CN104626664B - 玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法 - Google Patents

玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法。通过玻璃层叠体的制造方法获得玻璃层叠体，该玻璃层叠体包括：带无机层的支承基板，具有支承基板和配置于支承基板的无机层；玻璃基板，能剥离地层叠于无机层，玻璃层叠体的制造方法包括：层叠工序，将玻璃基板层叠于无机层；加热处理工序，在层叠工序后进行加热处理，无机层含有从由碳化硅、碳氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅构成的组中选的至少1种，加热处理满足以下(a)～(d)的条件：(a)升温速度：300℃/分钟以下；(b)加热温度：150℃～600℃；(c)保持时间：0.5分钟以上；(d)气氛：大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛。

Description

玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子器件(电子设备)的薄型化、轻量化正在推进，从而使这些电子器件所使用的玻璃基板的薄板化也正在推进。另一方面，当因薄板化而导致玻璃基板的强度不足时，在电子器件的制造工序中会使玻璃基板的处理性降低。
因此，最近，从提高玻璃基板的处理性的观点考虑而提出如下一种方法：准备将玻璃基板层叠在带无机薄膜的支承玻璃的无机薄膜上而成的层叠体，在层叠体的玻璃基板上实施元件的制造处理，之后，使玻璃基板与层叠体分离(专利文献1)。
专利文献1：日本国特开2011－184284号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明者们在专利文献1的基础上对配置在支承基板(支承玻璃)上的无机层(无机薄膜)进行了研究。结果发现，在作为无机层的组成而采用没有在专利文献1中具体记载的特定的组成的情况下，在将无机层上的玻璃基板剥离时的剥离性优异。
另外，在专利文献1所记载的方法中，在层叠后进行加热处理。因此，本发明者们在将玻璃基板层叠在使用所述特定的组成的无机层上之后，在专利文献1所具体记载的条件下进行了加热处理。结果发现，在对进行了该加热处理后的层叠体实施切割折断(日文：切り折り)、研磨时，有时无法维持层叠状态。在该情况下，在进行了该加热处理的层叠体的玻璃基板上形成电子器件用构件时，玻璃基板会发生剥落，这可能使获得的电子器件产生不良情况。
本发明是考虑到以上问题点而做出的，其目的在于，提供使配置在支承基板上的无机层与玻璃基板之间的层叠维持性优异的玻璃层叠体的制造方法和使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明者们为了实现所述目而进行了深入研究，结果发现，在作为无机层的组成而采用特定的组成的情况下，通过在将玻璃基板层叠在无机层上之后在特定的条件下进行加热处理，能够维持无机层与玻璃基板之间的层叠状态，由此完成了本发明。
即，本发明提供以下的技术方案(1)～技术方案(4)。
技术方案(1)提供一种玻璃层叠体的制造方法，通过该制造方法获得玻璃层叠体，该玻璃层叠体包括：带无机层的支承基板，其具有支承基板和配置在所述支承基板上的无机层；以及玻璃基板，其以能够剥离的方式层叠在所述无机层上，其中，该玻璃层叠体的制造方法包括以下工序：层叠工序，将所述玻璃基板层叠在所述无机层上；以及加热处理工序，在所述层叠工序之后进行加热处理，所述无机层含有从由碳化硅、碳氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅构成的组中选取的至少1种材料，所述加热处理满足下述(a)～下述(d)的条件：
(a)升温速度：300℃/分钟以下；(b)加热温度：150℃～600℃；(c)保持时间：0.5分钟以上；以及(d)气氛：大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛。
技术方案(2)是根据所述技术方案(1)所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，所述(a)升温速度为200℃/分钟以下。
技术方案(3)是根据所述技术方案(1)或技术方案(2)所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，所述支承基板为玻璃基板。
技术方案(4)提供一种电子器件的制造方法，其中，该电子器件的制造方法包括以下工序：构件形成工序，在通过所述技术方案(1)～技术方案(3)中任一项所述的玻璃层叠体的制造方法获得的玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子器件用构件而获得带电子器件用构件的层叠体；以及分离工序，将所述带无机层的支承基板自所述带电子器件用构件的层叠体剥离而获得具有所述玻璃基板和所述电子器件用构件的电子器件。
发明的效果
采用本发明，能够提供使配置在支承基板上的无机层与玻璃基板之间的层叠维持性优异的玻璃层叠体的制造方法和使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
图2的(A)和图2的(B)是本发明的电子器件的制造方法的工序图。
图3是表示剥离性的评价方法的示意性剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的玻璃层叠体和电子器件的制造方法的优选形态，但本发明并不限定于以下的实施方式，而能够在不脱离本发明的范围内对以下的实施方式施加各种变形和替换。
通过本发明的玻璃层叠体的制造方法获得的玻璃层叠体大体上是使采用了特定的组成无机层介于支承基板与玻璃基板之间而构成的，由此，即使在进行高温条件下的处理后，无机层与玻璃基板之间的剥离性也优异。
以下，首先，详细叙述玻璃层叠体的优选实施方式，之后，详细叙述该玻璃层叠体的制造方法和使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法的优选实施方式。
玻璃层叠体
图1是本发明的玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
如图1所示，玻璃层叠体10具有带无机层的支承基板16和玻璃基板18，该带无机层的支承基板16由支承基板12和无机层14构成。在玻璃层叠体10中，将带无机层的支承基板16的无机层14的无机层表面14a(与支承基板12侧相反的一侧的表面)和玻璃基板18的第1主表面18a作为层叠面而将带无机层的支承基板16和玻璃基板18以能够剥离的方式层叠起来。也就是说，无机层14的一侧的面固定在支承基板12上，并且其另一侧的面与玻璃基板18的第1主表面18a相接触，无机层14与玻璃基板18之间的界面是以能够剥离的方式密合的。换言之，无机层14相对于玻璃基板18的第1主表面18a具备易剥离性。
另外，使用该玻璃层叠体10直至后述的构件形成工序为止。即，使用该玻璃层叠体10直至在该玻璃基板18的第2主表面18b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件为止。之后，带无机层的支承基板16在与玻璃基板18之间的界面处被剥离，带无机层的支承基板16不成为构成电子器件的构件。被分离的带无机层的支承基板16能够与新的玻璃基板18层叠，并能够作为新的玻璃层叠体10而被再利用。
在本发明中，所述固定与(能够剥离的)密合在剥离强度(即剥离所需的应力)上不同，是指固定的剥离强度比密合的剥离强度大。具体而言，无机层14与支承基板12之间的界面的剥离强度大于玻璃层叠体10中的无机层14与玻璃基板18之间的界面的剥离强度。
另外，能够剥离的密合是指能够剥离，并且还指能够在不使固定着的面发生剥离的前提下进行剥离。也就是说，指的是，在本发明的玻璃层叠体10中，在进行了使玻璃基板18与支承基板12分离的操作的情况下，在密合着的面(无机层14与玻璃基板18之间的界面)发生剥离，在固定着的面不发生剥离。因而，在进行将玻璃层叠体10分离成玻璃基板18和支承基板12的操作时，玻璃层叠体10被分离成玻璃基板18和带无机层的支承基板16这两部分。
以下，首先，详细叙述构成玻璃层叠体10的带无机层的支承基板16和玻璃基板1，之后，详细叙述玻璃层叠体10的制造步骤(本发明的玻璃层叠体的制造方法)。
带无机层的支承基板
带无机层的支承基板16包括支承基板12和配置(固定)在支承基板12的表面上的无机层14。无机层14以能够剥离的方式与后述的玻璃基板18相密合地配置于带无机层的支承基板16中的最外侧。
以下，详细叙述支承基板12和无机层14的实施方式。
支承基板
支承基板12是如下那样的基板：其具有第1主表面和第2主表面并与配置在第1主表面上的无机层14配合来支承并增强玻璃基板18，并在后述的构件形成工序(制造电子器件用构件的工序)中防止电子器件用构件的制造时玻璃基板18的变形、刮伤、破损等。
作为支承基板12，能够使用例如玻璃板、塑料板、以及SUS板等金属板等。支承基板12在构件形成工序伴有热处理的情况下，优选由与玻璃基板18之间的线膨胀系数之差较小的材料形成，更优选由与玻璃基板18相同的材料形成。即，支承基板12优选为玻璃板。支承基板12特别优选为由与玻璃基板18相同的玻璃材料构成的玻璃板。
支承基板12的厚度既可以比后述的玻璃基板18厚，也可以比后述的玻璃基板18薄。优选的是，基于玻璃基板18的厚度、无机层14的厚度以及后述的玻璃层叠体10的厚度来选择支承基板12的厚度。例如在当前的构件形成工序中设计为对厚度为0.5mm的基板进行处理、且玻璃基板18的厚度与无机层14的厚度之和为0.1mm的情况下，则将支承基板12的厚度设为0.4mm。在通常的情况下，支承基板12的厚度优选为0.2mm～5.0mm。
在支承基板12是玻璃板的情况下，从容易处理、不易产生裂纹等方面考虑，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。另外，从期望玻璃板具有在形成电子器件用构件之后进行剥离时玻璃板能够适度地挠曲而不产生裂纹那样的刚性的方面考虑，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
无机层
无机层14是配置(固定)在支承基板12的第1主表面上而与玻璃基板18的第1主表面18a相接触的层。在本发明中，含有从由碳化硅(以下，也标记成“SiC”)、碳氧化硅(以下，也标记成“SiCO”)、氮化硅(以下，也标记成“SiN”)以及氮氧化硅(以下，也标记成“SiNO”)构成的组中选取的至少1种材料作为无机层14的组成。此外，无机层14的组成能够通过X射线光电子能谱法(XPS)来测定。
通过将这样的无机层14设置在支承基板12上，即使在高温条件下的长时间处理后，也能够抑制无机层14与玻璃基板18之间的粘接，从而剥离性优异。其理由尚不明确，但可以认为，其原因在于，通过使Si与C或N之间的电负性之差较小，从而不易使无机层与玻璃基板之间的化学结合产生从较弱的结合向较强的结合转换。
另外，在本发明中，无机层表面14a的表面粗糙度Ra优选为2.00nm以下，更优选为1.00nm以下，从层叠性和剥离性的观点考虑，进一步优选为0.20nm～1.00nm。此外，Ra(算术平均粗糙度)是根据日本工业标准JIS B 0601(2001年修订)进行测定的。日本工业标准JISB 0601(2001年修订)的内容作为参照而在此引入。
无机层14在25℃～300℃下的平均线膨胀系数(以下，仅称作“平均线膨胀系数”)不受特别限定，在将玻璃板用作支承基板12的情况下，无机层14的平均线膨胀系数优选为10×10-7/℃～200×10-7/℃。只要无机层14的平均线膨胀系数在该范围内，就会使无机层14与玻璃板(SiO2)之间的平均线膨胀系数之差变小，能够抑制玻璃基板18与带无机层的支承基板16之间在高温环境下发生错位。
无机层14优选含有从由所述SiC、SiCO、SiN以及SiNO构成的组中选取的至少1种材料作为主要成分。在此，主要成分是指，相对于无机层14总量而言，这些成分的总含有量为90质量％以上，优选为98质量％以上，更优选为99质量％以上，特别优选为99.999质量％以上。
作为无机层14的厚度，从耐擦伤性的观点考虑，优选为5nm～5000nm，更优选为10nm～500nm。
在图1中，无机层14被记载成单层，但无机层14也可以层叠两层以上。在层叠两层以上的情况下，无机层14也可以为各层互不相同的组成。另外，在该情况下，“无机层的厚度”是指所有层的合计厚度。
通常，无机层14如图1所示那样设于支承基板12的整个面，但在不影响本发明的效果的范围内，无机层14也可以设于支承基板12表面上的一部分。例如，无机层14也可以以岛状、条纹状设置在支承基板12表面上。
无机层14示出优异的耐热性。因此，即使将玻璃层叠体10暴露在高温条件下，也不易引起无机层本身的化学变化，在无机层14与后述的玻璃基板18之间也不易产生化学结合，从而不易产生重剥离化(日文：重剥離化)所导致的无机层14附着于玻璃基板18的情况。
在此，重剥离化是指，无机层14与玻璃基板18之间的界面的剥离强度大于支承基板12与无机层14之间的界面的剥离强度和无机层14的材料本身的强度(块强度：bulkstrength)中的任一个强度。若在无机层14与玻璃基板18之间的界面产生重剥离化，则无机层14的成分容易附着于玻璃基板18表面而容易使玻璃基板18的表面的洁净化变得困难。无机层14附着于玻璃基板18表面是指，整个无机层14附着于玻璃基板18表面和无机层14表面发生损伤而使无机层14表面的成分的一部分附着于玻璃基板18表面等情况。
带无机层的支承基板的制造方法
作为带无机层的支承基板16的制造方法，能够采用例如蒸镀法、溅射法或CVD法等方法，在为溅射法的情况下，具体而言，例如，可列举出如下方法：一边使用SiC靶材或SiN靶材并导入Ar等非活性气体或者非活性气体和O2或CO2等含氧原子气体的混合气体，一边在支承基板12上设置无机层14。此外，作为制造条件，能够根据所使用的材料等而适当地选择最佳条件。
另外，在支承基板12上形成无机层14之后，为了控制无机层表面14a的表面粗糙度Ra，能够实施对无机层14的表面进行平整(日文：削る)的处理。作为该处理，可列举出例如离子溅射法等。
玻璃基板
玻璃基板18在其第1主表面18a与无机层14密合，并在与无机层14侧相反的一侧的第2主表面18b上设有后述的电子器件用构件。
关于玻璃基板18的种类，其可以为通常的玻璃基板，可列举出例如LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐化学药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率较低。作为热收缩率的指标，能够使用日本工业标准JIS R 3102(1995年修正)中规定的线膨胀系数。日本工业标准JIS R 3102(1995年修订)的内容作为参照在此引入。
玻璃基板18能够通过将玻璃原料熔融、将熔融玻璃成形为板状而得到。这种成形方法可以为通常的成形方法，能够使用例如浮法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法(fourcault process)、机械吹筒法(Labbers process)等。另外，尤其厚度较薄的玻璃基板是利用将暂时成形为板状的玻璃加热至可成形的温度、并通过拉伸等方法进行拉伸而使其变薄的方法(平拉法)成形而得到的。
对玻璃基板18的玻璃没有特别限定，优选为无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、以及其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选为基于氧化物换算的氧化硅的含量为40质量％～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板18的玻璃，能够采用适合器件的种类、其制造工序的玻璃。例如，液晶面板用的玻璃基板由于碱金属成分的溶出而容易对液晶产生影响，因此由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)构成(其中，通常包括碱土金属成分)。这样，玻璃基板18的玻璃能够基于所适用的器件的种类和其制造工序来适当地选择。
玻璃基板18的厚度不受特别限定，但从玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板18的厚度通常为0.8mm以下，优选为0.3mm以下，进一步优选为0.15mm以下。在玻璃基板18的厚度大于0.8mm的情况下，不能满足玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的要求。在玻璃基板18的厚度为0.3mm以下的情况下，能够赋予玻璃基板18良好的挠性。在玻璃基板18的厚度为0.15mm以下的情况下，能够将玻璃基板18卷成卷状。另外，从使玻璃基板18的制造容易、玻璃基板18的处理容易等方面考虑，玻璃基板18的厚度优选为0.03mm以上。
此外，玻璃基板18也可以由两层以上的材料构成，在该情况下，形成各层的材料既可以是同种类的材料，也可以是不同种类的材料。另外，在该情况下，“玻璃基板的厚度”是指所有层的合计厚度。
也可以在玻璃基板18的第1主表面18a上进一步层叠无机薄膜层。
在无机薄膜层配置(固定)在玻璃基板18上的情况下，在玻璃层叠体中，带无机层的支承基板16的无机层14与无机薄膜层相接触。通过将无机薄膜层设置在玻璃基板18上，即使在高温条件下的长时间处理后，也能够进一步抑制玻璃基板18与带无机层的支承基板16之间的粘接。
无机薄膜层的实施方式不受特别限定，但优选的是，无机薄膜层含有从由金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳化物、金属碳氮化物、金属硅化物以及金属氟化物构成的组中选取的至少1种材料。其中，从使玻璃基板18的剥离性更优异的方面考虑，无机薄膜层优选含有金属氧化物，更优选含有氧化铟锡。
作为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物，可列举出例如从Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In以及Ba中选取的1种以上的元素的氧化物、氮化物、氮氧化物。更具体而言，可列举出氧化钛(TiO2)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga2O3)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)以及掺镓氧化锌(GZO)等。
作为金属碳化物、金属碳氮化物，可列举出例如从Ti、W、Si、Zr、Nb中选取的1种以上的元素的碳化物、碳氮化物。作为金属硅化物，可列举出例如从Mo、W、Cr中选取的1种以上的元素的硅化物。作为金属氟化物，可列举出例如从Mg、Y、La、Ba中选取的1种以上的元素的氟化物。
玻璃层叠体
本发明的玻璃层叠体10是将所述带无机层的支承基板16的无机层表面14a和玻璃基板18的第1主表面18a作为层叠面而将带无机层的支承基板16和玻璃基板18以能够剥离的方式层叠而成的层叠体。换言之，本发明的玻璃层叠体10是无机层14介于支承基板12与玻璃基板18之间的层叠体。
玻璃层叠体的制造方法
层叠工序
本发明的玻璃层叠体的制造方法具有将玻璃基板18层叠在无机层14上的层叠工序。在此，作为层叠玻璃基板18的方法，其不受特别限定，具体而言，可列举出如下方法：在常压环境下将带无机层的支承基板16和玻璃基板18重叠之后，例如在玻璃基板18的自重的作用下或通过在一处对玻璃基板18的第2主表面18b轻压，从而使重叠面内产生密合起点，使密合自该密合起点起自然地扩展；使用辊、压板将带无机层的支承基板16和玻璃基板18压接起来而使密合自密合起点起扩展等。利用辊、压板进行压接，除了使无机层14和玻璃基板18进一步密合，还能够较容易地将混入无机层14与玻璃基板18之间的气泡去除，故此优选。
此外，若通过真空叠压法、真空压制法进行压接，则能够较佳地抑制气泡混入、确保良好的密合，因此是更优选的。通过在真空条件下进行压接，还具有如下这样的优点：在残留有微小的气泡的情况下，气泡也不因加热而变大，从而不易导致应变缺陷。
在使带无机层的支承基板16与玻璃基板18以能够剥离的方式密合时，优选的是，充分清洗无机层14和玻璃基板18的相互接触的一侧的面，并在洁净度较高的环境下将它们层叠起来。由于洁净度越高平坦性越好，故此优选。
清洗的方法不受特别限定，可列举出例如在用碱性水溶液清洗无机层14或玻璃基板18的表面之后使用水来进一步进行清洗的方法。
加热处理工序
本发明的玻璃层叠体的制造方法在层叠工序之后具有进行加热处理的加热处理工序，该加热处理满足下述(a)～下述(d)的条件：
(a)升温速度：300℃/分钟以下；
(b)加热温度：150℃～600℃；
(c)保持时间：0.5分钟以上；以及
(d)气氛：大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛。
在带无机层的支承基板16具有采用了所述组成的无机层14的情况下，通过实施满足(a)～(d)的条件的加热处理，从而使层叠维持性优异。可以认为，其原因在于，在层叠工序中作用于无机层14与玻璃基板18之间的界面的是较弱的分子间力(例如，范德华力、氢键等)，另一方面，若在所述(a)～(d)的条件的范围内施加适当的热，则除了该分子间力之外，还在界面处产生适度的氧扩散反应，由此提高粘接力。
若(a)升温速度超过300℃/分钟，则层叠维持性较差，只要升温速度为300℃/分钟以下，层叠维持性就优异。从使加热中途的局部剥落较少、且使层叠维持状态在面内均匀和使层叠维持性更优异的方面考虑，(a)升温速度优选为250℃/分钟以下，更优选为200℃/分钟以下，进一步优选为100℃/分钟以下。另外，(a)升温速度优选为0.1℃/分钟以上。
(b)加热温度是在以所述(a)的升温速度进行升温之后所保持的温度，若小于150℃，则层叠维持性较差，只要在150℃～600℃的范围内，层叠维持性就优异且剥离性也优异。从使层叠维持性更优异的方面考虑，(b)加热温度优选为200℃以上，更优选为250℃～350℃。
(c)保持时间是保持所述(b)的加热温度的时间，若小于0.5分钟(30秒)，则层叠维持性较差，只要为0.5分钟(30秒)以上，层叠维持性就优异。从使层叠维持性更优异的方面考虑，(c)保持时间优选为1分钟～60分钟，更优选为3分钟～10分钟。
(d)气氛是在所述(a)的条件下进行升温且在所述(b)和(c)的条件下进行加热时的气氛，只要为大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛，就不受特别限定。在此，作为非活性气体，可列举出例如Ar气体、N2气体等。
通过本发明的玻璃层叠体的制造方法获得的玻璃层叠体10能够用作各种用途，可列举出例如制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子零件的用途等。此外，在该用途的情况下，大多将玻璃层叠体10暴露在高温条件(例如350℃以上)下(例如1小时以上)。
在此，显示装置用面板包括：LCD、OLED、电子纸、场发射面板、量子点LED面板、MEMS(Micro E1ectro Mechanica1Systems：微电子机械***)快门面板(日文：シャッターパネル)等。
电子器件和其制造方法
接着，详细叙述电子器件和其制造方法的优选实施方式。
图2是依次表示本发明的电子器件的制造方法的优选实施方式中的各制造工序的示意性剖视图。本发明的电子器件的优选实施方式包括构件形成工序和分离工序。
以下，参照图2详细叙述在各工序中使用的材料和各工序的步骤。首先，详细叙述构件形成工序。
构件形成工序
构件形成工序是在玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件的工序。
更具体而言，如图2的(A)所示，在本工序中，在玻璃基板18的第2主表面18b上形成电子器件用构件20，从而制造带电子器件用构件的层叠体22。
首先，详细叙述在本工序中使用的电子器件用构件20，之后详细叙述工序的步骤。
电子器件用构件(功能性元件)
电子器件用构件20是形成在玻璃层叠体10中的玻璃基板18的第2主表面18b上、并用于构成电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件20，可列举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或者表面形成有电路的半导体晶圆等电子零件等所使用的构件。显示装置用面板包括：有机EL面板、场发射面板等。
例如作为太阳能电池用构件，硅型太阳能电池用构件可列举出作为正极的氧化锡等透明电极、用p层/i层/n层表示的硅层、以及作为负极的金属等，其他类型的太阳能电池用构件能够列举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等相对应的各种构件等。
另外，作为薄膜二次电池用构件，在锂离子型中可列举出作为正极和负极的金属或者金属氧化物等透明电极、作为电解质层的锂化合物、作为集电层的金属、作为密封层的树脂等，其他类型的薄膜二次电池用构件能够列举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等相对应的各种构件等。
另外，作为电子零件用构件，在CCD、CMOS中可列举出作为导电部的金属、作为绝缘部的氧化硅、氮化硅等，其他电子零件用构件能够列举出与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、挠性印刷基板、刚挠性印刷基板等相对应的各种构件等。
工序的步骤
所述带电子器件用构件的层叠体22的制造方法不受特别限定，能够根据电子器件用构件的构成构件的种类利用以往公知的方法在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主表面18b上形成电子器件用构件20。
此外，电子器件用构件20并不是最终形成在玻璃基板18的第2主表面18b上的构件的全部(以下称作“全部构件”)，也可以是全部构件中的一部分(以下称作“部分构件”)。也能够将带部分构件的玻璃基板在之后的工序中作为带全部构件的玻璃基板(与后述的电子器件相当)。另外，也可以在带全部构件的玻璃基板的剥离面(第1主表面)上形成其他电子器件用构件。而且，也能够是，将带全部构件的层叠体组装起来，之后，将带无机层的支承基板16从带全部构件的层叠体剥离，从而制造电子器件。并且，也能够是，使用两张带全部构件的层叠体来组装电子器件，之后，将两张带无机层的支承基板16从带全部构件的层叠体剥离，从而制造具有两张玻璃基板的电子器件。
例如以制造OLED的情况为例，为了在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主表面18b的表面上形成有机EL构造体，而进行如下各种层形成、处理作业：形成透明电极；进而在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层等；形成背面电极；使用密封板进行密封等。作为这些层形成、处理作业，具体而言，可列举出例如成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘接处理等。
另外，，例如TFT－LCD的制造方法具有如下工序等各种工序：TFT形成工序，使用抗蚀液在通过CVD法和溅射法等通常的成膜法形成的金属膜和金属氧化膜上形成图案从而在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主表面18b上形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，使用抗蚀液形成图案，从而在另一玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主表面18b上形成滤色层(CF)；以及贴合工序，将带TFT的装置基板和带CF的装置基板层叠。
在TFT形成工序、CF形成工序中，采用公知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板18的第2主表面18b形成TFT、CF。此时，能够将抗蚀液用作图案形成用的涂敷液。
此外，在形成TFT、CF之前，也可以根据需要对玻璃基板18的第2主表面18b进行清洗。清洗方法能够使用公知的干法清洗、湿法清洗。
在贴合工序中，在带TFT的层叠体与带CF的层叠体之间注入液晶材料来将它们层叠起来。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴下注入法。
分离工序
分离工序是这样的工序：将带无机层的支承基板16从在所述构件形成工序中获得的带电子器件用构件的层叠体22剥离，获得包含电子器件用构件20和玻璃基板18的电子器件24(带电子器件用构件的玻璃基板)。也就是说，分离工序是将带电子器件用构件的层叠体22分离成带无机层的支承基板16和带电子器件用构件的玻璃基板24的工序。
在剥离时玻璃基板18上的电子器件用构件20为所需的所有构成构件的一部分的情况下，也能够在分离之后将其余的构成构件形成在玻璃基板18上。
将无机层14的无机层表面14a和玻璃基板18的第1主表面18a剥离开(分离)的方法不受特别限定。例如能够以如下方式来剥离：将锋利的刃具状构件***无机层14与玻璃基板18之间的界面而给予了剥离的始点，之后，再对该界面吹送水与压缩空气的混合流体。
优选的是，以带电子器件用构件的层叠体22的支承基板12位于上侧、电子器件用构件20侧位于下侧的方式将带电子器件用构件的层叠体22设置在平台上，将电子器件用构件20侧真空吸附在平台上(在两个面均层叠有支承基板的情况下，依次进行)，在该状态下，首先将刃具***无机层14与玻璃基板18之间的界面。而且，之后利用多个真空吸附垫吸附支承基板12侧，并自***了刃具的位置附近依次使真空吸附垫上升。这样一来，，在无机层14与玻璃基板18之间的界面上形成空气层，该空气层扩展到界面的整个面，从而能够容易地将带无机层的支承基板16剥离。
另外，例如，在以使带无机层的支承基板16的一部分自玻璃基板18突出的方式将带无机层的支承基板16层叠于玻璃基板18的情况下，可列举出如下剥离方法：将玻璃基板18固定在固定台(参照后述的图3中的附图标记31)上，如上所述那样给予剥离的始点而将无机层14和玻璃基板18剥离开或者在不给予剥离的始点的情况下使L字型工具(参照后述的图3中的附图标记32)勾住无机层表面14a而将带无机层的支承基板16向远离固定台的方向提起，而将无机层14和玻璃基板18剥离开。
由所述工序获得的电子器件24适用于制造移动电话、智能手机、PDA、平板电脑等移动终端所使用的小型的显示装置。显示装置主要是指LCD或OLED，LCD包含：TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型中的任一显示装置的情况下都能够应用。
实施例
以下，利用实施例等来具体说明本发明，但本发明并不被所述例子限定。
在以下的例子(实施例和比较例)中，作为玻璃基板而使用了由无碱硅酸硼玻璃构成的玻璃板(宽度100mm、长度30mm、厚度0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃的“AN100”(商品名、旭硝子公司制造))。
另外，作为支承基板，同样使用了由无碱硅酸硼玻璃构成的玻璃板(宽度90mm、长度30mm、厚度0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃的“AN100”(商品名、旭硝子公司制造))。
例I－11、例I－14
形成含有SiC的无机层
利用碱性水溶液清洗支承基板的一个主表面而使其洁净化。然后，一边使用SiC靶材并向洁净化的面导入Ar气体，一边通过磁控溅射法形成含有SiC的无机层(厚度为10nm，表面粗糙度为Ra0.4nm，以下也相同)，从而获得了带无机层的支承基板。
例I－1～例I－10
形成含有SiCO的无机层
替代Ar气体而导入了Ar和O2的混合气体(体积比(Ar/O2)＝39/1，除此以外，以与形成含有SiC的无机层同样的方法形成了含有SiCO的无机层，从而获得了带无机层的支承基板。
例I－12、例I－15
形成含有SiN的无机层
替代SiC靶材而使用了SiN靶材，除此以外，以与形成含有SiC的无机层的同样的方法形成了含有SiN的无机层，从而获得了带无机层的支承基板。
例I－13、例I－16
形成含有SiNO的无机层
替代SiC靶材而使用了SiN靶材，除此以外，以与形成含有SiCO的无机层同样的方法形成了含有SiNO的无机层，从而获得了带无机层的支承基板。
评价
层叠维持性的评价
接着，利用碱性水溶液清洗玻璃基板的第1主表面而使其洁净化。然后，先后使用碱性水溶液和水来清洗各例子的带无机层的支承基板的无机层的无机层表面和玻璃基板的进行了洁净化的第1主表面，从而使两个面洁净化。之后，将玻璃基板重叠于无机层表面，并使用真空压制进行压接而使无机层和玻璃基板层叠，从而获得了玻璃层叠体。
然后，以下述表1所示的(a)～(d)的条件对获得的各例子的玻璃层叠体进行了加热处理。此外，在没有进行加热处理的情况下，在下述表1中记载“－”。另外，作为(d)的气氛而记载在下述表1中的“大气”表示“大气压状态下的大气气氛”。
并且，在加热处理后(也包括没有进行加热处理的情况)，对各例子的玻璃层叠体进行了切割折断和研磨，以下述基准评价了无机层与玻璃基板之间的层叠维持性。
此外，“切割折断”是使用市售的切割折断用的机械进行的。具体而言，在各例子的玻璃层叠体的两个面上，以使各例子的玻璃层叠体的位置重叠的方式划出切割线，之后，以使支承基板位于上侧且使切割线与台的边缘相一致的方式将玻璃层叠体的一侧固定在台上，向下压另一侧而将其折断。
另外，在“研磨”过程中，以使支承基板位于上侧且使玻璃基板位于下侧的方式将玻璃层叠体固定在聚氨酯制的台垫(日文：テーブルパッド)上，使用氧化铈和水的混合液并利用研磨垫进行了5分钟研磨。
将结果表示在下述表1中。只要结果为“○”或“△”，就能够将其评价为层叠维持性优异。
○：维持了无机层与玻璃基板之间的层叠状态。
△：大致维持了层叠状态，但在局部产生了剥落。
×：层叠状态变形，在整体上产生了剥落。
剥离性的评价
图3是表示剥离性的评价方法的示意性剖视图。
首先，与层叠维持性的评价同样地使无机层的无机层表面和玻璃基板的第1主表面洁净化。之后，使各例子的带无机层的支承基板和玻璃基板在长度方向上的位置对齐，并如图3所示那样在将各例子的带无机层的支承基板和玻璃基板以在一端对齐的方式重叠起来。此外，由于带无机层的支承基板和玻璃基板的宽度方向上的长度不同，因此，当将带无机层的支承基板和玻璃基板以在一端对齐的方式重叠时，在另一端，如图3所示，带无机层的支承基板的一部分自玻璃基板突出。
重叠之后，使带无机层的支承基板与玻璃基板之间产生密合起点，使用真空压制进行压接，从而使整个重叠面内都密合，由此得到了各例子的玻璃层叠体。之后，与层叠维持性的评价同样地，以下述表1所示的(a)～(d)的条件对获得的各例子的玻璃层叠体进行了加热处理。
接着，在大气气氛中以600℃对获得的各例子的玻璃层叠体实施了1小时加热处理。
接着，进行了剥离试验。具体而言，首先，使用双面胶带将玻璃层叠体中的玻璃基板的第2主表面固定在固定台(在图3中用附图标记31表示)上。
接着，如图3所示，使L字型工具(在图3中用附图标记32表示)勾住自玻璃基板突出的带无机层的支承基板的无机层表面并使用机械将带无机层的支承基板向远离固定台的方向以10mm/min的速度提起，用下述基准评价了无机层与玻璃基板之间的剥离性。此外，只要结果为“○”，就能够将其评价为：即使在高温条件下的长时间处理之后，剥离性也优异。
○：能够剥离。
×：不能剥离。
表1
如所述表1所示，(a)升温速度为300℃/分钟以下，(b)加热温度为150℃～600℃，(c)保持时间为0.5分钟以上，(d)气氛为大气压状态下的大气气氛，在这样的例子(实施例)中，层叠维持性均优异。
与此相对，在没有进行加热处理或(a)～(d)的条件脱离所述条件的例子(比较例)中，层叠维持性较差。
此外，根据所述结果，确认了：在实施例中，无机层与支承基板之间的界面的剥离强度大于无机层与玻璃基板之间的界面的剥离强度。
例II
在本例子中，使用在例I－7的条件(关于加热处理条件，参照所述表1)下制造的玻璃层叠体来制作了OLED。
更具体而言，通过溅射法在玻璃层叠体中的玻璃基板的第2主表面上形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅电极。接着，通过等离子体CVD法在设有栅电极的玻璃基板的第2主表面侧按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序进一步成膜，接着，通过溅射法形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅绝缘膜、半导体元件部以及源电极/漏电极。接着，通过等离子体CVD法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氮化硅膜而形成钝化层，之后，通过溅射法形成氧化铟锡膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了像素电极。
接着，在玻璃基板的第2主表面侧，进一步通过蒸镀法，以如下顺序成膜：将4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺成膜为空穴注入层、将双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺成膜为空穴输送层、将在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合有40体积％2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)的物质成膜为发光层、将Alq3成膜为电子传输层。接着，通过溅射法在玻璃基板的第2主表面侧形成铝膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了对置电极。接着，在形成有对置电极的玻璃基板的第2主表面上隔着紫外线固化型的粘接层再贴合一张玻璃基板进行密封。由所述步骤获得的、在玻璃基板上具有有机EL构造体的玻璃层叠体相当于带电子器件用构件的层叠体。
接着，使获得的玻璃层叠体的密封体侧真空吸附于平台，之后，将厚度为0.1mm的不锈钢制刃具***玻璃层叠体的角部位置的无机层与玻璃基板之间的界面，而使带无机层的支承基板自玻璃层叠体分离，从而获得了OLED面板(相当于电子器件。以下称作面板A)。将IC驱动器连接于制作成的面板A，并在常温常压下使IC驱动器驱动，结果，在驱动区域内未发现显示不均。
例III
在本例子中，使用在例I－7的条件(关于加热处理条件，参照所述表1)下制造的玻璃层叠体来制作了LCD。
准备两张玻璃层叠体，首先，通过溅射法在其中一个玻璃层叠体中的玻璃基板的第2主表面上形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅电极。接着，通过等离子体CVD法在设有栅电极的玻璃基板的第2主表面侧按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序进一步成膜，接着，通过溅射法形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅绝缘膜、半导体元件部以及源电极/漏电极。接着，通过等离子体CVD法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氮化硅膜而形成钝化层，之后，通过溅射法形成氧化铟锡膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了像素电极。接着，通过辊涂法在形成有像素电极的玻璃基板的第2主表面上涂布聚酰亚胺树脂液，并通过热固化形成取向层，然后进行研磨。将获得的玻璃层叠体称作玻璃层叠体X1。
接着，通过溅射法在其中另一个玻璃层叠体中的玻璃基板的第2主表面上形成铬膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了遮光层。接着，通过挤压式涂布法在设有遮光层的玻璃基板的第2主表面侧进一步涂布彩色光阻，并通过光刻法和热固化形成了滤色层。接着，通过溅射法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氧化铟锡膜，从而形成了对置电极。接着，通过挤压式涂布法在设有对置电极的玻璃基板的第2主表面上涂布紫外线固化树脂液，并通过光刻法和热固化形成了柱状间隔物。接着，通过辊涂法在形成有柱状间隔物的玻璃基板的第2主表面上涂布聚酰亚胺树脂液，并通过热固化形成取向层，然后进行研磨。接着，通过分配器法(日文：ディスペンサ法)在玻璃基板的第2主表面侧将密封用树脂液绘制成框状，并通过滴柱液晶法将液晶滴在框内，之后，使用所述玻璃层叠体X1，将两张玻璃层叠体的玻璃基板的第2主表面侧彼此贴合起来，并通过紫外线固化和热固化而获得了具有LCD面板的层叠体。以下，将这里具有LCD面板的层叠体称作带面板的层叠体X2。
接着，将两个面带无机层的支承基板从带面板的层叠体X2剥离，从而获得了由形成有TFT阵列的基板和形成有滤色层的基板构成的LCD面板B(相当于电子器件)。
将IC驱动器连接于制作成的LCD面板B，并在常温常压下使IC驱动器驱动，结果，在驱动区域内未发现显示不均。
参照特定的实施方式详细地说明了本发明，但本发明能够在不脱离本发明的精神和保护范围的前提下进行各种变更、修改，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
本申请基于2013年11月11日申请的日本专利申请2013－233024，将其内容作为参照而引入到本说明书中。
附图标记说明
10、玻璃层叠体；12、支承基板；14、无机层；14a、无机层表面(无机层中的与支承基板侧相反的一侧的表面)；16、带无机层的支承基板；18、玻璃基板；18a、玻璃基板的第1主表面；18b、玻璃基板的第2主表面；20、电子器件用构件；22、带电子器件用构件的层叠体；24、电子器件；31、固定台；32、L字型工具。

Claims (4)

1.一种玻璃层叠体的制造方法，通过该制造方法获得玻璃层叠体，该玻璃层叠体包括：带无机层的支承基板，其具有支承基板和配置在所述支承基板上的无机层；以及玻璃基板，其以能够剥离的方式层叠在所述无机层上，其中，
该玻璃层叠体的制造方法包括以下工序：
层叠工序，将所述玻璃基板层叠在所述无机层上；以及
加热处理工序，在所述层叠工序之后进行加热处理，
所述无机层含有从由碳化硅、碳氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅构成的组中选取的至少1种材料，
所述加热处理满足下述(a)～下述(d)的条件：
(a)升温速度：300℃/分钟以下；
(b)加热温度：150℃～600℃；
(c)保持时间：0.5分钟以上；以及
(d)气氛：大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛。
2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，
所述(a)升温速度为200℃/分钟以下。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，
所述支承基板为玻璃板。
4.一种电子器件的制造方法，其中，该电子器件的制造方法包括以下工序：
构件形成工序，在通过权利要求1至3中任一项所述的玻璃层叠体的制造方法获得的玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子器件用构件而获得带电子器件用构件的层叠体；以及
分离工序，将所述带无机层的支承基板自所述带电子器件用构件的层叠体剥离而获得具有所述玻璃基板和所述电子器件用构件的电子器件。
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