CN203530419U - 一种电子束蒸镀ito膜的蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及薄膜生长领域，具体涉及一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，用于LED芯片的制造，其特征在于：所述真空室的一侧设置有等离子枪，所述等离子枪作为蒸发源。本实用新型的优点是：采用等离子枪作为蒸发源，利用低电压高电流电子束蒸镀ITO薄膜，同传统高电压低电流电子束蒸镀比较，对基板的损伤大幅度降低；通过控制蒸镀条件，如基板温度，膜层厚度和蒸发速率等来沉积ITO薄膜，能够制备出平均透过率大，方阻小的薄膜，满足作为P型电极的光电特性；在蒸镀材料蒸发通过等离子区时，被等离子体离化，二次获得能量，从而获得良好的大晶粒、高透过率ITO薄膜，且由于ITO薄膜晶体颗粒大，提高了ITO薄膜的霍耳迁移率，降低了其方块电阻。
Description
技术领域
本实用新型涉及薄膜生长领域，具体涉及一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，用于LED芯片的制造。
背景技术
当前全球能源短缺背景下，节约能源成为面临的重要问题。在照明领域，LED发光产品因其具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，正吸引着世人的目光。LED发光产品作为一种新型的绿色光源产品，广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等各种场合，必然成为未来发展的趋势。
近年来，面对LED产业的巨大商机和令人鼓舞的发展前景，世界各个国家围绕LED的研制展开了激烈的技术竞赛，投入巨资相继推出半导体照明计划。
随着发光效率和应用技术的不断提升，传统的ITO蒸镀技术因工艺特性存在一定的限制，表现为：电子枪采用高电压低电流的工作方式镀膜，其薄膜生长为多晶结构，膜层致密性与均匀性存在一定缺陷；溅射镀膜工作中使用200V—400V的高压，容易损伤基板，降低良品率。
发明内容
本实用新型的目的是根据上述现有技术的不足，提供了一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，该装置采用等离子枪作为蒸镀材料的蒸发源，使蒸发材料受到低电压高电流的电子束轰击，当其蒸发通过等离子区时二次获得能量，之后再沉积于基板之上，从而获得良好的大晶粒，高透过率的ITO薄膜，且由于ITO晶体颗粒大，从而提高了ITO薄膜的霍耳迁移率，降低了方块电阻。
本实用新型目的实现由以下技术方案完成：
一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，所述装置包括一真空室，所述真空室顶部设置有放置基板的基板支架，所述真空室底部设置有盛放蒸镀材料的蒸镀材料支架，其特征在于：所述真空室的一侧设置有等离子枪，作为所述蒸镀材料的蒸发源。所述等离子枪产生低电压高电流电子束，电子束在强磁场的加速与引导下轰击蒸镀材料支架中盛放的ITO蒸镀材料。
所述真空室内固定设置有一可开合的挡板，所述挡板的板面横置于所述蒸镀材料支架上方并将所述蒸镀材料支架与所述基板支架隔开。
所述基板支架连接一旋转机构，所述基板支架藉由所述旋转机构匀速旋转。
位于所述基板支架上方的所述真空室内壁上设置有若干加热电阻丝。
所述真空室内设置有水晶膜厚监控装置。
所述蒸镀材料支架周围设置有线圈以产生磁场引导所述作为蒸发源的等离子枪发出的低电压高电流电子束轰击位于所述材料支架上的蒸镀材料；藉由大电子束电流密度和磁场的作用，产生高密度的电子束激发等离子体。
本实用新型的优点是：采用等离子枪作为蒸发源，利用低电压高电流电子束蒸镀ITO薄膜，同传统高电压低电流电子束蒸镀比较，对基板的损伤大幅度降低；通过控制蒸镀条件，如基板温度，膜层厚度和蒸发速率等来沉积ITO薄膜，能够制备出平均透过率大，方阻小的薄膜，满足作为P型电极的光电特性；蒸镀材料蒸发通过等离子区时，被等离子体离化，二次获得能量，从而获得良好的大晶粒、高透过率ITO薄膜，且由于ITO晶体颗粒大，提高了ITO薄膜的霍耳迁移率，降低了方块电阻。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的蒸镀原理图。
具体实施方式
以下结合附图通过实施例对本实用新型特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：
如图1-2所示，图中标记1-10分别为：基板1、基板支架2、真空室3、等离子枪头4、蒸镀材料支架5、加热电阻丝6、支架旋转机构7、水晶膜厚监控装置8、挡板9、线圈10。
实施例：如图1所示，本实施例中电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置主体包括真空室3，真空室3是指当其在蒸镀时由一抽真空装置抽至真空状态的工作腔。真空室3的顶部位置设置有作为放置基板1的基板支架2，基板支架2上方连接有一支架旋转机构7，基板支架2能藉由支架旋转机构7的驱动进行匀速旋转，从而使放置于基板支架2的基板1上形成厚度均匀的ITO薄膜；基板支架2上还设置有水晶膜厚监控装置8，以使得技术人员能够实时监控到基板1上的沉积膜厚以及盛放在蒸镀材料支架5的蒸镀材料的蒸发速率。基板支架2上方的真空室3的内壁之上设置有若干用以对基板1进行加热的加热电阻丝6。用以盛放蒸镀材料的蒸镀材料支架5固定于真空腔3的底部，且位于与基板支架2构成对应的下方位置。真空室3内蒸镀材料支架5的上方设置有一可控制其开合（阻挡或不阻挡）状态的挡板9，阻挡时的挡板9将真空室3分为安装有基板支架2的上腔，以及安装有蒸镀材料支架5的下腔，可阻挡或者不阻挡盛放在蒸镀材料支架5中的蒸镀材料沉积到放置在基板支架2的基板1之上。蒸镀材料支架5周围还设置有用以产生磁场引导由等离子枪头4产生的电子束的线圈10。真空室3的一侧安装有等离子枪头4，等离子枪头4的枪头与蒸镀材料支架5的位置相对应，使得等离子枪头4产生的电子束可受蒸镀材料支架5周围的线圈10产生的磁场引导并集中轰击盛放于蒸镀材料支架5的蒸镀材料。等离子枪头4、蒸镀材料支架5以及线圈10均作为等离子枪的组成部分，其中等离子枪头4与枪直流电源的一极相连，蒸镀材料支架5周围设置的线圈10与枪直流电源的另一极相连；上述结构实现等离子枪形成能够利用基于枪电源电压的放电电离，并将等离子枪头4电离产生的电子束引向蒸镀材料支架5。
本实施例在具体实施时：如图2所示，等离子枪头4利用弧线放电的低电压高电流电场电离氩气并形成电子束，电子束在线圈10产生的磁场和高电流密度的作用下，产生高密度的电子束并激发等离子体，同时低电压高电流密度的电子束在线圈10产生的磁场的引导下轰击盛放在蒸镀材料支架5内的ITO蒸镀材料，蒸镀材料受到轰击后在其蒸发过程中，通过等离子体区时被等离子体离化，获得足够的能量，因此沉积到放置在基板支架2的基板1上后形成良好的大晶粒、高透过率的ITO薄膜。由于ITO薄膜晶体颗粒大，从而提高ITO薄膜的霍耳迁移率，降低了方块电阻，同时由于采用的是低压蒸镀，对基板的损伤大幅度减小，提高了良品率。
Claims (6)
1.一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，所述装置包括一真空室，所述真空室顶部设置有放置基板的基板支架，所述真空室底部设置有盛放蒸镀材料的蒸镀材料支架，其特征在于：所述真空室的一侧设置有等离子枪，所述等离子枪作为所述蒸镀材料的蒸发源。
2.根据权利要求1所述的一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，其特征在于：所述基板支架连接一旋转机构，所述基板支架藉由所述旋转机构匀速旋转。
3.根据权利要求1所述的一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，其特征在于：位于所述基板支架上方的所述真空室内壁上设置有若干加热电阻丝。
4.根据权利要求1所述的一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，其特征在于：所述真空室内固定设置有一可开合的挡板，所述挡板的板面横置于所述蒸镀材料支架上方并将所述蒸镀材料支架与所述基板支架隔开。
5.根据权利要求1所述的一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，其特征在于：所述真空室内设置有水晶膜厚监控装置。
6.根据权利要求1所述的一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，其特征在于：所述蒸镀材料支架周围设置有线圈。
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN104828857A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-12 | 柳州百韧特先进材料有限公司 | 一种电弧法制备纳米ito粉体的装置 |
| CN105112849A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-02 | 江苏宇天港玻新材料有限公司 | 一种用于触控液晶面板的ito低温沉积工艺 |
| CN108169944A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-06-15 | 维沃移动通信有限公司 | 一种液晶显示模块及其制作方法、移动终端 |
| CN112267094A (zh) * | 2020-10-12 | 2021-01-26 | 赫得纳米科技(昆山)有限公司 | 一种高屏蔽效能ito膜的制造工艺及其设备 |
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- 2013-10-28 CN CN201320665684.8U patent/CN203530419U/zh not_active Expired - Lifetime
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