JP2000282219A - 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 - Google Patents
有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置Info
- Publication number
- JP2000282219A JP2000282219A JP11095809A JP9580999A JP2000282219A JP 2000282219 A JP2000282219 A JP 2000282219A JP 11095809 A JP11095809 A JP 11095809A JP 9580999 A JP9580999 A JP 9580999A JP 2000282219 A JP2000282219 A JP 2000282219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- organic film
- temperature
- heating
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機膜真空蒸着法においてマスクに付着した
有機膜を容易に除去することができる有機膜真空蒸着用
マスク再生方法を提供する。 【解決手段】 マスクを用いた有機膜真空蒸着により前
記マスクに付着した有機膜を除去するマスクの再生方法
において、前記マスクに付着した有機膜を加熱処理によ
り真空を破らずに除去する有機膜真空蒸着用マスク再生
方法。
有機膜を容易に除去することができる有機膜真空蒸着用
マスク再生方法を提供する。 【解決手段】 マスクを用いた有機膜真空蒸着により前
記マスクに付着した有機膜を除去するマスクの再生方法
において、前記マスクに付着した有機膜を加熱処理によ
り真空を破らずに除去する有機膜真空蒸着用マスク再生
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機膜真空蒸着用
マスク再生方法及び装置に関し、例えば有機ＥＬディス
プレイなどマスク成膜が必要な有機膜の成膜に用いたマ
スクに付着した有機膜を除去するマスクの再生方法及び
装置に関するものである。
マスク再生方法及び装置に関し、例えば有機ＥＬディス
プレイなどマスク成膜が必要な有機膜の成膜に用いたマ
スクに付着した有機膜を除去するマスクの再生方法及び
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬのディスプレイなどの製作に
は、有機膜真空蒸着法によりマスクを用いたマスク成膜
技術によるパターニングが行われている。前記マスクに
有機膜が堆積してくると前記マスクの開口が目詰まりを
おこしたり、堆積した有機膜の影響でパターンずれが発
生し素子の不良の原因となる。これを、防止するために
一般的には、真空槽を大気に開放し、前記マスクを取り
出し堆積した有機膜の除去を行うか、新しいマスクに交
換することが行われている。有機膜の除去を行う方法
は、大気に取り出し、有機溶剤で有機膜を溶かす方法
や、ブラスト処理のような方法により有機膜を削り取る
のが一般的なマスクの再生方法である。
は、有機膜真空蒸着法によりマスクを用いたマスク成膜
技術によるパターニングが行われている。前記マスクに
有機膜が堆積してくると前記マスクの開口が目詰まりを
おこしたり、堆積した有機膜の影響でパターンずれが発
生し素子の不良の原因となる。これを、防止するために
一般的には、真空槽を大気に開放し、前記マスクを取り
出し堆積した有機膜の除去を行うか、新しいマスクに交
換することが行われている。有機膜の除去を行う方法
は、大気に取り出し、有機溶剤で有機膜を溶かす方法
や、ブラスト処理のような方法により有機膜を削り取る
のが一般的なマスクの再生方法である。
【０００３】また、従来の真空処理装置における真空中
での堆積膜の除去方法は、例えば特開平８−３１９５８
６号公報にあるように、図５に示すプラズマ用電極１２
と対向アース電極１３を有する真空槽５に、エッチング
ガス１４を流しプラズマを発生させ、膜（残留生成物）
をエッチングする方法が行われている。
での堆積膜の除去方法は、例えば特開平８−３１９５８
６号公報にあるように、図５に示すプラズマ用電極１２
と対向アース電極１３を有する真空槽５に、エッチング
ガス１４を流しプラズマを発生させ、膜（残留生成物）
をエッチングする方法が行われている。
【０００４】この方法は、一般的には、真空槽内にプラ
ズマ発生用の電極を持った、プラズマＣＶＤ装置、エッ
チング装置の膜除去、及び副成生物の除去に用いられ、
成膜材料を真空槽内に持つ、スパッタリング装置には用
いられない。これは、カソードにボンディングされたタ
ーゲット材料がエッチングされてしまうからである。
ズマ発生用の電極を持った、プラズマＣＶＤ装置、エッ
チング装置の膜除去、及び副成生物の除去に用いられ、
成膜材料を真空槽内に持つ、スパッタリング装置には用
いられない。これは、カソードにボンディングされたタ
ーゲット材料がエッチングされてしまうからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、有機Ｅ
Ｌディスプレイなどのマスク成膜において、マスクに付
着した膜を除去せずに成膜を続けると、パターンずれ不
良や前記マスクの目詰まりによるパターン不良が発生す
る。そこで、マスクのクリーニングまたは交換が必要に
なる。パターンの高精細化が進めば、マスクの目詰まり
は、顕著になる。
Ｌディスプレイなどのマスク成膜において、マスクに付
着した膜を除去せずに成膜を続けると、パターンずれ不
良や前記マスクの目詰まりによるパターン不良が発生す
る。そこで、マスクのクリーニングまたは交換が必要に
なる。パターンの高精細化が進めば、マスクの目詰まり
は、顕著になる。
【０００６】また、有機材料は吸湿性があり、材料の脱
ガスや脱水を充分に行わないと有機ＥＬ素子などは、寿
命が著しく低下することが知られている。マスクに付着
した有機膜を除去するために、真空槽を一旦大気に開放
すると、真空槽及び有機材料の水分除去など、成膜でき
る状態に復帰させるまでに非常に時間がかかり、生産効
率が低下してしまう。
ガスや脱水を充分に行わないと有機ＥＬ素子などは、寿
命が著しく低下することが知られている。マスクに付着
した有機膜を除去するために、真空槽を一旦大気に開放
すると、真空槽及び有機材料の水分除去など、成膜でき
る状態に復帰させるまでに非常に時間がかかり、生産効
率が低下してしまう。
【０００７】また、前記マスクを交換した場合、前記マ
スクの位置合わせをその都度行う必要がある。この作業
は、数十μｍから数μｍの精度で位置合わせする必要が
あり、作業が煩雑であり、位置調整機構や位置合わせの
確認できるモニター機構を取り付けておく必要がある。
スクの位置合わせをその都度行う必要がある。この作業
は、数十μｍから数μｍの精度で位置合わせする必要が
あり、作業が煩雑であり、位置調整機構や位置合わせの
確認できるモニター機構を取り付けておく必要がある。
【０００８】また、特開平８−３１９５８６号公報にあ
るようなプラズマを発生させ、真空中で膜を除去する方
法は、以下の理由で有機膜の真空蒸着には不向きであ
る。１．膜のエッチングのためだけにプラズマを発生さ
せるための電極、電源が必要となる。２．プラズマエッ
チングは、エッチングガスを使用するため排ガス処理装
置やガス供給装置などの設備が必要になる。ガス処理設
備は、既設の設備を使用できれば、問題ないが、新規に
設備しようとすれば、多額の費用が必要である。３．エ
ッチング電極、電源を有機膜蒸着装置内部に付加させよ
うとすると、電極シールドや、高周波用フィードスルー
など、内部の構造が非常に複雑になる。４．プラズマに
よるエッチングの問題点として、プラズマによって発生
された反応ガスのラジカルによって蒸発源ルツボ内の有
機材料まで除去されてしまうことがある。有機膜蒸着方
法においては、前記マスクに付着した有機膜のみを除去
する必要がある。
るようなプラズマを発生させ、真空中で膜を除去する方
法は、以下の理由で有機膜の真空蒸着には不向きであ
る。１．膜のエッチングのためだけにプラズマを発生さ
せるための電極、電源が必要となる。２．プラズマエッ
チングは、エッチングガスを使用するため排ガス処理装
置やガス供給装置などの設備が必要になる。ガス処理設
備は、既設の設備を使用できれば、問題ないが、新規に
設備しようとすれば、多額の費用が必要である。３．エ
ッチング電極、電源を有機膜蒸着装置内部に付加させよ
うとすると、電極シールドや、高周波用フィードスルー
など、内部の構造が非常に複雑になる。４．プラズマに
よるエッチングの問題点として、プラズマによって発生
された反応ガスのラジカルによって蒸発源ルツボ内の有
機材料まで除去されてしまうことがある。有機膜蒸着方
法においては、前記マスクに付着した有機膜のみを除去
する必要がある。
【０００９】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、有機膜真空蒸着法にお
いて真空槽内の前記マスクに付着した有機膜を、真空槽
を大気圧に開放すること無しに、プラズマによるエッチ
ングを使用せずに容易に除去することができる有機膜真
空蒸着用マスク再生方法及び装置を提供することを目的
とするものである。
するためになされたものであり、有機膜真空蒸着法にお
いて真空槽内の前記マスクに付着した有機膜を、真空槽
を大気圧に開放すること無しに、プラズマによるエッチ
ングを使用せずに容易に除去することができる有機膜真
空蒸着用マスク再生方法及び装置を提供することを目的
とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、マスクを用いた有機膜真空蒸着により前記マスク
に付着した有機膜を除去するマスクの再生方法におい
て、前記マスクに付着した有機膜を加熱処理により真空
を破らずに除去する事を特徴とする有機膜真空蒸着用マ
スク再生方法である。
明は、マスクを用いた有機膜真空蒸着により前記マスク
に付着した有機膜を除去するマスクの再生方法におい
て、前記マスクに付着した有機膜を加熱処理により真空
を破らずに除去する事を特徴とする有機膜真空蒸着用マ
スク再生方法である。
【００１１】前記加熱処理は、マスクを有機膜の有機材
料の蒸発温度又は昇華温度以上に昇温し付着した有機膜
を除去する事を特徴とする。前記加熱処理は、輻射加熱
または伝導加熱できるヒーターを使用して、有機膜の有
機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマスクを昇温し付
着した有機膜を除去するのが好ましい。前記加熱処理
は、前記マスクに直接電流を流してジュール熱で有機膜
の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上に前記マスクを
昇温し付着した有機膜を除去するのが好ましい。前記加
熱処理は、誘導加熱により有機膜の有機材料の蒸発温度
又は昇華温度以上に前記マスクを昇温し付着した有機膜
を除去するのが好ましい。
料の蒸発温度又は昇華温度以上に昇温し付着した有機膜
を除去する事を特徴とする。前記加熱処理は、輻射加熱
または伝導加熱できるヒーターを使用して、有機膜の有
機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマスクを昇温し付
着した有機膜を除去するのが好ましい。前記加熱処理
は、前記マスクに直接電流を流してジュール熱で有機膜
の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上に前記マスクを
昇温し付着した有機膜を除去するのが好ましい。前記加
熱処理は、誘導加熱により有機膜の有機材料の蒸発温度
又は昇華温度以上に前記マスクを昇温し付着した有機膜
を除去するのが好ましい。
【００１２】本発明の第二の発明は、蒸発源、マスク、
真空槽および排気装置にて構成される有機膜真空蒸着装
置において、有機膜真空蒸着によりマスクに付着した有
機膜を加熱処理により真空を破らずに除去するマスク再
生手段を具備することを特徴とする有機膜真空蒸着装置
である。
真空槽および排気装置にて構成される有機膜真空蒸着装
置において、有機膜真空蒸着によりマスクに付着した有
機膜を加熱処理により真空を破らずに除去するマスク再
生手段を具備することを特徴とする有機膜真空蒸着装置
である。
【００１３】前記マスク再生手段が、マスクを輻射加熱
または伝導加熱できるヒーター、該ヒーターの温度を制
御できる電源で構成され、前記マスクに付着した有機膜
の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマスクをヒー
ターにより昇温して付着した有機膜を除去する加熱手段
からなるのが好ましい。
または伝導加熱できるヒーター、該ヒーターの温度を制
御できる電源で構成され、前記マスクに付着した有機膜
の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマスクをヒー
ターにより昇温して付着した有機膜を除去する加熱手段
からなるのが好ましい。
【００１４】前記マスク再生手段が、マスクに電流を流
すことができる配線、フィードスルー及び前記マスクの
温度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着し
た有機膜の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマス
クを電流のジュール熱により昇温して付着した有機膜を
除去する加熱手段からなるのが好ましい。
すことができる配線、フィードスルー及び前記マスクの
温度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着し
た有機膜の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマス
クを電流のジュール熱により昇温して付着した有機膜を
除去する加熱手段からなるのが好ましい。
【００１５】前記マスク再生手段が、誘導加熱するため
の誘導コイルおよび誘導加熱用高周波電源で構成され、
前記マスクに付着した有機膜の有機材料の蒸発温度又は
昇華温度以上にマスクを電磁誘導により昇温して付着し
た有機膜を除去する加熱手段からなるのが好ましい。
の誘導コイルおよび誘導加熱用高周波電源で構成され、
前記マスクに付着した有機膜の有機材料の蒸発温度又は
昇華温度以上にマスクを電磁誘導により昇温して付着し
た有機膜を除去する加熱手段からなるのが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法は、マスクを
用いた有機膜真空蒸着方法において、前記マスクに付着
した有機膜を、加熱処理により真空を破らずに除去する
事を特徴とする。
本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法は、マスクを
用いた有機膜真空蒸着方法において、前記マスクに付着
した有機膜を、加熱処理により真空を破らずに除去する
事を特徴とする。
【００１７】また、本発明の有機膜真空蒸着装置は、蒸
発源、マスク、真空槽、排気装置にて構成される有機膜
真空蒸着装置において、前記マスクを輻射加熱、また
は、伝導加熱できるヒーター、及び、前記ヒーターの温
度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着した
有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上に前記マスクを輻
射加熱または伝導加熱できるヒーターにより昇温させる
ことができる事、あるいは前記マスクに電流を流すこ
とができる配線、フィードスルー、及び、前記マスクの
温度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着し
た有機材料の蒸発温度又は、昇華温度以上に前記マスク
に、電流を流しジュール熱により、前記マスクを昇温さ
せることができる事、または誘導加熱するための誘導
コイルおよび誘導加熱用高周波電源で構成され、前記マ
スクを電磁誘導により、材料の蒸発温度又は、昇華温度
以上に昇温させることができる事を特徴とする。
発源、マスク、真空槽、排気装置にて構成される有機膜
真空蒸着装置において、前記マスクを輻射加熱、また
は、伝導加熱できるヒーター、及び、前記ヒーターの温
度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着した
有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上に前記マスクを輻
射加熱または伝導加熱できるヒーターにより昇温させる
ことができる事、あるいは前記マスクに電流を流すこ
とができる配線、フィードスルー、及び、前記マスクの
温度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着し
た有機材料の蒸発温度又は、昇華温度以上に前記マスク
に、電流を流しジュール熱により、前記マスクを昇温さ
せることができる事、または誘導加熱するための誘導
コイルおよび誘導加熱用高周波電源で構成され、前記マ
スクを電磁誘導により、材料の蒸発温度又は、昇華温度
以上に昇温させることができる事を特徴とする。
【００１８】従来の問題点は、上記のように膜の除去を
行うために大気開放すると真空槽、及び有機材料の水分
除去など、成膜できる状態に復帰させるまでに非常に時
間がかかることであり、前記マスクの位置合わせに、複
雑な位置合わせ機構及びモニター機構が必要なことであ
る。
行うために大気開放すると真空槽、及び有機材料の水分
除去など、成膜できる状態に復帰させるまでに非常に時
間がかかることであり、前記マスクの位置合わせに、複
雑な位置合わせ機構及びモニター機構が必要なことであ
る。
【００１９】また、従来のような、真空中での膜除去に
は、エッチングガスと、プラズマ電源、電極、排ガス処
理設備など多額な投資が必要なこと、プラズマによって
発生された反応ガスのラジカルによって蒸発源ルツボ内
の有機材料まで除去されてしまう問題がある。
は、エッチングガスと、プラズマ電源、電極、排ガス処
理設備など多額な投資が必要なこと、プラズマによって
発生された反応ガスのラジカルによって蒸発源ルツボ内
の有機材料まで除去されてしまう問題がある。
【００２０】本発明では、上記の方法により、真空槽内
の前記マスクに付着した膜を、大気圧に開放すること無
しに、プラズマによるエッチングを使用せずに、有機膜
を除去することができた。
の前記マスクに付着した膜を、大気圧に開放すること無
しに、プラズマによるエッチングを使用せずに、有機膜
を除去することができた。
【００２１】有機膜は、真空中で比較的低い（約３００
℃以下）温度で蒸発又は昇華することから、前記マスク
に付着した材料の蒸発温度又は昇華温度より前記マスク
を高温に加熱することで膜を除去することができる。こ
の加熱機構により、前記マスクに付着した有機膜は、蒸
発し、蒸発した材料は、防着板などの温度の低い部分に
再付着する。
℃以下）温度で蒸発又は昇華することから、前記マスク
に付着した材料の蒸発温度又は昇華温度より前記マスク
を高温に加熱することで膜を除去することができる。こ
の加熱機構により、前記マスクに付着した有機膜は、蒸
発し、蒸発した材料は、防着板などの温度の低い部分に
再付着する。
【００２２】また、この方法によれば、蒸発源ルツボの
直上に輻射熱防止用のシャッターがあれば蒸発源ルツボ
内の有機材料が、昇温され蒸発してしまうことは無い。
メンテナンス時の前記マスク交換がないため、前記マス
ク位置合わせは最初にセットするときに行えば良く、有
機膜の除去後のパターニングの再現性が良好であること
が確認することができた。
直上に輻射熱防止用のシャッターがあれば蒸発源ルツボ
内の有機材料が、昇温され蒸発してしまうことは無い。
メンテナンス時の前記マスク交換がないため、前記マス
ク位置合わせは最初にセットするときに行えば良く、有
機膜の除去後のパターニングの再現性が良好であること
が確認することができた。
【００２３】前記マスク加熱方法として、次の３つの手
段が挙げられる。 １．輻射加熱または伝導加熱できるヒーターにより前記
マスクを加熱する。 ２．前記マスクに直接電流を流し、ジュール熱で加熱す
る。 ３．誘導加熱コイルと、高周波電源により電磁誘導によ
り前記マスクを加熱する。
段が挙げられる。 １．輻射加熱または伝導加熱できるヒーターにより前記
マスクを加熱する。 ２．前記マスクに直接電流を流し、ジュール熱で加熱す
る。 ３．誘導加熱コイルと、高周波電源により電磁誘導によ
り前記マスクを加熱する。
【００２４】本発明において用いられる有機膜として
は、例えばトリアリールアミン系化合物、フタロシアニ
ン系化合物、キノリン系化合物の金属錯体、スチルベン
系化合物、オキサジアゾール系化合物、縮合芳香族環、
ヘテロ環系化合物等の膜が挙げられるが、もちろんこれ
らに限定されるものではない。
は、例えばトリアリールアミン系化合物、フタロシアニ
ン系化合物、キノリン系化合物の金属錯体、スチルベン
系化合物、オキサジアゾール系化合物、縮合芳香族環、
ヘテロ環系化合物等の膜が挙げられるが、もちろんこれ
らに限定されるものではない。
【００２５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２６】実施例１ 図１は本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の一実
施態様を示す概略図である。同図１は、ヒーターを用い
てマスクに付着した膜を除去する方法を示した図であ
る。１は基板及び基板ホルダー、２は基板に有機材料を
パターニング蒸着するためのマスク、３は成膜時間を管
理するためのシャッター、４は成膜材料を蒸発させるた
めの蒸発源、５は蒸着可能な圧力を維持するための真空
槽、６は不要な部分に着膜することを防ぐ防着板、７は
ヒーター用の温度制御可能な電源、８はマスクに着膜し
た材料を除去するための加熱ヒーター（今回はシースヒ
ーターを使用した）を示す。
施態様を示す概略図である。同図１は、ヒーターを用い
てマスクに付着した膜を除去する方法を示した図であ
る。１は基板及び基板ホルダー、２は基板に有機材料を
パターニング蒸着するためのマスク、３は成膜時間を管
理するためのシャッター、４は成膜材料を蒸発させるた
めの蒸発源、５は蒸着可能な圧力を維持するための真空
槽、６は不要な部分に着膜することを防ぐ防着板、７は
ヒーター用の温度制御可能な電源、８はマスクに着膜し
た材料を除去するための加熱ヒーター（今回はシースヒ
ーターを使用した）を示す。
【００２７】実験方法及び結果を以下に示す。真空槽５
内圧力をｌ×１０-4Ｐａ以下に排気した後、蒸発源４
（クヌーセンセル）を約２５０℃にコントロールする。
水晶式膜厚モニターにより蒸着速度が安定すること（約
０．２ｎｍ／ｓ）を確認し、シャッター３を開き成膜を
開始する。水晶式膜厚モニターで０．３μｍの膜厚が着
膜したことを確認しシャッター３を閉める。この膜厚の
成膜を１０回行い、成膜されたパターンの測定を行っ
た。
内圧力をｌ×１０-4Ｐａ以下に排気した後、蒸発源４
（クヌーセンセル）を約２５０℃にコントロールする。
水晶式膜厚モニターにより蒸着速度が安定すること（約
０．２ｎｍ／ｓ）を確認し、シャッター３を開き成膜を
開始する。水晶式膜厚モニターで０．３μｍの膜厚が着
膜したことを確認しシャッター３を閉める。この膜厚の
成膜を１０回行い、成膜されたパターンの測定を行っ
た。
【００２８】マスクに、付着した総膜厚は約３μｍであ
る。テスト用マスクパターンを図２に示す。穴は５０μ
ｍ角、穴間隔は３０μｍのパターニングがされている。
１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲で成
膜ができたのに対し、１０回成膜後は、４６μｍ〜４９
μｍの誤差になった。
る。テスト用マスクパターンを図２に示す。穴は５０μ
ｍ角、穴間隔は３０μｍのパターニングがされている。
１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲で成
膜ができたのに対し、１０回成膜後は、４６μｍ〜４９
μｍの誤差になった。
【００２９】ここで、真空中でマスクを３００℃に加熱
し、１０分保持し、膜の除去を行い、常温になるのを待
ち再度成膜を行った。パターンを測定した結果は、４９
μｍ〜５０μｍの誤差範囲に収まった。この結果より、
マスクに付着した膜は、マスクを加熱することにより除
去されたと判断できる。
し、１０分保持し、膜の除去を行い、常温になるのを待
ち再度成膜を行った。パターンを測定した結果は、４９
μｍ〜５０μｍの誤差範囲に収まった。この結果より、
マスクに付着した膜は、マスクを加熱することにより除
去されたと判断できる。
【００３０】実施例２ 図３は本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の他の
実施態様を示す概略図である。同図３は、マスクに直接
電流を流し、ジュール熱でマスクを加熱し、マスクに付
着した膜を除去する方法を示した図である。１は基板及
び基板ホルダー、２は基板に有機材料をパターニング蒸
着するためのマスク、３は成膜時間を管理するためのシ
ャッター、４は成膜材料を蒸発させるための蒸発源、５
は蒸着可能な圧力を維持するための真空槽、６は不要な
部分に着膜することを防ぐ防着板、７はマスク加熱のた
めのスライダック電源を示す。９は電流を真空槽内に導
入するためのフィードスルーを示す。１０は真空槽内配
線を示す。
実施態様を示す概略図である。同図３は、マスクに直接
電流を流し、ジュール熱でマスクを加熱し、マスクに付
着した膜を除去する方法を示した図である。１は基板及
び基板ホルダー、２は基板に有機材料をパターニング蒸
着するためのマスク、３は成膜時間を管理するためのシ
ャッター、４は成膜材料を蒸発させるための蒸発源、５
は蒸着可能な圧力を維持するための真空槽、６は不要な
部分に着膜することを防ぐ防着板、７はマスク加熱のた
めのスライダック電源を示す。９は電流を真空槽内に導
入するためのフィードスルーを示す。１０は真空槽内配
線を示す。
【００３１】実施例１と同様の実験を行った。その実験
方法及び結果を以下に示す。真空槽内圧力をｌ×１０-4
Ｐａ以下に排気した後、蒸発源（クヌーセンセル）を約
２５０℃にコントロールする。水晶式膜厚モニターによ
り蒸着速度が安定すること（約０．２ｎｍ／ｓ）を確認
し、シャッターを開き成膜を開始する。水晶式膜厚モニ
ターで０．３μｍの膜厚が着膜したことを確認しシャッ
ターを閉める。この膜厚の成膜を１０回行い、成膜され
たパターンの測定を行った。
方法及び結果を以下に示す。真空槽内圧力をｌ×１０-4
Ｐａ以下に排気した後、蒸発源（クヌーセンセル）を約
２５０℃にコントロールする。水晶式膜厚モニターによ
り蒸着速度が安定すること（約０．２ｎｍ／ｓ）を確認
し、シャッターを開き成膜を開始する。水晶式膜厚モニ
ターで０．３μｍの膜厚が着膜したことを確認しシャッ
ターを閉める。この膜厚の成膜を１０回行い、成膜され
たパターンの測定を行った。
【００３２】テスト用マスクパターンは実施例１と同じ
物を使用した。１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍ
の誤差範囲で成膜ができたのに対し、１０回成膜後は、
４６μｍ〜４９μｍの誤差になった。ここで、真空中で
マスクを３００℃になるようにスライダック電源の電圧
を設定し加熱、１０分保持し、膜の除去を行い、常温に
なるのを待ち再度成膜を行った。パターンを測定した結
果は、実施例１と同様に４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲
に収まった。この結果より、マスクに付着した膜は、マ
スクを加熱することにより除去されたと判断できる。
物を使用した。１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍ
の誤差範囲で成膜ができたのに対し、１０回成膜後は、
４６μｍ〜４９μｍの誤差になった。ここで、真空中で
マスクを３００℃になるようにスライダック電源の電圧
を設定し加熱、１０分保持し、膜の除去を行い、常温に
なるのを待ち再度成膜を行った。パターンを測定した結
果は、実施例１と同様に４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲
に収まった。この結果より、マスクに付着した膜は、マ
スクを加熱することにより除去されたと判断できる。
【００３３】実施例３ 図４は本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の他の
実施態様を示す概略図である。同図４は、マスク加熱方
法として、誘導加熱を用いてマスクに付着した膜を除去
する方法を示した図である。７は誘導加熱用高周波電源
を示し、今回は１０ｋＨｚの周波数の電源を使用した。
９は真空槽内に高周波を導入するためのフィードスル
ー、１０は真空槽内配線、１１はマスクを誘導加熱する
ための誘導加熱コイルを示す。誘導コイルは、放電防止
のための絶縁処理（セラミックコ―ティング）がなされ
ている。
実施態様を示す概略図である。同図４は、マスク加熱方
法として、誘導加熱を用いてマスクに付着した膜を除去
する方法を示した図である。７は誘導加熱用高周波電源
を示し、今回は１０ｋＨｚの周波数の電源を使用した。
９は真空槽内に高周波を導入するためのフィードスル
ー、１０は真空槽内配線、１１はマスクを誘導加熱する
ための誘導加熱コイルを示す。誘導コイルは、放電防止
のための絶縁処理（セラミックコ―ティング）がなされ
ている。
【００３４】実施例１と同様の実験を行った。その実験
方法及び結果を以下に示す。真空槽内圧力をｌ×１０-4
Ｐａ以下に排気した後、蒸発源を（クヌーセンセル）を
約２５０℃にコントロールする。水晶式膜厚モニターに
より蒸着速度が安定すること（約０．２ｎｍ／ｓ）を確
認し、シャッターを開き成膜を開始する。水晶式膜厚モ
ニターで０．３μｍの膜厚が着膜したことを確認しシャ
ッターを閉める。この膜厚の成膜を１０回行い、成膜さ
れたパターンの測定を行った。
方法及び結果を以下に示す。真空槽内圧力をｌ×１０-4
Ｐａ以下に排気した後、蒸発源を（クヌーセンセル）を
約２５０℃にコントロールする。水晶式膜厚モニターに
より蒸着速度が安定すること（約０．２ｎｍ／ｓ）を確
認し、シャッターを開き成膜を開始する。水晶式膜厚モ
ニターで０．３μｍの膜厚が着膜したことを確認しシャ
ッターを閉める。この膜厚の成膜を１０回行い、成膜さ
れたパターンの測定を行った。
【００３５】テスト用マスクパターンは実施例１と同じ
物を使用した。１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍ
の誤差範囲で成膜ができたのに対し、１０回成膜後は、
４６μｍ〜４９μｍの誤差になった。ここで、真空中で
マスクを３００℃になるように高周波電源の出力を設定
し加熱、１０分保持し、膜の除去を行い、常温になるの
を待ち再度成膜を行った。パターンを測定した結果は、
実施例１及び２と同様に４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲
に収まった。この結果より、マスクに付着した膜は、マ
スクを加熱することにより除去されたと判断できる。
物を使用した。１回目の成膜では、４９μｍ〜５０μｍ
の誤差範囲で成膜ができたのに対し、１０回成膜後は、
４６μｍ〜４９μｍの誤差になった。ここで、真空中で
マスクを３００℃になるように高周波電源の出力を設定
し加熱、１０分保持し、膜の除去を行い、常温になるの
を待ち再度成膜を行った。パターンを測定した結果は、
実施例１及び２と同様に４９μｍ〜５０μｍの誤差範囲
に収まった。この結果より、マスクに付着した膜は、マ
スクを加熱することにより除去されたと判断できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば以下
に示す効果が得られる。 １）成膜後、容易に有機膜を除去でき、毎回クリーニン
グ可能になるため、実施例に示したように再現性の良い
パターニング精度が得られる。 ２）真空槽を大気開放するサイクルが延びる。材料の投
入サイクルで真空槽を大気開放すれば良く、少なくとも
クリーニング機構がないときに比べ２〜３倍以上（材料
の投入量や膜厚によって異なる）に延びる。
に示す効果が得られる。 １）成膜後、容易に有機膜を除去でき、毎回クリーニン
グ可能になるため、実施例に示したように再現性の良い
パターニング精度が得られる。 ２）真空槽を大気開放するサイクルが延びる。材料の投
入サイクルで真空槽を大気開放すれば良く、少なくとも
クリーニング機構がないときに比べ２〜３倍以上（材料
の投入量や膜厚によって異なる）に延びる。
【００３７】真空槽を、一度大気に開放した後、成膜で
きる状態（真空の圧力、水の分圧など）に戻すまで、真
空排気で１時間、ベーキング３時間、ベーキング後の真
空排気に５時間、合計９時間を要している。この時間を
必要とする回数が減少するため生産効率が向上する。
きる状態（真空の圧力、水の分圧など）に戻すまで、真
空排気で１時間、ベーキング３時間、ベーキング後の真
空排気に５時間、合計９時間を要している。この時間を
必要とする回数が減少するため生産効率が向上する。
【００３８】３）マスクをメンテナンス時に取り外さな
いため、マスクの位置調整は、最初にセットする時のみ
であリマスクの位置調整機構が必要なくなる。マスク位
置調整機構は、方法、形状により価格は異なるが大幅の
コストダウンとなる。 ４）マスク交換時の、マスク位置調整に要する時間は、
１回あたり約４時間必要であるが、この時間が不要とな
る。 ５）マスクに付着した有機膜のみ除去できる。プラズマ
エッチングのように、蒸発源ルツボに内の材料まで除去
してしまうことがない。
いため、マスクの位置調整は、最初にセットする時のみ
であリマスクの位置調整機構が必要なくなる。マスク位
置調整機構は、方法、形状により価格は異なるが大幅の
コストダウンとなる。 ４）マスク交換時の、マスク位置調整に要する時間は、
１回あたり約４時間必要であるが、この時間が不要とな
る。 ５）マスクに付着した有機膜のみ除去できる。プラズマ
エッチングのように、蒸発源ルツボに内の材料まで除去
してしまうことがない。
【図１】本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の一
実施態様を示す概略図である。
実施態様を示す概略図である。
【図２】本発明の実施例１に使用したテストマスクを示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の他
の実施態様を示す概略図である。
の実施態様を示す概略図である。
【図４】本発明の有機膜真空蒸着用マスク再生方法の他
の実施態様を示す概略図である。
の実施態様を示す概略図である。
【図５】従来の真空処理装置を示す説明図である。
１ 基板および基板ホルダー ２ マスク ３ シャッター ４ 蒸発源 ５ 真空槽 ６ 防着板 ７ 電源 ８ 加熱ヒーター ９ フィードスルー １０ 真空内配線 １１ 誘導加熱コイル １２ プラズマ用電極 １３ 対向アース電極 １４ 排気装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 和則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BA62 DA09 HA01
Claims (9)
- 【請求項１】 マスクを用いた有機膜真空蒸着により前
記マスクに付着した有機膜を除去するマスクの再生方法
において、前記マスクに付着した有機膜を加熱処理によ
り真空を破らずに除去する事を特徴とする有機膜真空蒸
着用マスク再生方法。 - 【請求項２】 前記加熱処理が、マスクを有機膜の有機
材料の蒸発温度又は昇華温度以上に昇温し付着した有機
膜を除去する事を特徴とする請求項１に記載の有機膜真
空蒸着用マスク再生方法。 - 【請求項３】 前記加熱処理が、輻射加熱または伝導加
熱できるヒーターを使用して、有機膜の有機材料の蒸発
温度又は昇華温度以上にマスクを昇温し付着した有機膜
を除去する事を特徴とする請求項１または２に記載の有
機膜真空蒸着用マスク再生方法。 - 【請求項４】 前記加熱処理が、前記マスクに直接電流
を流してジュール熱で有機膜の有機材料の蒸発温度又は
昇華温度以上に前記マスクを昇温し付着した有機膜を除
去する事を特徴とする請求項１または２に記載の有機膜
真空蒸着用マスク再生方法。 - 【請求項５】 前記加熱処理が、誘導加熱により有機膜
の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上に前記マスクを
昇温し付着した有機膜を除去する事を特徴とする請求項
１または２に記載の有機膜真空蒸着用マスク再生方法。 - 【請求項６】 蒸発源、マスク、真空槽および排気装置
にて構成される有機膜真空蒸着装置において、有機膜真
空蒸着によりマスクに付着した有機膜を加熱処理により
真空を破らずに除去するマスク再生手段を具備すること
を特徴とする有機膜真空蒸着装置。 - 【請求項７】 前記マスク再生手段が、マスクを輻射加
熱または伝導加熱できるヒーター、該ヒーターの温度を
制御できる電源で構成され、前記マスクに付着した有機
膜の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマスクをヒ
ーターにより昇温して付着した有機膜を除去する加熱手
段からなる請求項６に記載の有機膜真空蒸着装置。 - 【請求項８】 前記マスク再生手段が、マスクに電流を
流すことができる配線、フィードスルー及び前記マスク
の温度を制御できる電源で構成され、前記マスクに付着
した有機膜の有機材料の蒸発温度又は昇華温度以上にマ
スクを電流のジュール熱により昇温して付着した有機膜
を除去する加熱手段からなる請求項６に記載の有機膜真
空蒸着装置。 - 【請求項９】 前記マスク再生手段が、誘導加熱するた
めの誘導コイルおよび誘導加熱用高周波電源で構成さ
れ、前記マスクに付着した有機膜の有機材料の蒸発温度
又は昇華温度以上にマスクを電磁誘導により昇温して付
着した有機膜を除去する加熱手段からなる請求項６に記
載の有機膜真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09580999A JP3734239B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09580999A JP3734239B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000282219A true JP2000282219A (ja) | 2000-10-10 |
| JP3734239B2 JP3734239B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=14147764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09580999A Expired - Fee Related JP3734239B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3734239B2 (ja) |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1319732A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and method and cleaning method |
| JP2004300495A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 |
| US7115168B2 (en) * | 2002-09-24 | 2006-10-03 | Optoelectronic Systems | Patterned thin-film deposition using collimating heated masked assembly |
| CN100405529C (zh) * | 2002-06-03 | 2008-07-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 气相淀积设备 |
| US7459029B2 (en) | 2003-12-02 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus and electro optical device |
| US7583020B2 (en) | 2002-12-12 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| DE112007002217T5 (de) | 2006-09-29 | 2009-09-10 | Tokyo Electron Limited | Bedampfungsvorrichtung |
| DE112007002218T5 (de) | 2006-09-29 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| DE112007002293T5 (de) | 2006-09-27 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung |
| US7629025B2 (en) | 2001-02-08 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
| DE112008000313T5 (de) | 2007-02-01 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungseinrichtung, Bedampfungsverfahren sowie Herstellverfahren für die Bedampfungseinrichtung |
| US7973345B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate |
| JP4844702B1 (ja) * | 2010-05-10 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | マスキング治具、基板加熱装置、及び成膜方法 |
| JP2012127711A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法 |
| CN102650031A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-08-29 | 彩虹（佛山）平板显示有限公司 | 一种mask表面附着有机物的清除方法 |
| KR101193189B1 (ko) | 2009-08-25 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| US8486737B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| TWI427839B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-02-21 | Ind Tech Res Inst | 薄膜圖案的沉積裝置與方法 |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| CN110476483A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-19 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置的制造方法及制造装置 |
| JP2020200499A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社アルバック | 成膜システム、および、成膜方法 |
| CN114798599A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩模版清洗设备和掩模版清洗方法 |
| WO2023074331A1 (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-04 | 吉林Ｏｌｅｄ日本研究所株式会社 | 蒸着装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610117A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-18 | Sony Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、レーザー光照射装置及びボンバード装置 |
| JPH07145472A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜成膜用マスクとその洗浄方法 |
| JPH08124677A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JPH1053857A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Mitsubishi Kagaku Kk | マスキング治具およびその再生方法 |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP09580999A patent/JP3734239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610117A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-18 | Sony Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、レーザー光照射装置及びボンバード装置 |
| JPH07145472A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜成膜用マスクとその洗浄方法 |
| JPH08124677A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JPH1053857A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Mitsubishi Kagaku Kk | マスキング治具およびその再生方法 |
Cited By (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629025B2 (en) | 2001-02-08 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
| JP2012214908A (ja) * | 2001-02-08 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 膜の形成方法 |
| US7763320B2 (en) | 2001-12-12 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| KR100955595B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2010-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 막 형성장치와 막 형성 방법 및 클리닝 방법 |
| EP1319732A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and method and cleaning method |
| CN1319116C (zh) * | 2001-12-12 | 2007-05-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 膜形成装置、膜形成方法以及形成el器件的方法 |
| US7316983B2 (en) | 2001-12-12 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| US6776847B2 (en) | 2001-12-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| JP2012162806A (ja) * | 2001-12-12 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | クリーニング方法 |
| SG114589A1 (en) * | 2001-12-12 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| CN100405529C (zh) * | 2002-06-03 | 2008-07-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 气相淀积设备 |
| US7115168B2 (en) * | 2002-09-24 | 2006-10-03 | Optoelectronic Systems | Patterned thin-film deposition using collimating heated masked assembly |
| US7583020B2 (en) | 2002-12-12 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| US8709540B2 (en) | 2002-12-12 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| JP2004300495A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 |
| USRE42248E1 (en) * | 2003-12-02 | 2011-03-29 | Seiko Epson Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus and electro optical device |
| US7459029B2 (en) | 2003-12-02 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus and electro optical device |
| DE112007002293T5 (de) | 2006-09-27 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung |
| DE112007002218T5 (de) | 2006-09-29 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| DE112007002217T5 (de) | 2006-09-29 | 2009-09-10 | Tokyo Electron Limited | Bedampfungsvorrichtung |
| DE112008000313T5 (de) | 2007-02-01 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd. | Bedampfungseinrichtung, Bedampfungsverfahren sowie Herstellverfahren für die Bedampfungseinrichtung |
| US7973345B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate |
| KR101193189B1 (ko) | 2009-08-25 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| US8486737B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10287671B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9453282B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-09-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9136310B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| JP4844702B1 (ja) * | 2010-05-10 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | マスキング治具、基板加熱装置、及び成膜方法 |
| US8414977B2 (en) | 2010-05-10 | 2013-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Masking jig, substrate heating device, and coating method |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| TWI427839B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-02-21 | Ind Tech Res Inst | 薄膜圖案的沉積裝置與方法 |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| JP2012127711A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法 |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| CN102650031A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-08-29 | 彩虹（佛山）平板显示有限公司 | 一种mask表面附着有机物的清除方法 |
| CN110476483A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-19 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置的制造方法及制造装置 |
| JP2020200499A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社アルバック | 成膜システム、および、成膜方法 |
| JP7287838B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-06-06 | 株式会社アルバック | 成膜システム、および、成膜方法 |
| WO2023074331A1 (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-04 | 吉林Ｏｌｅｄ日本研究所株式会社 | 蒸着装置 |
| CN114798599A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩模版清洗设备和掩模版清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3734239B2 (ja) | 2006-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3734239B2 (ja) | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 | |
| US6316343B1 (en) | Method of forming transparent conductive film and transparent conductive film formed by the method | |
| US7678241B2 (en) | Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film and production method thereof | |
| JP5113879B2 (ja) | 干渉カラーフィルターのパターンを作製する方法 | |
| JPH11176821A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2012518722A (ja) | インピーダンス整合回路網による物理的蒸着 | |
| JP2000328229A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP2009149919A (ja) | 膜厚モニタ装置及びこれを備える成膜装置 | |
| JP5653052B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP5193487B2 (ja) | 蒸着装置および蒸着方法 | |
| JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH03122266A (ja) | 窒化物薄膜の製造方法 | |
| JPH11152562A (ja) | スパッター装置および該装置による成膜方法 | |
| JP3822778B2 (ja) | 高周波イオンプレーティング装置 | |
| JP3529308B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
| US20020144889A1 (en) | Burn-in process for high density plasma PVD chamber | |
| JPH048506B2 (ja) | ||
| JPH089767B2 (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JP3397214B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH06172987A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP2002115048A (ja) | 減圧成膜装置およびその操作運転方法 | |
| JPH06450Y2 (ja) | コイル可動式イオンプレ−テイング装置 | |
| JP2020200499A (ja) | 成膜システム、および、成膜方法 | |
| JP3162423B2 (ja) | 真空薄膜蒸着装置 | |
| JPH0247252A (ja) | 複合材料膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051006 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051012 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051017 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |