CN1497703A - 切割/冲模-结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法 - Google Patents

切割/冲模-结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法 Download PDF

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Abstract

一种切割/冲模－结合膜，其包括在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模－结合粘合剂层(3)，其中压敏粘合剂层(2)和冲模－结合粘合剂层(3)之间界面的剥离性在对应于冲模－结合粘合剂层(3)中机件－附着区(3a)的界面(A)和对应于部分或全部其他区域(3b)的界面(B)之间是不同的，而界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。这种切割/冲模－结合膜在切割机件过程中的保持力和将切割的碎片机件连同冲模－结合粘合剂层一起剥离过程中的剥离性之间的平衡方面极优异。

Description

切割/冲模-结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法
技术领域
本发明涉及一种切割/冲模-结合膜。切割/冲模-结合膜用于在这样一种状态下切割机件：切割之前在机件(半导体晶片等)上布有将碎片机件(半导体芯片等)粘在电极材料上的粘合剂。此外，本发明涉及用切割/冲模-结合膜固定碎片机件的方法。本发明还涉及含用这种固定方法粘结的碎片机件的半导体设备。
背景技术
表面上形成了电路图案的半导体晶片在背面-磨削调节厚度之后，根据需要被切割成碎片机件(切割步骤)。在切割步骤中，一般在合适的流体压力下(通常约2kg/cm2)清洗半导体晶片以除去切削层。然后将碎片机件粘合在诸如铅框的被粘物上(安装步骤)，再在结合步骤进行加工。在安装步骤中，按常规在铅框或碎片机件上使用粘合剂。但是该方法中很难形成均匀的胶粘层，而且粘合剂的使用需要特殊的组件和长时间。因此，有人提出一种切割/冲模-结合膜，其具有在切割步骤中将半导体晶片粘附于其上的粘合剂层、并为安装步骤提供必要的芯片安装(参见JP-A 60-57642)。
上述JP-A 60-57642中的切割/冲模-结合膜包括以可释方式布在支撑基底材料上的粘合剂层。即，将粘合剂层上保留的半导体晶片切割成小块，拉伸支撑基底材料将每个碎片机件连同粘合剂层一起除去，而每个机件则通过粘合剂层被回收和固定在诸如铅框的被粘物上。
为了防止诸如无法切割和弄错尺寸的问题，要求该切割/冲模结合膜的粘合剂层具有在切割后足以将半导体晶片保留下来，并足以将碎片机件连同粘合剂层一起从支撑基底材料上剥离下来的能力。但是，平衡这两种能力是很不容易的。当要求粘合剂层具有足够的保持力，特别是在用旋转圆齿(rotating circular tooth)切割半导体晶片时，满足上述特征的切割/冲模-结合膜是很难获得的。
为了克服这个难题，人们提出了多种改进方法(参见例如JP-A 2-248064)。前述的JP-A 2-248064提出如下方法，该方法包括允许在支撑基底材料和粘合剂层之间存在一个UV-固化的压敏粘合剂层，然后在切割后用紫外线固化，使压敏粘合剂层和粘合剂层之间的粘合力降低，从而两层相互分开，以便于碎片机件的获得。
但是使用该方法，很难使粘合剂层达到在切割步骤中的保持力和在随后的步骤中的可释性之间的良好平衡。例如，当想要获得10mm×10mm或更大尺寸的大碎片机件时，其面积太大而不能用一般的冲模联接器来拾起。
发明内容
发明概述
本发明的一个目的是提供一种切割/冲模-结合膜，该膜包含在支撑基底材料上的压敏粘合层，和在压敏粘合剂层上以可释方式安置的冲模-结合粘合剂层，这种切割/冲模-结合膜在切割机件中的保持力和在将其切割的碎片机件连同冲模-结合粘合剂层一起剥离过程中的可释性之间达到极好的平衡。
本发明的另一个目的是提供一种用切割/冲模-结合膜固定碎片机件的方法。本发明的再一个目的是提供一种含用该固定方法粘结的碎片机件的半导体设备。
本发明者进行了大量研究来解决上述难题，结果发现如下所述的切割/冲模-结合膜，从而完成了本发明。
即，本发明涉及一种切割/冲模-结合膜，该膜包括在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)，
其中压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)之间界面的剥离性在对应于冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)的界面(A)和对应于其他区域(3b)的部分或全部区域的界面(B)之间是不同的，而界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。
在切割/冲模-结合膜(1)中，压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)的粘合力在对应于冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区域(3a)的区域(2a)和对应于部分或全部其他区域(3b)的区域(2b)之间是不同的，并满足如下关系：压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。
本发明的切割/冲模-结合膜(1)包括在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上以可释方式结合的冲模-结合粘合剂层(3)。在压敏粘合剂层(2)中，分别对应于冲模-结合层(3)中机件-附着区(3a)和其他区域(3b)的区域(2a、2b)的粘合力是这样设计的：压敏粘合剂层(2a)的粘合力要低于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。即，压敏粘合剂层(2b)在切割步骤或扩展(expanding)步骤中适当地粘附在粘合剂层(3)上，以防止粘合剂层(3)从压敏粘合剂层(2)上剥离下来。另一方面，压敏粘合剂层(2a)可以容易地剥离。从而，可以获得易剥离且能够捡拾(pickup)10mm×10mm或更大尺寸的大碎片的切割/冲模-结合膜，这种大碎片是作为不必降低切割等级而获得的切割碎片机件。因此，本发明的切割/冲模-结合膜(1)很好地平衡了切割步骤中的保持力和捡拾步骤中的剥离性。
在切割/冲模-结合膜(1)中，优选冲模-结合粘合剂层(3)中的机件-附着区(3a)和机件以及和压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足如下关系：
和机件的粘合力大于和压敏粘合剂层(2a)的粘合力。
当冲模-结合粘合剂层(3)和机件以及和压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足这个关系，可以很容易地将切割后布置在碎片机件上的冲模-结合粘合剂层(3)从压敏粘合剂层(2a)上剥离下来。
在切割/冲模-结合膜(1)中，冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)外的部分区域(3b)可以用作切割环-附着区(3b’)。在切割/冲模-结合膜(1)中，优选冲模-结合粘合剂层(3)中的切割环-附着区(3b’)和切割环以及和压敏粘合剂层(2b’)的粘合力满足如下关系：
和切割环的粘合力小于和压敏粘合剂层(2b’)的粘合力。
当冲模-结合粘合剂层(3)的粘合力满足上述关系时，切割步骤中的保持力和捡拾步骤中的剥离性之间的平衡被改善了。
此外，本发明涉及一种切割/冲模-结合膜，其包含在支撑基底材料上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)，
其中在部分压敏粘合剂层(2)上冲模-结合粘合剂层(3)被安排作为机件-附着区(3a)，而且
压敏粘合剂层(2)中对应于机件-附着区(3a)的区域(2a)和其他区域在粘合力方面不同，且满足如下关系：
压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。
本发明的切割/冲模-结合膜(2)包括在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和以可释方式被安排在部分压敏粘合剂层(2)上作为机件-附着区(3a)的冲模-结合粘合剂层。压敏粘合剂层(2)被设计成使对应于机件-附着区域(3a)的区域(2a)的粘合力和其他区域(2b)的粘合力满足如下关系：压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。即，可以很容易地剥离压敏粘合剂层(2a)。另一方面，可以将晶片环粘附在压敏粘合剂层(2b)上并固定，使其在切割步骤和扩展步骤中不剥离下来。因而，可以获得易剥离且能够捡拾10mm×10mm或更大尺寸的大芯片的切割/冲模-结合膜，这种大芯片是作为不必降低切割等级而获得的切割碎片机件。因此，本发明的切割/冲模-结合膜(2)很好地平衡了切割步骤中的保持力和捡拾步骤中的剥离性。
在切割/冲膜结合(2)中，优选机件-附着区(3a)与机件的粘合力和与压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足如下关系：
和机件的粘合力大于和压敏粘合剂层(2a)的粘合力。
当冲模-结合粘合剂层(3a)和机件的粘合力与和压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足上述关系时，可以很容易地将切割后布置在碎片机件上的冲模-结合粘合剂层(3a)从压敏粘合剂层(2a)上剥离下来。
在切割/冲模-结合膜(1)和(2)中，优选压敏粘合剂层(2)是由辐射-固化压敏粘合剂形成的，并且可以通过辐射物辐射来形成对应于机件-附着区(3a)的压敏粘合剂层(2a)。
此外，本方面涉及固定碎片机件的方法，该方法包括如下步骤：
将机件压在切割/冲模-结合膜(1)或(2)的冲模-结合粘合剂层(3a)上，
将机件切割成小块碎片，
将碎片机件连同冲模-结合粘合剂层(3a)一起从压敏粘合剂层(2a)上剥离下来，以及
通过冲模-结合粘合剂层(3a)将碎片机件固定在半导体元件上。
此外，本发明涉及一种含碎片机件的半导体设备，这些碎片机件是采用将碎片机件固定在基片或芯片上的方法、通过冲模-结合粘合剂(3a)而被固定在半导体元件上的。
附图说明
图1是本发明切割/冲模-结合膜(1)的截面图的一个实例。
图2是本发明另一个切割/冲模-结合膜(1)的截面图的一个实例。
图3是本发明切割/冲模-结合膜(2)的截面图的一个实例。
发明详述
下面将参照附图描述本发明的切割/冲模-结合膜。图1和2是本发明切割/冲模-结合膜(1)的截面图，该切割/冲模-结合膜包含在其支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)。
图1中，压敏粘合剂层(2)的区域(2a，2b)被设计成使它们从冲模-结合粘合剂层(3)上的剥离性满足这样的关系：对应于机件-附着区(3a)的界面(A)的剥离性高于对应于其他区域(3b)的界面(B)的剥离性。压敏粘合剂层(2a)对应于冲模-结合粘合剂层(3)中的机件-附着区(3a)，而压敏粘合剂层(2b)对应于其他区域(3b)。
图2显示的实例中部分区域(3b)对应于切割环-附着区(3b’)。即，切割环-附着区(3b’)及其对应的压敏粘合剂层(2b’)之间的界面(B’)的剥离性遵循如下关系：界面(A)的剥离性高于界面(B’)的剥离性。图1中，除了压敏粘合剂层(2a)以外的整个压敏粘合剂层(2)都是压敏粘合剂层(2b)，但是如图2所示，压敏粘合剂层(2a)以外的部分压敏粘合剂层(2)也可以是压敏粘合剂层(2b)。
图3显示了本发明切割/冲模-结合膜(2)的截面图，该切割/冲模-结合膜包含在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在部分压敏粘合剂层(2)上的机件-附着区(3a)。各个区域(2a，2b)被设计成对应于机件-附着区(3a)的区域(2a)的粘合力和压敏粘合剂层(2)中其他区域(2b)的粘合力遵循如下关系：压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。
支撑基底材料(1)充当赋予切割/冲模-结合膜强度的材料。其实例包括聚烯烃，例如低密度聚乙烯，线性聚乙烯，中密度聚乙烯，高密度聚乙烯，超低密度聚乙烯，聚丙烯的无规共聚物，聚丙烯的嵌段共聚物，均聚丙烯，聚丁烯和聚甲基戊烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，离子键树脂，乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯/(甲基)丙烯酸(无规、交替)共聚物，乙烯-丁烯共聚物，乙烯-己烯共聚物，聚氨酯，聚酯如聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚乙烯萘，聚碳酸酯，聚酰亚胺，聚醚醚酮，聚酰亚胺，聚醚酰亚胺，聚酰胺，芳香族聚酰胺，聚苯硫，芳族聚酰胺(纸)，玻璃，玻璃布，氟树脂，聚氯乙烯，聚偏1，1-二氯乙烯，纤维素树脂，硅氧烷树脂，金属(箔)，纸等。
支撑基底材料的材料包括诸如交联树脂的聚合物。塑料膜可以是非拉伸的，或者如果需要的话可以进行单轴拉伸或双轴拉伸处理。经拉伸处理而被赋予热收缩性的树脂片可以在切割后热收缩支撑基底材料，从而减少压敏粘合剂层(2a)和粘合剂层(3a)之间的接触面积，以便于回收切碎的机件。
可以对支撑基底材料表面进行普通的表面处理来改善相邻的层的粘合力和维持性，例如化学或物理处理，如用铬酸盐处理，暴露于臭氧，暴露于火焰，高压电电击暴露，以及离子化照射处理，或者用底涂层进行涂层处理(例如稍后描述的粘性材料)。
支撑基底材料的材料可以是相同的材料或者合适的不同材料的混合物，如果需要，还可以使用几种材料的共混物。而且，可以在支撑基底材料上形成由金属、合金或其氧化物组成的厚30～500_的导电沉积物，以使其具有抗静电性能。支撑基底材料可以由单层或双层或多层组成。当压敏粘合剂层(2)是辐射-固化型时，使用的是部分传输诸如X射线、UV线和电子射线的辐射线的支撑基底材料。
可以适当地确定支撑基底材料(1)的厚度而不必有特别的限制，但是一般约5～200μm。
对用于形成压敏粘合剂层(2)的压敏粘合剂没有特别的限制，但是优选易于在压敏粘合剂层(2a)和(2b)之间产生不同粘合力的辐射-固化压敏粘合剂。辐射固化压敏粘合剂可以很容易地通过用诸如UV线的辐射线照射增加交联度来降低其粘合力。因此，可以使和机件-附着区(3a)相匹配的辐射-固化压敏粘合剂层固化，而很容易地产生粘合力显著下降的压敏粘合剂层(2a)。因为粘合剂层(3)或(3a)粘附在粘合力已经降低的压敏粘合剂层(2a)上，压敏粘合剂层(2a)和粘合剂层(3a)之间的界面从本质上讲是很容易在捡拾步骤中分离的。另一方面，没有用射线照射的区域具有足够的粘合力，形成压敏粘合剂层(2b)。
在切割/冲模-结合膜(1)中，由未固化的辐射-固化压敏粘合剂制成的压敏粘合剂层(2b)粘附在粘合剂层(3)上，从而在切割步骤中保持了保持力。因此，辐射-固化压敏粘合剂可以，在维持粘合力和剥离性之间的良好平衡的同时，支撑冲模-结合粘合剂层(3)将碎片机件(半导体碎片等)固定在诸如基片和碎片机件的被附物(称作半导体元件)上。在切割/冲模-结合膜(2)中，压敏粘合剂层(2b)可以固定晶片环等。
可以没有任何特别限制地使用用于形成压敏粘合剂层(2)的辐射-固化压敏粘合剂，只要该粘合剂含诸如碳-碳双键的辐射-固化官能团同时具有粘合力即可。
辐射-固化压敏粘合剂的实例包括加成型辐射-固化压敏粘合剂，该粘合剂含和普通的压敏粘合剂，例如上述的丙烯酸压敏粘合剂或橡胶压敏粘合剂，相复合的辐射-固化单体组分或寡聚物组分。从用超纯水或诸如乙醇的有机溶剂来清洁和诸如半导体晶片和玻璃的无污染电子部件的去垢性角度考虑，优选压敏粘合剂是基于丙烯酸聚合物的丙烯酸压敏粘合剂。
丙烯酸聚合物是，例如，使用一种或多种选自(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，C1-30烷基，特别是C4-18线性或支化烷基酯，例如甲基酯，乙基酯，丙基酯，异丙基酯，丁基酯，异丁基酯，仲丁基酯，叔丁基酯，戊基酯，异戊基酯，己基酯，庚基酯，辛基酯，2-乙基己基酯，异辛基酯，壬基酯，癸基酯，异癸基酯，十一烷基酯，十二烷基酯，十三烷基酯，十四烷基酯，十六烷基酯，十八烷基酯，二十烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如，环戊基酯，环己基酯等)的单体组分的丙烯酸聚合物。(甲基)丙烯酸酯指的是丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，据此含义，在本发明中全部使用(甲基)。
为了改善粘结性和耐热性，丙烯酸聚合物可以包含对应于可和上述(甲基)丙烯酸酯和环烷基酯共聚的其他单体组分的单元。这种单体组分包括，例如，含羧基的单体，如丙烯酸，甲基丙烯酸，羧乙基(甲基)丙烯酸酯，羧戊基(甲基)丙烯酸酯，衣康酸，马来酸，富马酸和巴豆酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯，2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯，4-羟丁基(甲基)丙烯酸酯，6-羟己基(甲基)丙烯酸酯，8-羟辛基(甲基)丙烯酸酯，10-羟癸基(甲基)丙烯酸酯，12-羟基月桂基(甲基)丙烯酸酯和(4-羟甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸，烯丙基磺酸，2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸，(甲基)丙烯酰氨基丙烷磺酸和硫代丙基(甲基)丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰氧萘磺酸；含磷酸酯基的单体，如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯；以及丙烯酰胺，丙烯腈等。可以使用一种或多种这些可共聚的单体。这些可共聚单体的数量，以总单体组分重量计，优选小于等于40％。
如果需要，丙烯酸聚合物可以包含待交联的多功能单体作为可共聚的单体组分。多功能单体包括，例如，二(甲基)丙烯酸己二醇酯，二(甲基)丙烯酸(聚)乙二醇酯，二(甲基)丙烯酸(聚)丙二醇酯，二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯，二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯，环氧(甲基)丙烯酸酯，聚酯(甲基)丙烯酸酯，氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。可以使用一种或多种这些多官能单体。从粘合性等角度考虑，优选多功能单体的数量，以总单体组分重量计，小于等于30％。
丙烯酸聚合物是通过单个单体或者两种或多种单体的混合物聚合而获得的。该聚合反应可以在任何溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合体系中进行。从防止清洁被附物的污染的观点出发，优选丙烯酸聚合物中低分子量物质的含量更低一些。在这方面，优选丙烯酸聚合物的数均分子量大于等于300,000，更优选约400,000～3,000,000。
压敏粘合剂可以适当地使用外交联剂以增加作为原料聚合物的丙烯酸聚合物等的数均分子量。外交联方法的具体含义包括通过加入诸如聚异氰酸酯化合物、环氧化合物和氮丙啶的交联剂，蜜胺基交联剂，使单体反应的方法。当使用外交联剂时，交联剂的用量是按照和要交联的原料聚合物相平衡以及压敏粘合剂的使用适当地确定的。一般，外交联剂的复合量，以100重量份原料聚合物计，优选小于等于5重量份，更优选为0.1～5重量份。如果需要，压敏粘合剂可以含多种常规的添加剂，例如增粘剂，抗氧化剂等。
混合的辐射-固化单体组分包括，例如，氨基甲酸乙酯低聚物，氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯，三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯，二季戊四醇一羟基五(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯，1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。辐射固化低聚物组分包括多种低聚物，如基于氨基甲酸乙酯的聚合物，聚醚，聚酯，聚碳酸酯和聚丁烯，其分子量优选为约100～30000。根据压敏粘合剂层的类型，可以适当确定辐射-固化单体组分和混合的低聚物组分的量，以降低压敏粘合剂层的粘合力。一般而言，其数量，例如，以100重量份组成压敏粘合剂的诸如丙烯酸聚合物的原料聚合物计，为5～500重量份，优选40～150重量份。
辐射-固化压敏粘合剂不仅包括上述加成型辐射-固化压敏粘合剂，还包括内部型辐射-固化压敏粘合剂，这些粘合剂采用的是在聚合物侧链或主链上或者主链末端有碳-碳双键的原料聚合物。内部型辐射-固化压敏粘合剂是优选的，因为不再需要加入诸如低聚物组分的小分子组分，或者不含大量的低聚物组分，因此能够形成具有稳定层结构的压敏粘合剂层，而没有了压敏粘合剂中低聚物组分等的随时间的移动。
可以没有任何特别限制地使用含碳-碳双键的原料聚合物，只要该聚合物含碳-碳双键同时具有粘性即可。优选原料聚合物以丙烯酸聚合物为基本骨架。作为丙烯酸聚合物的基本骨架，可以提及的有上面例举的丙烯酸聚合物。
向丙烯酸聚合物中引入碳-碳双键的方法没有特别的限制，可以使用多种方法，但是分子设计中在聚合物侧链引入碳-碳双键很容易。例如，可以提及的有这样一种方法：将含官能团的单体和丙烯酸聚合物共聚，然后将含碳-碳双键和能够和上述官能团反应的官能团的化合物和共聚物一起进行缩聚或加成反应，同时保留了碳-碳双键的辐射固化性。
这些官能团的组合包括，例如羧酸基和环氧基，羧酸基和吖丙啶基，羟基和异氰酸酯基。这些官能团的组合中，羟基和异氰酸酯基的组合由于反应易于监控而是优选的。此外，如果这种官能团的组合是形成含碳-碳双键的丙烯酸聚合物的组合，则官能团既可以位于丙烯酸聚合物中，也可以位于上述化合物中，优选在上述优选组合中，丙烯酸聚合物带有羟基，而上述化合物含异氰酸酯基。在这种情况下，含碳-碳双键的异氰酸酯化合物包括，例如，甲基丙烯酰基异氰酸酯，2-甲基丙烯酰基乙氧基异氰酸酯，间-异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。作为丙烯酸聚合物，是通过上面例举的含羟基的单体或醚化合物，例如2-羟基乙基乙烯基醚，4-羟基丁基乙烯基醚或二乙二醇一乙烯基醚，这些单体或醚化合物的共聚而制备出来的。
可以单独使用含碳-碳双键的原料聚合物(特别是丙烯酸聚合物)作为内部型辐射-固化压敏粘合剂。还可以在不破坏其特性的范围内将辐射-固化单体组分和低聚物组分复合在一起。辐射-固化低聚物组分的数量，以100重量份原料聚合物计，通常为0～30重量份，优选为0～10重量份。
为了用UV线等进行固化，将辐射-固化压敏粘合剂和光聚合引发剂混合在一起。光聚合引发剂包括，例如，α-乙酮醇化合物，如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮，α-羟基-α，α′-二甲基苯乙酮，2-甲基-2-羟基苯基·乙基酮和1-羟基环己基苯基酮；苯乙酮化合物，例如甲氧苯乙酮，2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮，2，2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1；苯偶姻醚化合物，例如苯偶姻乙基醚，苯偶姻异丙基和茴香偶姻甲基醚；酮缩醇化合物，例如苄基二甲醛缩苯乙酮；芳香族磺酰氯化合物，例如2-萘磺酰氯；光学活性肟化合物，例如1-苯基酮-1，1-丙二酮-2-(邻-乙氧羰基)肟；二苯酮化合物，例如二苯甲酮，苯甲酰苯甲酸和3，3’-二甲基-5-甲氧基二苯酮；噻吨酮化合物，例如噻吨酮，2-氯噻吨酮，2-甲基噻吨酮，2，4-二甲基噻吨酮，异丙基噻吨酮，2，4-二氯噻吨酮，2，4-二乙基噻吨酮和二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；以及酰基膦酸酯。掺杂的光聚合引发剂的数量为，例如，以100重量份组成压敏粘合剂的诸如丙烯酸聚合物的原料聚合物计，为0.05～20重量份。
辐射-固化压敏粘合剂包括JP-A 60-196956中公开的压敏粘合剂，例如橡胶基压敏粘合剂和丙烯酸压敏粘合剂，这种粘合剂含带两个或多个不饱和键的可加聚的化合物或诸如带环氧基的烷氧硅烷的可光聚化合物，以及光聚合引发剂，例如羰基化合物，有机硫化合物，过氧化物，胺或鎓盐基化合物。
如果需要，辐射-固化压敏粘合剂层(2)还可以含能被辐射着色的化合物。通过将辐射着色的化合物加入到辐射-固化压敏粘合剂层(2)中，只有用辐射物照射的区域可以被着色。即，相应于机件-附着区(3a)的压敏粘合剂层(2a)可以被着色。因此，可以用肉眼立即判断出压敏粘合剂层(2)是否已经被辐射物照射过了，可以很容易地识别出机件-附着区(3a)，以便于附着上机件。而且，当用光学传感器等来检测所得的半导体元件时，检测精度提高，因此预防了在捡拾半导体元件中的错误操作。
辐射着色的化合物在用辐射物照射前是无色或浅色的，但是被辐射物照射后显色。这种化合物的优选实例包括无色染料。优选所用的无色染料是基于三苯甲烷，荧烷，吩噻嗪，金胺和螺吡喃的常规染料。具体而言，可以提及的有3-[N-(对甲苯基氨基)]-7-苯胺基荧烷，3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基荧烷，3-[N-(对甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基荧烷，3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基荧烷，结晶紫内酯，4，4’，4”-三(二甲氨基)三苯基甲醇，以及4，4’，4”-三(二甲氨基)三苯基甲烷等。
优选和这些无色染料一起使用的显影剂包括电子受体，例如常规使用的苯酚-甲醛树脂的初聚物，芳香族羧酸衍生物，活性粘土等，并可以将多种着色剂组合使用来改变其色调。
可以先用有机溶剂等溶解辐射着色的化合物，然后再加入到辐射-固化压敏粘合剂中，或者可以首先研磨成细粉，再加到压敏粘合剂中。所用的这种化合物的比例，以压敏粘合剂层(2)重量计，小于等于10％，优选为0.01～10％，更优选为0.5％～5％。当化合物比例超过10％重量时，施加在压敏粘合剂层(2)上的辐射被该化合物吸收得太多，因而压敏粘合剂层(2a)很难固化，而无法充分降低粘合力。另一方面，为了充分染色，优选化合物的比例大于等于0.01％重量。
压敏粘合剂层(2)是这样安排的：压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。在切割/冲模-结合膜(1)中，冲模-结合粘合剂层(3)的粘合力是这样确定的：界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。在切割/冲模-结合膜(2)中，压敏粘合剂层(2a)和作为被粘物的SUS304板(#2000抛光)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)和该板的粘合力。
在压敏粘合剂层(2)是由辐射-固化压敏粘合剂形成的情况下，可提及这样一种方法，其中在支撑基底材料(1)上形成辐射-固化压敏粘合剂层(2)，用辐射物进行局部照射使对应于机件-附着区(3a)的区域固化，以形成压敏粘合剂层(2a)。局部照射可以通过光掩膜来进行，该光掩膜具有对应于机件-附着区(3a)以外的区域(3b等)的图案。还可以提及的有通过UV线点照射来固化压敏粘合剂层的方法。辐射-固化压敏粘合剂层(2)的形成可以通过将安置在隔离板上的层转移到支撑基底材料(1)上而完成。可以对安置在隔离板上的辐射-固化压敏粘合剂层(2)进行局部照射固化。
作为替代，当压敏粘合剂层(2)是由辐射-固化压敏粘合剂形成时，可以使用这样一种方法，其中支撑基底材料(1)至少一侧除了对应于机件-附着区(3a)的整个或部分区域外都是遮光的，在支撑基底材料(1)上形成辐射-固化压敏粘合剂层(2)，然后在对应于机件-附着区(3a)的区域进行固化，形成粘合力较低的压敏粘合剂层(2a)。在支撑膜上印刷或者沉积能够起到光掩膜作用的材料可以制造出这种遮光材料。依照这种制造方法，可以有效地制造本发明的切割/冲模-结合膜。
当在辐射过程中出现氧气的固化抑制作用时，优选采用一些方法使辐射-固化压敏粘合剂层(2)表面与氧气(空气)屏蔽开。这些方法包括用隔离板覆盖压敏粘合剂层(2)表面或者在氮气环境中用UV线等照射。
对压敏粘合剂层(2)的厚度没有特别的限制，但是从防止碎片的切割表面破裂同时又保留粘合剂层的角度考虑，优选其厚度约1～50μm，更优选为2～30μm，还更优选为5～25μm。
当接触-结合在冲模-结合粘合剂层(3)的机件(半导体晶片等)被切割成碎片时，粘合剂层(3)粘附并支撑着机件，而当装配被制成切割碎片的碎片机件(半导体碎片等)时，粘合剂层又起到将碎片机件固定在半导体元件(基片，碎片等)上的作用。特别重要的一点是冲模-结合粘合剂层(3)具有能够不使切割碎片在切割机件过程中分散开的粘合力。在切割/冲模-结合膜(2)中，冲模-结合粘合剂层(3)被放在预先形成的机件-附着区(3a)。
可以用普通的冲模粘合剂来形成冲模-结合粘合剂层(3)。优选冲模粘合剂是可以形成薄片的粘合剂。冲模粘合剂的优选实例包括由热塑或热固性树脂制成的冲模粘合剂。冲模粘合剂可以单独使用或者多种结合使用。优选冲模-结合粘合剂层是在小于等于70℃的温度下能够粘附在诸如半导体晶片的机件上或切割环上的层。更优选冲模-结合粘合剂层是常温下可以粘附的层。
冲模粘合剂中所用的热塑性树脂(热塑冲模粘合剂)包括，例如，饱和聚酯树脂，热塑聚氨酯基树脂，酰胺基树脂(尼龙基树脂)，酰亚胺基树脂等。热固性树脂(热固冲模粘合剂)包括，例如，环氧树脂，不饱和聚酯基树脂，热固丙烯酸树脂，酚树脂等。优选热固性树脂是B-阶段的热固性树脂，该热固性树脂是去溶剂的，并形成片。还可以使用B-阶段的热固性树脂和热塑性树脂的混合物。本发明中，还可以使用基于硅氧烷，橡胶，氨基甲酸乙酯，酰亚胺和丙烯酰基的高玻璃化转变温度的树脂，作为冲模粘合剂。
冲模-结合粘合剂层(3)可以通过不同玻璃化转变温度的热塑性树脂或者不同热固化温度的热固性树脂的适当组合来形成双层或多层结构。因为切割的晶片是在切割机件(半导体晶片等)步骤中使用的，冲模-结合粘合剂层(3)吸收湿气而使水含量高于普通状态。当允许含这样高水含量的粘合剂层(3)粘附在基片等上，在后固化阶段水蒸汽可能会保留在粘合剂的界面中而造成起皱。因此，冲模-结合粘合剂层是这样构造的：将高吸湿性的膜夹在冲模粘合剂之间，在后固化阶段使水蒸汽透过该膜而扩散，从而解决这个难题。因而，冲模-结合粘合剂层(3)可以由含依次层压的粘合剂层、膜和粘合剂层的多层结构组成。
尽管没有特别的限制，冲模-结合粘合剂层(3)的厚度为，例如，约5～100μm，优选约10～50μm。
以这种方式获得切割/冲模-结合膜(1)和(2)，其含有在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)。
为了防止在粘附或剥离时产生静电，或者电路被带静电的机件(半导体晶片等)破坏，可以使切割/冲模-结合膜(1)和(2)具有抗静电性。可以用合适的体系赋予抗静电性，例如向支撑基底材料(1)、压敏粘合剂层(2)或粘合剂层(3)中加入抗静电剂或导电材料，或者提供具有由电荷-转移络合物或金属膜制成的静电层的支撑基底材料(1)。优选该体系是不产生可能使半导体晶片变性的杂质离子的体系。出于赋予导电性、热导电性等目的而加入的导电材料(导电filers)包括球形的、针状的或薄片状的银、铝、金、铜、镍金属粉，导电合金等，诸如氧化铝的金属氧化物，无定形碳黑，石墨等。
在切割/冲模-结合膜(1)中，压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)的粘合力被设计成压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。从晶片保持力或者所形成的碎片的回收角度考虑，以常温(23℃)下的粘合力(90°剥离值，剥离速率300mm/min)为基础，优选压敏粘合剂层(2a)的粘合力不超过0.5N/20mm，更优选为0.01～0.42N/20mm，还更优选为0.01～0.35N/20mm。另一方面，优选压敏粘合剂层(2b)的粘合力约0.5～20N/20mm。即使压敏粘合剂层(2a)的剥离粘合力低，压敏粘合剂层(2b)的粘合力也可以防止碎片被分散开，并可以显示对加工晶片的充分保持力。
在切割/冲模-结合膜(2)中，压敏粘合剂层(2)中对应于机件-附着区(3a)的区域(2a)和其他区域(2b)被设计成使压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。压敏粘合剂层(2a)和机件-附着区(3a)的粘合力(在上述相同的条件下)不超过0.5N/20mm，更优选为0.01～0.42N/20mm，还更优选为0.01～0.35N/20mm。
在切割/冲模-结合膜(1)和(2)中，所需的机件-附着区(3a)和机件以及和压敏粘合剂层(2a)的粘合力优选为：和机件的粘合力高于和压敏粘合剂层(2a)的粘合力。和机件的粘合力是根据机件的类型适当调节的。
如上所述，机件-附着区(3a)和压敏粘合剂层(2a)的粘合力(在上述相同的条件下)不超过0.5N/20mm，更优选为0.01～0.42N/20mm，还更优选为0.01～0.35N/20mm。另一方面，从捡拾和切割、捡拾及冲模-结合时的可靠性考虑，机件-附着区(3a)和机件的粘合力(在上述相同的条件下)不超过10～50N/20mm，更优选10～30N/20mm。
当在切割/冲模-结合膜(1)中使用机件-附着区(3a)以外的区域(3b)作为切割环-附着区(3b’)时，优选将冲模-结合粘合剂层(3)中切割环-附着区(3b’)和机件以及和压敏粘合剂层(2b’)的粘合力设计成使和切割环的粘合力小于和压敏粘合剂层(2b’)的粘合力。和切割环的粘合力是根据切割环的类型适当调节的。
如上所述，优选冲模-结合粘合剂层(3)和压敏粘合剂层(2b’)的粘合力(在上述相同的条件下)约0.5～20N/20mm。另一方面，从切割和冲模-结合时的可加工性角度考虑，优选冲模-结合粘合剂层(3)和切割环的粘合力为0.3～5N/20mm，更优选0.5～5N/20mm。
在切割/冲模-结合膜(1)和(2)中，可以用隔离板(图中未示出)来保护冲模-结合粘合剂层(3)和(3a)。即，可以任意安排隔离板。隔离板充当保护冲模-结合粘合剂层(3)和(3a)的保护材料。而且，还可以使用隔离板作为将冲模-结合粘合剂层(3)和(3a)转移到压敏粘合剂层(2)上的支撑基底材料。在机件刚好粘在切割/冲模-结合膜(1)或(2)中的冲模-结合粘合剂层(3)或(3a)之前，移去隔离板。隔离板包括聚乙烯或聚丙烯膜或者塑料膜和纸，这些材料表面涂有诸如氟防粘剂或长链烷基丙烯酸酯防粘剂之类的防粘剂。
在移走任意放在粘合剂层(3)或(3a)上的隔离板后，用如下方式使用本发明的切割/冲模-结合膜(1)或(2)。即，将机件压在切割/冲模-结合膜(1)或(2)的冲模-结合粘合剂层(3a)上，使机件粘结在粘合剂层(3a)上。该压制可以用常用方式进行。本发明中所用的机件优选是半导体晶片。然后，将机件切割成碎片。机件包括，例如，半导体晶片，多层基片，同时密封的模块等。优选本发明所用的机件是半导体晶片。通过切割，采用使用旋转圆齿的适当方法将带粘合剂层(3)的机件形成碎片机件(半导体碎片等)。
然后，将碎片机件连同冲模-结合粘合剂层(3a)一起从压敏粘合剂层(2a)上剥离下来。这样挑出的碎片机件通过冲模-结合粘合剂层(3a)被粘结在作为被粘物的半导体元件上。半导体元件包括铅框，TAB膜，基片或者分开制备的碎片机件。例如，被粘物可以是易变形的变形了的被粘物，也可以是几乎不变形的非-变形被粘物(半导体晶片等)。优选被粘物是半导体晶片。当粘合剂层(3)或(3a)是热固型时，机件通过热固化被粘结在被粘物上，以改善耐热性。例如，可以对通过粘合剂层(3a)粘结在基片上的碎片机件进行回流处理。
实施例
下面，将参照实施例对本发明进行更详细地描述。如下描述中，“份”指的是重量份。对于紫外线照射，使用紫外线(UV)照射装置(NEL UM-110(Nitto Seiki Co.，Ltd.))。
制造实施例(制备冲模-结合粘合剂层)
将下面表1所示的组分，即，环氧树脂，酚树脂，丙烯酸橡胶，二氧化硅以及固化促进剂按照表1所列的比例混合，以制备冲模-结合粘合剂(A)～(C)的组合物，每一种组合物都是用甲苯混合并溶解的。将混合溶液涂在经过防粘剂处理的聚酯膜(隔离板)上。然后，在120℃下干燥涂有混合溶液的聚酯膜，以除去甲苯，从而在聚酯膜上获得B-阶段的厚20μm的每一种冲模-结合粘合剂层A～C。
表1
组成 冲模-结合粘合剂(重量份)
A  B  C
环氧树脂(a1) 24.9  24.9  15.5
环氧树脂(a2) 24.9  24.9  15.5
酚树脂 29.2  29.2  18
丙烯酸橡胶 20  20  50
二氧化硅 0  100  100
固化促进剂 1  1  1
表1中，
<环氧树脂(a1)>是双酚A型环氧树脂(环氧当量，186g/eq.；粘度，10Pa·s/25℃)，
<环氧树脂(a2)>是三酚甲烷型环氧树脂(环氧当量，170g/eq.；软化点，80℃；粘度，0.08Pa·s/150℃)，
<酚树脂>是酚醛清漆型酚树脂(羟基当量，104g/eq.；软化点，80℃；粘度，0.1Pa·s/150℃)，
<丙烯酸橡胶>(门尼粘度：50)，
<球形二氧化硅>平均颗粒直径，1μm；最大颗粒直径，10μm，以及<固化促进剂>是三苯膦。
实施例1
(制备辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂)
将70份丙烯酸丁酯、30份丙烯酸乙酯和5份丙烯酸以平常方式在乙酸乙酯中共聚，得到含30％重量浓度的、重均分子量为800,000的丙烯酸聚合物的溶液。将20份二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯作为可光聚合的化合物和1份α-羟基环己基苯基酮作为光聚合引发剂和丙烯酸聚合物溶液混合在一起。将混合物在甲苯中均匀溶解，以制备含25％重量浓度的辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂的溶液。
(制备切割/冲模-结合膜)
将上述辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂溶液涂在作为支撑基底材料的厚60μm的聚乙烯膜上并干燥，形成厚20μm的压敏粘合剂层。以后，将所得的产物称作压敏粘合剂膜(A)。只用UV线照射压敏粘合剂膜(A)中压敏粘合剂层的晶片附着区域，总照射剂量为500mJ/cm2，得到含晶片-附着区已经被UV线固化的压敏粘合剂层的膜。然后，将上述冲模-结合粘合剂层(A)转移到压敏粘合剂膜(A)的压敏粘合剂层上，得到切割/冲模-结合膜。
实施例2
采用和实施例1相同的方式来制备切割/冲模-结合膜，只是用冲模-结合粘合剂层(B)取代实施例1中的冲模-结合粘合剂层(A)。
实施例3
(制备辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂)
将由50份丙烯酸乙酯、50份丙烯酸丁酯和16份丙烯酸2-羟基乙酯在甲苯溶剂中共聚，得到含35％重量浓度的、重均分子量为500,000的丙烯酸聚合物的溶液。然后，将20份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯和丙烯酸聚合物溶液进行加聚反应，从而将碳-碳双键引入到聚合物分子内侧链上。向100重量份(固体含量)的聚合物中加入1重量份的聚异氰酸酯基交联剂和3重量份的基于苯乙酮的光聚合引发剂。将它们在甲苯中均匀溶解，制备出23％重量浓度的辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂的溶液。
(制备切割/冲模-结合膜)
将上述辐射-固化丙烯酸压敏粘合剂溶液涂在作为支撑基底材料的厚80μm的聚乙烯膜上并干燥，形成厚5μm的压敏粘合剂层。以后，将所得的产物称作压敏粘合剂膜(B)。只用500mJ/cm2的UV线照射压敏粘合剂膜(B)中压敏粘合剂层的晶片附着区域，得到含晶片-附着区已经被UV线固化的压敏粘合剂层的膜。然后，将上述冲模-结合粘合剂层(B)转移到压敏粘合剂膜(B)的压敏粘合剂层上，得到切割/冲模-结合膜。
实施例4
采用和实施例3相同的方式来制备切割/冲模-结合膜，只是用冲模-结合粘合剂层(C)取代实施例3中的冲模-结合粘合剂层(B)。
实施例5
采用和实施例3相同的方式来制备切割/冲模-结合膜，只是用冲模-结合粘合剂层(A)取代实施例3中的冲模-结合粘合剂层(B)。
实施例6
只用UV线照射实施例1中获得的压敏粘合剂膜(A)中压敏粘合剂层的晶片附着区域，总照射剂量为500mJ/cm2，得到含晶片-附着区已经被UV线固化的压敏粘合剂层的膜。然后，将上述冲模-结合粘合剂层(A)转移到压敏粘合剂膜(A)中压敏粘合剂层的晶片附着区上，得到切割/冲模-结合膜。
实施例7
只用UV线照射实施例3中获得的压敏粘合剂膜(B)中压敏粘合剂层的晶片附着区域，总照射剂量为500mJ/cm2，得到含晶片-附着区已经被UV线固化的压敏粘合剂层的膜。然后，将上述冲模-结合粘合剂层(C)转移到压敏粘合剂膜(B)中压敏粘合剂层的晶片附着区上，得到切割/冲模-结合膜。
比较例1
用和实施例1相同的方式来制备切割/冲模-结合膜，只是不用UV线照射压敏粘合剂膜(A)的压敏粘合剂层。
比较例2
用和实施例1相同的方式来制备切割/冲模-结合膜，只是不用UV线照射压敏粘合剂膜(A)上的压敏粘合剂层，并在冲模-结合粘合剂层(A)被转移到压敏粘合剂层上后，用500mJ/cm2的UV线照射。
至于实施例和比较例中所得的切割/冲模-结合膜，用如下方式测量各个实例中所用的压敏粘合剂膜和冲模-结合粘合剂层的粘合力。结果见表2。
(1)测量冲模-结合粘合剂层和压敏粘合剂膜(压敏粘合剂层)之间的粘合力
(晶片-附着区)
用UV线(500mJ/cm2)照射每个例子中所用压敏粘合剂膜的支撑基底材料那一侧，并切成宽10mm的长方条。分别将每个例子中使用的冲模-结合粘合剂层粘在放在40℃热板上的6-英寸硅晶片(磨光表面#2000)上。其后，在室温(23℃)下将压敏粘合剂膜(宽10mm)粘在冲模-结合粘合剂层上，并在室温环境中放置30分钟，测量在23℃恒温室中以90°剥离角剥离时压敏粘合剂膜的粘合力(压敏粘合剂膜的应力速率，300mm/min。)。但是，比较例1中使用的压敏粘合剂膜的粘合力是在没有经过UV线照射的情况下测量的。比较例2中使用的压敏粘合剂膜在附着在冲模-结合粘合剂层后用UV线照射。
(晶片附着区以外的区域)
将每个实施例和比较例中所用的压敏粘合剂膜切成宽10mm的长方条。分别将每个实施例和比较例中使用的冲模-结合粘合剂层粘在放在40℃热板上的6-英寸硅晶片(磨光表面#2000)上。其后，在室温(23℃)下将压敏粘合剂膜(宽10mm)粘在冲模-结合粘合剂层上，并在室温环境中放置30分钟，测量在23℃恒温室中以90°剥离角剥离时压敏粘合剂膜的粘合力(压敏粘合剂膜的应力速率，300mm/min。)。
(2)测量冲模-结合粘合剂层和切割环以及和晶片的粘合力
用UV线(500mJ/cm2)照射每个实施例和比较例中所得切割/冲模-结合膜在支撑基底材料一侧的没有粘上晶片的区域，然后切成宽10mm的长方条。在23℃(室温)下，将切割/冲模-结合膜(宽10mm)粘在切割环(2-6-1(Disco))和晶片(磨光表面#2000)上，然后在室温环境中放置30分钟，测量在23℃恒温室中以90°剥离角剥离时压敏粘合剂膜的粘合力(切割/冲模-结合膜的应力速率，300mm/min。)。
(3)测量压敏粘合剂膜和SUS304板(#2000抛光)的粘合力
(晶片附着区)
用UV线(500mJ/cm2)照射每个压敏粘合剂膜A和B的支撑基底材料那一侧，然后切成宽10mm的长方条。其后，在室温(23℃)下将压敏粘合剂膜(宽100mm)粘在SUS304板(#2000抛光)上，并在室温环境中放置30分钟，测量在23℃恒温室中以90°剥离角剥离时压敏粘合剂膜的粘合力(压敏粘合剂膜的应力速率，300mm/min。)。
(晶片附着区以外的区域)
将每个压敏粘合剂膜A和B切成厚10mm的长方条。其后，在室温(23℃)下将压敏粘合剂膜(10mm)粘在SUS304板(#2000抛光)上，并在室温环境中放置30分钟，测量在23℃恒温室中以90°剥离角剥离时压敏粘合剂膜的粘合力(压敏粘合剂膜的应力速率，300mm/min。)。
用如下方式在实际的半导体晶片切割/冲模-结合中评估实施例1～7以及比较例1和2中的切割/冲模-结合膜的性能。结果见表2。
<切割过程中的碎片散射>
使用通过研磨直径为8英寸的半导体晶片背面而获得的厚0.15mm、上面形成了电路图案的镜晶片。从切割/冲模-结合膜上剥离隔离板，在40℃下通过辊压将镜晶片接触-结合在暴露的粘合剂层上，然后完全切割成1×1mm2的碎片。检测在切割过程中是否有碎片散射。在该程序中，没有一个实施例和比较例中的切割/冲模-结合膜造成诸如切割过程中碎片散射的故障。
<捡拾>
按照上述相同的方式进行完全-切割，只是分别将方碎片的大小改变为5×5mm、10×10mm和15×15mm。然后，在用针顶起支撑基底材料侧的体系中对硅芯片(碎晶片)进行捡拾。“○”表示成功的捡拾，“×”表示不成功的捡拾。
(切割条件)
切割装置：Disco制造的DFD-651
切割速度：80mm/秒
切割刃：Disco制造的2050HECC
转数：40,000mm
切削深度：20μm
切削体系：全切削/模式A
碎片大小：任意(1×1mm～15×15mm方块)
(晶片研磨条件)
研磨装置：Disco制造的DFG-840
晶片：直径6-英寸(研磨背面，从0.6mm至0.15μm)
晶片附着装置：DR-8500II(Nitto Seiki Co.，Ltd.)
(扩展条件)
切割环：2-6-1(内径19.5cm，Disco制造)
延伸：5mm
冲模连接器：CPS-100(NEC Kikai)
表2
  实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5   实施例6   实施例7     比较例1     比较例2
  冲模-结合粘合剂 类型   A   B   B   C   A   A   C     A     A
厚度(μm)   20   20   20   20   20   20   20     20     20
    压敏粘合剂膜 类型   A   A   B   B   B   A   B     A     A
厚度(μm)   80   80   85   85   85   80   85     80     80
 用UV线照射晶片附着区 晶片附着之前   有   有   有   有   有   有   有     没有     没有
晶片附着之后   没有   没有   没有   没有   没有   没有   没有     没有     有
 (1)冲模-结合粘合剂层和压敏粘合剂膜之间的粘合力(N/10mm) 晶片附着区   0.15   0.08   0.09   0.12   0.26   0.15   0.12     5.5     25
晶片附着区外的其他区域   3.3   2.35   3.8   4.8   3.55   -   -     5.5     3.3
 (2)冲模-结合粘合剂层的粘合力(N/10mm) 晶片   17.5   16.2   16.2   21.5   17.5   17.5   21.5     17.5     17.5
切割环   1.25   1.1   1.1   1.9   1.25   -   -     1.25     1.25
(3)压敏粘合剂膜和SUS304的粘合力(N/10mm)    晶片附着区   -   -   -   -   -    0.05   0.09   -   -
   晶片附着区外的其他区域   -   -   -   -   -    8.5   5.7   -   -
碎片散射    切割/1×1mm2   无   无   无   无   无    无   无   无   无
捡拾    切割/5×5mm2   ○   ○   ○   ○   ○    ○   ○   ○   ×
   切割/10×10mm2   ○   ○   ○   ○   ○    ○   ○   ×   ×
   切割/15×15mm2   ○   ○   ○   ○   ○    ○   ○   ×   ×
没有一个实施例和比较例中的切割/冲模-结合膜在切割中出现故障。在实施例中，所有的碎片都可以从切割/冲模-结合膜上很好地挑出，而在比较例1中，无法捡拾10×10mm2和15×15mm2的碎片，比较例2中5×5mm2、10×10mm2和15×15mm2的碎片都无法捡拾。这些测试结果表明，在支撑基底材料和粘合剂层之间含压敏粘合剂层的切割/冲模-结合膜，其中粘合剂层和压敏粘合剂层之间的粘合力在晶片附着区比其他区域(晶片没有粘附的区域)要小(一些)，对切割环有粘合力，而不出现切割失败，而且多种大小的碎片都可以很好地被捡拾出来。

Claims (10)

1、一种切割/冲模-结合膜，其包含在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)，
其中压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)之间界面的剥离性在对应于冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)的界面(A)和对应于部分或全部其他区域(3b)的界面(B)之间是不同的，
界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。
2、权利要求1的切割/冲模-结合膜，其中压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)的粘合力在对应于冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)的区域(2a)和对应于部分或全部其他区域(3b)的区域(2b)之间是不同的，并满足如下关系：
压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。
3、权利要求1或2的切割/冲模-结合膜，其中冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)对机件和对压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足如下关系：
对机件的粘合力大于对压敏粘合剂层(2a)的粘合力。
4、权利要求1～3中任何一条的切割/冲模-结合膜，其中冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)以外的区域(3b)的一部分是切割环-附着区(3b’)。
5、权利要求4的切割/冲模-结合膜，其中冲模-结合粘合剂层(3)中切割环-附着区(3b’)对切割环和对压敏粘合剂层(2b’)的粘合力满足如下关系：
对切割环的粘合力小于对压敏粘合剂层(2b’)的粘合力。
6、一种切割/冲模-结合膜，其包含在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)，
其中在部分压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)被安排作为机件-附着区(3a)，而且
压敏粘合剂层(2)中对应于机件-附着区(3a)的区域(2a)和其他区域(2b)在粘合力方面不同，且满足如下关系：
压敏粘合剂层(2a)的粘合力小于压敏粘合剂层(2b)的粘合力。
7、权利要求6的切割/冲模-结合膜，其中机件-附着区(3a)对机件的粘合力和对压敏粘合剂层(2a)的粘合力满足如下关系：
对机件的粘合力大于对压敏粘合剂层(2a)的粘合力。
8、权利要求1～7中任何一条的切割/冲模-结合膜，其中压敏粘合剂层(2)是由辐射-固化压敏粘合剂形成的，并用辐射物照射对应于机件-附着区(3a)的压敏粘合剂层(2a)。
9、一种固定碎片机件的方法，该方法包括如下步骤：
将机件压在权利要求1～8中任何一条所述的切割/冲模-结合膜的冲模-结合粘合剂层(3a)上，
将机件切割成碎片，
将碎片机件连同冲模-结合粘合剂层(3a)一起从压敏粘合剂层(2a)上剥离下来，以及
通过冲模-结合粘合剂层(3a)将碎片机件固定在半导体元件上。
10、一种含碎片机件的半导体设备，这些碎片机件是采用权利要求9中所述的固定碎片机件的方法、通过冲模-结合粘合剂(3a)被固定在半导体元件上的。
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