TWI623792B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI623792B
TWI623792B TW106126602A TW106126602A TWI623792B TW I623792 B TWI623792 B TW I623792B TW 106126602 A TW106126602 A TW 106126602A TW 106126602 A TW106126602 A TW 106126602A TW I623792 B TWI623792 B TW I623792B
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沈孟緯
葉永城
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種顯示面板包括第一基板、主動元件層、畫素電極層、輔助導電層、第一間隙物及第二間隙物。主動元件層配置於第一基板上。畫素電極層配置於第一基板上且與主動元件層電性連接。輔助導電層配置於主動元件層上。第一間隙物配置於輔助導電層上。第一間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層重疊。第二間隙物配置於主動元件層上。第二間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層不重疊。第一間隙物之頂點與第一基板的距離大於第二間隙物之頂點與第一基板的距離。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示面板。
傳統的顯示面板是由彩色濾光基板、畫素陣列基板以及配置於兩者間的顯示介質所構成。一般而言，彩色濾光基板包括黑色矩陣層，黑色矩陣層用以遮蔽相鄰子畫素區之間的區域，以防止顯示面板漏光。另外，為使彩色濾光基板與畫素陣列基板之間保持一定的間隙（cell space），會在彩色濾光基板與畫素陣列基板之間設置多個間隙物，間隙物通常是形成在彩色濾光基板上，且基於增加耐壓性的考量，間隙物包括高度較高的主間隙物及高度較低的子間隙物。
在顯示面板的製程中，需組立彩色濾光基板與畫素陣列基板。當彩色濾光基板與畫素陣列基板的對位不佳時，彩色濾光基板的黑色矩陣層無法良好地遮蔽畫素陣列基板之相鄰子畫素區之間的區域，間隙物也無法設置在正確的位置，從而造成漏光。因此，另一種顯示面板製程係將黑色矩陣層及間隙物皆形成在畫素陣列基板上，以避免因上述兩基板之對位不佳而造成的漏光問題。基於簡化製程的考量，可使用三色式（tri-tone）光罩的圖案化黑色光阻材料層，以在畫素陣列基板上同時形成分別具有三種高度的黑色矩陣層、主間隙物及子間隙物。然而，在現階段，使用三色式光罩的製程及黑色光阻材料的開發尚未成熟，無法穩定地製作出高度誤差在容許範圍內的黑色矩陣層、主間隙物及子間隙物，而顯示面板不易量產。
本發明提供一種顯示面板，易量產。
本發明的顯示面板包括第一基板、主動元件層、畫素電極層、輔助導電層、第一間隙物及第二間隙物。主動元件層配置於第一基板上。畫素電極層配置於第一基板上且與主動元件層電性連接。輔助導電層配置於主動元件層上。第一間隙物配置於輔助導電層上。第一間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層重疊。第二間隙物配置於主動元件層上。第二間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層不重疊。第一間隙物之頂點與第一基板的距離大於第二間隙物之頂點與第一基板的距離。
基於上述，在本發明一實施例的顯示面板中，第一間隙物設置在輔助導電層上，而第二間隙物不設置在輔助導電層上。藉此，即便利用成熟的製程於第一基板上形成高度實質上相同的第一間隙物與第二間隙物，第一間隙物之頂點與第一基板的距離 仍會大於第二間隙物之頂點與第一基板的距離。第一間隙物與輔助導電層的堆疊結構可視為維持間隙（cell gap）的主間隙物，而第二間隙物可視為子間隙物。由於形成輔助導電層、第一間隙物及第二間隙物的製程成熟且穩定，因此顯示面板易量產。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖2為圖1之畫素陣列基板的上視示意圖。為清楚表達起見，圖2省略圖1之彩色濾光層170的繪示，且利用繪示電路的方法繪示部分元件（例如：主動元件T）。圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局（layout）上視示意圖。特別是，圖3對應於圖2之第一間隙物152所在的區域R1，圖1對應於圖3的剖線Ⅰ-Ⅰ’。圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。特別是，圖4對應於圖2之第二間隙物154所在的區域R2，圖1對應於圖4的剖線Ⅱ-Ⅱ’。
請參照圖1，在本實施例中，顯示面板1000包括畫素陣列基板100、第二基板200以及顯示介質300。畫素陣列基板100包括第一基板110，第二基板200配置於第一基板110的對向，顯示介質300位於第一基板110與第二基板200之間。在本實施例中，顯示介質300例如為液晶。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，顯示介質300也可為有機發光二極體（organic light-emitting diode，OLED）或其他適當材料。在本實施例中，第一基板110及第二基板200可皆為透光基板。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一基板110可為不透光/反光基板，而第二基板200可為透光基板。舉例而言，前述之透光基板的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其它適當材料，前述之不透光/反光基板的材質可為導電材料、晶圓、陶瓷或是其它適當材料，但本發明不限於此。
請參照圖1及圖2，畫素陣列基板100包括主動元件層120。主動元件層120配置於第一基板110上。在本實施例中，主動元件層120包括多個主動元件T、多條資料線DL、多條掃描線GL及絕緣層160。舉例而言，在本實施例中，主動元件T可為薄膜電晶體。薄膜電晶體具有閘極G、半導體層CH、位於半導體層CH與閘極G之間的絕緣層GI以及分別與半導體層CH之不同兩區域電性連接的源極S與汲極D。詳言之，如圖1所示，在本實施例中，閘極G可以位於半導體層CH的下方，而主動元件T可以是底部閘極型薄膜電晶體（bottom gate TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，主動元件T也可以是頂部閘極型薄膜電晶體（top gate TFT）或其他適當型式的薄膜電晶體。
多條資料線DL與多條掃描線GL彼此交錯。多條資料線DL及多條掃描線GL與多個主動元件T電性連接。詳言之，在本實施例中，資料線DL與主動元件T的源極S電性連接，而掃描線GL與主動元件T的閘極G電性連接。舉例而言，在本實施例中，掃描線GL與閘極G可形成於同一第一導電層，資料線DL、源極S與汲極D可形成於同一第二導電層，但本發明不以此為限。基於導電性的考量，掃描線GL與資料線DL一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，在其他實施例中，掃描線GL與資料線DL也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、其它合適的材料、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在本實施例中，絕緣層160可覆蓋主動元件T、資料線DL及掃描線GL。舉例而言，在本實施例中，絕緣層160的材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合）、其它適當材料、或上述之組合。
請參照圖1，在本實施例中，畫素陣列基板100可選擇性地包括彩色濾光層170。舉例而言，在本實施例中，彩色濾光層170可以配置在覆蓋主動元件T上方的絕緣層160上，但本發明不以此為限。在本實施例中，彩色濾光層170包括多個彩色濾光圖案170R、170G。多個彩色濾光圖案170R、170G分別配置於第一基板110的多個子畫素區110a（標示於圖2）。請參照圖2，在本實施例中，每一子畫素區110a可以是由相鄰兩條資料線DL及相鄰兩條掃描線GL所圍出的區域，但本發明不以此為限。請參照圖1，在本實施例中，相鄰且顏色不同的兩個彩色濾光圖案170R、170G可以部分重疊。彩色濾光圖案170R與彩色濾光圖案170G之相重疊的部分172可位於資料線DL上方。換言之，相鄰之兩個彩色濾光圖案170R、170G重疊的部分172可遮蔽在相鄰兩畫素電極132之間的區域，以輔助性地改善背光造成的漏光問題，但本發明不以此為限。
請參照圖1，在本實施例中，畫素陣列基板100還可包括絕緣層180。絕緣層180覆蓋彩色濾光層170。舉例而言，在本實施例中，絕緣層180的材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合）、或其它可適用的材料、或上述之組合。
請參照圖1，輔助導電層140配置於主動元件層120上。詳言之，在本實施例中，輔助導電層140可以配置在覆蓋彩色濾光層170上方的絕緣層180上，但本發明不以此為限。請參照圖1至圖4，在本實施例中，輔助導電層140可具有多個第一延伸部142與多個第二延伸部144，第一延伸部142在垂直投影方向z上與資料線DL重疊，第二延伸部144在垂直投影方向z上與掃描線GL重疊。更進一步地說，在本實施例中，輔助導電層140還具有第三延伸部146（標示於圖3及圖4），第三延伸部146在垂直投影方向z上與主動元件T重疊。第三延伸部146與第一延伸部142及第二延伸部144連接，且位於第一延伸部142與第二延伸部144交錯處。如圖3所示，第三延伸部146在掃描線GL之延伸方向x上的寬度W3可大於第一延伸部142在掃描線GL之延伸方向x上的寬度W1。方向y與掃描線GL之延伸方向x及垂直投影方向z垂直，第三延伸部146在方向y上的寬度W4可大於第二延伸部144在方向y上的寬度W2。請參照圖2，整體而言，在本實施例中，輔助導電層140大致上可形成一網狀圖形，所述網狀圖形的多個網孔分別與多個子畫素區110a重疊，所述網狀圖形之網線會在第二間隙物154配置處斷開，而不會在第一間隙物152所在處斷開。
請參照圖2、圖3及圖4，舉例而言，在本實施例中，輔助導電層140可以是遮光導電層。換言之，在本實施例中，第一延伸部142、第二延伸部144及第三延伸部146皆可遮光。第一延伸部142可遮蔽在方向x上相鄰之多個子畫素區110a之間的區域，第二延伸部144可遮蔽在方向y上相鄰之多個子畫素區110a之間的區域，第三延伸部146（繪於圖3及圖4）可遮蔽主動元件T、第一間隙物152及第二間隙物154所在之區域，進而防止顯示面板1000漏光。簡言之，在本實施例中，輔助導電層140可取代傳統BOA（Black Matrix on Array）結構之黑色矩陣的部份功能。特別是，輔助導電層140之第一延伸部142可取代傳統BOA結構之黑色矩陣的縱向部的功能。在本實施例中，輔助導電層140的材質例如是金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、其它適當材料、金屬材料與其它導電材料的堆疊層、其他適當材料、或上述至少二者之組合。舉例而言，輔助導電層140的材質可以是矽化鉬(MoSi)、 氮矽化鉬(MoSiN)、 矽氧化鉬(MoSiO)、碳矽化鉬(MoSiC)、碳氧矽化鉬(MoSiCO)、氮碳矽化鉬(MoSiCN)、矽氧氮化鉬(MoSiON)、鉬(Mo)、 鉭(Ta)、氮化鉬（MoN）、鋁（Al）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉑（Pt）、鎢（W）、銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、氧化鋅（ZnO）、其它適當材料、或上述至少二者之組合。較佳可為鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、氮化鉬(MoN)、鈦(Ti)。
然而，本發明並不限制輔助導電層140一定要是遮光導電層，在其他實施例中，輔助導電層140也可以是透光導電層，而顯示面板1000可利用其他構件防止漏光；舉例而言，可利用彩色濾光圖案170R、170G相重疊的部分172遮蔽在方向x上相鄰之多個子畫素區110 a之間的區域，可利用遮光圖案層156遮蔽在方向y上相鄰之多個子畫素區110a之間的區域、主動元件T、第一間隙物152、第二間隙物154及開孔190a所在之區域，以防止顯示面板1000漏光。舉例而言，所述透光導電層的材質可以是金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。
請參照圖1，在本實施例中，畫素陣列基板100可選擇性地包括共用電極層190。共用電極層190分別與多個畫素電極132重疊的多個部分可視為多個共用電極。共用電極層190配置於第一基板110上。舉例而言，在本實施例中，輔助導電層140可位於共用電極層190與主動元件層120之間。更進一步地說，在本實施例中，共用電極層190可配置於絕緣層180及輔助導電層140上。共用電極層190可直接覆蓋輔助導電層140，以和輔助導電層140電性連接。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，共用電極層190也可用其他適當方式與輔助導電層140電性連接。此外，在本實施例中，共用電極層190具有開孔190a，主動元件層120還包括與主動元件T之汲極D電性連接的一連接部122，其中共用電極層190的開孔190a與連接部122在垂直投影方向z上重疊。在本實施例中，共用電極層190例如是透光導電層。透光導電層的材質可以是金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖2，在本實施例中，共用電極層190除了可做為顯示用的共用電極層外，還可選擇性地做為觸控用的觸控電極層。如圖2所示，共用電極層190具有彼此分離的多個觸控感測墊192。每一觸控感測墊192與多個畫素電極132在垂直投影方向z上重疊。當顯示面板1000操作於觸控模式（或說，處於觸控時段）時，如有物體（例如：手指或觸控筆）觸碰顯示面板1000，所述物體與觸控感測墊192之間會形成電容耦合，進而產生電容變化；藉由偵測此電容變化可判斷物體的觸碰位置，進而實現觸控功能。
請參照圖2，值得注意的是，在本實施例中，輔助導電層140（標示於圖1及圖3）可以和做為觸控電極層的共用電極層190電性連接，而部分的輔助導電層140可做為觸控走線TL使用。每一觸控走線TL電性連接於對應的一個觸控感測墊192與觸控驅動單元400之間。詳言之，在本實施例中，每一觸控感測墊192可直接覆蓋輔助導電層140的多個第一延伸部142、多個第二延伸部144及多個第三延伸部146，而與多個第一延伸部142、多個第二延伸部144及多個第三延伸部146電性連接；其中，與某一個觸控感測墊192重疊的至少一條第一延伸部142可延伸至該觸控感測墊192的面積外，以和觸控驅動單元400電性連接，而所述至少一條第一延伸部142可視為觸控走線TL。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，共用電極層190也可以不做為觸控電極層使用，及/或輔助導電層140也不一定要包括電性連接於觸控感測墊192與觸控驅動單元400之間的觸控走線TL。在本實施例中，第一基板110具有多個子畫素區110a外的周邊區110b，而觸控驅動單元400例如是接合（bonding）於周邊區110b上的積體電路（integrated circuit，IC），但本發明不限於此，在其他實施例中，觸控驅動單元400也可以是位於顯示面板1000以外的構件。
請參照圖1，在本實施例中，畫素陣列基板100可選擇性地包括絕緣層194。絕緣層194配置於畫素電極層130與共用電極層190之間。舉例而言，在本實施例中，絕緣層194可覆蓋共用電極層190，而畫素電極層130可配置於絕緣層194上，但本發明不限於此。舉例而言，在本實施例中，絕緣層194的材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合）、或其它可適用的材料、或上述之組合。
請參照圖1至圖4，畫素陣列基板100包括畫素電極層130。畫素電極層130具有彼此分離的多個畫素電極132。畫素電極層130配置於第一基板110上且與主動元件T電性連接。舉例而言，如圖1所示，在本實施例中，絕緣層194、共用電極層190、絕緣層180、彩色濾光層170及絕緣層160分別具有與連接部122重疊的開孔194a、190a、180a、170a、160a，畫素電極132可填入開孔194a、190a、180a、170a、160a以和連接部122電性接觸，藉此，畫素電極132可透過連接部122與主動元件T的汲極D電性連接。
請參照圖1及圖3，在本實施例中，每一個子畫素區110a中畫素電極132和對應之共用電極層190(觸控感測墊192)的其中一者具有多個開口132a。舉例而言，在本實施例中，畫素電極132較共用電極層190靠近顯示介質300，畫素電極132具有多個開口132a，畫素電極132的多個開口132a可位於共用電極層190（或者說，觸控感測墊192）上方。然而，本發明不限於此，在未繪示的一實施例中，共用電極層也可較畫素電極靠近顯示介質，共用電極層可具有多個開口，而共用電極層的多個開口也可位於畫素電極上方。當顯示面板1000操作於顯示模式（或者說，處於顯示時段）時，共用電極層190與畫素電極層130之間的電位差能驅動顯示介質300，進而使顯示面板1000顯示畫面。
在本實施例中，畫素電極層130及共用電極層190可選擇性地設置於同一基板（例如：第一基板110）上且均位於第一基板110與顯示介質300之間，而顯示面板1000例如是邊緣場切換（Fringe-Field Switching，FFS）模式的顯示面板。然而，本發明不限於此，在另一實施例中，畫素電極層130及共用電極層190也可設置於同一基板，但顯示面板1000可以是共面切換（In-Plane Switching，IPS）模式或其他適當模式的顯示面板；在又一實施例中，畫素電極層及共用電極層也可選擇性地分別設置於第一基板110與第二基板200上，而顯示面板1000可以是扭轉向列（Twisted Nematic，TN）、超級扭轉向列（Super Twisted Nematic，STN）、垂直排列（Vertical Alignment，VA）、聚合物穩定配向（polymer sustained alignment，PSA）、光學補償雙折射型（Optically Compensated Birefringence，OCB）等模式或其他適當模式的顯示面板。
請參照圖1、圖3及圖4，值得注意的是，第一間隙物152配置於主動元件層120及輔助導電層140上，且在垂直投影方向z上與輔助導電層140重疊。第二間隙物154配置於主動元件層120上，且在垂直投影方向z上與輔助導電層140不重疊。在本實施例中，第一間隙物152本身的高度h1等於或接近於第二間隙物154本身的高度h2，但由於第一間隙物152會被輔助導電層140墊高而第二間隙物154不會被輔助導電層140墊高，因此，在一般的情況下（例如：顯示面板1000未過度受壓而造成第一間隙物152及第二間隙物154皆形變時），第一間隙物152之頂點152a與第一基板110的距離D1會大於第二間隙物154之頂點154a與第一基板110的距離D2，第一間隙物152的頂點152a高於第二間隙物154的頂點154a。換言之，第一間隙物152與部分輔助導電層140（例如：第三延伸部146）的堆疊結構可視為支撐畫素陣列基板100與第二基板200之間的間隙（cell gap）的主間隙物（main spacer），而第二間隙物154可視為子間隙物（sub spacer）。
更進一步地說，在一般的情況下（例如：顯示面板1000未過度受壓而造成第一間隙物152及第二間隙物154皆形變時），第一間隙物152之頂點152a可抵頂第二基板200，而第二間隙物154之頂點154a可與第二基板200保持一段距離且未接觸於第二基板200。然而，本發明不限於此，在特殊情況下（例如：顯示面板1000過度受壓而第一間隙物152及第二間隙物154皆形變時），第一間隙物152之頂點152a與第二間隙物154之頂點154a也可能皆抵頂第二基板200。但在特殊情況解除時，如第一間隙物152及第二間隙物154未因彈性疲乏而永久變形（即第一間隙物152及第二間隙物154未損壞），第一間隙物152之頂點152a與第一基板110的距離D1仍會大於第二間隙物154之頂點154a與第一基板110的距離D2。
請參照圖1及圖3，在本實施例中，第一間隙物152可設置在主動元件T及輔助導電層140的第三延伸部146上。請參照圖1及圖4，輔助導電層140的第一延伸部142可具有一斷開處142a，斷開處142a可與另一主動元件T重疊，第二間隙物154可位於所述另一主動元件T及斷開處142a上而不與輔助導電層140重疊。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一間隙物152及/或第二間隙物154也可設置在其他適當位置，第一間隙物152及/或第二間隙物154不一定要與主動元件T重疊。
請參照圖1，在本實施例中，畫素陣列基板100還包括遮光圖案層156。遮光圖案層156配置於輔助導電層140上。第一間隙物152及第二間隙物154位於第二基板200與遮光圖案層156之間。遮光圖案層156位於第一間隙物152與輔助導電層140之間。舉例而言，在本實施例中，遮光圖案層156可配置於絕緣層194上，且部分的遮光圖案層156位於第一間隙物152與絕緣層194之間及第二間隙物154與絕緣層194之間。在本實施例中，第一間隙物152及第二間隙物154可配置於遮光圖案層156上且與遮光圖案層156直接連接。舉例而言，在本實施例中，可利用半調式（half-tone）光罩圖案化遮光材料層（未繪示），而同時形成第一間隙物152、第二間隙物154及遮光圖案層156。相較於採用三色式（tri-tone）光罩的圖案化製程，本實施例採用半調式光罩的圖案化製程成熟，能形成高度理想且變異小之第一間隙物152、第二間隙物154及遮光圖案層156，而有助於顯示面板1000的量產。在本實施例中，第一間隙物152、第二間隙物154及遮光圖案層156是一體成型的，而第一間隙物152、第二間隙物154及遮光圖案層156的材料可為相同的遮光材料，例如：黑色光阻等，但本發明不以此為限。
請參照圖2、圖3及圖4，在本實施例中，遮光圖案層156至少用以遮蔽多條掃描線GL。舉例而言，在本實施例中，遮光圖案層156可完全地遮蔽掃描線GL，而不完全地遮蔽資料線DL。詳言之，遮光圖案層156可遮蔽部分的資料線DL（例如：為資料線DL之一部分的源極S），而不遮蔽資料線DL的其它部分。換言之，遮光圖案層156可選擇性地不重疊於資料線DL的一部分DL-1，與遮光圖案層156不重疊之資料線DL的一部分DL-1在第一基板上110的垂直投影位於相鄰兩條掃描線GL在第一基板110上的兩個垂直投影之間。簡言之，如圖2所示，在本實施例中，基於優化開口率的考量，遮光圖案層156可具有遮蔽掃描線GL、主動元件T及開孔190a的橫向部，而不具有能完全遮蔽資料線DL的縱向部。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，遮光圖案層156也可兼具分別遮蔽掃描線GL及資料線DL的橫向部及縱向部。
圖5為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖6為圖5之畫素陣列基板的上視示意圖。為清楚表達起見，圖6省略圖5之彩色濾光層170的繪示。圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局（layout）上視示意圖。特別是，圖7對應於圖6之第一間隙物152所在的區域R1，圖5對應於圖7的剖線Ⅰ-Ⅰ’。圖8為本發明另一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。特別是，圖8對應於圖6之第二間隙物154所在的區域R2，圖5對應於圖8的剖線Ⅱ-Ⅱ’。
請參照圖5至圖8，顯示面板1000’與前述之顯示面板1000類似，因此相同或相似的元件以相同或相似的標號表示。顯示面板1000’ 包括畫素陣列基板110’。畫素陣列基板110’ 包括第一基板110、主動元件層120、畫素電極層130、輔助導電層140’、第一間隙物152以及第二間隙物154。主動元件層120配置於第一基板110上。畫素電極層130配置於第一基板110上且與主動元件層120電性連接。輔助導電層140’配置於主動元件層120上。第一間隙物152配置於輔助導電層140’上，第一間隙物152在垂直投影方向z上與輔助導電層140’重疊。第二間隙物154配置於主動元件層120上，第二間隙物154在垂直投影方向z上與輔助導電層140’不重疊。第一間隙物152之頂點152a與第一基板110的距離D1大於第二間隙物154之頂點154a與第一基板110的距離D2。
與前述之顯示面板1000不同的是，顯示面板1000’之輔助導電層140’及共用電極層190’的膜層順序與顯示面板1000之輔助導電層140及共用電極層190的膜層順序不同。具體而言，如圖5所示，在本實施例中，共用電極層190’位於輔助導電層140’與主動元件層120之間。詳言之，在本實施例中，絕緣層194覆蓋共用電極層190’且具有開孔194b，輔助導電層140’配置於絕緣層194上且填入開孔194b以和共用電極層190’電性連接。請參照圖5及圖7，舉例而言，在本實施例中，輔助導電層140’可具有由第三延伸部146向外延伸的第四延伸部148，絕緣層194的開孔194b可選擇性地設置在資料線DL上方，輔助導電層140’的第四延伸部148可填入位於資料線DL上方的開孔194b，以使輔助導電層140’與共用電極層190’電性連接；但本發明不以此為限，在其它實施例中，輔助導電層140’與共用電極層190’也可透過設置在其它適當位置的開孔194b彼此電性連接。顯示面板1000’ 具有與顯示面板1000類似的功效與優點，於此便不再重述。
圖9為本發明又一實施例之顯示面板的畫素陣列基板的上視示意圖。圖9之畫素陣列基板100’’與圖2之畫素陣列基板100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的標號表示，兩者的主要差異在於：畫素陣列基板100’’的輔助導電層140’’與畫素陣列基板100的輔助導電層140不同。詳言之，在圖2的實施例中，除了在第二間隙物154設置處以外，輔助導電層140幾乎覆蓋所有資料線DL及掃描線GL。在圖9的實施例中，與遮光圖案層156不重疊之資料線DL的一部分DL-1在第一基板上110的垂直投影位於相鄰兩條掃描線GL在第一基板110上的兩個垂直投影之間，而輔助導電層140’’可不覆蓋至少一條資料線DL的一部分DL-1。
此外，需說明的是，圖1至圖9所繪之第一間隙物152和第二間隙物154的形狀僅是用以舉例說明本發明的實施例而非用以限制本發明，第一間隙物152和第二間隙物154的形狀可視實際需求設計之。
綜上所述，本發明一實施例的顯示面板的畫素陣列基板包括第一基板、主動元件層、畫素電極層、輔助導電層、第一間隙物及第二間隙物。第一間隙物及第二間隙物皆配置於主動元件層上。第一間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層重疊。第二間隙物在垂直投影方向上與輔助導電層不重疊。藉此，即便第一間隙物本身的高度與第二間隙物本身的高度實質上相等，第一間隙物之頂點與第一基板的距離會大於第二間隙物之頂點與第一基板的距離，第一間隙物與輔助導電層的堆疊結構可視為維持間隙（cell gap）的主間隙物，而第二間隙物可視為副間隙物。由於形成上述之輔助導電層、第一間隙物及第二間隙物的製程成熟且穩定，因此顯示面板易量產。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100’’‧‧‧畫素陣列基板
110‧‧‧第一基板
110a‧‧‧子畫素區
110b‧‧‧周邊區
120‧‧‧主動元件層
122‧‧‧連接部
130‧‧‧畫素電極層
132‧‧‧畫素電極
132a‧‧‧開口
140、140’、140’’‧‧‧輔助導電層
142‧‧‧第一延伸部
142a‧‧‧斷開處
144‧‧‧第二延伸部
146‧‧‧第三延伸部
148‧‧‧第四延伸部
152‧‧‧第一間隙物
152a、154a‧‧‧頂點
154‧‧‧第二間隙物
156‧‧‧遮光圖案層
160、180‧‧‧絕緣層
170‧‧‧彩色濾光層
170R、170G‧‧‧彩色濾光圖案
172‧‧‧相重疊的部分
190、190’‧‧‧共用電極層
160a、170a、180a、190a、194a、194b‧‧‧開孔
192‧‧‧觸控感測墊
194‧‧‧絕緣層
200‧‧‧第二基板
300‧‧‧顯示介質
400‧‧‧觸控驅動單元
1000、1000’‧‧‧顯示面板
CH‧‧‧半導體層
DL‧‧‧資料線
DL-1‧‧‧資料線的一部分
D‧‧‧汲極
D1、D2‧‧‧距離
GL‧‧‧掃描線
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧絕緣層
h1、h2‧‧‧高度
R1、R2‧‧‧區域
S‧‧‧源極
T‧‧‧主動元件
TL‧‧‧觸控走線
W1、W2、W3、W4‧‧‧寬度
x、y、z‧‧‧方向
Ⅰ-Ⅰ’、Ⅱ-Ⅱ’‧‧‧剖線
圖1為本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖2為圖1之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。 圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。 圖5為本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖6為圖5之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。 圖8為本發明另一實施例之畫素陣列基板的部分區域的佈局上視示意圖。 圖9為本發明又一實施例之顯示面板的畫素陣列基板的上視示意圖。

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括： 一第一基板； 一主動元件層，配置於該第一基板上； 一畫素電極層，配置於該第一基板上且與該主動元件層電性連接； 一輔助導電層，配置於該主動元件層上； 一第一間隙物，配置於該輔助導電層上，其中該第一間隙物在一垂直投影方向上與該輔助導電層重疊；以及 一第二間隙物，配置於該主動元件層上，其中該第二間隙物在該垂直投影方向上與該輔助導電層不重疊； 該第一間隙物之頂點與該第一基板的距離大於該第二間隙物之頂點與該第一基板的距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該輔助導電層包括多條觸控走線，該第一間隙物在該垂直投影方向上與該些觸控走線其中之一重疊。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，更包括： 一觸控電極層，配置於該第一基板上，其中該觸控電極層具有彼此分離的多個觸控感測墊，該畫素電極層具有彼此分離的多個畫素電極，該些觸控感測墊與該些畫素電極在該垂直投影方向上重疊，而該些觸控走線與該些觸控感測墊電性連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該觸控電極層為一共用電極層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，更包括： 一絕緣層，配置於該畫素電極層與該共用電極層之間，其中每一該畫素電極和對應之該觸控感測墊的其中一者具有多個開口。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該觸控電極層位於該輔助導電層與該主動元件層之間。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該輔助導電層位於該觸控電極層與該主動元件層之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該主動元件層包括： 多個主動元件； 多條資料線以及多條掃描線，彼此交錯且與該些主動元件電性連接，其中該輔助導電層具有多個第一延伸部與多個第二延伸部，該些第一延伸部在該垂直投影方向上與該些資料線重疊，而該些第二延伸部在該垂直投影方向上與該些掃描線重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該些第一延伸部與該些第二延伸部連接，且該些第一延伸部的其中一個或該些第二延伸部的其中一個具有一斷開處，而該第二間隙物設置於該斷開處上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，更包括： 一共用電極層，配置於該第一基板上； 一絕緣層，配置於該畫素電極層與該共用電極層之間，其中該畫素電極層具有多個畫素電極，該共用電極層具有多個共用電極，該些畫素電極與該些共用電極重疊，每一該畫素電極和對應之該共用電極的其中一者具有多個開口。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該輔助導電層與該共用電極層電性連接。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該輔助導電層位於該共用電極層與該主動元件層之間。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該共用電極層位於該輔助導電層與該主動元件層之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一間隙物的材質及該第二間隙物的材質為遮光光阻材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該主動元件層包括： 多個主動元件； 多條資料線以及多條掃描線，彼此交錯且與該些主動元件電性連接，而該顯示面板更包括： 一遮光圖案層，至少用以遮蔽該些掃描線，其中該遮光圖案層配置於該輔助導電層上，該第一間隙物及該第二間隙物配置於該遮光圖案層上且與該遮光圖案層直接連接。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，更包括： 一第二基板，配置於該第一基板的對向；以及 一顯示介質，配置於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一間隙物及該第二間隙物位於該第二基板與該遮光圖案層之間，而該遮光圖案層位於該第一間隙物與該輔助導電層之間。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該第一間隙物、該第二間隙物及該遮光圖案層的材料為相同的遮光光阻材料。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該遮光圖案層不重疊於每一該資料線的一部分，該資料線的該部分在該第一基板上的垂直投影位於相鄰兩條掃描線在該第一基板上的兩個垂直投影之間。
  19. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一彩色濾光層，配置於該第一基板上且位於該畫素電極層與該第一基板之間。
  20. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該輔助導電層的材料為鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、氮化鉬(MoN)、鈦(Ti)。
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