CN1325604C - MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法 - Google Patents

MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1325604C
CN1325604C CNB2005101220368A CN200510122036A CN1325604C CN 1325604 C CN1325604 C CN 1325604C CN B2005101220368 A CNB2005101220368 A CN B2005101220368A CN 200510122036 A CN200510122036 A CN 200510122036A CN 1325604 C CN1325604 C CN 1325604C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
film
electron beam
emitting film
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101220368A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1800302A (zh
Inventor
李岚
张晓松
王达健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University of Technology
Original Assignee
Tianjin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University of Technology filed Critical Tianjin University of Technology
Priority to CNB2005101220368A priority Critical patent/CN1325604C/zh
Publication of CN1800302A publication Critical patent/CN1800302A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1325604C publication Critical patent/CN1325604C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光薄膜，其化学表达式为：MY(1-x)SiO4∶Ax，其中，M为Na，Li中的一种元素，A为Pr，Eu，Er，Tm，Ce，Lu，Nd，Sm中的一种元素，0.001＜x≤0.5，其特征在于所说的原料选用纯度为99.99%的Na2CO3，Li2CO3，Y2O3，SiO2，Pr2O3，Eu2O3，Er2O3，Tm2O3，Ce2O3，Lu2O3，Nd2O3，Sm2O3，溶剂为水和乙醇；本发明还提供了该发光薄膜制备方法。本发明制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂；薄膜颗粒大小均匀，而且薄膜的厚度可以控制；薄膜的发光性能优良；本发明的发光薄膜可用于制作场发射显示器的显示屏，该显示屏不但能够克服现有技术的缺点，而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。

Description

MY(1-x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及发光物理材料与显示技术，特别是一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法。
【背景技术】
发光材料制成的显示屏在阴极射线管、电致发光以及场发射显示器件中起着十分重要的作用。目前将发光粉末制成的显示屏应用于场发射显示器存在着诸多障碍。由于颗粒之间的接触电阻，导致屏的电导率不高。此外，颗粒之间以及颗粒与衬底之间的附着力问题，也是难以克服的。同时，这种方法制备的屏表面粗糙，致密及均匀性差，容易造成光的反射且稳定性不好，分辨力也较低。因此，制备性能优良的发光薄膜成为研究的一个重要方向。
【发明内容】
本发明的目的是为了克服现有技术的不足，而提供一种发光性能优良的MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜，以及该发光薄膜的其制备方法。
本发明制备为解决上述问题所采用的技术方案，是提供一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜，其特征在于所说的原料选用纯度为99.99％的Na2CO3，Li2CO3，Y2O3，SiO2，Pr2O3，Eu2O3，Er2O3，Tm2O3，Ce2O3，Lu2O3，Nd2O3，Sm2O3，溶剂为水和乙醇；其化学表达式为：
MY(1-x)SiO4:Ax
其中，M为Na，Li中的一种元素，A为Pr，Eu，Er，Tm，Ce，Lu，Nd，Sm中的一种元素，0.001＜x≤0.5。
本发明还提供了一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜制备方法，其特征在于所说的制备过程为：
1)将原料按照化学计量比混合，并加入溶剂充分研磨，采用固态反应，在600-1000℃高温下还原气氛中灼烧2小时，获得靶材料，靶材料经过压制成形，然后经600-800℃还原气氛中烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶；
2)采用电子束蒸发镀膜***，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜***的反应室中，将电子束蒸发靶装入坩埚内；反应室真空度至少抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为100-400℃，确定真空度、衬底温度，打开电子枪电源，进行蒸发。
3)将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的速度加热到500-700℃，并且保留2-3小时。
本发明制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂；薄膜颗粒大小均匀，而且薄膜的厚度可以控制；薄膜的发光性能优良；本发明的发光薄膜可用于制作场发射显示器的显示屏，该显示屏不但能够克服现有技术的缺点，而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。
【具体实施方式】
本发明中所使用的原料，选用纯度为99.99％的Na2CO3，Li2CO3，Y2O3，SiO2，Pr2O3，Eu2O3，Er2O3，Tm2O3，Ce2O3，Lu2O3，Nd2O3，Sm2O3，溶剂为水和乙醇。
其化学表达式为：
MY(1-x)SiO4:Ax
其中，M为Na或Li中的一种元素，A为Pr，Eu，Er，Tm，Ce，Lu，Nd或Sm中的一种元素，0.001＜x≤0.5。
在该薄膜MY(1-x)SiO4:Ax的化学表达式中，x的数值也可以是以下范围：
0.01＜x≤0.5。
比较好的发光薄膜可以用以下化学表达式表达为：
(1)NaY0.94SiO4:Eu0.06；
(2)LiY0.95SiO4:Tm0.05。
此外，在发光薄膜的具体实施例还可以按下列表中的数据确定：
    M     A     X
    1     Na     Eu     0.1
    2     Na     Ce     0.06
    3     Na     Pr     0.03
    4     Na     Nd     0.35
    5     Li     Eu，     0.08
    6     Li     Er     0.01
    7     Li     Nd     0.3
    8     Li     Lu     0.04
本发明发光薄膜的制备：
以NaY0.94SiO4:Eu0.06为例，按照化学计量比，将Na2CO3，Y2O3，SiO2，Eu2O3，等进行混合，并加入乙醇充分研磨，采用固态反应，在900℃高温下还原气氛中灼烧2小时，获得靶材料，靶材料经过压制成形，然后经700℃还原气氛中烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶。采用电子束蒸发镀膜***制备，选择ITO玻璃作为衬底，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜***的反应室中，将电子束蒸发靶装入坩埚内。反应室真空度抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为200℃，确定真空度、基底温度，打开电子枪电源，进行蒸发。生长速度设定为5_/s，薄膜的厚度为200nm。将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的速度加热到600℃，并且保留3小时。所得发光薄膜表面均匀、致密无开裂，薄膜颗粒大小均匀。
发光薄膜的衬底材料除采用ITO玻璃外，还可以采用硅、蓝宝石、或玻璃等。
在电子束蒸发制备薄膜时，加热衬底的优选温度为200-300℃。

Claims (6)

1一种MY(1-x)SiO4:Ax发光薄膜，其特征在于所说的原料选用纯度为99.99％的Na2CO3，Li2CO3，Y2O3，SiO2，Pr2O3，Eu2O3，Er2O3，Tm2O3，Ce2O3，Lu2O3，Nd2O3，Sm2O3，溶剂为水或乙醇；所制备发光薄膜的化学表达式为：
MY(1-x)SiO4:Ax
其中，M为Na或Li中的一种元素；A为Pr，Eu，Er，Tm，Ce，Lu，Nd或Sm中的一种元素；
0.001＜x≤0.5。
2按照权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于所说的
0.01＜x≤0.5。
3按照权利要求1或2所述的发光薄膜，其特征在于所说的发光薄膜的化学表达式为：
NaY0.94SiO4:Eu0.06。
4按照权利要求1或2所述的发光薄膜，其特征在于所说的发光薄膜的化学表达式为：
LiY0.95SiO4:Tm0.05。
5一种权利要求1的发光薄膜的制备方法，其特征在于所说的制备过程为：
1)将原料按照化学计量比混合，并加入溶剂充分研磨，采用固态反应，在600-1000℃高温下还原气氛中灼烧2小时，获得靶材料，靶材料经过压制成形，然后经600-800℃还原气氛中烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶；
2)采用电子束蒸发镀膜***，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜***的反应室中，将电子束蒸发靶装入坩埚内；反应室真空度至少抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为100-400℃，确定真空度、衬底温度，打开电子枪电源，进行蒸发；
3)将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的速度加热到500-700℃，并且保留2-3小时。
6按照权利要求5所述的制备方法，其特征在于所说的在电子束蒸发制备薄膜时，加热衬底的温度为200-300℃。
CNB2005101220368A 2005-11-30 2005-11-30 MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法 Expired - Fee Related CN1325604C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101220368A CN1325604C (zh) 2005-11-30 2005-11-30 MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101220368A CN1325604C (zh) 2005-11-30 2005-11-30 MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1800302A CN1800302A (zh) 2006-07-12
CN1325604C true CN1325604C (zh) 2007-07-11

Family

ID=36810519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101220368A Expired - Fee Related CN1325604C (zh) 2005-11-30 2005-11-30 MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1325604C (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102234508A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 稀土掺杂硼酸镥辐射探测材料及其制备和应用
CN102796517B (zh) * 2011-05-23 2015-02-04 海洋王照明科技股份有限公司 一种含氮硅酸镁薄膜及其制备方法和应用
CN102807859B (zh) * 2011-05-30 2015-04-01 海洋王照明科技股份有限公司 铕掺杂氯硅酸钙镁发光薄膜、其制备方法及其应用
JP5913730B2 (ja) 2012-03-29 2016-04-27 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド 金属ナノ粒子含有の珪酸塩発光材料及びその調製方法
CN102719252B (zh) * 2012-06-12 2014-02-26 北京工业大学 同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法
CN103275717A (zh) * 2013-06-04 2013-09-04 中山大学 一种稀土光转换荧光粉及其制备方法
CN115029001B (zh) * 2022-05-27 2023-04-28 山东大学 深紫外上转换发光薄膜及深紫外光源与其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1064301A (zh) * 1991-12-28 1992-09-09 上海跃龙有色金属有限公司 高性能红色荧光粉及其制造工艺
JPH0762339A (ja) * 1993-08-30 1995-03-07 Fuji Xerox Co Ltd 蛍光体膜およびその作製方法
US5543080A (en) * 1989-09-20 1996-08-06 Fujitsu Limited Method of forming an x-ray image using photostimulable phosphor
JP2000160155A (ja) * 1998-09-24 2000-06-13 Konica Corp 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、その防湿処理方法、放射線像変換パネルおよび輝尽性蛍光体の製造方法
CN1513943A (zh) * 2003-07-02 2004-07-21 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种稀土掺杂的纳米级氧化钇基发光粉体的制备方法
CN1580183A (zh) * 2003-08-05 2005-02-16 北京大学 一种稀土激活的Y2SiO5荧光粉及其制备方法和应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543080A (en) * 1989-09-20 1996-08-06 Fujitsu Limited Method of forming an x-ray image using photostimulable phosphor
CN1064301A (zh) * 1991-12-28 1992-09-09 上海跃龙有色金属有限公司 高性能红色荧光粉及其制造工艺
JPH0762339A (ja) * 1993-08-30 1995-03-07 Fuji Xerox Co Ltd 蛍光体膜およびその作製方法
JP2000160155A (ja) * 1998-09-24 2000-06-13 Konica Corp 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、その防湿処理方法、放射線像変換パネルおよび輝尽性蛍光体の製造方法
CN1513943A (zh) * 2003-07-02 2004-07-21 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种稀土掺杂的纳米级氧化钇基发光粉体的制备方法
CN1580183A (zh) * 2003-08-05 2005-02-16 北京大学 一种稀土激活的Y2SiO5荧光粉及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN1800302A (zh) 2006-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1325604C (zh) MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法
JP4762062B2 (ja) 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US8778234B2 (en) Process for the manufacture of a high density ITO sputtering target
TWI516620B (zh) 氧化物蒸鍍材及其製造方法及高折射率透明膜
JP2000290062A (ja) ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法
CN1304527C (zh) 一种发光薄膜及其制备方法与用途
CN108623287A (zh) 一种氧化铟镓锌烧结体的短流程制备方法
CN101368258A (zh) 一种负热膨胀材料ZrW2O8薄膜的制备方法
WO2007069415A1 (ja) 真空蒸着用焼結体
CN101368259B (zh) 一种负热膨胀材料ZrW2O8薄膜的制备方法
CN203530419U (zh) 一种电子束蒸镀ito膜的蒸镀装置
CN1775998A (zh) MGd (1－x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法
CN1333041C (zh) M2(1－x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法
CN110204200B (zh) 一种掺杂石英玻璃蒸镀材料的制备方法
JP2009184876A (ja) Ｇｚｏ焼結体およびその製造方法
WO2007058318A1 (ja) 焼成体及びその製造方法
JP2008214169A (ja) 真空蒸着用ＩＴｉＯ焼結体およびその製造方法
CN1468934A (zh) 钨酸盐发光薄膜的制备方法
CN1775999A (zh) Gd3Al5O12:Ce,Dy发光薄膜及其制备方法
CN1772841A (zh) ZnS:Zn，Pb发光薄膜及其制备方法
JP2013533378A (ja) 透明導電膜、透明導電膜用ターゲット及び透明導電膜用ターゲットの製造方法
CN110396408B (zh) 一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法
JP2004323877A (ja) Ｉｔｏ薄膜作製用ターゲットとその製造方法
CN103774098A (zh) 氧化亚锡织构薄膜及其制备方法
JP3494205B2 (ja) ＭｇＯを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070711

Termination date: 20111130