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Gebiet
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Die Offenbarung betrifft das technische Gebiet von Flüssigkristall-Bildschirmen, und insbesondere ein Array-Panel und ein Flüssigkristall-Bildschirmpanel.
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Hintergrund
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Ein Hauptkörper eines derzeitigen Flüssigkristall-Bildschirmpanels umfasst ein Farbschicht-Substrat und ein Array-Substrat. Im Herstellungsprozess wird ein ebenes Oberflächenmuster des Array-Substrats angestrebt, um Probleme in nachfolgenden Prozessen zu vermeiden. Daher wird eine ebene Schicht auf einer Oberfläche des Array-Substrats angeordnet.
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Berührungs-Leitungen werden in einem Flüssigkristall-Bildschirmpanel, das mit einer Berührungs-Funktion integriert ist, verwendet. Die Berührungs-Leitungen werden dazu benutzt, jede der Berührungs-Elektroden mit einem Berührungs-Treiber-Chip zu verbinden. Die Berührungs-Elektroden sind im Allgemeinen in einer anderen Schicht als die Berührungs-Leitungen angeordnet, und jede der Berührungs-Leitungen ist elektrisch über ein Durchkontaktierungsloch mit der entsprechenden Berührungs-Elektrode verbunden. Es wird darauf hingewiesen, dass in dem Flüssigkristall-Bildschirmpanel, das mit einer Berührungs-Funktion integriert ist, die Berührungs-Elektrode und eine gemeinsame Elektrode dieselbe Elektrode sein können oder getrennt angeordnet sein können.
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Bei der herkömmlichen Technologie werden Berührungs-Leitungen im Allgemeinen auf der ebenen Schicht in dem Flüssigkristall-Bildschirmpanel, das mit einer Berührungs-Funktion integriert ist, angeordnet. Die ebene Schicht ist auf einer Datenleitungs-Schicht angeordnet, die Berührungs-Leitungen sind auf der ebenen Schicht angeordnet, eine erste Isolationsschicht ist auf den Berührungs-Leitungen angeordnet, eine gemeinsame Elektroden-Schicht ist auf der ersten Isolationsschicht angeordnet, eine zweite Isolationsschicht ist auf der gemeinsamen Elektroden-Schicht angeordnet, und eine Pixel-Elektroden-Schicht ist auf der zweiten Isolationsschicht angeordnet.
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Verglichen mit einem Flüssigkristall-Bildschirmpanel, das ohne Berührungs-Funktion integriert ist, sind die Berührungs-Leitungen auf einer Seite eines Substrats des Dünnschichttransistors in dem Flüssigkristall-Bildschirmpanel, das mit einer Berührungs-Funktion integriert ist, angeordnet. Daher weist ein auf den Berührungs-Leitungen angeordneter Schichtfilm eine unebene Oberfläche auf, was einen nachfolgenden Reibungseffekt beträchtlich beeinflussen kann, wodurch sich das Problem des Entweichens von Licht ergeben kann.
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Somit ist es erforderlich, dass Fachleute eine Flüssigkristall-Bildschirm-Vorrichtung und eine elektronische Vorrichtung vorsehen, um Probleme einer unebenen Oberfläche eines Array-Substrats zu behandeln, wenn Berührungs-Leitungen ausgebildet werden, da die unebene Oberfläche das Array-Substrat in nachfolgenden Prozessen nachteilig beeinflussen kann.
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Zusammenfassung
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Es werden ein Array-Substrat und ein Flüssigkristall-Bildschirmpanel gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung vorgesehen, um Probleme zu lösen, dass ein auf Berührungs-Leitungen angeordneter Schichtfilm wegen Anordnung der Berührungs-Leitungen eine unebene Oberfläche aufweist, wodurch schädliche Wirkungen auf den nachfolgenden Prozess durch die Anordnung der Berührungs-Leitungen beseitigt werden.
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sieht ein Array-Substrat vor, umfassend:
mehrere Dünnschichttransistoren, angeordnet in einem Array, wobei jeder der Dünnschichttransistoren ein Gate, eine Source und ein Drain umfasst;
eine erste ebene Schicht, die die mehreren Dünnschichttransistoren bedeckt;
eine Berührungs-Leitungs-Schicht, angeordnet auf der ersten ebenen Schicht, wobei die Berührungs-Leitungs-Schicht mehrere Berührungs-Leitungen umfasst; und
eine zweite ebene Schicht, angeordnet auf der Berührungs-Leitungs-Schicht.
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sieht auch ein Flüssigkristall-Bildschirmpanel vor, das das oben beschriebene Array-Substrat umfasst, ein Farbschicht-Substrat, angeordnet gegenüber dem Array-Substrat, und eine Flüssigkristall-Schicht, angeordnet zwischen dem Array-Substrat und dem Farbschicht-Substrat.
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Verglichen mit der herkömmlichen Technologie weist die vorliegende Offenbarung die folgenden Vorteile auf.
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In der vorliegenden Offenbarung wird ein Aufbau des Array-Substrats optimiert. Insbesondere sind zwei ebene Schichten angeordnet, wobei eine erste ebene Schicht auf dem Dünnschichttransistor angeordnet ist und eine zweite ebene Schicht auf der Berührungs-Leitungs-Schicht angeordnet ist. Folglich können die folgenden Probleme gelöst werden, dass der auf den Berührungs-Leitungen angeordnete Schichtfilm wegen der Anordnung der Berührungs-Leitungen in der Berührungs-Leitungs-Schicht eine unebene Oberfläche aufweist, wodurch schädliche Wirkungen auf nachfolgende Prozesse durch die Anordnung der Berührungs-Leitungen beseitigt werden. Außerdem kann eine Isolationsschicht die in der herkömmlichen Technologie benachbart zur Berührungs-Leitungs-Schicht ist, weggelassen werden, da die Berührungs-Leitungen zwischen der ersten ebenen Schicht und der zweiten ebenen Schicht angeordnet sind. Bei der herkömmlichen Technologie ist eine Isolationsschicht zwischen der Berührungs-Leitungs-Schicht und der gemeinsamen Elektroden-Schicht angeordnet, und eine Isolationsschicht ist zwischen der gemeinsamen Elektroden-Schicht und der Pixel-Elektrode angeordnet, während gemäß der vorliegenden Offenbarung nur eine Isolationsschicht zwischen der gemeinsamen Elektrode und der Pixel-Elektrode angeordnet ist. Daher ist in einem solchen Array-Substrat gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Vergleich zur herkömmlichen Technologie eine Isolationsschicht weggelassen, und somit kann dementsprechend ein Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung für eine Isolationsschicht weggelassen werden. Außerdem ist eine ebene Schicht auf den Berührungs-Leitungen angeordnet, und somit kann die Ebenheit der Oberfläche auf den Berührungs-Leitungen verbessert werden, und die Probleme der Reibung und des Entweichens von Licht können gelöst werden. Die Berührungs-Leitungen können dicker sein, da die Berührungs-Leitungen zwischen zwei ebenen Schichten angeordnet sind, wodurch der Gesamtwiderstand der Berührungs-Leitungen verringert wird.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Die in der Beschreibung von Ausführungsformen oder der herkömmlichen Technologie benutzten Zeichnungen werden nachfolgend kurz beschrieben, so dass technische Lösungen gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung oder gemäß der herkömmlichen Technologie deutlicher werden. Es ist offensichtlich, dass in der folgenden Beschreibung die Zeichnungen nur einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen. Für Fachleute können auf der Grundlage dieser Zeichnungen ohne kreative Arbeit andere Zeichnungen erhalten werden.
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1 ist eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
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2 ist eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
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3 ist eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß noch einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
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4 ist eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß einer weiteren, anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
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5 ist eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß noch einer weiteren, anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
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6 ist eine Schnittansicht eines Bildschirmpanels gemäß der vorliegenden Offenbarung; und
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7 ist eine schematische Darstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung.
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Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
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Technische Lösungen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachfolgend deutlich und vollständig in Verbindung mit den Zeichnungen beschrieben. Es ist offensichtlich, dass die beschriebenen Ausführungsformen nur ein Teil und nicht alle der Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind. Alle anderen Ausführungsformen, die von Fachleuten auf der Grundlage der Ausführungsformen in der vorliegenden Offenbarung ohne kreative Arbeit erhalten werden, fallen in den Umfang der vorliegenden Offenbarung.
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Um die oben erwähnten Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung deutlicher und leichter verständlich zu machen, werden bestimmte Ausführungsformen der Offenbarung nachfolgend detailliert in Verbindung mit den Zeichnungen veranschaulicht.
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Erste Ausführungsform
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Ein Array-Substrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst:
mehrere Dünnschichttransistoren (abgekürzt TFT), angeordnet in einem Array, wobei jeder der Dünnschichttransistoren ein Gate, eine Source und ein Drain umfasst;
eine erste ebene Schicht, die die mehreren Dünnschichttransistoren bedeckt;
eine Berührungs-Leitungs-Schicht, angeordnet auf der ersten ebenen Schicht, wobei die Berührungs-Leitungs-Schicht mehrere Berührungs-Leitungen umfasst; und
eine zweite ebene Schicht, angeordnet auf der Berührungs-Leitungs-Schicht.
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Es wird darauf hingewiesen, dass die erste ebene Schicht und die zweite ebene Schicht gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als Planarisierung funktionieren und aus einer organischen Schicht hergestellt sein können. In einem typischen Herstellungsverfahren wird die organische Schicht verflüssigt und dann auf dem geebneten Schichtfilm verfestigt, und ein benötigtes Muster wird durch einen Lithographie-Prozess ausgebildet. Es muss verstanden werden, dass die ebene Schicht nicht äquivalent zu einer Isolationsschicht in der herkömmlichen Technologie ist, obwohl die ebene Schicht eine Funktion des Isolierens aufweist. Es besteht ein wesentlicher Unterschied zwischen Materialien der ebenen Schicht und der Isolationsschicht, zum Beispiel wird die Isolationsschicht im Allgemeinen aus Siliziumnitrid und Siliziumoxid hergestellt. Außerdem besteht ein wesentlicher Unterschied zwischen den Prozessen zum Ausbilden der ebenen Schicht und der Isolationsschicht. Die Isolationsschicht wird im Allgemeinen mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (abgekürzt CVD) ausgebildet, ein Lithographie-Prozess und ein Ätzprozess werden kombiniert, und somit kann ein endgültiges Muster ausgebildet werden.
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In der vorliegenden Offenbarung wird ein Aufbau des Array-Substrats optimiert. Insbesondere sind zwei ebene Schichten angeordnet, wobei eine erste ebene Schicht auf dem Dünnschichttransistor angeordnet ist und eine zweite ebene Schicht auf der Berührungs-Leitungs-Schicht angeordnet ist. Folglich werden die folgenden Probleme gelöst, dass der auf den Berührungs-Leitungen angeordnete Schichtfilm wegen Anordnung der Berührungs-Leitungen in der Berührungs-Leitungs-Schicht eine unebene Oberfläche aufweist, wodurch schädliche Wirkungen auf einen nachfolgenden Prozess durch die Anordnung der Berührungs-Leitungen beseitigt werden. Außerdem kann eine Isolationsschicht, die in der herkömmlichen Technologie benachbart zur Berührungs-Leitungs-Schicht ist, weggelassen werden, da die Berührungs-Leitungen zwischen der ersten ebenen Schicht und der zweiten ebenen Schicht angeordnet sind. Bei der herkömmlichen Technologie ist eine Isolationsschicht zwischen der Berührungs-Leitungs-Schicht und der gemeinsamen Elektroden-Schicht angeordnet, und eine Isolationsschicht ist zwischen der gemeinsamen Elektroden-Schicht und der Pixel-Elektrode angeordnet, während gemäß der vorliegenden Offenbarung nur eine Isolationsschicht zwischen der gemeinsamen Elektrode und der Pixel-Elektrode angeordnet ist. Daher ist in einem solchen Array-Substrat gemäß der Ausführungsform im Vergleich zur herkömmlichen Technologie eine Isolationsschicht weggelassen, und somit kann dementsprechend ein Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung für eine Isolationsschicht weggelassen werden, und ein Ätzprozess kann weggelassen werden.
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In einem solchen Array-Substrat gemäß der Ausführungsform ist eine ebene Schicht auf den Berührungs-Leitungen angeordnet, und somit kann die Ebenheit einer Oberfläche auf den Berührungs-Leitungen verbessert werden, und die Probleme der Reibung und des Entweichens von Licht können gelöst werden. Die Berührungs-Leitungen können dicker ausgebildet sein, da die Berührungs-Leitungen zwischen zwei ebenen Schichten angeordnet sind, wodurch der Gesamtwiderstand der Berührungs-Leitungen verringert wird.
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Als Beispiele werden ein Fall top-com, bei dem die gemeinsame Elektrode auf der Oberfläche des Array-Substrats angeordnet ist, und ein Fall mid-com, bei dem die gemeinsame Elektrode in der Mitte des Array-Substrats angeordnet ist, genommen. Ausführungsformen des Array-Substrats sind wie folgt veranschaulicht.
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Zweite Ausführungsform
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Mit Bezug auf 1 ist 1 eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Das Array-Substrat gemäß der Ausführungsform umfasst: ein Substrat 201, ein Gate 202, eine Gate-Isolationsschicht 203, eine Leiterschicht 204, eine erste Isolationsschicht 208, eine Pixel-Elektroden-Schicht 210 und eine gemeinsame Elektroden-Schicht 209.
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Die gemeinsame Elektroden-Schicht 209 ist auf einer zweiten ebenen Schicht 206b angeordnet und umfasst mehrere voneinander unabhängige Berührungs-Elektroden, und jede der Berührungs-Elektroden ist mit einer oder mehreren der Berührungs-Leitungen 207 verbunden.
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Die erste Isolationsschicht 208 ist auf der gemeinsamen Elektroden-Schicht 209 angeordnet.
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Die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist auf der ersten Isolationsschicht 208 angeordnet.
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Das Array-Substrat umfasst ferner eine Metall-Dichtung 207a, die auf einer ersten ebenen Schicht 206a angeordnet ist, und die Metall-Dichtung 207a ist in derselben Schicht angeordnet wie die Berührungs-Leitungen 207.
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Ein erstes Durchkontaktierungsloch 212, das durch die erste ebene Schicht 206a verläuft, ist über dem Drain 205 des Dünnschichttransistors angeordnet, und die Metall-Dichtung 207a ist mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das erste Durchkontaktierungsloch 212 verbunden.
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Ein zweites Durchkontaktierungsloch 211, das durch die zweite ebene Schicht 206b verläuft, ist über der Metall-Dichtung 207a angeordnet, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist mit der Metall-Dichtung 207a durch das zweite Durchkontaktierungsloch 211 verbunden.
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Es muss verstanden werden, dass eine Verbindung zwischen der Pixel-Elektrode und dem Drain des Dünnschichttransistors über die Metall-Dichtung beabstandet und geleitet wird, wodurch das Problem gelöst werden kann, dass die Metall-Dichtung in einem Durchkontaktierungsloch bleibt, und der Kontaktwiderstand zwischen der Pixel-Elektrode und dem Drain des Dünnschichttransistors optimiert werden kann.
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Es wird darauf hingewiesen, dass die erste ebene Schicht 206a und die zweite ebene Schicht 206b aus einem organischen isolierenden Material hergestellt sind. Vorzugsweise sind die erste ebene Schicht 206a und die zweite ebene Schicht 206b organische Schichtfilme. Die zweite ebene Schicht 206b ist nicht anfällig gegen Bruch (bruchfest), da die zweite ebene Schicht 206b eine erhebliche Dicke aufweist, und somit weist die zweite ebene Schicht 206b eine bessere Abdeckung der Berührungs-Leitungen 207 auf. Außerdem kann die zweite ebene Schicht 206b dicker sein als die Isolationsschicht in der herkömmlichen Technologie, da die zweite ebene Schicht 206b zwischen den Berührungs-Leitungen 207 und der gemeinsamen Elektrode 209 angeordnet ist. Daher kann die parasitäre Kapazität zwischen den Berührungs-Leitungen 207 und der gemeinsamen Elektrode 209 beträchtlich verringert werden, und die Berührungsempfindlichkeit kann verbessert werden.
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Man kann verstehen, dass eine Projektion des ersten Durchkontaktierungslochs 212 auf das Array-Substrat von einer Projektion des zweiten Durchkontaktierungslochs 211 auf das Array-Substrat überlappt wird. Mit anderen Worten wird die Projektionsfläche des ersten Durchkontaktierungslochs 212 auf das Array-Substrat von der Projektionsfläche des zweiten Durchkontaktierungslochs 211 auf das Array-Substrat überlappt.
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In der Ausführungsform, die 1 entspricht, ist eine Projektion des ersten Durchkontaktierungslochs 212 auf das Array-Substrat bezüglich einer Projektion des zweiten Durchkontaktierungslochs 211 auf das Array-Substrat versetzt.
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Eine aktive Schicht des Dünnschichttransistors ist aus amorphem Silizium (a-Si) oder Niedertemperatur-Polysilizium (Niedertemperatur-p-Si, abgekürzt LTPS) hergestellt.
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Wie in 1 gezeigt, umfasst der Dünnschichttransistor das Gate 202, und die Gate-Isolationsschicht 203 ist auf dem Gate 202 angeordnet; die Leiterschicht 204 ist auf der Gate-Isolationsschicht 203 angeordnet, und Source und Drain sind auf der Leiterschicht 204 angeordnet.
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Es wird darauf hingewiesen, dass in der Ausführungsform, die 1 entspricht, die Metall-Dichtung 207a mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das erste Durchkontaktierungsloch 212 verbunden ist, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 mit der Metall-Dichtung 207a durch das zweite Durchkontaktierungsloch 211 verbunden ist. Folglich sind die Pixel-Elektroden-Schicht 210 und der Drain 205 des Dünnschichttransistors indirekt miteinander verbunden. In diesem Fall sind zwei Durchkontaktierungslöcher angeordnet, und eine Tiefe von jedem der Durchkontaktierungslöcher ist klein, und somit wird der Herstellungsprozess vereinfacht.
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Dritte Ausführungsform
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Es wird auf 2 Bezug genommen, diese Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform, die 1 entspricht, darin, dass der Drain des Dünnschichttransistors in der Ausführungsform, die 1 entspricht, durch zwei Durchkontaktierungslöcher indirekt elektrisch mit der Pixel-Elektroden-Schicht verbunden ist, und der Drain des Dünnschichttransistors in dieser Ausführungsform durch ein Durchkontaktierungsloch direkt elektrisch mit der Pixel-Elektroden-Schicht verbunden ist. In einem Fall, dass eine elektrische Verbindung durch ein Durchkontaktierungsloch erreicht wird, ist es erforderlich, dass eine durchgehende Tiefe des Durchkontaktierungslochs groß ist, und der Herstellungsprozess ist kompliziert.
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Wie in 2 gezeigt, ist ein drittes Durchkontaktierungsloch 213, das durch die erste ebene Schicht 206a und die zweite ebene Schicht 206b verläuft, über dem Drain 205 des Dünnschichttransistors angeordnet, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist in der Ausführungsform mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das dritte Durchkontaktierungsloch 213 verbunden.
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Vierte Ausführungsform
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Der Fall top-com ist nachstehend veranschaulicht. Mit Bezug auf 3 ist 3 eine Schnittansicht eines Array-Substrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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Das Array-Substrat gemäß der Ausführungsform umfasst: eine erste Isolationsschicht 208, eine Pixel-Elektroden-Schicht 210 und eine gemeinsame Elektroden-Schicht 209.
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Die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist auf der zweiten ebenen Schicht 206b angeordnet.
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Die erste Isolationsschicht 208 ist auf der Pixel-Elektroden-Schicht 210 angeordnet.
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Die gemeinsame Elektroden-Schicht 209 ist auf der ersten Isolationsschicht 208 angeordnet und umfasst mehrere voneinander unabhängige Berührungs-Elektroden, und jede der Berührungs-Elektroden ist mit einer oder mehreren der Berührungs-Leitungen 207 verbunden.
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In dem Array-Substrat gemäß der Ausführungsform ist die gemeinsame Elektroden-Schicht 209 oben angeordnet. Bei der herkömmlichen Technologie ist eine Isolationsschicht zwischen der Berührungs-Leitungs-Schicht und der gemeinsamen Elektroden-Schicht angeordnet, und eine Isolationsschicht ist zwischen der gemeinsamen Elektrode und der Pixel-Elektrode angeordnet. In der vorliegenden Offenbarung ist nur eine Isolationsschicht 208 zwischen der gemeinsamen Elektroden-Schicht 209 und der Pixel-Elektroden-Schicht 210 angeordnet. Daher ist in dem Array-Substrat gemäß der Ausführungsform im Vergleich zur herkömmlichen Technologie eine Isolationsschicht benachbart zu der Berührungs-Leitungs-Schicht weggelassen, und die Berührungs-Leitungen sind zwischen zwei Isolationsschichten angeordnet. Somit sind die Probleme der herkömmlichen Technologie, dass der auf den Berührungs-Leitungen angeordnete Schichtfilm eine unebene Oberfläche aufweist, beseitigt.
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Außerdem weist die gemeinsame Elektrode gemäß der Ausführungsform einen Aufbau von top-com auf, und es ist nur eine Isolationsschicht vorhanden. Daher kann die Isolationsschicht dicker sein, wodurch die parasitäre Kapazität zwischen den Berührungs-Leitungen und der gemeinsamen Elektrode verringert wird. Die parasitäre Kapazität zwischen den Berührungs-Leitungen und der Berührungs-Elektrode kann verringert sein, da die Berührungs-Elektrode als gemeinsame Elektrode dient.
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Fünfte Ausführungsform
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Es wird immer noch auf 3 Bezug genommen.
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Das Array-Substrat gemäß der Ausführungsform umfasst eine Metall-Dichtung 207a, die in derselben Schicht angeordnet ist wie die Berührungs-Leitung 207.
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Die Metall-Dichtung 207a ist auf der ersten ebenen Schicht 206a angeordnet, und die Metall-Dichtung 207a ist in derselben Schicht angeordnet wie die Berührungs-Leitungen 207.
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Ein erstes Durchkontaktierungsloch 212, das durch die erste ebene Schicht 206a verläuft, ist über dem Drain 205 des Dünnschichttransistors angeordnet, und die Metall-Dichtung 207a ist mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das erste Durchkontaktierungsloch 212 verbunden.
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Ein zweites Durchkontaktierungsloch 211, das durch die zweite ebene Schicht 206b verläuft, ist über der Metall-Dichtung 207a angeordnet, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist mit der Metall-Dichtung 207a durch das zweite Durchkontaktierungsloch 211 verbunden.
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Wie in 3 gezeigt, umfasst der Dünnschichttransistor ein Gate 202, eine Gate-Isolationsschicht 203 ist auf dem Gate 202 angeordnet; eine Leiterschicht 204 ist auf der Gate-Isolationsschicht 203 angeordnet, und Source und Drain sind auf der Leiterschicht 204 auf gegenüber liegenden Seiten der Leiterschicht 204 angeordnet.
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Es wird darauf hingewiesen, dass in der Ausführungsform die Metall-Dichtung 207a mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das erste Durchkontaktierungsloch 212 verbunden ist, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 mit der Metall-Dichtung 207a durch das zweite Durchkontaktierungsloch 211 verbunden ist. Folglich sind die Pixel-Elektroden-Schicht 210 und der Drain 205 des Dünnschichttransistors indirekt elektrisch miteinander verbunden. In diesem Fall sind zwei Durchkontaktierungslöcher angeordnet, und eine Tiefe von jedem der Durchkontaktierungslöcher ist klein, und somit wird die Prozess-Technologie vereinfacht.
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Sechste Ausführungsform
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Es wird auf 4 Bezug genommen, diese Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform, die 3 entspricht, darin, dass der Drain des Dünnschichttransistors in der Ausführungsform, die 3 entspricht, durch zwei Durchkontaktierungslöcher indirekt elektrisch mit der Pixel-Elektroden-Schicht verbunden ist, und der Drain des Dünnschichttransistors in dieser Ausführungsform durch ein Durchkontaktierungsloch direkt elektrisch mit der Pixel-Elektroden-Schicht verbunden ist. In einem Fall, dass eine elektrische Verbindung durch ein Durchkontaktierungsloch erreicht wird, ist es erforderlich, dass eine durchgehende Tiefe des Durchkontaktierungslochs groß ist, und der Prozess ist kompliziert.
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Wie in 4 gezeigt, ist ein drittes Durchkontaktierungsloch 213, das durch die erste ebene Schicht 206a und die zweite ebene Schicht 206b verläuft, über dem Drain 205 des Dünnschichttransistors angeordnet, und die Pixel-Elektroden-Schicht 210 ist in der Ausführungsform mit dem Drain 205 des Dünnschichttransistors durch das dritte Durchkontaktierungsloch 213 verbunden.
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Es wird darauf hingewiesen, dass das Array-Substrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ferner eine zweite Isolationsschicht 701 umfassen kann, wie in 5 gezeigt. Die zweite Isolationsschicht 701 ist in 5 auf der Grundlage von 4 hinzugefügt.
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Die zweite Isolationsschicht 701 ist zwischen der ersten ebenen Schicht 206a und der Datenleitungs-Schicht angeordnet, und die zweite Isolationsschicht 701 kann aus Siliziumnitrid hergestellt sein.
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Es wird darauf hingewiesen, dass Source und Drain 205 des Dünnschichttransistors und die Datenleitung 205a in der Datenleitungs-Schicht angeordnet sind.
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Es wird darauf hingewiesen, dass in dem Array-Substrat gemäß den oben erwähnten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, vorzugsweise, die erste ebene Schicht eine Dicke im Bereich von 0,5 μm bis 6 μm aufweisen kann, und die zweite ebene Schicht eine Dicke im Bereich von 0,5 μm bis 6 μm aufweisen kann.
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Ferner wird ein Flüssigkristall-Bildschirmpanel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vorgesehen. Mit Bezug auf 6 umfasst das Flüssigkristall-Bildschirmpanel ein Array-Substrat 900 gemäß einer der obigen Ausführungsformen, ein Farbschicht-Substrat 700, das gegenüber dem Array-Substrat 900 angeordnet ist, und eine Flüssigkristall-Schicht 800, die zwischen dem Array-Substrat 900 und dem Farbschicht-Substrat 700 angeordnet ist.
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Es wird darauf hingewiesen, dass in dem Bildschirmpanel gemäß der oben erwähnten Ausführungsform ein Flüssigkristall-Ansteuerungs-Modus für das Bildschirmpanel ein In-Plane-Switching (abgekürzt IPS) Modus ist; oder ein Flüssigkristall-Ansteuerungs-Modus für das Bildschirmpanel ein Fringe-Filed-Switching (abgekürzt FFS) Modus ist.
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Es wird eine elektronische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vorgesehen. Mit Bezug auf 7 umfasst die elektronische Vorrichtung das Bildschirmpanel gemäß einer der obigen Ausführungsformen Die elektronische Vorrichtung 30 umfasst ein Bildschirmpanel 31, einen Treiber-Schaltkreis und andere Bauteile für den Betrieb der elektronischen Vorrichtung 30.
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Das Bildschirmpanel 31 ist das Bildschirmpanel gemäß der obigen Ausführungsformen. Die elektronische Vorrichtung 30 kann ein Mobiltelefon, ein Desktop-Computer, ein Notebook-Computer, ein Tablet-Computer und ein Elektronisches Papier sein.
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Oben sind nur bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben, und es ist nicht beabsichtigt, die vorliegende Offenbarung in irgendeiner Weise einzuschränken. Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind oben offenbart und sollen nicht als Einschränkung der vorliegenden Offenbarung interpretiert werden. Ein Fachmann kann angesichts der hier offenbarten Verfahren und des technischen Inhalts zahlreiche Änderungen, Abwandlungen und Äquivalente der technischen Lösungen der vorliegenden Offenbarung durchführen, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher fallen alle Änderungen, Abwandlungen und Äquivalente, die gemäß der wesentlichen technischen Bestandteile der vorliegenden Offenbarung ohne Abweichung vom Umfang der vorliegenden Offenbarung durchgeführt wurden, in den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung.
