CN107857480A - 玻璃板和玻璃基板的制造方法 - Google Patents

玻璃板和玻璃基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供玻璃板和玻璃板的制造方法。该玻璃板使成为吸附面的面粗糙化、且抑制反应气体对相反侧的半导体元件等的形成面的影响。玻璃板(1)包括第1主表面(10)、第2主表面(20)、第1端面(30)、第2端面(40)、第3端面(50)以及第4端面(60)。一边将玻璃板(1)在表面粗糙化装置(100)内输送一边使其第2主表面(20)被作为反应气体的氟化氢气体蚀刻，并尽量抑制反应气体对其他面的影响。特别是，第1主表面(10)的Al/Si的值大于第2主表面(20)的Al/Si的值，抑制Al自玻璃成分中被沥滤，使第1主表面(10)与形成于第1主表面(10)的半导体元件等的密合性良好。

Description

玻璃板和玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及平板显示器等使用的玻璃板和玻璃基板(玻璃板)的制造方法。
背景技术
在平板显示器等的制造工艺中，以真空吸附将玻璃板保持于载物台(台座)并形成电路等，在将玻璃板自载物台拆下时，会引起剥离带电而使玻璃板产生龟裂、裂纹，因此，为了防止剥离带电，公知有使吸附面表面粗糙化的方案(参照专利文献1)。
专利文献1公开有以下这样的玻璃板：该玻璃板包括作为形成半导体元件或彩色胶片的表面的第1表面、以及与第1表面相反的一侧的第2表面，第2表面具有大于-1.5且小于-0.5的Rsk，该玻璃板为使用了具有包含SiO2、Al2O3以及B2O3的组成的硼铝硅酸盐玻璃的基板，利用表面处理降低与载置玻璃板的平台(载物台)表面接触的第2表面的面积，更有效地抑制玻璃基板的带电。
专利文献1：日本特开2014-69999号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中，由于作为反应气体的氟化氢气体的蔓延，不仅使第2表面受到影响，还使得形成半导体元件等的第1表面也受到反应气体的影响。例如，可列举由于第1主表面的表面的平滑性受损、因反应气体使玻璃表面的Al被置换为F而表现憎油性，因而使半导体元件等的密合性劣化的情况。这样，存在有以下的课题：若与本来成为表面粗糙化的对象的表面(第2表面)不同的表面(第1表面)受到反应气体的影响，则在形成半导体元件、滤色器、黑色矩阵(BM)等时引起不良。
本发明的目的在于提供使成为吸附面的面粗糙化、且抑制反应气体对相反侧的半导体元件等的形成面的影响的玻璃板和该玻璃板(玻璃基板)的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的玻璃板具有：第1主表面；第2主表面，其与所述第1主表面相对；以及端面，其连接所述第1主表面和所述第2主表面，所述第1主表面的第1表面粗糙度小于所述第2主表面的第2表面粗糙度，所述第1主表面的Al/Si的值大于所述第2主表面的Al/Si的值。
本发明的玻璃基板的制造方法为显示器用玻璃基板的制造方法，其中，该制造方法具有：制作玻璃基板的工序；以及表面粗糙化工序，仅对所述玻璃基板的主表面中的一个主表面的玻璃表面使用反应气体进行表面粗糙化。
发明的效果
采用本发明，能够提供使成为吸附面的面粗糙化、且抑制反应气体对相反侧的半导体元件等的形成面的影响的玻璃板。
附图说明
图1的(a)～图1的(b)表示本发明所涉及的玻璃板的一例子，图1的(a)是主视立体图，图1的(b)是表面粗糙化装置内的输送状态的示意图。
图2的(a)～图2的(b)是表示本发明所涉及的玻璃板的制造方法的一例子的示意图，图2的(a)是实施方式1，图2的(b)是实施方式2。
图3的(a)～图3的(b)是接着图2的(a)～图2的(b)的图，图3的(a)是实施方式3，图3的(b)是实施方式4。
图4的(a)～图4的(c)表示测量本发明所涉及的玻璃板的第1主表面的氟量以及Al/Si比得到的结果，图4的(a)是测量点的主视图，图4的(b)是氟量的测量结果的表，图4的(c)是Al/Si测量结果的表。
图5的(a)～图5的(c)是表示本发明所涉及的玻璃板的以表示各种粗糙度的指标测量得到的值的表，图5的(a)是第1主表面的测量值，图5的(b)是第2主表面的测量值，图5的(c)是以图5的(a)～图5的(b)的各平均值计算的第1主表面/第2主表面的值。
图6的(a)～(b)是测量本发明所涉及的玻璃板的第1端面、第2端面、第3端面、第4端面的碎玻璃剥离率得到的表，图6的(a)是第1样品，图6的(b)是第2样品。
附图标记说明
1、玻璃板(玻璃基板)；10、第1主表面；20、第2主表面；30、第1端面；40、第2端面；50、第3端面；60、第4端面；100、表面粗糙化装置；101、旋转辊；102、喷嘴；103、顶板；G、残留气体。
具体实施方式
以下，使用附图详细说明本发明所涉及的玻璃板的具体的实施方式。
图1的(a)～图1的(b)表示本发明所涉及的玻璃板的一例子，图1的(a)是主视立体图，图1的(b)是表面粗糙化装置内的输送状态的示意图。使用图1的(a)～图1的(b)详细说明玻璃板的一例子。
本实施方式的玻璃板1呈大致矩形形状，包括：第1主表面10；第2主表面20，其与第1主表面10相对；以及四个端面，其连接第1主表面10和第2主表面20，四个端面具有：第1端面30；第2端面40，其与第1端面30相对；第3端面50，其连接第1端面30的一端和第2端面40的一端；以及第4端面60，其连接第1端面30的另一端和第2端面40的另一端且与第3端面50相对。
在设于输送玻璃板1的输送装置内的表面粗糙化装置100中，上表面为第1主表面10，与旋转辊101接触并利用作为反应气体的氟化氢气体(HF)蚀刻的面为第2主表面20，输送方向(参照图中箭头方向)上的前端面为第1端面30，与第1端面30相反的一侧的端面为第2端面40，从玻璃板1的第1主表面10侧观察时，右侧为第3端面50，左侧为第4端面60。
本实施方式的玻璃板1例如用于液晶显示器、等离子体显示器和有机EL显示器等平板显示器(FPD)的制造。玻璃板1例如为板厚约0.2mm～0.8mm、长宽约600mm～3000mm的矩形形状。
玻璃板1的第1主表面10为在FPD的制造工序中形成包含TFT等半导体元件、多晶硅薄膜、ITO(Indium Thin Oxide：氧化铟锡)薄膜、滤色器以及黑色矩阵(BM)等在内的多层薄膜的面。另外，还将玻璃板表示为玻璃基板。
玻璃板1为硅酸盐玻璃即可，组成没有特殊限定，例如在显示器用的玻璃基板的情况下，优选具有含有SiO2、Al2O3、B2O3以及碱土金属的氧化物的组成的铝硅酸玻璃。另外，从所形成的元件的密合性和抑制不良的观点来看，在铝硅酸玻璃中更优选实际上不含碱金属成分的、所谓的无碱玻璃。另外，实际上不含碱金属成分是指除了完全不含碱金属成分以外、容许含有制造上的不可避免的成分的情况。具体而言，优选玻璃组成中的碱金属氧化物的含量在0.1质量％以下。
输送装置在制造玻璃板1的工序中用于将已切断为规定的尺寸的预先制作成的玻璃板(玻璃基板)一张一张地连续沿规定的方向输送，该输送装置包括表面粗糙化装置100。表面粗糙化装置100包括利用未图示的驱动装置等旋转的多个旋转辊101、设于旋转辊101的下方的喷嘴102以及设于旋转辊101上方的顶板103。
喷嘴102在与玻璃板1的输送方向大致垂直的方向上自玻璃板1的下侧向在表面粗糙化装置100内输送的玻璃板1吹送反应气体。由此，对玻璃板1的第2主表面20进行蚀刻(表面粗糙化)。另外，喷嘴102具有供给反应气体的气体供给通路104和抽吸反应气体的气体抽吸通路105。
气体供给通路104与设于外部的、例如未图示的供给原料气体的原料气体供给装置连接。原料气体例如包含氟系原料气体和载气。
氟系原料气体用于生成与玻璃板1的表面反应的氟系反应成分。通过对氟系原料气体进行等离子化(包含分解、冷气、活性化、离子化等)而能够生成氟系反应成分。载气用于输送和稀释氟系原料气体、进行等离子放电。在本实施方式中，作为氟系原料气体而使用了CF4，作为载气而使用了氩气。
另外，氟系原料气体并不限定于此，还可以使用C2F6、C3F8这样的其他的全氟碳化物、CHF3、CH2F2、CH3F这样的氢氟碳化物、SF6、NF3、XeF2这样的其他的含氟化合物。另外，载气并不限定于此，还可以使用N2、氦气、氖气、氙气这样的其他非活性气体。
在本实施方式中，通过向进行蚀刻的第2主表面20吹送作为氟化氢气体的反应气体，并尽量减少反应气体对第1主表面10的影响，从而抑制Al从第1主表面10的玻璃成分中被沥滤(リーチング)并置换为F。
反应气体经由气体供给通路104向玻璃板1的第2主表面20被吹送，并经由气体抽吸通路105被释放到表面粗糙化装置100的外部，但由于为气体，因此，反应气体不仅被吹送到第2主表面20，还存在有反应气体蔓延到第1主表面10的情况。例如，在连续输送多张玻璃板1并进行蚀刻的情况下，在第一张第1玻璃板通过之后、在直到临近第二张第2玻璃板的蚀刻处理部分之前(即，在使第1玻璃板表面粗糙化之后，在直到对第2玻璃板进行表面粗糙化之前)，存在有作为残留气体G在表面粗糙化装置100内滞留的倾向。在存在有该残留气体G的情况下，在输送第二张第2玻璃板时，特别是存在有反应气体自第1主表面10中的输送方向下游侧蔓延的情况。以下，根据图2、图3说明去除这样的残留气体G、向第1主表面10侧蔓延的反应气体、抑制反应气体对第1主表面10的影响的玻璃板(玻璃基板)的制造方法的一例子。另外，以下，为了方便说明，图2、图3以易于理解的方式进行记载，实际的结构比例等可以不必一定一致。
＜实施方式1：参照图2的(a)＞
实施方式1为以下的方法：在表面粗糙化装置100的顶板103形成多个开口部106，自开口部106朝向喷嘴102吹送空气，吹走蔓延到第1主表面10侧的反应气体、和/或残留在表面粗糙化装置100内的残留气体G(因反应气体在表面粗糙化装置100内滞留而形成的气体)。可以将被吹走的残留气体G等自气体抽吸通路105抽吸到喷嘴102并再一次作为反应气体进行使用。另外，由于直接使空气接触被输送的玻璃板1的第1主表面10，因此，能够减少反应气体的蔓延，能够抑制反应气体在第1主表面10上的影响。另外，通过在被输送的玻璃板1与下一被输送的玻璃板1之间总是持续吹送空气，从而能够吹走残留气体G，尽量避免反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响。
＜实施方式2：参照图2的(b)＞
实施方式2为以下的方法：在表面粗糙化装置100的顶板103形成多个开口部106，抽吸自开口部106蔓延到第1主表面10侧的反应气体、和/或残留在表面粗糙化装置100内的残留气体G。由此，即使反应气体蔓延到第1主表面10侧，也能够抽吸该反应气体，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响。另外，通过不断自开口部106抽吸反应气体等、自气体抽吸通路105抽吸残留气体G，从而能够尽量避免反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响。
＜实施方式3：参照图3的(a)＞
实施方式3为以下的方法：在表面粗糙化装置100的上方设置多个吹出空气的喷嘴107，向输送来的玻璃板1的第1主表面10进行吹送，吹走蔓延到第1主表面10侧的反应气体、和/或残留气体G。可以将被吹走的残留气体G等自气体抽吸通路105抽吸到喷嘴102内并再一次作为反应气体进行使用。由于直接向玻璃板1的第1主表面10吹送空气，因此，能够减少反应气体的蔓延，能够积极地抑制残留气体G对第1主表面10产生的作用。另外，喷嘴107的角度任意。
＜实施方式4：参照图3的(b)＞
实施方式4为以下的方法：表面粗糙化装置100的顶板103的底面103a朝向上方倾斜，空间相对于玻璃板1的输送方向朝向相反反向扩展，因此，残留气体G难以在表面粗糙化装置100内残留。由于残留气体G难以残留，因此，能够抑制反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响。另外，底面103a并不限定于倾斜，只要形成有使残留气体G扩散的空间即可。例如，可以是圆顶型这样的形状，也可以向输送方向侧倾斜，还可以是空间朝向输送方向扩展的结构。
另外，能够以不产生反应气体的蔓延、和/或残留气体G的程度控制反应气体的量、气体的喷出时刻。而且，还能够停止玻璃板1的输送或调整输送速度，直到残留气体G分散为止。通过控制这些方面中的至少任一方面，能够抑制反应气体的蔓延、和/或残留气体G的产生。
而且，还可以在玻璃板1的第1主表面10载置框板，抑制蔓延到第1主表面10侧的反应气体和/或残留气体G与第1主表面10接触。另外，还可以利用由薄膜覆盖第1主表面10的方法、实施由氟化氢剥离的覆膜等的方法抑制蔓延到第1主表面10侧的反应气体和/或残留气体G与第1主表面10接触。将这些框板、薄膜、由氟化氢剥离的覆膜等表示为“防止玻璃基板的主表面中的另一侧的玻璃表面与反应气体之间的接触的接触抑制构件”。另外，还能够将这些方法与上述的各实施方式任意组合。
如上所述，由于包括防止反应气体向第1主表面10侧蔓延的控制机构和工序、不产生残留气体G的机构和工序、吹走残留气体的机构和工序以及防止反应气体与第1主表面10之间的接触的机构和工序，因此，能够抑制反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响。
图4表示测量第1主表面10的氟量以及Al/Si比得到的结果，图4的(a)是测量点的主视图，图4的(b)是氟量的测量结果的表，图4的(c)是Al/Si测量结果的表。比较例为未去除蔓延到第1主表面10侧的反应气体和/或残留气体G的情况下的测量值，实施例为基于上述的实施例尽可能地去除了残留气体G的情况下的测量值。另外，由于追加实施简单的清洗时几乎无法检测到氟，因此，图4的(b)中表示了清洗前的值，由于Al/Si的值即使进行清洗也不会变化，因此，清洗前的值均有效。
另外，Al/Si比为使用X射线光电子能谱法测量到的玻璃板1的表面(第1主表面10)的Al浓度和Si浓度的比、即Al的atm％和Si的atm％的比。测量装置使用ULVAC-PHI公司(アルバツク·ファイ社)制造的ESCA5500，使用Si(2p)和Al(2p)的峰值，以通过能量117.4eV、能量梯级(エネルギーステップ)0.5eV/step、出射角度(试样表面与检测器所成的角度)150°的条件进行测量。光谱分析使用分析软件Multi Pak Ver.8.2。氟量(氟的含量)也利用相同的方法进行测量。
测量点为六个，且在玻璃板1的第1主表面10上由(1)～(6)进行表示(参照图4的(a))。测量点(1)为第1主表面10的靠近第1端面30和第4端面60的角侧附近，测量点(2)为第1主表面10的靠近第1端面30和第3端面50的角侧附近，测量点(3)为第1主表面10的靠近第2端面40和第3端面50的角侧附近，测量点(4)为第1主表面10的靠近第2端面40和第4端面60的角侧附近，测量点(5)为第1主表面10的中央附近，测量点(6)为第1端面30附近且为测量点(1)和测量点(2)的中间。
根据第1主表面10的氟量(atm％)测量结果(参照图4的(b))可理解，在靠近第1端面30的测量点(1)、(2)、(6)，与比较例相比氟量减少，降低了作为反应气体的氟化氢气体的影响。另外，由表可知，第1主表面10的氟的含量的平均值(设为测量点(1)～(6)的值的平均)优选小于0.39atm％，更优选在0.35atm％以下，进一步优选在0.32atm％以下，再进一步优选在0.30atm％以下。在氟的含量较多时，表现因氟引起的憎油性，与形成于第1主表面10的例如半导体元件之间的密合性变差，但能够将该含量降低。
另外，在第1主表面10上氟量的标准偏差优选小于0.25atm％，更优选在0.20atm％以下，进一步优选在0.15atm％以下，再进一步优选在0.12atm％以下，更进一步优选在0.10atm％以下。由于能够降低氟对第1主表面10的影响，因此，能够在第1主表面10上的任一位置形成品质稳定的半导体元件。
测量点(1)、(2)、(6)处的比较例的氟量的值的合计为1.81atm％，氟的含量的平均值为0.60atm％，实施例中的氟量的值的合计为0.80atm％，氟的含量的平均值为0.27atm％。
在此，由于第2主表面20上与测量点(5)相对应的位置处的氟量为0.69atm％，因此，能够判断测量点(1)、(2)、(6)处的比较例的氟量的值与第2主表面20的氟量的值相同。因而，第1主表面10的氟的含量的平均值优选在第2主表面20的氟的含量的平均值的1/2倍以下。由此，能够使第2主表面20充分粗糙、且能够降低反应气体对第1主表面10的影响度。
在氟的含量较多时，表现因氟引起的憎油性，与形成于第1主表面10的例如半导体元件之间的密合性变差，但在本实施方式中消除了该问题。另外，能够提供一种使第2主表面20充分粗糙、且降低了反应气体对第1主表面10的影响度的玻璃板1。
根据第1主表面10的Al/Si比的测量结果(参照图4的(c))可理解，在靠近第1端面30的测量点(1)、(2)、(6)，与比较例相比，Al/Si比升高，抑制了Al被作为反应气体的氟化氢气体沥滤，降低了反应气体的影响。另外，由表可知，第1主表面10的Al/Si的值优选在0.2以上。而且，更优选在0.23以上，进一步优选在0.25以上。在本实施方式的玻璃板的组成中，根据测量点(3)～(4)的结果，Al/Si的值本来约为0.3，因此，通过设为上述的Al/Si的值的范围，减少了Al与F之间的置换，从而能够抑制半导体元件等的密合性的恶化。
另外，由表可知，第1主表面10的Al/Si的值的平均值(测量点(1)～(6)的值的平均)优选大于0.22，更优选在0.25以上。通过设为上述的值的范围，减少了Al与F之间的置换，因此，能够抑制半导体元件等的密合性的恶化。
另外，第1主表面10上Al/Si的值的标准偏差优选小于0.08，更优选在0.05以下。通过设为上述这样的值的范围，能够减少第1主表面10的Al与F之间的置换，因此，能够在第1主表面10上的任一位置形成品质稳定的半导体元件。
通过消除反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响，从而提高玻璃板1的第1主表面10的表面性状态，能够将第1主表面10与所形成的半导体元件等之间的亲和性维持在较高的状态，难以引起TFT电路等的形成品的剥离、性能方面的不良等。
在此，由于第2主表面20上与测量点(5)相对应的位置处的Al/Si的值为0.13，因此，能够判断测量点(1)、(2)、(6)处的比较例的Al/Si的值与第2主表面20的Al/Si的值相同。
测量点(1)的实施例/比较例为1.54，测量点(2)的实施例/比较例为1.60，测量点(6)的实施例/比较例为1.73。因而，第1主表面10的Al/Si的值优选在第2主表面20的Al/Si的值的1.3倍以上。例如，第1主表面10的Al/Si的值优选在0.20以上，第2主表面20的Al/Si的值优选在0.15以下。由此，能够使第2主表面20充分粗糙、且降低反应气体对第1主表面10的影响。
根据本实施方式，能够提供一种使第2主表面20充分粗糙、且降低反应气体对第1主表面10的影响度的玻璃板1。
上述的玻璃板(玻璃基板)1的制造方法优选应用于显示器用的玻璃基板的制造方法。在实施方式的制造方法中，能够包含表面粗糙化工序，该表面粗糙化工序使用反应气体仅对玻璃板1的第1主表面10和第2主表面20的任一主表面中、一玻璃表面即第2主表面20进行表面粗糙化。在此，“仅对第2主表面20进行表面粗糙化”是指仅对作为本来的表面粗糙化的对象的第2主表面20专门进行表面粗糙化的意思，主旨并不在于排除对另一玻璃表面即第1主表面10稍微进行表面粗糙化的情况。
图5的(a)～图5的(c)是表示以表示各种粗糙度的指标测量得到的值的表，图5的(a)是第1主表面10的测量值，图5的(b)是第2主表面20的测量值，图5的(c)表示以图5的(a)～图5的(b)的各平均值计算的第1主表面/第2主表面的值。在图5的(a)～图5的(c)中，样品数N为5个(N＝5)，表示了各样品的值、各粗糙度值(平均值)以及比表面积率的增加量(％)。另外，在图5中，为了方便表述，样品数N1～N5的各值仅记载到小数点后面三位，但对于图5的(a)～(c)所述的平均值，以样品数N1～N5的各值的小数点后面15位的数值进行了计算。另外，在各样品中，各粗糙度值(平均值)通过对图4的(a)～图4的(b)所示的测量点(1)～(6)的值进行平均而求得。
各表的表示粗糙度的指标(Ra、Rku、等)为以下的定义。另外，这些指标规定在日本工业标准JIS B 0601:2013中。
Ra：“算术平均粗糙度”，是表示在基准长度中、Z(x)(一个曲线的集合体)的绝对值的平均的值。
Rku：“粗糙度曲线的峰度”，是表示在利用均方根高度Rq的四次方无量纲化的基准长度中、Z(x)的四次方平均的值。
Rsk：“粗糙度曲线的偏斜度”，表示在利用均方根高度Rq的立方无量纲化的基准长度中、Z(x)的立方平均的值。是指偏度，且是表示以平均线为中心时的峰部和谷部的对称性的值。另外，还是一种表示利用原子力显微镜测量的表面的凹凸形状的参数。
Rsm：“粗糙度曲线元素的平均长度”，是表示在基准长度中、轮廓曲线元素的长度Xs的平均的值。
Rv：“粗糙度曲线的最大谷深度”，是在基准长度中，轮廓曲线的谷深度Zv的最大值。
Rz：“最大高度粗糙度”，是表示在基准长度中、轮廓曲线的峰高度Zp的最大值Rp和谷深度Zv的最大值Rv的和的值(Rz＝Rp+Rv)。
比表面积率的增加量是指在将基准平面的表面积设为1时，测量第1主表面或第2主表面的比表面积，并表示它们的值与基准平面的表面积之间的差(即从第1主表面或第2主表面的比表面积的值中减去1得到的值)(单位为％)。
根据图5的(a)～图5的(c)的表可理解，在本实施方式的玻璃板1中，第1主表面10的第1表面粗糙度小于第2主表面20的第2表面粗糙度，而且，参照图4的(c)的表可理解，第1主表面10的Al/Si的值大于第2主表面20的Al/Si的值。
在本实施方式中，对玻璃板1的第2主表面20进行表面粗糙化而防止剥离带电，并且，积极去除残留的反应气体以及抑制反应气体的蔓延，从而尽可能地消除反应气体对第1主表面10的影响。具体而言，将第1主表面10的第1表面粗糙度设为小于第2主表面20的第2表面粗糙度，从而确保了第1主表面10的表面的平滑性。另外，同时尽量地减小被反应气体沥滤的第1主表面10上的Al的量，从而使第1主表面10的Al/Si的值与第2主表面20的Al/Si的值相比较大，使其与形成于第1主表面10的作为薄膜的一种的滤色器、黑色矩阵(BM)等之间的密合性良好。另外，由于Al/Si的值较大，因此，还使与利用溅射蒸镀的TFT电路等的半导体元件之间的密合性良好。
另外，对于本实施方式的玻璃板1，以氧化铝(矾土)和二氧化硅(硅石)为主要成分的硅铝酸盐玻璃(硅酸铝玻璃)作为前提，因此，通过尽可能地抑制反应气体对第1主表面10的影响，能够提供一种优选作为显示器等使用的玻璃板1。
以下，对各粗糙度指标说明优选的值。
对于Ra(算术平均粗糙度)，优选第1主表面10的Ra在第2主表面20的Ra的0.75倍以下。另外，更优选在0.73倍以下，进一步优选在0.70倍以下。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在0.1倍以上较佳。
对于Rku(粗糙度曲线的峰度)，优选第1主表面10的Rku在第2主表面20的Rku的0.65倍以下。另外，更优选在0.63倍以下，进一步优选在0.60倍以下。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在0.1倍以上较佳。
对于Rsk(粗糙度曲线的偏斜度)，优选第2主表面20的Rsk为正。通过Rsk为正，能够使第2主表面20表面粗糙化，从而能够有效地抑制剥离带电。
对于Rsm(粗糙度曲线要素的平均长度)，优选第1主表面10的Rsm在第2主表面20的Rsm的1.25倍以上。另外，更优选在1.3倍以上，进一步优选在1.35倍以上。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，上限值没有特殊限定，但例如在10倍以下较佳。
对于Rv(粗糙度曲线的最大谷深度)，优选的是，第1主表面10的Rv在第2主表面20的Rv的0.6倍以下。另外，更优选在0.58倍以下，进一步优选在0.55倍以下。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在0.1倍以上较佳。
对于Rz(最大高度粗糙度)，优选第1主表面10的Rz在第2主表面20的Rz的0.7倍以下。另外，更优选在0.67倍以下，进一步优选在0.65倍以下。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在0.1倍以上较佳。
对于比表面积率的增加量，优选第1主表面10的比表面积率的增加量在第2主表面的比表面积率的增加量的1/3以下。另外，更优选在1/4以下，进一步优选在1/5以下。能够利用蚀刻使第2主表面20表面粗糙化，能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在1/20以上较佳。
而且，优选第1主表面10的比表面积率的增加量在0.03％以下。另外，更优选在0.02％以下，进一步优选在0.015％以下。能够抑制反应气体对第1主表面10的影响且抑制第1主表面10的表面粗糙化。此外，下限值没有特殊限定，但例如在0.001％以上较佳。
图6的(a)～图6的(b)是测量第1端面30、第2端面40、第3端面50、第4端面60中的碎玻璃剥离率的表，图6的(a)是第1样品，图6的(b)是第2样品。第1样品和第2样品仅为N数不同的样品，分别去除残留气体G后制造而成。
碎玻璃是指自玻璃板1剥落的微小的玻璃颗粒。另外，作为粘贴于胶带的粘接面的碎玻璃的占有面积的比例(碎玻璃占有率)，利用胶带试验求得碎玻璃剥离率(单位：％)。胶带试验为以下的试验：在玻璃板1的端面粘贴了胶带之后，撕掉胶带，利用显微镜测量“多少碎玻璃自玻璃板1的端面剥离并附着于胶带的粘接面”。在显微镜的测量中，利用二值化处理抽取在从胶带的粘接面内随机抽取的125μm×125μm的面积内存在的碎玻璃所占有的面积，表示了125μm×125μm的面积内的存在率。由此求得每单位面积的碎玻璃占有面积，将百分比显示的值设为碎玻璃剥离率(碎玻璃占有率)。
另外，胶带试验中使用的胶带例如为由日本工业标准JIS Z 0237：2009规定的180°剥离粘合力为10N/25mm的胶带即可，剥离方法以日本工业标准JIS Z 0237：2009为基准为佳。
另外，在端面受到了反应气体的影响的情况下，存在有碎玻璃剥离率(碎玻璃占有率)变大的倾向。具体而言，成为2.5％以上等的值。认为这是因为：端面也因被反应气体蚀刻而粗糙，形成容易产生应力集中的谷部等，因而容易产生碎玻璃。另外，还认为是因为：作为玻璃的主要成分之一的Al被置换为F，因而在该被置换后的部分带有脆性，容易产生碎玻璃。
由图6的(a)～图6的(b)的表可知，各端面30、40、50、60的碎玻璃剥离率均在1.01％以下，且大致为微小的差异，因此，可以说是互相相等。该相等是指以碎玻璃剥离率的平均值为基准在0.5倍～1.5倍左右的范围内。能够更可靠地防止反应气体向第1主表面10侧蔓延。
另外，若各端面30、40、50、60的碎玻璃剥离率互相相等，则同样可以说各端面30、40、50、60的表面粗糙度、和/或Al/Si的值相等。该相等是指容许未成为明确的倾向的程度的偏差。
另外，在观察胶带试验中粘贴于粘接面的碎玻璃时，未产生6μm以上的碎玻璃。认为这是因为：端面未被反应气体蚀刻，因而难以形成容易产生应力集中的谷部等，难以产生碎玻璃。
另外，降低残留气体对第1主表面10的影响、和/或任一端面的碎玻璃剥离率相等，因此，通过积极地去除残留气体G，在本实施方式中，认为在各端面30、40、50、60未发现粗糙度的不同。若反应气体的去除不充分，则位于输送方向上的前端侧的第1端面30特别粗糙，其他的端面40、50、60之间没有差异，其结果，可靠地进行残留气体G的去除，充分抑制反应气体对玻璃板1的第1主表面10的影响。
在本实施方式的说明中，使用了第1、第2等，但并不限定位置、方向。只要使玻璃板1的任一表面表面粗糙化，抑制另一表面受到反应气体的影响即可。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式，能够适当变形、改良等。此外，上述的实施方式中的各构成要素的材质、形状、尺寸、数值、形态、数量、配置部位等，只要能够达成本发明，就可以是任意的方式，并没有限定。
特别是，在本实施方式中，表示了大致矩形形状的玻璃板，还可以是被称作切角的、切掉了矩形的玻璃板的角而成的玻璃板。
根据以上的情况，本说明书公开以下的内容。
[1]
一种玻璃板，其中，该玻璃板具有：第1主表面；第2主表面，其与所述第1主表面相对；以及端面，其连接所述第1主表面和所述第2主表面，所述第1主表面的第1表面粗糙度小于所述第2主表面的第2表面粗糙度，所述第1主表面的Al/Si的值大于所述第2主表面的Al/Si的值。
[2]
根据[1]所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的所述Al/Si的值在所述第2主表面的所述Al/Si的值的1.3倍以上。
[3]
根据[1]或[2]所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的所述Al/Si的值在0.2以上。
[4]
根据[1]～[3]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的氟的含量的平均值在所述第2主表面的氟的含量的平均值的1/2倍以下。
[5]
根据[1]～[4]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的氟的含量的平均值小于0.39atm％。
[6]
根据[1]～[5]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的比表面积率的增加量在所述第2主表面的比表面积率的增加量的1/3以下。
[7]
根据[1]～[6]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的比表面积率的增加量在0.03％以下。
[8]
根据[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的Ra在所述第2主表面的Ra的0.75倍以下。
[9]
根据[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的Rku在所述第2主表面的Rku的0.65倍以下。
[10]
根据[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的Rsm在所述第2主表面的Rsm的1.25倍以上
[11]
根据[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的Rv在所述第2主表面的Rv的0.6倍以下。
[12]
根据[1]～[7]中任一项所述的玻璃板，其中，所述第1主表面的Rz在所述第2主表面的Rz的0.7倍以下。
[13]
根据[1]～[12]中任一项所述的玻璃板，其中，所述端面包括：第1端面；第2端面，其与所述第1端面相对；第3端面，其连接所述第1端面的一端和所述第2端面的一端；以及第4端面，其连接所述第1端面的另一端和所述第2端面的另一端，且与所述第3端面相对，所述第1端面、所述第2端面、所述第3端面以及所述第4端面的碎玻璃剥离率相等。
[14]
根据[13]所述的玻璃板，其中，所述第1端面、所述第2端面、所述第3端面以及所述第4端面的表面粗糙度相等。
[15]
一种玻璃基板的制造方法，该玻璃基板为显示器用玻璃基板，其中，该制造方法具有：制作玻璃基板的工序；以及表面粗糙化工序，仅对所述玻璃基板的主表面中的一个主表面的玻璃表面使用反应气体进行表面粗糙化。
[16]
根据[15]所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述表面粗糙化工序中，使用防止所述玻璃基板的主表面中的另一个主表面的玻璃表面与所述反应气体接触的接触抑制构件。
[17]
根据[15]或[16]所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述表面粗糙化工序中，防止所述反应气体向所述玻璃基板的主表面中的另一个主表面的玻璃表面侧蔓延。
[18]
根据[15]～[17]中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述表面粗糙化工序中，包含连续输送第1玻璃板和第2玻璃板的工序，在使所述第1玻璃板表面粗糙化之后，在直到对所述第2玻璃板进行表面粗糙化之前，防止所述反应气体在表面粗糙化装置内滞留。
[19]
根据[15]～[17]中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述表面粗糙化工序中，包含连续输送第1玻璃板和第2玻璃板的工序，并且包含以下工序：在使所述第1玻璃板表面粗糙化之后，在直到对所述第2玻璃板进行表面粗糙化之前，吹走因所述反应气体在表面粗糙化装置内滞留而形成的残留气体。
产业上的可利用性
本发明的玻璃板和玻璃板(玻璃基板)的制造方法优选应用于防止与载物台接触的面的剥离带电、抑制形成半导体元件等的面的不良的玻璃板及其制造。
参照特定的实施方式详细地说明了本发明，对本领域技术人员而言明确的是，能够不偏离本发明的精神和范围地加以各种变更、修正。
本申请基于2016年9月21日申请的日本特许出愿2016-184625以及2017年9月19日申请的日本特许出愿2017-178951，其内容通过参照编入到本说明书中。

Claims (19)

1.一种玻璃板，其中，
该玻璃板具有：
第1主表面；
第2主表面，其与所述第1主表面相对；以及
端面，其连接所述第1主表面和所述第2主表面，
所述第1主表面的第1表面粗糙度小于所述第2主表面的第2表面粗糙度，
所述第1主表面的Al/Si的值大于所述第2主表面的Al/Si的值。
2.根据权利要求1所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的所述Al/Si的值在所述第2主表面的所述Al/Si的值的1.3倍以上。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的所述Al/Si的值在0.2以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的氟的含量的平均值在所述第2主表面的氟的含量的平均值的1/2倍以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的氟的含量的平均值小于0.39atm％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的比表面积率的增加量在所述第2主表面的比表面积率的增加量的1/3以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的比表面积率的增加量在0.03％以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的Ra在所述第2主表面的Ra的0.75倍以下。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的Rku在所述第2主表面的Rku的0.65倍以下。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的Rsm在所述第2主表面的Rsm的1.25倍以上。
11.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的Rv在所述第2主表面的Rv的0.6倍以下。
12.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，
所述第1主表面的Rz在所述第2主表面的Rz的0.7倍以下。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的玻璃板，其中，
所述端面包括：
第1端面；
第2端面，其与所述第1端面相对；
第3端面，其连接所述第1端面的一端和所述第2端面的一端；以及
第4端面，其连接所述第1端面的另一端和所述第2端面的另一端，且与所述第3端面相对，
所述第1端面、所述第2端面、所述第3端面以及所述第4端面的碎玻璃剥离率相等。
14.根据权利要求13所述的玻璃板，其中，
所述第1端面、所述第2端面、所述第3端面以及所述第4端面的表面粗糙度相等。
15.一种玻璃基板的制造方法，该玻璃基板为显示器用玻璃基板，其中，
该制造方法具有：
制作玻璃基板的工序；以及
表面粗糙化工序，仅对所述玻璃基板的主表面中的一个主表面的玻璃表面使用反应气体进行表面粗糙化。
16.根据权利要求15所述的玻璃基板的制造方法，其中，
在所述表面粗糙化工序中，
使用防止所述玻璃基板的主表面中的另一个主表面的玻璃表面与所述反应气体接触的接触抑制构件。
17.根据权利要求15或16所述的玻璃基板的制造方法，其中，
在所述表面粗糙化工序中，
防止所述反应气体向所述玻璃基板的主表面中的另一个主表面的玻璃表面侧蔓延。
18.根据权利要求15～17中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，
在所述表面粗糙化工序中，
包含连续输送第1玻璃板和第2玻璃板的工序，
在使所述第1玻璃板表面粗糙化之后，在直到对所述第2玻璃板进行表面粗糙化之前，防止所述反应气体在表面粗糙化装置内滞留。
19.根据权利要求15～17中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，
在所述表面粗糙化工序中，
包含连续输送第1玻璃板和第2玻璃板的工序，
并且包含以下工序：在使所述第1玻璃板表面粗糙化之后，在直到所述第2玻璃板进行表面粗糙化之前，吹走因所述反应气体在表面粗糙化装置内滞留而形成的残留气体。
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