DE3623516A1 - Ausgangspufferschaltung - Google Patents
AusgangspufferschaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Ausgangspufferschaltung
und insbesondere auf eine Ausgangspufferschaltung
für einen Speicher. Die Erfindung
betrifft insbesondere eine Ausgangspufferschaltung für
einen Speicher, bei der ein Transistor eines Paares
von komplementär miteinander verbundenen MOS-Transistoren
in zwei MOS-Transistoren geringerer Größe aufgeteilt
ist, so daß die Lastkapazität während des Durchschaltens
zweier Stromzweige durch die unterteilten
MOS-Transistoren entladen wird, von denen einer in
bezug auf den anderen verzögert durchgeschaltet wird.
In herkömmlicher Weise wird ein MOS-Speicher in weitem
Umfang als Speichereinrichtung eines elektronischen
Computers eingesetzt. Ein MOS-Speicher weist eine
große Anzahl von Speicherzellen auf, die aus MOS-
Transistoren bestehen, welche so angeordnet sind, daß
eine Speichermatrix gebildet ist. Eine Information
wird in Übereinstimmung mit irgendwelchenausgewählten
Adressen in die Speichermatrix eingeschrieben oder
aus dieser ausgelesen. Um irgendeine vorgegebene Information
aus den oben erwähnten Speicherzellen auszulesen,
werden bestimmte Adressen mittels einer Auswahleinrichtung
ausgewählt, und die Daten werden über eine
Ausgangspufferschaltung unter der Steuerung einer
Lese-/Schreibsteuerschaltung ausgelesen. Die Ausgangspufferschaltung
gibt die Datensignale in Übereinstimmung
mit einem Steuersignal, wie einem Ausgangssperrsignal,
ab, welches der Ausgangspufferschaltung über eine
Verknüpfungsschaltung zugeführt wird.
Bei der oben erwähnten Ausgangspufferschaltung werden
das Datensignal und das Ausgabe- bzw. Ausgangssperrsignal
jeweils einem Gate der beiden in Komplementärschaltung
miteinander verbundenen p-Kanal- und n-Kanal-
MOS-Transistoren über die Verknüpfungsschaltung zugeführt,
und das Datensignal wird von einem Zwischenverbindungspunkt
zwischen den beiden Drain-Elektroden
der MOS-Transistoren abgegeben. Die Source-Elektrode
eines der beiden MOS-Transistoren ist an einer
Spannungsquelle angeschlossen, und die Source-Elektrode
des anderen der beiden MOS-Transistoren ist über eine
Leitungsinduktivität, die durch Aluminiumdrähte
und/oder die Verbindungsdrähte innerhalb eines Halbleiterchips
und/oder durch die Zuführungsdrähte eines
Zuführungsrahmens hervorgerufen sind, mit Masse bzw.
Erde verbunden. Eine Lastkapazität mit einer Kapazität,
die in Übereinstimmung mit dem MOS-Speicherstandard
festgelegt ist, ist mit dem Ausgangsanschluß der betreffenden
Anordnung verbunden. Wenn die Lastkapazität
über die Zuleitungs-Induktivität während der Schaltoperation
der Pufferschaltung aufgeladen oder entladen
wird, wird unabweislich über die Zuleitungs-Induktivität
eine Induktionsspannung erzeugt. Diese induzierte
Spannung ändert das Potential der Bezugsspannung der
anderen mit der Speichermatrix verbundenen Schaltungen.
Insbesondere dann, wenn mehrere Ausgangspufferschaltungen
in die Speichereinheit einbezogen
sind, wird eine Vielzahl von induzierten Spannungen
gleichzeitig erzeugt, und es bildet sich eine hohe
Spannung aus, die mehrere 100 Millivolt oder sogar
noch höhere Werte aufweist.
Da die Eingangspegel der den anderen Schaltungen zugeführten
Steuersignale durch den TTL-Pegel (Transistor-
Transistor-Logik-Pegel) bestimmt sind, werden andererseits
die Steuersignale durch die induzierte Spannung
verzerrt oder gestört. In diesem Zusammenhang ist es
möglich, die induzierte Spannung dadurch zu vermindern,
daß die Größe des MOS-Transistors verringert wird. Dies
führt jedoch zu einem schwerwiegenden Problem insofern,
als die Zugriffszeit zu dem Speicher verlängert wird.
Angesichts dieser Probleme liegt die der Erfindung zugrundeliegende
Aufgabe darin, eine Ausgangspufferschaltung
zu schaffen, welche die über die Zuleitungs-
Induktivität sich ausbildende induzierte Spannung vermindern
kann, wenn die Lastkapazität während des
Schaltvorgangs der Pufferschaltung aufgeladen oder
entladen wird.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe durch
die in den Patentansprüchen erfaßte Erfindung.
Zur Lösung der bezeichneten Aufgabe ist eine Ausgangspufferschaltung
geschaffen, die in einer Komplementärschaltung
einen p-Kanal-MOS-Transistor und einen
n-Kanal-MOS-Transistor umfaßt, und zwar in einer
solchen Schaltungsweise, daß ein aus der Speichereinheit
ausgelesenes Datensignal gemeinsam jeder der
Gate-Elektroden der beiden MOS-Transistoren zugeführt
wird, und zwar selektiv auf eine Kombination des
Datensignals und eines Ausgangssperrsignals hin über
eine Vielzahl von Verknüpfungselementen. Das Datensignal
wird von einem Zwischenverbindungspunkt zwischen
den beiden Drain-Elektroden der beiden MOS-Transistoren
abgegeben. Die vorliegende Erfindung ist nun dadurch
gekennzeichnet, daß einer der beiden p-Kanal- und
n-Kanal-MOS-Transistoren, über den eine elektrische
Ladung mit einer mit dem Zwischenverbindungspunkt verbundenen
Lastkapazität zu- oder abgeführt wird, in
zwei, erste und zweite, MOS-Transistoren aufgeteilt ist,
deren jeder eine geringe Größe aufweist, und daß das
Datensignal selektiv einer Gate-Elektrode des ersten
aufgeteilten MOS-Transistors direkt und einer Gate-
Elektrode des zweiten aufgeteilten MOS-Transistors
über eine Verzögerungsschaltung zugeführt wird.
Da bei der Schaltungskonfiguration gemäß der vorliegenden
Erfindung der von der Lastkapazität zu der Zuleitungs-
Induktivität abgeführte Entlade- oder Ladestrom
auf zwei Wege in einer zeitlich verzögerten Beziehung
zwischen den beiden Wegen aufgeteilt ist, ist es möglich,
den Spitzenwert und die Anstiegsgeschwindigkeit
der induzierten Spannung ohne Verminderung der Zugriffszeit
zu der Speichereinheit zu vermindern. Daher
ist es möglich, das Problem effektiv zu lösen,
daß das Bezugspotential in der Speicherschaltung aufgrund
der induzierten Spannung auf der Zuführungs-
Induktivität schwankt. Dies bedeutet, daß das aus der
Speichereinheit ausgelesene Datensignal im Verlauf
unverzerrt ist.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend
beispielsweise näher erläutert. In den Zeichnungen
sind einander entsprechende Elemente mit gleichen Bezugszeichen
bezeichnet.
Fig. 1 zeigt zur Unterstützung der Erläuterung der
vorliegenden Erfindung in einem schematischen Blockdiagramm
ein Beispiel von Systemkonfigurationen eines
MOS-Speichers, bei dem eine Ausgangspufferschaltung
angewandt werden kann.
Fig. 2 veranschaulicht in einem schematischen Blockdiagramm
ein Beispiel von bekannten Ausgangspufferschaltungen.
Fig. 3 veranschaulicht in einem Zeitdiagramm den
Verlauf von verschiedenen Signalen bei der in Fig. 2
dargestellten bekannten Ausgangspufferschaltung.
Fig. 4 veranschaulicht in einem Diagramm den Pegel
einer an einer Zuleitungs-Induktivität induzierten
Spannung im Vergleich zu einer Abgabespannung und
zu TTL-Pegeln.
Fig. 5 zeigt in einem schematischen Blockdiagramm
eine erste Ausführungsform der Ausgangspufferschaltung
gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 6 zeigt in einem Zeitdiagramm den Verlauf von
verschiedenen Signalen der in Fig. 5 dargestellten
Ausgangspufferschaltung.
Fig. 7 veranschaulicht in einem schematischen Blockdiagramm
eine zweite Ausführungsform der Ausgangspufferschaltung
gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 8 veranschaulicht in einem Zeitdiagramm den
Verlauf von verschiedenen Signalen der in Fig. 7
dargestellten Ausgangsschaltung.
Nunmehr werden die bevorzugten Ausführungsformen der
Erfindung näher erläutert. Um jedoch das Verständnis
bezüglich der vorliegenden Erfindung zu erleichtern,
wird zunächst auf eine bekannte Speichereinheit und
auf eine bekannte Ausgangspufferschaltung Bezug genommen
werden, die in die Speichereinheit einbezogen
ist.
Fig. 1 zeigt eine Systemkonfiguration einer bekannten
Speichereinheit. In Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 10
eine Speichermatrix bezeichnet. Wenn ein Adresseneingangssignal
an Decoder 12 und 13 abgegeben wird, dann
wird eine Speicherzelle (nicht dargestellt) unter einer
bestimmten Adresse in der Matrix 10 durch die beiden
Decoder 12 und 13 und eine Auswahleinrichtung 14 ausgewählt;
die in die ausgewählte Speicherzelle eingeschriebenen
Daten können von einem Eingangs/Ausgangs-
(I/O)-Anschluß 16 über die Auswahleinrichtung 14 und
eine Ausgangspufferschaltung 15 ausgelesen werden.
Ferner ist die Eingangssteuerschaltung 17 zwischen
der Auswahleinrichtung 14 und dem Eingangs/Ausgangs-
Anschluß 16 angeschlossen; die betreffende Schaltung 17
wird in Übereinstimmung mit Lese/-Schreib-(R/W)-Betriebsarten
mittels einer R/W-Steuerschaltung 18 zusammen
mit der Ausgangspufferschaltung 15 gesteuert.
Ferner bezeichnet in Fig. 1 das Symbol WE ein Schreibfreigabesignal,
und das Symbol CS bezeichnet ein
Chipauswahlsignal; diese beiden Signale werden der
R/W-Steuerschaltung 18 zugeführt.
In Fig. 2 ist ein Beispiel für die praktischen Schaltungskonfigurationen
der Ausgangspufferschaltung 15 gezeigt.
Wie in Fig. 2 veranschaulicht, wird ein Datensignal
gemeinsam einem der Eingangsanschluß 21 a eines
NAND-Gliedes 21 und einem Eingangsanschluß 22 a eines
NOR-Gliedes 22 über einen Dateneingangsanschluß 20
zugeführt. Ferner wird ein Steuersignal oder ein Ausgangssperrsignal
(hier auch als OD-Signal bezeichnet)
über einen Steuersignal-Eingangsanschluß 23 dem anderen
Eingangsanschluß 22 b des NOR-Gliedes 22 direkt und dem
anderen Eingangsanschluß 21 b des NAND-Gliedes 2 über
einen Inverter 24 indirekt zugeführt. Das Ausgangssignal
des NAND-Gliedes 21 und das Ausgangssignal des
NOR-Gliedes 22 werden den Gate-Elektroden eines p-Kanal-
MOS-Transistors 25 bzw. eines n-Kanal-MOS-
Transistors 26 zugeführt. Diese beiden Transistoren
sind in Komplementärschaltung miteinander über ihre
Drain-Elektroden verbunden. Die Source-Elektrode des
p-Kanal-MOS-Transistors 25 ist an einem Spannungsversorgungsanschluß
27 angeschlossen, während die Source-
Elektrode des n-Kanal-MOS-Transistors 26 über eine
Zuleitungs-Induktivität 28 geerdet ist. Die Drain-
Elektroden der MOS-Transistoren 25 und 26 sind direkt
miteinander verbunden, und ein Ausgangsanschluß 30 ist
mit einem Zwischenverbindungspunkt zwischen den gemeinsam
miteinander verbundenen Drain-Elektroden verbunden.
Ein Kondensator C mit einer Kapazität, die in Übereinstimmung
mit dem MOS-Speicherstandard festgelegt
bzw. bestimmt ist, ist mit dem Ausgangsanschluß 30
verbunden. Eine Vielzahl der Ausgangspufferschaltungen
15, wie sie Fig. 2 veranschaulicht, sind an dem Speicher
in Übereinstimmung mit der Anzahl der Ausgangsanschlüsse
der Speichereinheit angebracht.
Die Zuleitungs-Induktivität 28 wird durch Aluminium-
Drähte und/oder Anschlußdrähte innerhalb eines Halbleiterchips
und/oder durch Anschluß- bzw. Zuleitungsdrähte
eines Anschlußrahmens verursacht. Ferner ist
eine periphere Schaltung 19, die aus den beiden
Decodern 12 und 13, der Auswahleinrichtung 14 und den
beiden Steuerschaltungen 17 und 18 besteht, wie dies
Fig. 1 veranschaulicht, ebenfalls über die Induktivität
28 geerdet.
Nachstehend wird die Arbeitsweise der in Fig. 2 dargestellten
Ausgangspufferschaltung 15 beschrieben.
Wenn zunächst das OD-Signal dem Steuersignal-Eingangs-
anschluß 23 mit einem Verknüpfungspegel "1" zugeführt
wird, dann wird eine Verknüpfungspegel "0" vom Ausgang
des Inverters 24 dem anderen Eingang 21 b des NAND-
Gliedes 21 zugeführt, und zwar unabhängig von dem dem
Eingang 21 a des NAND-Gliedes 21 zugeführten Datensignal.
Das Ausgangssignal des NAND-Gliedes 21 führt den Verknüpfungspegel
"1", so daß der p-Kanal-MOS-Transistor
25 abgeschaltet ist. Da zu diesem Zeitpunkt dem anderen
Eingang 22 b des NOR-Gliedes 22 ebenfalls ein
Verknüpfungssignal "1" zugeführt ist, und zwar unabhängig
von dem dem Eingang 22 a des NOR-Gliedes 22 zugeführten
Datensignal, führt das Ausgangssignal des NOR-
Gliedes 22 einen Verknüpfungspegel "0", so daß der
n-Kanal-MOS-Transistor 16 ebenfalls im abgeschalteten
bzw. gesperrten Zustand gehalten ist. Wenn demgemäß
das OD-Signal einen Verknüpfungspegel "1" führt,
arbeitet somit die in Fig. 2 dargestellte Ausgangspufferschaltung
15 nicht.
Wie aus obigem ohne weiteres verständlich sein dürfte,
werden das NAND-Glied 21 und das NOR-Glied 22 dazu
benutzt, die Ausgangspufferschaltung 15 zu einer
3-Zustands-Einrichtung zu machen.
Wenn das OD-Signal am Steuersignal-Eingangsanschluß 23
sodann den Verknüpfungspegel "0" aufweist, wird, falls
das am Eingangsanschluß 20 auftretende Datensignal
sich zum Verknüpfungspegel "1" oder zu einem hohen
Pegel hin ändert, da ein Verknüpfungspegel "1" vom
Ausgang des Inverters 24 dem anderen Eingangsanschluß
21 b des NAND-Gliedes 21 zugeführt wird, das Ausgangssignal
des NAND-Gliedes 21 auf einem Verknüpfungspegel
"0" sein, wodurch der p-Kanal-MOS-Transistor 25
eingeschaltet wird bzw. leitet. Andererseits
ändert das Verknüpfungssignal am Eingangsanschluß
22 a des NOR-Gliedes 22 dessen Ausgangssignal
zu einem Verknüpfungspegel "0" oder zu einem niedrigen
Pegel, wodurch der n-Kanal-MOS-Transistor 26 abgeschaltet
bzw. gesperrt wird. Deshalb ist der Ausgangsanschluß
30 über den leitend gesteuerten MOS-
Transistor 25 mit dem Spannungsversorgungsanschluß 27
verbunden, so daß die Lastkapazität C durch einen Ladestrom
aufgeladen wird, der durch den MOS-Transistor 25
fließt. Deshalb wird die Anschlußspannung am Ausgangsanschluß
30 gleich der Speisespannung V DD am Anschluß
27.
Wenn in diesem Zustand, wie dies Fig. 3A veranschaulicht,
das Datensignal a am Eingangsanschluß 20 sich
vom Verknüpfungspegel "1" zum Verknüpfungspegel "0"
ändert, da sich der Pegel am Eingang 21 a des NAND-
Gliedes 21 zum Verknüpfungswert "0" ändert, wird das
Ausgangssignal b des NAND-Gliedes 21 den Verknüpfungswert
"1" aufweisen, wie dies in Fig. 3B veranschaulicht
ist. Da andererseits die Pegel an den beiden
Eingängen 22 a und 22 b des NOR-Gliedes 22 sich zum Verknüpfungswert
"0" ändern, ändert sich ebenfalls das
Ausgangssignal c des NOR-Gliedes 22 zu einem Verknüpfungswert
"1", wie diese in Fig. 3C veranschaulicht
ist. Deshalb wird der p-Kanal-MOS-Transistor 25 abgeschaltet,
und der n-Kanal-MOS-Transistor 26 wird eingeschaltet,
so daß die elektrische Ladung der Lastkapazität
C über den n-Kanal-MOS-Transistor 26 und
die Zuleitungs-Induktivität 28 entladen bzw. abgeführt
wird.
Deshalb wird eine an der Zuleitungs-Induktivität 28
induzierte Spannung V l eine Höhe L durch den Strom i d
entsprechend folgender Gleichung (1) aufweisen:
Wie in Fig. 3E veranschaulicht, ist diese induzierte
Spannung V l auf der Seite der Anstiegsflanke des
Strom i d gemäß Fig. 3D positiv, wodurch das Potential
des Bezugspunkts oder der geerdeten Leitung in der
peripheren Schaltung 19 geändert wird.
In einem Hochgeschwindigkeits-Speicher sollte die
Ein-Zeit Δ t des Stroms i d auf eine Zeit vermindert
werden, die so kurz wie möglich ist und sich beispielsweise
auf einen Bereich von mehreren Nanosekunden erstreckt,
um die Zugriffszeit auf einen Wert zu vermindern,
der so kurz wie möglich ist. Ferner existiert
dort, wo mehrere Ausgangspufferschaltungen gemäß Fig. 2
an dem Speicher angebracht sind, eine Chance dafür,
daß sämtliche Pufferschaltungen gleichzeitig in dem
oben erwähnten Entladungszustand sind. Damit ist der
positive Spitzenwert V p der induzierten Spannung V l
unerwartet hoch, wie beispielsweise mehrere hundert mV
oder noch höher.
Da andererseits der Eingangspegel der Steuersignale,
welche der peripheren Schaltung 19 als Adresseneingangssignal,
als Schreibfreigabesignal WE, als Chipauswahlsignal
CS usw. zugeführt werden, durch den
TTL-(Transistor-Transistor-Logik)-Pegel gemäß Fig. 4
bestimmt sind, wird in dem Fall, daß eine hohe induzierte
Spannung V, wie sie oben erwähnt worden ist,
das Massepotential der peripheren Schaltung 19 ändert,
die Eingansspannung auf der Seite hohen TTL-Pegels
augenscheinlich niedrig, was zu einem Problem insofern
führt, als die Eingangsspannung sich so ändert, als
wenn das Adresseneingangssignal sich ändert. Demgemäß
beginnt ein Adressen-Übergangsdetektor (nicht dargestellt)
zu arbeiten, um die Differenz-Eingangsanschlüsse
des Leseverstärkers (nicht dargestellt) kurzzuschließen
oder gleichzumachen. Demgemäß existiert
ein Problem insofern, als der Signalverlauf eines
Lesedatensignals verzerrt ist.
Da die Ein-Zeit Δ t des Stroms i d durch die Lastkapazität
C und die Steuerkapazität des n-Kanal-MOS-
Transistors 26 bestimmt ist, ist es möglich, die induzierte
Spannung V l zu vermindern, wenn die Stromsteuerkapazität
durch Verkleinern der Größe des MOS-
Transistors 16 vermindert werden kann, da die Ein-
Zeit Δ t des Stroms i d verlängert oder vergrößert
wird. In diesem Fall tritt jedoch ein schwerwiegendes
Problem mit einem Hochgeschwindigkeitsspeicher insofern
auf als die Zugriffszeit zu dem Speicher verlängert
wird.
Der Einfluß der Zuleitungs-Induktivität auf der Masse-
bzw. Erdseite ist oben für den Zeitpunkt erläutert
worden, daß die Lastkapazität C entladen wird. Die
oben beschriebene Erscheinung wird jedoch sogar dann,
wenn die Lastkapazität C geladen wird, durch die auf
der Speisespannungsseite liegende Zuleitungs-Induktivität
hervorgerufen werden, was zu einem Problem
insofern führt, als die auf der Spannungsversorgungsleitung
induzierte Spannung einen schädlichen Einfluß
auf den Speicher als Störung bzw. Rauschen hervorruft.
In Anbetracht der obigen Beschreibung sei nunmehr auf
eine erste Ausführungsform der Ausgangspufferschaltung
für eine Speichereinheit gemäß der vorliegenden Erfindung
Bezug genommen.
Fig. 5 zeigt den Schaltungsaufbau der ersten Ausführungsform
gemäß der Erfindung. In Fig. 5 sind dieselben
Bezugszeichen für die Bezeichnung entsprechender
Einzelteile verwendet worden, die dieselben
Funktionen haben, wie die in Verbindung mit Fig. 2
beschriebenen Einzelteile, so daß eine detaillierte
Beschreibung dieser Einzelteile hier für unnötig
gehalten wird.
Gemäß Fig. 5 wird ein Datensignal von einem Dateneingangsanschluß
20 her einem ersten Eingangsanschluß 31 a
eines zweiten NOR-Gliedes 31 über zwei in Reihe geschaltete
Verzögerungsinverter 32 und 33 sowie direkt
einem zweiten Eingangsanschluß 31 b des zweiten NOR-
Gliedes 31 zugeführt. Ein dritter Eingangsanschluß 31 c
des NOR-Gliedes 31 ist mit dem Steuersignal-Eingangsanschluß
23 verbunden. Ein Ausgangssignal des zweiten
NOR-Gliedes 31 wird einer Gate-Elektrode eines n-Kanal-
MOS-Transistor 34 zugeführt. Eine Drain-Elektrode und
eine Source-Elektrode des n-Kanal-MOS-Transistors 34
sind mit einer Drain-Elektrode bzw. einer Source-
Elektrode eines n-Kanal-MOS-Transistors 36 verbunden,
der in derselben Weise wie der n-Kanal-MOS-Tranistor
26 gemäß Fig. 2 geschaltet ist. Die relativen Größen
der MOS-Transistoren 34 und 36 sind mit etwa 40% bzw.
60% der Größe des in Fig. 2 dargestellten MOS-
Transistors 26 festgelegt. Demgemäß ist der MOS-
Transistor 26 vom n-Typ gemäß Fig. 2 tatsächlich durch
die MOS-Transistoren 36 und 34 gemäß Fig. 5 ersetzt,
um zwei Entladungswege für den Kondensator C zu
schaffen, wie dies im einzelnen erläutert wird. Mit
Ausnahme der oben beschriebenen Einzelteile sind die
übrigen Einzelteile dieselben wie bei der in Fig. 2
dargestellten Schaltungsanordnung.
Die in Fig. 5 dargestellte Ausführungsform arbeitet
wie folgt. Wenn ein OD-Signal dem Steuersignal-
Eingangsanschluß 23 als Verknüpfungssignal "1" zugeführt
wird, da der dritte Eingang 31 c des zweiten
NOR-Gliedes 31 ein Verknüpfungssignal "1" führt, tritt
das Ausgangssignal des zweiten NOR-Gliedes 31 mit
einem Verknüpfungspegel "0" unabhängig vom Verknüpfungsstand
an den ersten und zweiten Eingängen 31 a
und 31 b auf, so daß der n-Kanal-MOS-Transistor 34
abgeschaltet bzw. gesperrt ist. Da zu diesem Zeitpunkt
die MOS-Transistoren 25 und 26 abgeschaltet bzw. gesperrt
sind, wie dies zuvor beschrieben worden ist,
arbeitet diese Ausführungsform nicht, und ihr Ausgang
ist wirksam gesperrt.
Wenn sodann das OD-Signal am Steuersignal-Eingangsanschluß
mit einem Verknüpfungspegel "0" auftritt,
falls ein Datensignal am Eingangsanschluß 20 sich zu
einem Verknüpfungswert "1" hin ändert, ändert sich
das Signal am zweiten Eingang 31 b des zweiten NOR-
Gliedes 31 zum Verknüpfungspegel "1", womit am Ausgang
dieses Verknüpfungsgliedes ein Signal entsprechend
dem Verknüpfungszustand bzw. -pegel "0" auftritt, so
daß der n-Kanal-MOS-Transistor 34 abgeschaltet bzw.
gesperrt ist. Damit ist der Ausgangsanschluß 30 über
den eingeschalteten bzw. leitenden MOS-Transistor 25
mit dem Speisespannungsanschluß 27 verbunden, wie dies
für diese Eingangssignalbedingungen anhand der Fig. 2
beschrieben worden ist. Dadurch wird die Lastkapazität
C aufgeladen, so daß die Klemmspannung am Anschluß 30
gleich der Speisespannung V DD am Anschluß 17 wird.
Wenn in diesem Zustand ein Datensignal a am Eingangsanschluß
20 sich vom Verknüpfungspegel "1" zum Verknüpfungspegel
"0" ändert, wie dies in Fig. 6A veranschaulicht
ist, dann ändert sich das Signal am Ausgang
b des NAND-Gliedes 21 vom Verknüpfungswert "1",
wie dies Fig. 6B veranschaulicht, und das Ausgangssignal
am Ausgang c des ersten NOR-Gliedes 22 ändert
sich ebenfalls zum Verknüpfungswert "1", wie dies
Fig. 6C veranschaulicht. Da das Signal am ersten Eingang
31 a des zweiten NOR-Gliedes 21 vom Verknüpfungswert
"1" in einen Verknüpfungswert "0" invertiert wird,
welches um eine bestimmte Verzögerungszeit von dem
zweiten Eingang her verzögert wird, was bedeutet, daß
das in Fig. 6A dargestellte Datensignal a die Verzögerungs-
Inverter 22 und 23 durchläuft, wird das
Signal am Ausgang d des zweiten NOR-Gliedes 21 vom
Verknüpfungswert "0" zu einem Verknüpfungswert "1"
invertiert und um eine Zeitspanne T vom Ausgang c
des ersten NOR-Gliedes 12 (in Fig. 6C dargestellt) verzögert
abgegeben, wie dies in Fig. 6D veranschaulicht ist.
Auf die Invertierung des Datensignals a hin wird der
p-Kanal-MOS-Transistor 15 abgeschaltet bzw. gesperrt,
und der n-Kanal-MOS-Transistor 26 wird eingeschaltet
bzw. leitend gesteuert. Ferner wird der n-Kanal-MOS-
Transistor 24 nach der Verzögerung um die Zeitspanne T
umgesteuert.
Demgemäß gelangt die elektrische Ladung der Lastkapazität
C zunächst durch den n-Kanal-MOS-Transistor
36 mit einer 60%-Größe, wodurch ein flacherer Anstieg
erzielt wird als bei der konventionellen Schaltung,
wie dies in Fig. 6E veranschaulicht ist, und sodann
erfolgt eine Entladung auf der Basis eines Stroms i 36,
der grob dieselbe Ein-Zeit Δ t 3 und einen niedrigeren
Spitzenwert I 1 hat (Fig. 6E).
Mit Fortschreiten der begonnenen Entladung, die um
eine Zeitspanne τ von dem Zeitpunkt ab verzögert
wird, zu den der MOS-Transistor 36 die Entladung beginnt,
wenn die Klemmspannung der Lastkapazität C
auf ein gewisses Ausmaß von dem Spannungswert der
Speisespannung V DD aus absinkt, beginnt eine Entladung
auf der Grundlage des Stroms i 34, der durch den n-Kanal-
MOS-Transistor 34 fließt, welcher eine 40%-Größe aufweist,
wie dies Fig. 6F veranschaulicht. Der Strom i 34
weist einen geringeren Spitzenwert I 2 und eine kürzere
Ein-Zeit Δ t 2 (wie in Fig. 6F gezeigt) im Vergleich
zu dem in Fig. 6E angedeuteten Strom I 36 auf.
Da der Gesamtstrom i s, der durch die Zuleitungs-Induktivität
28 fließt, bei dieser Ausführungsform die
Summe der Ströme i 34 und i 36 ist, welche durch die
beiden MOS-Transistoren 34 und 36 fließen, weist der
Gesamtstrom i s dieselbe Vorderflanke und denselben
Spitzenwert I 1 auf wie der Strom i 36 des eine 60%-
Größe aufweisenden MOS-Transistors 36, wie dies
Fig. 6G veranschaulicht. Ferner sind die Höhen und
die Zeitpunkte der Ströme i 34 und i 36 so festgelegt,
daß der Strom i s eine Ein-Zeit von Δ t 3 aufweist,
die etwas länger ist als die Ein-Zeit Δ t des Stroms i d
bei der herkömmlichen Schaltungsanordnung. Ferner ist
das Integral der Ströme i 34 und i d gleich dem des
Stroms i d bei der herkömmlichen Schaltungsanordnung.
Mit anderen Worten ausgedrückt heißt dies, daß die
Größen der beiden n-Kanal-MOS-Transistoren 34 und 36
in der oben beschriebenen Weise festgelegt sind und
daß ferner die Verzögerungszeit der Inverter 32 und 33
mit beispielsweise 2 ns festgelegt ist.
Da die Größen der MOS-Transistoren 36 und 34 für die
Ableitung des Stroms von der Lastkapazität C bei der
oben beschriebenen Erfindung auf zwei Stromwege aufgeteilt
sind und da ferner einer dieser Transistoren
bzw. Stromwege nach einer Verzögerung um eine geeignete
Zeitspanne in bezug auf den anderen Transistor bzw.
Stromweg eingeschaltet wird, ist es möglich, den
Spitzenwert V 1 der durch den Entladestrom induzierten
Spannung V l der Zuleitungs-Induktivität 28 auf einen
Wert von 75% der herkömmlichen Schaltungsanordnung
zu senken, während die Ein-Zeit des betreffenden
Stroms lediglich ein wenig verlängert ist. Damit wird
ein schädlicher Einfluß auf die Zugriffszeit kaum
auftreten.
Da ferner bei dieser Ausführungsform das Integral des
Entladestroms i s gleich jenem bei der herkömmlichen
Schaltungsanordnung ist, ist es möglich, die Höhe der
Gleichstromkomponente des abfließenden Stroms bei derselben
Höhe wie bei der konventionellen Schaltungsanordnung
zu halten, wenn das Ausgangssignal einen
niedrigen Verknüpfungspegel führt, womit verhindert
ist, daß sich die Betriebsstabilität verschlechtert.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 und 8 wird nachstehend
eine weitere Ausführungsform der Ausgangspufferschaltung
für einen Speicher gemäß der vorliegenden Erfindung
beschrieben.
Fig. 7 zeigt einen Schaltungsaufbau der zweiten Ausführungsform
gemäß der Erfindung. In Fig. 7 sind dieselben
Bezugszeichen beibehalten worden für die Bezeichnung
entsprechender bzw. ähnlicher Teile, welche
dieselben Funktionen haben wie die in Fig. 5 gezeigten
entsprechenden Teile, weshalb keine Wiederholung der
Beschreibung der betreffenden Einzelteile erfolgt.
Gemäß Fig. 7 wird ein Datensignal von dem Dateneingangsanschluß
20 her einem ersten Eingangsanschluß 41 a
eines ersten NAND-Gliedes 41 über zwei in Reihe geschaltete
Inverter 32 und 33 und ferner direkt einem
zweiten Eingangsanschluß 41 b des betreffenden NAND-
Gliedes 41 zugeführt. Ein dritter Eingangsanschluß 41 c
des NAND-Gliedes 41 ist über einen Inverter 24 mit dem
Steuersignal-Eingangsanschluß 23 verbunden. Das Ausgangssignal
des ersten NAND-Gliedes 41 wird der Gate-
Elektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 42 zugeführt.
Die Source-Elektrode des MOS-Transistors 42 ist über
die Zuleitungs-Induktivität 29 der Spannungsversorgungsleitung
mit dem Spannungsversorgungsanschluß 27
verbunden, und zwar zusammen mit der Source-Elektrode
des p-Kanal-MOS-Transistors 45, dessen Gate-Elektrode
dem Ausgangssignal des NAND-Gliedes 21 zugeführt
wird. Jede der Drain-Elektroden der beiden MOS-
Transistoren 42 und 45 ist mit der Drain-Elektrode
des n-Kanal-MOS-Transistors 26 und dem Ausgangsanschluß
30 verbunden. Die Größen der p-Kanal-MOS-
Transistoren 42 und 45 sind mit 40% bzw. 60% der
Größe des p-Kanal-MOS-Transistors 25 festgelegt, wie
dies in Fig. 3 veranschaulicht ist, und zwar wie bei
der zuvor betrachteten Ausführungsform. Demgemäß ist
tatsächlich der MOS-Transistor 25 vom p-Typ gemäß
Fig. 2 durch die MOS-Transistoren 42 c
und 45 gemäß Fig. 7 ersetzt, wodurch zwei Aufladewege
für den Kondensator C geschaffen sind, wie dies im
einzelnen erläutert werden wird. Der übrige Schaltungsaufbau
ist derselbe wie bei der in Fig. 2 dargestellten
konventionellen Schaltungsanordnung.
Die zweite Ausführungsform arbeitet wie folgt: Wenn
zunächst das OD-Signal am Steuersignal-Eingangsanschluß
23 einen Verknüpfungspegel "1" führt, da am
dritten Eingang 41 c des ersten NAND-Gliedes 41 ein
Verknüpfungssignal "0" liegt, tritt das Ausgangssignal
des ersten NAND-Gliedes 41 mit einem Verknüpfungspegel
"1" unabhängig vom Pegel am zweiten Eingang 41 b
auf, so daß der p-Kanal-MOS-Transistor 42 abgeschaltet
bzw. gesperrt ist. Da in diesem Augenblick die MOS-
Transistoren 26 und 45 beide abgeschaltet bzw. gesperrt
sind, wie dies bereits beschrieben worden ist,
arbeitet diese Schaltung nicht.
Wenn das Datensignal und das OD-Signal sodann beide
mit einem Verknüpfungspegel "0" an den beiden Eingangsanschlüssen
20 und 23 auftreten, da nämlich dem
einen Eingang 21 a des zweiten NAND-Gliedes 21 sowie
den ersten und zweiten Eingängen 41 a und 41 b des
NAND-Gliedes 41 Verknüpfungspegel "0" zugeführt sind,
treten die Ausgangssignale der beiden NAND-Glieder 21
und 41 jeweils mit einem Verknüpfungspegel "1" auf,
so daß die beiden p-Kanal-MOS-Transistoren 42 und 45
abgeschaltet bzw. gesperrt sind. Da andererseits die
beiden Eingänge 22 a und 22 b des NOR-Gliedes 22 einen
Verknüpfungspegel "0" führen, tritt das Ausgangssignal
des NOR-Gliedes 22 mit einem Verknüpfungspegel
"1" auf, so daß der n-Kanal-MOS-Transistor 26
abgeschaltet bzw. gesperrt ist. Demgemäß wird die
elektrische Ladung der Lastkapazität C über den MOS-
Transistor 26 abgeführt, so daß die Klemmspannung
der Lastkapazität C auf Null absinkt.
Wenn unter diesen Bedingungen das Datensignal a sich
vom Verknüpfungspegel "0" zu einem Verknüpfungspegel
"1" ändert, wie dies in Fig. 8A veranschaulicht ist,
dann ändert sich das Ausgangssignal am Ausgang des
ersten NOR-Gliedes 22 von einem Verknüpfungspegel "1"
zu einem Verknüpfungspegel "0", wie dies in Fig. 8B
veranschaulicht ist, so daß der n-Kanal-MOS-Transistor
26 abgeschaltet bzw. gesperrt wird. Zugleich ändert
sich das Signal am Ausgang c des zweiten NAND-Gliedes
21 zu einem Verknüpfungspegel "0", wie dies in
Fig. 8C veranschaulicht ist, so daß der p-Kanal-MOS-
Transistor 45 eingeschaltet bzw. leitend gesteuert
wird. Wie in Fig. 8D veranschaulicht, ändert sich das
Signal am ersten Eingang 41 a des ersten NAND-Gliedes
41 zu einem Verknüpfungspegel "1", der um die Zeitspanne
T von der Vorderflanke des Datensignals a
aus verzögert ist. Gleichzeitig ändert sich das Ausgangssignal
am Ausgang d des ersten NAND-Gliedes 41
zu einem Verknüpfungspegel "0", so daß der p-Kanal-
MOS-Transistor 42 eingeschaltet bzw. leitend gesteuert
wird.
In derselben Art und Weise wie bei der zuvor betrachteten
Ausführungsform wird die Lastkapazität C
zunächst durch den Strom i 45 aufgeladen, der durch
den eine 60%ige Größe aufweisenden p-Kanal-MOS-
Transistor 45 fließt, wie dies in Fig. 8E veranschaulicht
ist. Wenn die Klemmspannung der Lastkapazität
C auf ein gewisses Maß ansteigt, wird der
Lastkondensator C durch den Strom i 42 aufgeladen,
der durch den die 40%ige Größe aufweisenden p-Kanal-
MOS-Transistor 42 fließt, wie dies in Fig. 8F veranschaulicht
ist. Die Tatsache, daß der Gesamtladestrom
i c und die auf der Spannungsversorgungsleitung
induzierte Spannung dieselben Verläufe aufweisen
und dieselbe Wirkung mit sich bringen wie der
Gesamt-Ladestrom i s und die in der Masseleitung bei
der ersten Ausführungsform gemäß Fig. 5 induzierte
Spannung, kann ohne weiteres auf der Grundlage der
Tatsache verstanden werden, daß lediglich die Polarität
der MOS-Transistoren zwischen den beiden Ausführungsformen
unterschiedlich ist, wie dies in Fig. 8G und 8H
veranschaulicht ist.
Ferner ist es möglich, die beiden in Fig. 5 und 7 gezeigten
Ausführungsformen zu kombinieren, um duale
bzw. zweifache Lade- und Entladewege für den Kondensator
C in einem Ausgangspufferspeicher zu schaffen.
Wie oben im einzelnen beschrieben, ist es gemäß der
vorliegenden Erfindung mit Rücksicht darauf, daß der
Stromweg der MOS-Transistoren, welche die Lade- und
Entladeströme der Lastkapazität führen, in geeigneter
Weise in zwei Stromwege aufgeteilt ist und daß einer
der MOS-Transistoren um eine geeignete Zeitspanne
verzögert nach dem anderen Transistor eingeschaltet
wird, möglich, eine Ausgangspufferschaltung für einen
Speicher zu erhalten, welche die induzierte Spannung
vermindert, die auf den Lade-/Entladestrom auf der
Spannungsversorgungsleitung und der Masseleitung zurückgeht,
ohne daß dadurch ein schädlicher Einfluß
auf die Zugriffszeit ausgeübt wird.
Claims (10)
1. Ausgangspufferschaltung (15) mit einem Paar von
komplementär miteinander verbundenen Schalteinrichtungen
(25, 26) für die Aufnahme eines Datensignals (a)
an entsprechenden Eingängen des Paares der beiden
Schalteinrichtungen und für die Abgabe eines Ausgangsdatensignals
an einem Ausgangsanschluß (30), der mit
einer gemeinsamen Verbindung zwischen dem betreffenden
Paar der Schalteinrichtungen (25, 26) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, das das betreffende
Paar der Schalteinrichtungen eine erste Schalteinrichtung
und eine zweite Schalteinrichtung (34, 36, 42, 45)
umfaßt
und daß das Datensignal (a) einem Eingang einer der ersten und zweiten Schalteinrichtungen und über eine Verzögerungseinrichtung (32, 33) einem Eingang der anderen der betreffenden ersten und zweiten Schalteinrichtungen zugeführt wird.
und daß das Datensignal (a) einem Eingang einer der ersten und zweiten Schalteinrichtungen und über eine Verzögerungseinrichtung (32, 33) einem Eingang der anderen der betreffenden ersten und zweiten Schalteinrichtungen zugeführt wird.
2. Ausgangspufferschaltungen nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das
genannte Paar der Schalteinrichtungen (25, 26) einen
p-Kanal-MOS-Transistor (25) und einen in Komplementärschaltung
dazu verbundenen n-Kanal-MOS-Transistor (26)
enthält,
daß das Datensignal (a) gemeinsam einem Gate jedes der beiden MOS-Transistoren (25, 26) selektiv in Abhängigkeit von einer Kombination des betreffenden Datensignals (a) und eines Ausgabe-Sperrsignals (OD) über eine Vielzahl von Verknüpfungselementen (21, 22, 31, 41) zugeführt wird.
daß das Datensignal (a) über einen Zwischenverbindungspunkt (30) zwischen den Drain-Elektroden der MOS- Transistoren abgegeben wird.
daß eine der ersten Schalteinrichtungen bzw. der zweiten Schalteinrichtungen erste bzw. zweite MOS- Transistoren (36, 34, 45, 42) für die Bereitstellung eines unterteilten Ladungs- oder Entladungsweges für eine Lastkapazität (C) umfaßt, die mit einem Zwischenverbindungspunkt (30) zwischen den beiden MOS-Transistoren verbunden ist,
und daß das Datensignal (a) selektiv in einem Gate des ersten MOS-Transistors und über eine Verzögerungsschaltung einem Gate des zweiten unterteilten MOS- Transistors zugeführt ist.
daß das Datensignal (a) gemeinsam einem Gate jedes der beiden MOS-Transistoren (25, 26) selektiv in Abhängigkeit von einer Kombination des betreffenden Datensignals (a) und eines Ausgabe-Sperrsignals (OD) über eine Vielzahl von Verknüpfungselementen (21, 22, 31, 41) zugeführt wird.
daß das Datensignal (a) über einen Zwischenverbindungspunkt (30) zwischen den Drain-Elektroden der MOS- Transistoren abgegeben wird.
daß eine der ersten Schalteinrichtungen bzw. der zweiten Schalteinrichtungen erste bzw. zweite MOS- Transistoren (36, 34, 45, 42) für die Bereitstellung eines unterteilten Ladungs- oder Entladungsweges für eine Lastkapazität (C) umfaßt, die mit einem Zwischenverbindungspunkt (30) zwischen den beiden MOS-Transistoren verbunden ist,
und daß das Datensignal (a) selektiv in einem Gate des ersten MOS-Transistors und über eine Verzögerungsschaltung einem Gate des zweiten unterteilten MOS- Transistors zugeführt ist.
3. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß eine der beiden in
Komplementärschaltung miteinander verbundenen Schalteinrichtungen
(25, 26) einen ersten p-Kanal-MOS-
Transistor (25) für das Aufladen einer mit einer
Drain-Elektrode des betreffenden Transistors verbundenen
Lastkapazität (C) auf das genannte Datensignal
(a) und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin umfaßt,
wobei die beiden Signale einem Gate des betreffenden
Transistors über eine Verknüpfungsschaltung (21)
zugeführt sind,
daß die andere der beiden in Komplementärschaltung miteinander verbundenen Schalteinrichtungen (25, 26) einen zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (26, 36) umfaßt, der in Komplementärschaltung mit dem ersten p-Kanal- MOS-Transistor (25) in Reihe liegt und der die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt,
wobei die betreffenden beiden Signale direkt einem Gate des betreffenden Transistors über eine zweite Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt sind,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungs- Inverter (32, 33) umfaßt, der das Datensignal verzögert,
und daß dem zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) ein dritter n-Kanal-MOS-Transistor (34) parallel geschaltet ist, der die Lastkapazität (C) im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) auf das durch den Verzögerungsinverter (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt,
wobei die betreffenden beiden Signale einem Gate des genannten Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (31) zugeführt sind.
daß die andere der beiden in Komplementärschaltung miteinander verbundenen Schalteinrichtungen (25, 26) einen zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (26, 36) umfaßt, der in Komplementärschaltung mit dem ersten p-Kanal- MOS-Transistor (25) in Reihe liegt und der die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt,
wobei die betreffenden beiden Signale direkt einem Gate des betreffenden Transistors über eine zweite Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt sind,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungs- Inverter (32, 33) umfaßt, der das Datensignal verzögert,
und daß dem zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) ein dritter n-Kanal-MOS-Transistor (34) parallel geschaltet ist, der die Lastkapazität (C) im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) auf das durch den Verzögerungsinverter (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt,
wobei die betreffenden beiden Signale einem Gate des genannten Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (31) zugeführt sind.
4. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das
Paar der in Komplementärschaltung miteinander verbundenen
Schalteinrichtungen (26,36) einen ersten
n-Kanal-MOS-Transistor (26,36) für die Entladung einer
mit einer Drain-Elektrode des betreffenden Transistors
verbundenen Lastkapazität (C) auf ein Datensignal (a)
und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin, welches zusammen
mit dem Datensignal einem Gate über eine erste Verknüpfungsschaltung
(22) zugeführt ist, und einen
zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (25,45) umfaßt, der
in Komplementärschaltung mit dem ersten n-Kanal-
MOS-Transistor in Reihe geschaltet ist für das
Aufladen der betreffenden Lastkapazität auf das Datensignal
(a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin,
welches zusammen mit dem Datensignal einem Gate des
betreffenden Transistors über eine zweite Verknüpfungsschaltung
(41) zugeführt ist,
daß die Verzögerungseinrichtung ein Verzögerungsinverter (32,33) ist, der das Datensignal verzögert, und daß entweder die erste oder die zweite Schalteinrichtung einen dritten p-Kanal-MOS-Transistor (42) umfaßt, der dem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) parallelgeschaltet ist und der im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) die Lastkapazität (C) auf das durch die Verzögerungseinrichtung (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors über eine Verknüpfungsschaltung (21,22) zugeführt ist.
daß die Verzögerungseinrichtung ein Verzögerungsinverter (32,33) ist, der das Datensignal verzögert, und daß entweder die erste oder die zweite Schalteinrichtung einen dritten p-Kanal-MOS-Transistor (42) umfaßt, der dem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) parallelgeschaltet ist und der im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) die Lastkapazität (C) auf das durch die Verzögerungseinrichtung (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors über eine Verknüpfungsschaltung (21,22) zugeführt ist.
5. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die
erste Schalteinrichtung und die zweite Schalteinrichtung
etwa 60% bzw. 40% der Größe der anderen Schalteinrichtung
des Schalteinrichtungspaares
ausmachen.
6. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die
ersten und zweiten Schalteinrichtungen (34,36;42,45)
unterteilte Lade- und Entladewege für eine mit dem
Ausgangsanschluß (30) verbundene Lastkapazität (C)
schaffen.
7. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die
ersten und zweiten Schalteinrichtungen n-Kanal-MOS-
Transistoren (34,36) sind, die unterteilte Entladewege
für den Lastkondensator (30) schaffen.
8. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Schalteinrichtungen
p-Kanal-MOS-Transistoren (42,45) sind, die unterteilte Aufladungswege
wege für den Lastkondensator (30) schaffen.
9. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das
Paar der Schalteinrichtungen (25,26) einen ersten
p-Kanal-MOS-Transistor (25) und einen zweiten n-Kanal-
MOS-Transistor (36) umfaßt,
daß die ersten und zweiten Schalteinrichtungen den zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) und einen dritten n-Kanal-MOS-Transistor (34) umfassen,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungsinverter (31,33) enthält, der das Datensignal (a) verzögert,
daß der erste p-Kanal-MOS-Transistor (25) so geschaltet ist, daß er eine mit seiner Drain-Elektrode verbundene Lastkapazität (C) auf ein Datensignal (a) und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einer Gate-Elektrode des betreffenden Transistors über eine erste Verknüpfungsschaltung (21) zugeführt ist,
daß der zweite n-Kanal-MOS-Transistor (36) in Komplementärschaltung zu dem ersten p-Kanal-MOS-Transistor (25) in Reihe liegt und die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors direkt über eine zweite Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt ist,
und daß der dritte n-Kanal-MOS-Transistor (34) dem zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) parallelgeschaltet ist und die Lastkapazität (C) im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) auf das durch das Verzögerungselement (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (31) zugeführt ist.
daß die ersten und zweiten Schalteinrichtungen den zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) und einen dritten n-Kanal-MOS-Transistor (34) umfassen,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungsinverter (31,33) enthält, der das Datensignal (a) verzögert,
daß der erste p-Kanal-MOS-Transistor (25) so geschaltet ist, daß er eine mit seiner Drain-Elektrode verbundene Lastkapazität (C) auf ein Datensignal (a) und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einer Gate-Elektrode des betreffenden Transistors über eine erste Verknüpfungsschaltung (21) zugeführt ist,
daß der zweite n-Kanal-MOS-Transistor (36) in Komplementärschaltung zu dem ersten p-Kanal-MOS-Transistor (25) in Reihe liegt und die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors direkt über eine zweite Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt ist,
und daß der dritte n-Kanal-MOS-Transistor (34) dem zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) parallelgeschaltet ist und die Lastkapazität (C) im Zusammenwirken mit dem betreffenden zweiten n-Kanal-MOS-Transistor (36) auf das durch das Verzögerungselement (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einem Gate des betreffenden Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (31) zugeführt ist.
10. Ausgangspufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das
genannte Paar der Schalteinrichtungen einen ersten
n-Kanal-MOS-Transistor (26) und einen zweiten p-Kanal-
MOS-Transistor (45) umfaßt,
daß die ersten und zweiten Schalteinrichtungen einen zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) und einen dritten p-Kanal-MOS-Transistor (42) umfassen,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungsinverter (32,33) für die Verzögerung des Datensignals umfassen,
daß der erste n-Kanal-MOS-Transistor (26) so geschaltet ist, daß er eine mit einer Drain-Elektrode des betreffenden Transistors verbundene Lastkapazität (C) auf ein Datensignal (a) und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einer Gate-Elektrode des betreffenden Transistors über eine erste Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt ist,
daß der zweite p-Kanal-MOS-Transistor (45) in Komplementärschaltung mit dem ersten n-Kanal-MOS-Transistor (26) in Reihe geschaltet ist und die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal direkt einem Gate des betreffenden Transistors über eine zweite Verknüpfungsschaltung (21) zugeführt ist,
und daß der dritte P-Kanal-MOS-Transistor (42) dem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) parallelgeschaltet ist und im Zusammenwirken mit diesem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) die Lastkapazität (C) auf das durch die Verzögerungseinrichtung (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einer Gate- Elektrode des betreffenden Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (41) zugeführt ist.
daß die ersten und zweiten Schalteinrichtungen einen zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) und einen dritten p-Kanal-MOS-Transistor (42) umfassen,
daß die Verzögerungseinrichtung einen Verzögerungsinverter (32,33) für die Verzögerung des Datensignals umfassen,
daß der erste n-Kanal-MOS-Transistor (26) so geschaltet ist, daß er eine mit einer Drain-Elektrode des betreffenden Transistors verbundene Lastkapazität (C) auf ein Datensignal (a) und ein Ausgangssperrsignal (OD) hin entlädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal einer Gate-Elektrode des betreffenden Transistors über eine erste Verknüpfungsschaltung (22) zugeführt ist,
daß der zweite p-Kanal-MOS-Transistor (45) in Komplementärschaltung mit dem ersten n-Kanal-MOS-Transistor (26) in Reihe geschaltet ist und die Lastkapazität (C) auf das Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden Datensignal direkt einem Gate des betreffenden Transistors über eine zweite Verknüpfungsschaltung (21) zugeführt ist,
und daß der dritte P-Kanal-MOS-Transistor (42) dem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) parallelgeschaltet ist und im Zusammenwirken mit diesem zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (45) die Lastkapazität (C) auf das durch die Verzögerungseinrichtung (32,33) verzögerte Datensignal (a) und das Ausgangssperrsignal (OD) hin auflädt, welches zusammen mit dem betreffenden verzögerten Datensignal einer Gate- Elektrode des betreffenden Transistors über eine dritte Verknüpfungsschaltung (41) zugeführt ist.
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