DE60009646T2 - Klebeverfahren und elektronisches Bauteil - Google Patents

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Masayuki 10-5 Tabata Tobita
Shinya Kita-ku Tateda
Tsunehisa Chohu-shi Kimura
Masahumi Hachioji-Shi Yamato
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Polymatech Co Ltd
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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Klebeverfahren mit einem wärmeleitenden Klebstoff, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit erfordert, und ein elektronisches Bauteil. Genauer gesagt, sie betrifft ein Klebeverfahren mit einem wärmeleitenden Klebstoff zur effektiven Ableitung von Wärme, die von einem Halbleiterelement, einer Stromquelle, Lichtquelle oder anderen für elektrische Produkte verwendeten Komponenten entwickelt wird, und ein elektronisches Bauteil mit hervorragenden Strahlungseigenschaften.
  • Herkömmlicherweise sind wärmeleitende Klebstoffe mit einem Polymerklebstoff als Matrix zum Verkleben eines wärmeentwickelnden Halbleiterelements oder elektronischen Bauteils mit einem wärmestrahlenden leitfähigen Element eingesetzt worden. Silber, Kupfer, Gold, Aluminium oder andere Metalle und Legierungen mit guter Wärmeleitfähigkeit, oder Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Siliciumoxid, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Siliciumcarbid oder andere Keramiken, Ruß, Graphit, Diamant oder verschiedene andere wärmeleitende Füllstoffe werden diesen wärmeleitenden Klebstoffen beigemengt, um ihre Wärmeleitfähigkeit zu erhöhen. Unter anderem werden in großem Umfang elektrisch isolierende, mit Bornitridpulver gefüllte wärmeleitende Klebstoffe mit hervorragender Wärmeleitfähigkeit und hervorragendem elektrischen Isoliervermögen eingesetzt.
  • Andererseits offenbaren die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 62-194 653 und die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 63-62 762 Klebeverfahren zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit durch Orientierung eines Klebstoffs, der eine magnetische Substanz wie z. B. Nickel enthält, in einem Magnetfeld.
  • Das Bornitridpulver weist jedoch in Flockenform in Dickenrichtung eine geringere Wärmeleitfähigkeit als in Oberflächenrichtung auf; daher könnte ein Klebstoff, in dem einfach Bornitridpulver einem Polymer beigemengt ist, keine ausreichende Leitfähigkeit aufweisen, da seine Oberflächenrichtung nach dem Kleben parallel zur Dickenrichtung in der Klebstoffschicht aufgeladen ist.
  • Andererseits könnte keines der Klebeverfahren gemäß der obenerwähnten japanischen Offenlegungsschrift Nr. SHO 62-194 653 oder der japanischen Offenlegungsschrift Nr. SHO 63-62 762 auf eine Anwendung angewandt werden, die für das Beimengen von elektrisch leitendem, magnetischem Metallpulver oder dergleichen eine elektrische Isolierung erfordert.
  • Mit anderen Worten, da kein Klebeverfahren mit guter elektrischer Isolierung und hoher Wärmeleitfähigkeit entwickelt worden ist und die beträchtliche Wärmeentwicklung von Halbleiterelementen oder anderen elektrischen Bauteilen die elektrochemische Migration oder Korrosion von Leitungs- oder Kontaktabschnitten beschleunigt, ruft die erzeugte Wärmebeanspruchung eine Rißbildung oder Zerstörung von Materialbestandteilen hervor, die Grenzfläche an Verbindungsstellen zwischen Materialbestandteilen kann sich ablösen, oder es treten auf irgendeine Weise andere Probleme auf und verkürzen die Lebensdauer elektronischer Bauteile.
  • Andererseits weist der wärmeleitende Klebstoff gemäß der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2000-273 426 des Anmelders einen dem Klebstoff beigemischten diamagnetischen Füllstoff mit einer Wärmeleitfähigkeit von 20 W/m-K oder mehr auf, wobei aber kein Bornitridpulver als diamagnetischer Füllstoff in Betracht gezogen wurde.
  • Zur Lösung der obenerwähnten Probleme bietet die vorliegende Erfindung ein Klebeverfahren mit wärmeleitendem Klebstoff zur effektiven Ableitung von Wärme, die von einem Halbleiterelement, einer Stromquelle, Lichtquelle oder anderen für elektrische Produkte eingesetzten Komponenten entwickelt wird, sowie ein elektronisches Bauteil mit hervorragenden Wärmestrahlungseigenschaften.
  • In diesem Sinne bietet die vorliegende Erfindung ein Klebeverfahren mit Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit in einer festgelegten Richtung durch Verwendung eines wärmeleitenden Klebstoffs, der durch Vermischen eines bestimmten Bornitridpulvers und eines Polymerklebstoffs hergestellt wird, und Verkleben durch Orientieren des Bornitridpulvers in dem wärmeleitenden Klebstoff in einer festgelegten Richtung unter einem Magnetfeld.
  • Die Erfindung bietet nach einem Aspekt ein Klebeverfahren zum Verkleben von zu verklebenden Objekten durch Einbringen eine wärmeleitenden Klebstoffs, der durch Vermischen von Bornitridpulver mit anisotroper magnetischer Suszeptibilität und einem Polymerklebstoff hergestellt wird, zwischen die Gegenstände und Verkleben durch Orientieren des Bornitridpulvers in dem wärmeleitenden Klebstoff in einer festgelegten Richtung unter einem Magnetfeld unter Ausnutzung der anisotropen magnetischen Suszeptibilität des Bornitridpulvers.
  • Die Erfindung bietet nach einem anderen Aspekt ein elektronisches Bauteil, das durch seine Struktur gekennzeichnet ist, in der ein wärmeleitender Klebstoff, der durch Vermischen von Bornitridpulver mit anisotroper magnetischer Suszeptibilität und einem Polymerklebstoff hergestellt wird, zwischen einer Heizvorrichtung und einem wärmeleitenden Element eingebracht und verklebt wird, wobei das Bornitridpulver in dem wärmeleitenden Klebstoff unter Ausnutzen der anisotropen magnetischen Suszeptibilität des Bornitridpulvers unter einem Magnetfeld in einer festgelegten Richtung orientiert wird.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben.
  • Dabei zeigen:
  • 1 bis 4 Beispiele von elektronischen Bauteilen, die durch das erfindungsgemäße Klebeverfahren hergestellt werden; und
  • 5 und 6 schematische Darstellungen des Klebeverfahrens und des elektronischen Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Bei der vorliegenden Erfindung verwendetes Bornitridpulver unterliegt keiner besonderen Spezifikation hinsichtlich der Art des Kristallsystems, der Form oder Größe von Pulverteilchen, der Aggregationsrate von Pulverteilchen oder ihrer Verteilung. Im Bezug auf das Kristallsystem kann Bornitridpulver mit hexagonalem System, kubischem System oder anderen Strukturen eingesetzt werden. Besonders bevorzugt wird hochkristallines Bornitridpulver des hexagonalen oder kubischen Systems wegen seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit.
  • Die Teilchenform von Bornitridpulver ist nicht auf die Flockenform oder flache Form beschränkt, sondern es können verschiedene andere Formen des Bornitridpulvers verwendet werden, wie z. B. körniges, massives, kugelförmiges, faserförmiges, nadelförmiges Bornitridpulver oder dessen gemahlenes Produkt. Der Teilchendurchmesser von Bornitridpulver ist nicht vorgeschrieben; jedoch kann ein mittlerer Durchmesser des einzelnen Primärteilchens im Bereich von 0,01 ~ 100 μm, stärker bevorzugt im Bereich von 1 ~ 50 μm verwendet werden. Unter 0,01 μm ist der Mengeneintrag schwierig, und Bornitridpulver von mehr als 100 μm ist schwer herstellbar und teuer. Außerdem wird die Klebstoffschicht dick. Bornitridpulver in Flockenform wird zweckmäßig mit einem größten Durchmesser im Bereich von 0,5 ~ 50 μm eingesetzt, da es leicht mit Polymer vermischt und im Feld orientiert werden kann. Ferner wird Bornitridpulver verwendet, das eine Struktur mit aggregierten Primärteilchen aufweist.
  • Die Menge des im Polymerklebstoff enthaltenen Bornitridpulvers beträgt vorzugsweise 10 ~ 400 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile Polymer. Bei weniger als 10 Gewichtsteilen ist die Wirkung auf die Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit gering, während ein Gehalt von mehr als 400 Gewichtsteilen die Viskosität der Zusammensetzung erhöht und die Fließfähigkeit vermindert, die Handhabung erschwert und einen Blaseneinschluß unvermeidlich macht und daher ungeeignet ist. Stärker bevorzugt werden 20 ~ 300 Gewichtsteile Bornitridpulver; und noch stärker bevorzugt 30 ~ 200 Gewichtsteile zugesetzt. Höhere Konzentrationen können auch durch Verwendung von Bornitridpulvern mit unterschiedlichem Teilchendurchmesser oder durch Oberflächenbehandlung erzielt werden.
  • Bevorzugte Polymerklebstoffe für die Matrix sind unter anderem flüssiges oder festes Material auf Epoxidbasis, Polyimidbasis, Acrylbasis, Vinylbasis, wie z. B. Polyvinylacetat, auf Urethanbasis, Siliconbasis, Olefinbasis, Polyamidbasis, Polyamid-Imid-Basis, Phenolbasis, Aminobasis, Polyimid-Silicon-Basis, gesättigter oder ungesättigter Polyesterbasis, Diallylphthalatbasis, Harnstoffbasis, Melaminbasis, Alkydbasis, Benzo-Cyclobuten-Basis, Polybutadien- oder Chloroprenkautschuk-, Nitrilkautschuk- oder anderer Synthesekautschuk-Basis, thermoplastisches Elastomer auf Styrolbasis oder andere bekannte Harze oder Kautschuke.
  • Hinsichtlich des Härtungssystems kann Polymerklebstoff aller bekannten Härtungssysteme eingesetzt werden, wie hitzehärtender, thermoplastischer, durch ultraviolettes oder sichtbares Licht härtender, bei Raumtemperatur härtender, feuchtigkeitshärtender Polymerklebstoff oder dergleichen. Unter anderem ist mindestens ein Polymerklebstoff vorzuziehen, der unter Polymerklebstoffen auf Epoxidbasis, Polyimidbasis, Arylbasis oder Siliconbasis ausgewählt ist, die ein gutes Haftvermögen an Materialien aufweisen, aus denen sich das elektronische Bauteil zusammensetzt, wie z. B. an verschiedenen Metallen und Keramiken, verschiedenen Kunststoffen, Kautschuken und Elastomeren.
  • Zum Zweck der Oberflächenbehandlung des Bornitridpulvers kann außerdem die Benetzbarkeit mit Polymerklebstoff oder die Beladefähigkeit durch vorheriges Entfetten oder Reinigen der Bornitridpulveroberfläche oder durch Oberflächenbehandlung mit einem Haftvermittler auf Silanbasis, Titanbasis oder Aluminiumbasis oder einem anderen bekannten Haftvermittler verbessert werden. Dem bei der vorliegenden Erfindung verwendeten Polymerklebstoff können außerdem ein Thixotropienmittel, Dispersionsmittel, Härter, Abbindebeschleuniger, Verzögerer, Klebrigmacher, Weichmacher, Flammschutzmittel, Antioxidationsmittel, Stabilisator, Färbemittel oder andere bekannte Zusatzstoffe zugesetzt werden.
  • Ferner können auch zweckmäßig pulverförmige Metalle und Keramiken gleichzeitig eingesetzt werden; genauer gesagt, Silber, Kupfer, Gold, Platin, Nickel, Kohlenstoff, Graphit, Diamant, Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid oder dergleichen, oder Füllstoffe, die für herkömmliche wärmeleitende Klebstoffe eingesetzt werden, wie z. B. Metallbeschichtungsharz. Da jedoch eine hervorragende elektrische Isolierung eine der Eigenschaften des für die vorliegende Erfindung eingesetzten wärmeleitenden Klebstoffs ist, werden vorzugsweise möglichst keine Füllstoffe von guter elektrischer Leitfähigkeit, wie z. B. Metalle, beigemischt.
  • Zur Verminderung der Klebstoffviskosität ist darüberhinaus die Zugabe eines flüchtigen organischen Lösungsmittels oder reaktionsfähigen Weichmachers wirkungsvoll, da diese die Verarbeitbarkeit erhöhen.
  • Das Klebeverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Klebeverfahren zum Kleben von zu verklebenden Gegenständen durch Einbringen eines wärmeleitenden Klebstoffs, der durch Vermischen eines bestimmten Bornitridpulvers mit anisotroper magnetischer Suszeptibilität und eines Polymerklebstoffs hergestellt wird, zwischen die Gegenstände und Verkleben durch Orientieren des Bornitridpulvers in dem wärmeleitenden Klebstoff in einer festgelegten Richtung unter einem Magnetfeld.
  • Die Wärmeleitfähigkeit des Klebstoffs kann unter Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von orientiertem Bornitridpulver verbessert werden, indem unter dem Magnetfeld Bornitridpulver in dem Klebstoff entlang den Magnetfeldlinien orientiert wird. Um Bornitridpulver in Flockenform oder anderer Form in der Spaltrichtung von zu verklebenden Gegenständen zu orientieren, d. h. in der Dickenrichtung des Klebstoffs, werden Nordpol und Südpol eines Permanentmagneten oder Elektromagneten in Dickenrichtung einander gegenüber und so angeordnet, daß die Magnetfeldlinien der gewünschten Orientierungsrichtung des Bornitridpulvers entsprechen.
  • Andererseits kann zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit in der Richtung innerhalb der Klebstoffebene Bornitridpulver in der Ebenenrichtung orientiert werden, indem der Nordpol und der Südpol des Magneten senkrecht zur Dickenrichtung einander gegenüber angeordnet werden. Sonst kann Bornitridpulver auch in der Richtung innerhalb der Ebene orientiert werden, indem Nordpol und Nordpol oder Südpol und Südpol des Magneten in Dickenrichtung einander gegenüber angeordnet werden. Übrigens brauchen Magneten nicht auf beiden Seiten einander gegenübergestellt zu werden, sondern nur auf einer Seite angeordnete Magneten können gleichfalls Bornitridpulver im Klebstoff orientieren.
  • Als äußeres Magnetfeld verwendete Magnetfelderzeugungseinrichtungen können ein Permanentmagnet, ein Elektromagnet oder eine Spule sein, und mit einem Flußdichtebereich von 0,05 bis 30 Tesla kann eine verwendbare Orientierung von Bornitridpulver erzielt werden. Da die vorliegende Erfindung eine sehr schwache anisotrope magnetische Suszeptibilität von Bornitridpulver als Magnetismus nutzt, muß das Bornitridpulver in einem starken Magnetfeld von 1 Tesla oder mehr ausreichend orientiert und der Matrix-Polymerklebstoff durch eine Hitzehärtungsreaktion oder durch Abkühlung ausgehärtet werden.
  • Der bei der vorliegenden Erfindung verwendete wärmeleitende Klebstoff kann durch Vermischen und gleichmäßiges Dispergieren einer vorgegebenen Menge Bornitridpulver in dem Polymerklebstoff hergestellt werden. Zum Dispergieren durch Mischen oder Kneten ist die zusätzliche Anwendung eines bekannten Verfahrens zur Entfernung von beigemischten Blasen durch Unterdruck oder Druckbeaufschlagung vorzuziehen.
  • Ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil, wie in 1 bis 4 dargestellt, kann hergestellt werden, indem ein wärmeleitender Klebstoff, der aus einem speziellen Bornitridpulver und Polymerklebstoff besteht, zwischen einer Heizvorrichtung und einem wärmeleitenden Element eingebracht und verklebt wird, wobei das Bornitridpulver in dem wärmeleitenden Klebstoff unter dem Magnetfeld in einer festgelegten Richtung orientiert wird.
  • 1 zeigt eine Klebeanwendung zwischen einem BGA-Halbleitergehäuse 2 und einem Strahler 4. 2 zeigt eine Klebeanwendung zwischen einem Halbleitergehäuse 2 in Chipgröße und einer Leiterplatte 1; 3 zeigt eine Klebeanwendung zwischen Halbleitergehäuse 2 mit Anschlußstiftmatrix und einer Wärmesenke 5; und 4 zeigt eine Klebeanwendung zwischen einem Chip 8 und einer Chipbondinsel 7.
  • Wärmeleitender Klebstoff kann zwischen zu verklebenden Gegenständen durch Siebdruck, Pflatschdruck, Auftragen aus einem Spender, Vergießen, Beschichten oder andere bekannte Verfahren eingebracht werden. Heizvorrichtungen sind unter anderem Halbleiter, elektrische Stromquellen oder Lichtquellen, und wärmeleitende Elemente sind unter anderem ein gewöhnlicher Kühlkörper, Kühler, eine Wärmesenke, ein Wärmeverteiler, eine Chipbondinsel, eine Leiterplatte (PCB), ein Kühlgebläse, ein Wärmeleitrohr oder Gehäuse.
  • Der wärmeleitende Klebstoff wird in den Zeichnungen durch das Bezugszeichen 3 bezeichnet.
  • Nachstehend wird die vorliegende Erfindung anhand von Beispielen ausführlicher beschrieben. In den folgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen wurde die Wärmeleitfähigkeit durch Messung des Wärmewiderstandswertes beurteilt.
  • BEISPIEL 1
  • Ein wärmeleitender Klebstoff A wird durch Vermischen von 40 Gewichtsteilen flockenförmigem Bornitridpulver mit hexagonalem Kristallsystem (Hersteller Showa Denko K. K., UHP-S1, mittlerer Teilchendurchmesser 1 bis 2 μm), das mit einem Haftvermittler aus Aminosilanbasis behandelt wurde, und 100 Gewichtsteilen Bisphenol F-Epoxidharz als Polymerklebstoff, der einen Härter auf Aminbasis enthält, und Entgasen im Vakuum hergestellt.
  • Der wärmeleitende Klebstoff A wird mit einem Spender auf ein in 5(1) dargestelltes, auf einer Leiterplatte 1 implementiertes BGA-Halbleitergehäuse 2 aufgebracht (5(2)). Ein Strahler 4 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs A angeordnet und angepreßt, wie in 5(3) dargestellt, und durch Hitzehärten des wärmeleitenden Klebstoffs A in einem Magnetfeld, wo Nordpol und Südpol eines Permanentmagneten 11 mit einer Flußdichte von 0,6 Tesla einander gegenüberliegen, wie in 5(4) dargestellt, wird ein elektronisches Bauteil (5(5)) hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,48°C/W.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 1
  • Auf ein BGA-Halbleitergehäuse 2, das auf einer in 5(1) dargestellten Leiterplatte 1 implementiert ist, wird mit einem Spender ein ähnlicher wärmeleitender Klebstoff A wie in Beispiel 1 aufgebracht (5(2)). Ein Strahler 4 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs A angeordnet und angepreßt, wie in 5(3) dargestellt, und ein elektronisches Bauteil (5(5)) wird durch Hitzehärten des wärmeleitenden Klebstoffs A ohne Anlegen des Magnetfeldes hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,61°C/W.
  • BEISPIEL 2
  • Ein wärmeleitender Klebstoff B wird durch Vermischen von 80 Gewichtsteilen flockenförmigem Bornitridpulver mit hexagonalem Kristallsystem (Hersteller Showa Denko K. K., UHP-S1, mittlerer Teilchendurchmesser 1 bis 2 μm) und 100 Gewichtsteilen zugesetztem flüssigem Siliconkautschuk (Hersteller GE Toshiba Silicones, TSE3331) als Polymerklebstoff und Entgasen im Vakuum hergestellt.
  • Der wärmeleitende Klebstoff B wird ebenso wie in Beispiel 1 mit einem Spender auf ein in 5(1) dargestelltes, auf einer Leiterplatte 1 implementiertes BGA-Halbleitergehäuse 2 aufgebracht (5(2)). Ein Strahler 4 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs B angeordnet und angepreßt, wie in 5(3) dargestellt, und durch Hitzehärten des wärmeleitenden Klebstoffs B in einem Magnetfeld, wo Nordpol und Südpol eines Elektromagneten 11 mit einer Flußdichte von 2 Tesla einander gegenüberliegen, wie in 5(4) dargestellt, wird ein elektronisches Bauteil (5(5)) hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,37°C/W.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 2
  • Auf ein BGA-Halbleitergehäuse 2, das auf einer in 5(1) dargestellten Leiterplatte 1 implementiert ist, wird mit einem Spender ein ähnlicher wärmeleitender Klebstoff B wie in Beispiel 2 aufgebracht (5(2)). Ein Strahler 4 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs B angeordnet und angepreßt, wie in 5(3) dargestellt, und ein elektronisches Bauteil (5(5)) wird durch Hitzehärten des wärmeleitenden Klebstoffs B ohne Anlegen des Magnetfeldes hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,48°C/W.
  • BEISPIEL 3
  • Ein wärmeleitender Klebstoff C wird durch Vermischen von 120 Gewichtsteilen feinkörnigem Bornitridpulver mit hexagonalem Kristallsystem (Hersteller Denki Kagaku Kogyo K. K., SP-1, mittlerer Teilchendurchmesser 0.6 μm) und 100 Gewichtsteilen hitzehärtbarem Polyimid (Hersteller Ube Industries, Ltd., Yupitit UPA-83) und Entgasen im Vakuum hergestellt.
  • Der wärmeleitende Klebstoff C wird mittels Siebdruck auf eine Chipbondinsel 7 eines in 6(1) dargestellten Chipträgerstreifens 6 aufgebracht (6(2)). Ein Halbleiterchip 8 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs C angeordnet und angepreßt, wie in 6(2) dargestellt, und der wärmeleitende Klebstoff C wird in einem Magnetfeld hitzegehärtet, wo Nordpol und Südpol eines Elektromagneten 11 mit einer Flußdichte von 2 Tesla einander gegenüberliegen, wie in 6(3) dargestellt. Durch Verbinden eines Elektrodenabschnitts des Halbleiterchips 8 mit einem Anschlußabschnitt des Chipträgerstreifens 6 durch einen Anschlußdraht 9 (6(4)) und Spritzpressen mit einem Dichtungsmittel 10 auf Epoxidbasis wird ein elektronisches Bauteil (6(5)) hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,28°C/W.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 3
  • Ein ähnlicher wärmeleitender Klebstoff C wie in Beispiel 3 wird mittels Siebdruck auf eine Chipbondinsel 7 eines in 6(1) dargestellten Chipträgerstreifens 6 aufgebracht (6(1)). Ein Halbleiterchip 8 wird auf dem Oberteil des wärmeleitenden Klebstoffs C angeordnet und angepreßt, wie in 6(2) dargestellt, und der wärmeleitende Klebstoff C wird ohne Anlegen des Magnetfeldes hitzegehärtet. Durch Verbinden des Elektrodenabschnitts des Halbleiterchips 8 mit dem Anschlußabschnitt des Chipträgerstreifens 6 durch einen Anschlußdraht 9 (6(4)) und Spritzpressen mit einem Dichtungsmittel 10 auf Epoxidbasis wird ein elektronisches Bauteil (6(5)) hergestellt.
  • Nach 6 Minuten wird das Gerät eingeschaltet, um den Wärmewiderstand zu messen, und man erhält 0,40°C/W.
  • Im Vergleich zu Vergleichsbeispiel 1 ~ Vergleichsbeispiel 3 weisen die durch die Klebeverfahren von Beispiel 1 ~ Beispiel 3 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten elektronischen Bauteile einen niedrigen Wärmewiderstandswert und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit auf, da Bornitridpulver durch ein Magnetfeld in dem wärmeleitenden Klebstoff orientiert wird. Daher ist das erfindungsgemäße Klebeverfahren weitgehend auf das Verkleben eines Halbleitergehäuses mit starker Erhitzung und eines Strahlers, wie z. B. einer Wärmesenke, oder auf das Verkleben eines Halbleiterchips mit starker Erhitzung und eines Chipbondinselabschnitts anwendbar und kann ein brauchbares elektronisches Bauelement mit niedrigem Wärmewiderstand und hervorragender Wärmeleitfähigkeit liefern.

Claims (8)

  1. Klebeverfahren zum Verkleben von zu verklebenden Objekten durch Einbringen eine wärmeleitenden Klebstoffs, der durch Vermischen von Bornitridpulver, das eine anisotrope magnetische Suszeptibilität aufweist, und eines Polymerklebstoffs hergestellt wird, zwischen die Gegenstände und Verkleben durch Orientieren des Bornitridpulvers in dem wärmeleitenden Klebstoff in einer festgelegten Richtung unter einem Magnetfeld unter Ausnutzung der anisotropen magnetischen Suszeptibilität des Bornitridpulvers.
  2. Klebeverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der wärmeleitende Klebstoff 10 bis 400 Gewichtsteile Bornitridpulver aufweist, bezogen auf 100 Gewichtsteile Polymerklebstoff.
  3. Klebeverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Polymerklebstoff von mindestens einer Art ist, die unter Epoxybase-, Polyimidbase-, Acrylbase-, Urethanbase- und Siliconbase-Polymerklebstoff ausgewählt ist.
  4. Klebeverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Bornitridpulver flockenförmig ist und ein größter Teilchenhauptdurchmesser des Bornitridpulvers im Bereich von 0,5 bis 50 μm liegt.
  5. Klebeverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der wärmeleitende Klebstoff elektrisch isolierende Eigenschaften aufweist.
  6. Elektronisches Bauteil, gekennzeichnet durch seine Struktur, in der ein wärmeleitender Klebstoff, der durch Vermischen von Bornitridpulver mit anisotroper magnetischer Suszeptibilität und einem Polymerklebstoff hergestellt wird, zwischen einer Heizvorrichtung und einem wärmeleitenden Element eingebracht und verklebt wird, wobei das Bornitridpulver unter Ausnutzen der anisotropen magnetischen Suszeptibilität des Bornitridpulvers unter einem Magnetfeld in dem wärmeleitenden Klebstoff in einer festgelegten Richtung orientiert wird.
  7. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Bornitridpulver flockenförmig ist und ein größter Teilchenhauptdurchmesser des Bornitridpulvers im Bereich von 0,5 bis 50 μm liegt.
  8. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der wärmeleitende Klebstoff elektrisch isolierende Eigenschaften aufweist.
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