CN102956192A - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

本文涉及一种补偿驱动TFT的阈值电压、供电电压源的压降以及驱动TFT的迁移率的显示装置。显示装置可包括多个像素。至少一个像素可包括诸如第一电容、第二电容、数据晶体管、控制晶体管、发射晶体管、初始化晶体管、驱动晶体管和在其他部件中的发光二极管(LED)之类的部件。

Description

有机发光二极管显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2011年8月17日提交的韩国专利申请No.10-2011-0081701的权益，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本文涉及一种能够补偿驱动薄膜晶体管(TFT)的阈值电压、供电电压的压降以及驱动TFT的迁移率的有机发光二极管(OLED)显示装置。
背景技术
近年来，人们对于显示装置的需求越来越大。诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)以及有机发光二极管(OLED)显示器之类的各种平板显示器已得到广泛应用以满足这种需求。与其它平板显示器相比，OLED显示装置以较低的电压驱动、更薄、并具有更宽的视角和更快的响应速度。
一种特殊类型的OLED显示装置是有源矩阵OLED显示装置。有源矩阵OLED显示装置具有用于显示图像的以矩阵形式设置的多个像素。有源矩阵OLED显示装置的多个像素由扫描线和数据线限定。每个像素都包括扫描薄膜晶体管(TFT)，该扫描薄膜晶体管(TFT)响应来自扫描线的扫描信号来提供来自数据线的数据电压。每个像素还包括驱动TFT，该驱动TFT响应提供给该驱动TFT的栅极的数据电压来控制提供给OLED的电流的量。提供给有机发光二极管的、在驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids可由等式1来表示：[等式1]
Ids＝k′·(Vgs-Vth)2
在等式1中，k’表示由驱动TFT的结构和物理性质所确定的比例系数，Vgs表示驱动TFT的栅极和源极之间的电压差，并且Vth表示驱动TFT的阈值电压。
然而，由于因驱动TFT的恶化所引起的阈值电压的漂移，每个像素的驱动TFT的阈值电压Vth都具有不同的值。驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids取决于驱动TFT的的阈值电压Vth。因此，即使给每个像素提供相同的数据电压，每个像素的驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids也会改变。于是，出现了即使给每个像素提供相同的数据电压，从每个像素的OLED发出的光的光亮度(luminance)也会改变的问题。为了解决这个问题，已经提出了用于补偿每个像素的驱动TFT的阈值电压的各种类型的像素结构。
发明内容
在一个实施例中，一种显示像素包括：第一电容、数据晶体管、控制晶体管和驱动晶体管。第一电容耦接在像素的第一节点和像素的第二节点之间。驱动晶体管的栅极与第一节点耦接并且驱动晶体管的源极与第二节点耦接。数据晶体管当导通时将第一节点设定到数据电压电平。例如，数据电压电平可表示像素的预期亮度级(intensity level)。控制晶体管当导通时将第二节点设定到高供电电压电平。将第二节点设定到高供电电压电平使得经第一节点和第二节点之间耦接的第一电容引起第一节点处的数据电压的调整，使得在第一节点处产生经调整的数据电压。经调整的数据电压被施加给驱动晶体管的栅极，以控制在发光二极管(LED)中的电流。经调整的数据电压可表示驱动晶体管的阈值电压Vth和显示面板各处的VDD的改变，使得Vth和VDD二者都被补偿。
在一个实施例中，显示像素还包括与第一节点耦接的初始化晶体管。初始化晶体管被配置为响应于初始化晶体管的导通而将第一节点设定到参考电压。然后初始化晶体管截止，以将第一节点浮置。数据晶体管被配置为在第一节点被浮置后将第一节点设定到数据电压。第二电容耦接在第二节点和供电电压之间，并且由将第一节点设定到数据电压引起的第二节点处的电压改变是基于第一和第二电容的电容值的比。
在一个实施例中，发射晶体管与LED耦接。发射晶体管被配置为响应于发射晶体管的导通来使得驱动晶体管和LED之间的电流通路能启用(工作)。在一个实施例中，旁路晶体管也与LED耦接，以响应于旁路晶体管的导通而使电流绕过LED。
在一个实施例中，公开了一种在显示像素中的操作方法。显示像素具有驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与第二节点耦接。第一节点被设定到数据电压。第二节点被设定到供电电压。将第二节点设定到供电电压使得经第一节点和第二节点之间耦接的电容引起第一节点处的数据电压的调整，使得在所述第一节点处产生经调整的数据电压。经调整的数据电压被施加给驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。
附图说明
本文各个实施例的教导可以通过考虑与附图结合的以下详细的文字描述来容易地理解。
图1是根据第一示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图2是示出根据第一示例性实施例的输入至图1的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压变化的波形图。
图3是根据第二示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图4是根据第三示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图5是根据第四示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图6是示出根据第四示例性实施例的输入至图5的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压变化的波形图。
图7是根据第五示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图8是根据第六示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图9是根据第七示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。
图10是示意性地示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示装置的方框图。
图11是表示根据实施例的在显示装置的显示像素中的操作方法的流程图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本文的各个实施例。在整个说明书中，相似的附图标记可表示相似的元件。在以下的描述中，为了清楚，可省略公知的功能或结构的详细描述。只是为了方便而选择用于以下解释的各个元件的名称，这些名称可因此与它们在实际产品中的名称不同。
图1是根据第一示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图1，根据第一示例性实施例的显示面板10的一个像素P由彼此交叉的一条数据线DL和几条脉冲线来限定。脉冲线包括：扫描线SL、控制线CL、发射线(emissionline)EL以及第一初始化线IL1。该像素P还包括：驱动TFT Td、有机发光二极管OLED以及控制电路，所述控制电路包括：第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、和第四TFT T4。
第一TFT T1是初始化晶体管，所述初始化晶体管响应于第一初始化线IL1的第一初始化信号(INI1)而被导通或截止，以将像素P的第一节点N1初始化至参考电压REF。第一TFT T1的栅极与第一初始化线IL1耦接，TFT T1的源极与第一节点N1耦接，并且TFT T1的漏极与参考电压REF耦接。
第二TFT T2是发射晶体管(emission transistor)，所述发射晶体管响应于来自发射线EL的发射信号(EM)而被导通或截止，以将驱动TFT Td和有机发光二极管OLED连接。将驱动TFT Td和OLED连接，使得在TFT Td和OLED之间实现了电流路径(current path)，从而使得电流能够流过OLED。第二TFT T2的栅极与发射线EL耦接，TFT T2的源极与驱动TFT Td的漏极耦接，并且TFT T2的漏极与有机发光二极管OLED的阳极耦接。
第三TFT T3是数据晶体管(data transistor)，所述数据晶体管响应于来自扫描线SL的扫描信号(SS)而被导通或截止，以将来自数据线DL的数据电压Vdata提供给第一节点N1。数据电压Vdata代表OLED的预期亮度级(intended intensity level)。数据电压Vdata用来将在节点N1处的电压电平设定至数据电压Vdata电平，这进而影响流过驱动TFT Td的电流Ids和OLED的亮度。第三TFT T3的栅极与扫描线SL耦接，TFT T3的源极与第一节点N1耦接，并且TFT T3的漏极与数据线DL耦接。
第四TFT T4是控制晶体管(control transistor)，所述控制晶体管响应于来自控制线CL的控制信号(CTR)而被导通或截止，以利用高供电电压VDD将第二节点N2充电。第四TFT T4的栅极与控制线CL耦接，TFT T4的源极与高供电电压VDD终端耦接，并且TFT T4的漏极与第二节点N2耦接。
驱动TFT Td的栅极与第一节点N1耦接，TFT Td的源极与第二节点N2耦接，并且TFT Td的漏极与第二TFT T2的源极耦接。驱动TFT Td控制漏极和源极之间电流Ids的量，这取决于施加给TFT Td栅极的电压的幅度(magnitude)。
根据第一示例性实施例的像素P的第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFTT3和第四TFT T4以及驱动TFT Td每一个都可由薄膜晶体管组成。第一TFTT1、第二TFT T2、第三TFT T3和第四TFT T4以及驱动TFT Td的半导体层每一个都可由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)以及氧化物半导体任何一种组成。此外，第一示例性实施例被描述为集中在这样的示例，即，在所述示例中，第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3和第四TFT T4以及驱动TFT Td每一个都作为P-型MOS-FET来实施。在其他实施例中，一个或更多个TFT可以用N-型MOS-FET来实施。
有机发光二极管OLED的阳极与第二TFT T2的漏极耦接，并且有机发光二极管OLED的阴极与低供电电压源VSS耦接。有机发光二极管OLED根据驱动TFT Td的漏极和源极之间的电流Ids来发光。第一电容C1耦接在第一节点N1和第二节点N2之间。第二电容C2耦接在第四TFT T4的源极和漏极之间。
在一个实施例中，高供电电压源VDD可被设定为提供高电势DC电压，并且低供电电压源VSS可被设定为提供低电势DC电压。参考电压REF是用于将第一节点N1初始化的电压。
第一节点N1是在驱动TFT Td的栅极、第一TFT T1的源极和第三TFT T3的源极之间的触点。第二节点N2是驱动TFT Td的源极和第四TFT T4的漏极之间的触点。
在一个实施例中，晶体管以这样的方式被导通或截止，即，所述方式是感测驱动晶体管Td的阈值电压Vth，并且防止阈值电压Vth影响流过驱动晶体管Td的电流的量。最初，在N1处的电压电平被设定为REF电压电平，并且在N2处的电压慢慢地通过晶体管Td耗散(dissipate)。在N2处的电压电平用作阈值电压Vth电平的指示。节点N1被设定至数据电压。阈值电压Vth的指示通过电容C1从节点N2传输至节点N1，以在节点N1处产生经调整的数据电压电平。结果，阈值电压Vth在节点N1处的经调整的数据电压电平中反映出来。经调整的数据电压被施加给驱动晶体管Td的栅极，以控制电流Ids。因为阈值电压Vth已经以在N1处的电压表示，所以VDD不影响电流Ids的水平。
在一个实施例中，像素P中电容C1和C2的值以及晶体管(例如T1和T2)的导通/截止时间被严格控制，并且防止驱动晶体管Td的电子迁移率影响流过驱动晶体管Td的电流的量。这些部件的仔细控制使得节点N1处的电压被精细地调谐至特定的经调整的数据电压电平。当节点N1处的电压随后被施加给驱动晶体管Td的栅极以控制电流Ids时，电子迁移率不影响电流Ids的水平。反而，电流Ids能够可预计地被确定为Vdata电压电平、REF电压电平以及电容C1和C2数值的函数。
此外，注意到显示面板具有许多像素P，它们每一个都可接收来自公共供电电压VDD源的供电电压VDD。由于面板的尺寸和从供电电压VDD源获得功率的像素的数量，供电电压VDD电平可在整个显示面板各处并不相同。更靠近供电电压VDD源的像素可接收较高的供电电压VDD，而其他像素可接收较低的供电电压VDD。
在一个实施例中，像素P的操作防止在像素P处观察到的供电电压VDD的精确值影响流过驱动晶体管Td的电流的量。具体地，节点N2被设定到在像素P处观察到的供电电压VDD电平。由将节点N2设定到供电电压VDD电平引起的电压的改变通过电容C1施加给节点N1，以在节点N1处产生经调整的数据电压电平。结果，在节点N1处的经调整的数据电压电平表明了供电电压VDD的电平。当在节点N1处的电压接着被施加给驱动晶体管Td的栅极以控制电流Ids时，VDD不影响电流Ids的水平。
现在将参照图2更详细地描述这些和其他实施例。
图2是示出输入至图1的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压改变的波形图。图2表示输入至显示面板10的像素P的第一初始化信号INI1、扫描信号SC、控制信号CTR以及发射信号EM。另外，图2表示像素P的第一节点N1和第二节点N2的电压改变的量。注意到可不按比例绘制波形(例如，N1和N2可相对于彼此不按比例)。
第一初始化信号INI1、扫描信号SC、控制信号CTR以及发射信号EM是用于控制像素P的第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3和第四TFT T4的信号。每个信号在栅极低电压VGL和栅极高电压VGH之间摆动(swing)。在一个实施例中，栅极高电压VGH被设定在约14V与20V之间，而栅极低电压VGL被设定在约-12V与-5V之间。
如图2所示，每个信号都包括信号“脉冲”。第一初始化信号INI1包括周期t1期间的第一初始化脉冲202。扫描信号SC包括周期t3期间的扫描脉冲204。控制信号CTR包括周期t1、t2、t3和t4期间的控制脉冲206。发射信号EM包括周期t3、t4和t5期间的发射脉冲208。
第一初始化脉冲202和扫描脉冲204SC产生于栅极低电压VGL。相反，控制脉冲206和发射脉冲208产生于栅极高电压VGH。另外，在每一帧周期期间，周期地产生这些脉冲。帧周期指的是与单一图像帧有关的一段时间。帧周期的长度可由其中像素P正被使用的显示面板的刷新率(refresh rate)来控制。
在产生扫描脉冲204和发射脉冲208之前产生第一初始化脉冲202和控制脉冲206。第一初始化脉冲202和扫描脉冲204具有比控制脉冲206和发射脉冲208的脉冲宽度短的脉冲宽度。第一初始化脉冲202可具有与扫描脉冲204相同的脉冲宽度。控制脉冲206和发射脉冲208可具有相同的脉冲宽度。
以下将参照图1和图2详细描述在周期t1至t6期间根据第一示例性实施例的像素P的操作。一般而言，在周期t1和t2期间，驱动TFT Td的阈值电压Vth被感测并在节点N2处的电压电平中反映出来。在周期t3和t4期间，接收数据电压Vdata并且所述数据电压Vdata被用来设定节点N1处的电压。在周期t5期间，将阈值电压Vth传输至节点N1。此外，在周期t5期间，在显示面板各处的高供电电压VDD的压降被补偿。在周期t6期间，有机发光二极管(OLED)发光。
在周期t1期间，产生具有栅极低电压VGL的第一初始化信号INI1和发射信号EM。此外，产生具有栅极高电压VGH的扫描信号SC和控制信号CTR。
第一TFT T1响应于第一初始化信号INI1被导通，以将第一节点N1初始化至参考电压REF。第二TFT T2响应于发射信号EM被导通，以将驱动TFTTd的漏极与有机发光二极管OLED的阳极连接。第三TFT T3被扫描信号SP截止。第四TFT T4被控制信号CTR截止。
因为第一节点N1被初始化至参考电压REF，所以在驱动TFT Td的栅极和源极之间的压差Vgs变得大于阈值电压Vth。然后电流流过TFT Td并慢慢降低在驱动TFT Td的源极处的电压。在周期t1期间，由于诸如驱动TFT Td的沟道电阻等的非理想因素，所述降低不是瞬时的。
如果周期t1的长度是无限的，则在栅极和源极之间的压差Vgs会最终达到阈值电压Vth，于是电流会停止流过TFT Td。因此，如果周期t1有足够长度，则，驱动TFT Td的源极(即节点N2)的电压在周期t1的结束时会被降低至参考电压REF和阈值电压Vth之间的压差REF-Vth。
然而，因为t1具有期限，所以第二节点N2的电压在周期t1的结束时可不完全地降低到压差REF-Vth。反而，第二节点N2的电压在周期t1的结束时可降低到“REF-Vth+α”，所述“REF-Vth+α”是通过将α加到压差REF-Vth得到的。α可以被看作为一预定值，该预定值表示由驱动TFT Td的沟道电阻引起的误差。因此，α越大，用节点N2处的电压电平来感测阈值电压的误差越大。
此外，驱动TFT Td的电子迁移率可与TFT Td的沟道电阻或类似项对应。例如，沟道电阻越大，驱动TFT Td的电子迁移率越低。换句话说，因为α随沟道电阻的增加而增加，所以驱动TFT Td的电子迁移率与α的值有关。在一个实施例中，通过控制t1的长度使得在节点N2处的电压等于在周期t1的结束时的“REF-Vth+α”，然后控制周期t2的时序以及C1和C2的电容值，驱动TFT Td的电子迁移率可被补偿，如同将要被详细解释的。
在周期t2期间，产生具有栅极低电压VGL的发射信号EM。此外，产生每一个都具有栅极高电压VGH的第一初始化信号INI1、扫描信号SC和控制信号CTR。
第二TFT T2响应于发射信号EM而被导通。当导通时，TFT T2将驱动TFT Td的漏极和有机发光二极管OLED的阳极连接。第一TFT T1被第一初始化信号INI1截止。第三TFT T3被扫描信号SC截止。第四TFT T4被控制信号CTR截止。
第一节点N1在第二周期t2期间浮置。第二节点N2的电压通过驱动晶体管Td放电，并且因为两节点N1和N2通过电容C1彼此耦接，所以在节点N2处的电压的下降影响浮置节点N1处的电压。因此，在节点N1和N2处的电压一起逐渐降低。
在N2处的电压电平从周期t2的开始时的“REF-Vth+α”下降到周期t2的结束时的“REF-Vth-β”。β简单地表示发生在节点N2的电压达到“REF-Vth”的电压电平之后的电压降低的量。于是，如第二节点N2处电压的公式所示，N2处的电压继续反映第二周期t2期间的驱动TFT Td的阈值电压。
第二节点在周期t2期间的电压改变的量是“-α-β”。在周期t2期间，电压改变的这个量通过第一电容C1施加给第一节点N1。结果，第一节点N1的电压在周期t2的结束时降低至“REF-α-β”。
在周期t3期间，产生具有栅低压VGL的扫描信号SC。此外，产生每一个都具有栅极高电压的第一初始化信号INI1、控制信号CTR和发射信号EM。
第三TFT T3响应于扫描信号SC而被导通，以将数据线DL的数据电压Vdata施加给第一节点N1。第一TFT T1被第一初始化信号INI1截止。第二TFT T2被发射信号EM截止。第四TFT T4被控制信号CTR截止。
在周期t3期间，第一节点N1被设定到数据电压Vdata。第一节点N1的电压改变的量“REF-α-β-Vdata”通过第一电容C1被施加给第二节点N2(250)。第二节点N2位于串联的第一电容C1和第二电容C2之间。于是，在节点N2处的电压改变的量是基于比值C’，如等式2所示：
[等式2]
C ′ = CA 1 CA 1 + CA 2
在等式2中，CA1表示第一电容C1的电容量，并且CA2表示第二电容C2的电容量。因此，第二节点N2的电压在周期t3期间降低到“REF-Vth-β-C’(REF-α-β-Vdata)”。
因为等式2可被重写为1/(1+CA2/CA1)，因此C’还以看作是基于C2与C1的电容值的比。如将要更详细的解释的，CA1和CA2的电容值可被设定为这样的值，所述值在周期t6中抵消了α和β对通过LED发出的光的影响。
在周期t4期间，产生每一个都具有栅极高电压VGH的第一初始化信号INI1、扫描信号SC、控制信号CTR和发射信号EM。
第一TFT T1被第一初始化信号INI1截止。第二TFT T2被发射信号EM截止。第三TFT T3被扫描信号SC截止。第四TFT T4被控制信号CTR截止。N1和N2的电压电平在周期t4期间保持相对不变。
在周期t4期间，通过使第一TFT T1和第三TFT T3二者都截止而使节点N1有效地浮置。周期t4可被看作稳定周期，确保在第四TFT T4在周期T5中导通之前节点N1浮置。
在周期t5期间，产生具有栅极低电压VGL的控制信号CTR。此外，产生每一个都具有栅极高电压的第一初始化信号INI1、扫描信号SC和发射信号EM。
第四TFT T4响应于控制信号CTR而被导通，以将高供电电压VDD的终端与第二节点N2连接。第一TFT T1被第一初始化信号INI1截止。第二TFTT2被发射信号EM截止。第三TFT T3被扫描信号SC截止。
在周期t5的开始，第二节点N2的电压升高到高供电电压VDD。第二节点N2的电压改变的量“VDD-{REF-Vth-β-C’(REF-α-β-Vdata)}”通过第一电容C1施加给第一节点N1(252)。因此，第一节点N1的电压从Vdata增加到“Vdata+VDD-{REF-Vth-β-C’(REF-α-β-Vdata)}”。在第一节点N1处的电压因此是经调整的数据电压，该经调整的数据电压说明数据电压Vdata和阈值电压Vth二者。
在周期t6期间，产生具有栅极低电压VGL的发射信号EM。此外，产生每一个都具有栅极高电压VGH的第一初始化信号INI1、扫描信号SC和控制信号CTR。
第二TFT T2响应于发射信号EM而被导通，以将驱动TFT Td与有机发光二极管OLED连接。第一TFT T1被第一初始化信号INI1截止。第三TFT T3被扫描信号SC截止。第四TFT T4被控制信号CTR截止。
在周期t6的开始，因为电流开始流过控制晶体管T4并流到OLED，所以在节点N2处的电压轻微地降低。轻微的电压降低可由控制晶体管T4的漏-源接通电阻(drain-to-source resistance)引起。在节点N2处的电压降低通过电容C1被施加给节点N2，并在节点N2处的经调整的数据电压中反映出来。因为这个电压降低相对小并且不影响驱动晶体管Td的Vgs电压，因此为了清楚，在以下的讨论中将忽略。
在周期t6期间，在驱动TFT Td的漏极和源极之间的电流Ids通过第二TFTT2被施加给有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED根据在驱动TFTTd的漏极和源极之间的电流Ids来发光。驱动TFT Td的漏极和源极之间的电流Ids可由等式3来表示：
[等式3]
Ids＝k′·(Vgs-Vth)2
在等式3中，k’表示由驱动TFT的结构和物理性质所确定的比例系数，这由驱动TFT Td的迁移率、沟道宽度、沟道长度等确定。Vgs表示在驱动TFT Td的栅极和源极之间的压差，并且Vth表示驱动TFT Td的阈值电压。在周期t6期间的Vgh-Vth如等式4所示：
[等式4]
Vgs-Vth＝[Vdata+VDD-(REF-Vth-β-C′(REF-α-β-Vdata))-VDD]-Vth
在等式4中，在驱动TFT Td的漏极和源极之间的电流Ids由等式5导出：
[等式5]
Ids＝k′[(1-C′)·(Vdata-REF)+β-C′(α+β)]2
在等式5中，如果第二电容C2的电容量CA2被设定为是第一电容C1的电容量CA1的4倍，则C’算得为0.2。通过调整周期t1和周期t2的长度，α和β的比可以被设定为α＝4β。如果C’＝0.2且α＝4β，则β-C’(α+β)算得为0并可从等式5中去掉。结果，在驱动TFT Td的漏极和源极之间的电流Ids可由等式6表示：
[等式6]
Ids＝k′[(1-C′)·(Vdata-REF)]2
如等式6所示，在周期t6期间施加给有机发光二极管OLED的、在驱动TFT Td的源极和漏极之间的电流Ids只取决于比例系数k’、电容C1和C2的值、数据电压Vdata和参考电压REF。电流Ids不取决于驱动TFT Td的阈值电压Vth。因此，驱动TFT Td的阈值电压Vth被补偿。
还如等式6所示，在周期t6期间施加给有机发光二极管OLED的、在驱动TFT Td的源极和漏极之间的电流Ids不取决于α。因此，驱动TFT Td的电子迁移率被补偿。
还如等式6所示，在周期t6期间施加给有机发光二极管OLED的、在驱动TFT Td的源极和漏极之间的电流Ids不取决于供电电压VDD。因此，从一个像素到下一个像素的在显示面板各处的供电电压VDD上的任何下降都被补偿。
图3是根据第二示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。根据第二示例性实施例的显示面板10的像素P的控制电路包括第五TFT T5，所述第五TFT T5用作OLED旁路晶体管(bypass transistor)。当不希望OLED发光时，第五TFT T5在时间周期(例如周期t1)期间使电流绕过OLED。
第五TFT T5响应于第一初始化线IL1的第一初始化信号INI 1而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电。第五TFT T5的栅极与第一初始化线IL1耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与低供电电压VSS的终端耦接。第三节点N3是第二TFT T2的漏极、第五TFT T5的源极以及有机发光二极管OLED的阳极之间的触点。
根据第二示例性实施例的像素P的第五TFT T5可由薄膜晶体管组成。第五TFT T5的半导体层可由a-Si、poly-Si以及氧化物半导体任何一种组成。此外，已经用一示例描述了第二示例性实施例，在所述示例中，第五TFT T5作为P-型MOS-FET来实施。在其他实施例中，第五TFT T5可作为N-型MOS-FET来实施。
图3的根据第二示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与图1所示的第一示例性实施例基本相同。以下将参照图2和图3详细描述图3的像素P的操作。
在周期t1期间，产生具有栅极低电压VGL的第一初始化信号INI1。第五TFT T5响应于第一初始化信号INI1而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电。
因为由于第五TFT T5的导通的缘故，利用低供电电压VSS使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的感测电流在周期t1期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的感测电流的缘故，有机发光二极管OLED在周期t1期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
图3的像素P在周期t2至t6期间的剩余操作与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图4是根据第三示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图4，根据第三示例性实施例的显示面板10的像素P的第五TFT T5响应于扫描线SL的扫描信号SC而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电，从而使电流绕过OLED。第五TFT T5的栅极与扫描线SL耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与低供电电压VSS的终端耦接。
根据图4的第三示例性实施例的显示面板的像素P的剩余操作与已经参照图1描述的第一示例性实施例基本相同。以下将参照图2和图4详细描述图4的像素P的操作。
在周期t3期间，产生具有栅极低电压VGL的扫描信号SC。第五TFT T5响应于扫扫描信号SC而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电。
因为由于第五TFT T5的导通的缘故，利用低供电电压VSS使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的漏电流在周期t3期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的漏电流的缘故，有机发光二极管OLED在周期t3期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
图4的像素P在周期t1、t2和t4至t6期间的剩余操作与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图5是根据第四示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图5，根据第四示例性实施例的显示面板10的像素P的第五TFT T5响应于第二初始化线IL2的第二初始化信号INI2而被导通，以利用第一电压V1使第三节点N3放电。第五TFT T5的栅极与第二初始化线IL2耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与第一电压V1的终端耦接。
第二初始化线IL2可与第一初始化线IL1平行的形成。第一电压V1可被设定到比有机发光二极管OLED的阈值电压Vth低的电压，例如，低供电电压VSS。
根据图5的第四示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与已经参照图3描述的第二示例性实施例基本相同。
图6是示出输入至图5的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压改变的波形图。参照图6，第二初始化信号INI2显示为在周期t1期间的具有第二初始化脉冲602。可在每一帧期间重复产生第二初始化脉冲602。此外，在每一帧周期产生第二初始化脉冲602。第二初始化脉冲602产生于栅极低电压VGL。在产生扫描脉冲204和发射脉冲208之前产生第二初始化脉冲。第二初始化脉冲602还具有比控制脉冲206和发射脉冲208短的脉冲宽度。第二初始化脉冲602可具有与第一初始化脉冲202相同的脉冲宽度，并且可与第一初始化脉冲202同步的产生。
图6的波形图的剩余部分与已参照图1描述的波形图的剩余部分基本相同。以下将参照图5和图6详细描述根据第四示例性实施例的显示面板10的像素P的操作。
在周期t1期间，产生具有栅极低电压VGL的第二初始化信号INI2。第五TFT T5响应于第二初始化信号INI2而被导通，以利用第一电压V1使第三节点N3放电，从而使电流绕过OLED。
因为由于第五TFT T5导通的缘故，利用第一电压V1使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的感测电流在周期t1期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的感测电流的缘故，有机发光二极管在周期t1期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
在一些实施例中，第二初始化信号INI2可在周期t1和周期t2二者期间都具有栅极低电压VGL。因此第五TFT T5在周期t1和周期t2二者期间都被导通，以防止有机发光二极管OLED在周期t1和周期t2二者期间发光。
根据图5的第四示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图7是根据第五示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图7，根据第五示例性实施例的显示面板10的像素P的第五TFT T5响应于第二初始化线IL2的第二初始化信号INI2而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电。第五TFT T5的栅极与第二初始化线IL2耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与低供电电压VSS的终端耦接。
根据图7的第五示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与已经参照图5描述的第四示例性实施例基本相同。以下将参照图6和图7详细描述图7的像素P的操作。
在周期t1期间，产生具有栅极低电压VGL的第二初始化信号INI2。第五TFT T5响应于第二初始化信号INI2VGL而被导通，以利用低供电电压VSS使第三节点N3放电，从而使电流绕过OLED。
因为由于第五TFT T5导通的缘故，利用低供电电压VSS使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的感测电流在周期t1期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的感测电流的缘故，有机发光二极管在周期t1期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
根据图7的第五示例性实施例的显示面板的像素P的剩余操作与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图8是根据第六示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图8，根据第六示例性实施例的显示面板的像素P的第五TFT T5响应于第二初始化线IL2的第二初始化脉冲INI2而被导通，以将第三节点N3与第二初始化线IL2连接。第五TFT T5的栅极与第二初始化线IL2耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与栅极耦接。也就是，第五TFTT5是二极管接法的(diode-connected)。
根据图8的第六示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与已经参照图5描述的第四示例性实施例基本相同。以下将参照图6和图8详细描述图8的像素P的操作。
在周期t1期间，产生栅极低电压VGL的第二初始化脉冲INI2。第五TFTT5响应于栅极低电压VGL的第二初始化脉冲INI2而被导通，以利用栅极低电压VGL使第三节点N3放电，从而使电流绕过OLED，所述栅极低电压VGL是第二初始化线IL2的电压。
因为由于第五TFT T5导通的缘故，利用栅极低电压VGL使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的感测电流在周期t1期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的感测电流的缘故，有机发光二极管OLED在周期t1期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
根据图8的第六示例性实施例的显示面板的像素P的剩余操作与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图9是根据第七示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图9，根据第七示例性实施例的显示面板的像素P的第五TFT T5响应于第二初始化线IL2的第二初始化脉冲INI2而被导通，以将第三节点N3与发射线EL连接。第五TFT T5的栅极与第二初始化线IL2耦接，第五TFT T5的源极与第三节点N3耦接，并且第五TFT T5的漏极与发射线EL耦接。
根据图9的第七示例性实施例的显示面板的像素P的剩余配置与已经参照图5描述的第四示例性实施例基本相同。以下将参照图6和图9详细描述根据第七示例性实施例的显示面板的像素P的操作。
在周期t1期间，产生栅极低电压VGL的第二初始化脉冲INI2。第五TFTT5响应于栅极低电压VGL的第二初始化脉冲INI2而被导通，以利用栅极低电压VGL使第三节点N3放电，从而使电流绕过OLED，所述栅极低电压VGL是发射线EL的电压。
因为由于第五TFT T5导通的缘故，利用栅极低电压VGL使有机发光二极管OLED的阳极放电，所以驱动TFT Td的感测电流在周期t1期间没有施加给有机发光二极管OLED。因此，由于驱动TFT Td的感测电流的缘故，有机发光二极管OLED在周期t1期间不发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
根据图9的第七示例性实施例的显示面板的像素P的剩余操作与已经参照图1和图2描述的第一示例性实施例基本相同。
图10是示意性地示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示装置的方框图。参照图10，根据示例性实施例的有机发光二极管显示装置包括：显示面板10、数据驱动电路(例如可以包括源极驱动IC 12)、栅极驱动电路14以及时序控制器11。
显示面板10具有彼此交叉的数据线DL和扫描线SL(未示出)。此外，显示面板10具有与扫描线SL(未示出)平行的第一初始化线IL1(未示出)、控制线CL(未示出)以及发射线EL(未示出)。显示面板10可额外具有与第一初始化线IL1(未示出)平行的第二初始化线IL2(未示出)。显示面板10包括像素阵列，所述像素阵列具有在由数据线DL和扫描线SL限定的单元区域(cell area)中以矩阵形式设置的像素。前文通过参照图1至图9描述了显示面板10的像素阵列的每个像素P的详细说明。
数据驱动电路包括多个源极驱动IC 12。源极驱动IC 12接收来自时序控制器11的数字视频数据RGB。源极驱动IC 12响应于来自时序控制器11的源极时序控制信号D_TMG而将数字视频数据RGB转换为伽马校正电压以产生数据电压，并将数据电压同步于来自栅极驱动电路14的扫描脉冲提供给在显示面板组件10的数据线DL。可通过COG(chip on glass，玻载芯片)工艺或TAB(tape automated bonding，带式自动接合)工艺将源极驱动IC 12与显示面板组件10中的数据线DL耦接。
电平移位器13对从时序控制器11输出的各时钟CLK的TTL(晶体管-晶体管-逻辑)电平电压进行电平移位，使其具有栅极高电压VGH和栅极低电压VGL。将各个电平移位的时钟LCLK输入至栅极驱动电路14。
栅极驱动电路14包括：扫描信号输出单元(未示出)、第一初始化信号输出单元(未示出)、控制信号输出单元(未示出)以及发射信号输出单元(未示出)。扫描信号输出单元与显示面板10的扫描信号SL连接。扫描信号输出单元输出扫描信号SC，所述扫描信号SC包括顺序扫描脉冲。第一初始化信号输出单元与显示面板10的第一初始化线IL1连接。第一初始化信号输出单元输出用于控制每个像素的初始化的初始化信号INI，所述初始化信号INI包括顺序输出初始化脉冲。控制信号输出单元与显示面板10的控制线CL连接。控制信号输出单元输出控制信号CTR，所述控制信号CTR包括顺序输出控制脉冲。发射信号输出单元与发射线EL连接。发射信号输出单元输出发射信号EM，所述发射信号EM包括用于控制有机发光二极管OLED的发光的发射脉冲。
此外，栅极驱动电路14可进一步包括第二初始化信号输出单元(未示出)。第二初始化信号输出单元与显示面板10的第二初始化线IL2连接。第二初始化信号输出单元输出第二初始化信号INI2，所述第二初始化信号INI2包括第二初始化脉冲INI2以控制比有机发光二极管OLED的阈值电压Vth低的电压提供给有机发光二极管OLED的阳极。前文通过参照图1至图9描述了扫描信号SC、第一初始化信号INI1和第二初始化信号INI2、控制信号CTRL以及发射信号EM的详细说明。
通过GIP(gate in panel，板内选通)方案，可在显示面板10的下基板上直接形成栅极驱动电路14。通过GIP方案，可在印刷电路板15上安装电平移位器13，并且可在显示面板10的下基板上形成栅极驱动电路14。如果通过TAB方案连接栅极驱动电路，则栅极驱动电路14可连接在显示面板10和时序控制器11之间。
时序控制器11通过接口接收来自外部主机***的数字视频数据RGB，所述接口诸如是LVDS(low voltage differential signaling，低压差分信令)接口、TMDS(transition minimized differential signaling，最小化传输差分信令)接口或者类似接口。时序控制器11把从主机***输入的数字视频数据RGB传输至源极驱动IC 12。
时序控制器11通过LVDS或TMDS接口接收电路(未示出)接收来自主机***的时序信号，所述时序信号诸如是垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和主时钟MCLK等等。基于来自主机***的时序信号，时序控制器11产生用于控制数据驱动电路和栅极驱动电路14的操作时序的时序控制信号。时序控制信号包括：用于控制栅极驱动电路14的操作时序的栅极时序控制信号、和用于控制源极驱动IC 12的操作时序和数据电压的极性的数据时序信号D_TMG。
用于栅极驱动电路14的栅极时序控制信号包括以i(i是大于2的自然数)相位(phase)顺序地产生的各时钟CLK和起始电压VST。将起始电压VST输入至栅极驱动电路14，以控制扫描信号输出单元、第一初始化信号输出单元和第二初始化信号输出单元、控制信号输出单元以及发射信号输出单元的各移位初始时序。将各时钟CLK输入至移位寄存器13并将这些时钟CLK移位，然后它们作为各个电平移位的时钟LCLK输入至栅极驱动电路14，并且被用作用于将起始电压VST移位的时钟信号。
用于源极驱动IC 12的数据时序控制信号D_TMG包括：源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC、极性控制信号POL以及源极输出使能信号SOE等等。源极起始脉冲SSP控制源极驱动IC 12的移位起始时序。源极采样时钟SSC是控制源极驱动IC 12中关于上升沿或下降沿的数据采样时序的时钟信号。极性控制信号POL控制从源极驱动IC 12输出的数据电压的极性。如果在时序控制器11与源极驱动IC 12之间的数据传输接口是迷你LVDS接口，则可省略源极起始脉冲SSP和源极采样时钟SSC。
图11是一流程图，该流程图表示根据实施例的在显示装置的显示像素中的操作方法。一般而言，该流程图描述图1至图10所示的各种实施例。
在步骤1105，通过将第一Tft T1导通，将节点N1设定到参考电压REF电平。将节点N1设定到参考电压REF电平使得在节点N2处的电压改变。在步骤1110，通过将第一Tft T1截止，将节点N1浮置。将第一节点N1浮置使得在第二节点N2处的电压的进一步改变，所述第二节点N2通过第一电容C1与第一节点N1耦接。在一个实施例中，步骤1105和步骤1110可被看做用于感测在第二节点N2处的驱动Tft Td的阈值电压Vth的感测步骤。
在步骤1115，通过将第三Tft T3导通，将节点N1设定到数据电压Vdata电平。将节点N1设定到数据电压Vdata使得在节点N1处的电压电平改变。由于节点N1和N2通过电容C1耦接，所以将节点N1设定到数据电压Vdata还引起在节点N2处的电压改变。在节点N2处的电压改变的量可基于C1和C2的电容值的比。
在步骤1120，通过将第三Tft T3截止，将第一节点N1浮置。
在步骤1125，通过将第四Tft T4导通，将第二节点N2设定到供电电压VDD。将节点N2设定到供电电压VDD使得经第一电容C1引起在节点N1处的数据电压Vdata电平的调整，这使得在节点N1处产生经调整的数据电压电平。调整的量代表驱动Tft Td的阈值电压Vth。调整的量还代表从像素P观察的供电电压VDD电平。在一些实施例中，还产生节点N1处的经调整的数据电压来表明其他压降，所述压降诸如是在周期t6的开始时的跨第四Tft T4的压降。
在步骤1130，将节点N1处的经调整的数据电压施加给驱动Tft Td的栅极，以在OLED中产生电流Ids。因为节点N1处的经调整的数据电压表明驱动TftTd的Vth和显示面板各处的VDD中的任何压降，所以流过驱动Tft Td和OLED的电流的量不依赖于Vth和显示面板各处的VDD中的任何压降。
另外，通过将第二Tft T2导通，可在步骤1005、1110和1130期间，使得驱动Tft Td和OLED之间的电流通路能启用。通过将第二Tft T2截止，可在步骤1115、1120和1125期间，使该电流通路禁用。在一个实施例中，通过将第五Tft T5导通，在步骤1105中使电流绕过OLED。
如上所述，在一个实施例中，感测驱动TFT的阈值电压Vth，并且将感测的驱动TFT的阈值电压通过第一电容C1施加给像素P的第一节点N1，其与驱动TFT Td的栅极耦接。结果，本发明能够补偿驱动TFT的阈值电压。
此外，在周期t1期间感测与驱动TFT的电子迁移率有关的α，在周期t2期间感测β，并且通过第一电容和第二电容将α和β施加给第一节点。此外，为了补偿α和β，可以调整第一周期和第二周期的长度以及第一电容和第二电容的电容比。结果，所披露的像素P能够补偿与驱动TFT Td的电子迁移率有关的α和β。
另外，该像素P包括TFT T4，所述TFT T4控制高供电电压VDD施加给第二节点，所述第二节点与驱动TFT Td的源极耦接。因此，可以将高供电电压VDD的压降通过第一电容C1施加给第一节点N1。结果，该像素P能够补偿显示面板各处的高供电电压VDD的压降。
再者，在有机发光二极管OLED发光之前，利用低供电电压或者栅极低电压使有机发光二极管OLED的阳极放电。结果，该像素能够防止在有机发光二极管OLED发光之前由驱动TFT的感测电流引起的发光，从而防止图像失真，并且增大对比度。
尽管已经参考多个示例性的实例描述了实施例，但是应当理解的是：可以由所属领域技术人员构思出属于本文内容的原理范围内的大量其他改型和实施例。尤其是，可以在本文、附图和所附权利要求书的范围内对主题组合方案的组成部件和/或布置作出各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替代使用对于所属领域技术人员而言也是显而易见的。

Claims (23)

1.一种显示像素，所述显示像素包括：
第一电容，所述第一电容耦接在第一节点和第二节点之间；
数据晶体管(T3)，所述数据晶体管与所述第一节点耦接，并且所述数据晶体管被配置为响应于所述数据晶体管的导通而将所述第一节点设定至数据电压；
控制晶体管(T4)，所述控制晶体管与所述第二节点耦接，并且所述控制晶体管被配置为响应于所述控制晶体管的导通而将所述第二节点设定至供电电压，其中将所述第二节点设定至所述供电电压使得经所述第一电容引起所述第一节点处的所述数据电压的调整，以在所述第一节点处产生经调整的数据电压；以及
驱动晶体管(Td)，所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与所述第二节点耦接，其中所述第一节点处的所述经调整的数据电压被施加给所述驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。
2.根据权利要求1所述的显示像素，其中所述供电电压包括高电势供电电压。
3.根据权利要求1所述的显示像素，进一步包括：
初始化晶体管(T1)，所述初始化晶体管与所述第一节点耦接，并且所述初始化晶体管被配置为响应于所述初始化晶体管的导通而将所述第一节点设定到参考电压；
其中所述数据晶体管(T3)被配置为在所述初始化晶体管将所述第一节点设定到所述参考电压之后将所述第一节点设定到数据电压，并且
其中将所述第一节点设定到所述数据电压使得经所述第一电容引起所述第二节点处的电压改变。
4.根据权利要求3所述的显示像素，其中在所述初始化晶体管将所述第一节点设定到所述参考电压之后，并且在所述数据晶体管将所述第一节点设定到所述数据电压之前，所述初始化晶体管被截止以将所述第一节点浮置。
5.根据权利要求4所述的显示像素，其中当所述第一节点被浮置时，所述第一节点和所述第二节点随着时间的推移电压降低。
6.根据权利要求4所述的显示像素，进一步包括：
第二电容，所述第二电容耦接在所述第二节点和供电电压源之间，
其中所述第二节点处的电压改变是基于所述第一电容和所述第二电容的电容值的比。
7.根据权利要求6所述的显示像素，其中所述初始化晶体管被截止的时间、所述数据晶体管被导通的时间、以及所述第一电容和所述第二电容的值被配置为补偿所述驱动晶体管的电子迁移率。
8.根据权利要求3所述的显示像素，进一步包括与所述发光二极管耦接的发射晶体管(T2)，所述发射晶体管被配置为响应于所述发射晶体管的导通来使所述驱动晶体管和所述发光二极管之间的电流通路能启用。
9.根据权利要求8所述的显示像素，其中当使所述电流通路能启用时，还产生所述第一节点处的经调整的数据电压，以表明压降。
10.根据权利要求3所述的显示像素，进一步包括与所述发光二极管耦接的旁路晶体管(T5)，以响应于所述旁路晶体管的导通而使电流绕过所述发光二极管。
11.根据权利要求10所述的显示像素，其中所述初始化晶体管(T1)的栅极与第一初始化线耦接，并且所述旁路晶体管(T5)的栅极与第二初始化线耦接。
12.根据权利要求1所述的显示像素，其中所述控制晶体管(T4)的源极与供电电压源耦接，所述控制晶体管的漏极与所述第二节点耦接，并且所述控制晶体管的栅极与控制线耦接。
13.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，其中所述像素的至少一个像素包括：
第一电容，所述第一电容耦接在第一节点和第二节点之间；
数据晶体管(T3)，所述数据晶体管与所述第一节点耦接，并且所述数据晶体管被配置为响应于所述数据晶体管的导通而将所述第一节点设定至数据电压；
控制晶体管(T4)，所述控制晶体管与所述第二节点耦接，并且所述控制晶体管被配置为响应于所述控制晶体管的导通而将所述第二节点设定至供电电压，其中将所述第二节点设定至所述供电电压使得经所述第一电容引起所述第一节点处的所述数据电压的调整，以在所述第一节点处产生经调整的数据电压；以及
驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与所述第二节点耦接，其中所述第一节点处的所述经调整的数据电压被施加给所述驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。
14.一种操作显示像素的方法，所述显示像素具有驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与第二节点耦接，所述方法包括以下步骤：
将所述第一节点设定到数据电压；
将所述第二节点设定到供电电压，以使得经所述第一节点和所述第二节点之间耦接的电容引起所述第一节点处的所述数据电压的调整，使得在所述第一节点处产生经调整的数据电压；以及
将所述经调整的数据电压施加给所述驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括以下步骤：
在将所述第一节点设定到所述数据电压之前，将所述第一节点设定到参考电压，并且
响应于将所述第一节点设定到所述数据电压，使得经所述电容引起所述第二节点处的电压改变。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：
在将所述第一节点设定到所述参考电压之后，但在将所述第一节点设定到所述数据电压之前，将所述第一节点浮置。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括以下步骤：
当(i)所述第一节点被设定到参考电压，(ii)所述第一节点被浮置以及(iii)所述经调整的数据电压被施加给所述驱动晶体管的栅极时，使得所述驱动晶体管和所述发光二极管之间的电流通路能启用；以及
当(i)所述第一节点被设定到所述数据电压以及(ii)所述第二节点被设定到所述供电电压时，使得所述驱动晶体管和所述发光二极管之间的所述电流通路禁用。
18.根据权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：
当将所述第一节点设定到所述参考电压时，使电流绕过所述发光二极管。
19.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，其中所述像素的至少一个像素包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管适用于控制发光二极管(LED)中的电流，所述驱动晶体管的栅极与第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与第二节点耦接；
第一电容，所述第一电容耦接在所述第一节点和所述第二节点之间；
数据晶体管，所述数据晶体管耦接在所述第一节点和数据线之间；以及
控制晶体管，所述控制晶体管耦接在所述第二节点和供电电压终端之间。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述像素的至少一个像素进一步包括：
第二电容，所述第二电容耦接在所述第二节点和所述供电电压终端之间；
初始化晶体管，所述初始化晶体管耦接在所述第一节点和参考电压源之间；以及
发射晶体管，所述发射晶体管耦接在所述驱动晶体管和所述发光二极管之间。
21.根据权利要求20所述的显示装置，进一步包括：
初始化线，其中所述初始化晶体管的栅极与所述初始化线耦接；
发射线，其中所述发射晶体管的栅极与所述发射线耦接；
扫描线，其中所述数据晶体管的栅极与所述扫描线耦接；以及
控制线，所述控制晶体管的栅极与所述控制线耦接。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中：
所述初始化晶体管的源极与所述第一节点耦接，并且所述初始化晶体管的漏极与所述供电电压终端耦接，
所述发射晶体管的源极与所述驱动晶体管的漏极耦接，并且所述发射晶体管的漏极与所述发光二极管耦接，
所述数据晶体管的源极与所述第一节点耦接，并且所述数据晶体管的漏极与所述数据线耦接，以及
所述控制晶体管的源极与所述供电电压终端耦接，并且所述控制晶体管的漏极与所述第二节点耦接。
23.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述像素的至少一个像素进一步包括：
旁路晶体管，所述旁路晶体管与所述发光二极管耦接，并且所述旁路晶体管适用于使电流绕过所述发光二极管。
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