TWI425067B - 黏著片及電子構件之製法 - Google Patents
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Description
本發明係關於黏著片及電子構件之製法。
近年,由於行動電話等電子機器之高性能化,而廣泛地認知到研削技術之重要性。在研削製程中,正尋求能將被加工物確實地固定,且剝離時次微米級之異物不會移行之黏著劑。固定被加工物之方法之一,已知有使用黏著片之方法(參照專利文獻1~3等)。
製造電子構件時,使用在矽或鎵-砷等半導體晶圓上形成電路圖案所構成之電子構件集合體,或在平板狀絕緣基板等上形成電路圖案所構成之電子構件集合體之情形頗多。又,伴隨著機能之高性能化,在半導體晶圓上之電路圖案方面,可使用Si、SiO2
、Si3
N4
、AlSi、AlSiCu、PI等各種各樣之材質。
專利文獻1:日本特公平06-018190號公報專利文獻2:日本特開2000-008010號公報專利文獻3:日本專利第3729584號公報
然而,上述文獻記載之先前技術,在以下各點尚有改善之餘地。
第一,雖盛行採用以將電子構件集合體之電路側固定於黏著片,研削電路之背面為特徵之背面研削法(back grinding),然而在使用先前之黏著片之背面研削中,將已捲取之黏著片捲回時容易產生黏連(blocking),再者亦有在研削(背面研削)後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之情形。
第二,由於有在保護片(黏著片)貼合於電路面之狀態,由使用者透過膠帶確認電路面之圖案及批號之製程,保護片(黏著片)亦必須具透明性。
本發明係鑑於上述情況而形成者,目的為提供一種黏著片,其除了可以抑制捲回已捲取之黏著片時所產生之黏連,可以抑制於研削後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可再具有透明性。又,本發明之其他目的,為提供使用該黏著片之電子構件製法。
依照本發明,可提供一種黏著片,其為具有片狀基材及積層於基材之一面之黏著劑層的黏著片,基材之一面之平均表面粗度為0.1μ
m以上3.5μ
m以下,該基材之另一面之平均表面粗度為0.05μ
m以上0.7μ
m以下。
由於藉由該構成,將構成黏著片之基材之兩面之平均表面粗度分別調整在特定範圍內,所以除了可以抑制捲回已捲取之黏著片時所產生之黏連,可以抑制於研削後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片之透明性。
又,依照本發明,可提供一種電子構件之製法,其為研削晶圓所得電子構件之製法,該製法包含將晶圓貼合於上述黏著片之黏著劑層表面之製程,及在黏合於黏著片之狀態下,將晶圓之露出面平滑地研削之製程。
由於藉由該方法,將構成黏著片之基材之兩面之平均表面粗度分別調整在特定範圍內,所以除了可以抑制捲回已捲取之黏著片時所產生之黏連,可以抑制於研削後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片之透明性。
依照本發明,除了可以抑制捲回已捲取之黏著片時所產生之黏連,可以抑制於研削後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片之透明性。
以下,關於本發明之實施態樣,使用圖式加以說明。再者,在所有圖式中,對於同樣的構成要素賦予同樣的符號,省略適當的說明。
本說明書中,單體單元意指從單體而來之構造單元。本發明中之份及%,只要未特別規定,就表示以質量為基準。
第1圖係用於說明使用黏著片之晶圓之背面研削之製程剖視圖。本實施態樣之黏著片110,如第1(a)圖所示,具有片狀之基材106及積層於基材106之一面之黏著劑層103。
該黏著片110中,由於將構成黏著片110之基材106之兩面之平均表面粗度分別調整在特定範圍內,所以除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片110之透明性。
在本實施態樣之黏著片110中,片狀基材106之一面(塗布有黏著劑之面)之平均表面粗度(Ra1)以0.1μ
m以上為較佳,以1.0μ
m以上為特佳。若該平均表面粗度(Ra1)在此等之下限以上,只將構成黏著片110之基材106捲取時,可抑制基材106彼此黏連之發生。另一方面,該平均表面粗度(Ra1)以3.5μ
m以下為較佳,以3.0μ
m以下為特佳。若該平均表面粗度(Ra1)在此等上限以下,可維持透明性,再者可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)。
又,在本實施態樣之黏著片110中,對於片狀基材106之另一面(未塗布黏著劑側之面)之平均表面粗度(Ra2)雖無特別限定,然而係在不引起黏連之範圍使用,具體而言’以0.05μ
m以上為較佳,而以0.1μ
m以上為特佳。若該平均表面粗度(Ra2)在此等下限以上,只將構成黏著片110之基材106捲取時,可抑制基材106彼此黏連之發生。另一方面,該平均表面粗度(Ra2)以0.7μ
m以下為較佳,而以0.4μ
m以下為特佳。若該平均表面粗度(Ra1)在此等上限以下,可維持透明性,再者可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)。
在本實施態樣之黏著片110中,片狀基材106可藉由使用EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)而容易調節硬度。亦即,片狀基材106之至少一部分以含有乙烯-乙酸乙烯酯為較佳。尤其,用於研削半導體晶圓101時,若太柔軟,由於研削頭(未圖示)之衝擊,對半導體晶圓101造成上下振動,無法研削成均勻厚度。又,形成複數層片狀基材106時,複數層中以至少有一層為含有EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)之層為較佳。此時,亦由於藉由複數層中至少有一層為含有EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)之層,同樣地容易進行硬度調節。
此時,為了柔軟性之調整,該EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)中之乙酸乙烯酯含量以3質量%以上為較佳,以5質量%以上為更佳。乙酸乙烯酯含量為此等之下限以上時,由於可吸收研削時所產生之應力,因此可抑制研削後半導體晶圓101發生龜裂。另一方面,為了柔軟性之調整,該EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)中之乙酸乙烯酯含量以20質量%以下為較佳,以15質量%以下為更佳。乙酸乙烯酯含量為此等之上限以下時,可使之半導體晶圓101之研削精度提高。
在本實施態樣之黏著片110中,片狀基材106並非必須只使用EVA(乙烯-乙酸乙烯酯),亦可再使用複數種材質。關於此種使用複數種材質之方法,可舉出使用混合物、共聚合物、積層薄膜等之方法。
在本實施態樣之黏著片110中,對於片狀基材106之厚度並無特別限定,然而從黏著片110強度之確保及柔軟性之維持方面而言,以10μ
m以上300μ
m以下為較佳。
在本實施態樣之黏著片110中,使用於黏著劑層103之黏著劑,只要為容易設計黏著力之丙烯酸聚合物即可,能藉由含有硬化劑而更精確地調整黏著力。再者,構成丙烯酸聚合物之丙烯酸單體之至少一個,以包含含有官能基之單體者為較佳。該含有官能基之單體,以在丙烯酸聚合物中配入0.01質量%以上10質量%以下之方式進行聚合為較佳。若該含有官能基之單體之配入比為0.01質量%以上,則對被著體之黏著力足夠強,有抑制周圍水跡產生之傾向,而若該含有官能基之單體之配入比為10質量%以下,由於對被著體之黏著力不會變得過高,有抑制糊狀殘留物產生之傾向。
該丙烯酸聚合物之主要單體,可舉出例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸肉荳蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯等之(甲基)丙烯酸單體。
該丙烯酸單體以至少一部分為具有含官能基之單體者為特佳。該含有官能基之單體以具有羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺基磺酸基、(亞)磷酸酯基之單體為較佳。再者,此等之中,尤其可為具有此等官能基之乙烯化合物,其中以具有羥基之乙烯化合物為較佳。再者,其中之乙烯化合物亦包含下述之丙烯酸酯。
具有羥基之含官能基單體,例如有(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯。
再者,在本實施態樣之黏著劑層103中,使上述丙烯酸聚合物與硬化劑反應而硬化黏著劑層103後,構成該丙烯酸聚合物之含有羧基之單體以佔該丙烯酸聚合物之1質量%以下為較佳。亦即,根據個別之表現,含有以硬化劑使黏著劑反應之含官能基單體中,含有羧基之含官能基單體以1質量%以下為較佳。藉由使用含有羧基之含官能基單體,由於可增加對金屬之黏著力,與硬化劑反應後之含有羧基之含官能基單體若超過1質量%,則對金屬之黏著力高而有糊狀殘留物產生之傾向,故以1質量%以下為較佳。因此,具有羧基之單體,以隨著與硬化劑之反應而容易消失者為較佳,例如以使用(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-羥乙酸及桂皮酸為較佳。
在本實施態樣之黏著片110中,在使用於黏著劑層103之黏著劑中以配入硬化劑為較佳。配入硬化劑時,相對於丙烯酸聚合物100質量份而言,硬化劑之配入比以0.1質量份以上20質量份以下為較佳。若該硬化劑之配入比為0.1質量份以上20質量份以下,可抑制糊狀殘留物產生。
配入黏著劑層103之硬化劑可為多官能異氰酸酯硬化劑、多官能環氧硬化劑、氮雜環丙烯(azirine)化合物、三聚氰胺化合物等,其中以多官能異氰酸酯硬化劑、多官能環氧硬化劑為較佳。藉由使用多官能環氧硬化劑或多官能異氰酸酯硬化劑作為上述硬化劑之至少一部分,可選擇性地使具有羧基之含官能基單體反應而消失,故可調節硬化後具有羧基之含官能基單體之量。
關於多官能異氰酸酯硬化劑,例如有芳香族聚異氰酸酯硬化劑、脂肪族聚異氰酸酯硬化劑、脂環族族聚異氰酸酯硬化劑。又,以脂肪族聚異氰酸酯硬化劑為較佳,其中以六亞甲基二異氰酸酯硬化劑為特佳。該異氰酸酯硬化劑之所以良好,係由於可賦予黏著劑柔軟性,且對具有凹凸之被著體亦有效。
對於芳香族聚異氰酸酯並無特別限定,可為例如1,3-伸苯基二異氰酸酯、4,4’-二苯基二異氰酸酯、1,4-伸苯基二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、4,4’-甲苯胺二異氰酸酯、2,4,6-三異氰酸基甲苯、1,3,5-三異氰酸基苯、二茴香胺二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’,4”-三苯基甲烷三異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸基-1,3-二甲基苯、ω,ω’-二異氰酸基-1,4-二甲基苯、ω,ω’-二異氰酸基-1,4-二乙基苯、1,4-四甲基二甲苯二異氰酸酯、及1,3-四甲基二甲苯二異氰酸酯等。
對於脂肪族聚異氰酸酯並無特別限定,可舉出,例如,三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1,2-伸丙基二異氰酸酯、2,3-伸丁基二異氰酸酯、1,3-伸丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯及2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
對於脂環族聚異氰酸酯並無特別限定,例如有3-異氰酸基甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯、4,4’-亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、1,4-雙(異氰酸基甲基)環己烷及1,4-雙(異氰酸基甲基)環己烷。
多官能環氧硬化劑主要意指具有2個以上環氧基,1個以上三級氮原子之化合物,其可為N,N-縮水甘油基苯胺、N,N-縮水甘油基甲苯胺、間-N,N-縮水甘油基胺基苯基縮水甘油基醚、對-N,N-縮水甘油基胺基苯基縮水甘油基醚、三縮水甘油基異氰脲酸酯、N,N,N’,N’-四縮水甘油基二胺基二苯基甲烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-間-二甲苯二胺、N,N,N’,N’,N”-五縮水甘油基二伸乙基三胺等。
本實施態樣之黏著片110係在基材106上形成黏著劑層103而製造。對於在基材106上形成黏著劑層103之方法並無特別限定,可使用,例如,一般之刮刀式塗布(comma coating)、模唇塗布(lip coating)、凹輪塗布、滾輪塗布、網版塗布等塗布方式。黏著劑層103可直接形成在基材106上,亦可將黏著劑層103形成在已於表面進行剝離處理之剝離紙等上後,轉印於基材薄膜(基材106)上。
本實施態樣之黏著劑層103之厚度以3μ
m以上為較佳,以5μ
m以上為更佳。若該厚度在此下限以上,由於可吸收半導體晶圓101上之電路面之凹凸,因而可抑制於半導體晶圓101表面產生凹陷或龜裂。另一方面,該黏著劑層103之厚度以1000μ
m以下為較佳,而以100μ
m以下為更佳。若該厚度在此等之上限以下,可壓低成本。
對於本實施態樣之黏著片110之保存方法並無特別限定,可舉出使黏著劑層103之黏著面與聚乙烯積層紙、剝離處理用塑膠薄膜等剝離片或剝離紙密合之方法。
本實施態樣之黏著片110為半導體晶圓背面研削用。亦即,本實施態樣之黏著片110適合用於半導體電子構件集合體固定用之背面研削。對於黏著片110之被加工物無特別限定,適合使用通稱為WORK之電子構件集合體做為被加工物。使用於背面研削時,係將黏著片110貼合於電子構件集合體上所形成之電路面而使用。
關於電子構件集合體,可舉出在絕緣電路基板(或半導體晶圓101)等之上製作電路圖案而成者。構成電路面之材質可為Si、SiO2
、Si3
N4
、AlSi、AlSiCu、PI等。半導體晶圓可舉出矽晶圓或鎵-砷等。此等電子構件集合體中以使用於半導體晶圓101為較佳。
背面研削之進行方法,除將黏著片110固定於電子構件集合體之電路側,並研削電路之背面以外,並無特別限定,可依照例如第1圖所示之以下順序進行。
(1)在第一製程中,以使電子構件集合體之電路面連接於黏著片110之黏著劑層103之方式安裝於機械加工固定基座(chuck table)上並吸著及固定。
(2)在第二製程中,使黏著片110貼合於電路面並沿著電子構件集合體之外周部分裁切黏著片110。
(3)在第三製程中,將電子構件集合體研削至期望之厚度。
(4)在第四製程中,解除固定基座之吸著,將固定於黏著片110之電子構件集合體從機械加工固定基座取出。
(5)在第五製程中,將黏著片110與電子構件集合體剝離,回收電子構件集合體。
將黏著片110與電子構件集合體剝離,回收電子構件集合體之方法,可舉出例如第1圖所示之下述方法。
(1)在第一製程中,將電子構件集合體之研削面側吸著及固定於固定基座102上。
(2)在第二製程中,將通常稱為「剝離膠帶」之剝離用黏著薄膜104貼附於黏著片110側。
(3)在第三製程中,將剝離用黏著薄膜104剝下。黏著片110附著於剝離用黏著薄膜104,而從電子構件集合體剝下。
(4)在第四製程中,解除固定基座102之吸著,回收電子構件集合體。
此方法適合使用於電子構件集合體之絕緣電路基板(或半導體晶圓101)之厚度為約100 μm以上時。將電子構件集合體切片(dicing),製成電子構件(晶片(chip))。
當電子構件集合體(或半導體晶圓101)容易破損時,藉由例如為第1圖所示製程之變形例之下述方法將黏著片110與電子構件集合體(或半導體晶圓101)剝下,並回收電子構件集合體(或半導體晶圓101)。
(1)在第一製程中,在安裝於機械加工固定基座(未圖示)之切片膠帶上,固定電子構件集合體(或半導體晶圓101)之研削面。
(2)在第二製程中,將通常稱為「剝離膠帶」之剝離用黏著薄膜104貼附於黏著片110側。
(3)在第三製程中,將剝離用黏著薄膜104剝下。黏著片110附著在剝離用黏著薄膜104,從電子構件集合體(或半導體晶圓101)剝下。
該方法適用於電子構件集合體之絕緣電路基板(或半導體晶圓101)薄,容易破損時。將電子構件集合體切片,形成電子構件。
以下,對於本實施態樣之作用效果加以說明。
本實施態樣之黏著片110,具有片狀之基材106及積層於基材106之一面之黏著劑層103。再者,該黏著片110中,由於基材106之一面之平均表面粗度為0.1μ
m以上3.5μ
m以下,基材106之另一面之平均表面粗度為0.05μ
m以上0.7μ
m以下,所以除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片110之透明性。
又,本實施態樣之黏著片110中,以基材106之至少一部份含有乙烯-乙酸乙烯酯為較佳。在此情形,由於容易調節基材106之硬度,可抑制研削頭(未圖示)之衝擊所造成之半導體晶圓101之上下震動,而易於將半導體晶圓101研削成均勻厚度。
又,在本實施態樣之黏著片110中,基材106係以複數層形成,亦可複數層中之至少一層含有乙烯-乙酸乙烯酯。此情況,亦與上述情況同樣地,由於容易調節基材106之硬度,可抑制研削頭(未圖示)之衝擊所造成之半導體晶圓101之上下震動,而易於將半導體晶圓101研削成均勻厚度。
又,在本實施態樣之黏著片110中,上述乙烯-乙酸乙烯酯中乙酸乙烯酯含量以3質量%以上20質量%以下為較佳。在此情況,由於研削時可吸收對黏著片110之應力,故可抑制研削後半導體晶圓101產生龜裂。又,在此情況,由於可調整黏著片110之柔軟性,故可使半導體晶圓101之研削精度提高。
又,在本實施態樣之黏著片110中,以黏著劑層103含有丙烯酸聚合物為較佳。其係由於容易設計黏著劑層103之黏著力。
又,在本實施態樣之黏著片110中,以構成上述丙烯酸聚合物之丙烯酸單體之至少一者為具有羥基之單體為較佳。在此情況,由於黏著劑層103對被著體之黏著力變強,可抑制周圍水痕產生。
又,本實施態樣之黏著片110中,上述具有羥基之單體以在丙烯酸聚合物中佔0.01質量%以上10質量%以下為較佳。此時,除由於黏著劑層103對被著體之黏著力變得夠強,可抑制周圍水痕產生之外,亦由於黏著劑層103對被著體之黏著力不致過高,故可抑制糊狀殘留物產生。
又,在本實施態樣之黏著片110中,以黏著劑層103進一步含有硬化劑為較佳。在此情況,由於黏著劑層103對被著體之黏著力不致過高,故可抑制糊狀殘留物產生。
又,在本實施態樣之黏著片110中,黏著劑層103,相對於100質量份之丙烯酸聚合物而言,以含有0.1質量份以上20質量份以下之硬化劑為較佳。在此情況,由於可將黏著劑層103對被著體之黏著力調整於適度範圍,故可抑制糊狀殘留物產生。
又,在本實施態樣之黏著片110中,使上述丙烯酸聚合物及硬化劑反應且使黏著劑層103硬化後,構成丙烯酸聚合物之含有羧基之單體係以在丙烯酸聚合物中佔1質量%以下為較佳。其原因為黏著劑層103對金屬之黏著力不致過高,而可抑制糊狀殘留物產生。
又,在本實施態樣之黏著片110中,以上述硬化劑之至少一部分為多官能異氰酸酯硬化劑為較佳。採用多官能異氰酸酯硬化劑係因藉由該硬化劑與具有羥基及羧基之單體反應,可使此等基團消失之故。
又,在本實施態樣之黏著片110中,上述多官能異氰酸酯硬化劑以六亞甲基二異氰酸酯硬化劑為較佳。其係因該六亞甲基二異氰酸酯硬化劑可賦予黏著劑柔軟性而對具有凹凸之被著體亦有效之故。又,可使羥基及羧基反應而消失,尤其可選擇性地與具有羥基之單體反應,而可調節含官能基單體量。
又,本實施態樣之黏著片110中,上述硬化劑之至少一部份可為多官能環氧硬化劑。藉由配入多官能環氧硬化劑,可使羥基及羧基二者反應而消失。尤其多官能環氧硬化劑由於可選擇性地與具有羧基之單體反應,所以可選擇性地使該羧基消失。可調節硬化後之具有羧基之單體量。
又,本實施態樣之黏著片110,以用於半導體晶圓背面研削(back grinding)為較佳。其原因為如上述,本實施態樣之黏著片110除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以抑制於半導體晶圓背面研削(back grinding)後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片110之透明性。
又,本實施態樣之電子構件之製法係研削半導體晶圓101所得之電子構件之製法,該製法包含將半導體晶圓101貼合於上述黏著片110之黏著劑層103表面之製程,及在黏合於黏著片110之狀態下,將半導體晶圓101之露出面平滑地研削之製程。
在此方法中所使用之黏著片110中,如上述,可將基材106之兩面之平均表面粗度調整於特定之範圍內。因此,藉由該方法,除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片110之透明性。
本實施態樣之電子構件之製法,在上述研削後,可再包含將半導體晶圓101與黏著劑層103剝離之製程。在此方法中所使用之黏著片110,由於可將基材106之兩面之平均表面粗度調整於特定之範圍內,除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以抑制於研削後之半導體晶圓101表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片110之透明性。
又,若依照此等方法,除了可以抑制捲回已捲取之黏著片110時所產生之黏連,可以提高對於由形成電路之各種材質所構成之半導體晶圓101之研削性之外,可進一步達到防止次微米級之污染之效果。亦即,使用先前之黏著片之背面研削,對於由各式各樣材質所構成之半導體晶圓101,有產生次微米級之糊狀殘留物之情形,然而若依照本發明之方法,該等問題均可以獲得解決。
以上,參照圖式對於本發明之實施態樣加以描述,然而該等僅為本發明之例示,亦可採用上述以外之各種構成。
例如,上述實施態樣中半導體晶圓101之種類並無特別限定,可使用任何種類之晶圓(例如矽晶圓、鎵-砷晶圓等)。不論為那種晶圓,只要存在將該晶圓進行背面研削之適當研削頭(未圖示),即可使用該研削頭(未圖示)施行與上述實施態樣同樣之電子構件之製法,此時亦可得到同樣之作用效果。
以下,藉由實施例進一步說明本發明,然而本發明並不受此等所限。
顯示依照實施例1之黏著片之製造處方。
(基材)乙烯-乙酸乙烯酯基材:將以乙酸乙烯酯含量為8%之乙烯-乙酸乙烯酯做為主體之市售膠粒(東曹公司製,商品名:Ultracene 520F)熔融,藉由T模頭共擠押法成形,製成薄膜。藉由控制成形時之壓輪,將基材一面之平均表面粗度(Ra1)設定成2.0μ
m,且將基材之另一面之平均表面粗度(Ra2)設定成0.3μ
m。又,將薄膜之厚度製成120μ
m。
(黏著劑)製得由將丙烯酸丁酯80%、(甲基)丙烯酸甲酯19%、丙烯酸2-羥基乙酯1%(含官能基單體)共聚合所得到之共聚物所構成之合成品。此外,所得到之合成品之玻璃轉移點為-53.3℃。
又,在上述合成品中再適宜地添加多官能異氰酸酯硬化劑:六亞甲基二異氫酸酯(日本聚胺基甲酸酯工業公司製,製品名:Coronate HL之市售品),製成黏著劑。
再者,將黏著劑塗布於PET分離薄膜上,以乾燥後黏著劑層成為20μ
m之方式塗布,積層於厚度120 μm之基材薄膜,得到黏著片。
實施例2~4及比較例1~2,除將與黏著劑相反側之基材之平均表面粗度(Ra2)變更為如表1所示者外,以與實施例1同樣之方式處理。
實施例5~8及比較例3~4,除將黏著劑塗布側之基材之平均表面粗度(Ra1)變更為如表1所示者以外,以與實施例1同樣之方式處理。
(1)研削性:如第1圖所示,將黏著片110貼合於5吋鏡面晶圓(半導體晶圓101)上(第1(a)圖),研削至厚度300μ
m(第1(b)圖),將鏡面晶圓(半導體晶圓101)之研削面固定於真空固定基座102(第1(c)圖),藉由剝離用薄膜104將黏著片110剝離(第1(d)圖)。使用平坦度測定器(flatness tester;ADE-9500)測定經研削之矽晶圓(半導體晶圓101)。當面內之凹凸差為5μ
m以下時記為○,5μ
m以上時記為×。評價結果如下列表1所示。
貼片機(mounter):高鳥(Takatori)股份有限公司製貼片機ATM-1100研削機:DISCO股份有限公司製背面研削機DFG-850(2)黏連性:如第2圖所示,製造黏著片110後(第2(a)圖),進行與剝離襯墊(liner)105之貼合(第2(b)圖),並捲取成捲筒狀(第2(c)圖)。然後,在捲筒拆解時(第2(c)圖~第2(d)圖之中途過程(未圖示))不形成黏連者記為◎,雖黏連而可使用者記為○,黏連而不能使用者記為×。評價結果如下列表1所示。
(3)透明性:藉由須賀(suga)試驗機股份有限公司製濁度計(HZ-2)測定黏著片之透明性,濁度(haze)為0~20%者記為◎,20~40%者記為○,40~100%者記為×。評價結果如下列表1所示。
從表中所示之實驗結果,可知藉由該黏著片,將構成黏著片之基材之兩面之平均表面粗度分別調整在特定範圍內,所以除了可以抑制捲回已捲取之黏著片時所產生之黏連,可以抑制於研削後之晶圓表面產生微少凹凸(波狀起伏)之外,可進一步維持黏著片之透明性。
以上,係依據實施例說明本發明。本技術人士應能理解該實施例僅係用於例示,其可有各種變形例,又,此等變形例亦屬於本發明之範圍。
上述之黏著片,可抑制基材捲取時之黏連以及製成膠帶時之黏連,具有透明性。又,上述之黏著片對於形成電路之各種材質,可發揮研削性及防止次微米級污染之效果。
101...矽晶圓
102...真空固定基座
103...黏著劑層
104...剝離用薄膜
105...剝離襯墊
106...基材
108...附已捲取之剝離襯墊之黏著片
110...黏著片
第1圖為用於說明使用黏著片之晶圓之背面研削之製程剖視圖。
第2圖為用於說明黏著片之捲取及捲回時的黏連之製程剖視圖。
101...矽晶圓
102...真空固定基座
103...黏著劑層
104...剝離用薄膜
105...剝離襯墊
106...基材
110...黏著片
Claims (12)
- 一種半導體晶圓背面研削用黏著片,其具有片狀基材及積層於該基材之一面之黏著劑層,其中該基材之至少一部分含有乙烯-乙酸乙烯酯,該乙烯-乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯含量為3質量%以上20質量%以下,該基材之該一面之平均表面粗度為1.0μm以上3.3μm以下,該基材之另一面之平均表面粗度為0.08μm以上0.6μm以下,該黏著劑層含有丙烯酸聚合物,構成該丙烯酸聚合物之多個丙烯酸單體之至少一者為具有羥基之單體。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該基材為以複數層形成,該複數層內之至少一層含有乙烯-乙酸乙烯酯。
- 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該具有羥基之單體在該丙烯酸聚合物中佔0.01質量%以上10質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該黏著劑層進一步含有硬化劑。
- 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該黏著劑層,相對於該丙烯酸聚合物100質量份而言,含有0.1質量份以上20質量份以下之該硬化劑。
- 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該硬化劑之至少一部分為多官能異氰酸酯硬 化劑。
- 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該多官能異氰酸酯硬化劑為六亞甲基二異氰酸酯硬化劑。
- 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中該硬化劑之至少一部分為多官能環氧硬化劑。
- 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其中使該丙烯酸聚合物與該硬化劑反應且使該黏著劑層硬化後,構成該丙烯酸聚合物之含羧基單體在該丙烯酸聚合物中佔1質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓背面研削用黏著片,其係用於半導體晶圓背面研削。
- 一種電子構件之製法,其係研削晶圓所得之電子構件之製法,其包括將該晶圓貼合於如申請專利範圍第1項之半導體晶圓背面研削用黏著片之該黏著劑層表面之製程,及在黏合於該黏著片之狀態下,平滑地研削該晶圓之露出面之製程。
- 如申請專利範圍第11項之電子構件之製法,其中進一步包括於該研削後,將該晶圓及該黏著劑層剝離之製程。
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