CN1395602A - 晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法 - Google Patents

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Abstract

一种具有在基底层一面形成的粘结层的粘结带，当其所粘附的硅质晶片用切割机切成电路片时，利用其可以降低晶片上产生的豁口、凹痕或裂缝的尺寸。粘结带的粘结层的储存系数G″在15－35℃等于或大于1MPa，表示损失系数G″与储存系数G’之比的tanδ优选为小于或等于0.05。粘结层优选为基本由石蜡聚合物构成。

Description

晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法
技术领域
本发明涉及一种晶片机械加工粘结带或一种晶片处理粘结带，一种制造及使用该粘结带的方法。更详细地，本发明涉及一种晶片处理粘结带主要用于在半导体的制造过程中，在将晶片切割成电路片的操作过程中，把晶片牢牢地固定在一个地方，以及制造和使用该粘结带的方法。
背景技术
当晶片具有较大直径时，由硅、砷化镓或锗-硅等制造的半导体片经过平版电路印刷***的处理，并且其背部经过磨平。因此，晶片要送到切割工序，将其切割成电路片，然后送到安装工序，将每个切割的电路片在一个树脂铸型上集成。利用一种晶片处理粘结带在将晶片切割成电路片的操作过程中，把晶片牢牢地固定在一个地方。
对于这些晶片处理粘结带，利用了紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结带，这种粘结带和压敏粘结带一样能够调整粘结度。任意一种粘结带的使用，在将晶片切割成电路片的操作过程中，可能会引起豁口、凹痕或产生裂缝的问题。
在粘结带具有压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结层的情况下，切割时粘结剂或基底所产生的粉尘经常粘到电路片的表面。这些粉尘可能造成电路片的电路的侵蚀或者造成电路片和树脂铸型之间粘结的破坏从而造成电路片次品。
然而，具有压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的粘结层的晶片处理粘结带引起了一些问题，其使用寿命由于其粗劣的制造相位稳定性和耐储存性而变短，这些问题迫使有良好的工作车间环境、运输和储存条件。利用这些种类的晶片处理粘结带，一旦进程的粘结层由于制造条件或储存条件中的一些不稳定的因素破坏了，由于晶片处理粘结带的质量产生大量的电路片残次品。
此外，关于制造压合型、紫外线辐射固化型或电子束固化型的晶片处理粘结带的方法，一般经验是应用一种在基底上的溶剂中溶解的粘结制剂，这种基底以前就已制备，经过了表面处理，并且使溶剂蒸发。所述的方法由于在应用制剂时使用了有机溶剂和蒸发溶剂的大量能量消耗，给环境生态方面增加了负担，更有甚者，要付出很高的代价。
另一方面，一种公知方法可以防止晶片在处理操作中豁口、缺口(以后称凹痕)或产生裂缝，这种方法利用蜡将晶片牢牢固定在一个位置并将其切割成电路片。然而，这种方法的产率非常低，因此，在半导体工业中，一般不用来处理那些其上已经形成的电路图的晶片，当然当处理易碎晶片或晶片表面需要作高精度处理时例外。
作为一种用于阻止由于凹痕或裂缝的扩散造成的电路片破损，日本特开平专利申请号1993-335411公开了一种制造半导体电路片的方法，这种方法包括从晶片的前边切开一定深度的切口之后将晶片背面磨平。日本特开平专利申请号2000-68237公开了一种具有一种粘结层的薄膜的应用，该粘结层，在40℃下具有1.0×105Pa的粘结强度系数，这种薄膜用作表面保护膜，被利用在将晶片切割成各个电路片中，这种电路片在已经在晶片已形成电路图案的前边形成了比晶片厚度浅的切口之后，通过磨平晶片的背部而成。但是，这些方法并没有讲清楚在磨平操作中在电路片中所产生的凹痕或裂缝尺寸的情况。
日本特开平专利申请号1998-242086公开了一种固定膜，该固定膜备有一种在0-10℃范围内具有3×106到1×1010达因/平方厘米储存系数的粘结层。抑制凹痕和裂缝发展的效果仅仅在非常适度的条件下值得评估，在切割操作中造成75μm或小于75μm的凹痕和裂缝的集成电路片才是可接受等级。
明显地，没有这样的晶片粘结带能够在晶片处理过程中能将发展的凹痕和裂缝降低到蜡固定方法相当的水平。
日本特开平专利申请号1991-39524公开了一种在25℃下具有3×107到5×109达因/平方厘米动力系数E’和tanδ为0.4或大于0.4损失系数的特殊α-石蜡共聚合物，虽然没有关于晶片处理粘结带的特殊用途的说明，但其宣称当所述共聚合物和金属层压时，论证了振动阻尼特性。
然而，日本特开平专利申请号1995-23354，1998-298514，1999-43655，1999-21519和1999-106716虽然没有说明在晶片处理粘结带上对于其在服务期内的特征附加严格的要求，但在他们的粘结层中每个都公开了含有特殊α-石蜡共聚合物的表面保护膜。
发明内容
作为本发明人的对解决上述提及的问题艰苦努力的成果，本发明人发现在晶片加工过程中产生的内应力和振动，所述内应力和振动通过将晶片粘附在粘结带上固定晶片大幅减小，这种粘结是利用穿插在晶片和粘结带之间的粘结层来实现，这种粘结层在某一晶片处理温度范围内具有一个比模量，即tanδ。并且，本发明人已经发现如何实现本发明，他们发现减少和减轻晶片的凹痕和裂缝到以前利用一般晶片处理粘结带所不能达到的水平的可能性。
因此，本发明的目的在于提供一种能够在晶片切割成电路片的过程中降低凹痕和裂缝的尺寸并抑制其进一步的发展。本发明的进一步目的在于提供一种不需要利用任何特殊的设备就能够降低电路片的污染物的晶片处理粘结带，同时该粘结带具有耐储存性并且由不造成大的生态负担的原料构成。
本发明的另一个目的在于提供一种制造晶片处理粘结带的方法，这种方法能够提供稳定的产品质量并且能够降低有害物质副产物的量，和/或降低生产线中能量的消耗或浪费，这种方法的生产加工条件对环境比较适应。
本发明的又一个目的在于提供一种能够充分利用晶片处理粘结带特性的方法。
也就是说，本发明涉及一种具有粘结层的晶片处理粘结带，该粘结层在基底层一面上，这种粘结带使直径为6英寸大小的硅质晶片粘结到所述的粘结层，并且当用切割机在15-35℃下以70mm/min的速度将硅质晶片切割成3mm2大小的电路片时，将晶片背面磨到400μm厚，使从硅质晶片获得的电路片90％以上具有最大长度不超过30μm的豁口、凹痕或裂缝。切割水维持在20℃的温度。
一种晶片处理粘结带代表了本发明的优选实例，其中所述的豁口、凹痕或裂缝最大长度不超过10μm的电路片。
本发明涉及一种晶片处理粘结带，其包括一种在基底的一面具有粘结层的粘结带，其中，其粘结层在15-35℃的储存系数G’等于或大于1Mpa。
一种晶片处理粘结带代表了本发明的优选实施例，其中所述粘结层在15-35℃，作为损失系数G”与储存系数G’的比，即tanδ等于或大于0.05。
一种晶片处理粘结带代表本发明的另一个优选实施例，其中所述粘结层包括作为基本成份的石蜡聚合物。
一种晶片处理粘结带代表本发明的又一个优选实施例，其中所述粘结层包括作为基本成份的一种类型或二种以上类型的α-石蜡共聚合物的混合，这种α-石蜡共聚合物包括至少两种类型的具有2-12碳原子的α-石蜡作为基本单元成分。
一种晶片处理粘结带代表本发明的又一个优选实施例，其中，所述粘结带包括所述的α-石蜡共聚合物、一种热塑性弹性体和一种乙烯和另一种α-石蜡的共低聚物，并且α-石蜡共聚合物组成一个连续的相，热塑性弹性体组成一个分散相。
一种晶片处理粘结带代表本发明的又一个优选实施例，其中，所述热塑性弹性体是一种由式子A-B-A或A-B表示的嵌段共聚合物，其中，A是一种芳香族乙烯化合物聚合块或一种结晶性的石蜡聚合块，B是一种二烯化合物聚合块或一种由氢化二烯化合物聚合块衍生的石蜡聚合块。
一种晶片处理粘结带代表本发明的又一个优选实施例，其中，所述α-石蜡的共聚物优选为由丙烯、1-丁烯和具有5-12个碳原子的α-石蜡的共聚合衍生的α-石蜡的共聚合物，所述具有5-12个碳原子的α-石蜡优选为4-甲基-1-戊烯。
由一或多层组成并且包括作为基本成份的石蜡聚合物的基底层较为优选。
一种晶片处理粘结带代表本发明的又一个优选实施例，其中，根据参考文献JIS Z0237规定的程序，在20-80℃的温度范围内测量，所述的粘结带的探测粘着力具有一个0.O1-1N/5mm直径。
优选晶片处理粘结带具有根据一个共挤压工序形成的基底层和粘结层。
本发明进一步涉及一种制造具有由一层或多层组成的基底层和层压在所述基底层一面的粘结层的晶片处理粘结带的方法，包括利用一个多层模的共挤压工序，其中，构成基底层和粘结层的聚合物的熔体流动率(MFR)(ASTM D 1238，载重2.16kg在230℃下测定)为5-40g/min，邻接层之间的MFR差小于10g/10min，制造的操作条件是熔化温度是200-260℃，在邻接层之间的熔化温度差小于30℃。
本发明也涉及一种使用晶片处理粘结带的方法，包括将上述的晶片处理粘结带在20-80℃并在一定载荷下粘到晶片上，在15-35℃的温度下将晶片切成电路片，在40-80℃下拉伸所述粘结带，然后如在室温捡起电路片一样将电路片从粘结带剥起。
一种使用晶片处理粘结带的方法代表了本发明的一个优选实施例，其中，晶片是在其上表面已形成电路图案的晶片，所述的切割是利用块状切割来完成。
附图说明
图1为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的一个方式；
图2为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的又一个方式；
图3为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的又一个方式；
图4为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的又一个方式；
图5为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的又一个方式；
图6为本发明的晶片处理粘结带的截面图，该截面图说明实施例中的又一个方式；
图7为本发明的晶片处理粘结带卷在卷轴中的一种方式侧面图；
图8为本发明的晶片处理粘结带卷在卷轴中的又一种方式侧面图；
图9由上下两个图组成，上部的图显示了从粘结带侧面观察的集成电路片，下部的图显示了放大的说明电路片上的凹痕和裂缝的概念图；
图10为一个从粘结表面观察的电路片的放大的概念图，其说明电路片拐角部分的凹痕和裂缝；
图11为一个从粘结表面观察的电路片的放大的概念图，其说明电路片拐角部分产生的凹痕和裂缝；
图12为粘结层的储存系数G’、损失系数G″和tanδ的测试结果；
图13为一个粘结层的横截面的电子微观图，其方向假定横穿其流动方向；
图13为一个粘结层的横截面的电子微观图，其方向假定平行其流动方向。
具体实施方式
本发明的晶片处理粘结带(以后称“本发明的粘结带”)及其制造方法(以后称“本发明的制造方法”)和其使用方法(“以后称本发明的使用方法”)将在下面结合附图作详细的解释。
图中参照的相同或对应的部分都有标有相同的号码。
图1显示了一个说明本发明的粘结带的实施例的一种方式的截面图。如图中所示，本发明的粘结带10包括基底层1和层压在基底层一面的粘结层2。
对于基底层1的组成并没有特别的限制。可以使用各种薄层材料如塑料、纸、金属晶片、天然树脂等。首先，对于本发明非卤代衍生塑料是优选的，因为其阻水性、耐热性比较好并且废物容易处理，例如石蜡聚合物、聚酰胺、聚酯、聚醚、聚碳酸酯、聚氨酯。特别是那些由碳、氢、氧组成的且又在焚烧用过的废料过程中不产生有毒气体的塑料较为优选，其中，有毒气体如氧化硫、氧化氮、以二氧杂环己烯为代表的卤化物，也就是说，对生态造成相对较小负担的塑料制品。
对于基底层1，其特别优选的成份是那些基本成份是石蜡聚合物的材料，由于这种石蜡聚合物具有多种特征能够满足如固定晶片强度、切割后(如晶片被切成集成电路后)的拉伸性、产出率(如基底膜)、耐储性等的要求。并且，当和其它材料混和时具有其它特征的能力以及其适应生态的需要、在多层之间容易形成很强的粘结。
对于石蜡聚合物的类型并没有特别的限制。聚合物可以包括α-石蜡作为组合单元，这种组合单元可以是α-石蜡均聚合物或不同α-石蜡的共聚合物或者α-石蜡和乙烯单体的共聚合物等。这些聚合物的详细实例如下：
(1)乙烯聚合物
低密度聚合乙烯，超低密度聚合乙烯、线性低密度聚合乙烯、中等密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯。
乙烯和具有3-12个碳原子的α-石蜡、不同乙烯化合物的共聚合体，不同乙烯化合物如苯乙烯、乙酸乙烯酯、(甲)丙烯酸、(甲)丙烯酯和马来酸等。
共聚合物一般称“离子交联聚合物”，其包括乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物，其侧链通过含有金属离子如Zn、Na、K离子的离子链交联聚合体联结。
(2)丙烯聚合物
丙烯均聚合物、丙烯-乙烯嵌段共聚合物、丙烯-乙烯随机共聚合物、
丙烯-乙烯-丁烯嵌段共聚合物、丙烯-乙烯-丁烯随机共聚合物和超
高分子量聚合丙烯。
丙烯和具有4-12个碳原子的α-石蜡、不同乙烯化合物的共聚合体，不同乙烯化合物如苯乙烯、乙酸乙烯酯、(甲)丙烯酸、(甲)丙烯酯等和马来酸。
(3)具有4个或4个以上碳原子的α-石蜡的聚合物、聚-1-丁烯、
   聚-4-甲基-1-戊烯、超高分子量聚-1-丁烯和超高分子量聚-4-
   甲基-1-戊烯。
具有4个或4个以上碳原子的α-石蜡和另一种α-石蜡或不同乙烯化合物的共聚合物，不同乙烯化合物如苯乙烯、乙酸乙烯酯、(甲)丙酸、(甲)丙烯酸酯和马来酸等。
在本发明中使用的基本成份意思是含有比其它元素相对高的组成元素。
在基底层由二层或多层构成的情况下，这些层如此排列以致各个层都对应所需晶片处理粘结带的特殊特性。作为实施例的方式，中间层可以具有在晶片处理过程中的拉伸性或抗磨性以及通过加入风化稳定剂而具备的耐候性，最外层可以具有抗表面磨损性和防止粘贴好的保护膜从粘结层再次卷起的抗剥落性。邻接层可以由任何一种材料构成，只要它们经过一个熔体挤出工序相互牢牢粘到一起。一个优选的实施例就是粘结层和最外层(表层)对边的基本成份是乙烯聚合物。
图2显示了一个本发明的粘结带的截面图，阐明了其中的另一个实施例。如图中所示，本发明的粘结带10包括由中间层3、表层4和层压在中间层3一面的粘结层2。
中间层的基本成份包括石蜡聚合物的是优选的。中间层由所述的石蜡聚合物和热塑性弹性体组成的是更为优选的，其中，石蜡聚合物构成了一个连续相，热塑性弹性体构成了一个分散相。为了实现上述规定，应该提高晶片固定在某一位置的强度，而不出现任何松驰，同时对于中间层的切割深度在晶片处理过程中不再增大，切口在粘结带拉伸时不会裂开，在晶片处理过程之后不会造成任何松驰(所谓的“缩颈”)。另一特征是电路片之间的切割缝(切口之间的距离)平稳地充分地向电路片的横向和纵向延伸。
任何与所述聚合物类似的石蜡聚合物都可以使用。作为热塑性弹性体的实例，可以用聚合苯乙烯弹性体、聚合石蜡弹性体、聚酰胺弹性体、聚氨酯弹性体、聚酯弹性体等。在上述所用的弹性体中，聚合苯乙烯弹性体、聚合石蜡弹性体和聚酯弹性体是优选的，因为它们是由碳、氢、氧组成的热塑性弹性体，其不产生有害气体如氧化硫、氧化氮、或二氧杂环己烯为代表的卤代化合物，也就是给生态造成较小的负担。
所有聚合物中，特别优选的是由式子A-B-A或A-B表示的嵌段共聚合物(其中“A”是一种芳香族乙烯聚合块或具有结晶性的石蜡聚合块，并且“B”是一种二烯化合物聚合块或氢化石蜡衍生的石蜡聚合块)，因为它们促进了相的产生，该相分散到由石蜡聚合物形成的连续相中。
聚合苯乙烯弹性体的实例有嵌段共聚合物，其所括聚苯乙烯，作为刚性部分(结晶体部分)，和由二烯化合物单体或氢化聚合物衍生的聚合块形成的聚合块，作为软体部分。更详细的例子有苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SIS)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SBS)，苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEBS)，苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEPS)等。它们可以被单独使用，也可以两种或多种结合使用。
所述聚合石蜡弹性体的实例有由构成高结晶聚合物的聚合石蜡块和非结晶性的共聚合块组成的嵌段共聚合体，高结晶聚合体如聚合乙烯、聚合丙烯等，作为刚性部分，非结晶性的共聚合块作为软体部分。这种嵌段聚合物的详细的例子有石蜡聚合链(结晶体)-乙烯-丁烯共聚合链(非结晶体)-石蜡聚合链(结晶体)嵌段共聚合体；聚丙烯-聚乙烯氧化物-聚丙烯嵌段共聚合物；聚丙烯-聚合石蜡(非结晶体)-聚丙烯嵌段共聚合物；苯乙烯聚合链-乙烯-丁烯共聚合链(非结晶体)-石蜡聚合物链(结晶体)嵌段共聚合物等。
所述聚合酯弹性体的详细实例是聚丁烯对苯二酸酯-聚醚-聚丁烯对苯二酸酯嵌段共聚合体。
图3显示了本发明的粘结带的截面图，阐明了实施例的另一方式。如图中显示，本发明的粘结带10包括基底层1和粘结层2，基底层1上面依次层压了第一中间层3a、第二中间层3b和表层4，粘结层2层压在第一中间层3a的一面。
在基底层1由三层构成的情况下，本发明的优选实施例就是第一中间层3a或第二中间层3b的任意一层或二两层是由构成连续相的石蜡聚合物和构成分散相的热塑性弹性体组成。更优选的实施方式是第二中间层3b由构成连续相的石蜡聚合体和构成分散相的热塑性弹性体组成。在各层的联结中，第一中间层3a的厚度可以是10-200μm，最好是30-150μm，第二中间层3b的厚度可以是1-100μm，最好是5-50μm。
与粘结层邻接的基底层的中间层(图3中第一中间层3a)的基本成份可以含有一种类型或二种类型以上含的α-石蜡的聚合物。除了含有α-石蜡的聚合物，与粘结层邻接的基底层的中间层可以包括辅助成份如分子结构中具有除烃以外的含氧原子官能团的树脂，除非所含基团渗出并且对粘结层产生不利影响。
与所述粘结层邻接的基底层的中间层中的聚合物所含的α-石蜡一般为聚合体重量的50-100％，优选为70-100％。
构成本发明粘结带基底层的最外层的表层4的基本成份优选为石蜡聚合物。其中，乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物比较适合。这种情况下，构成基底层1的最外层构成的表层4含有的所述的乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物的比例一般为其重量的50-100％，优选为70-100％。除了基本成份，其它成份可以是α-石蜡(共)聚合体。
优选的表层的基本成份是那些由所述乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物、聚乙烯和从乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物衍生的金属离子交联树脂组成的混和物、或所述含α-石蜡的聚合体和少量聚乙烯醇或乙烯乙烯醇共聚合物和长链烷基异氰酸酯反应的产物(防粘剂)的混和物，等。所获得的粘结带具有小于5N/25mm的再卷曲力。
在构成本发明粘结带的基底层1的最外层的表层4是一层包括乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物和从乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物衍生的金属离子交联树脂的情况下，从乙烯-(甲)丙烯酸共聚合物衍生的金属离子交联树脂的比例-般为表层重量的1-50％，优选为3-40％。
在构成本发明粘结带的基底层1的最外层的表层4包括作为基本成份的含α-石蜡聚合物的情况下，加入少量防粘剂如聚乙烯醇或乙烯-乙烯醇共聚合物和长链烷基异氰酸酯反应的产物等较为优选。含有所述防粘剂的适合比例一般为占基底层1的表层重量的0.5-20％，优选为1-10％。
基底层1可以含有各种添加物，一般用作这种晶片处理粘结带的基底。例如，可以含有各种填充物、色素、紫外线吸收剂、抗氧化剂、热稳定剂、润滑剂等，这些添加物的含量不会影响晶片处理或电路片。
本发明粘结带的基底层1厚度优选为10-200μm，从防止损坏的特性、粘结工作的有效性和价格来看，30-150μm更为优选。在基底是由中间层和表层组成的情况下，中间层的厚度优选为10-200μm，更优选为30-150μm。表层的厚度优选为1-100μm，更优选为5-50μm。本发明的粘结带是由二层或多层构成的多层层压膜，基中各层都是由基底层和层压在所述基底层一面的粘结层组成。一个直径为6英寸的作为胶粘体的硅质晶片，其背面磨为400μm厚，通过***其间的粘结层附着到晶片处理粘结带上。因此，所述的晶片通过切割锯以70mm/min的速度在大气温度保持在15-35℃范围内20℃的切割水温度下切割成3×3mm2的电路片。在所述的晶片处理过程中，利用本发明的粘结带成功率达到90％以上，这种比率是按照在加工的电路片上产生最大长度为30μm，优选长度为小于10μm的凹痕或裂缝的电路片数量与加工电路片的总数之比。只要能够维持这种水平，在晶片处理过程中几乎不会产生由于凹痕或裂缝的残次品，从而产品质量达到了利用蜡固定法加工电路片的质量。
当在切割过程中产生次品电路片的比例随着倾向于可被自由修复的凹痕或裂缝的最大容忍长度而变化时，主要考虑设立凹痕或裂缝的标准以使应用标准不影响到最终装配产品的目的状况。另一方面，从产率方面考虑，虽然零缺陷产品是一个理想的目标，但无缺陷产品的比例一般需要达到90％以上，优选为95％以上，更优选为99％甚至达100％。
即使将凹痕或裂缝设定在30μm或小于30μm，优选为10μm或小于10μm的可接受质量的较低限制之下，利用本发明的粘结带可以达到可接受电路片数量占电路片总生产数量的90％以上。采纳本发明的可接受电路片的标准或比例可满足所需半导体产品在较为苛刻的环境下的产品可靠性和生产率，例如移动电子设备、IC卡等。
在本发明中，电路片的凹痕或裂缝的最大长度按照下述过程确定。制备一个直径为6英寸的P型硅质反射晶片，条件为在23℃下，大气相对湿度(RH)控制在50％，通过将其背面磨成400μm厚，粗糙程度为#2000的磨成平面。通过利用一个装有温度调节设备的晶片装配器在不会造成电路片滑脱的温度如20-80℃的条件下，将晶片反射面粘到一框架上从使晶片而牢牢固定在框架上，框架如Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H，温度调整设备如Hugle Electronic Co.制造的HS-7800。然后，以一定的加工速度通过利用金刚石切割刀片的切割锯的来回切割将晶片充分切割到30μm的深度，切割锯如Disco Corp.制造的DAD320，金刚石切割刀片如Disco Corp.制造的NBC-ZH2050(尺寸：27HEDD)，加工速度如切割刀片转速为30000转/分钟，切割速度为70mm/min，上述加工过程是利用温度调节器调节保持20℃的切割水冲洗和冷却的。
通过上述的过程将晶片切割成长方形的电路片，例如切割成3mm2，这些电路片上的凹痕或裂缝是有限的。
这种测试程序的例子可以结合图来解释之。
图9上部的图显示了从粘结带侧面观察的通过将硅质晶片切割成的3mm2所得到的电路片20的表面图。图9下部的图显示了从粘结带侧面观察的在IC卡20边缘直线周围的表面上产生的凹痕22和裂缝23的放大的概念图。凹痕22是由电路片上被切出去的部分内的斜线表示，而电路片上产生的裂缝23是由加重的实线表示。
图10和11显示了从粘结带侧面观察的在电路片20的切割拐角的表面产生的凹痕22和裂缝23的放大图的示意图。在切割晶片角部的过程中，显示了一种凹痕和裂缝扩大的强烈倾向，这是因为沿着垂直于硅质晶片的平面的方向的切割线路横穿了在晶片表面上的与晶片平面呈现为垂直角的经向。
图10显示了假设呈长方形拐角部分的凹痕22的实例，其中，显示了电路片20的凹痕22的最大凹痕长度24。凹痕通过相对于电路片20在纵向和横向切割面的距离来评估，其中较长的距离作为凹痕22的最大长度24。
图11显示了一个拐角部分中裂缝23的连续裂缝，阐明了电路片20的最大裂缝长度24的一个实例。凹痕通过相对于电路片20在纵向和横向切割面的距离来评估，其中较长的距离作为凹痕22的最大长度24。
本发明的粘结带的粘结层2在15-35℃的适于晶片处理周围温度范围内具有一个大于1MPa的储存系数G’，优选为1-200MPa。进一步，理想的损失系数G″与储存系数G’的比，即tanδ是在大于0.5的范围内。在这种条件下，由于刀片转动产生的共振使晶片中的内应力扩大可以被减小，这样就降低了电路片中产生的凹痕和裂缝的比例，同时凹痕和裂缝的尺寸也降低了。
本发明的粘结带的粘结层2优选为其层压在所述基底层1上并且含有作为基本成份的石蜡聚合物。更为优选的是其基本成份是一种类型的α-石蜡共聚合物或二种以上α-石蜡共聚合物的混和物，这种α-石蜡共聚合物包括至少二种类型的α-石蜡作为其基本成份，该α-石蜡选自具有2-12个碳原子的α-石蜡。在石蜡聚合物中特别优选的是包括所述的α-石蜡共聚合物、-种热塑性弹性体和一种乙烯和另一种α-石蜡的共低聚体，其中，α-石蜡共聚合体构成了一个连续相，热塑性弹性体构成了一个分散相。
所述相结构分别从图13和14中很容易看出，图像中显示了一个粘结层的横截面。图13显示了一个与粘结层流动方向假设呈直角的横截面，图14显示了一个与粘结层流动方向假设平行的横截面。由于粘结层的玻璃跃进温度下降，甚至在降低的应用温度下，这样在本发明粘结带和晶片之间形成无空气泡的紧密的粘结。进一步，由探测粘着力指示的原始粘结强度可以被调整到最适合的范围内。换语话说，在适度温度下，粘结特性是可以被改进的。另外，由于α-石蜡共聚合物形成的连续层，可以获得具有高储存系数G’和tanδ的粘结层。
具有2-12个碳原子的α-石蜡的实例有乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。在共聚合体由从上述化合物中选择的至少二种类型的单体组成的作为粘结层2的基本成份的情况下，优选为占粘结层2总含量的30％以上，50％更为优选。
优选的粘结层就是那种包括通过共聚合聚乙烯、1-丁烯和具有2-12个碳原子的α-石蜡而衍生的共聚合物，所有的α-石蜡共聚合物都是上述提到的。优选的粘结层包含一共聚合物，作为其基本单元，所述共聚合物具有10-85％摩尔的丙烯、3-60％摩尔的1-丁烯和10-85％摩尔的具有5-12个碳原子的α-石蜡，这是因为，在近室温条件下，这种物质显示了优秀的粘结特性。更为优选的粘结层包含一共聚合物，作为其基本单元，所述共聚合物具有15-70％摩尔的丙烯、5-50％摩尔的1-丁烯和15-70％摩尔的具有5-12个碳原子的α-石蜡。对于具有5-12个碳原子的α-石蜡，4-甲基-1-戊烯较为优选。
粘结层含有由丙烯、1-丁烯和具有5-12个碳原子的α-石蜡共聚合衍生的共聚合物，该共聚合物在粘结层的含量一般为20％，优选30％以上。
作为热塑性弹性体的实例有聚苯乙烯弹性体、石蜡聚合弹性体、聚酰胺弹性体、聚氨酯弹性体和聚酯弹性体等。
所述热塑性弹性体的优选结构为那些由A-B-A或A-B表示的作为其结构成份的嵌段共聚合体，其中“A”是一种芳香族乙烯化合物聚合块或具有结晶性的石蜡聚合块，并且“B”是一种二烯化合物聚合块或氢化石蜡衍生的石蜡聚合块。
对于聚苯乙烯弹性体，可以通过由构成刚性(结晶体)部分的聚乙烯块和构成软体的二烯化合物聚合块或氢化聚合块形成嵌段共聚合物。更详细的例子有苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SIS)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SBS)，苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEBS)，苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEPS)等。它们可以被单独使用，也可以两种或多种结合使用。
例如，苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物含有平均分子量为12000-100000的苯乙烯聚合块和平均分子量为10000-300000的异丙烯聚合块。在SIS中含有的苯乙烯聚合块与异丙烯聚合块的重量比例一般为5-50/50-95，优选为10-30/70-90。
苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段聚合物是通过氢化苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物衍生的。这种SIS的详细例子有由JSR Co.提供商品名为JSR SIS，由Shell Chemical Co.提供的商品名为Krayton D，等等。SEPS的实例有由Kuraray Co.提供的商品名为Septon。
所述的聚石蜡弹性体的例子有一种通过共聚合构成刚性部分的高结晶聚合石蜡块如聚乙烯、聚丙烯等和构成软体的非结晶性共聚合块而衍生的嵌段共聚合物。这种共聚合物的详细的例子有包括石蜡聚合链(结晶体)-乙烯-丁烯共聚合链(非结晶体)-石蜡聚合链(结晶体)嵌段共聚合体；聚丙烯-聚乙烯氧化物-聚丙烯嵌段共聚合物；聚丙烯-聚合石蜡(非结晶体)-聚丙烯嵌段共聚合物；包括聚丙烯-聚合石蜡(非结晶体)-聚丙烯嵌段共聚合物的嵌段共聚合物；包括苯乙烯聚合链-乙烯-丁烯共聚合链(非结晶体)-石蜡聚合物链(结晶体)嵌段共聚合物。这种商业上应用的实际例子有由JSR Co.提供商品名为DYNARON。
所述聚合酯弹性体的详细实例是聚丁烯对苯二酸酯-聚醚-聚丁烯对苯二酸酯嵌段共聚合体。
在所述热塑性弹性体用作本发明的粘结带的成份的情况下，在粘结层中含有的热塑性树脂一般为占粘结层重量的0-60％，优选为5-50％。
为了提高本发明的粘结带的粘结层2的粘结特性，这种特性通过探测粘着力来指示，粘结层可以用除由共聚合所述的三种具有3-12个碳原子的α-石蜡成份而衍生的α-石蜡共聚合物之外的另一种α-石蜡共聚合物。由所述三种成份即丙烯、1-丁烯和具有5-12个碳原子的α-石蜡，和另一种类型的α-石蜡共聚合物组成的共聚合体占粘结层总重量的50％以上较为优选。
所述的另一种α-石蜡共聚合物优选为通过至少两种以上的α-石蜡单体的共聚合作用衍生的α-石蜡共聚合物，其中α-石蜡单体选自乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯来。这种α-石蜡共聚合体的说细实例有乙烯-丙烯共聚合物、乙烯-1-丁烯共聚合物、乙烯-1-己烯共聚合物、丙烯-1-丁烯共聚合物、丙烯-1-己烯共聚合物、1-丁烯1-己烯共聚合物等。这类共聚合物的例子有由Mitsui Chemicals，Inc.提供的商品名为Tafmer A、Tafmer P，等等。
所述的乙烯与其它α-石蜡的共低聚合体是一种乙烯与其它α-石蜡的低分子量的聚合体，这种物质在室温下呈液态。所述的α-石蜡是那些具有3-20个碳原子的α-石蜡，如丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、4-甲基-1-戊烯等。在这些α-石蜡中，优选的α-石蜡为具有3-14个碳原子的α-石蜡。每种所述的低共聚体具有下式表示的结构单元。其中R是一个由CnH2n+1表示的烃类(n为正整数)，x、y和p为正整数。
所述的低共聚体一般具有平均分子量为100-10000，优选为200-5000。这种低共聚体的乙烯含量一般为30-70％摩尔，优选为40-60％摩尔。
在所述低共聚体用作本发明粘结带的粘结层的组合成份的情况下，这种低共聚体占粘结层的比例一般为0-20％，优选为0-10％。
除共聚合所述的具有3-12个碳原子的三种α-石蜡而衍生的α-石蜡共聚合物作为本发明粘结带的粘结层的组合成份，所述其它α-石蜡也被使用的情况下，这种使用方式是优越的，这是因为粘结层的玻璃跃进温度下降到了原始粘结强度调整到适宜的范围之内并且在低温下粘结特性被改进了的程度。
在由所述α-石蜡共聚合物和乙烯与其它α-石蜡的低共聚合物0组成的混合树脂用作粘结带的基本组合成份的情况下，这种使用方式比较优越，这是因为粘结层的玻璃跃进温度下降到原始粘接强度和粘度可以调整到适宜范围的程度。
进一步，在由所述的α-石蜡共聚合物和热塑性弹性体组成的混和树脂用作粘结带的基本组合成份的情况下，这种使用方式比较优越，这是因为粘结层的玻璃跃进温度下降到原始粘接强度可以调整到适宜范围并且在适中温度下粘结特性被改进了的程度。
除了α-石蜡共聚合物，热塑性弹性体和乙烯与其它α-石蜡的低共聚物，本发明的粘结带的粘结层可以包括各种辅助成份，例如，增塑剂如液态丁基橡胶、粘着剂如聚萜烯，等。在使用这些含有官能团或不饱和键的辅助成份的情况下，当粘结带被按预定计划使用后，这些辅助成份的类型及数量优选为被调整到不会增大粘结带的粘结程度与时间的关系的变化(由于热、压力、湿度、超紫外线辐射等)。
本发明的粘结带的粘结层可以含有各种辅料，这些辅料一般用作这类粘结层的原料。如，可以含有各种充填物、色素、UV吸收剂、抗氧化剂、热稳定性、润滑剂等。
本发明粘结带的粘结层的厚度一般为1-50μm，优选为5-30μm。
粘结带整个的厚度由于防损坏特征、容易操作以及价格原因一般为30-200μm，优选为60-180μm。
本发明粘结带的拉伸系数在100-500MPa的范围内。
对于本发明粘结带的粘结性，在粘结带调整到达20-80℃的范围内，探测粘着力优选为在0.01-1N/5mm直径的范围内，粘着力根据JIS Z0237参考文献规定的程序来确定。虽然，粘结带的粘结性可以用将粘结带在30℃附着到胶粘体来测量，但是为了提高对胶粘体的粘结强度，优选为测试样被加热并保持在20-80℃的范围内。
然而，探测粘着力降到0.01N/5mm直径就不太理想了，因为在这种条件下电路片滑脱的产生几乎不能够控制了。探测粘着力超出1N/5mm直径也不是优选的，因为粘着特征在这个水平上容易被破坏。探测粘着力大于0.01N/5mm直径被认为能够达到理想的效果，这是因为在这种条件下，本发明的粘结带和晶片可以取得安全的粘结，因此在晶片处理过程中电路片滑脱被消除了，凹痕和裂缝的长度以及产生凹痕和裂缝的比例也降低了，对于切割粉尘的粘结也消除了，等等。探测粘着力小于1N/5mm直径能够在粘着特征方面达到一个很好和效果，这是因为电路片很容易从本发明的粘结带上剥起。
当电路片切割成功以后，其从本发明的粘结带剥离的阶段中，粘结端很容易从粘结带剥开，甚至不用预备的特殊装置，如使用光或电子束固化粘结层来破坏其粘结性。
这种粘结带在电路片被剥起后并不残留在电路片上。换句话说，并不造成这种物质的粘结性，这种粘结性将破坏联接和压模操作的正常进行。
图4显示了阐明另一个实施例的本发明晶片处理粘结带的截面图。如图所示，晶片处理粘结带10是由基底层1、层压在基底层1上的粘结层2、和粘结带上面的防粘带5(release tape)组成。
图5显示了阐明又一个实施例的本发明晶片处理粘结带的截面图。如图所示，本发明的晶片处理粘结带10是包括由中间层3以及表层4构成的基底层1，和层压在中间层3上的粘结层2，其中，防粘带位于粘结层2上面。
图6显示了阐明又一个实施例的本发明晶片处理粘结带的截面图。如图所示，本发明的晶片处理粘结带10是包括由第一中间层3a、第二中间层3b以及表层4构成的基底层1，和层压在第一中间层3a上的粘结层2，其中，防粘带位于粘结层2上面。
图7显示了本发明的晶片处理粘结带10卷在卷轴6中的状态。图8显示了防粘带5被粘附在本发明的晶片处理粘结带10的粘结层面及其卷在卷轴6中的状态。
所用的防粘带如具有由UV固化型硅氧烷衍生交联化合物构成的防粘层的热塑性薄膜。因为防粘层的凹痕和凸起浮雕在粘结层的表面上，其光滑程度达到表面粗糙度小于1μm较为优选。从减少处理的费品的数量且不影响缠绕考虑，尽可能薄的防粘带较为优选，即5-200μm，更优选为10-100μm。
对于制造本发明的粘结带的方法，可以通过分别加热和熔化粘结层和基底层(表层和中间层)的原料，将制备的原料共挤压到具有特定厚度的多层层压膜上。高产率低消耗的制造将是优选的。本发明的粘结带可以在一个熔突层压工序中制备，其中，粘结层层压在基底上。
本发明的制造方法包括生产一种具有由一层或多层构成的基底和层压在这种基底层一面的粘结层。粘结带制造的优选方式是利用多层印模的共挤压工序，在这种方式中，熔流率(MFR)(根据ASTM D1238在230℃，负荷为21.18N)为5-40g/10min，邻接层之间的MFR差等于或小于10g/10min。这种方式的操作条件是熔化温度为200-260℃，邻接层的熔化温度差等于小于30℃。
使用多层印模的共挤压工序的实例包括将每一层所需的熔化材料粘到一起，这个过程是通过将所有的熔化物质放到一个堆栈形式中，然后输入印模中(输入块处理)；首先将每层的熔化物质输入单独的复印模(manifold)中，然后将所有单层合并成一个单元体，这个过程是将各层在印模的相同位置依次联结(一般上面有盖为进口)，最后输入单元然后将合并的层压的物质输入平底模(flat die)中(多次复印模处理)；混杂过程，合并输入块处理和多次复印模处理。
所述的MFR优选为5-40g/10min，邻接层之间的MFR温度差优选等于小于10g/10min，这是因为由不同材料构成的每层都有一个统一的厚度，这样可以形成具有良好表面特征的多层结构。熔化温度优选为200-260℃，邻接层之间的熔化温度差优选等于小于30℃，这是因为由不同材料构成的每层都有一个统一的厚度，这样可以形成具有良好表面特征的多层结构，不会产生异类物质。
本发明的使用的一种方法包括将所述的晶片处理粘结带在20-80℃下以一定压力应用在晶片上，在15-35℃下将晶片切割成电路片，在40-80℃下拉伸所获得的粘结带，然后将电路片在室温下通过粘着从粘结带上剥离。
任何类型的晶片都可以接受，只要其是正常的固态。对于晶片的绝缘材料如玻璃、瓷器、刚性塑料等。半导体为半导体元素如硅、锗、硒、碲，或二种化合物半导体如GaAs、GaP、InSb，或三种化合物组成的半导体如AlGaAs，或四种化合物组成的半导体如AlGaInAs，或金属氧化物组成的半导体如SnO2、ZnO、TiO2和Y2O5或者由其它金属氧化物构成的半导体。具有10μm到毫米级的厚度、10平方毫米到千分之几十平方毫米大小的晶片可以被利用。所使用的晶片可以是圆形、正方形或长方形。
通过在20-80℃下以一定压力将各层粘结在一起，在粘结带和晶片之间可以达到紧密的粘结，其之间没有空气泡，粘结带和晶片的最初质量不会由于加热被破坏。只要晶片在15-35℃下切割成电路片，在粘结带在40-80℃下拉伸时，在粘结带中电路片之间的间隙将平稳地沿伸而不会伴随从切口开始的裂口，甚至不利用特别的冷却或加热设备。
利用本发明的方法的优选实施例中，所述的晶片是那些表面已经形成电路图案的晶片，所述的切割操作通过方块切割进行。
本发明的粘结带在处理过程中可以被用来作为表面保护层，处理过程包括首先，从晶片表面形成的切口的深度要比晶片的厚度浅，晶片表面已经印有电路图案，第二，通过磨平晶片的背面使晶片变薄，第三，磨平晶片背面将晶片分割成各个电路片。
实施例
结合实施例将对本发明作进一步的描述，但是我们应该知道本发明并不局限于这些实施例。
在下面的实施例和对比例中，粘弹性、熔流率、探测粘着力、依赖温度的粘结性、再卷曲力、电路片滑脱、凹痕和裂缝以及产生凹痕或裂缝的比例、切割粉尘的污染、拉伸性能以及粘着特性将分别按照下面所测试的方法进行测量和评价。
(1)粘弹性：使用一种由Rheometric Scientific Co.制造的机械分光计RMS-800，该分光计有8mm直径的平行盘，盘之间的缝设为1.5mm，储存系数G’(Pa)和损系数G”(Pa)的值在100弧度/秒的频率(ω)，在-50-350℃的温度范围以3℃/min的温度上升率下测量。tanδ根据tanδ＝G”/G’来计算，其中，G”为所测得的损失系数，G’为所得的储存系数。
(2)熔流率：熔流率(MFR)是根据ASTM D1238所述的熔流测试程序在230℃，负荷为21.18N(2.16kgf)下测得。
(3)探测粘着力：探测粘着力是根据参考文献JIS Z0237-1991所述的程序，利用一种Toyo Seiki Co.生产的探测粘着力测试器MODEL TM1测得的。测试是通过将5mm直径的探测器在23℃的所规定的温度，50％的相对湿度(RH)，负荷为10gf下接触测度样粘结表面10分钟，然后探测器以10mm/sec.的速度垂直剥起来测试完成剥起所需的力(单位：N/5mm直径)。在5个样品中重复测试，所得的平均值为探测粘着力。
(4)依赖温度粘结力：测试是根据JIS Z0237-1991所述的测量粘结力的程序来进行，样品在23℃下粘到硅片的镜面上。使所粘附的样品分别在空气温度为23℃和50℃下停留一段时间，然后以180度角测试样品的剥离强度(单位：N/25mm)这样根据下面的标准来评估依赖温度粘结力。
如果样品的在50℃的粘结力/在23℃的粘结力之比为O.7-1.3被认为是可接受的等级，“接受”用“OK”表示。
如果样品的在50℃的粘结力/在23℃的粘结力之比小于0.7或大于1.3被认为是拒绝的等级，“拒绝”用“NG”表示。
(5)再卷曲力：再卷曲力是根据JIS Z0237-1991所述的测量高速卷曲力的程序来测量的。在缠绕在卷轴的晶片处理粘结带再次以30m/min的速度卷起时所产生的阻力被看作高速再卷曲力(单位：N/25mm)。
(6)电路片滑脱：将硅质晶片(P型，厚度：400μm，直径：6英寸)在三种不同的应用温度20℃、40℃、60℃下通过一个装配器(HugleElectronic Co.生产的HS-7800)用晶片处理粘结带样品牢牢固定在一个框架(Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H)内，粘结带在晶片和框架之间，然后将所固定的晶片放入一个切割机(Disco Corp.生产的DAD320)中并利用刀片(NBC-ZH-2500，尺寸：27HEDD)以30000转/min的转速和70mm/min的切割速度切割成0.5mm2和1mm2大小，整个晶片的切割深度为30μm，切割所利用的切割水(20℃恒温水)以1.5L/min的流量从喷嘴喷向晶片表面，以1.0L/min的流量从下导管喷嘴喷入旋转刀片。
所有的通过切割所述硅质晶片所获的0.50mm2和1.0mm2的电路片至少在三种温度20℃、40℃、60℃中的一种温度下取得观察。按照下述标准通过计算散开的电路片数量来进行评估。
如果对于0.50mm2和1.0mm2的电路片样品，分散的电路片与电路片总量的比两者都等于或小于0.3％，被认为是可接受的等级，“接受”用“OK”表示。
如果对于0.50mm2和1.0mm2的电路片样品，其中一种分散的电路片与电路片总量的比等于或小于0.3％，被认为是准可接受的等级，“准接受”用“Nearly OK”表示。
如果对于0.50mm2和1.0mm2的电路片样品，分散的电路片与电路片总量的比两者都超出0.3％，被认为是被拒绝的等级，“拒绝”用“NG”表示。
(7)凹痕和裂缝长度以及产生凹痕或裂缝的比例：作为晶片处理粘结带的粘结层样品通过一个装配器(Hugle Electronics Co.制造成的HS-7800)在不造成电路片滑脱的温度下应用到硅质晶片的反射面(P型，厚度：400μm，完成的粗糙度：#2000，直径：6英寸)并且硅质晶片被***硅质晶片和框架之间的粘结带牢牢固定在框架上(Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H)。所固定的晶片被放在切割机中(Disco Corp.生产的DAD320)中并利用刀片(NBC-ZH-2500，尺寸：27HEDD)以30000转/min的转速和70mm/min的切割速度切割，整个晶片的切割深度为30μm，切割所利用的切割水(20℃恒温水)以1.5L/min的流量从喷嘴喷向晶片表面，以1.0L/min的流量从下导管喷嘴喷入旋转刀片。从利用装配机的步骤到切割步骤都是在23℃的温度，50％的大气相对湿度(RH)下进行操作。
如图9所示，测量在电路片的被磨表面上产生的凹痕和裂缝，从切割表面到凹痕和裂缝的末梢所测的垂直长度作为凹痕和裂缝的长度，所测的最大值作为在电路片上产生的最大凹痕和裂缝(单位：μm)。对于在拐角部分产生的凹痕和裂缝分别按图10和11概念性的说明来测量。
在3mm2电路片上产生的大于10μm的任一凹痕和裂缝的情况下，该电路片算作具有凹痕和裂缝的电路片，这些电路片与从一个6英寸的晶片上生产的全部电路片之比被看作“凹痕和裂缝产生的比例(％)”。
作为评估不存在凹痕或裂缝的标准，在具有30μm或小于30μm优选为10μm或小于10μm的最大长度的凹痕或裂缝的电路片数量与从6英寸晶片上生产的3mm2电路片的总数之比大于90％，可视为不存在凹痕或裂缝。需要注意的是可能来自晶片的缺陷或磨平晶片背面的条件引发的可能的变化。当电路片的总数被纳入评估时，从统计的观点来看，使用较大的晶片或者增加晶片的数量作为调查对象时是理想的。但是所产生的凹痕或裂缝的差别可以通过保持晶片和研磨晶片背面的条件来控制，因此基于一个6英寸直径的晶片可以取得有效的对比。
(8)切割粉尘的污染：通过一个装配器(Hugle Electronics Co.制造成的HS-7800)在不造成IC电路片滑脱的温度下将硅质晶片(P型，厚度：400μm，直径：6英寸)用晶片处理粘结带样品牢牢固定在一个框架(Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H)内，粘结带在晶片和框架之间。所固定的晶片被放在切割机中(Disco Corp.生产的DAD320)中并利用刀片(NBC-ZH-2500，尺寸：27HEDD)以30000转/min的转速和70mm/min的切割速度切割，整个晶片的切割深度为30μm，切割所利用的切割水(20℃恒温水)以1.5L/min的流量从喷嘴喷向晶片表面，以1.0L/min的流量从下导管喷嘴喷向旋转刀片。这样将晶片切成3mm2大小的电路片。
接着所有通过切割一个6英寸直径的晶片所得的3mm2电路片在一个光学显微器(100功率)下观察切割粉尘占据的/空开的地方。切割粉尘的污染根据下面的标准通过载有切割粉尘的电路片与总的电路片的数量之比(污染比例)来测量。
如果污染百分比为0.3％或小于03％，被认为是可接受的等级，“接受”用“OK”表示。
如果污染百分比大于0.3％，被认为是被拒绝等级，“拒绝”用“NG”表示。
(9)拉伸性：通过一个装配器(Hugle Electronics Co.制造成的HS-7800)在不造成电路片滑脱的温度下将硅质晶片(P型，厚度：400μm，直径：6英寸)利用被***硅质晶片和框架之间的粘结带牢牢固定在框架上(Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H)。所固定的晶片被放在切割机中(Disco Corp.生产的DAD320)中并利用刀片(NBC-ZH-2500，尺寸：27HEDD)以30000转/min的转速和70mm/min的切割速度切割，整个晶片的切割深度为30μm，切割所利用的切割水(20℃恒温水)以1.5L/min的流量从喷嘴喷向晶片表面，以1.0L/min的流量从下导管喷嘴喷向旋转刀片。这样将晶片切成3mm2大小的电路片。
接着将一个电路片和粘到粘结带的另一个电路片之间的间隙在晶片拉伸机(Hugle Electronic制造的HS-1800)上拉伸，首先加热已经进行切块的晶片处理粘结带，然后用一个180mm直径的圆柱(杆)型的推进夹具将粘结带部分向前推进到距晶片20mm的距离。
拉伸性根据下述的三种标准来评估，即(A)、(B)、(C)，满足所有标准的样品被认为是可接受的(用OK来表示)，不能够满足所有标准的样品被看作是被拒绝的(用NG表示)。
标准(a)：和推进夹具末端接触的粘结带厚度是不和推进夹具末端接触的面积的厚度是90％或大于90％，也就是说，拉伸并不造成任何松驰或“小裂口”。
标准(b)：电路片间拉伸的距离大于200μm。
标准(c)：电路片间经向与横向的间隔拉伸比为大于0.7和小于1.3。
(10)粘着特性：通过一个装配器(Hugle Electronics Co.制造成的HS-7800)在不造成电路片滑脱的温度下，将硅质晶片(P型，厚度：400μm，直径：6英寸)通过被***硅质晶片和框架之间的粘结带牢牢固定在框架上(Disco Corp.制造的MDFTF-2-6-1-H)。所固定的晶片被放在切割机中(Disco Corp.生产的DAD320)中并利用刀片(NBC-ZH-2050，尺寸：27HEDD)以30000转/min的转速和70mm/min的切割速度切割，整个晶片的切割深度为30μm，切割所利用的切割水(20℃恒温水)以1.5L/min的流量从喷嘴喷向晶片表面，以1.0L/min的流量从下导管喷嘴喷向旋转刀片。这样将晶片切成3mm2大小的电路片。另外，如果粘结层是UV-固化型，粘结层利用-个UV辐射装置(Disco Corp.制造的DUV100)暴露在UV辐射(全部辐射量：大约360mJ/cm2)60秒钟。
接着，经过切块的晶片处理粘结带被加热到60℃，然后利用一个捡拾放置设备(Hugle Electronic Co.制造DE35)拉伸电路片与电路片之间的间距。因此，经过0.3秒，从拉伸端，在粘着条件下记录俘获能力百分比(％)，粘着特性根据下述标准来评估。如果所有在盘1中的49个电路片在3个循环的粘着操作中都被粘着起，样品被认为是可接受的(用OK来表示)，如果没有被完全粘着起，则被认为是被拒绝的(用NG表示)。
实施例1
下面的材料用作构成粘结带10的各层的原料，作为构成基底层1的成份，使用了80重量份的丙烯-乙烯-1-丁烯随机共聚合物(r-PP)(由5％摩尔的乙烯，5％摩尔的1-丁烯组成)，20重量份的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEBS)(Asahi Chemicai Industry Co.制造的Taftec TM H1052)。作为构成粘结层2的成份，全部使用丙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚合物(PB(4-MP))(由50％摩尔的丙烯，20％摩尔的1-丁烯组成，30％摩尔的4-甲基-1-戊烯组成)。图12显示了粘结层的储存系数G’，损失系数G″以及tanδ，这些系数根据前述的测量所述的粘弹性的程序测得。
每层的熔流率，对于粘结层应调整到15g/10min，对于基底层应调整到15g/10min，这种调整通过混和具有不同熔流率的相同类型的多种树脂。接着，对于每一层的原料在配有全程型螺杆的挤压机上熔化。成型条件是对于粘结层的熔流温度是230℃，对于基底层也是230℃，两层的熔化的树脂通过一个多层印模在230℃的共挤压温度下相互层压起来。在挤压的粘结带冷却后，将防粘带(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度后，将剩余的防粘带卷起。
最终的粘结带由单层组成的基底层和粘结层组成，其中，防粘带在粘结层的上面。每一层的厚度是粘结层20μm，基底层70μm，因此粘结带总厚度为90μm。
所得的晶片处理粘结带的探测粘着力在60℃的应用温度下为0.1N/5mm直径，在40℃下0.01N/5mm直径，在20℃下0N/5mm直径。因此60℃被视为最佳的应用温度。
对于在180度角条件下的依赖温度剥起的粘结强度，在测试温度是23℃下是1N/25mm，50℃下也是1N/25mm。根据一个等式((在50℃下剥离粘结强度)/(在23℃下剥离粘结强度))的值为1来看，并不能确定对温度的依赖性。
对于所需从卷轴再卷起的强度，发现为0.05N/25mm，卷轴被认为是轻巧并且容易操作的。表3中显示了前面所述的测量结果。
进一步，为了评估所获得晶片处理粘结带的处理能力，将粘结带加热到60℃且粘结到晶片上，进行了确定电路片滑脱、粘结带的凹痕或裂缝的最大长度和凹痕和裂缝产生的比例、切割粉尘的污染、拉伸能力和粘着特性的实验。表4显示了测试结果。
对于电路片滑脱、电路片散开的现象不会发生，因此，说明了因为电路片滑脱产生的缺陷在电路片生产不再发生。
对于凹痕或裂缝的最大长度以及产生凹痕或裂缝的比例，测试的结果显示了与根据蜡固定方法相比的水平(凹痕或裂缝的最大长度等于或小于5μm，产生的凹痕或裂缝的比率为0％)。
对于切割粉尘的污染，并没有在电路片上观察到任何粉尘。
对于拉伸性能，标准(a)为98％，标准(b)为400μm，标准(c)为1.1，结果是粘结带完成了所有的标准，这样说明其具有优秀的拉伸性能。
对于粘着特性，所有的电路片都被剥离，并没有因为不能粘着起导致的散乱的电路片，这说明其具有优秀的粘着特性。
实施例2
对于构成粘结带10的各层的原料，80重量份的如实施例1中所用的r-pp，20重量份的氢化的苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEPS)(Kuraray Co.Ltd.生产的SEPTON TM2063)被用作基底层的成分。作为粘结层2的成分，95重量份的如实施例1使用的PB(4-MP)，5重量份的乙烯-α-石蜡共低聚合物(LEO)(Mitsui Chemicals，Inc.生产的LucantTM HC-20被使用)，对于三种不同温度水平15℃，25℃，35℃下的覆盖了粘结层的粘弹性的测试结果在表3中显示。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的防粘带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例3
对于构成粘结带10的各层的原料，低密度的聚合乙烯(LDPE)(密度：0.92g/cm3)被用作基底层1的表层4的成份。作为基底层1的中间层3的成份，80重量份的如实施例1中所用的r-pp，20重量份的氢化的苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SEPS)(Kuraray Co.Ltd.生产的SEPTON TM2063)被使用。作为粘结层2的成份，80重量份的如实施例1中所用的PB(4-MP)，5％的LEO，15％的苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合物(SIS)(JSR Co.生产的SIS5229N)被使用。
除了包含表层和中间层以及共挤压温度设定为220℃，根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘剂(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的防粘带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例4
对于构成粘结带10的各层的原料，和实施例3相同的LDPE被用作基底层1的表层4的成份，90重量份的如实施例1中所用的r-pp，10重量份的氢化的苯乙烯-丁二烯共聚合物(HSBR)(J用作SR Co.生产的DYNARON TM1321P)被用作基底层1的中间层3的成份。作为粘结层2的成份，60重量份的如实施例3中所用的PB(4-MP)，15重量份的SIS，5重量份的LEO，20重量份的乙烯-丙烯共聚合物(EP-A)(密度：0.87g/cm3)被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘剂(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的防粘带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例5
对于构成粘结带10的各层的原料，用作基底层1的表层4的成份，95重量份的如实施例3中所用的LDPE，5重量份的乙烯-甲基丙烯酸树脂金属离子交联共聚合物(离子交联聚合物)(DuPont-MitsuiPolychemicals，Ltd.生产的HI-MILAN TM1321P)被使用。作为基底层1的中间层3的成份，80重量份的如实施例4中所用的r-PP，10重量份的HSBR，10重量份的高密度聚乙烯(HDPE)(密度：O.96g/cm3).87g/cm3)被使用了。作为粘结层2的成份，50重量份的如实施例3中所用的PB(4-MP)，15重量份的SIS，5重量份的LEO，30重量份的聚石蜡结晶块-(乙烯-丁烯共聚合块)-聚石蜡结晶块共聚合物(CEBC)(JSR Co.生产的DYNARON TM6200P)被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例6
对于构成粘结带10的各层的原料，用作基底层1的表层4的成份，85重量份的如实施例5中所用的LDPE，5重量份的离子交联聚合物，10重量份的乙烯-甲基丙烯酸共聚合物(EMAA)(DuPont-MitsuiPolychemicals，Ltd制造的NUCREL TM N1108C)被使用作基底层的表层4的成份。作为基底层1的中间层3的成份，60重量份的所述的LDPE，20重量份的所述EMAA，20重量份的如实施例4中所用的EP-A被使用。作为粘结层2的成份，40重量份的如实施例4中所用的PB(4-MP)，30重量份的EP-A，20重量份的SIS，10重量份的LEO被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例7
对于构成粘结带10的各层的原料，和实施例3相同的LDPE被用作基底层的表层4的成份。作为基底层1的中间层3的成份，15重量份的如实施例4中所用的HSBR，85重量份的如实施例1中所用的r-PP被使用。作为粘结层2的成份，50重量份的如实施例4中所用的PB(4-MP)，30重量份的EP-A，20重量份的如实施例5中所用的CEBC被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带(Tohcello Co.制造的防粘带TM SR T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例8
对于构成粘结带10的各层的原料，和实施例3相同的LDPE被用作基底层1的表层4的成份。作为基底层1的中间层3的成份，90重量份的如实施例1中所用的r-PP，10重量份的如实施例5中所用的CEBC被使用。作为粘结层2的成份，40重量份的如实施例4中所用的PB(4-MP)，35重量份的EP-A，20重量份的SIS，5重量份的LEO被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例9
对于构成粘结带10的各层的原料，90重量份的如实施例6中所用的LDPE，10重量份的EMAA被用作基底层1中表层4和第一中间层3a的成份。作为基底层1的第二中间层3b的成份，60重量份的如实施例7中所用的r-PP，40重量份的HSBR被使用。作为粘结层2的成份，85重量份的如实施例3中所用的PB(4-MP)，10重量份的SIS，5重量份的LEO被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
实施例10
对于构成粘结带10的各层的原料，和实施例3相同的LDPE被用作基底层1的第一中间层3a和表层4的成份。作为基底层1的第二中间层3b的成份，60重量份的线性低密度聚合乙烯(LLDPE)(密度：0.94g/cm3)，40重量份的乙烯-乙酸乙烯酯共聚合物(EVA)(DuPont-MitsuiPolychemicais，Ltd.生产的EVAFLEX TM P-1407)被使用。作为粘结层2的成份，80重量份的如实施例5中所用的PB(4-MP)，15重量份的CEBC，5重量份的LEO被使用。
根据表1显示的条件，粘结带在和实施例1所利用的同样的方式中形成。在将防粘带(Tohcello Co.制造的防粘带TM SP T-18，厚度：37μm)放在粘结层上，然后在撕出想要的宽度，将剩余的粘结带卷起。
所获的晶片处理粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
对比例1
<压敏粘结剂的实例>
制备一种具有70μm厚的聚乙烯卤化物(PVC)膜作为粘结带的基底层。制备丙烯酸粘结剂是通过制备一种含有丙烯酸酯共聚合物的一种溶液，该丙烯酸酯共聚合物平均分子量为300000，该丙烯酸酯共聚合物是通过在甲苯中共聚合70重量份的甲基丙烯酸酯、30重量份的丁基丙烯酸酯和5重量份的丙烯酸而成。然后加入所述丙烯酸酯共聚合物重量的70％的氨基甲酸乙酯低聚物和所述丙烯酸酯共聚合物重量的5％的多官能异氰酸酯化合物。然后将所得的丙烯酸粘结剂制备物应用到所述PVC膜的一面，将所得膜在130℃的温度下加热3min用于在所述膜上形成一个15μm厚的粘结层。
所获的粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
对比例2
<压敏粘结剂的另一个实例>
制备一种和对比例1同样的聚乙烯卤化物(PVC)膜作为粘结带的基底层。制备聚酯粘结剂是通过制备一种含有聚酯共聚合物的一种溶液，该聚酯共聚合物具有平均分子量为580000，聚酯共聚合物是通过在甲苯中共聚合80重量份的聚合碳酸酯二醇、20重量份的己二酸和0.5重量份的二丁基氧化锡而成。然后加入所述聚酯重量的5％的多官能异氰酸酯化合物。然后将所得的聚酯粘结剂制备物应用到所述PVC膜的一面，将所得膜在130℃的温度下加热3min用于在所述膜上形成一个15μm厚的粘结层。
所获的粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
对比例3
<压敏粘结剂的又一个实例>
制备一种和对比例1同样的聚乙烯卤化物(PVC)膜作为粘结带的基底层。制备丙烯酸粘结剂是通过制备一种含有丙烯酸酯共聚合物的一种溶液，该丙烯酸酯共聚合物具有平均分子量为500000，丙烯酸酯共聚合物是通过在甲苯中共聚合90重量份的丁基丙烯酸酯、5重量份的丙烯腈和5重量份的丙烯酸而成。然后加入所述聚丙烯酸酯共聚合物重量的50％的多官能丙烯酸单体，所述聚丙烯酸酯共聚合物重量的5％的多官能异氰酸酯化合物和所述聚丙烯酸酯共聚合物重量的5％的光聚作用引发剂。然后将所得的丙烯酸粘结剂制备物应用到所述PVC膜的一面，将所得膜在130℃的温度下加热3min用于在所述膜上形成一个15μm厚的粘结层。然后在80W/cm2高压汞蒸汽灯下经60秒的紫外线处理得到一粘结带。
所获的粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
对比例4
<UV-固化型粘结剂的一个实例>
利用一种具有80μm厚的乙烯-甲基甲丙酸酯共聚合物(EMMA)(甲基甲丙酸酯含量：10％重量，熔点：100℃)作为基底层，粘结剂制备物是通过将100重量份的丙烯酸酯共聚合物(n-丁基丙烯酸酯-丙烯酸共聚合物)，120重量份的具有分子量为8000的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚合物，10重量份的固化剂(二异氰酸酯衍生物)和5重量份的UV固化引发剂(苯甲酮衍生物)混和在一起并应用到基底层上以形成10μm厚的粘结层。所获的粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
对比例5
<UV-固化型粘结剂的另一个实例>
利用一种具有140μm厚的乙烯-甲基甲丙酸酯共聚合物(EMMA)(甲基甲丙酸酯含量：10％重量，熔点：100℃)作为基底层，粘结剂制备物是通过将100重量份的丙烯酸酯共聚合物(n-丁基丙烯酸酯-丙烯酸共聚合物)，70重量份的具有分子量为8000的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚合物，5重量份的固化剂(二异氰酸酯衍生物)和5重量份的UV固化引发剂(苯甲酮衍生物)混和在一起并应用到所述基底层表面上以形成10μm厚的粘结层。所获的粘结带的测量/评估的结果分别显示在表3和表4中。
工业应用
利本发明的晶片处理粘结带将切割晶片的切割操作过程中在晶片上产生的凹痕或裂缝的尺寸减小到30μm以下，并且降低了产生凹痕或裂缝的比例。结果抑制了在处理晶片阶段中出现的电路片残次品。除此之外，切割晶片可以不用任何特殊设备如光固化或电子束固化装置。
根据本发明的制造方法，本发明的多层粘结带具备了不同材料构成的各层的厚度平均的特点，并且在高效率的简单加工过程中可以产生良好的表面特点而不会伴随任何程度异物的产生。
根据使用本发明的晶片处理粘结带的方法，电路片可以从本发明的粘结带上剥离而不用使用任何能降低粘结强度的特殊设备。
表1
 防粘带附着是或否                          晶片处理粘结带
粘结层成份：重量比例厚(T)：μmMFR：g/10min  基底层成份：重量比例       厚(T)：μmMFR：g/10min
              中间层     表层
 第一中间层 第二中间层
实施例1 是 PB(4MP)100T＝20，MFR＝15  r-PP    80SEBS    20T＝70，MFR＝15
实施例2 是 PB(4MP)     95LEO         5T＝20，MFR＝15  r-PP    80SEPS    20T＝40，MFR＝18
实施例3 是 PB(4MP)     80SIS         15LEO         5T＝10，MFR＝20  r-PP    80SEPS    20T＝60，MFR＝19  LDPE    100T＝10，MFR＝15
实施例4 是 PB(4MP)     60EP-A        20SIS         15LEO         5T＝15，MFR＝16  rPP     90HSBR    10T＝50，MFR＝16  LDPE    100T＝15，MFR＝15
实施例5 否 PB(4MP)     50CEBC        30SIS         15LEO         5T＝15，MFR＝11  r-PP    80HSBR    10HDPE    10T＝50，MFR＝12  LDPE    95Ionomer 5T＝15，MFR＝12
实施例6 否 PB(4MP)     40EP-A        30SIS         20LEO         10T＝15，MFR＝26  LDPE    60EMAA    20EP-A    20T＝100，MFR＝26  LDPE    85Ionomer 5EMAA    10T＝15，MFR＝17
实施例7 是 PB(4MP)     50EP-A        30CEBC        20T＝12，MFR＝10  r-PP    85HSBR    15T＝50，MFR＝10  LDPE    100T＝15，MFR＝10
实施例8 是 PB(4MP)     40EP-A        30SIS         20LEO         5T＝15，MFR＝7  r-PP    90CEBC    10T＝50，MFR＝8  LDPE    100T＝15，MFR7
实施例9 否 PB(4MP)     85SIS         10LEO         5T＝15，MFR＝20  LDPE    90EMAA    10T＝15，MFR＝12 r-PP    60HSBR    40T＝50，MFR＝10  LDPE    90EMAA    10T＝15，MFR＝12
实施例10 是 PB(4MP)     80CEBC        15LEO         5T＝15，MFR＝18  LDPE    100T＝15，MFR＝15 LLDPE   60EVA     40T＝85，MFR＝12  LDPE    100T＝15，MFR＝15
*“是”表示“有防粘带”，“否”表示“无防粘带”
表2
  防粘带附着是或否                   晶片处理粘结带
胶结层成份：重量比例厚(T)：μm  基底层成份：重量比例厚(T)：μm
对比例1(压敏型) 是 丙烯酸酯共聚物      100甲基丙烯酸酯        70丁基丙烯酸酯        30丙烯酸              5氨基甲酸酯低聚体    70多官能异氰酸酯化合物5T15  PVC    100T70
对比例2(压敏型) 是 聚酯型              100聚碳酸酯二醇        80己二酸              20二丁基氧化锡化合物  0.5多官能异氰酸酯化合物5T＝15  PVC    100T＝70
对比例3(压敏型) 是 丙烯酸酯共聚物      100烯丙酸丁酯          90丙烯腈              5丙烯酸              5多官能丙烯酸单体    50光聚合作用引发剂    5T＝15  PVC    100T＝70
对比例4(紫外线固化型) 是 丙烯酸酯共聚物      100丙烯酸正丁酯丙烯酸氨基甲酸酯低聚体    120异氰酸酯化合物      10紫外线固化引发剂    5T＝10  EMMA    100T＝80
对比例5(紫外线固化型) 是 丙烯酸酯共聚合物    100丙烯酸正丁酯丙烯酸氨基甲酸酯低聚体    70异氰酸酯化合物      5紫外线固化引发剂    5T＝10  EMAA    100T＝140
*“是”表示“有防粘带”，“否”表示“无防粘带”
表3
粘弹性           探测粘着力(N/5mm直径)         180°角度下对硅质晶片的剥离粘结强度(N/25mm) 再卷曲强度(N/25mm)
     储存系数G’(MPa)             Tanδ(G”/G’)              应用温度      测试温度     粘结比例50℃/23℃
  15℃     25℃     35℃     15℃     25℃    35℃     20℃     40℃     60℃     23℃     50℃
实施例1   50     9     4     0.8     1    0.7     0     0.01     0.1     1     1     1     0.05
实施例2   40     8     3     0.7     0.7    0.6     0.1     0.2     0.2     1     1     1     0.1
实施例3   15     6     2     0.4     0.3    0.2     0.3     0.3     0.3     2     2     1     0.3
实施例4   10     5     2     0.2     0.2    0.1     0.5     0.5     0.5     3     3     1     0.5
实施例5   7     3     1     0.1     0.05    0.1     0.7     0.8     0.9     7     8     1.1     1.5
实施例6   12     6     3     0.2     0.1    0.1     0.8     0.9     1.0     10     14     1.2     2.0
实施例7   10     5     2     0.1     0.08    0.08     0.6     0.6     0.7     6     7     1.2     0.7
实施例8   8     3     1     0.1     0.06    0.08     0.5     0.6     0.6     4     4     1     0.8
实施例9   20     6     2     0.3     0.3    0.2     0.2     0.2     0.2     2     2     1     1.0
实施例10   30     7     3     0.5     0.4    0.3     0.3     0.3     0.3     2     2     1     0.2
对比例1   6     1     0.4    ＜0.01    ＜0.01   ＜0.01     0.5     0.7     1.3     5     9     1.8     0.5
对比例2   0.5     0.1    ＜0.1    ＜0.01    ＜0.01   ＜0.01     0.7     0.8     1.2     7     10     1.4     0.5
对比例3   0.9     0.3    ＜0.1    ＜0.01    ＜0.01   ＜0.01     0.8     1.1     1.6     6     12     2.0     0.5
对比例4  ＜0.1    ＜0.1    ＜0.1    ＜0.01    ＜0.01   ＜0.01     2     1.8     1.2     15     6     0.4     1.5
对比例5  ＜0.1    ＜0.1    ＜0.1    ＜0.01    ＜0.01   ＜0.01     1.5     1.2     1.0     10     6     0.6     1.0
表4
      电路片滑脱           凹痕或裂缝 切割粉尘污染   拉伸性能   粘着特性
  应用温度(C) 级别 凹痕或裂缝尺寸(μm) 产生凹痕或裂缝的比例(％)
实施例1     60     接受     3     0     接受     接受     接受
实施例2     40     接受     4     0     接受     接受     接受
实施例3     20     接受     8     0     接受     接受     接受
实施例4     20     接受     10     0     接受     接受     接受
实施例5     20     接受     23     0     接受     接受     接受
实施例6     20     接受     18     0     接受     接受     接受
实施例7     20     接受     16     0     接受     接受     接受
实施例8     20     接受     20     0     接受     接受     接受
实施例9     20     接受     9     0     接受     接受     接受
实施例10     20     接受     6     0     接受     接受     接受
对比例1     20     拒绝     40     35     拒绝     接受     拒绝
对比例2     20     接受     ＞50     90     接受     接受     拒绝
对比例3     20     准接受     ＞50     60     拒绝     接受     拒绝
对比例4     20     准接受     ＞50     100     接受     拒绝     接受
对比例5     20     准接受     ＞50     100     接受     接受     接受
“凹痕”在表用的意思是在IC电路片中产生的“破碎或部分断裂”。

Claims (16)

1.一种晶片处理粘结带，其在基底层的一面具有一层粘结层，所述晶片处理粘结带可以使一个6英寸直径的硅质晶片粘到所述的粘结层上并且将其底面磨薄到400μm的厚度，当利用切割机在15-35℃，切割速度为70mm/min，切割水维持在20℃下将硅质晶片全部切割成3mm2大小的电路片时，从而完成加工具有豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于30μm的电路片，所产生的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于30μm的电路片的生产达到了占从硅质晶片上切割的电路片总数的90％以上。
2.根据权利要求1所述的晶片处理粘结带，其中所述的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于10μm。
3.一种晶片处理粘结带，其包括在基底层的一面上具有一粘结层的粘结带，其中所述粘结层的储存系数G’在15-35℃下等于大于1MPa。
4.根据权利要求3所述的一种晶片处理粘结带，其中所述粘结层在15-35℃下损失系数G”与储存系数G’之比，即tanδ等于大于0.05。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括作为其基本成份的石蜡聚合物。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括作为其基本成份的一种类型或者二种或多种类型的α-石蜡共聚合物，所述α-石蜡共聚合物包括作为其基本单元成份的至少二种类型的选自具有2-12个碳原子的α-石蜡。
7.根据权利要求1-4任意-项所述的晶片处理粘结带，其中所述粘结层包括所述α-石蜡共聚合物、热塑性弹性体和乙烯与另-种α-石蜡的共低聚合物，α-石蜡共聚合物构成了一个连续相，热塑性弹性体构成了一个分散相。
8.根据权利要求7所述的晶片处理粘结带，其中所述热塑性弹性体是一种由式子A-B-A或A-B表示的嵌段共聚合物，其中，A是一种芳香族乙烯化合物聚合块或一种结晶性的石蜡聚合块，B是一种二烯化合物聚合块或一种由氢化二烯化合物聚合块衍生的石蜡聚合块。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的晶片处理粘结带，其中一种类型的所述α-石蜡的共聚物是通过共聚合丙烯、1-丁烯和一种具有5-12个碳原子的α-石蜡而衍生的α-石蜡的共聚合物。
10.根据权利要求9所述的晶片处理粘结带，其中所述的具有5-12个碳原子的α-石蜡是4-甲基-1-戊烯。
11.根据权利要求1-10任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述的基底层由一层或多层组成，包括作为其基本成份的石蜡聚合物。
12.根据权利要求1-11任意一项所述的晶片处理粘结带，所述的粘结带的探测粘着力根据参考文献JIS Z0237规定的程序测得在0.01-1N/5mm直径的范围内，所测的温度在20-80℃的范围内。
13.根据权利要求1-12任意一项所述的晶片处理粘结带，其中所述的粘结带具有按照一个共挤压工序形成的基底层和粘结层。
14.一种制造根据权利要求1-13任意一项所述的具有包括一层或多层的基底层和层压在基底层一面上的粘结层的晶片处理粘结带的方法，其包括一个利用多层印模的共挤压过程，其中构成基底层和粘结层的聚合物的熔流率(MFR)(ASTM D 1238，在230℃，2.16kg载荷下确定)是5-40g/10min，邻接层之间MFR的差小于或等于10g/10min，这些检测的操作条件是熔化温度200-260℃，邻接层之间的熔化温度差小于或等于30℃。
15.一种使用晶片处理粘结带的方法，其包括将根据权利要求1-13任意一项所述的晶片处理粘结带在20-80℃，一定负荷下粘到晶片上，在15-35℃下将晶片切割成电路片，在40-80℃下拉伸所述粘结带，然后在室温下通过粘着将IC电路片从粘结带剥离。
16.根据权利要求15所述的一种使用晶片处理粘结带的方法，其中所述的晶片是一种在其上表面已经形成子电路图案的晶片，所述的切割通过块切割来进行。
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