JP3955659B2 - 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 - Google Patents

電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3955659B2
JP3955659B2 JP15511797A JP15511797A JP3955659B2 JP 3955659 B2 JP3955659 B2 JP 3955659B2 JP 15511797 A JP15511797 A JP 15511797A JP 15511797 A JP15511797 A JP 15511797A JP 3955659 B2 JP3955659 B2 JP 3955659B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing tape
heating means
chips
die bonding
ring frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP15511797A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH113875A (ja
Inventor
本 正 樹 辻
林 賢 治 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP15511797A priority Critical patent/JP3955659B2/ja
Priority to TW087108684A priority patent/TW521313B/zh
Priority to SG1998001391A priority patent/SG71802A1/en
Priority to US09/095,739 priority patent/US6176966B1/en
Priority to CNB981147704A priority patent/CN1146032C/zh
Priority to KR1019980021621A priority patent/KR100587719B1/ko
Priority to MYPI98002611A priority patent/MY120043A/en
Priority to DE69836398T priority patent/DE69836398T2/de
Priority to EP98304634A priority patent/EP0884766B1/en
Publication of JPH113875A publication Critical patent/JPH113875A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3955659B2 publication Critical patent/JP3955659B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49819—Disassembling with conveying of work or disassembled work part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49821—Disassembling by altering or destroying work part or connector
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49822—Disassembling by applying force

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置に関し、さらに詳しくは半導体チップ等の小型電子部品の製造工程において、ダイシングテープ上のチップを取り外すに際し、従来から行われていた、ピンによる突き上げを行うことなく、チップを一つずつ吸着分離することを可能にした電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハ４０は、図９および図１０に示したように大径の円盤状に製造され、その半導体ウェハ４０は、粘着シート４１を介してリングフレーム４２に貼着された後、ダイシングカッター４３にて賽の目状に多数のチップ４４に切断分離（ダイシング）され、この状態で次の工程である洗浄、乾燥、ダイボンディングなどの各工程に移される。また、ダイシング工程が終了したら、粘着シート４１は適宜な手段で外方向に引き延ばされ、これにより隣接しあうチップ４４のチップ間隔が拡げられている。
【０００３】
また、従来の粘着シート４１は、賽の目状に切断分離するダイシング工程から乾燥工程まではチップ４４に対して充分な接着力を有しており、図１１に示すように粘着シート４１からピックアップする際にはチップ４４に粘着剤が付着していない程度の接着力を有しているものが望まれている。
【０００４】
このような粘着シートとしては、例えば、特開昭６０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，１３９号公報等に種々提案されており、また近年になっては、ピックアップ時の粘着力を弱めるためにＵＶ硬化型粘着剤を使用した粘着シートも提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の粘着シート４１を用いた場合には、チップ間隔を拡張するにあたり、各チップ４４間の離間距離が一定にすることが困難でバラツキが発生し、その結果、各工程で処理する場合に不具合が生じていた。また、ピックアップ時の接着力（垂直剥離力）を完全に消失させることは実質的に不可能であり、ピックアップ時の垂直剥離力を低減するとしても、１００〜３００ｇ／１０ｍｍ2程度が限界であった。このため、ピックアップするダイボンディング工程では、粘着シート４１の裏面から突き上げピン４５により、強制的に突き上げなければならず、その結果、チップ４４を破損したり、突き上げピン４５に付着する粘着剤等がチップ４４の背面に移行するなどの不具合が生じていた。
【０００６】
また、ＵＶ硬化型粘着剤を使用した粘着シートの場合にも、突き上げピン４５を使用しないで全てのチップ４４を剥離できるまでには至っていない。そこで、今日では、本願出願人等によって、ＵＶ硬化型粘着剤を使用した粘着シートに代えて熱収縮性のいわゆるシュリンクフィルムを用いることにより、チップとシートとの接着面積を少なくするとともに、接着力をより小さくする技術も提案されている。
【０００７】
本発明は、このような従来技術に伴なう問題点を解決するものであり、従来のエキスパンド法とは全く異なる機構でチップ間隔を拡げることができるシュリンクフィルムを用いてチップに傷を付けることなく効果的にボンディングすることができる電子部品のボンディング方法およびこれに使用されるボンディング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープに前記粘着剤層を介して貼着されたウェハをダイシング工程で多数のチップに切断分離した後、これら多数のチップを保持しているダイシングテープを加熱手段を備えたテーブル上に載置するとともに、このダイシングテープを構成している前記収縮性フィルムを前記加熱手段で収縮させて前記チップと前記接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング方法であって、
前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第１段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第１の収縮部を形成するとともに、この第１の収縮部を形成した後、第２段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第２の収縮部を形成し、この第２の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴としている。
【０００９】
これにより、外方向に引っ張るという従来のエキスパンド工程を行なわなくても、多数のチップを略一定の間隔毎に配列することができる。
ここで、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第１段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第１の収縮部を形成するとともに、この第１の収縮部を形成した後、第２段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第２の収縮部を形成し、この第２の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離することが好ましい。
【００１０】
これにより、エキスパンドが不要となり、ダイシングテープが撓んだりすることを防止することもできる。
また、前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置することもでき、あるいは前記ダイシングテープの下面に部分的に配置することもできる。このように部分的に配置する場合には、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動することが好ましい。
【００１１】
また、前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置することもできる。
さらに、前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離することが好ましい。
【００１２】
これにより、チップが搭載されたダイシングテープをテーブル上に容易に搬送することができるとともに、チップを一つづつ吸着分離することができる。
また、前記多数のチップが保持されたダイシングテープは、リングフレーム上に貼着されており、このリングフレームには、所定間隔離して少なくとも２つの位置決め用の切欠部が形成され、一方、前記テーブル上には、これらの切欠部に対応するピンが所定間隔離して突設されており、前記リングフレームの切欠部が前記テーブル上のピンに合致されて前記テーブル上で位置決めされることが好ましい。これにより、テーブル上でのチップの位置合わせが容易となる。
【００１３】
さらに、本発明に係るボンディング装置は、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層とから構成されるダイシングテープにダイシングされた多数のチップを保持させるとともに、この多数のチップを保持したダイシングテープをリングフレームに貼着し、このリングフレームを、加熱手段を備えたテーブル上に配置するとともに、リングフレームの上方部に上下動可能にコレットを対向配置し、前記加熱手段で前記ダイシングテープを加熱した後に前記吸着コレットで所定間隔置きに配列された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング装置であって、前記加熱手段が、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第１段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱する第１の加熱手段と、第２段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱する第２の加熱手段とから構成されていることを特徴としている。
【００１４】
このような装置によれば、突き上げピンを用いないで、チップを容易にピックアップすることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置の実施の形態（実施例）について、添付図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、本発明のダイボンディング装置の第１の実施例の断面図、図２は、図１のダイボンディング装置の上面図、図３は、図１のダイボンディング装置の部分斜視図である。
【００１７】
図１において、１は全体で本発明のダイボンディング装置を示している。ダイボンディング装置１は、載置台を構成する環状の固定テーブル２を備えており、このテーブル２の内周側には、第１の加熱手段を構成する環状の外周側ヒータテーブル３が固定テーブル２に固定されている。
【００１８】
そして、固定テーブル２の下端外周側には、２箇所に下方に延設されたガイド部材４が設けられており、このガイド部材４が、架台または床Ａに固定された架台フレーム５に設けられたガイドレール６上を上下に摺動するように構成されている。従って、この構成によって、図示しない駆動モータまたはシリンダ機構の作動によって、ガイド部材４がガイドレール６上を上下に摺動して、固定テーブル２が外周側ヒータテーブル３とともに、上下動可能になっている。
【００１９】
なお、この場合、ガイド部材４は、固定テーブル２の下端外周側に２箇所設けたが、固定テーブルを偏りなく上下動させるためには、３箇所以上設けるのが好ましい。また、ガイド部材４がガイドレール６上を摺動する機構としては、ガイド部材４内にボールブッシュを設けるなどの周知の方法が採用可能であり、特に限定されるものではない。
【００２０】
また、外周側ヒータテーブル３の内周側には、外周側ヒータテーブル３の内周側に形成される空隙４’内に上下動可能な第２の加熱手段を構成する円盤形状の内周側ヒータテーブル７が配設されている。すなわち、内周側ヒータテーブル７の下端の外周側には、少なくとも２箇所にボールブッシュ１０が固定され、ボールブッシュ１０内に架台または床Ａに固定されたシャフト１１が上下に摺動可能に装着されている。また、内周側ヒータテーブル７の下端中心部には、架台または床Ａに固定されたシリンダ機構８のピストン９の上端が固定されており、シリンダ機構８の作動によって、内周側ヒータテーブル７が上下動可能になっている。
【００２１】
これら、外周側ヒータテーブル３および内周側ヒータテーブル７は、その加熱手段として、シーズヒータがテーブル内に配設された構造、ラバーヒータとするなど周知の加熱手段が採用可能であり、特に限定されるものではない。また、これらの外周側ヒータテーブル３および内周側ヒータテーブル７の下面には、熱を遮断するためにポリエーテルエーテルケトンなどの断熱材３ａ、７ａが貼着されている。
【００２２】
一方、固定テーブル２の上面２ａには、所定間隔離間して２本の位置決めピン１２、１２が突設されており、固定テーブル２の上面２ａに略環状のリングフレーム１３に所定位置に形成された位置決め用の切欠部１４’、１４’を、固定テーブル２の置決めピン１２、１２に合致させることによって、リングフレーム１３を固定テーブル２の上面２ａに載置した際に、所定の位置に位置合決めされるように構成されている。その後、真空吸着パッド、マグネット等で固定する。
【００２３】
リングフレーム１３は、円形のダイシングテープ２０上にその粘着剤層２２を介して円盤状のウェハ１４が中央部分に貼着されたダイシングテープ１７の外周に粘着剤層２２を介して貼着されている。なお、このウェハ１４は、すでに前行程であるウェハダイシング工程で多数のチップ１６に賽の目状に切断分離されている。従って、これら多数のチップ１６を保持しているダイシングテープ１７がリングフレーム１３に貼着されていることになる。
【００２４】
このような多数のチップ１６を保持したダイシングテープ１７が貼着されたリングフレーム１３を固定テーブル２の上面２ａの所定の位置に載置した際に、外周側ヒータテーブル３が、ダイシングテープ１７のチップ１６が貼着されていない部分１８ａの下方に、内周側ヒータテーブル７のがダイシングテープ１７のチップ１６が貼着された部分１８ｂの下方に位置するように構成されている。
【００２５】
さらに、内周側ヒータテーブル７の上方には、ダイシングテープ１７のチップ１６を吸着分離するために、上下左右に位置移動自在な吸引コレット１９が配置されており、バキュームポンプ（図示せず）の作用によって、ダイシングテープ１７上のチップ１６をチップ毎に吸着分離するようになっている。なお、吸引コレットは、その内部がテーパ形状１９ａとなっており、これによって、チップ１６の外周側と接触するのみで、チップ１６の表面とは接触せず、チップの損傷などが防止されるようになっている。また、この吸引コレット１９としては、パッド付き吸引コレットなどが採用可能であり、特に限定されるものではない。
【００２６】
一方、この装置で使用するダイシングテープ２０としては、図４に示したように、収縮性フィルム２１とその上面に設けられた粘着剤層２２と、収縮性フィルム２１の下面に接着剤層２３を介して貼着された非収縮性フィルム２４から構成されるダイシングテープ２０を用いるのが好ましい。なお、非収縮性フィルム２４を設けず、収縮性フィルム単層からなるものでもよいが、好ましくは複層からなるプラスチックフィルムの基材である。すなわち、１種または２種以上の収縮性フィルムを組み合わせたものであってもよく、また収縮性フィルムと非収縮性フィルムとを組み合わせたものであってもよい。
【００２７】
この場合、粘着剤層２２には、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができ、紫外線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。収縮性フィルム２１としては、熱収縮率が３０〜８０％の紫外線透過性ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましく用いられる。
【００２８】
接着剤層２３は、収縮性フィルム２１と非収縮性フィルム２４とを接合する機能を有し、従来より汎用の接着剤が用いられ、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの粘着剤、ポリエステル系、ポリアミド系、エチレン共重合体系、エポキシ系、ウレタン系等の熱可塑性または熱硬化性の接着剤が用いられ、特に好ましくはアクリル系粘着剤が用いられる。
【００２９】
非収縮性フィルム２４としては、特に限定はされないが、耐水性および耐熱性にすぐれているものが適しており、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用いられる。また重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む重合体フィルムあるいはこれと汎用重合体フィルムとの積層体を用いることもできる。特に、紫外線透過性のポリエチレンやポリエチレンテレフタレートが特に好ましく用いられる。
【００３０】
ダイシングされたダイシングテープ１７は、リングフレーム１３ごとロボットアームに把持されて、ングフレーム１３に所定位置に形成された位置決め用の切欠部１４’、１４’を、固定テーブル２の置決めピン１２、１２に合致させることによって、リングフレーム１３を固定テーブル２の上面２ａに載置される。この際、内周側ヒータテーブル７はシリンダ機構８によって、上方位置に位置するようになっている。
【００３１】
その後、外周側ヒータテーブル３を作動させて、ダイシングテープ１７のチップ１６が貼着されていない部分１８ａのみを８０〜１５０℃で加熱することによって収縮させる。これは、すべて同時に加熱するとテープにたるみが生じて好ましくなく、チップ１６の間隔が一様でなくなり、吸引コレット１９での吸引が困難となるためである。
【００３２】
次に、内周側ヒータテーブル７を作動させて、ダイシングテープ１７のチップ１６が貼着された部分１８ｂのみを８０〜１５０℃加熱して、収縮フィルム２１の収縮を行う。
【００３３】
このようにしてフィルム２１を収縮させると、この上に形成されている粘着剤層２２もフィルム２１の収縮に同伴して変形するため、チップ１６と粘着剤層２２との接着面積が減少する（図６）。この結果、チップ１６と粘着剤層２２との接着力（垂直剥離力）が低減し、従来のように突き上げピンを用いることなく、吸引コレット１９のみで、容易にチップ１６をピックアップできるようになる。
【００３４】
なお、粘着剤層２２として、紫外線硬化型粘着剤からなるものを用いた場合には、上記の収縮の前または後に、紫外線照射を行い、粘着剤層を硬化させ、粘着力を低減しておくことが特に好ましい。粘着層を硬化させることにより、垂直剥離力をさらに低減させることができ、チップ１６のピックアップが容易になるとともに、チップの破損をも防止することができる。
【００３５】
このように、内周側ヒータテーブル７による加熱にて、収縮フィルム２１の収縮を行った後、内周側ヒータテーブル７をシリンダ機構８によって、下方位置に下降させる。これは、すべてのチップ１６を移載するまでに、内周側ヒータテーブル７上にダイシングテープ１７が位置すると、余熱によってダイシングテープ１７にたるみが生じ、また、チップ１６の性能に影響を与えるためである。
【００３６】
その後、吸引コレット１９を、チップ１６の位置をセンサーなどで検出して、左右に移動して位置決めして下降させることによって、チップ１６が個々に吸引されて、移載されていく。この際、従来のように突き上げピンを使用しなくてすむので、チップの損傷や、チップ下面への粘着剤の付着が防止できる。なお、吸引コレット１９による吸引の際に、駆動モータまたはシリンダ機構の作動によって、ガイド部材４をガイドレール６上を上下に摺動させて、固定テーブル２を外周側ヒータテーブル３とともに、上下させることによって、吸引コレット１９による吸引しやすくするのが好ましい。
【００３７】
なお、本実施例では、外周側ヒータテーブル３を固定テーブル２に固定したが、固定テーブル２を外周側ヒータテーブル３とは別個に上下動可能な構成として、外周側ヒータテーブル３による加熱後に、固定テーブル２を上昇させて、ダイシングテープ１７より離脱させるようにするのが、テープのたるみを生じないためには好ましい。
【００３８】
さらに、本実施例では、吸引コレット１９を、チップ１６の位置をカメラ等のセンサーなどで検出して、左右に移動して位置決めして下降させて、チップ１６を個々に吸引するようにしたが、吸引コレット１９を静止させて、固定テーブル２側を左右上下に移動して吸引するようにしてもよい。
【００３９】
図７は、本発明のダイボンディング装置の第２の実施例の断面図である。
この実施例のダイボンディング装置は、外周側ヒータテーブル３を省略して、内周側ヒータテーブル７のみとして、固定テーブル２を内周側ヒータテーブル７の外周まで延設した点が第１の実施例と相違し、その他の構成は、基本的には、第１の実施例と同様であり、同じ構成部材には、同じ参照番号を付して、その説明を省略する。
【００４０】
なお、図示しないが、この実施例においても、固定テーブル２の下端外周側には、２箇所に下方に延設されたガイド部材４が設けられ、ガイドレール６上を上下に摺動するように構成されて、固定テーブル２が上下動可能であり、また、内周側ヒータテーブル７の下端中心部に、シリンダ機構８のピストン９の上端が固定されており、シリンダ機構８の作動によって、内周側ヒータテーブル７が上下動可能になっている。
【００４１】
この実施例のダイボンディング装置では、一度に内周側ヒータテーブル７によって、ダイシングテープ１７を加熱して収縮させるので、第１の実施例に比較すれば、収縮後において若干チップの配列の均一性が劣るが使用可能である。
【００４２】
なお、上記第１の実施例および第２の実施例において、内周側ヒータテーブル７全体を加熱するようにしたが、内周側ヒータテーブル７を選択的に部分的に加熱することによって、ダイシングテープ１７を加熱して収縮させて、チップ１６を部分的にダイシングテープ２０より剥離しやすくして、吸着コレット１９にて吸着することも可能である。
【００４３】
図８は、本発明のダイボンディング装置の第３の実施例の断面図である。
この実施例のダイボンディング装置では、外周側ヒータテーブル３を省略して、固定テーブル２のみとするとともに、内周側ヒータテーブル７を、チップ１６の一つの寸法の大きさとほぼ同じ小型のヒータテーブル７’としてあり、このヒータテーブル７’が左右上下動可能となっている。これにより、ヒータテーブル７’によって加熱して収縮させて剥離すべきチップ１６の位置に、このヒータテーブル７’と同期して吸着コレット１９がその上方に移動して、吸着コレット１９によって、剥離しやすくなったチップ１６を個々に吸着することができるようになっている。
【００４４】
これにより、第１の実施例と比較して、部分的にダイシングテープ１７を加熱して収縮させて、チップ１６をを剥離しやすくして、個々にチップ１６を吸着コレット１９にて吸着できるので、全体を収縮した場合に比較して、配置の乱れに起因するチップの吸引ミスが低減することになる。
【００４５】
なお、その他の構成は、基本的には、第１の実施例と同様であり、同じ構成部材には、同じ参照番号を付して、その説明を省略する。
また、このヒータテーブル７’は、本実施例では、一つのチップ１６とほぼ同じ大きさとしたが、２個以上のチップに対応する寸法として、一度に複数個のチップ１６に対応する部位のダイシングテープ１７を加熱して収縮させて、チップ１６をを剥離しやすくすることも勿論可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の電子部品のダイボンディング方法およびこれに使用されるダイボンディング装置によれば、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープを用いて、これにウェハを貼着してダイシングして多数のチップに切断分離したダイシングテープを、加熱手段を備えたテーブル上に載置し、加熱手段で収縮させチップと接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するように構成したので、下記のような特有で顕著な作用効果を奏する極めて優れた発明である。
【００４７】
（１）従来のエキスパンド法とは全く異なる機構で、チップ間隔を一定に拡げる（配置する）ことができ、しかもチップに対する接着面積および接着力が低減されるので、確実に個々のチップを吸引分離でき、ピックアップ時にチップを損傷したり、チップ下面に粘着剤が付着して汚染して性能を阻害することがなく、効果的にボンディングすることができる。
【００４８】
（２）従来のように、突き上げピンを用いる必要がなく、吸着コレットのみで個々のチップに吸着分離できるので、突き上げピンによるチップの損傷が発生せず、デバイスの信頼性を向上することが可能である。しかも、突き上げピンの交換、補修が不要であり、作業効率が大幅に向上する。
【００４９】
（３）従来のように、突き上げピンを使用しないので、ダイシングテープの下方にテーブルなどの支持体を備えることができるので、ウェハの口径が大型化してもテープの弛みが発生せず、均一な間隔を維持することが可能である。
【００５０】
（４）また、ダイシングテープをチップが貼着されていない部分を加熱収縮した後に、チップが貼着された部分を収縮させるようにしたものでは、エキスパンドするにあたり、ダイシングテープが撓んだりすることなく、均一な距離離間して配列できるので、吸引コレットによって正確にチップ毎にピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のダイボンディング装置の第１の実施例の断面図である。
【図２】図２は、図１のダイボンディング装置の上面図である。
【図３】図３は、図１のダイボンディング装置の部分斜視図である。
【図４】図４は、本発明に用いるダイシングテープの部分拡大断面図である。
【図５】図５は、半導体ウェハをダイシングする時の模式的な断面図である。
【図６】図６は、半導体ウェハチップを貼着したダイシングテープを熱収縮した際の模式的な断面図である。
【図７】図７は、本発明のダイボンディング装置の第２の実施例の断面図である。
【図８】図８は、本発明のダイボンディング装置の第３の実施例の断面図である。
【図９】図９は、従来の半導体ウェハをダイシングした状態を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、従来の半導体ウェハをダイシングする状態を示す断面図である。
【図１１】図１１は、従来の半導体ウェハチップをピックアップする状態を説明する概略図である。
【符号の説明】
１・・・・ダイボンディング装置
２・・・・固定テーブル
３・・・・外周側ヒータテーブル
４・・・・ガイド部材
６・・・・ガイドレール
７・・・・内周側ヒータテーブル
８・・・・シリンダ機構
１２・・・・位置決めピン
１３・・・・リングフレーム
１４・・・・ウェハ
１６・・・・チップ
１７・・・・ダイシングテープ
１９・・・・吸引コレット
２０・・・・ダイシングテープ

Claims (12)

  1. 少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープに前記粘着剤層を介して貼着されたウェハをダイシング工程で多数のチップに切断分離した後、これら多数のチップを保持しているダイシングテープを加熱手段を備えたテーブル上に載置するとともに、このダイシングテープを構成している前記収縮性フィルムを前記加熱手段で収縮させて前記チップと前記接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング方法であって、
    前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第１段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第１の収縮部を形成するとともに、この第１の収縮部を形成した後、第２段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第２の収縮部を形成し、この第２の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする電子部品のダイボンディング方法。
  2. 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品のダイボンディング方法。
  3. 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面に水平方向に移動可能に配置されており、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動して小領域を選択的に加熱することを特徴とする請求項１に記載の電子部品のダイボンディング方法。
  4. 前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置されていることを特徴とする請求項２または３に記載の電子部品のダイボンディング方法。
  5. 前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するとともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング方法。
  6. 前記多数のチップが保持されたダイシングテープは、リングフレーム上に貼着されており、このリングフレームには、所定間隔離して少なくとも２つの位置決め用の切欠部が形成され、一方、前記テーブル上には、これらの切欠部に対応するピンが所定間隔離して突設されており、前記リングフレームの切欠部が前記テーブル上のピンに合致されて前記テーブル上で位置決めされるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品のダイボンディング方法。
  7. 少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層とから構成されるダイシングテープにダイシングされた多数のチップを保持させるとともに、この多数のチップを保持したダイシングテープをリングフレームに貼着し、このリングフレームを、加熱手段を備えたテーブル上に配置するとともに、リングフレームの上方部に上下動可能にコレットを対向配置し、前記加熱手段で前記ダイシングテープを加熱した後に前記吸着コレットで所定間隔置きに配列された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング装置であって、
    前記加熱手段が、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第１段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱する第１の加熱手段と、第２段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱する第２の加熱手段とから構成されていることを特徴とする電子部品のダイボンディング装置。
  8. 前記リングフレームには、所定間隔離間して少なくとも２箇所の切欠部が形成されており、一方、加熱手段を備えたテーブル上には、所定間隔離間して少なくとも２本の位置決めピンが突設されており、該ピンにリングフレームの切欠部を合致させて前記テーブル上における前記リングフレームの姿勢を適正位置に合わせて配置するように構成したことを特徴とする請求項７に記載の電子部品のダイボンディング装置。
  9. 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置されていることを特徴とする請求項７または８に記載の電子部品のダイボンディング装置。
  10. 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面に水平方向に移動可能に配置されており、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動して小領域を選択的に加熱することを特徴とする請求項８に記載の電子部品のダイボンディング装置。
  11. 前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置されていることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング装置。
  12. 前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング装置。
JP15511797A 1997-06-12 1997-06-12 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 Expired - Lifetime JP3955659B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15511797A JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 1997-06-12 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
TW087108684A TW521313B (en) 1997-06-12 1998-06-03 Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor
SG1998001391A SG71802A1 (en) 1997-06-12 1998-06-10 Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor
CNB981147704A CN1146032C (zh) 1997-06-12 1998-06-11 电子元件的小片接合方法及其小片接合装置
US09/095,739 US6176966B1 (en) 1997-06-12 1998-06-11 Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus thereof
KR1019980021621A KR100587719B1 (ko) 1997-06-12 1998-06-11 전자부품들을다이본딩하기위한방법및그를위한다이본딩장치
MYPI98002611A MY120043A (en) 1997-06-12 1998-06-11 Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor
DE69836398T DE69836398T2 (de) 1997-06-12 1998-06-11 Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen
EP98304634A EP0884766B1 (en) 1997-06-12 1998-06-11 Method and apparatus for dicing a wafer and separating chips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15511797A JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 1997-06-12 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH113875A JPH113875A (ja) 1999-01-06
JP3955659B2 true JP3955659B2 (ja) 2007-08-08

Family

ID=15598958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15511797A Expired - Lifetime JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 1997-06-12 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6176966B1 (ja)
EP (1) EP0884766B1 (ja)
JP (1) JP3955659B2 (ja)
KR (1) KR100587719B1 (ja)
CN (1) CN1146032C (ja)
DE (1) DE69836398T2 (ja)
MY (1) MY120043A (ja)
SG (1) SG71802A1 (ja)
TW (1) TW521313B (ja)

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6882030B2 (en) 1996-10-29 2005-04-19 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
EP2270845A3 (en) 1996-10-29 2013-04-03 Invensas Corporation Integrated circuits and methods for their fabrication
US6448153B2 (en) 1996-10-29 2002-09-10 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
DE69914418T2 (de) * 1998-08-10 2004-12-02 Lintec Corp. Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
JP3661444B2 (ja) * 1998-10-28 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法
JP4275254B2 (ja) * 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP2001060565A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Lintec Corp 光照射装置及びこれを用いたピックアップ装置
JP4137310B2 (ja) * 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
EP1266399B1 (en) * 2000-01-26 2012-08-29 ALLVIA, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
JP4392732B2 (ja) * 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP3641217B2 (ja) * 2000-03-31 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 チップ状電子部品における端部電極形成方法及び装置
US6548327B2 (en) * 2000-04-24 2003-04-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof
US6383833B1 (en) * 2000-05-23 2002-05-07 Silverbrook Research Pty Ltd. Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
US7063993B1 (en) * 2000-05-24 2006-06-20 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
KR100773170B1 (ko) * 2000-09-12 2007-11-02 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 반도체 칩을 장착하는 방법 및 장치
JP2002164414A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shinkawa Ltd 半導体ペレット処理方法及び装置
US6610167B1 (en) 2001-01-16 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Method for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
US6572944B1 (en) * 2001-01-16 2003-06-03 Amkor Technology, Inc. Structure for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
JP4482243B2 (ja) * 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4647830B2 (ja) * 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP4647831B2 (ja) * 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
US20030042615A1 (en) 2001-08-30 2003-03-06 Tongbi Jiang Stacked microelectronic devices and methods of fabricating same
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
JP3745260B2 (ja) * 2001-10-02 2006-02-15 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US6896760B1 (en) * 2002-01-16 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Fabrication of stacked microelectronic devices
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
JP3978345B2 (ja) * 2002-02-06 2007-09-19 日本碍子株式会社 切断加工部品保持構造の形成方法および切断加工部品の製造方法
US6800018B2 (en) * 2002-02-12 2004-10-05 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Cutting device for separating individual laminated chip assemblies from a strip thereof, method of separation and a method of making the cutting device
JP2004083633A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び研磨テープ用接着テープ
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2004146727A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの搬送方法
WO2004038779A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4716668B2 (ja) * 2004-04-21 2011-07-06 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7101620B1 (en) 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP4704017B2 (ja) 2004-12-09 2011-06-15 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4750492B2 (ja) * 2005-07-20 2011-08-17 富士通株式会社 Ｉｃチップ実装方法
JP4616719B2 (ja) * 2005-07-20 2011-01-19 富士通株式会社 Ｉｃチップ実装方法
TW200717519A (en) * 2005-10-28 2007-05-01 Univ Nat Chiao Tung Asynchronous first-in-first-out cell
JP4769560B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
JP4376250B2 (ja) 2006-06-21 2009-12-02 テイコクテーピングシステム株式会社 多層構造体の形成方法
US20070297885A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Jean Michel Processe Product designed to be used with handling system
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
KR100817254B1 (ko) * 2007-03-27 2008-03-27 한국뉴매틱(주) 내장 진공펌프를 갖는 레벨 보정기
US8282754B2 (en) * 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
US20110198024A1 (en) * 2007-04-05 2011-08-18 Avery Dennison Corporation Systems and Processes for Applying Heat Transfer Labels
CN101679818A (zh) 2007-04-05 2010-03-24 艾利丹尼森公司 压敏收缩标签
JP5136552B2 (ja) * 2007-06-13 2013-02-06 富士通株式会社 キャリアテープから電子部品を取り出す方法
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
DE102008018536B4 (de) 2008-04-12 2020-08-13 Erich Thallner Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
JP2008258639A (ja) * 2008-05-02 2008-10-23 Nitto Denko Corp 半導体ウエハー切断片のピックアップ回収方法
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010186971A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5412214B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
CN102148178A (zh) * 2009-12-16 2011-08-10 第一毛织株式会社 电路小片粘性膜、卷筒、安装设备和电子产品
MX2012008762A (es) 2010-01-28 2012-08-31 Avery Dennison Corp Sistema de cinta de aplicador de etiqueta.
JP5123357B2 (ja) * 2010-06-17 2013-01-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及びピックアップ装置
JP2012182313A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
EP2711683B1 (en) * 2011-05-20 2016-08-03 Olympus Corporation Method of manufacturing base sheet
KR101314398B1 (ko) * 2011-09-23 2013-10-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
JP5472275B2 (ja) * 2011-12-14 2014-04-16 株式会社村田製作所 エキスパンド装置及び部品の製造方法
US9196535B2 (en) * 2013-06-18 2015-11-24 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
CN103676282A (zh) * 2013-12-23 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 触摸屏和显示屏分离装置及分离方法
CN105324022A (zh) * 2015-09-21 2016-02-10 厦门三安光电有限公司 一种芯粒抓取装置及其抓取方法
JP6582975B2 (ja) * 2015-12-28 2019-10-02 富士通株式会社 半導体実装装置、半導体実装装置のヘッド及び積層チップの製造方法
TWI567011B (zh) * 2016-06-15 2017-01-21 All Ring Tech Co Ltd Method and device for conveying the components of the bonding process
KR102523850B1 (ko) * 2016-07-11 2023-04-21 주식회사 미코세라믹스 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 칩 분리 장치
CN107072045A (zh) * 2016-11-30 2017-08-18 合肥瑞硕科技有限公司 一种电路板专用吸取装置
KR102617347B1 (ko) * 2018-10-04 2023-12-26 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치
TWI784622B (zh) * 2020-08-12 2022-11-21 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59171137A (ja) * 1984-01-30 1984-09-27 Hitachi Ltd ペレット取り外し方法
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
US5714029A (en) 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JP2521459B2 (ja) * 1987-02-23 1996-08-07 日東電工株式会社 半導体チツプの製造方法
JPH01220454A (ja) * 1988-02-27 1989-09-04 Nitto Denko Corp フレームアライメント装置
US4921564A (en) * 1988-05-23 1990-05-01 Semiconductor Equipment Corp. Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP2866453B2 (ja) * 1990-07-04 1999-03-08 ローム株式会社 エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法
JP3073239B2 (ja) * 1990-12-28 2000-08-07 リンテック株式会社 ウェハ貼着用粘着シート
SG52223A1 (en) * 1992-01-08 1998-09-28 Murata Manufacturing Co Component supply method
JP2994510B2 (ja) 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
EP0571649A1 (en) 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
JP3438369B2 (ja) * 1995-01-17 2003-08-18 ソニー株式会社 部材の製造方法
JP3496347B2 (ja) * 1995-07-13 2004-02-09 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JPH0964148A (ja) * 1995-08-18 1997-03-07 Shinkawa Ltd ウェーハリングの供給・返送装置
JPH0963966A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Toshiba Microelectron Corp 気相成長装置
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing

Also Published As

Publication number Publication date
KR100587719B1 (ko) 2006-10-31
DE69836398T2 (de) 2007-03-15
EP0884766A2 (en) 1998-12-16
CN1146032C (zh) 2004-04-14
EP0884766B1 (en) 2006-11-15
JPH113875A (ja) 1999-01-06
EP0884766A3 (en) 2000-09-20
MY120043A (en) 2005-08-30
KR19990006863A (ko) 1999-01-25
SG71802A1 (en) 2000-04-18
US6176966B1 (en) 2001-01-23
TW521313B (en) 2003-02-21
CN1206329A (zh) 1999-01-27
DE69836398D1 (de) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3955659B2 (ja) 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US7465142B2 (en) Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape
JP4482243B2 (ja) ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
KR100681838B1 (ko) 양면점착시트에 고정된 물품의 박리방법 및 박리장치
JP3737118B2 (ja) 半導体ウエハの保護粘着テープの剥離方法およびその装置
KR101066510B1 (ko) 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치
JP5253996B2 (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
TWI385767B (zh) 晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法
KR20110023821A (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2009158879A (ja) 基板への接着シートの貼付け装置
KR20060123462A (ko) 웨이퍼의 전사방법
JP2012169548A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP5646395B2 (ja) ウェーハ保持ジグ
JP2012209385A (ja) ピックアップテープおよびチップ状部品の製造方法
JP2012182313A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JP2002270560A (ja) ウエハの加工方法
JP2009130333A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI816752B (zh) 部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置
JP2005243910A (ja) 半導体チップの製造方法
JP3618389B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP7131175B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10335270A (ja) ペレットのピックアップ装置
JP2005260187A (ja) 感温性粘着テープの剥離方法
JPH05251558A (ja) ワーク分離装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070424

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070507

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term