CN106232351A - 玻璃层叠体及电子器件的制造方法 - Google Patents

玻璃层叠体及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够容易地剥离玻璃基板的玻璃层叠体。本发明涉及一种玻璃层叠体，其具备：带无机层的支撑基板，其具有支撑基板及配置在上述支撑基板上的无机层；和可剥离地层叠在上述无机层上的玻璃基板，上述无机层包含：含有F的含F无机层。

Description

玻璃层叠体及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及玻璃层叠体及电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子器件(电子仪器)的薄型化、轻量化正在进行，这些电子器件中使用的玻璃基板的薄板化正在进行。另一方面，由于薄板化而玻璃基板的强度不足时，在电子器件的制造工序中，玻璃基板的操作性降低。
因此，最近，为了应对上述问题，提出了如下方法：准备在带无机薄膜的支撑玻璃的无机薄膜上层叠有玻璃基板的层叠体，在层叠体的玻璃基板上实施元件的制造处理后，从层叠体分离玻璃基板(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-184284号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明人等针对专利文献1中具体记载的在带有由金属氧化物构成的无机薄膜的支撑玻璃的无机薄膜上配置有玻璃基板的层叠体进行了研究，结果明确了存在无法从层叠体剥离玻璃基板的情况。
本发明是鉴于以上情况完成的，目的在于提供一种能够容易地剥离玻璃基板的玻璃层叠体。
用于解决问题的方案
本发明人等为了达成上述目的进行了深入研究，结果发现，通过在支撑基板上形成特定的无机层，能够容易地剥离玻璃基板，从而完成了本发明。
即，本发明提供以下的(1)～(10)。
(1)一种玻璃层叠体，其具有：带无机层的支撑基板，其具有支撑基板及配置在上述支撑基板上的无机层；和可剥离地层叠在上述无机层上的玻璃基板，上述无机层包含：含有F的含F无机层。
(2)一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基板、无机层、脆弱层及玻璃基板，上述无机层包含：含有F的含F无机层，上述脆弱层为含有Al及Si的无机层，上述脆弱层中的Al与Si的原子比Y(Al/Si)相对于上述玻璃基板中的Al与Si的原子比X(Al/Si)之比(Y/X)为1.2以上。
(3)根据上述(2)所述的玻璃层叠体，其中，剥离上述玻璃基板时的剥离强度为2.0N/25mm以下。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的玻璃层叠体，其中，上述含F无机层含有选自由金属氟化物及氟掺杂金属氧化物组成的组中的至少1种。
(5)根据上述(4)所述的玻璃层叠体，其中，上述金属氟化物的熔点为800℃以上。
(6)根据上述(4)或(5)所述的玻璃层叠体，其中，上述金属氟化物包含选自由碱金属、碱土金属、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及镧系元素组成的组中的至少1种元素。
(7)根据上述(4)所述的玻璃层叠体，其中，上述氟掺杂金属氧化物为氟掺杂氧化锡。
(8)根据上述(1)～(7)中任一项所述的玻璃层叠体，其中，上述无机层的表面粗糙度为2nm以下。
(9)根据上述(1)～(8)中任一项所述的玻璃层叠体，其中，上述支撑基板为玻璃板。
(10)一种电子器件的制造方法，其具备如下工序：构件形成工序，在上述(1)～(9)中任一项所述的玻璃层叠体具备的上述玻璃基板的与上述无机层侧处于相反侧的表面上形成电子器件用构件，从而得到带电子器件用构件的层叠体；分离工序，从上述带电子器件用构件的层叠体剥离上述无机层及上述支撑基板，从而得到具有上述玻璃基板及上述电子器件用构件的电子器件。
发明的效果
根据本发明，可以提供能够容易地剥离玻璃基板的玻璃层叠体。
附图说明
图1为示出本发明的玻璃层叠体的第1方案的截面示意图。
图2为示出本发明的玻璃层叠体的第2方案的截面示意图。
图3的(A)及(B)为按顺序示出本发明的电子器件的制造方法的适宜实施方案中的各工序的截面示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的玻璃层叠体及电子器件的制造方法的适宜方式，但本发明并不限定于以下的实施方式，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对以下的实施方式加以各种变形和置换。
需要说明的是，本说明书中，“重量％”和“质量％”、“重量百分率”和“质量百分率”意义分别相同。
以下，首先详细叙述玻璃层叠体的适宜方案(第1方案及第2方案)，之后，针对使用了该玻璃层叠体的电子器件的制造方法的适宜方案进行详细叙述。
[玻璃层叠体(第1方案及第2方案)]
图1为示出本发明的玻璃层叠体的第1方案的截面示意图。
如图1所示，作为第1方案的玻璃层叠体10具有：包含支撑基板12及无机层14的带无机层的支撑基板16、和玻璃基板18。
玻璃层叠体10中，将带无机层的支撑基板16的无机层14的第1主面14a(无机层14的与支撑基板12侧处于相反侧的表面)和玻璃基板18的第1主面18a(玻璃基板18的无机层14侧的表面)作为层叠面，带无机层的支撑基板16和玻璃基板18可剥离地层叠。
即，无机层14的一面被固定于支撑基板12的层、并且其另一面与玻璃基板18的第1主面18a接触，无机层14与玻璃基板18的界面可剥离地密合。换言之，无机层14对玻璃基板18的第1主面18a具备易剥离性。
使用玻璃层叠体10直至后述的构件形成工序。即，使用玻璃层叠体10直至在玻璃基板18的第2主面18b(玻璃基板18的与无机层14侧处于相反侧的表面)上形成液晶显示装置等电子器件用构件为止。
之后，带无机层的支撑基板16的层在与玻璃基板18的层的界面处被剥离，带无机层的支撑基板16的层不形成构成电子器件的构件。被分离的带无机层的支撑基板16上可以层叠新的玻璃基板18而作为新的玻璃层叠体10进行再利用。
本发明中，上述固定和上述(可剥离的)密合在剥离强度(即，剥离所需的应力)方面存在不同，固定是指相对于密合而言剥离强度大。具体而言，无机层14与支撑基板12的界面的剥离强度大于玻璃层叠体10中的无机层14与玻璃基板18的界面的剥离强度。
另外，可剥离的密合是指，在可剥离的同时能够不使固定的面产生剥离地进行剥离。即，是指在玻璃层叠体10中，进行将玻璃基板18和支撑基板12分离的操作时在密合的面(无机层14与玻璃基板18的界面)产生剥离，在固定的面不产生剥离。因此，若进行将玻璃层叠体10分离成玻璃基板18和支撑基板12的操作，则玻璃层叠体10被分离为玻璃基板18和带无机层的支撑基板16这两者。
图2是示出本发明的玻璃层叠体的第2方案的截面示意图。
如图2所示，作为第2方案的玻璃层叠体11依次具备支撑基板12、无机层14、脆弱层26、及玻璃基板18，在带无机层的支撑基板16的无机层14与玻璃基板18之间具有脆弱层26。详细内容在后面叙述，具有脆弱层26的玻璃层叠体11通过将作为第1方案的玻璃层叠体10暴露在高温条件下(例如400℃以上)而得到。
以下，首先针对构成玻璃层叠体10(11)的带无机层的支撑基板16及玻璃基板18进行详细叙述，之后针对玻璃层叠体10(11)的制造步骤进行详细叙述。在该步骤的详细叙述中，也针对构成玻璃层叠体11的脆弱层26进行说明。
〔带无机层的支撑基板〕
带无机层的支撑基板16具备支撑基板12和配置(固定)在其表面上的无机层14。无机层14以与后述的玻璃基板18可剥离地密合的方式配置在带无机层的支撑基板16中的最外侧。
以下，针对支撑基板12及无机层14的方案进行说明。
〈支撑基板〉
支撑基板12是如下所述的基板：具有第1主面和第2主面，与配置在第1主面上的无机层14协同作用，支撑并加强玻璃基板18，在后述的构件形成工序(制造电子器件用构件的工序)中电子器件用构件的制造时防止玻璃基板18的变形、划伤、破损等。
作为支撑基板12，例如可以使用玻璃板、塑料板、不锈钢(SUS)板等金属板等。对于支撑基板12，构件形成工序伴有热处理时，优选由与玻璃基板18的线膨胀系数之差小的材料形成，更优选由与玻璃基板18相同的材料形成，支撑基板12优选为玻璃板。支撑基板12特别优选为由与玻璃基板18相同的玻璃材料形成的玻璃板。
支撑基板12的厚度可以比后述的玻璃基板18厚，也可以比玻璃基板18薄。优选的是，基于玻璃基板18的厚度、无机层14的厚度、以及后述的玻璃层叠体10(11)的厚度来选择支撑基板12的厚度。
例如，在现有的构件形成工序是为了对厚度0.5mm的基板进行处理而设计的，且玻璃基板18的厚度和无机层14的厚度之和为0.1mm的情况下，将支撑基板12的厚度设为0.4mm。支撑基板12的厚度在通常的情况下优选为0.2～5.0mm。
支撑基板12为玻璃板的情况下，出于容易操作、不易破裂等理由，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。另外，出于电子器件用构件形成后进行剥离时期望适度地挠曲而不破裂那样的刚性的理由，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
支撑基板12与玻璃基板18的25～300℃下的平均线膨胀系数(以下简称为“平均线膨胀系数”)之差优选为500×10-7/℃以下，更优选为300×10-7/℃以下，进一步优选为200×10-7/℃以下。若差过大，则构件形成工序中的加热冷却时有玻璃层叠体10(11)剧烈翘曲的担心。玻璃基板18的材料与支撑基板12的材料相同时，可以抑制产生这样的问题。
需要说明的是，本说明书中，平均线膨胀系数可以根据JIS R3102(1995年)进行测定。
〈无机层〉
无机层14是在玻璃层叠体10中配置(固定)在支撑基板12的主面上、且与玻璃基板18的第1主面18a直接接触的层。这样的无机层14包含含有F的含F无机层。无机层14可以仅由含F无机层构成，也可以为含有含F无机层以外的无机层的多层。需要说明的是，无机层14为多层时，无机层14的厚度方向上的含F无机层以外的位置没有特别限定，但优选含F无机层为与玻璃基板18的第1主面18a接触的最表层。
另外，无机层14含有的含F无机层优选含有选自由金属氟化物及氟掺杂金属氧化物组成的组中的至少1种。
无机层14含有氟掺杂金属氧化物时，作为氟掺杂金属氧化物，例如可以举出：氟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锌、氟掺杂氧化钛、氟掺杂氧化铝、氟掺杂氧化硅、氟掺杂石英等，它们可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。它们之中，优选氟掺杂氧化锡。
无机层14含有金属氟化物时，从玻璃基板18的剥离性更优异的方面出发，优选无机层14含有的金属氟化物的化学稳定性高。作为化学稳定性的指标，可以使用金属氟化物的熔点。
即，金属氟化物的熔点优选为800℃以上，更优选为900℃以上，进一步优选为1000℃以上。
需要说明的是，无机层14中可以含有2种以上的金属氟化物。
无机层14含有的金属氟化物的组成没有特别限制，从玻璃基板18的剥离性更优异的方面出发，优选包含选自由碱金属、碱土金属、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及镧系元素组成的组中的至少1种。
此处，作为碱金属，例如可以举出Li、Na、K、Rb、Cs。
另外，作为碱土金属，例如可以举出Mg、Ca、Sr、Ba。
另外，镧系元素为从La至Lu的元素，例如可以举出La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm等。
需要说明的是，通过改变上述金属/氟元素比，能够调整无机层14表面的OH基数、表面平坦度，控制无机层14与玻璃基板18之间的密合力。
无机层14含有的金属氟化物的一部分可以被氧化。即，无机层14中可以包含氧原子(氧元素)(O)。
需要说明的是，通过金属氟化物、氧原子的添加量，能够调整无机层14表面的OH基数、表面平坦度，控制无机层14与玻璃基板18之间的密合力。
更具体而言，作为无机层14含有金属氟化物的金属氟化物，例如可以举出RF、R’F2、ScF3、VF3、CrF3、MnF2、FeF3、CoF2、NiF2、CuF2、ZnF2、AlF3、GaF3、InF3及LF3等。此处，R是指碱金属，R’是指碱土金属，L是指镧系元素。
无机层14的平均线膨胀系数没有特别限制，使用玻璃板作为支撑基板12时，其平均线膨胀系数优选为10×10-7～200×10-7/℃。如果为该范围，则与玻璃板的平均线膨胀系数的差变小，能够进一步抑制高温环境下的玻璃基板18与带无机层的支撑基板16的位置偏移。
无机层14优选含有选自由金属氟化物及氟掺杂金属氧化物组成的组中的至少1种作为主要成分。此处，所谓主要成分是指，金属氟化物的总含量相对于无机层14总量为90质量％以上、优选为98质量％以上、更优选为99质量％以上、特别优选为99.999质量％以上。
无机层14的厚度没有特别限制，从维持耐擦伤性的方面出发，优选为5～5000nm、更优选为10～500nm。
无机层14在图1中以单层的形式示出，但也可以为2层以上的层叠。为2层以上的层叠时，各层可以为不同的组成。这种情况下，“无机层的厚度”是指所有层的总厚度。
无机层14通常如图1所示那样设置于支撑基板12的一个主面整体，但也可以在不损害本发明效果的范围内设置于支撑基板12表面上的一部分。
无机层14的第1主面14a的表面粗糙度(Ra)优选为2.0nm以下、更优选为1.2nm以下。下限值没有特别限制，优选为0。如果为上述范围，则与玻璃基板18的密合性变得更好，可以进一步抑制与玻璃基板18的位置偏移等，并且玻璃基板18的剥离性也优异。
Ra根据JIS B 0601(2001年修订)进行测定。
然而，如果只是无机层14仅含有含F无机层，则会存在在无机层14上层叠玻璃基板18时的层叠性(层叠容易性)差的情况。即，存在如下情况：即使重叠无机层14和玻璃基板18也无法自然地密合，而且即便进行机械压制也无法密合、或容易剥离。
因此，无机层14中，优选将层叠玻璃基板18的第1主面14a的水接触角设为0～40°。由此，无机层14与玻璃基板18的层叠性优异。
需要说明的是，水接触角根据JIS R 3257：1999，使用市售的接触角计来测定。
〈带无机层的支撑基板的制造方法〉
作为在支撑基板12上形成无机层14的方法，例如可以适当采用蒸镀法等PVD(物理气相沉积(Physical Vapor Deposition))法；热CVD法、等离子体CVD法等CVD(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))法；等，另外，制造条件根据所使用的材料来适当选择最适宜的条件。
然后，形成无机层14后，优选实施将无机层14的第1主面14a的水接触角控制为0～40°的处理。作为这样的处理，例如可以举出亲水化处理，作为其具体例，可以举出碱处理、等离子体处理、UV处理等，优选碱处理。
作为碱处理，例如可以举出使碱处理液与无机层14的第1主面14a接触的处理。
作为碱处理中使用的碱处理液，例如优选含有氢氧化钠、氢氧化钾、氨等碱的溶液。碱处理液的pH大于7，优选为8～14。
作为碱处理的方法，例如可以举出：使用喷雾器等将碱处理液吹送到无机层14的第1主面14a上的方法；使带无机层的支撑基板16浸渍在碱处理液中的方法等。
需要说明的是，碱处理之后，用纯水进行冲洗，用气刀等使无机层14的第1主面14a干燥。
需要说明的是，在大气中保管带无机层的支撑基板16从而第1主面14a的水接触角例如上升至50～150°的范围时，存在无机层14与玻璃基板18的层叠性差的情况。
因此，优选在实施将无机层14的第1主面14a的水接触角控制为0～40°的处理之后，尽可能在短时间内使玻璃基板18层叠。从实施上述处理至进行层叠的时间没有特别限制，优选在1小时以内、更优选在30分钟以内。另外，实施上述处理后，在大气中保管至层叠之前的时间变长时，气氛中的灰尘等异物吸附于表面，也有层叠性变差的担心。
需要说明的是，除此之外，根据需要，为了对形成在支撑基板12上的无机层14的表面性状(例如表面粗糙度Ra)进行控制，可以实施对无机层14的表面进行磨削的处理，作为这样的处理，例如可以举出研磨、离子溅射法等。
〔玻璃基板〕
作为玻璃基板18，以氧化物为基准，使用至少含有SiO2及Al2O3的玻璃板。即，玻璃基板18至少含有Si(硅元素)及Al(铝元素)。
作为上述玻璃板，例如可以举出含有SiO2作为主要成分(最多的成分)、进而含有Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO等作为其他成分的玻璃板。此时，作为仅次于SiO2的成分，优选Al2O3。即，玻璃基板18中，优选除了O(氧元素)之外，含量最多的第1元素为Si，含量仅次于第1元素的第2元素为Al。
作为这样的玻璃基板18中使用的玻璃板，例如可以举出无碱玻璃板，作为其具体例，以氧化物基准的质量百分率表示，可以举出含有如下成分的无碱玻璃板：SiO2：54～73％、Al2O3：10～23％、B2O3：0～13.0％、MgO：0～12％、CaO：0～15％、SrO：0～16％、BaO：0～15％、及MgO+CaO+SrO+BaO：8～26％。
玻璃基板18的种类只要满足上述条件，则可以为通常的玻璃基板，例如可以举出LCD、OLED等显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐化学药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率低。作为热收缩率的指标，可以使用JIS R 3102(1995年修订)中规定的线膨胀系数。
玻璃基板18是将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成形为板状而得到的。这样的成形方法可以为通常的方法，例如可以使用浮法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法、拉伯斯(Lubbers)法等。另外，特别是厚度薄的玻璃基板可以如下得到：将暂时成形为板状的玻璃加热至能够成形的温度，通过利用拉伸等手段进行拉伸使其变薄的方法(平拉法)进行成形，从而得到。
玻璃基板18的玻璃只要满足上述条件，则除了上述的无碱硼硅酸盐玻璃之外，也可以使用例如硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅作为主要成分的氧化物系玻璃等。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板18的玻璃，可以采用适于器件的种类、其制造工序的玻璃。例如，对于液晶面板用的玻璃基板，由于碱金属成分的溶出容易对液晶造成影响，因此，由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)形成(其中，通常包含碱土金属成分)。如此，玻璃基板18的玻璃可以基于应用的器件的种类及其制造工序而适当选择。
玻璃基板18的厚度没有特别限定，从玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的观点出发，例如为0.8mm以下、优选为0.3mm以下、更优选为0.15mm以下。超过0.8mm时，存在不满足玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的要求的情况。为0.3mm以下时，能够对玻璃基板18赋予良好的挠性。为0.15mm以下时，能够将玻璃基板18卷绕成卷状。另外，出于容易制造玻璃基板18、容易处理玻璃基板18等理由，玻璃基板18的厚度优选为0.03mm以上。
玻璃基板18可以由2层以上形成，该情况下，形成各层的材料可以为同种材料，也可以为不同种材料。该情况下，“玻璃基板的厚度”是指全部层的总厚度。
需要说明的是，玻璃层叠体10中，无机层14的第1主面14a与玻璃基板18的第1主面18a直接接触。即，优选在玻璃基板18的第1主面18a(无机层14侧的面)上未设置无机薄膜层，特别是未设置由金属氟化物形成的无机薄膜层。
在玻璃基板的第1主面上设置有例如由金属氟化物形成的层的情况下，带金属氟化物层的玻璃基板和带无机层的支撑基板的密合性在高温处理后变差，两者自发地剥离，不能作为玻璃层叠体使用。
如此，对于在高温处理后玻璃基板自发地剥离、不能人为地实施剥离行为的情况，在本发明中也作为剥离性差的情况处理。
〔玻璃层叠体的制造方法〕
玻璃层叠体10的制造方法没有特别限制，具体而言可以举出：在常压环境下将带无机层的支撑基板16和玻璃基板18重叠后，使用辊、加压机使其压接的方法。通过用辊、加压机进行压接，带无机层的支撑基板16和玻璃基板18进一步密合，故优选。另外，通过利用辊或加压机的压接，混入带无机层的支撑基板16和玻璃基板18之间的气泡比较容易被去除，故优选。
利用真空层压法、真空加压法进行压接时，可理想地抑制气泡混入、确保良好的密合，因此更优选。通过在真空下进行压接，即使残留微小的气泡，气泡也不会因加热而生长，还具有不易导致变形缺陷的优点。
在使带无机层的支撑基板16和玻璃基板18可剥离地密合时，优选对无机层14及玻璃基板18互相接触一侧的面进行充分清洗，在清洁度高的环境下进行层叠。
进而，通过对所得的玻璃层叠体10(参照图1)实施例如400℃以上的高温条件下的处理，可以得到具有脆弱层26的高温处理后的玻璃层叠体11，即依次具有支撑基板12、无机层14、脆弱层26、及玻璃基板18的玻璃层叠体11(参照图2)。
需要说明的是，高温处理的温度条件的上限没有特别限定，通常为700℃以下的情况较多。
此处，针对脆弱层26进行详细叙述。
首先，认为在将带无机层的支撑基板16和玻璃基板18层叠之前，在带无机层的支撑基板16具有的无机层14的露出面即第1主面14a上吸附有水(吸附水)，生成OH基。认为在这样的无机层14的第1主面14a上重叠玻璃基板18而得到玻璃层叠体10后，将所得的玻璃层叠体10暴露在高温条件下，由此吸附水(H2O)从无机层14的第1主面14a脱离，在无机层14和玻璃基板18的界面以气体的形式存在。此时，认为无机层14例如包含含有镁氟化物(MgF2)的含F无机层时，通过下述反应式，吸附水脱离。
2Mg-OH→Mg-O-Mg+H2O
紧接着，认为在高温条件下的无机层14和玻璃基板18的界面，无机层14的第1主面14a和吸附水(H2O)如下述反应式那样进行反应，生成氟化氢(HF)。
MgF2+H2O→MgO+2HF
接着，认为生成的HF如下述反应式那样与构成玻璃基板18的第1主面18a的SiO2反应，以H2SiF6的形式挥发。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
如此，通过对玻璃层叠体10实施高温条件下的处理，在玻璃基板18的第1主面18a侧的区域(无机层14侧的区域)形成脆弱层26。即，脆弱层26是源自玻璃基板18的层，但由于H2SiF6的挥发，本应构成层的Si脱去而变脆弱，容易内聚破坏。因此，在后述的分离工序中，在脆弱层26中产生内聚破坏，能够容易地剥离玻璃基板18。
由于脆弱层26是源自玻璃基板18的层，所以其组成等基本上依赖于玻璃基板18，与玻璃基板18同样地至少含有Si及Al。另外，优选除了O(氧元素)之外，含量最多的第1元素为Si，含量仅次于第1元素的第2元素为Al。
另外，由于脆弱层26是玻璃基板18的Si挥发而形成的层，所以与玻璃基板18相比层中的Si量相对变少。因此，对于层中的Al相对于Si的原子比(Al/Si)，玻璃基板18比脆弱层26更小。
更详细而言，脆弱层26中的Al与Si的原子比Y(Al/Si)相对于玻璃基板18中的Al与Si的原子比X(Al/Si)之比(Y/X)为1.2以上，从本发明的效果更优异的方面出发，优选为1.3以上、更优选为1.5以上。上限没有特别限定，通常为4.0以下的情况较多。
需要说明的是，上述原子比例如可以通过X射线光电子能谱(X-rayPhotoelectron Spectroscopy；XPS)法进行测定。
脆弱层26的厚度没有特别限定，从本发明的效果更优异的方面出发，优选为30nm以上、更优选为50nm以上。上限没有特别限定，通常多为500nm以下。
玻璃层叠体10(11)可以用于各种用途，例如可以举出制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件的用途等。需要说明的是，该用途中，玻璃层叠体10大多被暴露于高温条件下(例如400℃以上)(例如10分钟以上)。
此处，显示装置用面板包括：LCD、OLED、电子纸、等离子体显示器面板、场发射面板、量子点LED面板、MEMS(微电子机械***(Micro Electro Mechanical Systems)快门面板等。
[电子器件及其制造方法]
接着，针对电子器件及其制造方法的适宜实施方式进行详细叙述。
图3的(A)及(B)是按顺序示出本发明的电子器件的制造方法的适宜实施方式中的各工序的截面示意图，图3的(A)示出构件形成工序，图3的(B)示出分离工序。即，本发明的电子器件的制造方法具有构件形成工序及分离工序。
以下，一边参照图3(A)及(B)一边对各工序中使用的材料及其步骤进行详细叙述。首先，针对构件形成工序进行详细叙述。
〔构件形成工序〕
构件形成工序为在玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件的工序。
更具体而言，如图3(A)所示，在玻璃基板18的第2主面18b上形成电子器件用构件20，制造带电子器件用构件的层叠体22。
首先，针对本工序中使用的电子器件用构件20进行详细叙述，之后针对工序的步骤进行详细叙述。
〈电子器件用构件(功能性元件)〉
电子器件用构件20是形成在玻璃基板18的第2主面18b上且构成电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件20，可以举出：在显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等中使用的构件。作为显示装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等离子体显示器面板、场发射面板等。
例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型，可以举出：正极的氧化锡等透明电极、p层/i层/n层所表示的硅层、以及负极的金属等，此外，可以举出：与化合物型、染料敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
另外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型，可以举出：正极和负极的金属或金属氧化物等的透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，此外，可以举出：与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
另外，作为电子部件用构件，对于CCD、CMOS，可以举出：导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，此外，可以举出：与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、柔性印刷基板、刚性柔性印刷基板等对应的各种构件等。
〈工序的步骤〉
上述的带电子器件用构件的层叠体22的制造方法没有特别限定，根据电子器件用构件的构成构件的种类，利用以往公知的方法，在玻璃基板18的第2主面18b的表面上形成电子器件用构件20。
需要说明的是，电子器件用构件20可以不是玻璃基板18的第2主面18b上最终形成的构件的全部(以下，称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下，称为“部分构件”)。也可以将带部分构件的玻璃基板在其后的工序中制成带全部构件的玻璃基板(相当于后述的电子器件)。另外，也可以在带全部构件的玻璃基板上，在其剥离面(第1主面)上形成其他电子器件用构件。另外，也可以组装带全部构件的层叠体，之后从带全部构件的层叠体剥离带无机层的支撑基板16(无机层及支撑基板)，从而制造电子器件。进而，也可以使用2张带全部构件的层叠体组装电子器件，之后从带全部构件的层叠体剥离2张带无机层的支撑基板16，从而制造电子器件。
例如，以制造OLED的情况为例时，为了在玻璃基板18的第2主面18b的表面上形成有机EL结构体，进行如下各种的层形成、处理：形成透明电极，进而在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层·空穴传输层·发光层·电子传输层等，形成背面电极，使用密封板进行密封等。作为这些层形成、处理，具体而言，可以举出成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘接处理等。
另外，例如，TFT-LCD的制造方法具有如下等各种工序：TFT形成工序，使用抗蚀液，在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b上对通过CVD法和溅射法等一般的成膜法形成的金属膜和金属氧化膜等进行图案形成，形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，在其他玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b上将抗蚀液用于图案形成来形成滤色器(CF)；以及贴合工序，将带TFT的器件基板和带CF的器件基板层叠。
TFT形成工序、CF形成工序中，使用公知的光刻技术、蚀刻技术等，在玻璃基板18的第2主面18b形成TFT、CF。此时，使用抗蚀液作为图案形成用的涂布液。
需要说明的是，在形成TFT、CF之前，可以根据需要对玻璃基板18的第2主面18b进行清洗。作为清洗方法，可以使用公知的干式清洗、湿式清洗。
贴合工序中，在带TFT的层叠体和带CF的层叠体之间注入液晶材料进行层叠。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。
需要说明的是，构件形成工序中，实施例如在400℃以上的高温条件下的处理。因此，通过经过构件形成，从而如图3的(A)所示，在无机层14和玻璃基板18之间形成脆弱层26。即，形成包含支撑基板12、无机层14、脆弱层26、玻璃基板18和电子器件用构件20的玻璃层叠体(带电子器件用构件的层叠体22)。
〔分离工序〕
分离工序为如下工序：从上述构件形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠体22剥离带无机层的支撑基板16(无机层及支撑基板)，得到包含电子器件用构件20和玻璃基板18的电子器件24(带电子器件用构件的玻璃基板)。即，为将带电子器件用构件的层叠体22分离为带无机层的支撑基板16(无机层及支撑基板)和电子器件24的工序。需要说明的是，此时，由于在脆弱层26中发生内聚破坏，所以大多数情况下分离为带无机层的支撑基板16和电子器件24。
剥离时的玻璃基板18上的电子器件用构件20为形成必要的全部构成构件的一部分时，也可以在分离后，在玻璃基板18上形成剩余的构成构件。
分离为带无机层的支撑基板16和电子器件24的方法没有特别限定。例如，可以在位于无机层14和玻璃基板18之间的脆弱层26附近***锐利的刀具状物体，赋予剥离的起点，然后吹送水和压缩空气的混合流体等而进行剥离。优选的是，以带电子器件用构件的层叠体22的支撑基板12为上侧、电子器件用构件20侧为下侧的方式设置于平台上，使电子器件用构件20侧真空吸附于平台上(两面层叠有支撑基板的情况下依次进行)，在该状态下，首先使刀具侵入脆弱层26附近。并且，之后将支撑基板12侧用多个真空吸盘进行吸附，从***了刀具的位置附近依次使真空吸盘上升。如此，在脆弱层26发生内聚破坏，能够容易地剥离带无机层的支撑基板16。
剥离电子器件24时的剥离强度没有特别限制，从工业上的方面出发，优选为2.0N/25mm以下、更优选为1.2N/25mm以下。
需要说明的是，剥离电子器件24时的剥离强度也可以称为剥离玻璃基板18时的剥离强度。即，从包含支撑基板12、无机层14、脆弱层26和玻璃基板18的玻璃层叠体(根据需要，包含电子器件用构件20)11剥离玻璃基板18时的剥离强度优选为上述范围。
需要说明的是，本说明书中，剥离强度可以通过后述的实施例1记载的剥离试验而求出。
通过上述工序得到的电子器件24适合于制造移动电话、智能手机、平板型PC等移动终端所使用的小型显示装置。显示装置主要为LCD或OLED，作为LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的***示装置的情况下均可以应用。
需要说明的是，可以在通过上述步骤而分离的带无机层的支撑基板16上层叠新的玻璃基板18，作为新的玻璃层叠体10。
实施例
以下，通过实施例等具体地说明本发明，但本发明不受这些例子的限定。
以下的实施例及比较例中，作为玻璃基板，使用由无碱硼硅酸盐玻璃形成的玻璃板(长100mm、宽100mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。
另外，作为支撑基板，使用同样由无碱硼硅酸盐玻璃形成的玻璃板(长100mm、宽100mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。
需要说明的是，作为玻璃基板及支撑基板使用的无碱硼硅酸盐玻璃的组成(氧化物基准的质量百分率表示)如下所述。
SiO2：59.8％
Al2O3：17.2％
B2O3：7.9％
MgO：3.3％
CaO：4.0％
SrO：7.7％
BaO：0.1％
〈实施例1〉
对支撑基板的一个主面进行纯水清洗，然后进行碱清洗从而洁净化。在无机层的形成中使用真空蒸镀装置(昭和真空株式会社制造、SEC-16CM)。蒸镀源使用MgF2(镁氟化物)的颗粒，排气至10-5Torr以下之后在室温下进行成膜。无机层的厚度通过将晶体振荡器作为膜厚传感器的膜厚监视器、以及触针式膜厚计而测得(以下同样)。在经洁净化的面上利用蒸镀法形成厚度30nm的MgF2层(相当于无机层)，得到玻璃层叠体A1用的带无机层的支撑基板。
所得的带无机层的支撑基板的无机层的第1主面的表面粗糙度(Ra)为0.3nm。需要说明的是，表面粗糙度(Ra)使用AFM(型号：L-trace(Nanonavi)、Hitachi High-Technologies Corporation制造)，根据JIS B 0601(2001年修订)进行测定(以下同样)。
接着，对所得的带无机层的支撑基板的无机层的第1主面实施碱处理。具体而言，首先，用40℃的氢氧化钾水溶液(氢氧化钾3质量％、pH12以上)对无机层的第1主面进行喷淋清洗。接着，利用25℃的纯水充分去除氢氧化钾水溶液。之后，通过气压去除纯水。由此，使无机层的第1主面的水接触角为4°。
需要说明的是，水接触角使用协和界面科学株式会社制造的接触角计CA-X型、根据JIS R 3257：1999进行测定(以下同样)。
接着，对玻璃基板的一个主面进行纯水清洗，然后进行碱清洗从而洁净化。接着，将带无机层的支撑基板的无机层的第1主面和玻璃基板的经过洁净化的第1主面在室温下通过真空加压进行贴合，得到玻璃层叠体A1。
需要说明的是，从碱处理后直至玻璃基板的层叠为止的时间为5分钟。
所得的玻璃层叠体A1中，带无机层的支撑基板和玻璃基板未产生气泡地密合，也没有变形缺陷，平滑性也良好。
对于玻璃层叠体A1，在氮气气氛下、以550℃实施10分钟加热处理。由此，在无机层和玻璃基板之间形成脆弱层。脆弱层的厚度为140nm。需要说明的是，脆弱层的厚度使用扫描型电子显微镜进行测定(以下同样)。
接着，进行以下的剥离试验，测定玻璃基板的剥离强度(N/25mm)。
测定方法如下：准备宽25mm·长70mm的玻璃层叠体A1，使用Autograph AG-20/50kNXDplus(岛津制作所)进行玻璃基板的剥离。
此时，在加热处理后的玻璃层叠体A1的脆弱层附近***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，形成剥离的起点部，然后将玻璃基板完全固定，提升支撑基板，由此进行强度的测定。需要说明的是，剥离速度为30mm/min。将检测到载荷的地点设为0，将从该位置提升2.0mm的位置的剥离强度作为测定值。此时的剥离强度为0.18N/25mm。需要说明的是，由该结果确认了无机层与支撑基板的层的界面的剥离强度大于无机层与玻璃基板的界面的剥离强度。
在该剥离时，脆弱层发生内聚破坏。确认了剥离的带无机层的支撑基板中的无机层的第1主面上附着有内聚破坏了的脆弱层。于是，针对无机层的第1主面上附着的脆弱层，测定脆弱层中的Al与Si的原子比Y(Al/Si)，结果其值为0.48。
同样地，测定玻璃基板中的Al与Si的原子比X(Al/Si)，结果其值为0.19。
因此，原子比Y相对于原子比X之比(Y/X)为2.53(对小数点后第三位进行四舍五入)。
需要说明的是，原子比的测定使用X射线光电子能谱装置(PHI5000VersaProbe、ULVAC-PHI公司制)(以下同样)。
〈实施例2～3〉
按照以下的步骤分别制造CeF3(铈氟化物)层(实施例2)、或SnO2·F(氟掺杂氧化锡)层(实施例3)代替形成MgF2层，除此之外，按照与实施例1同样的步骤制造玻璃层叠体A2～A3。
《CeF3层的制作步骤》
对支撑基板的一个主面进行纯水清洗，之后进行碱清洗从而洁净化。进而，在经过洁净化的面上利用蒸镀法形成厚度30nm的CeF3层(相当于无机层)，得到玻璃层叠体A2用的带无机层的支撑基板。(实施例2)
《SnO2·F层的制作步骤》
对支撑基板的一个主面进行纯水清洗，之后进行碱清洗从而洁净化。进而，对经过洁净化的面利用大气压热CVD法、在550℃下同时吹送单丁基三氯化锡(MBTC)、H2O、O2及HF，形成厚度10nm的SnO2·F层(相当于无机层)，得到玻璃层叠体A3用的带无机层的支撑基板。(实施例3)
所得的玻璃层叠体A2～A3中，带无机层的支撑基板和玻璃基板未产生气泡地密合，也没有变形缺陷，平滑性也良好。
对于玻璃层叠体A2～A3，按照与实施例1同样的步骤实施加热处理。由此，在无机层和玻璃基板之间形成脆弱层。接着，与实施例1同样地操作，实施加热处理后的玻璃基板的剥离，结果能够剥离(分离)为带无机层的支撑基板和玻璃基板。
在该剥离时，脆弱层发生内聚破坏。确认了在剥离的带无机层的支撑基板中的无机层的第1主面上附着有内聚破坏了的脆弱层。于是，在实施例2～3中，也与实施例1同样地操作，测定脆弱层的原子比Y(Al/Si)、玻璃基板的原子比X(Al/Si)、及原子比Y相对于原子比X之比(Y/X)。
另外，与实施例1同样地操作，测定剥离玻璃基板时的剥离强度(单位：N/25mm)。
将结果均示于下述表1。
〈比较例1〉
按照以下的步骤制作CeO2(氧化铈)代替MgF2层，除此之外，按照与实施例1同样的步骤，制造玻璃层叠体B1。
《CeO2层的制作步骤》
对支撑基板的一个主面进行纯水清洗，之后进行碱清洗从而洁净化。进而，在经过洁净化的面上利用磁控溅射法形成厚度30nm的CeO2层，得到玻璃层叠体B1用的带无机层的支撑基板。
所得的玻璃层叠体B1中，带无机层的支撑基板和玻璃基板未产生气泡地密合，也没有变形缺陷，平滑性也良好。
对于玻璃层叠体B1，按照与实施例1同样的步骤实施加热处理，在所得的玻璃层叠体B1中，带无机层的支撑基板和玻璃基板在部分产生气泡的同时密合。可是，加热处理后的玻璃层叠体B1中，在无机层和玻璃基板之间未确认到脆弱层的形成。
接着，对于加热处理后的玻璃层叠体B1，按照与实施例1同样的步骤，***刀具并尝试玻璃基板的剥离，但无法剥离玻璃基板。
〈比较例2〉
按照以下的步骤制作ITO(氧化铟锡层)代替MgF2层，除此之外，按照与实施例1同样的步骤制造玻璃层叠体B2。
《ITO层的制作步骤》
对支撑基板的一个主面进行纯水清洗，之后进行碱清洗从而洁净化。进而，在经过洁净化的面上利用磁控溅射法(加热温度300℃、成膜压力5mTorr、功率密度4.9W/cm2)形成厚度30nm的ITO层(氧化铟锡层)，得到玻璃层叠体B2用的带无机层的支撑基板。
所得的玻璃层叠体B2中，带无机层的支撑基板和玻璃基板未产生气泡地密合，也没有变形缺陷，平滑性也良好。
对于玻璃层叠体B2，按照与实施例1同样的步骤实施加热处理，所得的玻璃层叠体B2中，带无机层的支撑基板和玻璃基板在部分产生气泡的同时密合。可是，在加热处理后的玻璃层叠体B2中，在无机层和玻璃基板之间未确认到脆弱层的形成。
接着，对于加热处理后的玻璃层叠体B2，按照与实施例1同样的步骤，***刀具并尝试玻璃基板的剥离，但无法剥离玻璃基板。
将上述实施例1～3及比较例1～2的结果归纳示于以下的表1。
需要说明的是，实施例1～3中，根据上述玻璃基板的剥离的结果，确认了无机层与支撑基板的层的界面的剥离强度大于无机层与玻璃基板的界面的剥离强度。
以下的表1中，“无机层”的“种类”的栏中记载了在支撑基板上配置(固定)的无机层的种类，在“熔点”的栏中记载了其熔点。
另外，以下的表1中，关于比(Y/X)的栏中，未确认到脆弱层的形成的情况记为“-”。
另外，以下的表1中，“评价”的“层叠性”的栏中记载了制作玻璃层叠体时的结果。带无机层的支撑基板和玻璃基板未产生气泡地密合、也没有变形缺陷、平滑性也良好的情况下，作为层叠性优异的玻璃层叠体记为“○”，除此以外的玻璃层叠体记为“×”。
另外，以下的表1中，“评价”的“剥离性”的栏中，加热处理后能够剥离玻璃基板的情况下，作为剥离性优异的玻璃层叠体记为“○”，无法剥离的情况下，作为剥离性差的玻璃层叠体记为“×”。
另外，以下的表1中，“评价”的“剥离强度”的栏中，没有测定剥离强度的情况记为“-”。
[表1]
表1
如表1所示，实施例1～3中，支撑基板上的无机层和玻璃基板的层叠性优异，并且高温条件下的处理后的玻璃层叠体能够容易地剥离玻璃基板。
与此相对，使用CeO2层或ITO层作为无机层的比较例1及2虽然层叠性良好，但剥离性差。
〈实施例4〉
本例中，使用实施例1中制造的、加热处理前的玻璃层叠体A1制作OLED。需要说明的是，作为以下的工艺中的加热处理温度，实施400℃以上的处理。
更具体而言，在玻璃层叠体A1中的玻璃基板的第2主面上利用溅射法将钼成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，利用等离子体CVD法在设有栅电极的玻璃基板的第2主面侧进一步按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序成膜，接着，通过溅射法将钼成膜，通过使用光刻法的蚀刻，形成栅极绝缘膜、半导体元件部及源极/漏极。接着，利用等离子体CVD法在玻璃基板的第2主面侧进一步将氮化硅成膜而形成钝化层，然后通过溅射法将氧化铟锡成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
接着，在玻璃基板的第2主面侧进一步利用蒸镀法，将作为空穴注入层的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、作为空穴传输层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40体积％而成的物质、作为电子传输层的Alq3依次成膜。接着，通过溅射法在玻璃基板的第2主面侧上将铝成膜，通过使用光刻法的蚀刻，形成对电极。接着，在形成了对电极的玻璃基板的第2主面上借助紫外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板并密封。通过上述步骤得到的、在玻璃基板上具有有机EL结构体的玻璃层叠体相当于带电子器件用构件的层叠体。
接着，使所得的玻璃层叠体的密封体侧真空吸附于平台，然后，在玻璃层叠体的角部的脆弱层附近***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，将带无机层的支撑基板分离，得到OLED面板(相当于电子器件，以下称为面板A)。在制作的面板A上连接IC驱动，在常温常压下使其驱动，结果在驱动区域内未确认到显示不均。
〈实施例5〉
本例中，使用实施例1中制造的、加热处理前的玻璃层叠体A1来制作LCD。需要说明的是，作为以下的工艺中的加热处理温度，实施400℃以上的处理。
准备2张玻璃层叠体A1，首先，在一张玻璃层叠体A1中的玻璃基板的第2主面上，利用溅射法将钼成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，利用等离子体CVD法，在设有栅电极的玻璃基板的第2主面侧进一步将氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅依次成膜，接着利用溅射法将钼成膜，通过使用光刻法的蚀刻，形成栅极绝缘膜、半导体元件部及源极/漏极。接着，利用等离子体CVD法，在玻璃基板的第2主面侧进一步将氮化硅成膜，形成钝化层后，利用溅射法将氧化铟锡成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。接着，在形成了像素电极的玻璃基板的第2主面上利用辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，进行摩擦。将所得的玻璃层叠体称为玻璃层叠体X1。
接着，在另一张玻璃层叠体A1中的玻璃基板的第2主面上利用溅射法将铬成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成遮光层。接着，在设有遮光层的玻璃基板的第2主面侧进一步利用模涂法涂布彩色抗蚀剂，通过光刻法及热固化形成滤色器层。接着，在玻璃基板的第2主面侧进一步利用溅射法将氧化铟锡成膜，形成对电极。接着，在设有对电极的玻璃基板的第2主面上利用模涂法涂布紫外线固化树脂液，通过光刻法及热固化形成柱状间隔物。接着，在形成有柱状间隔物的玻璃基板的第2主面上，利用辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，进行摩擦。接着，在玻璃基板的第2主面侧利用分配器法将密封用树脂液描绘为框状，在框内利用分配器法滴加液晶，然后使用上述玻璃层叠体X1，将2张玻璃层叠体的玻璃基板的第2主面侧彼此贴合，通过紫外线固化及热固化得到具有LCD面板的层叠体。以下，将此处的具有LCD面板的层叠体称为带面板的层叠体X2。
接着，与实施例1同样地从带面板的层叠体X2剥离两面的带无机层的支撑基板，得到包含形成了TFT阵列的基板及形成了滤色器的基板的LCD面板B(相当于电子器件)。
在制作的LCD面板B上连接IC驱动，在常温常压下使其驱动，结果在驱动区域内未确认到显示不均。
详细地且参照特定的实施方式说明了本发明，但对于本领域技术人员显而易见的是在不脱离本发明的主旨和范围的情况下可以加以各种变更、修正。本申请基于2014年4月25日申请的日本专利申请(特愿2014-091460)，将其内容作为参照引入其中。
附图标记说明
10 玻璃层叠体
11 玻璃层叠体
12 支撑基板
14 无机层
14a 第1主面(无机层的与支撑基板侧处于相反侧的表面)
16 带无机层的支撑基板
18 玻璃基板
18a 第1主面(玻璃基板的无机层侧的表面)
18b 第2主面(玻璃基板的与无机层侧处于相反侧的表面)
20 电子器件用构件
22 带电子器件用构件的层叠体
24 电子器件(带电子器件用构件的玻璃基板)
26 脆弱层

Claims (10)

1.一种玻璃层叠体，其具有：
带无机层的支撑基板，其具有支撑基板及配置在所述支撑基板上的无机层；和
可剥离地层叠在所述无机层上的玻璃基板，
所述无机层包含：含有F的含F无机层。
2.一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基板、无机层、脆弱层及玻璃基板，
所述无机层包含：含有F的含F无机层，
所述脆弱层为含有Al及Si的无机层，
所述脆弱层中的Al与Si的原子比Y(Al/Si)相对于所述玻璃基板中的Al与Si的原子比X(Al/Si)之比(Y/X)为1.2以上。
3.根据权利要求2所述的玻璃层叠体，其中，剥离所述玻璃基板时的剥离强度为2.0N/25mm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述含F无机层含有选自由金属氟化物及氟掺杂金属氧化物组成的组中的至少1种。
5.根据权利要求4所述的玻璃层叠体，其中，所述金属氟化物的熔点为800℃以上。
6.根据权利要求4或5所述的玻璃层叠体，其中，所述金属氟化物包含选自由碱金属、碱土金属、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及镧系元素组成的组中的至少1种元素。
7.根据权利要求4所述的玻璃层叠体，其中，所述氟掺杂金属氧化物为氟掺杂氧化锡。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述无机层的表面粗糙度为2nm以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述支撑基板为玻璃板。
10.一种电子器件的制造方法，其具备如下工序：
构件形成工序，在权利要求1～9中任一项所述的玻璃层叠体具备的所述玻璃基板的与所述无机层侧处于相反侧的表面上形成电子器件用构件，从而得到带电子器件用构件的层叠体；
分离工序，从所述带电子器件用构件的层叠体剥离所述无机层及所述支撑基板，从而得到具有所述玻璃基板及所述电子器件用构件的电子器件。
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