CN105895704A - 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 - Google Patents
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105895704A CN105895704A CN201610306295.4A CN201610306295A CN105895704A CN 105895704 A CN105895704 A CN 105895704A CN 201610306295 A CN201610306295 A CN 201610306295A CN 105895704 A CN105895704 A CN 105895704A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- effect transistor
- field effect
- manufacture method
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- -1 one in BN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006701 autoxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N EtOH Substances CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：提供高掺的Si衬底；形成绝缘层；制备背接触源漏电极；将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；利用光刻技术及刻蚀工艺对石墨烯进行图形化；制备顶接触源漏电极；制备栅介质及栅电极，最终形成基于石墨烯沟道材料的双栅双接触空气隙场效应晶体管。本发明采用双接触电极结构，减小了金属与石墨烯的接触电阻。且由于底层接触电极的引入，使得转移的石墨烯沟道区处于悬浮状态，减弱衬底对沟道区石墨烯的散射，增大石墨烯的迁移率。
Description
技术领域
本发明属于微电子与固体电子领域，涉及石墨烯FET器件制备的技术领域，更具体地涉及一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法。
背景技术
以碳材料为基的纳米电子学，尤其是石墨烯(Graphene)材料，由于其较高的载流子迁移率和饱和速度，被认为是可替代硅的下一代集成电路新材料。在石墨烯FET器件的发展过程中，寄生电阻，包括石墨烯与金属的接触电阻及通路区电阻成为阻碍晶体管性能提高的重要因素。另外衬底散射也是制约石墨烯载流子迁移率实验值提高的重要因素。如何减小寄生电阻和衬底散射、提高器件特性是目前迫切需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，以解决上述技术问题中的至少之一。
为达到上述目的，作为本发明的一个方面，本发明提供了一种石墨烯场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上形成一绝缘层；
在所述绝缘层上制备背接触源、漏电极；
将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮石墨烯沟道；
对所述石墨烯沟道进行图形化；
在所述石墨烯上制备顶接触源、漏电极；
在所述石墨烯上制备栅介质及栅电极，最终形成基于石墨烯沟道材料的双栅双接触空气隙场效应晶体管。
作为本发明的另一个方面，本发明还提供了一种根据如上所述制造方法制备的石墨烯场效应晶体管。
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
(1)通过采用背接触与顶接触的双电极结构，减小了金属石墨烯的接触电阻；另外，接触区的石墨烯宽度大于沟道区，也减小了接触电阻在总电阻中的比重；
(2)设计背接触电极相对顶接触电极稍稍向沟道区延伸，减小了栅与接触电极之间的距离，从而可以减小器件的通路区寄生电阻，甚至可以实现无通路区寄生电阻；
(3)因为背接触电极的引入，使得转移后的石墨烯沟道区处于悬浮状态，不与衬底直接接触，这样可以减小衬底对石墨烯沟道的散射等作用，提高沟道石墨烯的迁移率，进一步提升器件的性能；
(4)可以有效提高石墨烯晶体管的电学性能，而且具有低的工艺成本。
附图说明
图1至图6是根据本发明一实施例的双栅双接触空气隙石墨烯场效应晶体管的制造方法的逐步工艺的侧视图和俯视图。
其中，附图标记含义如下：半导体衬底10、绝缘层11、背接触电极12、导电通道13、顶部源漏接触电极14、栅介质15及栅电极16。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，通过背接触电极的引入得到了悬浮的石墨烯沟道，同时顶部接触与底部接触的双接触结构也减小了金属石墨烯的接触电阻。同时在本发明中，石墨烯的图形化使得接触区的石墨烯宽度大于沟道区的石墨烯宽度，在减小接触电阻的同时，提高了栅对整个沟道电阻的调控作用。
更具体地，本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：
提供Si衬底；
在该Si衬底上形成一绝缘层；
在该绝缘层上制备背接触源、漏电极；
通过转移的方式在已经形成的源、漏图形上形成一石墨烯层，从而形成悬浮的石墨烯沟道；
利用光刻技术及刻蚀工艺对该石墨烯层进行图形化；
在该石墨烯层上制备顶接触源、漏电极；
在该石墨烯层上制备栅介质及顶栅电极，最终形成基于石墨烯沟道材料的双栅双接触空气隙场效应晶体管。
上述方案中，衬底为重掺杂的Si衬底，掺杂浓度大于1019cm-3。
上述方案中，衬底上形成的绝缘层可以采用SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2、BN、SiC等中的一种或多种来制备。
上述方案中，背接触电极的金属石墨烯接触面积稍大于顶部接触电极的面积，背接触相对顶接触电极，向沟道区轻微延伸，例如向沟道区延伸0.1～0.5μm。其中，延伸的部分接触是为了减小通路区的寄生电阻。
上述方案中，石墨烯层可以是机械剥离或CVD生长得到并转移到已形成背接触电极的衬底上的，石墨烯层数为1～3层。
上述方案中，利用光刻技术及刻蚀工艺图形化石墨烯，使得接触区的石墨烯片的宽度大于沟道区石墨烯的宽度，目的是减小接触电阻，增加器件的跨导。同时，图形化的石墨烯要保证接触区域的面积小于底部接触电极的面积，这是为了使顶部与底部接触电极相连而设定。
上述方案中，栅介质采用高K介质，通过原子层沉积得到，可以为Si3N4、Al2O3、HfO2、TiO2或Y2O3等中的一种或多种。
上述方案中，栅介质沉积需要预先淀积缓冲层，以得到均匀致密的栅介质。缓冲层可以采用电子束蒸发或热蒸发的Al自然氧化成Al2O3或者有机种子层PVA(聚乙烯基乙醇)或BCB(苯并环丁烯有机介质层)。
本发明还公开了一种根据上述制备方法制备的石墨烯场效应晶体管。
图1至图6示出了作为本发明一优选实施例的双栅双接触空气隙石墨烯场效应晶体管的制备方法的工艺流程图。
在本实施例中，以重掺杂的硅作为半导体衬底，二氧化硅作为绝缘层，背接触电极采用金属Pd，顶部接触电极及栅电极采用Pd/Au。栅介质采用自然氧化的铝作为种子层，原子层沉积氧化铝作为高K栅介质。该方法具体包括以下步骤：
步骤1：采用高掺的硅衬底10，在其上生长绝缘层二氧化硅11，如图1所示。背接触源漏电极12制备：涂覆光刻胶AZ5214，经过曝光显影后定义源、漏区图形，利用电子束蒸发及剥离工艺得到源、漏电极金属。该金属层采用金属Pd，顶层金属Pd厚度选择为50nm，如图2所示。
步骤2：CVD生长的石墨烯转移到已形成源、漏图形的衬底上，这时两电极之间的石墨烯13处于悬浮状态，如图3所示。
步骤3：利用光刻技术及刻蚀工艺图形化石墨烯，使得接触区的石墨烯片的宽度大于沟道区石墨烯的宽度。且接触区石墨烯面积小于背电极面积，方便顶部接触电极与背接触电极的连接。
步骤4：顶部接触电极制备：涂覆光刻胶AZ5214，经过曝光显影后定义源、漏区图形，利用电子束蒸发及剥离工艺得到源、漏电极金属。该金属层采用金属Pd/Au，底层金属Pd厚度选择为20nm，顶层金属Au为100nm，如图4所示。
步骤5：电子束蒸发1nm Al，自然氧化作为种子层，紧接着原子层沉积高K介质Al2O3 10nm作为栅介质，如图5所示。
步骤6：制备栅金属，如图6所示。
通过上述实施例可以看出，本发明采用双接触电极结构，减小了金属与石墨烯的接触电阻；且由于底层电极的引入，使得转移的石墨烯沟道区处于悬浮状态，减弱衬底对沟道区石墨烯的散射。另外，由于底部接触电极向沟道区延伸，所以减小了栅与接触电极之间的距离，甚至可以实现无通路区寄生电阻。该方法可以有效提高石墨烯晶体管的电学性能，而且具有低的工艺成本。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上形成一绝缘层；
在所述绝缘层上制备背接触源、漏电极；
将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；
对所述石墨烯沟道进行图形化；
在所述石墨烯上制备顶接触源、漏电极；
在所述石墨烯上制备栅介质及栅电极，最终形成基于石墨烯沟道材料的双栅双接触空气隙场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述衬底为重掺杂的Si衬底，掺杂浓度大于1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘层采用SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2、BN、SiC中的一种或多种来制备。
4.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述背接触电极相对于所述顶接触电极，向沟道区延伸0.1～0.5μm。
5.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述石墨烯层由机械剥离或CVD生长得到，并转移到已经形成背接触电极的衬底上，所述石墨烯层的层数为1～3层。
6.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述对石墨烯沟道进行图形化的步骤中，使得接触区的石墨烯片的宽度大于沟道区石墨烯的宽度，同时图形化的石墨烯要保证接触区域石墨烯的面积小于底部接触电极的面积。
7.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅介质采用高K介质，通过原子层沉积得到，所述高K介质为Si3N4、Al2O3、HfO2、TiO2或Y2O3中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅介质的沉积步骤中，需要预先淀积缓冲层，以得到均匀致密的栅介质。
9.根据权利要求8所述的石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述缓冲层采用电子束蒸发或热蒸发的Al自然氧化成Al2O3或有机种子层聚乙烯基乙醇PVA或苯并环丁烯BCB有机介质层。
10.一种根据权利要求1至9任一项所述的制造方法制备的石墨烯场效应晶体管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610306295.4A CN105895704B (zh) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610306295.4A CN105895704B (zh) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105895704A true CN105895704A (zh) | 2016-08-24 |
| CN105895704B CN105895704B (zh) | 2019-05-17 |
Family
ID=56702640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610306295.4A Active CN105895704B (zh) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105895704B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275398A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-10-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法 |
| CN110300475A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-01 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种电致热辐射发光阵列器件及其制备方法和应用 |
| CN113299541A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-08-24 | 天津华慧芯科技集团有限公司 | 一种集成大面积二维材料器件制备工艺 |
| CN116435275A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-07-14 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130277644A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene switching device including tunable barrier |
| CN103531618A (zh) * | 2012-07-05 | 2014-01-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种双栅鳍型场效应晶体管及其制造方法 |
| CN103745994A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-23 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法 |
-
2016
- 2016-05-10 CN CN201610306295.4A patent/CN105895704B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130277644A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene switching device including tunable barrier |
| CN103531618A (zh) * | 2012-07-05 | 2014-01-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种双栅鳍型场效应晶体管及其制造方法 |
| CN103745994A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-23 | 上海新傲科技股份有限公司 | 采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275398A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-10-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法 |
| CN110300475A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-01 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种电致热辐射发光阵列器件及其制备方法和应用 |
| CN113299541A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-08-24 | 天津华慧芯科技集团有限公司 | 一种集成大面积二维材料器件制备工艺 |
| CN113299541B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-07-29 | 天津华慧芯科技集团有限公司 | 一种集成大面积二维材料器件制备工艺 |
| CN116435275A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-07-14 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105895704B (zh) | 2019-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8063451B2 (en) | Self-aligned nano field-effect transistor and its fabrication | |
| JP5695656B2 (ja) | 自己整列グラフェン・トランジスタ | |
| US8022393B2 (en) | Lithographic process using a nanowire mask, and nanoscale devices fabricated using the process | |
| JP2006508523A (ja) | 自己整合型ナノチューブ電界効果トランジスタおよびこれを製造する方法 | |
| CN105895704A (zh) | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 | |
| CN103518255A (zh) | 具有减小寄生电阻的带电单层的碳场效应晶体管 | |
| CN105762078A (zh) | GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| KR20150111668A (ko) | 불화암모늄을 이용한 ｎ－도핑된 그래핀 및 전기소자의 제조방법，그에 의한 그래핀 및 전기소자 | |
| CN108807553B (zh) | 一种基于二维半导体材料的同质pn结及其制备方法 | |
| CN105932041A (zh) | N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| TW200535927A (en) | Vertical carbon nanotube field effect transistor | |
| CN102971854A (zh) | 碳器件中的自对准接触 | |
| CN105742345A (zh) | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN103258741A (zh) | 纳米线场效应晶体管及其形成方法 | |
| CN109690786B (zh) | 异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法 | |
| US20110127493A1 (en) | Self aligned carbide source/drain fet | |
| US20090250731A1 (en) | Field-effect transistor structure and fabrication method thereof | |
| CN107919388A (zh) | 降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法 | |
| CN105914148A (zh) | 石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管 | |
| TWI251879B (en) | Method for forming quantum dot | |
| CN105789323A (zh) | 场效应晶体管以及制备方法 | |
| TWI797712B (zh) | 奈米碳管n型摻雜的方法 | |
| Pyo et al. | Vertical Thin Film Transistor Based on Conductivity Modulation of Graphene Electrode by Micro‐Hole Patterning | |
| CN114068703B (zh) | 晶体管及制备方法 | |
| CN110993694B (zh) | 自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |