DE4341692C2 - Reihenredundanzschaltkreis für eine Halbleiter-Speichervorrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Speichervorrichtungen und insbesondere auf einen Reihenredundanz-Schaltkreis zum Substituieren einer defekten Normalspeicherzelle in einer Reihe mit einer Ersatz- oder redundanten Speicherzelle, um defekte Speicherzellen zu repa­ rieren.

Wie auf diesem technischen Gebiet wohlbekannt, haben Halbleiter-Speichervorrichtungen eine Vielzahl von in Reihen und Spalten, d. h. in Form einer Matrix, angeordneter Speicherzellen. Im allgemeinen nimmt mit höherer Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtungen die Zahl der in der Einheitsfläche angeordneten Speicherzellen zu. Wenn jedoch ein Defekt selbst in irgend einer der Speicherzellen erzeugt wird, kann die Halbleiter-Speichervorrichtung nicht verwendet werden. Um daher die Ausbeute der Halbleiter-Speichervorrichtungen zu verbessern, wird die Redun­ danz-Technik weitverbreitet eingesetzt zum Ersetzen der defekten Normalspeicherzellen mit den redundanten Speicherzellen, welche zuvor in Reihen und Spalten zum Zwecke der Redundanz bereitgestellt worden sind. In einer frühen Redundanz-Technik sind Sicherungen in jede Bitlei­ tung oder Wortleitung geschaltet, und wenn eine normale Speicherzelle defekt ist, wird eine an die Bitleitung angeschlossene Sicherung oder eine an die defekte normale Speicherzelle ange­ schlossene Wortleitung abgeschnitten, um dadurch die Redundanz durchzuführen. Wenn jedoch die Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtungen stark erhöht wird, wird es ineffizient und müh­ selig, an alle Speicherzellen Sicherungen bereitzustellen. Es wird somit ein Verfahren zum Deko­ dieren interner Adressignale für die redundante Speicherzelle, wenn ein Defekt in einer normalen Speicherzelle erzeugt wird, vorgeschlagen, und wird allgemein in Reihen-Redundanzschaltkrei­ sen verwendet.

Fig. 1 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines herkömmlichen Reihen-Redundanz-Schalt­ kreises gemäß dem Dekodierverfahren für interne Adressen, wobei eine Normal-Speicher-Zel­ lenanordnung 20 L und eine Redundant-Speicher-Zellenanordnung 30 L in der linken Seite an­ geordnet sind und eine Normal-Speicher-Zellenanordnung 20 R und eine Redundantspeicher- Zellenanordnung 30 R in der rechten Seite, wobei sie jeweils an einer Eingabe/Ausgabe-Leitung 50 zentriert sind. Weiterhin sind die Normalspeicher-Zellen-Anordnungen 20 L und 20 R und die Redundant-Speicher-Zellenanordnungen 30 L und 30 R mit Leseverstärkerabschnitten 40 L und 40 R jeweils verbunden. Leseverstärker-Steuerschaltkreise 60 L und 60 R, Redundantwort- Leitungstreiber 70 L und 70 R und Sicherungsboxen 80 L und 80 R sind weiterhin bereitgestellt. Hier beinhaltet jeder der Leseverstärker 40 L und 40 R einen Bitleitung- und Entzerrschaltkreis, einen aus einem P-Typ Leseverstärker und einem N-Typ Leseverstärker zusammengesetzten Le­ severstärker, ein Isolationsgatter etc. Fig. 1 zeigt nur zwei aus der Speichervorrichtung genom­ mene Speicheranordnungen, und die Anzahl der Speicheranordnungen ist erweiterbar.

Im Betrieb werden die Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30 L und 30 R in Anwort auf Re­ dundantadressignale REDL und REDR ausgewählt, die von den Sicherungsboxen 80 L und 80 R bereitgestellt werden, und werden in Antwort auf die Ausgabesignale RWLL und RWLR der Redundantwort-Leitungstreiber 70 L bzw. 70 R freigegeben. Mit anderen Worten wird, falls die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L defekt ist, die linke Redundantspeicher-Zellenan­ ordnung 30 L verwendet, um den Defekt zu reparieren, und wenn die rechte Normalspeicher- Zellenanordnung 20 R defekt ist, wird die rechte Redundanzspeicher-Zellenanordnung 30 R ver­ wendet, um den Defekt zu reparieren. Wenn z. B. eine beliebige Speicherzelle in der linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L defekt ist, wird eine Redundanzwort-Leitung, die der de­ fekten Normalwort-Leitung entspricht, in der Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L freige­ geben, und eine Ausgabe des Normalwort-Leitungstreibers 90 L wird in Antwort auf das Redun­ dant-Adressignal REDL gesperrt.

In Fig. 2 wird nun die Sicherungsbox 80 L zum Programmieren der durch den Defekt erzeugten Adresse für die Redundanz erzeugt. Es wird bemerkt, daß die Transistoren m1 bis mi, welche Reihenadressignale zum Auswählen einer Speicherzelle innerhalb einer Speicheranordnung empfangen, alle mit Sicherungen f1 bis fi verbunden sind, doch haben die Transistoren, welche Blockauswahl-Adressignale A0, A1 zur Auswahl der Speicheranordnungen haben, keine daran angeschlossenen Sicherungen. Bei der Redundanzprogrammierung werden, wenn die Blockaus­ wahl-Adresssignale A0 und A1 auf den "Niedrig"-Pegel freigegeben werden und die sich auf die defekte Speicherzelle beziehenden Reihenadressignale eingegeben werden, die Sicherungen, welche die defekten Adressignale empfangen, sauber abgeschnitten, z. B. durch Projektion von Laserstrahlen, so daß es den Knoten n 1 gestattet wird, den "Hoch"-Pegel anzunehmen und somit eine Redundantwort-Leitung RWL mit einem Signal ΦX zu verbinden, um die die Redundanz­ wortleitung RWL freizugeben.

In dem Aufbau von Fig. 2 ist auch, da die an die Sicherungsbox angelegten Blockauswahl- Adressignale A0 und A1 auf zwei begrenzt sind, der Reparaturbetrieb beschränkt, wie es auch in Fig. 3A und 3B gezeigt ist, in denen die gestrichelte mit "x" markierte Linie die defekte Nor­ malwortleitung und die durchgezogene Linie die Redundantwort-Leitung darstellt. D. h., falls die Anzahl von defekten Normalwort-Leitungen, in einer normalen Speicherzelle größer ist als die Anzahl von Redundantwort-Leitungen, die in der Normalspeicher-Zellenanordnung bereit­ gestellt sind, können nicht alle der defekten Wortleitungen repariert werden (siehe Fig. 3B). Es bedeutet auch, daß eine Sicherungsbox, die zu einer besonderen Normalspeicher-Zellenanord­ nung gehört, nicht verwendet werden kann, um die defekte Normalwort-Leitung zu reparieren, die zu benachbarten Normalspeicher-Zellenanordnungen gehört. Dies ist so, weil die Normal­ speicher-Zellenanordnungen die in Fig. 2 gezeigte Sicherungsbox haben, und auch die an die Si­ cherungsbox angelegten Blockauswahl-Adressignale A0 und A1 sind auf zwei begrenzt. Dem­ gemäß sollte zumindest eine zusätzliche Sicherungsbox bereitgestellt werden, um die Ausbeute zu erhöhen, doch diese Maßnahme geht sehr zu Lasten der Erhöhung der Dichte der Halbleiter-Speichervorrichtung. Dies wird ein ernstes Problem, da die Anzahl der Siche­ rungsboxen graduell zunimmt, wenn die Halbleiter-Speichervorrichtung sehr hoch integriert wird.

Aus der DE 40 14 723 C2 ist eine Halbleiterspeichereinrichtung mit Redundanzschalt­ kreis bekannt. Die Speichereinrichtung enthält zwei benachbarte Speicherzellenfelder und zwei zusätzliche Speicherzellenfelder, die Ersatzzeilen enthalten. Der Redundanz­ schaltkreis erzeugt ein Ersatzzeilendecoderauswahlsignal und enthält zwei Bindeglied­ schaltkreise mit einer Anzahl von Bindegliedern. Wird ein defekter Bereich in einem er­ sten Speicherzellenfeld ausgewählt, so wird ein Blocksteuersignal aktiviert. Falls der de­ fekte Bereich in einem zweiten Speicherzellenfeld ausgewählt wird, wird ein anderes Blocksteuersignal aktiviert. Diese Signale werden sowohl an den Redundanzschaltkreis als auch an Ersatzzeilendecoder ausgegeben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Reihen-Redundanzschaltkreis für eine Halbleiterspeichervorrichtung mit erhöhter Redundanzeffizienz anzugeben.

Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst.

Bevorzugte Ausgestaltungen werden durch die Unteransprüche angegeben.

Die Erfindung wird deutlicher durch die Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung mit Be­ zugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Reihen-Redundanzschaltkreises gemäß dem Stand der Technik ist;

Fig. 2 ein genaues Schaltkreis-Diagramm einer in Fig. 1 gezeigten Sicherungsbox ist;

Fig. 3A und 3B Blockdiagramme sind, die verschiedene Reparaturoperationen unter Verwen­ dung der Sicherungsbox von Fig. 2 zeigen;

Fig. 4 Ein Blockdiagramm eines Reihen-Redundanzschaltkreises gemäß der Erfin­ dung ist;

Fig. 5A und 5B genaue Schaltkreisdiagramme von in Fig. 4 gezeigten Sicherungsboxen und Redundanzwort-Leitungstreibern sind.

Fig. 6A bis 6C Blockdiagramme sind, die verschiedene Reparaturoperationen unter Verwen­ dung der Sicherungsbox von Fig. 4 zeigen.

In Fig. 4 hat ein Reihen-Redundanzschaltkreis gemäß der Erfindung einen linken Leseverstärker-Steuerungsschaltkreis 160 L, der an einen rechten Leseverstärker-Abschnitt 40 R angeschlossen ist, eine rechten Leseverstärker-Steuerungsschaltkreis 160 R, der an einen linken Leseverstärker-Abschnitt 40 L angeschlossen ist, eine linke Sicherungsbox 180 L, welche Rei­ henadress- und Blockabschnitt-Adressignale zur Auswahl von Speicherzellen in einer linken und rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L empfängt, und/oder eine rechte Sicherungs­ box 180 R, welche die Reihenadress- und Blockabschnitt-Adressignale zur Auswahl von Spei­ cherzellen in einer rechten und linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20 R empfängt, einen linken an die linke Sicherungsbox 180 L angeschlossenen Redundantwort-Leitungstreiber 170 L zum Freigeben von sowohl einer linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L und einer rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 R, und einen rechten an die rechte Sicherungs­ box 180 R angeschlossenen Redundantwort-Leitungstreiber 170 R zur Freigabe von sowohl der linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L und der rechten Redundantspeicher-Zellenan­ ordnung 30 R. Genauer gesprochen, sollte bemerkt werden, daß die linke und rechte Redundant­ speicher-Zellenanordnungen 30 L und 30 R jeweils wiederum unterteilt sind in einen ersten und zweiten Redundantspeicher-Zellenanordnungsblock. Die ersten Redundantspeicher-Zellenan­ ordnungsblöcke der jeweiligen linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L und 30 R werden gewöhnlich an das linke Wortleitung-Antriebssignal RWLL von dem linken Redundantwort-Leitungstreiber 170 L angeschlossen. Ähnlich werden die zweiten Redundant­ speicher-Zellenanordnungsblöcke der jeweiligen linken und rechten Redundantspeicher-Zellen­ anordnungen 30 L und 30 R gewöhnlich an das rechte Wortleitung-Antriebssignal RWLR von dem rechten Redundantwort-Leitungstreiber 170 R angeschlossen. Somit können durch Ver­ wendung der beiden Sicherungsboxen 180 L und 180 R die vier redundanten Wortleitungen der linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordung 30 L und 30 R gesteuert werden, um die defekten Normalwort-Leitungen zu reparieren, da die Redundantwort-Leitungen die Sicherungs­ boxen gemeinsam haben.

Wenn z. B. die linke und rechte Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L und 20 R jeweils eine defekte Wortleitung haben, welche in der Anzahl kleiner als die Anzahl von Redundantwortlei­ tungen der linken und rechten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L und 30 R ist, führt der Reihen-Redundanzschaltkreis die gleiche Reparaturoperation durch wie diejenige des herkömm­ lichen Reihen-Redundanzschaltkreises von Fig. 1. Falls jedoch z. B. die rechte Normalspeicher- Zellenanordnung 20 R keine defekten Wortleitungen hat und die linke Normalspeicher-Zellen­ anordnung 20 L zwei defekte Wortleitungen hat, wie in Fig. 6C gezeigt, so wird der Reihen-Re­ dundanzschaltkreis so programmiert, daß die rechte Sicherungsbox 180 R Sowie die linke Siche­ rungsbox 180 L die Redundanzoperation für die defekte linke Normalspeicher-Zellenanordnung durchführt. Demgemäß werden die beiden defekten Wortleitungen in der linken Normalspei­ cher-Zellenanordnung beide repariert, indem die linke und rechte Sicherungsbox 180 L und 180 R verwendet werden. In der Zwischenzeit, wenn die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L keine und die rechte Normalspeicheranordnung 20 R zwei defekte Wortleitungen hat, wie in Fig. 6B gezeigt, so werden die beiden defekten Wort­ leitungen in der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20 R beide repariert, indem die linke und rechte Sicherungsbox 180 L und 180 R verwendet werden. Der Reihen-Redundanzschalt­ kreis gemäß der vorliegenden Erfindung hat die gleiche Wirkung wie eine einzige Normalspei­ cher-Zellenanordnung, die zwei Redundantwort-Leitungsireiber und zwei Sicherungsboxen hat. Demgemäß nimmt die Redundanzeffizienz im wesentlichen mit einer zweifach höheren Rate zu als die der herkömmlichen Vorrichtung in Fig. 1.

Die Redundantwort-Leitungstreiber 170 L, 170 R und die Sicherungsboxen 180 L, 180 R gemäß der vorliegenden Erfindung können wie in Fig. 5A und Fig. 5B jeweils gezeigt implementiert werden. Die Sicherungsboxen 180 L und 180 R sind mit Blockauswahl-Adressignalen RAk, RAl RAk und RAm und an MOS-Transistoren Mk und Ml angeschlossenen Sicherungen Fk, Fl ver­ sehen, welche jeweils die Block-Auswahl-Adressignale RAk und RAl gemäß einem Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung empfangen, ebenfalls gezeigt in den gestrichelten Blöcken 182 L und 182 R, welche die Merkmale der Erfindung darstellen. Weiter­ hin werden Reihen-Adressignale in die Transistoren M1 bis Mi eingegeben, um die Redundant­ wortleitungen RWLL und RWLR in den Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30 L und 30 R auszuwählen. Die gestrichelten Blöcke 182 L und 182 R sind so entworfen, daß sie es in Re­ dundantwort-Leitungstreibern 170 L und 170 R gestatten, die Redundantwortleitungen frei zu aktivieren, welche entweder in der linken Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 L oder rech­ ten Redundantspeicher-Zellenanordnung 30 R gemäß der Verbindung/Unterbrechung der Siche­ rungen Fk und Fl enthalten sind. Demgemäß können die in Fig. 5A gezeigte linke Sicherungs­ box 180 L und der linke Redundantwort-Leitungstreiber 170 L die direkten Wortleitungen der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20 R sowie in der linken Normalspeicher-Zellenan­ ordnung 20 L reparieren. Auf ähnliche Weise können die in Fig. 5 B gezeigte rechte Sicherungs­ box 180 R und der rechte Redundantwort-Leitungstreiber 170 R die defekten Wortleitungen in der linken Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L sowie in der rechten Normalspeicher-Zellen­ anordnung 20 R zeigen. Die NMOS-Transistoren 137 und 138 stellen einen Ausgabeschaltkreis des Redundantwort-Leitungskreis 170 L und 170 R dar, welche jeweils die Redundantwortlei­ tungen RWLL und RWLR während der Redundantoperation freigeben.

Operationen des Reihen-Redundanzschaltkreises von Fig. 4 werden nun im Detail zusammen mit den Fig. 5A und Fig. 5B beschrieben.

Wie zuvor erklärt, da die herkömmliche in Fig. 2 beschriebene Sicherungsbox 80 L keine Siche­ rungen hat, welche an die MOS-Transistoren angeschlossen sind, die Blockauswahl-Adress­ signale A0 und A1 empfangen, konnten die zu der Speicherzellenanordnung 20 L gehörende Si­ cherungsbox 80 L und der Redundantwort-Leitungstreiber 70 L die defekten Normalwortleitun­ gen in der benachbarten Speicherzellenanordnung 20 R nicht reparieren. Dennoch haben die Si­ cherungsboxen 180 L und 180 R gemäß der vorliegenden Erfindung Sicherungen Sk und Sl, welche an die MOS-Transistoren Mk und Ml angeschlossen sind, welche die Blockauswahl- Adressignale RAk und RAl empfangen, so daß sie die defekten Normalwort-Leitungen selbst in benachbarten Normalspeicher-Zellenanordnungen reparieren können.

Zum Zwecke der Erklärung wird angenommen, daß die linke Normalspeicher-Zellenanordnung 20 L keine defekten Normalwortleitungen hat, die rechte Normalspeicher-Zellenanordnung 20 R zwei defekte Normalwortleitungen hat und die Redundantspeicher-Zellenanordnungen 30 L und 30 R jeweils eine erste und zweite Redundantwortleitung beinhalten, in welcher die ersten Re­ dundantwort-Leitungen gewöhnlich verbunden sind mit dem linken Redundantwortleitungs-An­ triebssignal RWLL des linken Redundantwort-Leitungstreibers 170 L, und die zweiten Redun­ dant-Wortleitungen gewöhnlich verbunden sind mit dem rechten Redundantwortleitungs-An­ triebssignal RWRL des rechten Redundantwort-Leitungstreibers 170 R. Wenn der gestrichelte Block 182 L von Fig. 5A die Blockauswahl-Adressignale RAk und RAl empfängt zum Aus­ wählen der rechten Normalspeicher-Zellenanordnung 20 R durch Programmieren der Sicherun- Een Fk und Fl, und die Reihen-Adressignale zum Adressieren der defekten Normalspeicherzelle an die MOS-Transistoren M1 bis Mi angelegt werden, dann kann der Reihen-Redundanz-Schalt­ kreis von Fig. 4 die beiden defekten Wortleitungen in der rechten Normalspeicher-Zellenanord­ nung 20 R in Zusammenarbeit mit der rechten Sicherungsbox 180 R und dem rechten Redund­ antwort-Leitungstreiber 170 von Fig. 5B (siehe Fig. 6B) reparieren. Zu dieser Zeit, da der linke und rechte Leseverstärker-Abschnitt 40 L und 40 R freigegeben werden in Abhängigkeit von nur den beiden Blockauswahl-Adressignalen der entsprechenden Speicherzellenanordnungen unabhängig davon, welche Redundantwort-Leitungstreiber gegenwärtig ausgewählt werden, können Daten von der linken Redundanzspeicher-Zellenanordnung 30 L durch den linken Lese­ verstärkerabschnitt 40 L erfaßt werden. Wie man klar aus Fig. 6A und 6C versteht, wird die Re­ dundanzeffizienz maximiert, da die Sicherungsboxen und Redundanzwort-Leitungstreiber des Reihen-Redundanzschalckreises gemäß der vorliegenden Erfindung die gleiche Wirkung haben wie eine einzige Speicherzellenanordnung, die zwei Sicherungsboxen und zwei Redundanzwort- Leitungstreiber hat, wie oben beschrieben. Somit benötigt in dem Fall, daß die Anzahl defekter Normalwortleitungen größer ist als die Anzahl der an der spezifischen Normalspeicher-Zellen­ anordnung bereitgestellten Sicherungsboxen die vorliegenden Erfindung keine zusätzlichen Si­ cherungsboxen im Gegensatz zu der herkömmlichen Vorrichtung. Die in der benachbarten Nor­ malspeicher-Zellenanordnung bereitgestellte Sicherungsbox wird vielmehr verwendet, um die Normalwort-Leitung zu reparieren. Demgemäß wird einer Verringerung der Chipdichte auf­ grund einer Erhöhung der Anzahl von Sicherungsboxen vorgebeugt.

Die Fig. 5A und 5B zeigen nur ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel, welches die Idee der vor­ liegenden Erfindung optimal implementiert, und der Aufbau kann auf verschiedene Arten modi­ fiziert werden, ohne daß man von dem technischen Umfang der vorliegenden Erfindung ab­ weicht. Man sollte verstehen, daß die Anzahl von Blockauswahl-Adressignalen und die verwen­ deten Sicherungen genau angepaßt werden können unter Berücksichtigung der in den Normal- und Redundantspeicher-Zellenanordnungen existierenden Speicherzellen.

Wie oben beschrieben, können in dem Redundanz-Schaltkreis gemäß der Erfin­ dung die Sicherungsboxen und Redundantwort-Leitungstreiber die Defekte in benachbarten Speicheranordnungen reparieren, so daß es nicht notwendig ist, die Sicherungsboxen zu ver­ mehren, um die Redundanzeffizienz zu erhöhen. Demgemäß wird einer Verringerung einer Chipdichte vorgebeugt, und die Redundanzeffizienz wird im wesentlichen auf das zweifache der Redundanzeffizienz herkömmlicher Apparaturen erhöht.

Claims (3)

1. Reihen-Redundanzschaltkreis für eine Halbleiterspeichervorrichtung, die eine erste und eine zweite, der ersten benachbarte Speicherzellenanordnung (20 L, 20 R), eine erste und zweite redundante Speicherzellenanordnung (30 L, 30 R) zum Ersetzen einer defekten Speicherzelle und mit der ersten bzw. zweiten Speicherzellenanordnung verbundene Leseverstärker (40 L, 40 R) zum Lesen von Daten von der ersten bzw. zweiten Speicherzellenanordnung aufweist, wobei der Reihen-Redundanzschaltkreis umfaßt:
eine erste und zweite Sicherungsbox (180 L, 180 R), die Reihen-Adreßsignale empfangen, wobei ein Reihen-Adreßsignal eine Wortleitung in einer redundanten Speicherzellenanordnung bestimmt, und
einen ersten und zweiten Redundanzwortleitungstreiber (170 L, 170 R), die ein Ausgabesignal der ersten bzw. zweiten Sicherungsbox empfangen,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste und zweite Sicherungsbox jeweils einen Bereich (182 L, 182 R) aufweisen, an dem Blockauswahl-Adreßsignale (RAk, RAk, RAl) zugeführt werden, die eine redundante Speicherzellenanordnung angeben,
die erste und zweite Sicherungsbox Sicherungen (Fk, FI) in dem Bereich (182 L, 182 R) enthalten, und
jeder Redundanzwortleitungstreiber redundante Wortleitungen sowohl in der ersten als auch in der zweiten redundanten Speicherzellenanordnung ansteuern kann.

2. Der Reihen-Redundanzschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sicherungsboxen enthalten:
Mittel zum Empfangen der Reihenadreßsignale zum Bestimmen redundanter Wortleitungen in der angegebenen redundanten Speicherzellenanordnung;
einen ersten und zweiten MOS-Transistor (Mk, MI), der jeweils ein erstes bzw. zweites Blockauswahl-Adreßsignal empfängt;
eine erste und zweite Sicherung (Fk, FI), die jeweils zwischen einem Ausgangsanschluß der Sicherungsbox und dem ersten bzw. zweiten MOS- Transistor angeschlossen sind; und
einen dritten MOS-Transistor (Mm), der ein drittes Blockauswahl-Adreßsignal empfängt und an dem Ausgangsanschluß der Sicherungsbox und an einer Erdungsbezugsspannung angeschlossen ist.

3. Der Reihen-Redundanzschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite redundante Speicherzellenan­ ordnung jeweils in erste und zweite redundante Speicherzellenanordnungs­ blöcke aufgeteilt ist, wobei an die ersten redundanten Speicherzellenanord­ nungsblöcke ein Antriebssignal von dem ersten Redundanzwortleitungstreiber und an die zweiten redundanten Speicherzellenanordnungsblöcke ein Antriebssignal von dem zweiten Redundanzwortleitungstreiber zugeführt wird.