DE102008057909A1 - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung - Google Patents

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Abstract

Es wird eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung angegeben. Die Vorrichtung umfasst eine Reaktionskammer, eine Gaseinführeinheit und eine Gasabführeinheit. Die Reaktionskammer umfasst einen Suszeptor, auf den ein Wafer geladen ist, und einen Reaktionsofen, in dem der Wafer durch eine chemische Gasphasenabscheidung verarbeitet wird. Die Gaseinführeinheit ist an einer Außenwand der Reaktionskammer angeordnet, um ein Reaktionsgas von außerhalb des Reaktionsofens zu einem mittigen Teil des Reaktionsofens zuzuführen. Die Gasabführeinheit ist an einem mittigen Teil der Reaktionskammer angeordnet, um das Reaktionsgas an einer oberen oder unteren Seite der Reaktionskammer abzuführen, nachdem das Reaktionsgas für eine Reaktion in dem Reaktionsofen genutzt wurde. Deshalb kann die Gasdichte in der Kammer bei einem im Wesentlichen gleichmäßigen Zustand auch dann gehalten werden, wenn der Prozessdruck erhöht wird, um eine Abscheidungsschicht bei hoher Temperatur wachsen zu lassen.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2007-0137715 vom 26. Dezember 2007 und 10-2008-0096306 vom 30. September 2008, die hier beide unter Bezugnahme eingeschlossen sind.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung zum gleichmäßigen und stabilen Auftragen einer Abscheidungsschicht auf einer Fläche eines Wafers durch das Einführen eines Reaktionsgases.
  • Allgemein ist die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ein wichtiges Verfahren für das Wachstum verschiedener Kristallschichten auf verschiedenen Substraten. Die CVD ist gegenüber einer Flüssigphasenabscheidung vorteilhaft, weil mit ihr Kristallschichten in einer hohen Schicht erzeugt werden können. Die CVD weist jedoch den Nachteil auf, dass die Kristallwachstumsrate klein ist. Um diesen Nachteil zu beseitigen, lässt man in jedem Zyklus gleichzeitig Schichten auf einer Vielzahl von Substraten wachsen.
  • Wenn die Schichten gleichzeitig auf einer Vielzahl von Substraten wachsen, sollten die Substrate bei einer gleichen Temperatur gehalten werden und dem gleichen Reaktionsgasfluss ausgesetzt werden, um eine gleichförmige Qualität der auf den Substraten wachsenden Schichten vorzusehen.
  • Beispiele für die zu diesem Zweck verwendeten Verfahren sind etwa: ein Verfahren zum Erzeugen gleichmäßiger Gasflüsse entlang von Substraten unter Verwendung einer Vielzahl von Einführrohren; ein Verfahren zum radialen Anordnen einer Vielzahl von Substraten um eine Drehwelle und zum Drehen aller Substrate an derselben Welle (Drehverfahren); und ein Verfahren zum individuellen Drehen einer Vielzahl von Substraten (Einzeldrehverfahren). Derartige Verfahren aus dem Stand der Technik können gemeinsam oder einzeln verwendet werden.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung gibt eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung bekannt, die eine Gasphasenabscheidung mit hoher Qualität gestattet, indem sie die Gasdichte in der Kammer in einem im wesentlichen gleichförmigen Zustand hält und intensive Gasreaktionen auch dann verhindert, wenn der Prozessdruck unter Prozessbedingungen erhöht wird, um eine Abscheidungsschicht bei hoher Temperatur wachsen zu lassen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung angegeben, die umfasst: eine Reaktionskammer mit einem Suszeptor, auf den ein Wafer geladen ist, und einem Reaktionsofen, in dem der Wafer durch eine chemische Gasphasenabscheidung verarbeitet wird; eine Gaseinführeinheit, die an einer Außenwand der Reaktionskammer angeordnet ist, um ein Reaktionsgas von außerhalb des Reaktionsofens zu einem mittigen Teil des Reaktionsofens zuzuführen; und eine Gasabführeinheit, die an einem mittigen Teil der Reaktionskammer angeordnet ist, um das Reaktionsgas oben oder unten aus der Reaktionskammer abzuführen, nachdem das Reaktionsgas für eine Reaktion in dem Reaktionsofen genutzt wurde.
  • Die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Flusssteuereinheit umfassen, die zwischen der Gaseinführeinheit und der Gasabführeinheit angeordnet ist, um einen gleichmäßigen Gasfluss von der Gaseinführeinheit zu der Gasabführeinheit vorzusehen.
  • Die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Antriebseinheit umfassen, um eine Drehleistung zum Drehen des Suszeptors in einer Richtung vorzusehen.
  • Die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Heizeinheit in der Nähe des Suszeptors umfassen, um Wärme zu dem Suszeptor zuzuführen.
  • Die Flusssteuereinheit kann umfassen: ein Trennwandglied, das an der Außenseite des Reaktionsofens angeordnet ist, um den Reaktionsofen in der Reaktionskammer zu definieren und um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Gas in den Reaktionsofen einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen; und wenigstens eine Gaskammer, die zwischen der Außenwand der Reaktionskammer und dem Trennwandglied angeordnet ist, um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch das Trennwandglied zuzuführen.
  • Wenn mehrere Gaskammern vorgesehen sind, kann die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung weiterhin wenigstens ein Unterteilungsglied umfassen, das die Vielzahl von Gaskammern voneinander trennt.
  • Die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Wirbelverhinderungseinheit umfassen, die in der Reaktionskammer an einer Seite gegenüber dem Suszeptor angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor und der Reaktionskammer allmählich zu der Gaseinführeinheit hin zu vermindern.
  • Die Flusssteuereinheit kann umfassen: eine geneigte Trennwand, die an der Außenseite des Reaktionsofens angeordnet ist, um den Reaktionsofen in der Reaktionskammer zu definieren und um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Reaktionsgas in den Reaktionsofen einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen, wobei die geneigte Trennwand mit einem vorbestimmten Winkel geneigt ist; und eine Vielzahl von Gaskammern, die zwischen der Außenwand der Reaktionskammer und der geneigten Trennwand angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch die geneigte Trennwand zuzuführen; und wenigstens ein Unterteilungsglied, das die Gaskammern voneinander trennt.
  • Die Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Wirbelverhinderungseinheit umfassen, die in der Reaktionskammer an einer Seite gegenüber dem Suszeptor angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor und der Reaktionskammer allmählich zu der Gaseinführeinheit hin zu vermindern.
  • Die Flusssteuereinheit kann umfassen: eine Vielzahl von Gaskammern, die in der Reaktionskammer angeordnet sind; wenigstens ein Unterteilungsglied, das die Gaskammern voneinander trennt, sodass die Gaskammern verschiedene Längen aufweisen und gestuft sind; und Unterteilungstrennwände, die an Endteilen der Gaskammern angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Reaktionsgas in den Reaktionsofen einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen, wobei die Gaskammern zwischen der Außenwand der Reaktionskammer und den Unterteilungstrennwänden angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch die Unterteilungstrennwände zuzuführen.
  • Die Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Wirbelverhinderungseinheit umfassen, die in der Reaktionskammer an einer Seite gegenüber dem Suszeptor angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor und der Reaktionskammer allmählich zu der Gaseinführeinheit hin zu vermindern.
  • Die Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Vielzahl von parallelen Führungsgliedern umfassen, die an den Unterteilungstrennwänden in einer im wesentlichen horizontalen Richtung angeordnet sind, um einen Fluss des Reaktionsgases zu führen.
  • Die Gaseinführeinheit kann eine Vielzahl von Gaszuführleitungen umfassen, die mit den Gaskammern verbunden sind, um verschiedene Gase zu den Gaskammern zuzuführen.
  • Die Antriebseinheit kann umfassen: ein angetriebenes Zahnrad, das an einer Außenfläche des Suszeptors ausgebildet ist; ein Antriebszahnrad, das in das angetriebene Zahnrad eingreift; und einen Drehmotor, der an einem Ende einer Antriebswelle angeordnet ist und das Antriebszahnrad dreht, um eine Drehleistung vorzusehen.
  • Die Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung kann weiterhin eine Welle umfassen, die an einem mittigen Teil des Suszeptors angeordnet ist, um den Suszeptor zu drehen, wobei die Welle die Gasabführeinheit enthält und wobei die Antriebseinheit umfasst: ein angetriebenes Zahnrad, das an dem Suszeptor angeordnet ist; ein Antriebszahnrad, das in das angetriebene Zahnrad eingreift; und einen Drehmotor, der an einem Ende einer Antriebswelle angeordnet ist und das Antriebszahnrad dreht.
  • Die Gasabführeinheit kann umfassen: ein Abführloch, das an einem inneren, oberen Teil der Reaktionskammer oder an einem mittigen Teil des Suszeptors ausgebildet ist; und eine Abführleitung, die mit dem Abführloch verbunden ist.
  • Diese und andere Aspekte, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende ausführliche Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen verdeutlicht.
  • 1 ist eine schematische Ansicht, die eine Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine seitliche Schnittansicht, die die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung von 1 zeigt.
  • 3 ist eine schematische Ansicht, die eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 4 ist eine Schnittansicht, die die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung von 3 zeigt.
  • 5 ist eine schematische Ansicht, die einen Wirbel zeigt, der in einer Reaktionskammer einer Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung erzeugt werden kann.
  • 6 ist eine Ansicht, die eine Flusssteuereinheit und eine Wirbelverhinderungseinheit in einer Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine Ansicht, die eine Flusssteuereinheit und eine Wirbelverhinderungseinheit in einer Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine Ansicht, die eine Flusssteuereinheit in einer Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist eine Ansicht, die eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung einschließlich der Wirbelverhinderungseinheit von 7 und der Flusssteuereinheit von 8 zeigt.
  • 10 ist eine Ansicht, die eine Flusssteuereinheit in einer Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11 ist eine Ansicht, die eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung einschließlich der Wirbelverhinderungseinheit von 7 und der Flusssteuereinheit von 10 zeigt.
  • 12 ist eine Seitenansicht, die Führungsglieder und Zirkulationsleitungen an der Flusssteuereinheit von 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 13A bis 13E sind Ansichten, die Beispiele für Trennwände in einer Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung der vorliegenden Erfindung kann auf eine beliebige Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung angewendet werden, die verwendet wird, um eine dünne Schicht (einen Film) auf ein Objekt wie etwa einen Wafer unter Verwendung einer chemischen Reaktion aufzutragen.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und 2 ist eine seitliche Schnittansicht, die die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung von 1 zeigt.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung der vorliegenden Ausführungsform eine Reaktionskammer 10, eine Antriebseinheit 20, eine Heizeinheit 30, eine Gaseinführeinheit 40, eine Gasabführeinheit 50 und eine Flusssteuereinheit 60.
  • Die Reaktionskammer 10 umfasst einen Innenraum mit einer vorbestimmten Größe als Reaktionsofen 1, in dem eine chemische Gasphasenreaktion zwischen dem eingeführten Reaktionsgas und einem Objekt wie etwa einem Wafer auftritt, wobei ein Isolationsmaterial in dem Reaktionsofen 1 angeordnet sein kann, um den Reaktionsofen 1 vor einer heißen Atmosphäre zu schützen.
  • Ein Suszeptor 14, in dem eine Vielzahl von Taschen 15 ausgebildet sind, um eine Vielzahl von Wafern 2 aufzunehmen, ist im Inneren der Reaktionskammer 10 angeordnet. Das heißt, der Suszeptor 14 ist an dem Reaktionsofen 1 angeordnet.
  • Wie in 2 gezeigt, weist der Suszeptor 14 einen Außendurchmesser auf, der kleiner als derjenige der Reaktionskammer 10 ist. Der Suszeptor 14 ist aus einem Material wie etwa Graphit scheibenförmig ausgebildet. Eine Welle 16, die mit einem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 verbunden ist, kann aus einem hohlen Rohrglied mit einem Abführloch 51 ausgebildet sein. Das Abführloch 51 bildet einen Gasabführdurchgang.
  • Die Antriebseinheit 20 sieht eine Drehleistung vor, sodass der Suszeptor 14, auf den eine Vielzahl von Wafern 2 geladen ist, konstant in einer Richtung gedreht werden kann.
  • Wie in 2 gezeigt, umfasst die Antriebseinheit 20 ein angetriebenes Zahnrad 21, das einstückig oder als separates Teil an einer äußeren, unteren Fläche des Suszeptors 14 vorgesehen ist, und ein Antriebszahnrad 22, das in das angetriebene Zahnrad 21 eingreift. Das Antriebszahnrad 22 ist mit einem Ende einer Antriebswelle 23 eines Drehmotors 24 verbunden, der eine Drehkraft erzeugt, wenn er mit Strom versorgt wird.
  • In einer anderen in 4 gezeigten Ausführungsform kann die Antriebseinheit 20 ein angetriebenes Zahnrad 21a, das einstückig oder als separates Teil mit einer Welle 16 verbunden ist, und ein Antriebszahnrad 22a, das in das angetriebene Zahnrad 21a eingreift, umfassen. Die Welle 16 kann sich von dem unteren Teil des Suszeptors 14 in einer vertikalen Richtung nach unten erstrecken. Das Antriebszahnrad 22a kann mit einem Ende einer Antriebswelle 23a eines Drehmotors 24 verbunden sein, der eine Drehkraft erzeugt, wenn er mit Strom versorgt wird.
  • Wenn bei diesem Aufbau der Drehmotor 24 oder 24a betrieben wird, kann der Suszeptor 14 mit den darauf geladenen Wafern in einer Richtung mit einer konstanten Geschwindigkeit von ungefähr 5 U/min bis ungefähr 50 U/min durch die ineinander eingreifenden Zahnräder 22 (22b) und 21 (21a) gedreht werden.
  • Die Heizeinheit 30 ist nahe des unteren Teils des Suszeptors 14 mit darauf geladenen Wafern 2 angeordnet, um Wärme zu dem Suszeptor 14 zu strahlen und die Wafer 2 indirekt zu heizen.
  • Die Heizeinheit 30 kann ein elektrischer Heizer, ein Hochfrequenz-Induktionsheizer, ein Infrarotstrahlungsheizer oder ein Laserheizer sein.
  • Ein Temperatursensor (nicht gezeigt) kann in der Reaktionskammer 10 an einer Position nahe der Außenfläche des Suszeptors 14 oder der Heizeinheit 30 angeordnet sein, um die Temperatur in der Reaktionskammer 10 für eine Einstellung der Heiztemperatur zu erfassen.
  • Die Gaseinführeinheit 40 ist an einer Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 angeordnet, um Gas zu der Reaktionskammer 10 zuzuführen und einen Gasfluss von außerhalb der Reaktionskammer 10 zu der inneren Mitte der Reaktionskammer 10 zu erzeugen.
  • Die Gaseinführeinheit 40 umfasst erste bis dritte Gaseinführeinheiten 41, 42 und 43 zum Zuführen von verschiedenen Gasen. Zum Beispiel kann ein erstes Reaktionsgas durch die erste Gaseinführeinheit 41 zugeführt werden und kann ein zweites Reaktionsgas durch die zweite und die dritte Gaseinführeinheiten 42 und 43 zugeführt werden.
  • Das erste und das zweite Reaktionsgas können unterschiedlich sein oder eine gemeinsame Komponente aufweisen. Alternativ hierzu kann dasselbe Gas über die ersten bis dritten Gaseinführeinheiten 41, 42 und 43 zugeführt werden oder können jeweils verschiedene Gase über die ersten bis dritten Gaseinführeinheiten 41, 42 und 43 zugeführt werden. Die Arten der Reaktionsgase können in Übereinstimmung mit der auf einem Objekt zu bildenden Schicht variieren.
  • Die Gasabführeinheit 50 ist an einem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 angeordnet, um Gas (Abgas) oben oder unten an der Reaktionskammer 10 nach außen abzuführen, nachdem das Gas von außerhalb zu der inneren Mitte des Reaktionsofens 1 zugeführt wurde und für das Wachstum von Schichten auf den Flächen der Wafer 2 verwendet wurde.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, ist die Gasabführeinheit 50 konfiguriert, um das Reaktionsgas über einen unteren, mittigen Teil der Reaktionskammer 10 abzuführen. Dazu kann die Gasabführeinheit 50 das Abführloch 51 in der Welle 16, die mit dem Drehzentrum des Suszeptors 14 verbunden ist, und eine Abführleitung 52 an einem unteren Ende des Abführlochs 51 umfassen.
  • In einer anderen in 3 und 4 gezeigten Ausführungsform kann die Gasabführeinheit 50 ein Abführloch 51a, das durch einen oberen mittigen Teil der Reaktionskammer 10 hindurch ausgebildet ist, und eine Abführleitung 52a, die mit dem Abführloch 51a verbunden ist, umfassen.
  • Während also das von außerhalb des Reaktionsofens 1 (d. h. durch die Außenwand 18) zugeführte Reaktionsgas zu der Mitte der Reaktionskammer 10 fließt, reagiert das Reaktionsgas mit einer oberen Fläche (Zielfläche) eines Wafers 2, um eine Schicht auf der Fläche des Wafers 2 wachsen zu lassen. Danach wird das Reaktionsgas (Abgas) unten an der Reaktionskammer 10 durch das Abführloch 51 der Welle 16 an der unteren Seite des Suszeptors 14 oder oben an der Reaktionskammer 10 durch das Abführloch 51a an der oberen Seite der Reaktionskammer 10 abgeführt.
  • Die Flusssteuereinheit 60 wird verwendet, um einen gleichmäßigen Gasfluss von der Gaseinführeinheit 50 zu der Gasabführeinheit 50 zu erzeugen. Wie in 2 und 4 gezeigt, umfasst die Flussteuereinheit 60 eine Gaskammer und ein Trennwandglied 61.
  • Die Gaskammer weist eine vorbestimmte Größe auf und ist zwischen der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 und dem Trennwandglied 61 ausgebildet. Die Gaskammer ist mit der Gaseinführeinheit 40 verbunden, um das Reaktionsgas vorübergehend zu speichern und durch das Trennwandglied 61 zu dem Reaktionsofen 1 zuzuführen.
  • Es können eine oder eine Vielzahl von Gaskammern wie in 2 und 4 gezeigt vorgesehen sein.
  • Wie in 2 und 4 gezeigt, kann die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung eine erste Gaskammer 11, eine zweite Gaskammer 12 und eine dritte Gaskammer 13 umfassen, die jeweils mit der ersten Gaseinführeinheit 41, der zweiten Gaseinführeinheit 42 und der dritten Gaseinführeinheit 43 verbunden sind.
  • Das Trennwandglied 61 ist vertikal und mit einer vorbestimmten Distanz von der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 zu der Mitte der Reaktionskammer 10 angeordnet. Aus diesem Grund ist die Trennwand 61 durch ein zylindrisches Glied konfiguriert, das entlang des Umfangs der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 mit einem vorbestimmten Abstand von der Außenwand 18 angeordnet ist.
  • Das Trennwandglied 61 kann aus einem porösen Körper ausgebildet sein, durch den das von der Gaseinführeinheit 40 zugeführte Reaktionsgas fließen kann.
  • Die Vielzahl von Gaskammern 11, 12 und 13 können durch Unterteilungsglieder 64a und 64b getrennt werden.
  • Wenn das Reaktionsgas wie in 5 gezeigt von außen in die innere Mitte der Reaktionskammer 10 fließt, kann ein ungleichmäßiger Gasfluss an einer Umfangseite der Reaktionskammer 10, durch die das Reaktionsgas eingeführt wird, beobachtet werden.
  • Der ungleichmäßige Fluss kann durch eine thermische Konvektion zwischen der heißen Oberfläche des Suszeptors 14 und dem Dach der Reaktionskammer 10 verursacht werden, wenn der Suszeptor 14 mit Wafern 2 beladen ist und durch die Heizeinheit 30 auf eine hohe Temperatur geheizt wird.
  • Aufgrund der thermischen Konvektion erfährt der Fluss des Reaktionsgases eine nach oben gerichtete Auftriebskraft, sodass die Geschwindigkeit des Reaktionsgasflusses von außen zu der Mitte der Reaktionskammer 10 allmählich zunimmt. Das heißt, die Geschwindigkeit des Reaktionsgases ist an der Umfangsseite der Reaktionskammer 10 geringer als in der Mitte der Reaktionskammer 10, sodass ein ungleichmäßiger Gasfluss wie etwa ein Wirbel erzeugt wird, der eine instabile Reaktion auf der Zielfläche eines Wafers 2 und ein instabiles Wachstum der Schicht auf dem Wafer 2 verursacht.
  • Um also die Erzeugung eines Wirbels zu minimieren oder die Möglichkeit eines Wirbels zu beseitigen, kann eine Wirbelverhinderungseinheit 70 in der Reaktionskammer 10 an einer Fläche gegenüber dem Suszeptor 14 derart angeordnet sein, dass die Distanz zwischen dem Suszeptor 14 und der Reaktionskammer 10 allmählich zu der Gaseinführeinheit 40 hin wie in 6 und 7 gezeigt abnimmt.
  • Die Wirbelverhinderungseinheit 70 kann derart ausgebildet sein, dass die innere Deckenwand der Reaktionskammer 10 zu dem Suszeptor 14 vorsteht, wobei aber auch ein Material mit einer geringen Wärmeleitfähigkeit wie etwa Quarz an der inneren Deckenwand der Reaktionskammer 10 befestigt sein kann.
  • Wie in 6 gezeigt, kann die Außenfläche der Wirbelverhinderungseinheit 70 gegenüber dem Suszeptor 14 eine horizontale Fläche 71 parallel zu der oberen Fläche des Suszeptors 14 und eine geneigte Fläche 71 mit einem vorbestimmten Winkel zu der oberen Fläche des Suszeptors 14 umfassen. In einer anderen in 7 gezeigten Ausführungsform kann die Wirbelverhinderungseinheit 70 eine gekrümmte Fläche 73 mit einer vorbestimmten Krümmung umfassen.
  • In 6 und 7 gibt das Bezugszeichen 44 ein Gaseinführloch der ersten Gaseinführeinheit 41 (siehe 1) an, gibt das Bezugszeichen 45 ein Gaseinführloch der zweiten Gaseinführeinheit 42 (siehe 2) an und gibt das Bezugszeichen 46 ein Gaseinführloch der dritten Gaseinführeinheit 43 (siehe 1) an.
  • Die Gaseinführlöcher 44, 45 und 46 werden in gleicher Weise in den Ausführungsformen von 8 bis 11 angewendet.
  • Wie in 8 und 9 gezeigt, kann die Flusssteuereinheit 60 eine geneigte Trennwand 62, die mit einem vorbestimmten Winkel geneigt ist, und Unterteilungsglieder 65a und 65b zum Teilen einer Gaskammer zwischen der geneigten Trennwand 62 und der Außenwand 18 in erste bis dritte Gaskammern 11, 12 und 13 umfassen. Auf diese Weise kann die Flusssteuereinheit 60 einen geneigten Aufbau aufweisen.
  • Die geneigte Trennwand 62 ist geneigt und mit einer vorbestimmten Distanz von der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 zu der Mitte der Reaktionskammer 10 angeordnet. Dazu kann die geneigte Trennwand 62 durch ein zylindrisches Glied konfiguriert sein, das kontinuierlich entlang des Umfangs der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 mit einem vorbestimmten Abstand von der Außenwand 18 angeordnet ist.
  • Ähnlich wie das Trennwandglied 61 kann die geneigte Trennwand 62 aus einem porösen Körper ausgebildet sein, durch den Reaktionsgas von der Gaseinführeinheit 40 frei fließen kann.
  • Aufgrund der Flusssteuereinheit 60, die die geneigte Trennwand 62 und die Unterteilungsglieder 65a und 65b umfasst, ist eine obere Gaskammer (zum Beispiel die Gaskammer 11) länger als eine untere Gaskammer (zum Beispiel die Gaskammer 13). Deshalb kann in dem Reaktionsofen 1 das kalte Reaktionsgas an der oberen Seite weiter als an der unteren Seite des Reaktionsofens 1 fließen, sodass eine thermische Konvektion unterdrückt werden kann und die Gasflüsse stabilisiert und gleichmäßig vorgesehen werden können.
  • 9 zeigt eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung, die umfasst: die geneigte Trennwand 62, die Unterteilungsglieder 65a und 65b und die Gaskammern 11, 12 und 13 von 8 sowie die Wirbelverhinderungseinheit 70 von 7 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Indem die Flusssteuereinheit 60 und die Wirbelverhinderungseinheit 70 auf diese Weise kombiniert werden, kann das Reaktionsgas gleichmäßiger in der Reaktionskammer 1 fließen.
  • In einer anderen in 10 und 11 gezeigten Ausführungsform können eine Vielzahl von Gaskammern 11, 12 und 13 an einer Umfangsseite des Reaktionsofens 1 gestuft ausgebildet sein und können Unterteilungstrennwände 63a, 63b und 63c an Enden der Gaskammern 11, 12 und 13 angeordnet sein, um eine mehrfach gestufte Flusssteuereinheit 60 zu bilden.
  • Mit anderen Worten umfasst die Flusssteuereinheit 60 der Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung von 10 eine erste Gaskammer 11, eine zweite Gaskammer 12, die kürzer als die erste Gaskammer und in Bezug auf die erste Gaskammer 11 vertieft ist, und eine dritte Gaskammer 13, die kürzer als die zweite Gaskammer 12 und in Bezug auf die zweite Gaskammer 12 vertieft ist.
  • Außerdem ist eine erste Unterteilungstrennwand 63a an einem Ende der ersten Gaskammer 11 gegenüber der Innenseite des Reaktionsofens 1 angeordnet, ist eine zweite Unterteilungstrennwand 63b an einem Ende der zweiten Gaskammer 12 gegenüber der Innenseite des Reaktionsofens 1 angeordnet und ist eine dritte Unterteilungstrennwand 63c an einem Ende der dritten Gaskammer 13 gegenüber der Innenseite des Reaktionsofens 1 angeordnet.
  • Die Gaskammern 11, 12 und 13 sind durch Unterteilungsglieder 66a und 66b voneinander getrennt.
  • Wegen des oben beschriebenen mehrfach gestuften Aufbaus der Flusssteuereinheit 60 ist eine obere Gaskammer (zum Beispiel die Gaskammer 11) länger als eine untere Gaskammer (zum Beispiel die Gaskammer 13). Deshalb kann in dem Reaktionsofen 1 ein kaltes Reaktionsgas an der oberen Seite des Reaktionsofens 1 länger fließen als an der unteren Seite, wodurch eine thermische Konvektion unterdrückt werden kann und die Gasflüsse stabilisiert und gleichmäßig vorgesehen werden können.
  • 11 zeigt eine Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung, die umfasst: die Unterteilungstrennwände 63a, 63b und 63c, die Unterteilungsglieder 66a und 66b und die Gaskammern 11, 12 und 13 von 10 sowie die Wirbelverhinderungseinheit 70 von 7 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Indem die Flusssteuereinheit 60 und die Wirbelverhinderungseinheit 70 auf diese Weise kombiniert werden, kann das Reaktionsgas gleichmäßiger in der Reaktionskammer 1 fließen.
  • 12 zeigt Führungsglieder und Zirkulationsleitungen an der Flusssteuereinheit von 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 12 gezeigt, können eine Vielzahl von Führungsgliedern 67 jeweils an den Unterteilungstrennwänden 63a, 63b und 63c in einer Gasflussrichtung angeordnet sein, um die Gasflüsse in den Reaktionsofen 1 zu führen.
  • Weil die Führungsglieder 67 die Gasflüsse über eine vorbestimmte Länge führen, können die Gasflüsse gleichmäßig sein. Nach unten hin kann die Länge der Führungsglieder 67 vermindert werden.
  • Wie in 12 gezeigt, können die Zirkulationsleitungen 68 an den Außenseiten der Gaskammern 11, 12 und 13 vorgesehen sein, damit ein Kühlmittel entlang der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 fließen und die Reaktionskammer 10 kühlen kann.
  • Das Trennwandglied 61, die geneigte Trennwand 62 und die Unterteilungstrennwände 63a, 63b und 63c (nachfolgend als Trennwände bezeichnet) sind porös, sodass das Reaktionsgas frei durch die Trennwände fließen kann. Die Trennwände können aus einem porösen Medium M mit einer Vielzahl von feinen Löchern wie in 13A gezeigt ausgebildet sein.
  • Alternativ hierzu können die Trennwände aus einer Platte P ausgebildet sein, durch die sich eine Vielzahl von Löchern H mit gleichem Innendurchmesser oder verschiedenen Innendurchmessern erstrecken, um einen freien Fluss des Reaktionsgases durch dieselben zu gestatten.
  • Alternativ hierzu können die Trennwände wie in 13C und 13D gezeigt aus einer Platte P ausgebildet sein, durch die sich eine Vielzahl von horizontalen Schlitzen S1 oder vertikalen Schlitzen S2 erstrecken, um einen freien Fluss des Reaktionsgases durch dieselben zu gestatten.
  • Alternativ hierzu können die Trennwände wie in 13E gezeigt aus vertikalen Stangen P1 und die vertikalen Stangen P1 mit rechten Winkeln kreuzenden horizontalen Stangen P2 ausgebildet sein, zwischen denen jeweils Abstände S mit einer vorbestimmten Größe definiert sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Schichtbildung in der Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung wie im Folgenden beschrieben durchgeführt werden. Objekte wie etwa Wafer 2 werden in die Taschen 15 des Suszeptors 14 in der Reaktionskammer 10 geladen.
  • Nachdem die Wafer 20 geladen wurden, wird die nahe des Suszeptors 14 angeordnete Heizeinheit 30 mit Strom versorgt, sodass die Heizeinheit 30 Wärme zu dem Suszeptor 14 strahlt, wodurch die Wafer 2 auf eine Temperatur von ungefähr 700°C bis ungefähr 1200°C erhitzt werden und das Innere der Reaktionskammer 10 auf einem hohen Temperaturpegel gehalten wird.
  • Wie in 2 gezeigt, wird der Drehmotor 24 betrieben, um das Antriebszahnrad 22 zu drehen, das in das angetriebene Zahnrad 21 an dem Suszeptor 14 eingreift. Alternativ hierzu kann wie in 4 gezeigt der Drehmotor 24a betrieben werden, um das Antriebszahnrad 22a zu drehen, das in das angetriebene Zahnrad 21a an der Welle 16 des Suszeptors 14 eingreift. Auf diese Weise wird der Suszeptor 14 in einer Richtung gedreht.
  • In diesem Zustand wird Reaktionsgas durch die Gaseinführeinheit 40 geführt, die mit der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 verbunden ist. Wie in 1 und 4 gezeigt, bleibt das zugeführte Reaktionsgas vorübergehend in den Gaskammern 11, 12 und 13, die zwischen der Außenwand 18 der Reaktionskammer 10 und der Flusssteuereinheit 60 mit einem vorbestimmten Abstand zu der Außenwand 18 angeordnet sind. Dann fließt das Reaktionsgas durch das aus einem porösen Körper ausgebildete Trennwandglied 61 in das Innere der Reaktionskammer 10 in der Form eines laminaren Flusses.
  • Wenn also der Fluss des Reaktionsgases durch die Flusssteuereinheit 60 geht, wird der Fluss des Reaktionsgases laminar, sodass ein laminarer Fluss des Reaktionsgases in einer Richtung von außen in die Mitte der Reaktionskammer 10 gebildet werden kann.
  • Dabei kann das von außen in die Reaktionskammer 10 zugeführte Reaktionsgas eine nach oben gerichtete Auftriebskraft erfahren, die durch eine thermische Konvektion zwischen der oberen Fläche des auf eine hohe Temperatur geheizten Suszeptors 14 und der Deckenwand der Reaktionskammer 10 verursacht wird, sodass der Fluss des Reaktionsgases instabil werden kann.
  • Um dies zu verhindern, umfasst die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung der vorliegenden Erfindung wie in 6 und 7 gezeigt die Wirbelverhinderungseinheit 70 zwischen dem Trennwandglied 61 und dem Deckenglied der Reaktionskammer 10, um die Distanz zwischen dem Suszeptor 14 und der Reaktionskammer 10 allmählich zu der Gaseinführeinheit 40 hin zu vermindern, sodass der Fluss des Reaktionsgases stabilisiert und gleichmäßig vorgesehen werden kann.
  • Wie in 8 und 9 gezeigt, kann die Flusssteuereinheit 60 eine geneigte Form aufweisen. Oder wie in 10 und 11 gezeigt, kann die Flusssteuereinheit 60 eine mehrfach gestufte Form aufweisen, sodass sich kalte Luft an der oberen Seite des Reaktionsofens 1 weiter als an der unteren Seite des Reaktionsofens 1 bewegen kann. Dadurch kann die thermische Konvektion unterdrückt werden und kann der Fluss des Reaktionsgases stabilisiert und gleichmäßig vorgesehen werden.
  • Das zu dem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 durch die Flusssteuereinheit 60 auf der Umfangsseite der Reaktionskammer 10 zugeführt Reaktionsgas reagiert mit den oberen Flächen (Zielflächen) der Wafer 2, um gleichmäßige Schichten auf den oberen Flächen der Wafer 2 durch eine chemische Abscheidung wachsen zu lassen. Danach wird das Reaktionsgas (Abgas) zusammen mit Nebenprodukten aus dem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 durch die obere oder untere Seite der Reaktionskammer 10 nach außen abgeführt.
  • Wenn also die Welle 16 an der unteren Seite des Suszeptors 14 aus einem hohlen Rohr mit einem Abführloch 51, das mit einer Abführleitung 52 verbunden ist, wie in 1 und 2 gezeigt ausgebildet ist, wird das aus dem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 unten aus der Reaktionskammer 10 ausgeführte Abgas durch das Abführloch 51 und die Abführleitung 52 abgeführt.
  • Wenn alternativ hierzu ein Abführloch 51a in einem oberen, mittleren Teil der Reaktionskammer 10 wie in 3 und 4 gezeigt ausgebildet ist und mit einer Abführleitung 52a verbunden ist, wird das Abgas problemlos durch die starke thermische Konvektion, die durch den auf eine hohe Temperatur geheizten Suszeptor 14 verursacht wird, von einem mittigen Teil der Reaktionskammer 10 oben aus der Reaktionskammer 10 durch das Abführloch 51a und die Abführleistung 52a ausgeführt.
  • Bei der Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung der vorliegenden Erfindung kann die Gasintensität in der Kammer in einem im wesentlichen gleichmäßigen Zustand gehalten werden, auch wenn der Prozessdruck unter Prozessbedingungen erhöht wird, um eine Abscheidungsschicht mit hoher Temperatur wachsen zu lassen.
  • Außerdem wird das durch die Gaseinführeinheit, die mit der Außenseite der Reaktionskammer verbunden ist, zu einer Umfangsseite der Reaktionskammer zugeführte Reaktionsgas vorübergehend in der Flusssteuereinheit gespeichert und dann zu dem mittigen Teil der Reaktionskammer zugeführt, um die durch eine thermische Konvektion an der Oberfläche des zu einer hohen Temperatur geheizten Suszeptors verursachte Bildung eines Wirbels in Nachbarschaft zu der Gaseinführeinheit zu verhindern. Weiterhin kann das Abgas aus der Reaktionskammer oben oder unten an der Reaktionskammer nach außen abgeführt werden. Dadurch kann die Gleichmäßigkeit des Gasflusses verbessert werden und können intensive Gasphasenreaktionen in der Reaktionskammer verhindert werden. Auf diese Weise können Wafer hergestellt werden, auf denen Schichten mit einer hohen Qualität durch eine Gasphasenabscheidung wachsen gelassen wurden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde mit Bezug auf beispielhafte Ausführungsformen beschrieben und gezeigt, wobei dem Fachmann deutlich sein sollte, dass Modifikationen und Variationen an den beschriebenen und gezeigten Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne dass deshalb der durch die beigefügten Ansprüche definierte Erfindungsumfang verlassen wird.

Claims (16)

  1. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung, die umfasst: eine Reaktionskammer (10) mit einem Suszeptor (14), auf den ein Wafer (2) geladen ist, und einem Reaktionsofen (1), in dem der Wafer (2) durch eine chemische Gasphasenabscheidung verarbeitet wird, eine Gaseinführeinheit (40), die an einer Außenwand der Reaktionskammer (10) angeordnet ist, um ein Reaktionsgas von außerhalb des Reaktionsofens (1) zu einem mittigen Teil des Reaktionsofens (1) zuzuführen, und eine Gasabführeinheit (50), die an einem mittigen Teil der Reaktionskammer (10) angeordnet ist, um das Reaktionsgas oben oder unten aus der Reaktionskammer (10) abzuführen, nachdem das Reaktionsgas für eine Reaktion in dem Reaktionsofen (1) genutzt wurde.
  2. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 1, weiterhin gekennzeichnet durch eine Flusssteuereinheit (60), die zwischen der Gaseinführeinheit (50) und der Gasabführeinheit (60) angeordnet ist, um einen gleichmäßigen Gasfluss von der Gaseinführeinheit (50) zu der Gasabführeinheit (60) vorzusehen.
  3. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, weiterhin gekennzeichnet durch eine Antriebseinheit (20), die eine Drehleistung zum Drehen des Suszeptors (14) in einer Richtung vorsieht.
  4. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, weiterhin gekennzeichnet durch eine Heizeinzeit (30), die nahe dem Suszeptor (14) angeordnet ist, um Wärme zu dem Suszeptor (14) zuzuführen.
  5. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Flusssteuereinheit (60) umfasst: ein Trennwandglied (61), das an der Außenseite des Reaktionsofens (1) angeordnet ist, um den Reaktionsofen (1) in der Reaktionskammer (10) zu definieren und um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Gas in den Reaktionsofen (1) einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen, und wenigstens eine Gaskammer (11, 12, 13), die zwischen der Außenwand der Reaktionskammer (10) und dem Trennwandglied (61) angeordnet ist, um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch das Trennwandglied (61) zuzuführen.
  6. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Gaskammern (11, 12, 13) vorgesehen sind, wobei die Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung wenigstens ein Unterteilungsglied (64a, 64b) umfasst, das die Vielzahl von Gaskammern (11, 12, 13) voneinander trennt.
  7. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 5, weiterhin gekennzeichnet durch eine Wirbelverhinderungseinheit (70), die in der Reaktionskammer (10) an einer Seite gegenüber dem Suszeptor (14) angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor (14) und der Reaktionskammer (10) allmählich zu der Gaseinführeinheit (50) hin zu vermindern.
  8. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Flusssteuereinheit (60) umfasst: eine geneigte Trennwand (62), die an der Außenseite des Reaktionsofens (1) angeordnet ist, um den Reaktionsofen (1) in der Reaktionskammer (10) zu definieren und um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Reaktionsgas in den Reaktionsofen (1) einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen, wobei die geneigte Trennwand (62) mit einem vorbestimmten Winkel geneigt ist, und eine Vielzahl von Gaskammern (11, 12, 13), die zwischen der Außenwand der Reaktionskammer (10) und der geneigten Trennwand (62) angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch die geneigte Trennwand (62) zuzuführen, und wenigstens ein Unterteilungsglied (65a, 65b), das die Gaskammern (11, 12, 13) voneinander trennt.
  9. Vorrichtung für eine Gasphasenabscheidung nach Anspruch 8, weiterhin gekennzeichnet durch eine Wirbelverhinderungseinheit (70), die in der Reaktionskammer (10) an einer Seite gegenüber dem Suszeptor (14) angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor (14) und der Reaktionskammer (10) allmählich zu der Gaseinführeinheit (50) hin zu vermindern.
  10. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Flusssteuereinheit (60) umfasst: eine Vielzahl von Gaskammern (11, 12, 13), die in der Reaktionskammer (10) angeordnet sind, wenigstens ein Unterteilungsglied (65a, 65b), das die Gaskammern (11, 12, 13) voneinander trennt, sodass die Gaskammern (11, 12, 13) verschiedene Längen aufweisen und gestuft sind, und Unterteilungstrennwände (63, 63b, 63c), die an Endteilen der Gaskammern (11, 12, 13) angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Reaktionsgas in den Reaktionsofen (1) einzuführen und dabei den Druck des Reaktionsgases einzustellen, wobei die Gaskammern (11, 12, 13) zwischen der Außenwand der Reaktionskammer (10) und den Unterteilungstrennwänden (63a, 63b, 63c) angeordnet sind, um das von der Gaseinführeinheit (50) zugeführte Reaktionsgas zu speichern und das Reaktionsgas durch die Unterteilungstrennwände (63a, 63b, 63c) zuzuführen.
  11. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 10, weiterhin gekennzeichnet durch eine Wirbelverhinderungseinheit (70), die in der Reaktionskammer (10) an einer Seite gegenüber dem Suszeptor (14) angeordnet ist, um die Distanz zwischen dem Suszeptor (14) und der Reaktionskammer (10) allmählich zu der Gaseinführeinheit (50) hin zu vermindern.
  12. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 10, weiterhin gekennzeichnet durch eine Vielzahl von parallelen Führungsgliedern (67), die an den Unterteilungstrennwänden (63a, 63b, 63c) in einer im wesentlichen horizontalen Richtung angeordnet sind, um einen Fluss des Reaktionsgases zu führen.
  13. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaseinführeinheit (50) eine Vielzahl von Gaszuführleitungen umfasst, die mit den Gaskammern (11, 12, 13) verbunden sind, um verschiedene Gase zu den Gaskammern (11, 12, 13) zuzuführen.
  14. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Antriebseinheit (20) umfasst: ein angetriebenes Zahnrad (21), das an einer Außenfläche des Suszeptors (14) ausgebildet ist, ein Antriebszahnrad (22), das in das angetriebene Zahnrad (21) eingreift, und einen Drehmotor (24), der an einem Ende einer Antriebswelle (23) angeordnet ist und das Antriebszahnrad (22) dreht, um eine Drehleistung vorzusehen.
  15. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 3, weiterhin gekennzeichnet durch eine Welle (23), die an einem mittigen Teil des Suszeptors (14) angeordnet ist, um den Suszeptor (14) zu drehen, wobei die Welle (23) die Gasabführeinheit (50) enthält, wobei die Antriebseinheit (20) umfasst: ein angetriebenes Zahnrad (21), das an dem Suszeptor (14) angeordnet ist, ein Antriebszahnrad (22), das in das angetriebene Zahnrad (21) eingreift, und einen Drehmotor (24), der an einem Ende einer Antriebswelle (23) angeordnet ist und das Antriebszahnrad (22) dreht.
  16. Vorrichtung für eine chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasabführeinheit (50) umfasst: ein Abführloch (51), das an einem inneren, oberen Teil der Reaktionskammer (10) oder an einem mittigen Teil des Suszeptors (14) ausgebildet ist, und eine Abführleitung (52), die mit dem Abführloch (51) verbunden ist.
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