifmittels, welches Oberflächenmetallhydroxide aufweist, und einer Silanverbindung sind, die mindestens einen nicht hydrolisierbaren Substituenten umfasst. Die Erfindung ist auch ein Verfahren zur Verwendung silanmodifizierter Schleifpartikeldispersionen zum Polieren von mit einer Substratoberfläche in Verbindung stehenden Merkmalen sowie Verfahren zum Polieren von Substratmerkmalen unter Verwendung von schleifmittelhaltigen Polierkissen, die mit Silanverbindungen modifiziert wurden.
  • (2) Beschreibung des Standes der Technik
  • Bei der Miniaturisierung elektronischer Bauteile, die in der Computer- und Elektronikindustrie verwendet werden, werden große Fortschritte erzielt. Bei der Miniaturisierung elektronischer Bauteile ist typischer weise Ablagerung, Ätzen und/oder Polieren von Mehrfachmetall- und -oxidschichten zum Aufbauen eines elektronischen Substrates beteiligt. Durch die Miniaturisierung wurden jedoch Qualitätsbedenken erzeugt, wovon viele durch das genaue Polieren der Computer- und der elektronischen Substratwerkstoffe beseitigt werden. Um die Oberflächen elektronischer Bauteile genau zu polieren, war es notwendig, chemisch-mechanische Polierschlämme zu entwickeln, die mit der Kombination von polierten Oberflächen kompatibel sind.
  • Eine Komponente chemisch-mechanischer Polierschlämme, bei der es sehr wenige Verbesserungen gab, ist das Schleifmittel. Typischerweise werden Metalloxidschleifmittel in chemisch-mechanischen Polierschlämmen verwendet. Es wurden nur wenige Bemühungen unternommen, die über die Verfeinerung der Schleifpartikelgröße oder die Art der in den Schlämmen verwendeten Schleifpartikel hinausgingen.
  • Kürzlich gab es mehrere Versuche, um die Oberflächenchemie von Schleifpartikeln zu verändern. So ist zum Beispiel in dem U.S.-Patent Nr. 5,645,736 ein Verfahren zum Polieren eines Werkstückes offenbart, bei dem Organopolysiloxanpolymere zum Dispergieren und Halten der Schleifpartikel in einem vorübergehenden Film oder Matrix auf dem polierten Substrat verwendet werden. In dem U.S.-Patent Nr. 5,767,106 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die Schleifpartikel umfasst, die mit organischen Metallverbindungen wie zum Beispiel γ-Aminopropyltriethoxysilan kombiniert wurden. Die Par tikel werden nachfolgend in einem Schlamm zum Polieren einer Halbleitervorrichtung verwendet.
  • Trotz dieser Verbesserungen bleibt ein Bedürfnis nach chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen bestehen, die anwendungsspezifisch angefertigt werden können, um spezifische Kombinationen von mit einem elektronischen Substrat in Verbindung stehenden Metall- und/oder Metalloxidschichten zu polieren. Genauer ausgedrückt bleibt ein Bedürfnis nach Schleifpartikeln bestehen, die kundenspezifisch angefertigt werden können, um spezifische Metall- und/oder dielektrische Schichten mit gesteuerten Raten bei gleichzeitiger Minimierung der Substratfehlerhaftigkeit polieren zu können.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung beinhaltet eine chemisch-mechanische Polierzusammensetzung, die eine Dispersion umfasst, die mindestens einen silanmodifizierten Schleifpartikel aufweist, der das Produkt der Kombination eines Metalloxidschleifmittels, welches mindestens ein Oberflächenmetallhydroxid aufweist, und mindestens einer Silanverbindung mit folgender Formel ist: Y-Si-(X1X2R)
  • Dimere, Trimere und Oligomere derselben, wobei Y ein Hydroxy (-OH) oder ein hydrolisierbarer Substituent ist, X1 und X2 jeweils unabhängig aus Hydroxy, einem hydrolisierbaren Substituenten und einem nicht hydrolisierbaren Substituenten ausgewählt werden, und R ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist, wobei jeder nicht hydrolisierbare Substituent jeweils unabhängig von der aus Alkyl, Zykloalkyl, Aromat, funktionalisiertem Alkyl, funktionalisiertem Aromat, funktionalisiertem Zykloalkyl, Alkenen, Disilan und Trisilan bestehenden Gruppe ausgewählt wird, wovon jedes mit einem oder mehreren Atomen substituiert werden kann, die aus Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Phosphor, Halogen und Kombinationen derselben ausgewählt werden, wobei das Silan kein Aminosilan ist; und mindestens ein Lösungsmittel, wobei das Lösungsmittel Wasser ist, und die wässrige Dispersion einen pH-Wert von 2 bis 11 aufweist.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst die Erfindung Verfahren zum Polieren eines Substrates, welches mindestens ein Oberflächenmerkmal aufweist. Das Verfahren umfasst die Schritte der Herstellung einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung des vorangegangenen Absatzes.
  • Die Polierzusammensetzung wird dann auf eine Polierkissen aufgetragen, das Substratmerkmal wird in Kontakt mit dem Polierkissen bewegt, und das Polierkissen wird im Verhältnis zu dem Substratoberflächenmerkmal bewegt, bis mindestens ein Teil des Merkmals von dem Substrat abgetragen ist, wobei das Substratoberflächenmerkmal ein Oxid, ein Adhäsionswerkstoff, eine Me tallschicht oder -schichten oder eine Kombination derselben ist.
  • Die Zusammensetzungen und Verfahren der vorliegenden Erfindung wurden so befunden, dass sie steuerbare Poliermerkmale sowohl für die dielektrische Schicht als auch die Metallschicht einer integrierten Schaltung bereitstellen.
  • BESCHREIBUNG DER AKTUELLEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die vorliegende Erfindung betrifft chemisch-mechanische Polierzusammensetzungen, die eine Dispersion aus silanmodifizierten Schleifpartikeln umfassen, die das Produkt der Kombination aus mindestens einem Metalloxidschleifmittel sind, die mindestens ein Oberflächenmetallhydroxid und mindestens eine Silanverbindung umfasst, die mindestens einen nicht hydrolisierbaren Substituenten aufweist. Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zum Polieren eines Substratmerkmals unter Verwendung einer Dispersion aus silanmodifizierten Schleifpartikeln.
  • Der Begriff „Substratmerkmal", wie er in diesem Dokument verwendet wird, bezieht sich auf elektronische Substratmerkmale wie zum Beispiel Durchgänge und Kupferzwischenverbindungsleitungen, und auf Schichten von Werkstoffen, die auf oder in den Merkmalen wie zum Beispiel dielektrischen Schichten, Werkstoffschichten mit niedrigem k-Wert, Adhäsionsschichten, Metallschichten usw. abgelagert werden. Die Polierzusammen setzungen dieser Erfindung sind zum Polieren von Substraten verwendbar, um Werkstoffschichten abzutragen, sowie zum Polieren freigelegter Substratmerkmale.
  • Schleifmittel, die in den chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen der Erfindung verwendbar sind, müssen mindestens eine Oberflächenmetallhydroxidverbindung umfassen. Der Begriff „Oberflächenmetallhydroxidverbindung" betrifft die Struktur P-OH, wobei P den Schleifpartikel betrifft. Zusätzlich muss die Oberflächenmetallhydroxidverbindung für eine oder mehrere silanhaltige Verbindungen zugänglich sein, um die silanmodifizierten Schleifmittel dieser Erfindung auszubilden. Daher kann die bevorzugte Oberflächenmetallhydroxidverbindung, die Schleifmittel dieser Erfindung enthält, aus Metalloxidschleifmitteln ausgewählt werden, die Aluminiumoxid, Titanerde, Zirkonoxid, Germanium, Kieselerde, Zer(IV)-oxid, Tantaloxid (TaO2), Mischungen derselben und chemische Beimischungen derselben umfassen. Der Begriff „chemische Beimischung" betrifft Partikel einschließlich atomar gemischter oder überzogener Metalloxidschleifmittelmischungen. Das bevorzugteste Metalloxidschleifmittel ist Kieselerde (Siliziumdioxid).
  • Die in dieser Erfindung verwendbaren Schleifpartikel können aus Metalloxidaggregaten oder individuellen einzelnen Partikeln bestehen. Der Begriff „Partikel", wie er in diesem Dokument verwendet wird, betrifft so wohl Aggregate von mehr als einem Primärpartikel als auch einzelne Partikel. Bevorzugte Metalloxidpartikel sind Kieselerde und Aluminiumoxid, wobei Kieselerde am meisten bevorzugt wird.
  • Die bei der vorliegenden Erfindung verwendeten Metalloxidschleifmittel können mittels beliebiger Techniken erzeugt werden, die Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt sind, um Schleifpartikel zu ergeben, welche die oben erwähnten Merkmale aufweisen. Bei dieser Erfindung verwendbare Metalloxidschleifmittel werden von Prozessen abgeleitet, einschließlich Flammprozessen, Sol-Gel-Prozessen, Hydrothermalprozessen, Plasmaprozessen, Aerogelprozessen, Fällprozessen, mechanochemischem Mahlen, Bergbau bzw. Abbau und mittels jeder anderen Kombination dieser Prozesse, solange das Schleifmittel Oberflächenmetallhydroxide umfasst.
  • Die Metalloxidschleifmittel sind mit mindestens einer Silanzusammensetzung kombiniert, um silanmodifizierte Schleifpartikel auszubilden.
  • Die Silanzusammensetzungen weisen die folgende Formel auf: Y-Si-(X1X2R) und umfassen Dimere, Trimere und Oligomere derselben, wobei der Begriff „Oligomere" eine Verbindung betrifft, die 4 bis 15 Siloxaneinheiten umfasst. In der obigen Formel ist Y ein Hydroxy (-OH) oder ein hydro lisierbarer Substituent, wobei X1 und X2 jeweils unabhängig aus Hydroxy, einem hydrolisierbaren Substituenten und einem nicht hydrolisierbaren Substituenten ausgewählt werden, und R eine nicht hydrolisierbare Hälfte ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Silanzusammensetzung die obige Formel aufweisen, wobei Y ein Hydroxy (-OH) oder ein hydrolisierbarer Substituent, R ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist, X1 und X2 jeweils individuell nicht hydrolisierbare Substituenten sind. An Hand der obigen Formeln ist es klar, dass die bei der Erfindung verwendeten Silane einen hydrolisierbaren Substituenten, Y umfassen müssen, und dass sie einen nicht hydrolisierbaren Substituenten umfassen müssen, wobei R, X1 und X2 jeweils hydrolisierbar, nicht hydrolisierbar können, oder einer ein hydrolisierbarer Substituent sein kann, während der andere ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist.
  • Im Allgemeinen sind „hydrolisierbare" Substituenten solche Verbindungen, die Si(OH) in einer wässrigen Form ausbilden werden. Solche Hälften umfassen Halogene wie zum Beispiel Cl, Karboxylate und Amide, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Nicht hydrolisierbare Hälften sind Verbindungen, die keine Hydrolyse durchlaufen, um Si(OH) in einer wässrigen Lösung auszubilden.
  • Die nicht hydrolisierbaren Substituenten werden jeweils aus Alkyl, Zykloalkyl, Aromat, funktionalisiertem Alkyl, funktionalisiertem Aromat, funktionalisier tem Zykloalkyl, Alkenen, Disilan und Trisilan ausgewählt, wobei eines oder mehrere der Kohlenstoffatome mit einem oder mehreren Atomen substituiert werden können, die aus Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Phosphor, Halogen und Kombinationen derselben ausgewählt werden, wobei das Silan kein Aminosilan ist.
  • Vorzugsweise wird jeder nicht hydrolisierbare Substituent aus der aus Alkyl, funktionalisiertem Alkyl, und Mischungen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt, die 2 bis 25 Kohlenstoffatome aufweisen. Noch vorteilhafter ist jeder nicht hydrolisierbare Substituent ein aus Alkylnitrilen, Alkylamiden, Alkylkarbonsäuren, Alkylhalogenid, Alkohol, Alkyluriedo und Mischungen derselben ausgewähltes funktionalisiertes Alkyl. Am vorteilhaftesten ist mindestens einer der nicht hydrolisierbaren Substituenten funktionalisiertes Propylalkyl.
  • Wenn X1 und X2 beide ein Hydroxy oder ein hydrolisierbarer Substituent sind, dann wird die Silanverbindung vorzugsweise aus der aus Glycidoxypropyltrialkoxysi-lan, Isocyanatopropyltrialkoxysilan, Ureidopropyltrialkoxysilan, Mercaptopropyltrialkoxysilan, Cyanoethyltrialkoxysilan, 4,5-Dihydro-1-(3-trialkoxysilylpropyl)imidazol, 3-(Trialkoxysilyl)-Methylesterpropionsäure, Trialkoxy[3-(oxiranylalkoxy)propyl]-Silan, 2-Methyl, 3-(Trialkoxysilyl)propylester 2-Propionsäure, (Trialkoxysilyl)propyl]harnstoff und Mischungen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt.
  • Wenn ein aus X1 und X2 ausgewählter Substituent ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist, dann wird das Silan vorzugsweise aus der aus Chloropropylmethyldialkoxysilan, 1,2-Ethandiylbis[alkoxydimethyl]silan, Dialkoxymethylphenylsilan und Mischungen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt.
  • Wenn X1 und X2 jeweils nicht hydrolisierbare Hälften sind, dann wird das Silan vorzugsweise aus der aus Cyanopropyldimethylalkoxysilan, N,N'-(Alkoxymethylsilylen)bis[N-Methyl-Benzamid], Chloromethyldimethylalkoxysilan und Mischungen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt.
  • Zum Zwecke dieser Erfindung betrifft der Begriff „Alkoxy", wie er in den Silannamen verwendet wird, die hydrolisierbare Gruppe, und kann -OR, Cl, Br, I und NRR' umfassen, wobei R und R' 1 bis 20 Kohlenstoffatome umfassen können.
  • Die Auswahl von R, X1 und X2 wird im Allgemeinen von den gewünschten Poliereigenschaften des sich ergebenden silanmodifizierten Schleifmittels abhängig sein. Die Auswahl von R, X1 und X2 entsprechenden Komponenten ermöglicht es, dass das silanmodifizierte Schleifmittel bei spezifischen Polieranwendungen verwendbar ist. So können zum Beispiel die Substituenten R, X1 und X2 ausgewählt werden, um die Polierrate einer ersten Metallschicht zu steigern und die Polierrate einer zweiten Metallschicht zu hemmen. Alternativ können die Substituenten ausgewählt werden, um die Polierraten von zwei oder mehr Metallen zu steigern, um die Polierraten von zwei oder mehr Metallen zu hemmen oder um die Polierraten von Kombinationen von Metall- und Oxidschichten zu hemmen oder zu steigern.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung werden im Allgemeinen durch die Formel P---O(H)-Si-X1X2R dargestellt. Ein wichtiger Aspekt der Erfindung besteht darin, dass die Silanverbindung mit dem Schleifpartikel verbunden ist. Diese Verbindung wird in der Formel durch die gestrichelte Linie (---) zwischen dem Partikel (P) und dem Sauerstoffatom (O) dargestellt. Der Begriff „verbunden mit", wie er in diesem Dokument verwendet wird, betrifft jede Art von Bindung, die den Schleifpartikel mit mindestens einer Silanolverbindung vereinigt. Beispiele solcher Bindungen umfassen kovalente Bindungen von Kondensation, chemischer Absorption, physikalischer Absorption, Wasserstoffbindung und/oder van der Waalssche Bindung.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel der Erfindung können ein einzelnes Silan umfassen, welches mit einem Einzelpartikeloberflächenhydroxid verbunden ist, oder eine mit dem Partikel an mehreren Standorten verbundene Einzelsilanverbindung. Bei einer alternativen Ausführungsform kann der silanmodifizierte Schleifpartikel mit einem Silandimer, -trimer, -oligomer modifiziert werden, wobei jedes Silandimer, -trimer oder -oligomer mit einer einzelnen oder mehreren Oberflächenmetallhydroxidstandorten auf einem Partikel verbunden ist.
  • Die silanmodifizierten Partikel der Erfindung sollten eine Silan-„Abdeckung" aufweisen, die ausreichend ist, um die gewünschten Polierergebnisse zu erreichen. Der Begriff „Abdeckung" betrifft den Prozentsatz an Partikeloberflächenhydroxiden, die mit einem Siloxan verbunden sind. Im Allgemeinen liegt die Silanabdeckung im Bereich von etwa 10 bis etwa 99% oder mehr. Es ist jedoch mehr als eine Monoschichtabdeckung annehmbar.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung können in chemisch-mechanische Polierschlämme oder in schleifmittelhaltige Polierkissen integriert werden, die zum Polieren einer Vielzahl von Substratschichten einschließlich Metallschichten, Substratschichten und Oxidschichten in Verbindung mit der Herstellung integrierter Schaltungen und anderer elektronischer Substrate verwendbar sind. Beispiele von Schichten, die durch silanmodifizierte Schleifpartikel dieser Erfindung poliert werden können, umfassen Kupfer, Aluminium, Nickel, Nickelphosphid, Wolfram, Titan, Titannitrid, Wolframnitrid, Silizium, Germanium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Schichten, die Kombinationen derselben aufweisen, usw.
  • Wenn die silanmodifizierten Schleifpartikel zum Polieren eines Oxids oder eines mit einer Substratoberfläche in Verbindung stehenden dielektrischen Merkmals wie zum Beispiel Werkstoff mit sehr niedrigem k-Wert, Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Phosphor oder bordotierte Kieselerde verwendet werden, und eine Polierratenverringerung erforderlich ist, dann wird es bevorzugt, dass die zur Modifikation der Schleifpartikel verwendete Silanzusammensetzung eine oder zwei Hydroxy- und/oder hydrolisierbare Hälften umfasst. Unter Bezugnahme auf die oben erwähnte Silanstruktur wird es sich bei R und X1 vorzugsweise um einen nicht hydrolisierbaren Substituenten handeln, X2 kann aus Hydroxy, einem hydrolisierbaren Substituenten und einem nicht hydrolisierbaren Substituenten ausgewählt werden, und Y ist ein Hydroxy oder ein anderer hydrolisierbarer Substituent. Die Minimierung von Hydroxygruppen und hydrolisierbaren Hälften bei einer solchen Polieranwendung ist erwünscht, da das Vorhandensein von Silanolen auf der Oberfläche der Schleifpartikel ein schnelles und manchmal unkontrollierbares Polieren einer Oxidschicht fördert. Als Ergebnis wird durch die Minimierung und wesentliche Beseitigung von Silanolverbindungen von der Schleifmitteloberfläche die Steuerung des Oxidschichtpolierens gefördert.
  • Der R-Substituent des verwendbaren Silans kann angemessen bemessen sein, um auf eine von zwei Arten zu funktionieren. Zunächst kann die Auswahl der Größe des R-Substituenten, d. h. die Anzahl von Atomen, den mechanischen Aspekt des Partikels verändern. Das heißt, dass wenn R eine große Anzahl von Atomen aufweist, der R-Substituent die physikalischen Merkmale des Partikels wie zum Beispiel Morphologie, Größe und Härte verändern kann, was wiederum eine Auswirkung auf die Fehlerhaftigkeit des mit den silanmodifizierten Schleifpartikeln polierten Substrates dieser Erfindung hat. Eine große R-Gruppe kann auch Schleifmitteloberflächenhydroxide abschirmen, die nicht mit dem Silan reagierten, und kann sie während dem Polieren weniger zugänglich machen, wodurch verhindert wird, dass die verfügbaren Oberflächenhydroxide an dem Polieren der Oxidschicht beteiligt sind. Alternativ können die R-Gruppe und die anderen Substituenten so ausgewählt werden, dass sie die Art beeinflussen, in welcher der silanmodifizierte Schleifpartikel chemisch mit dem polierten Substratmerkmal in Wechselwirkung tritt. Durch die Veränderung der chemischen Aspekte der chemisch behandelten Schleifpartikel wird es ermöglicht, die Partikel anwendungsspezifisch als Polierförderer, Polierhemmer oder eine Kombination derselben anzufertigen.
  • Vorzugsweise wird die Anzahl von Hydroxygruppen und mit den silanmodifizierten Schleifmitteln der chemisch-mechanischen Zusammensetzungen dieser Erfindung in Zusammenhang stehender hydrolisierbarer Hälften minimiert. Daher wird es bevorzugt, dass entweder X1 oder X2 gemeinsam mit R nicht hydrolisierbare Hälften sind. Am vorteilhaftesten sind X1, X2 und R alle nicht hydrolisierbare Hälften.
  • Beispiele von Silanen, die nicht hydrolisierbare Hälften aufweisen, umfassen Alkylsilane; funktionalisierte Alkylsilane wie zum Beispiel Alkylepoxide, Alkylhydroxide, Alkylnitrile, Alkylkarbonsäuren und Alkylamide; aromatische Silane; heterozyklische Silane und Mischungen derselben. Spezifische Beispiele verwendbarer, nicht hydrolisierbarer Silanzusammensetzungen umfassen
    Glycidoxypropyltrialkoxysilan,
    Isocyanatopropyltrialkoxysilan,
    Ureidopropyltrialkoxysilan,
    Mercaptopropyltrialkoxysilan,
    Cyanoethyltrialkoxysilan, 4,5-Dihydro-1-(3-trialkoxysilylpropyl)imidazol, 3-(Trialkoxysilyl)-Methylesterpropionsäure, Trialkoxy[3-(oxiranylalkoxy)propyl]-Silan, 2-Methyl, 3-(Trialkoxysilyl)propylester 2-Propionsäure, (Trialkoxysilyl)propyl]harnstoff,
    Chloropropylmethyldialkoxysilan, 1,2-Ethandiylbis[alkoxydimethyl]silan,
    Dialkoxymethylphenylsilan,
    Cyanopropyldimethylalkoxysilan, N,N'-(Alkoxymethylsilylen)bis[N-Methyl-Benzamid],
    Chloromethyldimethylalkoxysilan und Mischungen derselben, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die zur Herstellung der silanmodifizierten Schleifmittel der Erfindung verwendeten Silane können so ausgewählt werden, dass sie Oxidmerkmalpolierraten steigern. Zur Steigerung von Oxidmerkmalpolierraten werden zur Veränderung der Schleifpartikel verwendete Silane vorzugsweise einen Substituenten R umfassen, der einen Oxidpolierbeschleuniger wie zum Beispiel eine Hydroxy- oder Fluoridhälfte umfasst. Eine bevorzugte oxidratensteigernde Silanverbindung ist Glycidoxypropyltrialkoxysilan, welches zu einem Diol hydrolisiert.
  • Zusätzlich zum Polieren von Oxidschichten können die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung zum Polieren einer oder mehrerer mit Substraten in Verbindung stehender Metallmerkmale verwendet werden. Silanmodifizierte Schleifpartikel, die zum Polieren von Substratmetallmerkmalen verwendet werden, werden vorzugsweise durch Silane modifiziert, welche die oben offenbarte Formel aufweisen, wobei mindestens einer der nicht hydrolisierbaren Substituenten – R, und optional X1 oder X2 oder Kombinationen derselben eine Polierbeschleunigerhälfte umfasst. Metallpolierbeschleunigerhälften können beliebige Hälften sein, die in dem Bereich dahingehend bekannt sind, das sie Metallauflösung während chemisch-mechanischer Prozesse fördern. Beispiele von Metallpolierbeschleunigerhälften umfassen Karbonsäuren, Phosphonsäuren, Thiole, Nitrile, Phosphate und Mischungen derselben, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Silanverbindungen, die zur Herstellung silanmodifizierter Poliermittel für gesteigertes Metallpolieren verwendbar sind, umfassen
    Methakryloxypropyltrialkoxysilan,
    Isocyanatopropyltrialkoxysilan,
    Ureidopropyltrialkoxysilan,
    Mercaptopropyltrialkoxysilan,
    Cyanoethyltrialkoxysilan,
    Isocyanatopropyltrialkoxysilan, 4,5-Dihydro-1-(3-trialkoxysilylpropyl)imidazol und Mischungen derselben, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung werden als eine Dispersion hergestellt. Das in der Dispersion verwendete Lösungsmittel ist Wasser, wobei die wässrige Dispersion einen pH-Wert von 2 bis 11, vorzugsweise von 5 bis 9 aufweist.
  • Die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung können eine oder mehrere optionale chemisch-mechanische Polierschlammzusätze umfassen. Beispiele verwendbarer Polierschlammzusätze umfassen Komplexbildner, Oxidationsmittel, Katalysatoren, Stabilisatoren, Dispersionsmittel, grenzflächenaktive Stoffe, Korrosionshemmer, Pufferelemente, Verbindungen zur Einstellung des pH-Wertes der Lösung usw. Bestandteile, die in diesem Bereich als zur Verwendung in chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen als geeignet bekannt sind, können in die silanmodifizierten Schleifpartikel-Polierzusammensetzungsdispersionen dieser Erfindung integriert werden.
  • Die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung können für bestimmte Polieranwendungen durch die Modifikation der Schleifpartikel mit einer oder mehr als einer Silanzusammensetzung anwendungsspezifisch angefertigt werden, um mit einer Mischung von Silanen modifizierte Partikel zu ergeben. Wenn der metallhydroxidhaltige Schleifpartikel mit mehr als einer Silanzusammensetzung kombiniert wird, können die relativen Mengen von Silanzusammensetzungen so eingestellt werden, dass sie einen silanmodifizierten Schleifpartikel erreichen, der die gewünschten Poliereigenschaften aufweist. Alternativ können die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung einen ersten modifizierten Schleifpartikel aufweisen, der mit einer ersten Silanzusammensetzung modifiziert wurde, und einen zweiten modifizierten Schleifpartikel, der mit einer zweiten Silanzusammensetzung modifiziert wurde. In der Tat können Mischungen aus zwei, drei oder vier oder mehr Schleifpartikeln, die jeweils individuell mit unterschiedlichen Silanzusammensetzungen modifiziert wurden, in die chemisch-mechanischen Polierschlämme dieser Erfindung integriert werden.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung und Kombinationen derselben können in einen chemisch-mechanischen Polierschlamm integriert werden. Alternativ können die Silane in eine Lösung integriert, und auf ein schleifmittelhaltiges Kissen aufgetragen werden, wodurch das Schleifmittel, welches metallhydroxidhaltig ist, während des Polierprozesses ununterbrochen modifiziert wird. Beispiele von Polierkissen, einschließlich Beispielen von schleifmittelhaltigen Kissen, sind in den U.S.- Patentnummern 5,849,051 und 5,849,052 offenbart. Schleifmittelhaltige Polierkissen können mit silanhaltigen Lösungen vor, während oder nach dem Substratpolieren modifiziert werden, wobei die Modifikation unmittelbar vor und während dem Substratpolieren am vorteilhaftesten ist. Die oben abgehandelten Silan-„Lösungen" umfassen Lösungen von Silanen, die in einem Lösungsmittel aufgelöst sind, sowie Silan-/Lösungsmittelemulsionen.
  • Es gibt keine Begrenzungen in Bezug darauf, wie die Schleifpartikel dieser Erfindung auf ein Substrat oder Polierkissen zum Polieren aufgetragen werden. Von Bedeutung ist, dass die verwendeten Schleifpartikel ein Oberflächenhydroxid umfassen, welches mit einer Silanzusammensetzung kombiniert ist.
  • Die silanmodifizierten Schleifpartikel dieser Erfindung können mittels beliebiger bekannter Verfahren hergestellt werden, die für die Verbindung einer Silanzusammensetzung mit schleifmittelhaltigem Oberflächenmetallhydroxid bekannt sind. Bei einem Verfahren können die Silanzusammensetzungen in einem Lösungsmittel wie zum Beispiel Wasser aufgelöst und auf die Oberflächen der Schleifpartikel gesprüht werden, die danach getrocknet werden, um silanmodifizierte Schleifpartikel zu erzeugen. Sobald sie getrocknet sind, können die silanmodifizierten Schleifpartikel in eine Dispersion integriert werden. Alternativ können die silanmodifizierten Schleifpartikel durch die Kombination von oberflächenmetallhydroxidhaltigen Schleifpartikeln mit einem Lösungsmittel wie zum Beispiel Wasser und mechanischer Verteilung der Schleifmittel in dem Lösungsmittel hergestellt werden. Sobald die Schleifpartikel in dem Lösungsmittel verteilt sind, kann der Dispersion eine Silanzusammensetzung oder -lösung beigemischt werden, um einen silanmodifizierten Schleifpartikel zu erzeugen, bei dem das Silan an das Metallhydroxid der Oberfläche des Schleifmittels überwiegend mittels eines Verfahrens gebunden wird, welches anders als kovalente Bindung wie zum Beispiel Wasserstoffbindung ist. Die silanmodifizierten Schleifpartikel können von der Behandlungslösung abgeschieden und getrocknet werden, oder die Dispersion von silanmodifizierten Schleifpartikeln kann direkt bei der Herstellung eines chemisch-mechanischen Polierschlammes verwendet werden. Vorzugsweise umfasst die Dispersion und/oder der chemisch-mechanische Polierschlamm, bei dem dispergierte silanmodifizierte Schleifmittel dieser Erfindung verwendet werden, weniger als etwa 15 Gewichts-% silanmodifizierte Schleifpartikel. Am vorteilhaftesten ist es, wenn die silanmodifizierten Schleifpartikel zum Polieren von Metallschichten verwendet werden, dass die endgültige chemisch-mechanische Polierzusammensetzung von etwa 0,1 bis 7 Gewichts-% silanmodifizierte Schleifpartikel umfasst. Wenn das silanmodifizierte Schleifmittel zum Polieren einer Oxidschicht verwendet wird, ist es vorteilhaft, dass die Polierzusammensetzung von etwa 5 bis etwa 15 Gewichts-% silanmodifizierte Schleifpartikel umfasst.
  • Zusätzlich zu der anwendungsspezifischen Anfertigung der Polierleistung der Polierzusammensetzung durch die anwendungsspezifische Anfertigung der Silane, die zur Modifikation der bei den Polierzusammensetzungen dieser Erfindung verwendeten Schleifpartikel verwendet werden, können die Schleifpartikel, die mit Silanzusammensetzungen modifiziert werden, die dispergierten Polierzusammensetzungen stabilisieren, welche die modifizierten Schleifpartikel enthalten. Genauer ausgedrückt können Dispersionen von silanmodifizierten Schleifpartikeln weniger anfällig für Zusammenballung und Absetzen sein, wenn sie in eine wässrige Lösung integriert werden. Daher können silanmodifizierte Schleifpartikeldispersionen eine verbesserte Lagerzeitstabilität im Vergleich zu unmodifizierten Schleifpartikeldispersionen aufweisen. Vorzugsweise können die silanmodifizierten Schleifmittel in die wässrigen, chemisch-mechanischen Polierschlämme als eine konzentrierte wässrige Dispersion integriert werden, die im Bereich von etwa 3% bis etwa 45% an Feststoffen, und vorzugsweise zwischen 10% und 20% an Feststoffen liegt. Die wässrige Dispersion von silanmodifizierten Schleifmitteln kann unter Verwendung herkömmlicher Techniken hergestellt werden, wie zum Beispiel durch langsame Beimischung des Metalloxidschleifmittels zu einem geeigneten Medium, zum Beispiel entionisiertem Wasser, um eine kolloide Dispersion auszubilden. Die Dispersion wird typischerweise dadurch vervollständigt, dass sie hohen Schermischbedingungen ausgesetzt wird, die Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt sind.
  • Die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung werden zum Polieren von Substratmerkmalen mit herkömmlichen Mitteln unter Verwendung von herkömmlichen Poliermaschinen verwendet. Die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung werden auf ein Polierkissen aufgetragen, welches danach mit der Substratoberfläche in Kontakt gebracht wird, wobei danach das Kissen im Verhältnis zu der Substratoberfläche bewegt wird, um Substratpolieren zu erreichen. Bei der Substratoberfläche handelt es sich um ein Oxid, einen Adhäsionswerkstoff, eine Metallschicht oder -schichten oder Kombinationen derselben. Polierzusammensetzungen dieser Erfindung werden dann ununterbrochen oder unterbrochen auf das Polierkissen aufgetragen, um eine genügende Menge an Polierzusammensetzung auf der Kissen-/Substratoberfläche zu halten. Wenn der Polierendpunkt erreicht ist, wird der Strom von Polierzusammensetzung zu dem Polierkissen unterbrochen, und überschüssige Polierzusammensetzung wird von dem Substrat mit entionisiertem Wasser oder einem anderen Lösungsmittel weggewaschen.
  • Beispiel 1
  • In diesem Beispiel wurden silanmodifizierte Kieselerdeschleifpartikel in chemisch-mechanische Polierschlämme integriert. Bei dem Schleifmittel handelte es sich um eine Dispersion aus geräucherter Kieselerde (LM150-Qualität), die von Cabot Corp. hergestellt, und in den Schlamm mit 5,0 Gewichts-% integriert wurde. Zusätzlich dazu, dass sie das Schleifmittel und eine Silanverbindung enthielten, umfassten die Schlämme 4,0 Gewichts-% Wasserstoffperoxid, 0,018 Gewichts-% Eisennitrat-Nonahydrat, 0,014 Gewichts-% Malonsäure, 0,042 Gewichts-% Pyrazin. Der pH-Wert des Schlammes wurde mit Salpetersäure auf 2,3 eingestellt.
  • Die Schlämme wurden zum Polieren von gemusterten Wolframmikroplättchen unter Verwendung eines perforierten Rodel IC 1000-Kissens auf einer IPEC 472-Maschine bei einer Anpresskraft von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 60 U/min., einer Trägerdrehzahl von 40 U/min. und einem Schlammdurchsatz von 150 ml/min. verwendet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 unten aufgeführt.
  • Die gemusterten Mikroplättchen wurden bis zu einem visuellen Endpunkt poliert, und dann um zusätzliche 20% poliert, um restliches Metall abzutragen und die bei einer Herstellungsumgebung erforderliche typische Verarbeitungsspanne bereitzustellen.
  • Tabelle 1
    Figure 00240001
  • Die Polierergebnisse von Tabelle 1 zeigen eine wesentliche Verringerung des Oxidverlustes in dem Feldbereich durch Verwendung der chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen der vorliegenden Erfindung, die silanmodifizierte Schleifpartikel (zum Beispiel ist das Feld dicker) enthalten. Die Verringerung ist offensichtlich, obwohl der chemisch-mechanische Polierschlamm mit dem silanmodifizierten Schleifmittel für eine längere Zeitdauer auf dem Feld polierte.
  • Beispiel 2
  • In diesem Beispiel wurden silanmodifizierte Kieselerdeschleifpartikel in chemisch-mechanische Polierschlämme integriert. Bei den Schleifpartikeln handelte es sich um eine Dispersion aus geräucherter Kieselerde (LM150-Qualität), die von Cabot Corp. hergestellt, und in den Schlamm mit 2,0 Gewichts-% integriert wurde. Der Schleifmitteldispersion wurde eine Silanverbindung, außerdem 4,0 Gewichts-% Wasserstoffperoxid, 0,036 Gewichts-% Eisennitrat-Nonahydrat, 0,028 Gewichts-% Malonsäure und 0,02 Gewichts-% Glyzin beigemischt. Der pH-Wert des Schlammes wurde mit Salpetersäure auf 2,3 eingestellt.
  • Beide Schlämme wurden zum Polieren eines Wolframrohlings und von BPSG-Oxidmikroplättchen unter Verwendung eines perforierten Rodel IC 1000-Kissens auf einer IPEC 472-Maschine bei einer Anpresskraft von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 60 U/min., einer Trägerdrehzahl von 40 U/min. und einem Schlammdurchsatz von 150 ml/min. verwendet. Die Polierergebnisse sind in Tabelle 2 unten aufgeführt.
  • Tabelle 2
    Figure 00250001
  • Die BPSG-Mikroplättchen wurden für 1 min. poliert und die Dispersion mit dem silanmodifizierten Schleifmittel zeigte eine bedeutende Verringerung bei der Oxidrohlingspolierrate.
  • Beispiel 3
  • In diesem Beispiel wurden silanmodifizierte Kieselerdeschleifpartikel in chemisch-mechanische Polierschlämme integriert. Bei dem Schleifmittel handelte es sich um eine Dispersion aus geräucherter Kieselerde (LM150-Qualität), die von Cabot Corp. hergestellt, und in den Schlamm mit 3,0 Gewichts-% integriert wurde. Der Schleifmitteldispersion wurde eine Silanverbindung, außerdem 4,0 Gewichts-% Wasserstoffperoxid, 0,036 Gewichts-% Eisennitrat-Nonahydrat, 0,028 Gewichts-% Malonsäure und 0,057 Gewichts-% Pyrazin beigemischt. Der pH-Wert des Schlammes wurde mit Salpetersäure auf 2,3 eingestellt.
  • Die Schlämme wurden zum Polieren von Wolframrohlingen und gemusterten Wolframmikroplättchen unter Verwendung eines perforierten Rodel IC 1000-Kissens auf einer IPEC 472-Maschine bei einer Anpresskraft von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 60 U/min., einer Trägerdrehzahl von 40 U/min. und einem Schlammdurchsatz von 150 ml/min. verwendet, und die Ergebnisse sind in Tabelle 3 unten aufgeführt.
  • Tabelle 3
    Figure 00270001
  • Die gemusterten Mikroplättchen wurden zuvor bis zu einem visuellen Endpunkt poliert, und dann um zusätzliche 20% poliert. Die Schlämme dieses Beispiels wurden bewertet, um die Wirkung des silanmodifizierten Schleifmittels bei den chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen auf das Polieren während Überpolieren von 45 Sekunden Dauer zu bestimmen, als Wolframdurchgänge und PETEOS-Oxid freigelegt wurden. Die Daten zeigen eine Verringerung des Oxidverlustes in dem Feldbereich nach der Beimischung des Silans, 3-Cyanopropyldimethylchlorosilan, während das Glycidoxypropyltrialkoxysilan, welches zu einem Diol hydrolisiert, eine Erhöhung bei der Oxidabtragung verursachte.
  • Beispiel 4
  • Bei diesem Beispiel wird die Fähigkeit der Polierschlämme, die unterschiedliche Mengen von Silan in der Lösung aufweisen, zum Polieren von Kupfermikroplättchen untersucht. Jede der verwendeten Polierzusammensetzungen war eine wässrige Lösung mit 3 Gewichts-% geräuchertem Aluminium, 0,7 Gewichts-% Ammoniumoxalat und 2,5 Gewichts-% Wasserstoffperoxid. Der pH-Wert eines jeden Schlammes wurde unter Verwendung von KOH auf 7,7 eingestellt. Jede Polierzusammensetzung umfasste unterschiedliche Arten und Mengen von Silanen. In Tabelle 4 unten ist die Menge und die Art von in jeder getesteten Polierzusammensetzung enthaltenem Silan, sowie die Menge an in der Lösung nach dem Polieren erkanntem Silan aufgeführt. In Tabelle 4 unten sind auch die Kupferpolierraten, TEOS-Polierraten, Tantalabtragungsraten für jeden getesteten Schlamm zusammengefasst.
  • Mikroplättchenpolieren wurde unter Verwendung einer Applied Materials Mirra-Poliermaschine und eines Einzelschrittprozesses mit MP/IP/RRP/PS von 4/4,5/4/63/57 ausgeführt. Polieren wurde mit einem Rodel IC1000 über ein Suba IV-Polierkissen ausgeführt.
  • Tabelle 4
    Figure 00290001
  • Die Polierergebnisse in Tabelle 4 zeigen, dass die silanmodifizierten Schleifpartikel, die Polierzusammensetzungen umfassen, Kupfermerkmale mit höheren Raten, und Oxidmerkmale mit niedrigeren Raten polieren als Kontrollpolierzusammensetzungen ohne Silane.

Claims (26)

  1. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung, die eine Dispersion umfasst, die mindestens einen silanmodifizierten Schleifpartikel aufweist, der das Produkt der Kombination eines Metalloxidschleifmittels, welches mindestens ein Oberflächenmetallhydroxid aufweist, und mindestens einer Silanverbindung mit folgender Formel ist: Y-Si-(X1X2R) und Dimere, Trimere und Oligomere derselben, wobei Y ein Hydroxy (-OH) oder ein hydrolisierbarer Substituent ist, X1 und X2 jeweils unabhängig aus dem Hydroxy, einem hydrolisierbaren Substituenten und einem nicht hydrolisierbaren Substituenten ausgewählt werden, und R ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist, wobei die nicht hydrolisierbaren Hälften jeweils unabhängig von der aus Alkyl, Zykloalkyl, Aromat, funktionalisiertem Alkyl, funktionalisiertem Aromat, funktionalisiertem Zykloalkyl, Alkenen, Disilan und Trisilan bestehenden Gruppe ausgewählt werden, wobei einer oder mehrere der Kohlenstoffatome mit einem oder mehreren Atomen substituiert werden können, die aus Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Phosphor, Halogen und Kombinationen derselben ausgewählt werden, wobei das Silan kein Aminosilan ist; und mindestens ein Lösungsmittel, wobei das Lösungsmittel Wasser ist, und die wässrige Dispersion einen pH-Wert von 2 bis 11 aufweist.
  2. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die wässrige Dispersion einen pH-Wert von 5 bis 9 aufweist.
  3. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass X1 und X2 jeweils aus Hydroxy oder einem hydrolisierbaren Substituenten ausgewählt werden.
  4. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass R aus Alkyl und funktionalisiertem Alkyl ausgewählt wird.
  5. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Silanverbindung aus Glycidoxypropyltrialkoxysilan, Isocyanatopropyltrialkoxysilan, Ureidopropyltrialkoxysilan, Mercaptopropyltrialkoxysilan, Cyanoethyltrialkoxysilan, 4,5-Dihydro-1-(3-trialkoxysilypropyl)imidazol, 3-(Trialkoxysilyl)-Methylesterpropionsäure, Trialkoxyl[3-(oxiranylalkoxyl)propyl]-Silan, 2-Methyl, 3-(Trialkoxysily)propylester 2-Propionsäure, (Trialkoxysilyl)propyl]harnstoff und Mischungen derselben ausgewählt wird.
  6. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein aus X1 und X2 ausgewählter Substituent ein nicht hydrolisierbarer Substituent ist.
  7. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass R und der aus X1 und X2 ausgewählte, nicht hydrolisierbare Substituent jeweils aus Alkyl, funktionalisiertem Alkyl und Mischungen derselben ausgewählt wird.
  8. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass Silan aus Chloropropylmethyldialkoxysilan, 1,2-Ethandiylbis[alkoxyldimethyl]silan, Dialkoxymethylphenylsilan und Mischungen derselben ausgewählt wird.
  9. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass X1 und X2 jeweils nicht hydrolisierbare Hälften sind.
  10. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass R, X1 und X2 jeweils unabhängig aus Alkyl und funktionalisiertem Alkyl ausgewählt werden.
  11. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Alkyl und funktionalisierte Alkyl 2 bis 25 Kohlenstoffatome aufweisen.
  12. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass jeder nicht hydrolisierbare Substituent ein aus Alkylnitrilen, Alkylamiden, Alkylkarbonsäuren, Alkylhalogenid, Alkohol, Alkyluriedo und Mischungen derselben ausgewähltes funktionalisiertes Alkyl ist.
  13. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Silan aus Cyanopropyldimethylalkoxysilan, N,N'-(Alkoxymethylsilylen)bis[N-Methyl-Benzamid], Chloromethyldimethylalkoxysilan und Mischungen derselben ausgewählt wird.
  14. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Silanverbindung aus Glycidoxypropyltrialkoxysilan, Isocyanatopropyltrialkoxysilan, Ureidopropyltrialkoxysilan, Mercaptopropyltrialkoxysilan, Cyanoethyltrialkoxysilan, 4,5-Dihydro-1-(3-trialkoxysilypropyl)imidazol, 3-(Trialkoxysilyl)-Methylesterpropionsäure, Trialkoxyl[3-(oxiranylalkoxyl)propyl]-silan, 2-Methyl, 3-(Trialkoxysily)propylester 2-Propionsäure, (Trialkoxysilyl)propyl]harnstoff, Chloropropylmethyldialkoxysilan, 1,2-Ethandiylbis[alkoxyldimethyl]silan, Dialkoxymethylphenylsilan, Cyanopropyltrialkoxysilan, N,N'-(Alkoxymethylsilylen)bis[N-Methyl-Benzamid], Chloromethyldimethylalkoxysilan und Mischungen derselben ausgewählt wird.
  15. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel aus Aluminiumoxid, Titanerde, Zirkonoxid, Germanium, Kieselerde, Zer(IV)-oxid, Tantaloxid (TaO2) und Mischungen derselben und chemischen Beimischungen derselben ausgewählt wird.
  16. Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel Kieselerde ist.
  17. Verfahren zum Polieren eines Substrates, welches mindestens ein Oberflächenmerkmal aufweist, welches die folgenden Schritte umfasst: (a) Herstellung einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, (b) Auftragen der chemisch-mechanischen Zusammensetzung auf ein Polierkissen; und (c) Bewegen des Substratoberflächenmerkmals in Kontakt mit dem Polierkissen und Bewegen des Polierkissens im Verhältnis zu dem Substratoberflächenmerkmal, bis mindestens ein Teil des Merkmals von dem Substrat abgetragen ist; wobei das Substratoberflächenmerkmal ein Oxid, ein Adhäsionswerkstoff, eine Metallschicht oder -schichten, oder eine Kombination derselben ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierzusammensetzung während dem Polieren zu einem Zeitpunkt auf das Polierkissen aufgetragen wird, der aus der Zeit ausgewählt wird, bevor das Substratoberflächenmerkmal mit dem Polierkissen in Kontakt bewegt wird, nachdem das Substratoberflächenmerkmal in Kontakt mit dem Polierkissen bewegt wird, und eine Kombination derselben.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierzusammensetzung derart ist, wie in einem der Ansprüche 3 bis 16 definiert.
  20. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxidschleifmittel, welches mindestens ein Oberflächenmetallhydroxid aufweist, aus Aluminiumoxid, Kieselerde, Zer(IV)-oxid, Germanium, Titanerde und Mischungen derselben und Kombinationen derselben ausgewählt wird.
  21. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Mehrzahl von Oberflächenmerkmalen umfasst, wobei jedes Oberflächenmerkmal ein aus einem Oxid, einem Adhäsionswerkstoff, einem Metall und Kombinationen derselben ausgewähltes Merkmal ist.
  22. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberfläche ein Oxidmerkmal ist.
  23. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratmerkmal ein Kupfer- oder Kupferlegierungsmerkmal ist.
  24. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das ausgewählte Silan Oxidmerkmalpolierraten bei Vorhandensein eines Metallmerkmals verringert.
  25. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratoberflächenmerkmal ein Metallmerkmal ist.
  26. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Silanverbindung Substratmetallmerkmalpolieren fördert.
DE60030444T 1999-07-07 2000-07-05 Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen Expired - Lifetime DE60030444T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14270699P 1999-07-07 1999-07-07
US142706P 1999-07-07
PCT/US2000/018342 WO2001004226A2 (en) 1999-07-07 2000-07-05 Cmp composition containing silane modified abrasive particles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60030444D1 DE60030444D1 (de) 2006-10-12
DE60030444T2 true DE60030444T2 (de) 2006-12-14

Family

ID=22500954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60030444T Expired - Lifetime DE60030444T2 (de) 1999-07-07 2000-07-05 Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen

Country Status (14)

Country Link
US (2) US6582623B1 (de)
EP (1) EP1200532B1 (de)
JP (2) JP2003520283A (de)
KR (1) KR100590665B1 (de)
CN (1) CN1209429C (de)
AT (1) ATE338100T1 (de)
AU (1) AU5785700A (de)
CA (1) CA2378492A1 (de)
DE (1) DE60030444T2 (de)
HK (1) HK1046151A1 (de)
IL (1) IL147039A0 (de)
MY (1) MY126717A (de)
TW (1) TW538110B (de)
WO (1) WO2001004226A2 (de)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6592776B1 (en) * 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
ATE338100T1 (de) * 1999-07-07 2006-09-15 Cabot Microelectronics Corp Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte- schleifteilchen
US7070485B2 (en) 2000-02-02 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing composition
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
CN1255854C (zh) * 2001-01-16 2006-05-10 卡伯特微电子公司 含有草酸铵的抛光***及方法
US6656241B1 (en) 2001-06-14 2003-12-02 Ppg Industries Ohio, Inc. Silica-based slurry
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
DE60215095T2 (de) 2001-09-19 2007-05-10 Parker-Hannifin Corp., Cleveland Motorantrieb und System
CN101058713B (zh) 2001-10-31 2011-02-09 日立化成工业株式会社 研磨液及研磨方法
JP2003277731A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用粒子および研磨材
US6716771B2 (en) * 2002-04-09 2004-04-06 Intel Corporation Method for post-CMP conversion of a hydrophobic surface of a low-k dielectric layer to a hydrophilic surface
US6833186B2 (en) 2002-04-10 2004-12-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Mineral-filled coatings having enhanced abrasion resistance and wear clarity and methods for using the same
JP4554142B2 (ja) * 2002-04-30 2010-09-29 日揮触媒化成株式会社 基板洗浄用粒子および該基板洗浄用粒子を含む洗浄材、基材の洗浄方法
US6706398B1 (en) * 2002-09-13 2004-03-16 Dow Corning Corporation Organosilicon compounds and blends for treating silica
KR100442549B1 (ko) * 2002-10-16 2004-07-30 제일모직주식회사 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한cmp용 슬러리 조성물 및 그 제조방법
US6893476B2 (en) 2002-12-09 2005-05-17 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal
US7044836B2 (en) 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
US20070015448A1 (en) * 2003-08-07 2007-01-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad having edge surface treatment
IL157681A0 (en) 2003-09-01 2004-03-28 J G Systems Inc Improved abrasives for chemical-mechanical polishing applications
US7247567B2 (en) * 2004-06-16 2007-07-24 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a tungsten-containing substrate
FR2872823B1 (fr) * 2004-07-08 2006-10-06 Kemesys Composition de polissage mecano chimique, procede de preparation, et utilisation
US20060096179A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
KR100704831B1 (ko) * 2005-06-01 2007-04-09 주식회사 아이너스기술 3차원 스캐너를 이용한 실시간 검사 안내 시스템 및 방법
US7294049B2 (en) 2005-09-01 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
EP2052048B1 (de) 2006-07-12 2018-01-24 Cabot Microelectronics Corporation Cmp-verfahren für metallhaltige substrate
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
CN101338082A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 安集微电子(上海)有限公司 改性二氧化硅溶胶及其制备方法和应用
CN101802116B (zh) * 2007-09-21 2014-03-12 卡伯特微电子公司 利用经氨基硅烷处理的研磨剂颗粒的抛光组合物和方法
JP5519507B2 (ja) * 2007-09-21 2014-06-11 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション アミノシランを用いて処理した研磨剤粒子を利用する研磨組成物および研磨方法
BRPI0911453A2 (pt) 2008-04-18 2018-03-20 Saint Gobain Abrasifs Sa modificação da superfície de silanos hidrófilos e hidrfóbicos de orgãos abrasivos
WO2010085324A1 (en) 2009-01-20 2010-07-29 Cabot Corporation Compositons comprising silane modified metal oxides
WO2011104639A1 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Basf Se Abrasive articles, method for their preparation and method of their use
KR101243331B1 (ko) * 2010-12-17 2013-03-13 솔브레인 주식회사 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
BR112013016734A2 (pt) 2010-12-31 2019-09-24 Saint Gobain Ceramics partículas abrasivas com formas particulares e métodos de deformação de tais partículas
WO2013003831A2 (en) 2011-06-30 2013-01-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Liquid phase sintered silicon carbide abrasive particles
CN103702800B (zh) 2011-06-30 2017-11-10 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括氮化硅磨粒的磨料制品
CA2850147A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive articles including abrasive particulate materials, coated abrasives using the abrasive particulate materials and methods of forming
EP3851248B1 (de) 2011-12-30 2024-04-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Zusammengesetzte geformte schleifpartikel und verfahren zu ihrer herstellung
WO2013102176A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Forming shaped abrasive particles
EP3517245B1 (de) 2011-12-30 2023-12-13 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc. Geformte schleifpartikel und verfahren zu ihrer herstellung
US8840696B2 (en) 2012-01-10 2014-09-23 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive particles having particular shapes and methods of forming such particles
WO2013106597A1 (en) 2012-01-10 2013-07-18 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive particles having complex shapes and methods of forming same
US9242346B2 (en) 2012-03-30 2016-01-26 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive products having fibrillated fibers
US8778212B2 (en) 2012-05-22 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing zirconia particles and method of use
IN2014DN10170A (de) 2012-05-23 2015-08-21 Saint Gobain Ceramics
CN104411459B (zh) 2012-06-29 2018-06-15 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 具有特定形状的磨粒和形成这种粒子的方法
WO2014062701A1 (en) 2012-10-15 2014-04-24 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive particles having particular shapes and methods of forming such particles
JP6057706B2 (ja) * 2012-12-28 2017-01-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9074119B2 (en) 2012-12-31 2015-07-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Particulate materials and methods of forming same
KR101427883B1 (ko) 2013-02-08 2014-08-07 주식회사 케이씨텍 표면 개질된 연마입자, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 슬러리 조성물
MX2015013831A (es) 2013-03-29 2016-03-01 Saint Gobain Abrasives Inc Particulas abrasivas con formas particulares y metodos para elaborar las particulas.
US10005171B2 (en) 2013-06-24 2018-06-26 3M Innovative Properties Company Abrasive particles, method of making abrasive particles, and abrasive articles
TW201502263A (zh) 2013-06-28 2015-01-16 Saint Gobain Ceramics 包含成形研磨粒子之研磨物品
CN104371551B (zh) * 2013-08-14 2018-01-12 安集微电子(上海)有限公司 一种碱性阻挡层化学机械抛光液
CN104371553B (zh) * 2013-08-14 2017-10-13 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液以及应用
KR20160057397A (ko) * 2013-09-20 2016-05-23 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
CA2924738C (en) 2013-09-30 2022-06-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Shaped abrasive particles and methods of forming same
CN105829097B (zh) * 2013-12-13 2018-06-26 福吉米株式会社 带有金属氧化物膜的物品
CN104745083B (zh) * 2013-12-25 2018-09-14 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液以及抛光方法
CN104745087B (zh) * 2013-12-25 2018-07-24 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液以及抛光方法
BR112016015029B1 (pt) 2013-12-31 2021-12-14 Saint-Gobain Abrasifs Artigo abrasivo incluindo partículas abrasivas moldadas
US9771507B2 (en) 2014-01-31 2017-09-26 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Shaped abrasive particle including dopant material and method of forming same
US9303188B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9303189B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9238754B2 (en) 2014-03-11 2016-01-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9309442B2 (en) 2014-03-21 2016-04-12 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten buffing
US9303190B2 (en) 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9127187B1 (en) 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
CA3123554A1 (en) 2014-04-14 2015-10-22 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive article including shaped abrasive particles
EP3131705A4 (de) 2014-04-14 2017-12-06 Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. Schleifartikel mit geformten schleifpartikeln
WO2015184355A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Method of using an abrasive article including shaped abrasive particles
SG11201610330TA (en) * 2014-06-25 2017-01-27 Cabot Microelectronics Corp Tungsten chemical-mechanical polishing composition
TWI564380B (zh) * 2014-06-25 2017-01-01 卡博特微電子公司 銅障壁層化學機械拋光組合物
KR102458508B1 (ko) 2014-06-25 2022-10-26 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 콜로이드성 실리카 화학적-기계적 연마 농축액
CN104263248B (zh) * 2014-09-26 2016-06-29 深圳市力合材料有限公司 一种适用于低下压力的弱酸性铜抛光液
US9707529B2 (en) 2014-12-23 2017-07-18 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite shaped abrasive particles and method of forming same
US9914864B2 (en) 2014-12-23 2018-03-13 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Shaped abrasive particles and method of forming same
CN105985522B (zh) * 2014-12-24 2019-06-28 财团法人工业技术研究院 高分支聚硅氧烷与混成材料及其形成方法
US9676981B2 (en) 2014-12-24 2017-06-13 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Shaped abrasive particle fractions and method of forming same
CN107636109A (zh) 2015-03-31 2018-01-26 圣戈班磨料磨具有限公司 固定磨料制品和其形成方法
TWI634200B (zh) 2015-03-31 2018-09-01 聖高拜磨料有限公司 固定磨料物品及其形成方法
ES2819375T3 (es) 2015-06-11 2021-04-15 Saint Gobain Ceramics & Plastics Inc Artículo abrasivo que incluye partículas abrasivas conformadas
JP6408453B2 (ja) * 2015-11-16 2018-10-17 信越化学工業株式会社 研磨組成物及び研磨方法
CN109462993A (zh) 2016-05-10 2019-03-12 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 磨料颗粒及其形成方法
KR102481559B1 (ko) 2016-05-10 2022-12-28 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 연마 입자 및 이의 형성 방법
JP6951715B2 (ja) * 2016-09-15 2021-10-20 株式会社Flosfia 半導体膜の製造方法及び半導体膜並びにドーピング用錯化合物及びドーピング方法
EP3519134B1 (de) 2016-09-29 2024-01-17 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Feste schleifartikel und verfahren zur formung davon
US9803108B1 (en) 2016-10-19 2017-10-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous compositions of stabilized aminosilane group containing silica particles
US10563105B2 (en) 2017-01-31 2020-02-18 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive article including shaped abrasive particles
US10759024B2 (en) 2017-01-31 2020-09-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive article including shaped abrasive particles
CN110719946B (zh) 2017-06-21 2022-07-15 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 颗粒材料及其形成方法
US20210162559A1 (en) * 2017-07-11 2021-06-03 3M Innovative Properties Company Abrasive articles including conformable coatings and polishing system therefrom
JP7031485B2 (ja) * 2018-05-11 2022-03-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 Cmp研磨剤及びその製造方法、並びにcmp研磨方法
CN113677621A (zh) * 2019-03-29 2021-11-19 科瑞泰克集团股份有限公司 制备环硅烷的方法
KR102525287B1 (ko) * 2019-10-18 2023-04-24 삼성에스디아이 주식회사 구리 막 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 구리 막 연마 방법
CN111087930A (zh) * 2019-12-23 2020-05-01 长江存储科技有限责任公司 一种化学机械抛光研磨剂的制备方法及化学机械抛光方法
WO2021133901A1 (en) 2019-12-27 2021-07-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive articles and methods of forming same
KR102589505B1 (ko) * 2020-03-03 2023-10-13 삼성에스디아이 주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 구리 막 연마 방법
KR102619857B1 (ko) * 2020-05-20 2023-12-29 삼성에스디아이 주식회사 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법
KR102415203B1 (ko) * 2020-08-24 2022-06-30 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102577164B1 (ko) * 2020-12-29 2023-09-08 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 기판의 연마방법
CN112680187A (zh) * 2021-01-04 2021-04-20 上海晖研材料科技有限公司 一种表面改性的二氧化硅及含其的磨料组合物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4563483A (en) * 1983-07-06 1986-01-07 Creative Products Resource Ltd. Concrete cleaning composition
US5226930A (en) * 1988-06-03 1993-07-13 Monsanto Japan, Ltd. Method for preventing agglomeration of colloidal silica and silicon wafer polishing composition using the same
JP3303544B2 (ja) * 1994-07-27 2002-07-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および配線層表面研磨用のスラリーおよび配線層表面研磨用のスラリーの製造方法
US5645736A (en) 1995-12-29 1997-07-08 Symbios Logic Inc. Method for polishing a wafer
JP3927270B2 (ja) * 1996-12-27 2007-06-06 富士通株式会社 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法
US6299659B1 (en) * 1998-08-05 2001-10-09 Showa Denko K.K. Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices
US6372648B1 (en) 1998-11-16 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit planarization method
ATE338100T1 (de) * 1999-07-07 2006-09-15 Cabot Microelectronics Corp Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte- schleifteilchen

Also Published As

Publication number Publication date
ATE338100T1 (de) 2006-09-15
WO2001004226A2 (en) 2001-01-18
CN1367809A (zh) 2002-09-04
WO2001004226A3 (en) 2002-10-03
TW538110B (en) 2003-06-21
CN1209429C (zh) 2005-07-06
JP2007088499A (ja) 2007-04-05
IL147039A0 (en) 2002-08-14
KR100590665B1 (ko) 2006-06-19
EP1200532B1 (de) 2006-08-30
AU5785700A (en) 2001-01-30
US20030209522A1 (en) 2003-11-13
MY126717A (en) 2006-10-31
CA2378492A1 (en) 2001-01-18
EP1200532A1 (de) 2002-05-02
US6582623B1 (en) 2003-06-24
HK1046151A1 (zh) 2002-12-27
KR20020026940A (ko) 2002-04-12
DE60030444D1 (de) 2006-10-12
JP2003520283A (ja) 2003-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60030444T2 (de) Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen
DE69728691T2 (de) Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen polieren von oxyden
DE60124404T2 (de) Cmp-polierzusammensetzung für metall
DE69824282T2 (de) Planarisierungszusammensetzung zur entfernung von metallschichten
DE69933015T2 (de) Suspension zum chemisch-mechanischen polieren von kupfersubstraten
DE69928537T2 (de) Suspension zum chemisch-mechanischen polieren von kupfer/tantalsubstraten
DE69427165T3 (de) Zusammensetzung und verfahren zum polieren
DE69917010T2 (de) Schleifmittelzusammensetzung zum polieren eines halbleiterbauteils und herstellung des halbleiterbauteils mit derselben
DE69734138T2 (de) Suspension zum chemisch-mechanischen Polieren von Kupfersubstraten
CN1174063C (zh) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
DE60210833T2 (de) Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren
DE60128301T2 (de) Schleifmittelzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren
DE60127206T2 (de) Wässrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von Kupfersubstraten
DE602004000914T2 (de) Polieraufschlämmung zum abtragen einer modularen barriere
EP1323798A1 (de) Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall-Dielektrikastrukturen
DE102005033951A1 (de) Zusammensetzungen und Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid
DE102005058271A1 (de) Selektive Aufschlämmung zum chemisch-mechanischen Polieren
DE102010018423A1 (de) Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats
DE102012015825A1 (de) Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Wolfram
DE102007008997A1 (de) Zusammensetzungen zum chemisch-mechanischen Polieren von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid
DE69831150T2 (de) Chemische-mechanische Schleifzusammensetzung für Halbleiterverarbeitung
KR20060044831A (ko) 텅스텐 및 티탄의 화학적 기계적 평탄화를 위한 연마재 및조성물
DE602004007718T2 (de) Chemisch-mechanisches Poliermittel-Kit und chemisch-mechanisches Polierverfahren unter Verwendung desselben
DE102012015824A1 (de) Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Kupfer
DE60017642T2 (de) Chemische-mechanische Schleifzusammensetzung für Halbleiterverarbeitung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition