CN109641419A - 层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够消除因基板的翘曲所致的基板的吸附不良、成品率良好地制造电子设备的层叠体。本发明涉及一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层以及基板，所述基板在其表面上具备交替层叠折射率不同的电介质层而成的电介质多层膜，具备所述电介质多层膜的所述基板以所述电介质多层膜可剥离地与所述密合层密合的方式配置在所述密合层上。

Description

层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠体、电子设备的制造方法以及层叠体的制造方法。
背景技术
近年来，液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)、太阳能电池(PV)等各种设备正在进行薄型化、轻量化，这些设备中使用的基板正在进行薄板化。
例如，在透过近紫外光～近红外光的光学用途中所使用的装置中，优选使用玻璃基板作为基板。其中，为了改变对各种光的特性，优选使用带电介质多层膜的玻璃基板。应予说明，玻璃基板通过组成的调整而能够精密地控制线膨胀系数，因此，也适用于因构件彼此的线膨胀系数的差异而导致在温度变化时元件的可靠性降低的情况、或者在制造元件时的一系列工艺中产生不良情况这样的情况。
另一方面，如上所述，在将防反射膜、带通滤光膜等电介质多层膜配置于玻璃基板上的情况下，有时因电介质多层膜的应力而导致配置有电介质多层膜的玻璃基板产生翘曲。如上所述，特别是在玻璃基板薄板化的如今，其翘曲量变大。
另外，除了电介质多层膜所致的翘曲以外，也存在由玻璃基板的成型时的内部应力引起的翘曲、由表背面的组成的差异引起的翘曲、由化学强化等应力控制引起的翘曲。
应予说明，以上对使用玻璃基板作为基板的情况进行说明，但有时使用薄的金属箔(例如铜箔)作为各种元件所含的基板。在使用这样的薄的金属箔的情况下，与上述玻璃基板同样地，有时其自身产生翘曲。
另外，在使用半导体基板作为基板的情况下，也有时产生翘曲，有时因该翘曲而导致在半导体工艺的各种工序中产生不良情况。
以往，提出了抑制如上所述的玻璃基板等基板的翘曲的方法。例如，在专利文献1中，提出了在配置有电介质多层膜的基板的另一个表面上配置电介质单层膜的方法。
另外，也提出了矫正玻璃基板的翘曲的方法。在专利文献2中提出了在连续缓冷炉中通过自重将玻璃片进行平坦化的方法以及以在玻璃片上载置砝码的状态进行缓冷的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2005-43755号公报
专利文献2：日本专利特开2014-51404号公报
发明内容
然而，在专利文献1的方法中，需要耗费时间在基板的另一个表面上另行制造电介质单层膜，工艺上的负荷大。应予说明，根据形成在基板上的电子设备用构件的种类，也有时难以在基板的另一个表面形成电介质单层膜。另外，在专利文献2的方法中，工艺上的负荷也大。
应予说明，在基板上形成电子设备用构件的工艺中，一般而言，为了固定基板，采用通过吸附将基板固定的方法。然而，如上所述，如果想要在翘曲大的基板上形成电子设备用构件，则在电子设备用构件的形成工艺中，有时基板的吸附变难。结果导致电子设备的制造成品率降低。
因此，期待以更简单的步骤将基板稳定地吸附、固定。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够消除因基板的翘曲所致的基板的吸附不良，成品率良好地制造电子设备的层叠体。
另外，本发明的目的也在于提供使用该层叠体的电子设备的制造方法以及层叠体的制造方法。
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现通过以下的构成，能够解决上述课题。
即，本发明之一的层叠体依次具备支撑基材、密合层和基板，
基板在密合层侧的表面上具备交替层叠折射率不同的2种以上的电介质层而成的电介质多层膜，
具备电介质多层膜的基板以电介质多层膜可剥离地与密合层密合的方式配置在密合层上。
另外，本发明的其它层叠体依次具备支撑基材、密合层和基板，
基板可剥离地密合配置在密合层上，
配置在密合层上之前的基板的SORI为130μm以上。
本发明的一方案的层叠体中，电介质多层膜的最表面的电介质层为含有Si原子的膜。
本发明的一方案的层叠体中，电介质多层膜的最表面的电介质层为SiO2。
本发明的一方案的层叠体的电介质多层膜为防反射膜。
本发明的一方案的层叠体的电介质多层膜的厚度为0.001～5μm。
本发明的一方案的层叠体中，电介质多层膜以在基板表面上残留未配置电介质多层膜的周缘区域的方式配置在基板的表面上，
在周缘区域存在宽度为0.1～20mm的范围的区域。
本发明的一方案的层叠体中，电介质多层膜以在基板表面上残留未配置电介质多层膜的周缘区域的方式配置在基板的表面上，
在周缘区域存在宽度为0.01mm以下的范围的区域。
本发明的一方案的层叠体的与密合层相接的一侧的基板的表面由含有Si原子的膜被覆。
本发明的一方案的层叠体的含有Si原子的膜为氧化硅的蒸镀膜、氧化硅的溅射膜或有机硅树脂膜。
本发明的一方案的层叠体的密合层为含有有机硅树脂的层。
本发明的一方案的层叠体中，基板的主面的面积为300cm2以上。
本发明的一方案的层叠体中，SORI为20～120μm。
本发明的一方案的层叠体中，基板为玻璃基板。
另外，本发明的一电子设备的制造方法具备如下工序：构件形成工序，在本发明的一方案的层叠体的基板的与密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体，以及
分离工序，从带电子设备用构件的层叠体除去支撑基材和密合层，得到具有带电介质多层膜的基板和电子设备用构件的电子设备。
另外，本发明的其它电子设备的制造方法具备如下工序：构件形成工序，在本发明的一方案的层叠体的基板的与密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体，以及
分离工序，从带电子设备用构件的层叠体除去支撑基材和密合层，得到具有基板和电子设备用构件的电子设备。
本发明的一方案的电子设备的制造方法中，基板为玻璃基板。
本发明的一方案的层叠体的制造方法具有如下工序：对具有基板和配置在基板上的电介质多层膜的带电介质多层膜的基板的电介质多层膜的最表面的电介质层实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序，以及
将具有支撑基材和配置在支撑基材上的密合层的带密合层的支撑基材与已实施表面处理的带电介质多层膜的基板进行层叠的工序。
本发明的一方案的电子设备的制造方法具有如下工序：对被覆于基板的含有Si原子的膜实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序，以及
将具有支撑基材和配置在支撑基材上的密合层的带密合层的支撑基材与由已实施表面处理的含有Si原子的膜被覆的基板进行层叠的工序。
根据本发明，可提供一种消除因基板的翘曲所致的基板的吸附不良，能够成品率良好地制造电子设备的层叠体。
另外，根据本发明，也可提供使用该层叠体的电子设备的制造方法以及层叠体的制造方法。
附图说明
图1是本发明的玻璃层叠体的第1实施方式的示意性截面图。
图2是用于测定玻璃基板的SORI的示意性截面图。
图3是带电介质多层膜的基板的一实施方案的俯视图。
图4是本发明的玻璃层叠体的第2实施方式的示意性截面图。
图5(A)和(B)是按工序顺序示出本发明的电子设备的制造方法的一实施方式的示意性截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明并不限于以下的实施方式，可以在不脱离本发明的范围的情况下对以下的实施方式施加各种变形和置换。
另外，在本说明书中，以质量为基准的百分率(质量％)与以重量为基准的百分率(重量％)意义相同。另外，在仅记载为“ppm”的情况下，表示“质量ppm”。
＜＜第1实施方式＞＞
本发明的层叠体的第1实施方式是一种玻璃层叠体，依次具备支撑基材、密合层以及基板，基板在其表面上具备交替层叠折射率不同的电介质层而成的电介质多层膜，将具备电介质多层膜的基板(以下，也称为“带电介质多层膜的基板”)以电介质多层膜与密合层可剥离地密合的方式配置在密合层上。
在本玻璃层叠体中，通过将带电介质多层膜的基板密合配置在密合层上，带电介质多层膜的基板追随密合层表面的平坦面，带电介质多层膜的基板自身所具有的翘曲被消除。因此，消除了在想要单独使用基板制造电子设备的情况下产生的基板的吸附不良。应予说明，在基板上配置电子设备用构件后，在密合层与带电介质多层膜的基板之间，能够将配置有电子设备用构件的带电介质多层膜的基板剥离，能够得到期望的电子设备。
图1是本发明的玻璃层叠体的第1实施方式的示意性截面图。
如图1所示，玻璃层叠体10是支撑基材12、带电介质多层膜的基板16以及在它们之间存在的密合层14的层叠体。带电介质多层膜的基板16具备玻璃基板18以及配置在玻璃基板18上的电介质多层膜20。
对密合层14而言，其一个面与支撑基材12相接，并且其另一个面与带电介质多层膜的基板16的第1主面16a(电介质多层膜20侧的表面)相接。
由支撑基材12和密合层14构成的2层部分在制造液晶面板等电子设备用构件的构件形成工序中对带电介质多层膜的基板16进行增强。应予说明，将为了制造玻璃层叠体10而预先制造的由支撑基材12和密合层14构成的2层部分称为带密合层的支撑基材22。
使用该玻璃层叠体10直至后述的构件形成工序。即，使用该玻璃层叠体10直至在该带电介质多层膜的基板16的第2主面16b(玻璃基板18侧的表面)上形成电子设备用构件。然后，形成有电子设备用构件的玻璃层叠体被分离为带密合层的支撑基材22和电子设备(带构件的玻璃基板)，带密合层的支撑基材22不成为构成电子设备的部分。在带密合层的支撑基材22层叠新的带电介质多层膜的基板16，可以作为新的玻璃层叠体10进行再利用。
密合层14被固定在支撑基材12上，带电介质多层膜的基板16可剥离地密合(层叠)在密合层14上。在本发明中，该固定与可剥离的密合(层叠)是在剥离强度(即，剥离所需的应力)方面存在差异，固定是指与密合相比剥离强度大。即，密合层14与支撑基材12的界面的剥离强度大于密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面的剥离强度。换言之，可剥离的密合(层叠)也是指在可剥离的同时，能够在不发生被固定的面的剥离的情况下进行剥离。
更具体而言，支撑基材12与密合层14的界面具有剥离强度(x)，如果对支撑基材12与密合层14的界面施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力，则支撑基材12与密合层14发生剥离。另外，密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面具有剥离强度(y)，如果对密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力，则密合层14与带电介质多层膜的基板16发生剥离。
在玻璃层叠体10(也是指后述的带电子设备用构件的层叠体)中，上述剥离强度(x)高于上述剥离强度(y)。因此，如果对玻璃层叠体10施加将支撑基材12与带电介质多层膜的基板16剥离的方向的应力，则本发明的玻璃层叠体10在密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面发生剥离，分离为带电介质多层膜的基板16与带密合层的支撑基材22。
剥离强度(x)优选充分高于剥离强度(y)。
提高密合层14对支撑基材12的附着力的方法没有特别限制，例如可举出如后所述使含有规定成分的固化性树脂在支撑基材12上固化(交联固化)而形成密合层14的方法。能够利用固化时的粘接力形成以高的结合力结合于支撑基材12的密合层14。
另一方面，密合层14对带电介质多层膜的基板16的结合力通常低于在上述固化时产生的结合力。因此，通过在支撑基材12上对固化性树脂的层实施固化处理(加热处理)而形成密合层14，然后在密合层14的面层叠带电介质多层膜的基板16，从而能够制造满足期望的剥离关系的玻璃层叠体10。
以下，首先对构成玻璃层叠体10的各层(支撑基材12、密合层14、带电介质多层膜的基板16)进行详述，然后对玻璃层叠体和电子设备的制造方法进行详述。
＜支撑基材＞
支撑基材12支撑并增强带电介质多层膜的基板16，在后述的构件形成工序(制造电子设备用构件的工序)中，在制造电子设备用构件时防止带电介质多层膜的基板16的变形、损伤、破损等，特别是防止对电介质多层膜的损伤。
另外，因薄板化而导致玻璃基板的强度不足，由此导致玻璃基板自身的操作性降低，但通过使支撑基材和密合层与玻璃基板密合，能够消除上述操作性的降低。
作为支撑基材12，例如可使用玻璃板、塑料板、金属板(例如SUS(不锈钢)板)等。通常构件形成工序会伴随热处理，因此，支撑基材12优选由与玻璃基板18的线膨胀系数的差小的材料形成，更优选由与玻璃基板18相同的材料形成，支撑基材12优选为玻璃板。支撑基材12特别优选为由与玻璃基板18相同的玻璃材料构成的玻璃板。
支撑基材12的厚度可以比带电介质多层膜的基板16厚，也可以比带电介质多层膜的基板16薄。
优选基于带电介质多层膜的基板16的厚度、密合层14的厚度以及玻璃层叠体10的厚度而选择支撑基材12的厚度。例如，在现有的构件形成工序以对厚度0.5mm的基板进行处理的方式而设计并且带电介质多层膜的基板16的厚度与密合层14的厚度的和为0.1mm的情况下，使支撑基材12的厚度为0.4mm。在通常的情况下，支撑基材12的厚度优选为0.1～5.0mm。
为了稳定地减少带电介质多层膜的基板16的翘曲，从控制玻璃层叠体10的翘曲的观点考虑，支撑基材12优选翘曲小，刚性高。在带电介质多层膜的基板16的基板与支撑基材12为相同材质的情况下，支撑基材12可以具有与带电介质多层膜的基板16的基板面对称的翘曲形状。
在支撑基材12为玻璃板的情况下，从容易处理、不易破裂等理由考虑，玻璃板的厚度优选为0.03mm以上。另外，在形成电子设备用构件后进行剥离时，从期望在不破裂的情况下适度弯曲这样的刚性的理由考虑，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
支撑基材12与玻璃基板18的在25～300℃下的平均线膨胀系数的差优选为10×10-7/℃以下，更优选为3×10-7/℃以下，进一步优选为1×10-7/℃以下。如果差过大，则在构件形成工序中的加热冷却时，有可能玻璃层叠体10剧烈翘曲，或者支撑基材12与带电介质多层膜的基板16发生剥离。在支撑基材12的材料与玻璃基板18的材料相同的情况下，能够抑制产生这样的翘曲、剥离。
＜密合层14＞
密合层14发挥消除由带电介质多层膜的基板16的翘曲引起的吸附不良的作用直至进行将支撑基材12与带电介质多层膜的基板16分离的操作，并且防止带电介质多层膜的基板16等因分离操作而破损。密合层14的与带电介质多层膜的基板16相接的表面14a可剥离地密合(层叠)于带电介质多层膜的基板16的第1主面16a。如上所述，密合层14以弱的结合力结合于带电介质多层膜的基板16的第1主面16a，该界面的剥离强度(y)低于密合层14与支撑基材12之间的界面的剥离强度(x)。
即，在将带电介质多层膜的基板16与支撑基材12分离时，在带电介质多层膜的基板16与密合层14的界面发生剥离，在支撑基材12与密合层14的界面难以剥离。因此，密合层14具有虽然与带电介质多层膜的基板16的第1主面16a密合，但能够容易地剥离带电介质多层膜的基板16的表面特性。即，密合层14以某种程度的结合力与带电介质多层膜的基板16的第1主面16a结合而消除由带电介质多层膜的基板16的翘曲引起的吸附不良，同时以在将带电介质多层膜的基板16剥离时能够不破坏带电介质多层膜的基板16的情况下容易地剥离的程度的结合力结合。在本发明中，将该密合层14表面的能够容易地剥离的性质称为剥离性。另一方面，支撑基材12的第1主面与密合层14以相对不易剥离的结合力结合。
密合层14的种类没有特别限制，可以为由树脂等构成的有机层，也可以为无机层。以下，对各情况进行详述。
(有机层)
作为有机层，优选为含有规定树脂的树脂层。形成树脂层的树脂的种类没有特别限制，例如可举出有机硅树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸系树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂或氟系树脂。也可以将几种树脂混合使用。其中，优选有机硅树脂、聚酰亚胺树脂、氟系树脂。
有机硅树脂为含有规定的有机甲硅烷氧基单元的树脂，通常使固化性有机硅固化而得到。固化性有机硅根据其固化机制而分类为加成反应型有机硅、缩合反应型有机硅、紫外线固化型有机硅以及电子束固化型有机硅，可以使用任一种。这些之中，优选加成反应型有机硅或缩合反应型有机硅。
作为加成反应型有机硅，可以优选使用含有主剂和交联剂且在铂系催化剂等催化剂的存在下固化的固化性的组合物。加成反应型有机硅的固化通过加热处理而促进。加成反应型有机硅中的主剂优选为具有键合于硅原子的烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即有机烯基聚硅氧烷。应予说明，优选直链状)，烯基等成为交联点。加成反应型有机硅中的交联剂优选为具有键合于硅原子的氢原子(氢甲硅烷基)的有机聚硅氧烷(即，有机氢聚硅氧烷。应予说明，优选直链状)，氢甲硅烷基等成为交联点。
加成反应型有机硅通过主剂和交联剂的交联点进行加成反应而固化。应予说明，从来自交联结构的耐热性更优异的方面考虑，优选有机氢聚硅氧烷的键合于硅原子的氢原子相对于有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。
在使用加成反应型有机硅的情况下，可以根据需要进一步使用催化剂(特别是铂族金属系催化剂)。
铂族金属系催化剂(氢化硅烷化用铂族金属催化剂)是用于使上述有机烯基聚硅氧烷中的烯基与上述有机氢聚硅氧烷中的氢原子的氢化硅烷化反应进行、促进该反应的催化剂。作为铂族金属系催化剂，可举出铂系、钯系、铑系等催化剂，特别是从经济性、反应性的方面考虑，优选使用铂系催化剂。
作为缩合反应型有机硅，可以优选使用作为单体的水解性有机硅烷化合物或其混合物(单体混合物)、或者使单体或单体混合物进行部分水解缩合反应而得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。
通过使用该缩合反应型有机硅进行水解、缩合反应(溶胶-凝胶反应)，能够形成有机硅树脂。
聚酰亚胺树脂为具有酰亚胺结构的树脂，是使四羧酸类与二胺类进行反应而得到的树脂。
聚酰亚胺树脂的结构没有特别限制，优选由下述式(1)所示的具有四羧酸类的残基(X)和二胺类的残基(A)的重复单元构成。
式(1)中，X表示从四羧酸类中除去羧基而得到的四羧酸残基，A表示从二胺类中除去氨基而得到的二胺残基。
式(1)中，X表示从四羧酸类中除去羧基而得到的四羧酸残基，优选由选自以下的式(X1)～(X4)所示的基团中的至少1种基团构成。其中，从聚酰亚胺树脂的耐热性优异的方面考虑，更优选X的总数的50摩尔％以上(优选为80～100摩尔％)由选自以下的式(X1)～(X4)所示的基团中的至少1种基团构成。进一步优选X的总数的实质上的全部数量(100摩尔％)由选自以下的式(X1)～(X4)所示的基团中的至少1种基团构成。
另外，A表示从二胺类中除去氨基而得到的二胺残基，优选由选自以下的式(A1)～(A8)所示的基团中的至少1种基团构成。其中，从聚酰亚胺树脂的耐热性优异的方面考虑，更优选A的总数的50摩尔％以上(优选为80～100摩尔％)由选自以下的式(A1)～(A8)所示的基团中的至少1种基团构成。进一步优选A的总数的实质上的全部数量(100摩尔％)由选自以下的式(A1)～(A8)所示的基团中的至少1种基团构成。
有机层的厚度没有特别限制，优选为1～100μm，更优选为5～30μm，进一步优选为7～20μm。如果有机层的厚度为这样的范围，则有机层与带电介质多层膜的基板的密合变得充分。
另外，为了提高有机层的平坦性，可以在有机层中含有流平剂。流平剂的种类没有特别限定，作为代表性的流平剂，可举出氟系流平剂等。
(无机层)
构成无机层的材料没有特别限制，例如优选含有选自氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、硅化物和氟化物中的至少1种。其中，从带电介质多层膜的基板16的剥离性更优异的方面考虑，优选含有氧化物。
作为氧化物(优选为金属氧化物)、氮化物(优选为金属氮化物)、氮氧化物(优选为金属氮氧化物)，例如可举出选自Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In和Ba中的1种以上的元素的氧化物、氮化物、氮氧化物。更具体而言，可举出氮氧化硅(SiNxOy)、氧化钛(TiO2)、氧化铟(In2O3)、氧化铟铈(ICO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga2O3)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、掺镓氧化锌(GZO)等。
作为碳化物(优选为金属碳化物)、碳氮化物(优选为金属碳氮化物)，例如可举出选自Ti、W、Si、Zr和Nb中的1种以上的元素的碳化物、碳氮化物、碳氧化物。例如可举出碳氧化硅(SiCO)等。
应予说明，作为碳化物，可以为所谓的碳材料，例如可以为将酚醛树脂等树脂成分进行烧结而得到的碳化物。
作为硅化物(优选为金属硅化物)，例如可举出选自Mo、W和Cr中的1种以上的元素的硅化物。
作为氟化物(优选为金属氟化物)，例如可举出选自Mg、Y、La和Ba中的1种以上的元素的氟化物。例如可举出氟化镁(MgF2)等。
无机层的厚度没有特别限制，从本发明的效果更优异的方面考虑，优选5～5000nm，更优选10～500nm。
无机层的与带电介质多层膜的基板16相接的面的表面粗糙度(Ra)优选为2.0nm以下，更优选为1.0nm以下。下限值没有特别限制，最优选0。如果为上述范围，则与带电介质多层膜的基板16的密合性变得更良好，能够进一步抑制在带电介质多层膜的基板16单独使用时产生的吸附不良等，并且带电介质多层膜的基板16的剥离性也优异。
Ra依照JIS B 0601(2001年修订)进行测定。
密合层14也可以为等离子体聚合膜。
在密合层14为等离子体聚合膜的情况下，形成等离子体聚合膜的材料可举出CF4、CHF3、CH3F等氟碳单体；甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯、C4H8等烃单体；氢、SF6等。特别优选由氟碳单体或烃单体构成的等离子体聚合膜。它们可以仅使用1种，也可以混合使用2种以上。
作为等离子体聚合膜的厚度，从耐擦伤性的观点考虑，优选1～100nm，更优选1～50nm，进一步优选1～10nm。
＜带电介质多层膜的基板＞
带电介质多层膜的基板16具有玻璃基板18和配置在玻璃基板18上的电介质多层膜20。带电介质多层膜的基板16即使其自身具有翘曲，通过配置在密合层14上并密合于密合层14的平滑的表面，其翘曲消除。
应予说明，带电介质多层膜的基板16也可以在配置在密合层14上之前翘曲。更具体而言，在将带电介质多层膜的基板16配置在密合层14上之前，SORI(SORI值)可以为130μm以上，也可以为180μm以上。SORI的上限没有特别限制，从处理性的方面考虑，优选500μm以下，更优选300μm以下。
上述SORI是用于对基板的翘曲的程度进行定量的参数之一，使用神津精机株式会社制造的表面形状测定***Dyvoce(型号：K2-310)，按照以下的步骤进行测定。应予说明，以下以玻璃基板为例进行说明，其它被测定物(例如上述带电介质多层膜的基板、层叠体等)也可以通过同样的步骤进行测定。
通过3点支撑保持玻璃基板的端部，使用KEYENCE株式会社制造的激光位移计对表面进行位移测定。根据测定结果，通过Dyvoce***算出SORI。SORI是用于对基板的翘曲的程度进行定量的参数之一。在将玻璃基板的第1主面(表面)的最小二乘平面设为基准的高度(最小二乘平面高度)的情况下，表示第1主面的最高点的高度与基准的高度的距离(a)和最低点的高度与基准的高度的距离(b)的合计值((a)+(b))。由于SORI表示距离，因此总是为正值(参照图2)。
另一方面，在上述测定中，包含自重挠曲的影响。为了排除该影响，在Dyvoce***中，将玻璃基板翻转，通过同样的方法对背面进行位移测定，由此测定玻璃的表背两面的表面形状，可以得到由其数据的差分消除了自重挠曲的影响的修正数据。由此，消除自重挠曲的影响而算出SORI。
关于自重挠曲的修正和用于算出SORI的数据处理，在Dyvoce***中以自动计算的方式编入。在本测定中，使用软件“Dyvoce MAVs(版本2.01.07-01)”，选择SORI(WARP)作为计算模式(Calculation Type)后，进行表背面的减法差分，算出SORI。
以下，对玻璃基板18和电介质多层膜20进行详述。
(玻璃基板)
玻璃基板18的种类可以为一般的玻璃，例如，作为LCD、OLED等显示装置用的玻璃基板，可举出由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板、旭硝子公司制造的商品名“AN100”等。玻璃基板18的耐化学试剂性、耐透湿性优异且热收缩率较低。作为热收缩率的指标，可使用JISR 3102(1995年修订)中规定的线膨胀系数。
玻璃基板18的制造方法没有特别限制，通常将玻璃原料熔融，将熔融玻璃成型为板状而得到。这样的成型方法可以为一般的方法，例如可使用浮法、熔融法、流孔下引法等。
玻璃基板18的玻璃的种类没有特别限制，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高二氧化硅玻璃、其它以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板18的玻璃，可以采用适于电子设备用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，由于碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响，因此，液晶面板用的玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)构成(但是，通常含有碱土金属成分)。如此，玻璃基板18的玻璃可基于所应用的设备的种类和其制造工序而适当选择。
在液晶用面板等电子设备制作中，在将带电介质多层膜的基板16的第2主面16b(玻璃基板18侧的表面)与其它基板粘接的情况下，该基板与玻璃基板18的在25～300℃下的平均线膨胀系数的差优选为10×10-7/℃以下，更优选为3×10-7/℃以下，进一步优选为1×10-7/℃以下。如果差过大，则在构件形成工序中的加热冷却时，有可能玻璃层叠体10剧烈翘曲，或者支撑基材12与带电介质多层膜的基板16发生剥离。在支撑基材12的材料与玻璃基板18的材料相同的情况下，能够抑制产生这样的翘曲、剥离。应予说明，也可以在这些基板之间存在粘接层等不同的层。
从薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板18的厚度优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下，进一步优选为0.2mm以下，特别优选为0.1mm以下。在0.5mm以下的情况下，能够对玻璃基板18赋予良好的挠性。在0.2mm以下的情况下，能够将玻璃基板18卷绕成卷状。
另外，从容易制造玻璃基板18、玻璃基板18的处理容易等理由考虑，玻璃基板18的厚度优选为0.03mm以上。
进而，玻璃基板18的面积(主面的面积)没有特别限制，从电子设备的生产率的方面考虑，优选为300cm2以上。
应予说明，玻璃基板18也可以由2层以上构成，此时，形成各层的材料可以为同种材料，也可以为异种材料。另外，此时，“玻璃基板18的厚度”是指全部层的合计的厚度。
(电介质多层膜)
电介质多层膜20配置在玻璃基板18的一个表面上。作为一个例子，电介质多层膜20作为防反射膜具有防止入射到电介质多层膜20的光的反射的功能，可以使用现有公知的防反射膜。
对作为防反射膜发挥功能的电介质多层膜20的优选方案而言，可举出通过交替层叠折射率不同的电介质层而利用光的干涉的电介质多层膜。此外，也包含一部分利用吸收光的层的电介质多层膜。作为具体的特性，通过其材料、作为膜厚的组合的膜设计，电介质多层膜20也可以用作宽频带反射膜、超宽频带半反射镜、分色镜、多波长防反射膜、带通滤波器、陷波滤波器等。
作为电介质层所含的电介质材料，例如可以优选使用选自Si、Ti、Zr、Ce、Mg、Zn、Hf、Y、Zn、In、Sn、Li、Ca、Nb、Ta和Al中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物。电介质多层膜20可以从这些材料中组合折射率彼此不同的2种以上的材料而构成。例如，作为组合2种材料的情况的例子，可举出作为低折射率材料的SiO2、MgF2、CaF2、LiF等以及作为高折射率材料的TiO2、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、MgO、ZnO、HfO2、Y2O3、ZrO2、ZnS、ITO、In2O3等。电介质多层膜的最表面多为低折射率材料，从生产率、经济性的观点考虑，在多数情况下选择含有Si原子的膜。此外，作为含有Si原子的膜，可举出由SiO2或SiN构成的膜，优选SiO2。另外，在电介质多层膜的最表面的电介质层为SiO2的情况(电介质层由SiO2构成的情况)下，与密合层的密合性也进一步提高。特别是在密合层为有机硅树脂层的情况下，该效果大。
进而，通过对电介质多层膜的最表面的电介质层实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理，密合层与电介质多层膜的密合性进一步提高。其中，作为表面处理，优选电晕处理和大气压等离子体处理，更优选电晕处理。
即，如果使用在最表面具有实施了上述表面处理的电介质层(特别是由SiO2构成的层)的电介质多层膜，则密合层与带电介质多层膜的基板的密合性进一步提高。
作为上述电介质多层膜20的优选方案，优选为交替层叠高折射率层与低折射率层而成的电介质多层膜。作为高折射率层所含的高折射率材料和低折射率材料所含的低折射率材料的各自的例子，如上所述。
应于说明，电介质多层膜20中的电介质层的数量没有特别限制，可根据用途而适当选择最佳的层数。如果为廉价且低品质的电介质多层膜，则可能有几层～20层，如果为高品质的电介质多层膜(频带非常宽、透过或反射接近零、其变化急剧等)，则可能有几十层～百层以上。
电介质多层膜20的厚度没有特别限制，优选为0.001～5μm。
电介质多层膜20的制造方法没有特别限制，可以采用公知的方法。
例如可举出溅射法、电子束法、离子束法、真空蒸镀法、等离子体CVD法、Cat-CVD法、MBE法、旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法等。
玻璃基板上的电介质多层膜的配置位置没有特别限制，可以以在玻璃基板表面上残留未配置电介质多层膜的周缘区域的方式将电介质多层膜配置在玻璃基板的表面上。更具体而言，如图3所示，可以以在玻璃基板18A上残留未配置电介质多层膜20A的框状的周缘区域18a的方式将电介质多层膜20A配置在玻璃基板18A的中央部上。应予说明，在如上所述的方案中，电介质多层膜20A的配置区域(制膜区域)的面积比玻璃基板18A的表面(主面)的面积窄且沿玻璃基板18A的外周边未形成电介质多层膜20A。另外，上述周缘区域18a相当于与玻璃基板18A的外周缘相比位于内侧的区域。
在以上述方式将电介质多层膜20A配置在玻璃基板18A上的情况下，有时根据电介质多层膜20A的外周边的位置而对电子设备的成品率造成影响。具体而言，在玻璃基板18A的周缘区域18a与存在电介质多层膜20A的制膜区域的边界，存在相当于电介质多层膜20A的膜厚的阶差。因此，有时密合层14无法追随由该阶差引起的急剧的表面形状的变化。在这样的情况下，有时玻璃基板18A的周缘区域18a与密合层14未密合，在两者之间产生空隙部。如果存在这样的空隙部，则存在如下顾虑：电子设备的制造工艺所使用的液体浸入到电介质多层膜20A与密合层14的界面，产生界面的固定或剥离以及由密合层14的溶出引起的制造工艺所使用的液体的污染和装置的污染。这样的问题可通过调整电介质多层膜20A的外周边的位置(制膜区域的位置)而改善。换言之，可以通过调整图3所示的周缘区域18a的宽度W的大小而改善上述问题。
例如，在存在宽度W非常小的区域的情况下，该部分中不易产生上述空隙部，电子设备的成品率提高。更具体而言，优选在周缘区域18a存在宽度W为0.01mm以下的范围的区域，更优选在周缘区域18a的整个区域中宽度W为0.01mm以下。
另外，在存在宽度W某种程度上大的区域的情况下，虽然在相当于电介质多层膜20A的膜厚的阶差部分产生密合层14不密合的空隙部，但在该区域的端部(外缘部)，密合层14与玻璃基板18A能够密合，因此，能够防止电子设备的制造工艺所使用的液体浸入到电介质多层膜20A与密合层14的界面。因此，结果电子设备的成品率提高。更具体而言，优选在周缘区域18a存在宽度W为0.1～20mm的范围的区域，更优选在周缘区域18a的整个区域中宽度W为0.1～20mm。上述宽度W的大小更优选0.3mm以上，进一步优选0.5mm以上，特别优选1mm以上。另外，关于上限值，从能够形成电子设备的有效面积大的方面考虑，更优选10mm以下，进一步优选5mm以下。
应予说明，上述宽度W相当于从玻璃基板18A的外周缘(端部)至电介质多层膜20A的外周缘(端部)为止的距离(最短距离)。另外，在周缘区域18a中，宽度W可以根据区域的位置而不同，也可以为恒定。
[玻璃层叠体和其制造方法]
上述玻璃层叠体10的制造方法没有特别限制，可以采用公知的方法，通常具有如下工序：在支撑基材12上形成密合层14的密合层形成工序，以及在密合层14上层叠带电介质多层膜的基板16而得到玻璃层叠体10的层叠工序。
以下，对密合层形成工序和层叠工序进行详述。
(密合层形成工序)
密合层形成工序是在支撑基材12上形成密合层14的工序。通过本工序，得到带密合层的支撑基材。形成密合层14的方法没有特别限制，可以采用公知的方法，根据构成密合层14的材料的种类而不同。
例如，在密合层14为有机层的情况下，作为制作有机层的方法，例如可举出如下方法：将含有固化性树脂的固化性树脂组合物涂布在支撑基材12上，将固化性树脂组合物固化而形成固定在支撑基材12上的密合层14的方法(涂布方法)；将膜状的密合层14固定于支撑基材12的表面的方法(贴附方法)等。其中，从密合层14对支撑基材12的粘接强度更优异的方面考虑，优选涂布方法。
在涂布方法中，作为在支撑基材12表面上形成固化性树脂组合物层的方法，例如可举出将固化性树脂组合物涂布在支撑基材12表面上的方法。作为涂布的方法，可举出喷涂法、模涂法、旋涂法、浸渍涂布法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。
固化方法没有特别限制，可根据所使用的树脂而选择最佳的固化条件。通常采用加热处理作为固化方法。
应于说明，除上述以外，也可以通过公知方法制作有机层。
例如，制作含有氟系树脂的密合层的方法没有特别限制，可举出使用含有氟系树脂的组合物制作密合层的方法、通过使用氟系的气体并照射等离子体而在对象物表面制作密合层的方法。
另外，在密合层14为无机层的情况下，作为无机层的制造方法，可以采用公知的方法。例如可举出通过蒸镀法、溅射法或CVD法在支撑基材12上设置含有规定成分的无机层的方法。通过上述方法得到的无机层被固定在支撑基材12上，并且该无机层的露出表面能够可剥离地密合于带电介质多层膜的基板16。
应于说明，作为制作由碳化物(碳材料)构成的无机层的方法，例如也可举出将含有酚醛树脂等树脂成分的树脂组合物涂布在支撑基材12上，实施烧结处理而使其碳化的方法。
制造条件可根据所使用的材料而适当选择最佳的条件。
应于说明，也可以在后述的层叠工序之前实施对具有玻璃基板和配置在玻璃基板上的电介质多层膜的带电介质多层膜的基板的电介质多层膜实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序。
(层叠工序)
层叠工序是在上述密合层形成工序中得到的密合层14的面上层叠带电介质多层膜的基板16，得到依次具备支撑基材12、密合层14和带电介质多层膜的基板16的玻璃层叠体10的工序。即，本工序是将带密合层的支撑基材与带电介质多层膜的基板进行层叠的工序。
应于说明，在将带电介质多层膜的基板16配置在密合层14上时，使带电介质多层膜的基板16中的电介质多层膜20成为密合层14侧。
将带电介质多层膜的基板16层叠在密合层14上的方法没有特别限制，可以采用公知的方法。
例如可举出在常压环境下在密合层14的表面上重叠带电介质多层膜的基板16的方法。应于说明，也可以根据需要在密合层14的表面上重叠带电介质多层膜的基板16后，使用辊、压制机使带电介质多层膜的基板16压接于密合层14。通过利用辊或压制机的压接，能够较容易地除去混入至密合层14与带电介质多层膜的基板16的层之间的气泡，因而优选。
如果通过真空层压法、真空压制法进行压接，则能够抑制气泡的混入、确保良好的密合，因而更优选。通过在真空下进行压接，也有如下优点：即使在残留微小的气泡的情况下，气泡也不会因加热而成长，不易造成带电介质多层膜的基板16的变形缺陷。
在层叠带电介质多层膜的基板16时，优选将与密合层14接触的带电介质多层膜的基板16的表面充分地清洗，在洁净度高的环境下进行层叠。洁净度越高，带电介质多层膜的基板16的平坦性越良好，因而优选。
应于说明，在层叠带电介质多层膜的基板16后，也可以根据需要进行预退火处理(加热处理)。通过进行该预退火处理，所层叠的带电介质多层膜的基板16对密合层14的密合性提高，能够形成适当的剥离强度(y)，电子设备的生产率提高。
玻璃层叠体10的SORI没有特别限制，优选为20～120μm。SORI的上限优选为120μm以下，更优选为110μm以下，进一步优选为100μm以下。如果为120μm以下，则能够消除基板的翘曲，能够消除在想要制造电子设备的情况下产生的基板的吸附不良。
SORI的下限优选为20μm以上。如果为20μm以上，则不受支撑基板的SORI、来自层叠方法的不均的影响而容易稳定地控制SORI。
应于说明，关于玻璃层叠体10，SORI的测定方法也与上述带电介质多层膜的基板16的SORI的测定方法相同。
＜＜第2实施方式＞＞
本发明的层叠体的第2实施方式是一种玻璃层叠体，依次具备支撑基材、密合层以及玻璃基板，玻璃基板可剥离地配置在密合层上，配置在密合层上之前的玻璃基板的SORI为130μm以上。
以往，如果想要单独使用SORI为130μm以上这样的翘曲大的基板制作电子设备，则如上所述，产生基板的吸附不良，结果导致电子设备的制造成品率降低。
在本玻璃层叠体中，通过将其自身具有规定的翘曲的玻璃基板密合配置在密合层上，玻璃基板追随密合层表面的平坦面，能够消除玻璃基板自身所具有的翘曲。因此，能够消除在想要单独使用基板制造电子设备的情况下产生的基板的吸附不良，高效地生产电子设备。应于说明，在配置电子设备用构件后，在密合层与带电介质多层膜的基板之间，可以将配置有电子设备用构件的玻璃基板剥离，能够得到期望的电子设备。
图4是本发明的玻璃层叠体的第2实施方式的示意性截面图。
如图4所示，玻璃层叠体100是支撑基材12、玻璃基板28以及在它们之间存在的密合层14的层叠体。
玻璃层叠体100除了将所使用的玻璃基板28配置在密合层14上之前具有规定量的翘曲这点以外，具有与玻璃层叠体10同样的构件，对相同的构成要素标注相同的参照符号，省略其说明，主要对玻璃基板28进行说明。
＜玻璃基板28＞
玻璃基板28是在被配置于密合层14上之前SORI为130μm以上的玻璃基板。即使为这样的SORI大的玻璃基板，通过制成玻璃层叠体，也能够消除来自玻璃基板28的翘曲的吸附不良。
上述SORI可以为130μm以上，也可以为180μm以上。SORI的上限没有特别限制，从处理性的方面考虑，优选500μm以下，更优选300μm以下。
上述SORI的测定方法与上述带电介质多层膜的基板16的SORI的测定方法相同。
玻璃基板28的制造方法没有特别限制，通常将玻璃原料熔融，将熔融玻璃成型为板状而得到。这样的成型方法可以为一般的方法，例如可使用浮法、熔融法、流孔下引法等。应于说明，作为容易产生翘曲的方法，可举出熔融法、流孔下引法。
玻璃基板28的玻璃的种类没有特别限制，可举出上述玻璃基板18中例示的种类。
从薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板28的厚度优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下，进一步优选为0.2mm以下，特别优选为0.1mm以下。在0.5mm以下的情况下，能够对玻璃基板18赋予良好的挠性。在0.2mm以下的情况下，能够将玻璃基板18卷绕成卷状。
另外，从容易制造玻璃基板28、玻璃基板18的处理容易等理由考虑，玻璃基板28的厚度优选为0.03mm以上。
作为玻璃层叠体100的制造方法，可举出在上述第1实施方式所说明的步骤中使用上述玻璃基板28代替带电介质多层膜的基板16的方法。
应于说明，也可以根据需要在层叠工序之前实施对由含有Si原子的膜被覆的基板的含有Si原子的膜实施选自电晕处理、大气压等离子体处理、和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序。此时，将具有支撑基材和配置在支撑基材上的密合层的带密合层的支撑基材与由已实施上述表面处理的含有Si原子的膜被覆的基板层叠，得到规定的层叠体。
玻璃层叠体100的SORI没有特别限制，优选为20～120μm。
应予说明，在上述第1实施方式和第2实施方式中，对使用玻璃基板作为基板的情况进行了详述，但基板的种类没有特别限定。
例如，作为基板，可举出金属板、半导体基板、树脂基板和玻璃基板。另外，基板例如也可以如由2种不同的金属构成的金属板那样由多个同种材料构成的基板。进而，基板例如也可以如由树脂和玻璃构成的基板那样为异种材料(例如选自金属、半导体、树脂和玻璃中的2种以上的材料)的复合体基板。
金属板、半导体基板等基板的厚度没有特别限制，从薄型化和/或轻量化的观点考虑，优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下，进一步优选为0.2mm以下，特别优选为0.1mm以下。另外，厚度的下限没有特别限制，优选为0.005mm以上。
另外，基板的面积(主面的面积)没有特别限制，从电子设备的生产率的方面考虑，优选为300cm2以上。
另外，基板的形状也没有特别限制，可以为矩形形状，也可以为圆形形状。另外，也可以在基板形成定向平面(所谓的取向平面。在基板的外周形成的平坦部分)、槽口(在基板的外周缘形成的一个或一个以上的V型的切口)。
基板的表面也可以进一步由含有Si原子的膜(以下，也称为“Si膜”)被覆。即，可以使用带Si膜的基板作为基板。作为带Si膜的基板，可举出带Si膜的树脂基板、带Si膜的玻璃基板、带Si膜的金属板、带Si膜的半导体基板等。
带Si膜的基板优选在上述第2实施方式中使用，更优选以带Si膜的基板的Si膜密合于密合层的方式将带Si膜的基板配置在层叠体中。通过使用Si膜，密合层与带Si膜的基板的密合性进一步提高。
作为Si膜，例如可举出氧化硅的蒸镀膜、氧化硅的溅射膜或有机硅树脂膜。
另外，在使用带Si膜的基板时，在将带Si膜的基板层叠在密合层上之前，通过对Si膜实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理，密合层与带Si膜的基板的密合性进一步提高。其中，作为表面处理，优选电晕处理和大气压等离子体处理，更优选电晕处理。
应于说明，关于带Si膜的树脂基板，如果树脂基板过薄，则在层叠体的倒角、清洗时，有时层叠体中的树脂基板容易翻卷。因此，带Si膜的树脂基板的剥离强度优选1.2N/25mm以上，更优选4.0N/25mm以上。
＜层叠体＞
本发明的层叠体(上述第1实施方式的玻璃层叠体10和第2实施方式的玻璃层叠体100)能够用于各种用途，例如可举出制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶片等电子部件的用途等。特别是如后所述在使用具有防反射功能的带电介质多层膜的基板16的方案的情况下，通过在所得到的电子设备中包含防反射膜，所得到的电子设备能够适用于要求防反射的用途。
在此，显示装置用面板包含LCD、OLED、电子纸、等离子体显示器面板、场发射面板、量子点LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电***)快门面板等。
此外，能够适用于透镜、传感器等光学元件等中要求可由电介质多层膜实现的光学特性的用途。
＜电子设备和其制造方法＞
在本发明中，使用上述层叠体(上述第1实施方式的玻璃层叠体10和第2实施方式的玻璃层叠体100)制造包含基板和电子设备用构件的电子设备(以下，也适当称为“带构件的玻璃基板”)。更具体而言，在使用上述玻璃层叠体10的情况下，制造包含带电介质多层膜的基板16和电子设备用构件的电子设备。另外，在使用上述玻璃层叠体100的情况下，制造包含玻璃基板28和电子设备用构件的电子设备。应于说明，作为电子设备的制造方法，不仅包含在层叠体上直接形成膜并进行蚀刻等加工、各种热处理等的情况，也包含将具有已在其它基板上形成的电子设备的基板直接用粘接剂、密封材料贴附在层叠体上的情况。
电子设备的制造方法没有特别限制，从电子设备的生产率优异的方面考虑，优选如下方法：在上述层叠体中的基板上形成电子设备用构件而制造带电子设备用构件的层叠体，以密合层的基板侧界面作为剥离面，由得到的带电子设备用构件的层叠体分离为电子设备和带密合层的支撑基材。
以下，将在上述层叠体中的基板上形成电子设备用构件而制造带电子设备用构件的层叠体的工序称为构件形成工序；将以密合层的基板侧界面作为剥离面，由带电子设备用构件的层叠体分离为电子设备和带密合层的支撑基材的工序称为分离工序。
以下，举出使用玻璃层叠体10的情况为例，对各工序中使用的材料和步骤进行详述。
(构件形成工序)
构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体10中的玻璃基板18上形成电子设备用构件的工序。更具体而言，如图5(A)所示，在带电介质多层膜的基板16的第2主面16b(露出表面)上配置电子设备用构件24，得到带电子设备用构件的层叠体30。
首先，对本工序中使用的电子设备用构件24进行详述，然后对工序的步骤进行详述。
(电子设备用构件(功能性元件))
电子设备用构件24是形成在玻璃层叠体10中的带电介质多层膜的基板16上而构成电子设备的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子设备用构件24，可举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池或表面形成有电路的半导体晶片等电子部件等所使用的构件(例如显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子零件用电路)。
例如，作为太阳能电池用构件，对于薄膜硅型，可举出正极的氧化锡等透明电极、p层/i层/n层所示的硅层以及负极的金属等，此外，可举出与化合物型、色素敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
另外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型，可举出正极和负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，此外，可举出与氢镍型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
另外，作为电子部件用电路用构件，对于CCD、CMOS等固体摄像元件，可举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等。
此外，可举出与压力传感器、加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、柔性印刷基板、刚性柔性印刷基板等对应的各种构件等。
(工序的步骤)
上述带电子设备用构件的层叠体30的制造方法没有特别限制，根据电子设备用构件的构成构件的种类，通过现有公知的方法在玻璃层叠体10的带电介质多层膜的基板16的第2主面16b上形成电子设备用构件24。
应于说明，电子设备用构件24也可以不是最终形成于带电介质多层膜的基板16的第2主面16b的构件的全部(以下，称为“整个构件”)，而为整个构件的一部分(以下，称为“部分构件”)。也可以通过其后的工序将从密合层14剥离的带部分构件的基板制成带整个构件的基板。
另外，在从密合层14剥离的带整个构件的基板上，也可以在其剥离面(第1主面16a)形成其它电子设备用构件。另外，也可以组装带整个构件的层叠体，然后，将带密合层的支撑基材22从带整个构件的层叠体剥离，制造电子设备。进而，也可以使用2张带整个构件的层叠体并将两者组合，然后，将2张带密合层的支撑基材22从带整个构件的层叠体剥离，制造具有2张带电介质多层膜的基板的带构件的基板。
例如，如果以制造OLED的情况为例，则为了在玻璃层叠体10的带电介质多层膜的基板16的与密合层14侧相反一侧的表面上(第2主面16b)形成有机EL结构体，进行如下各种层形成、处理：形成透明电极；进一步在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等；形成背面电极；使用密封板进行密封等。作为这些层形成、处理，具体而言，例如可举出成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘接处理等。
另外，例如，在制造TFT-LCD的情况下，具有如下等各种工序：TFT形成工序，在玻璃层叠体10的带电介质多层膜的基板16的第2主面16b上，使用抗蚀液，在通过CVD法和溅射法等一般的成膜法形成的金属膜和金属氧化膜等形成图案而形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，在另一玻璃层叠体10的带电介质多层膜的基板16的第2主面16b上，将抗蚀液用于图案形成而形成滤色器(CF)；以及贴合工序，将TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体与CF形成工序中得到的带CF的层叠体进行层叠。
在TFT形成工序、CF形成工序中，使用周知的光刻技术、蚀刻技术等在带电介质多层膜的基板16的第2主面16b形成TFT、CF。此时，使用抗蚀液作为图案形成用涂布液。
应予说明，在形成TFT、CF之前，也可以根据需要对带电介质多层膜的基板16的第2主面16b进行清洗。作为清洗方法，可以使用周知的干式清洗、湿式清洗。
在贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的滤色器形成面对置，使用密封剂(例如单元形成用紫外线固化型密封剂)进行贴合。然后，在由带TFT的层叠体和带CF的层叠体形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。
(分离工序)
如图5(B)所示，分离工序是以密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面作为剥离面，由上述构件形成工序中得到的带电子设备用构件的层叠体30分离为层叠有电子设备用构件24的带电介质多层膜的基板16(电子设备)和带密合层的支撑基材22，得到电子设备32的工序。
当剥离时的带电介质多层膜的基板16上的电子设备用构件24为需要的整个构成构件的形成的一部分的情况下，也可以在分离后在带电介质多层膜的基板16上形成其余构成构件。
将带电介质多层膜的基板16与支撑基材12剥离的方法没有特别限制。具体而言，例如，可以在带电介质多层膜的基板16与密合层14的界面***锐利的刀具状物，提供剥离的起点，然后喷吹水与压缩空气的混合流体而进行剥离。优选以带电子设备用构件的层叠体30的支撑基材12成为上侧、电子设备用构件24侧成为下侧的方式配置在平板上，使电子设备用构件24侧真空吸附在平板上(在两面层叠有支撑基材的情况下依次进行)，在该状态下，首先使刀具侵入带电介质多层膜的基板16-密合层14界面。并且，其后通过多个真空吸附垫吸附支撑基材12侧，从***刀的部位附近起依次使真空吸附垫上升。由此在密合层14与带电介质多层膜的基板16的界面、密合层14的凝聚破坏面形成空气层，该空气层向界面、凝聚破坏面的整个面扩展，能够容易地剥离支撑基材12。
剥离的起点形成、剥离也可以使用激光。
另外，带密合层的支撑基材22可以与新的带电介质多层膜的基板层叠而制造本发明的玻璃层叠体10。
应予说明，在将电子设备32从带电子设备用构件的层叠体30分离时，通过控制利用离子风机的喷吹、湿度，能够进一步抑制密合层14的碎片静电吸附于电子设备32。
上述电子设备32的制造方法适于手机、PDA这样的移动终端中使用的小型的显示装置的制造。显示装置主要为LCD或OLED，作为LCD，包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型中的任一显示装置的情况下均可应用。
作为通过上述方法制造的电子设备32，可举出具有玻璃基板和显示装置用构件的显示装置用面板、具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池、具有玻璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池、具有玻璃基板和电子设备用构件的电子零件等。作为显示设备用面板，包含液晶面板、有机EL面板、等离子体显示器面板、场发射面板等。
应予说明，上述对使用作为第1实施方式的玻璃层叠体10的电子设备的制造方法进行了说明，但可以使用作为第2实施方式的玻璃层叠体100代替玻璃层叠体10，通过同样的步骤制造电子设备。
实施例
以下，通过实施例等对本发明进行具体说明，但本发明并不受这些例子限制。
在以下的实施例1中，使用由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板(直径200mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子公司制造的商品名“AN100”)作为支撑基材。另外，使用由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板(直径200mm、板厚0.4mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子公司制造的商品名“AN100”)作为玻璃基板。
应予说明，后述的各构件的SORI通过上述的方法进行测定。
＜实施例1＞
首先，以纯水对板厚0.5mm的支撑基材进行清洗后，进一步进行UV清洗而净化。
接着，将含烯基的有机聚硅氧烷(数均分子量：2000、烯基的数量：2个以上)(100质量份)与氢聚硅氧烷(数均分子量：2000、氢甲硅烷基的数量：2个以上)(6.7质量份)进行配合。应予说明，含烯基的有机聚硅氧烷中的烯基与氢聚硅氧烷中的氢甲硅烷基的混合摩尔比(氢甲硅烷基的摩尔数/烯基的摩尔数)为0.4/1。进而，相对于含烯基的有机聚硅氧烷和氢聚硅氧烷的合计质量(100质量份)添加300ppm的催化剂(铂系催化剂)。将该液体设为固化性树脂组合物X。使用模涂机将该固化性树脂组合物X涂布于支撑基材的第1主面上，将含有未固化的含烯基的有机聚硅氧烷和氢聚硅氧烷的层设置在支撑基材上。
接着，在140℃、在大气中加热3分钟后，在230℃、在大气中加热固化20分钟，在支撑基材的第1主面形成厚度10μm的有机硅树脂层。应予说明，有机硅树脂层的平坦性良好。
依照以下的步骤在玻璃基板上制造电介质多层膜。
将玻璃基板清洗后，通过溅射装置，按照Nb2O5膜、SiO2膜、Nb2O5膜、SiO2膜的顺序成膜4层，形成合计膜厚250nm的可见度反射率0.5％的电介质多层膜。
得到的带电介质多层膜的玻璃基板的SORI为185μm。
应予说明，将电介质多层膜以在玻璃基板表面上残留未配置电介质多层膜的框状的周缘区域的方式配置在玻璃基板的表面上(参照图3)。另外，周缘区域的宽度W(电介质多层膜的成膜区域和未制膜区域的边界与玻璃基板的外周缘的距离)在整个区域为0.005mm。
接着，以电介质多层膜与有机硅树脂层密合的方式在室温下通过真空压制使上述得到的带电介质多层膜的玻璃基板与支撑基材的有机硅树脂层面贴合，得到玻璃层叠体A。
在得到的玻璃层叠体A中，支撑基材与带电介质多层膜的玻璃基板以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在玻璃层叠体A中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于带电介质多层膜的玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度。
另外，玻璃层叠体A的SORI与上述玻璃基板的测定同样地进行测定，结果为100μm。
接着，依照以下的方法，在玻璃层叠体A的玻璃基板上制造电子设备用构件。
作为电子设备用构件的制造方法，实施在玻璃基板上形成有机EL结构体的方法。具体而言，实施形成透明电极的工序，蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层的工序以及密封工序，形成有机EL结构体。
然后，在制造了电子设备用构件的玻璃层叠体A的4个部位中的1个部位的角部的玻璃基板与有机硅树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具而形成剥离的切口部，并且使真空吸附垫吸附于支撑基材的不是剥离面的面，对支撑基材与电子设备(包含带电介质多层膜的玻璃基板和电子设备用构件的电子设备)彼此分离的方向施加外力，在不使支撑基材与电子设备破损的情况下进行分离。在此，刀具的***一边由离子风机(KEYENCE公司制造)向该界面喷吹除电性流体一边进行。具体而言，一边由离子风机持续向所形成的空隙喷吹除电性流体一边提拉真空吸附垫。
通过上述步骤，来自带电介质多层膜的玻璃基板的翘曲的吸附不良得以消除，电子设备的制造成品率不会降低。另外，得到玻璃层叠体A之后，通过电介质多层膜的膜面由支撑基板保护，在将支撑基材剥离之前的工序中，也没有对电介质多层膜的损伤、膜剥离所致的制造成品率的降低。另外，也未确认到处理液从玻璃层叠体A的端部向玻璃层叠体A内部的浸入。
＜实施例1-1＞
将玻璃基板清洗后，通过溅射装置按照Nb2O5膜、SiO2膜、Nb2O5膜的顺序成膜3层，形成合计膜厚200nm的电介质多层膜，除此以外，依照与实施例1同样的步骤得到玻璃层叠体A-1。
得到的带电介质多层膜的玻璃板和玻璃层叠体A-1的SORI分别与实施例1的带电介质多层膜的玻璃板和玻璃层叠体A的SORI大致相同。
另外，使用玻璃层叠体A-1代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果与实施例1同样地不存在制造成品率的降低。
应予说明，上述带电介质多层膜的玻璃板中的电介质多层膜的最表面的电介质层为Nb2O5膜，通过该层与有机硅树脂层密合。
接着，依照与后述的(剥离强度的测定方法)同样的步骤对玻璃层叠体A和玻璃层叠体A-1中的带电介质多层膜的玻璃板的剥离强度进行测定，结果玻璃层叠体A中的带电介质多层膜的玻璃板的剥离强度更大。根据该结果，确认到在电介质多层膜的最表面的电介质层为SiO2膜的情况下，带电介质多层膜的玻璃板的密合性进一步提高。
＜实施例1-2＞
带电介质多层膜的玻璃板中的电介质多层膜的最表面的电介质层对SiO2膜进行电晕处理，除此以外，依照与实施例1同样的步骤得到玻璃层叠体A-2。
得到的带电介质多层膜的玻璃板和玻璃层叠体A-2的SORI分别与实施例1的带电介质多层膜的玻璃板和玻璃层叠体A的SORI大致相同。
另外，使用玻璃层叠体A-2代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果与实施例1同样地不存在制造成品率的降低。
应予说明，上述带电介质多层膜的玻璃板中的电介质多层膜的最表面的电介质层为实施了电晕处理的SiO2膜，通过该层与有机硅树脂层密合。
接着，依照与后述的(剥离强度的测定方法)同样的步骤对玻璃层叠体A和玻璃层叠体A-2中的带电介质多层膜的玻璃板的剥离强度进行测定，结果玻璃层叠体A-2中的带电介质多层膜的玻璃板的剥离强度更大。根据该结果，确认到在电介质多层膜的最表面的电介质层为实施了电晕处理的SiO2膜的情况下，带电介质多层膜的玻璃板的密合性进一步提高。
＜实施例2＞
使用板厚0.2mm、直径300mm的玻璃基板，除此以外，通过与实施例1同样的步骤，通过溅射装置按照Nb2O5膜、SiO2膜、Nb2O5膜、SiO2膜的顺序成膜4层，形成合计膜厚250nm的可见度反射率0.5％的电介质多层膜。另外，周缘区域的宽度W为5mm。
得到的带电介质多层膜的玻璃基板的SORI为195μm。
接着，通过与实施例1同样的步骤得到玻璃层叠体B后，对玻璃层叠体B的SORI进行测定，结果为115μm以下。
使用玻璃层叠体B代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果与实施例1同样地不存在制造成品率的降低。另外，也未确认到处理液从玻璃层叠体B的端部向玻璃层叠体A内部的浸入。
＜实施例3＞
玻璃基板使用SORI为135μm的玻璃板，不形成电介质多层膜，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到玻璃层叠体C。在得到的玻璃层叠体C中，支撑基材与玻璃基板以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在玻璃层叠体C中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果玻璃层叠体C的SORI为80μm。
使用玻璃层叠体C代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果与实施例1同样地不存在制造成品率的降低。
＜实施例4＞
周缘区域的宽度W在整个区域为0.7mm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到玻璃层叠体D。在得到的玻璃层叠体D中，支撑基材与玻璃基板以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在玻璃层叠体D中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果玻璃层叠体D的SORI为70μm。
使用玻璃层叠体D代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果与实施例1同样地不存在制造成品率的降低。另外，也未确认到处理液从玻璃层叠体D的端部向玻璃层叠体D内部的浸入。
＜实施例5＞
周缘区域的宽度W在整个区域为0.15mm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到玻璃层叠体E。在得到的玻璃层叠体E中，支撑基材与玻璃基板以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在玻璃层叠体E中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果玻璃层叠体E的SORI为70μm。
使用玻璃层叠体E代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果确认到由处理液从玻璃层叠体E的端部向玻璃层叠体E内部的浸入引起的一部分界面的剥离。另外，与实施例1相比，电子设备的制造成品率降低0.5％。
＜实施例6＞
周缘区域的宽度W在整个区域为0.08mm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到玻璃层叠体F。在得到的玻璃层叠体F中，支撑基材与玻璃基板以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在玻璃层叠体F中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果玻璃层叠体F的SORI为70μm。
使用玻璃层叠体F代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果确认到由处理液从玻璃层叠体F的端部向玻璃层叠体F内部的浸入引起的一部分界面的剥离。另外，与实施例1相比，电子设备的制造成品率降低3％。
＜比较例1＞
使用实施例3中使用的SORI为135μm的玻璃基板代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果由于玻璃基板的吸附不良而导致与实施例1相比，电子设备的制造成品率降低12％。
＜比较例2＞
使用实施例1中制造的带电介质多层膜的玻璃基板(SORI：185μm)代替玻璃层叠体A，依照与实施例1同样的步骤进行电子设备的制造，结果由于带电介质多层膜的玻璃基板的吸附不良而导致与实施例1相比，电子设备的制造成品率降低15％。另外，在电介质多层膜中随处可见工序中产生的损伤。
＜实施例7＞
使用SORI为180μm的PET膜(Toray株式会社制造，Lumirror T60，厚度25μm)代替玻璃基板，不形成电介质多层膜，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到层叠体G。在得到的层叠体G中，支撑基材与PET膜以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在层叠体G中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于PET膜与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果层叠体G的SORI为105μm。
应予说明，通过使用显示与玻璃层叠体A相同程度的SORI的层叠体G，能够与玻璃层叠体A同样地成品率良好地制造电子设备。
将层叠体G真空吸附于旋涂机，结果能够没有问题地吸附。
应予说明，通过带纯水喷淋机构的清洗机对5张层叠体G进行水洗，结果全部产生膜剥离。
对层叠体G进行以下的剥离试验，测定PET膜的剥离强度(N/25mm)。此时的剥离强度为0.46N/25mm。
(剥离强度的测定方法)
对于剥离强度的测定方法，准备宽度25mm、长度70mm的层叠体G，使用AutographAG-20/50kNXDplus(岛津制作所)进行PET膜的剥离。
此时，在PET膜与有机硅树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具而形成剥离的切口部后，将PET膜完全固定并提拉支撑基材，由此进行剥离强度的测定。应予说明，剥离速度为30mm/min。将检测到负荷的位置设为0，将从该位置起提拉1.5mm的位置的剥离强度作为测定值。
＜实施例8＞
使用SORI为210μm的带二氧化硅蒸镀膜的PET膜(三菱树脂制造，Techbarrier LPET，厚度12μm)代替玻璃基板，使二氧化硅蒸镀面朝向支撑基板侧进行层叠，除此以外，通过与实施例7同样的方法得到层叠体H。在得到的层叠体H中，支撑基材与带二氧化硅蒸镀膜的PET膜以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在层叠体H中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于带二氧化硅蒸镀膜的PET膜与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果层叠体H的SORI为105μm。
应予说明，通过使用显示与玻璃层叠体A相同程度的SORI的层叠体H，能够与玻璃层叠体A同样地成品率良好地制造电子设备。
将层叠体H真空吸附于旋转涂布机，结果能够没有问题地吸附。
应予说明，通过带纯水喷淋机构的清洗机对5张层叠体H进行水洗，结果2张层叠体产生膜剥离。
对层叠体H进行上述(剥离强度的测定方法)的剥离试验，测定带二氧化硅蒸镀膜的PET膜的剥离强度(N/25mm)。此时的剥离强度为1.75N/25mm。
＜实施例9＞
使用SORI为210μm的带二氧化硅蒸镀膜的PET膜(三菱树脂制造，Techbarrier LPET，厚度12μm)代替玻璃基板，在即将层叠带二氧化硅蒸镀膜的PET膜之前对二氧化硅蒸镀膜进行电晕处理后，使二氧化硅蒸镀面朝向支撑基板侧进行层叠，除此以外，通过与实施例7同样的方法得到层叠体I。在得到的层叠体I中，支撑基材与带二氧化硅蒸镀膜的PET膜以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在层叠体I中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于带二氧化硅蒸镀膜的PET膜与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果层叠体I的SORI为105μm。
应予说明，通过使用显示与玻璃层叠体A相同程度的SORI的层叠体I，能够与玻璃层叠体A同样地成品率良好地制造电子设备。
将层叠体I真空吸附于旋转涂布机，结果能够没有问题地吸附。
应予说明，通过带纯水喷淋机构的清洗机对5张层叠体I进行水洗，结果全部层叠体均未产生膜剥离。
对层叠体I进行上述(剥离强度的测定方法)的剥离试验，测定带二氧化硅蒸镀膜的PET膜的剥离强度(N/25mm)。此时的剥离强度为4.17N/25mm。
＜实施例10＞
使用SORI为190μm的带有机硅膜的PET膜(藤森工业公司制造，型号：50E-0010-CHK，厚度50μm)代替玻璃基板，在即将层叠带有机硅膜的PET膜之前对有机硅膜进行电晕处理后，使有机硅膜面朝向支撑基板侧进行层叠，除此以外，通过与实施例7同样的方法得到层叠体J。在得到的层叠体J中，支撑基材与带有机硅膜的PET膜以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在层叠体J中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于带有机硅膜的PET膜与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果层叠体J的SORI为100μm。
应予说明，通过使用显示与玻璃层叠体A相同程度的SORI的层叠体J，能够与玻璃层叠体A同样地成品率良好地制造电子设备。
将层叠体J真空吸附于旋转涂布机，结果能够没有问题地吸附。
通过带纯水喷淋机构的清洗机对5张层叠体J进行水洗，结果全部层叠体均未产生膜剥离。
对层叠体J进行上述(剥离强度的测定方法)的剥离试验，测定带有机硅膜的PET膜的剥离强度(N/25mm)。此时的剥离强度为4.25N/25mm。
＜实施例11＞
使用SORI为190μm的带丙烯酸系粘合剂的PET膜代替玻璃基板，在即将层叠带丙烯酸系粘合剂的PET膜之前对丙烯酸系粘合剂进行电晕处理之后，使丙烯酸系粘合剂面朝向支撑基板侧进行层叠，除此以外，通过与实施例7同样的方法得到层叠体K。在得到的层叠体K中，支撑基材与带丙烯酸系粘合剂的PET膜以不产生气泡的方式与有机硅树脂层密合，也不存在变形缺陷。另外，在层叠体K中，有机硅树脂层与支撑基材的层的界面的剥离强度大于带丙烯酸系粘合剂的PET膜与有机硅树脂层的界面的剥离强度。另外，与上述实施例1同样地进行测定，结果层叠体K的SORI为100μm。
应予说明，通过使用显示与玻璃层叠体A相同程度的SORI的层叠体K，能够与玻璃层叠体A同样地成品率良好地制造电子设备。
将层叠体K真空吸附于旋转涂布机，结果能够没有问题地吸附。
通过带纯水喷淋机构的清洗机对5张层叠体K进行水洗，结果4张层叠体产生膜剥离。
对层叠体K进行上述(剥离强度的测定方法)的剥离试验，测定带丙烯酸系粘合剂的PET膜的剥离强度(N/25mm)。此时的剥离强度为1.09N/25mm。
参照特定的方案对本发明进行了详细说明，但可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行各种变更和修正对本领域技术人员而言是清楚的。应予说明，本申请基于2016年8月18日提出申请的日本专利申请(日本特愿2016-160802)，通过引用援引其整体。另外，将在此引用的所有参照作为整体并入本文。
符号说明
10、100 玻璃层叠体
12 支撑基材
14 密合层
16 带电介质多层膜的基板
18、18A、28 玻璃基板
20、20A 电介质多层膜
22 带密合层的支撑基材
24 电子设备用构件
30 带电子设备用构件的层叠体
32 电子设备

Claims (19)

1.一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层和基板，
所述基板在密合层侧的表面上具备交替层叠折射率不同的2种以上的电介质层而成的电介质多层膜，
具备所述电介质多层膜的所述基板以所述电介质多层膜可剥离地与所述密合层密合的方式配置在所述密合层上。
2.一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层和基板，
所述基板可剥离地密合配置在所述密合层上，
在所述密合层上配置之前的所述基板的SORI为130μm以上。
3.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的最表面的电介质层为含有Si原子的膜。
4.根据权利要求1或3所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的最表面的电介质层为SiO2。
5.根据权利要求1、3和4中任一项所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜为防反射膜。
6.根据权利要求1、3～5中任一项所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的厚度为0.001～5μm。
7.根据权利要求1、3～6中任一项所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜以在所述基板表面上残留未配置所述电介质多层膜的周缘区域的方式配置在所述基板的表面上，
在所述周缘区域，存在宽度为0.1～20mm的范围的区域。
8.根据权利要求1、3～6中任一项所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜以在所述基板表面上残留未配置所述电介质多层膜的周缘区域的方式配置在所述基板的表面上，
在所述周缘区域，存在宽度为0.01mm以下的范围的区域。
9.根据权利要求2所述的层叠体，其中，与所述密合层相接的一侧的所述基板的表面由含有Si原子的膜被覆。
10.根据权利要求9所述的层叠体，其中，所述含有Si原子的膜为氧化硅的蒸镀膜、氧化硅的溅射膜或有机硅树脂膜。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的层叠体，其中，所述密合层为含有有机硅树脂的层。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的层叠体，其中，所述基板的主面的面积为300cm2以上。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的层叠体，其中，SORI为20～120μm。
14.根据权利要求1～13中任一项的层叠体，其中，所述基板为玻璃基板。
15.一种电子设备的制造方法，具备如下工序：
构件形成工序，在权利要求1所述的层叠体的所述基板的与所述密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体；和
分离工序，从所述带电子设备用构件的层叠体除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述带电介质多层膜的基板和所述电子设备用构件的电子设备。
16.一种电子设备的制造方法，具备如下工序：
构件形成工序，在权利要求2所述的层叠体的所述基板的与所述密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体；和
分离工序，从所述带电子设备用构件的层叠体除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述基板和所述电子设备用构件的电子设备。
17.根据权利要求15或16所述的电子设备的制造方法，其中，所述基板为玻璃基板。
18.一种权利要求1所述的层叠体的制造方法，具有如下工序：
对带电介质多层膜的基板的所述电介质多层膜的最表面的电介质层实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序，所述带电介质多层膜的基板具有基板和配置在所述基板上的电介质多层膜；和
将带密合层的支撑基材与已实施所述表面处理的带电介质多层膜的基板进行层叠的工序，所述带密合层的支撑基材具有支撑基材和配置在所述支撑基材上的密合层。
19.一种权利要求9所述的层叠体的制造方法，具有如下工序：
对被覆于所述基板的含有Si原子的膜实施选自电晕处理、大气压等离子体处理和UV臭氧处理中的至少1种表面处理的工序；和
将带密合层的支撑基材与由已实施所述表面处理的含有Si原子的膜被覆的基板进行层叠的工序，所述带密合层的支撑基材具有支撑基材和配置在所述支撑基材上的密合层。
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