CN107919388A - 降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，过渡金属区的厚度为0.1‑2nm；光刻、显影后形成光刻胶层，光刻胶层上至少具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对部分过渡金属层和部分基底的表面，每个孔位于过渡金属区的一侧；在孔中蒸镀源漏电极，然后去除光刻胶层，露出其他部分的基底；使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后在基底表面形成二维材料场效应晶体管。本发明采用源漏电极作为保护隔离层，在源漏电极之间形成二维材料的沟道，降低沟道与源漏电极之间的交叠面积，从而降低二者之间的接触电阻。
Description
技术领域
本发明涉及二维材料领域，尤其涉及一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法。
背景技术
半导体性二维材料作为场效应晶体管的有源沟道区，可以克服传统硅基场效应晶体管的短沟效应。此外，由于二维材料超薄的厚度、优异的柔韧性，基于二维材料可以实现超小尺寸、可弯曲的柔性场效应晶体管的制备。近年来，基于二维MoS2、WS2、MoSe2、PtS2、PtSe2等半导体性二维材料的场效应晶体管引起来了极大的关注。
然而，目前报道的二维场效应晶体管的载流子迁移率仍然远低于理论上二维材料本身的迁移率，其中一个原因是二维材料与金属电极之间的接触电阻极大地限制了器件的性能。因而，如何有效地降低二维材料沟道与金属电极之间的接触电阻是目前二维场效应晶体管应用领域所面临的主要挑战。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，采用源漏电极作为保护隔离层，在源漏电极之间形成二维材料的沟道，降低沟道与源漏电极之间的交叠面积，从而降低二者之间的接触电阻。
本发明的一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，过渡金属区的厚度为0.1-2nm；
(2)光刻、显影后形成光刻胶层，光刻胶层上具有至少两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对至少一部分过渡金属层的表面，每个孔位于过渡金属区的一侧，即在源漏电极之间形成沟道区域；
(3)在孔中蒸镀源漏电极，然后去除光刻胶层，露出其他部分的基底；
(4)使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后形成二维材料场效应晶体管。
进一步地，步骤(1)中，基底的材质绝缘，基底材质为玻璃或聚合物柔性材料。
进一步地，在步骤(1)中，基底的表面为绝缘介质层，绝缘介质层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化铪或者氧化锆，绝缘介质层的厚度为20-300nm。
进一步地，在步骤(1)中，过渡金属为钼(Mo)、铂(Pt)、钨(W)、锰(Mn)、镍(Ni)、镉(Cd)或钯(Pd)。优选地，过渡金属为钼(Mo)、钨(W)或铂(Pt)。
进一步地，在步骤(1)中，还包括在基底与过渡金属层之间依次沉积栅极和栅介质的步骤，以制备底栅结构。
进一步地，在步骤(4)中，冷却前还包括在二维材料和/或源漏电极表面依次沉积栅介质和栅极的步骤，以制备顶栅结构。
进一步地，栅极的材质为铝、钛/金、铬、铬/金、钼或ITO(氧化铟锡)。
进一步地，栅介质的材质为氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆或氮化硼。
进一步地，在步骤(2)中，孔的形状为矩形、方形、圆形或者不规则形状。
进一步地，在步骤(2)中，孔的下方可以正对一部分过渡金属层的以及一部分基底的表面；或整个孔的下方全部正对着过渡金属层。
进一步地，在步骤(2)中，光刻胶层的厚度为50nm-2μm。
进一步地，在步骤(3)中，源漏电极为钛(Ti)电极、金(Au)电极、铝(Al)电极、铬(Cr)电极中的一种或两种。
进一步地，在步骤(4)中，硫源为硫粉、硫化钠或硫化氢。优选地，硫源为硫粉。
进一步地，在步骤(4)中，硒源为硒粉或硒化氢。优选地，硒源为硒粉。
进一步地，在步骤(4)中，将基底加热到550-750℃，将硫源加热到115-130℃后形成含硫气氛，含硫气氛接触过渡金属对其进行硫化；或者
在步骤(4)中，将基底加热到400-500℃，将硒源加热到230-245℃后形成含硒气氛，含硒气氛接触过渡金属对其进行硒化。
优选地，当步骤(1)中的过渡金属为钼时，步骤(4)中采用硫源对其进行硫化；当步骤(1)中的过渡金属为铂时，步骤(4)中采用硫源对其进行硫化或采用硒源对其硒化。
在步骤(3)之后，源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属区接触，另外一部分直接与基底接触。在步骤(4)之后，使得未与源漏电极接触的另外一部分过渡金属区被硫化或硒化，形成二维材料沟道区。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
采用两侧源漏金属电极作为保护隔离层，选择性的对源漏金属电极之间沟道区域的过渡金属层进行转化，从而形成二维材料沟道区，实现二维材料沟道区和源漏金属电极之间的自对准，降低二维材料沟道区与过渡金属之间的交叠面积，从而降低寄生电阻；
并且二维材料沟道区两侧的一部分源漏金属电极直接与下方的过渡金属(沟道区域之外受到源漏金属保护而未被硫化或硒化的金属层)接触，有效降低二维材料沟道与金属电极之间的接触电阻。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下为本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明实施例1中基底的结构示意图；
图2是本发明实施例1中修饰了过渡金属层的基底结构示意图；
图3是本发明实施例1中旋涂光刻胶后的基底结构示意图；
图4是本发明实施例1中在孔中蒸镀源漏电极后的基底结构示意图；
图5是本发明实施例1中去除光刻胶后的基底结构示意图；
图6是本发明实施例1所制备的二维材料的场效应晶体管的结构示意图；
图7是本发明实施例5所制备的二维材料的场效应晶体管阵列的结构示意图；
图8是本发明实施例6蒸镀金属栅极后的结构示意图；
图9是本发明实施例6沉积蒸镀栅介质层后的结构示意图；
图10是本发明实施例6蒸镀过渡金属区后的结构示意图；
图11是本发明实施例6蒸镀源漏电极后的结构示意图；
图12是本发明实施例6过渡金属区被硫化后所得到的二维材料的场效应晶体管的结构示意图；
图13是本发明实施例6所制备的二维材料的场效应晶体管的俯视结构示意图；
图14是本发明实施例8中修饰了过渡金属层的基底结构示意图；
图15是本发明实施例8中蒸镀源漏电极后基底结构示意图；
图16是本发明实施例8中部分过渡金属区被硫化后基底的结构示意图；
图17是本发明实施例8中沉积栅介质层后的结构示意图；
图18是本发明实施例8中蒸镀金属栅极后的结构示意图；
图19是本发明实施例8所制备的二维材料的场效应晶体管的俯视结构示意图；
附图标记说明：
1-Si层；2-SiO2层；3-过渡金属区；4-光刻胶层；5-孔；6-源漏电极；7-MoS2；8-PtSe2；9-基底；10-金属栅极；11-栅介质层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
参见图1-6，本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为表面覆盖有二氧化硅(SiO2)的P型高掺杂硅片，其表面具有100nm厚的SiO2层2，底部是Si层1，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将硅片吹干(图1)。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区3，其面积小于基底上表面的面积，形成过渡金属层，其厚度为0.1nm，材质为Mo(图2)。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层4，光刻胶层4上具有两个用于蒸镀源漏电极的孔5，孔5呈矩形，每个孔5的下方正对部分过渡金属区3和部分基底的表面，两个孔5分别位于过渡金属区的3两侧，即在源漏电极之间形成沟道区域(图3，虚线围成的区域代表被光刻胶层覆盖的过渡金属区3)。
(4)在孔5中蒸镀源漏电极6，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金(图4)，随后用丙酮溶液去除光刻胶层4，露出其他部分的基底(图5)。此时源漏电极6的一部分直接与一部分过渡金属区3接触，另外一部分直接与基底接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。
(5)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为550度。将硫粉放在低温区，在115度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Mo金属暴露在硫气氛中被硫化后形成MoS27(图6)。
(6)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管(图6)。
实施例2
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为表面覆盖有二氧化硅(SiO2)的P型高掺杂硅片，其表面具有200nm厚的SiO2层，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将硅片吹干。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区，其面积小于基底上表面的面积，形成过渡金属层，其厚度为0.1nm，材质为Mo。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区和部分基底的表面，两个孔分别位于过渡金属区的两侧，即在源漏电极之间形成沟道区域。
(4)在孔中蒸镀源漏电极，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属区接触，另外一部分直接与基底接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。
(5)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为680度。将硫粉放在低温区，在130度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Mo金属暴露在硫气氛中被硫化后形成MoS2。
(6)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管。
实施例3
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为表面覆盖有二氧化硅(SiO2)的P型高掺杂硅片，其表面具有250nm厚的SiO2层，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将硅片吹干。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区，其面积小于基底上表面的面积，形成过渡金属层，其厚度为0.5nm，材质为Pt。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区和部分基底的表面，两个孔分别位于过渡金属区的两侧，即在源漏电极之间形成沟道区域。
(4)在孔中蒸镀源漏电极，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属区接触，另外一部分直接与基底接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。
(5)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为750度。将硫粉放在低温区，在120度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Pt金属暴露在硫气氛中被硫化后形成PtS2。
(6)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管。
实施例4
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为表面覆盖有氧化铝(Al2O3)的P型高掺杂硅片，其表面具有50nm厚的Al2O3层，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将硅片吹干。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区，其面积小于基底上表面的面积，形成过渡金属层，其厚度为2nm，材质为Pt。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区和部分基底的表面，两个孔分别位于过渡金属区的两侧，即在源漏电极之间形成沟道区域。
(4)在孔中蒸镀源漏电极，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属层接触，另外一部分直接与基底接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。
(5)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为400度。将硒粉放在低温区，在230度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Pt金属暴露在硒气氛中被硒化后形成PtSe2。
(6)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管。
实施例5
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为表面覆盖有二氧化硅(SiO2)的P型高掺杂硅片，其表面具有300nm厚的SiO2层2，底部为Si层1，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将硅片吹干。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底的上表面蒸镀多个矩形的过渡金属区，形成过渡金属层，各过渡金属区的面积小于基底上表面的面积，其厚度为0.5nm，材质为Pt。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有多个用于蒸镀源漏电极的孔，孔呈矩形，每个孔位于过渡金属的一侧，且每个孔的下方正对部分过渡金属和部分基底的表面，从而在源漏电极之间形成沟道区域。
(4)在孔中蒸镀源漏电极6，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属接触，另外一部分直接与基底接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。
(5)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为500度。将硒粉放在低温区，在245度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Pt金属暴露在硒气氛中被硒化后形成PtSe28。
(6)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管阵列(图7)。
实施例6
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底9，其为玻璃，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将基底吹干。
(2)在基底9的部分上表面蒸镀金属栅极10(图8)，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射在基底的上表面蒸镀铬/金。
(3)在金属栅极10的上表面沉积栅介质层11(图9)，具体采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在金属栅极的上表面沉积氧化铝。所沉积的栅介质层11覆盖了金属栅极10的一部分。
(4)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在位于金属栅极10正上方的栅介质层11的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区3，其面积小于基底上栅介质层11的面积(图10)，形成过渡金属层，其厚度为0.1nm，材质为Mo。
(5)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极6的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区3和部分栅介质层11的表面，两个孔分别位于过渡金属区3的两侧，即在源漏电极6之间形成沟道区域。
(6)在孔中蒸镀源漏电极6，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出被光刻胶覆盖的区域。此时源漏电极6的一部分直接与一部分过渡金属区3接触，另外一部分直接与栅介质层11接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极6接触(图11)。源漏电极6与金属栅极10完全被栅介质层11隔开，但是俯视情况下，源漏电极6与金属栅极10在空间坐标上有1-2微米的交叠，如图13所示，虚线处代表被覆盖的区域，实线处代表肉眼可见区域。
(7)将基底9放到双温区管式炉中，并将基底9放在高温区，控制温度为680度。将硫粉放在低温区，在130度下进行挥发，使得未与源漏电极6接触的Mo金属暴露在硫气氛中被硫化后形成MoS27(图12)。
(8)将处理后的样品取出，自然降温后形成二维材料的场效应晶体管。
实施例7
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底，其为聚合物柔性材料，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将基底吹干。
(2)在基底的部分上表面蒸镀金属栅极，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射在基底的上表面蒸镀ITO(氧化铟锡)。
(3)在金属栅极的上表面沉积栅介质层，具体采用转移的方法在金属栅极的上表面覆盖氮化硼。所述栅介质层覆盖了金属栅极的一部分。
(4)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在位于金属栅极正上方的栅介质层的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区，其面积小于基底上栅介质的面积，形成过渡金属层，其厚度为0.1nm，材质为Mo。
(5)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区和部分栅介质层的表面，两个孔分别位于过渡金属区的两侧，即在源漏电极之间形成沟道区域。
(6)在孔中蒸镀源漏电极，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极的一部分直接与一部分过渡金属区接触，另外一部分直接与栅介质层接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极接触。源漏电极与金属栅极完全被栅介质层隔开，但是俯视情况下，源漏电极与金属栅极在空间坐标上有1-2微米的交叠。
(7)将基底放到双温区管式炉中，并将基底放在高温区，控制温度为680度。将硫粉放在低温区，在130度下进行挥发，使得未与源漏电极接触的Mo金属暴露在硫气氛中被硫化后形成MoS2。
(8)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管。
实施例8
本实施例提供了一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：
(1)准备基底9，其为玻璃，分别用丙酮、乙醇、去离子水进行清洗，然后用氮***将基底吹干。
(2)采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法在基底9的上表面蒸镀一个矩形的过渡金属区3(图14)，其面积小于基底9的面积，形成过渡金属层，其厚度为0.1nm，材质为Mo。
(3)旋涂光刻胶，随后曝光、显影，形成光刻胶层，光刻胶层上具有两个用于蒸镀源漏电极6的孔，孔呈矩形，每个孔的下方正对部分过渡金属区3和部分基底9的表面，两个孔分别位于过渡金属区3的两侧，即在源漏电极6之间形成沟道区域。
(4)在孔中蒸镀源漏电极6，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射分别在孔中蒸镀钛和金，随后用丙酮溶液去除剩余的光刻胶，露出其他部分的基底。此时源漏电极6的一部分直接与一部分过渡金属区3接触，另外一部分直接与基底9接触，且过渡金属的一部分未与源漏电极6接触(图15)。
(5)将基底9放到双温区管式炉中，并将基底9放在高温区，控制温度为680度。将硫粉放在低温区，在130度下进行挥发，使得未与源漏电极6接触的Mo金属暴露在硫气氛中被硫化后形成MoS27(图16)。
(6)沉积栅介质层11，具体采用电子束蒸发、磁控溅射或者原子层沉积法沉积氧化铝。所沉积的栅介质层完全覆盖MoS27和源漏电极6(图17)。
(7)在栅介质层11的上表面蒸镀金属栅极10，具体采用电子束蒸发或者磁控溅射在栅介质层11的上表面蒸镀ITO(氧化铟锡)。金属栅极10的尺寸小于下方栅介质层11的尺寸。(图18)，金属栅极10与源漏电极6完全被栅介质层11隔开，但是俯视情况下，源漏电极6与金属栅极10在空间坐标上有1-2微米的交叠，如图19所示，虚线处代表被覆盖的区域，实线处代表肉眼可见区域。
(8)将处理后的样品取出，自然降温后在基底上形成二维材料的场效应晶体管。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，所述过渡金属区的厚度为0.1-2nm；
(2)光刻、显影后形成光刻胶层，所述光刻胶层上具有至少两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对至少一部分所述过渡金属层的表面，每个孔位于所述过渡金属区的一侧；
(3)在所述孔中蒸镀源漏电极，然后去除所述光刻胶层，露出其他部分的基底；
(4)使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后在基底表面形成所述二维材料场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述基底的材质绝缘，所述基底的材质为玻璃或聚合物柔性材料。
3.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述基底的表面为绝缘介质层，所属绝缘介质层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化铪或者氧化锆，所述绝缘介质层的厚度为20-300nm。
4.根据权利要求2或3所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(1)中，还包括在所述基底与所述过渡金属层之间依次沉积栅极和栅介质的步骤。
5.根据权利要求2或3所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(4)中，冷却前还包括依次沉积栅介质和栅极的步骤。
6.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述过渡金属为钼、铂、钨、锰、镍、镉或钯中的一种。
7.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述源漏电极为钛电极、金电极、铝电极和铬电极中的一种或两种。
8.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(4)中，所述硫源为硫粉、硫化钠或硫化氢中的一种。
9.根据权利要求1所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：在步骤(4)中，所述硒源为硒粉或硒化氢。
10.根据权利要求1、8、9中任一项所述的降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，其特征在于：
在步骤(4)中，将基底加热到550-750℃，将所述硫源加热到115-130℃后形成含硫气氛，所述含硫气氛接触过渡金属对其进行硫化；或者
在步骤(4)中，将基底加热到400-500℃，将所述硒源加热到230-245℃后形成含硒气氛，所述含硒气氛接触过渡金属对其进行硒化。
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