CN101685233A - 电泳显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

电泳显示设备及其制造方法。本发明提供了一种制造电泳显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在具有显示区、非显示区和切割部分的基板上形成栅极、选通线、数据线以及具有半导体层、源极和漏极的薄膜晶体管；在所述基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述薄膜晶体管的上面形成钝化层；在所述钝化层上在各个像素区中形成像素电极；在所述切割部分中形成对准标记；将电泳膜粘接在所述像素电极上；使用所述对准标记，在所述基膜上形成滤色器层；以及在所述滤色器层上并且与所述显示区相对应地形成钝化片，其中所述形成所述对准标记的步骤与所述形成所述选通线的步骤、所述形成所述数据线的步骤以及所述形成所述像素电极的步骤中的一个同时执行。

Description

电泳显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及电泳显示设备，更具体来说，涉及电泳显示设备及其制造方法。
背景技术
本发明分别要求2008年9月23日提交的韩国专利申请No.10-2008-0093003和2008年10月27日提交的韩国专利申请No.10-2008-0105413的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容。
直到最近，显示设备通常包括液晶显示(LCD)设备、等离子显示面板(PDP)以及有机电致发光显示器(OLED)。然而，为了满足消费者的需求，引入了各种显示设备。
具体来说，要求显示设备具有重量轻、外形薄、效率高以及全色彩运动图像显示的属性。为了满足这些属性，提出了一种电泳显示设备。电泳显示设备利用带电颗粒向阳极或阴极移动的现象。电泳显示设备在对比度、响应时间、全色彩显示、成本、移动性等方面具有优势。不同于LCD设备，电泳显示设备不需要偏振器、背光单元、液晶层等。因此，电泳显示设备在生产成本方面具有优势。
图1是例示了根据相关技术的电泳显示设备的驱动方法的截面图。在图1中，相关技术的电泳显示设备1包括第一基板11、第二基板36以及夹在其间的墨层57。墨层57包括囊63，各个囊63都在其中具有多个染白颗粒59和多个染黑颗粒61。染白颗粒59和染黑颗粒61分别通过缩聚反应(condensation polymerization reaction)被充以负电荷和正电荷。
在第一基板11的下面并且在各个像素区(未示出)中设置有连接到薄膜晶体管(未示出)的多个像素电极28。各个像素电极28都具有正电压或负电压。当将囊形成为具有各种尺寸时，执行过滤处理以获得具有统一尺寸的囊。
当对墨层54施加正或负电压时，囊63中的染白颗粒59和染黑颗粒61根据所施加电压的极性而移动。当染黑颗粒61向上移动时，显示黑色。当染白颗粒59向上移动时，显示白色。
图2是相关技术的电泳显示设备的示意性截面图。在图2中，相关技术的电泳显示设备1包括第一基板11、第二基板36以及夹在其间的墨层57。墨层57被设置在第五粘接层51与第六粘接层53之间。第五粘接层51和第六粘接层53中的每一个都由透明材料形成。在第六粘接层53的下面设置公共电极55以与墨层57相对。墨层57包括囊63，并且各个囊63都在其中具有多个染白颗粒59和多个染黑颗粒61。染白颗粒59和染黑颗粒61分别被充以负电荷和正电荷。
第二基板36可以由透明塑料或玻璃形成，第一基板11可以由不透明的不锈钢形成。第一基板11也可以由透明塑料或玻璃形成。在第二基板36的整个表面下面形成具有红(R)、绿(G)以及蓝(B)色子滤色器的滤色器层40。在第一基板11上，形成选通线(未示出)和数据线(未示出)。选通线与数据线彼此交叉以限定像素区P。在选通线与数据线的交叉部分处形成薄膜晶体管(TFT)Tr。将TFT Tr设置在各个像素区P中。TFT Tr包括栅极14、栅绝缘层16、包括有源层18a和欧姆接触层18b的半导体层18、源极20以及漏极22。栅极和源极分别连接到选通线和数据线，并且栅绝缘层16覆盖栅极14。半导体层18设置在栅绝缘层16上并且与栅极14交叠。源极20和漏极22设置在半导体层18上并且彼此相隔开。
在TFT Tr上面形成包括漏接触孔27的钝化层26。漏接触孔27露出漏极22的一部分。在钝化层26上并且在各个像素区P中设置像素电极28。像素电极28通过漏接触孔27连接到漏极22。像素电极28可以由例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。
具有上述元件的电泳显示设备1利用环境光(例如，自然光或房间电灯)作为光源。电泳显示设备1可以通过根据施加给像素电极28的电压极性感应囊63中的染白颗粒59和染黑颗粒61的位置变化来显示图像。
图3A到3E是示出相关技术的电泳显示设备的制造工序的截面图。将限定有多个像素区的区域称为显示区，并将显示区的***处的区域称为非显示区。
在图3A中，在第一载体基板5(例如玻璃基板)的正面和背面上分别形成第一粘接层7和第二粘接层9。将第一金属薄膜基板11和第二金属薄膜基板13分别粘接在第一粘接层7的外表面和第二粘接层9的外表面。
接着，在第一金属薄膜基板11的整个表面上形成绝缘层(未示出)。在绝缘层上形成彼此交叉以限定像素区P的选通线(未示出)和数据线(未示出)。在像素区P中形成连接到选通线和数据线的TFT Tr。尽管未示出，在非显示区中，形成连接到选通线的栅焊盘电极和连接到数据线的数据焊盘电极。
通过涂敷有机绝缘材料在TFT Tr上面形成钝化层26。对钝化层26进行构图以形成露出各像素区P中的TFT Tr的漏极(未示出)的漏接触孔27、露出栅焊盘电极的栅焊盘接触孔(未示出)、以及露出数据焊盘电极的数据焊盘接触孔(未示出)。
通过沉积透明导电材料，在钝化层26上形成透明导电材料层(未示出)。对透明导电材料层进行构图，以形成通过漏接触孔接触TFT Tr的漏极的像素电极28、通过栅焊盘接触孔接触栅焊盘电极的栅辅助焊盘电极(未示出)、以及通过数据焊盘接触孔接触数据焊盘电极的数据辅助焊盘电极(未示出)。可以将第一金属薄膜基板11(其中形成有例如TFT Tr、像素电极28等的阵列元件，并且层叠有第一粘接层7、第一载体基板5、第二粘接层9以及第二金属薄膜基板13)称为电泳显示设备的阵列基板22。
接着，在图3B中，在第二载体基板30(例如玻璃基板)的正面和背面上分别形成第三粘接层32和第四粘接层34。将第一透明基板36和第二透明基板38分别粘接在第三粘接层32的外表面和第四粘接层34的外表面。第一透明基板36和第二透明基板38均可以是柔性的。
在第一透明基板36上形成包括顺序设置的红(R)色子滤色器40a、绿(G)色子滤色器40b以及蓝(B)色子滤色器40c的滤色器层40。红(R)色子滤色器40a、绿(G)色子滤色器40b以及蓝(B)色子滤色器40c均对应于阵列基板22中的像素区P。可以将第一透明基板36(其中形成有滤色器层40，并且层叠有第三粘接层32、第二载体基板30、第四粘接层34以及第二透明基板38)称为电泳显示设备的滤色器基板42。在滤色器基板42上，可以进一步形成与子滤色器40a、40b以及40c的边界区相对应的黑底(未示出)。该黑底包围各像素区P。
在图3C中，将电泳膜65粘接在阵列基板22上。电泳膜65包括第五粘接层51和第六粘接层53、公共电极55以及墨层57。将墨层57设置在第五粘接层51与第六粘接层53之间，并且将公共电极55设置在第六粘接层53上以与墨层57相对。墨层57包括多个囊63，并且各个囊63都在其中具有多个染白颗粒59和多个染黑颗粒61。染白颗粒59和染黑颗粒61分别通过缩聚反应被充以负电荷和正电荷。将第五粘接层51设置成与像素电极28相对，使得墨层57位于公共电极55与像素电极28之间。
在图3D中，将滤色基板42粘接到阵列基板22以形成面板。将滤色基板42设置成与电泳膜65相对。
在图3E中，将具有第一粘接层7和第二粘接层9以及第二金属薄膜基板13的第一载体基板5从第一金属薄膜基板11分离开。而且，将具有第三粘接层32和第四粘接层34以及第二透明基板38的第二载体基板30从第一透明基板36分离开。结果，可以获得电泳显示设备1。
然而，相关技术的电泳显示设备的上述制造工序存在缺点。该制造工序非常复杂。即，阵列基板需要进行以下工序：将第一和第二粘接层粘接在第一载体基板的正面和背面上、将第一和第二金属薄膜基板粘接在第一和第二粘接层上、以及在粘接在第一粘接层上的第一金属薄膜基板上形成阵列元件(例如TFT或像素电极)。此外，滤色基板需要进行以下工序：将第三和第四粘接层粘接在第二载体基板上、将第一和第二透明基板粘接在第三和第四粘接层上、以及在第一透明基板上形成滤色器层。此外，需要将不必要的元件，例如第一和第二载体基板，从面板分离掉。
再者，当分离不必要的元件(例如第一和第二载体基板，在电泳显示设备的制造工序中需要它们，但是在电泳显示设备的最终产品中不需要)时，存在外应力。结果，在阵列基板与滤色基板之间存在未对准问题，导致显示图像质量劣化。
再者，在粘接和分离工序期间，在由相对低硬度材料(诸如塑料)形成的第一透明基板上存在刮擦损害。该刮擦也会导致显示图像质量劣化。
发明内容
因此，本发明涉及一种电泳显示设备及其制造方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点带来的一个或更多个问题。
仅以介绍的方式，在本发明的一个方面中，一种制造电泳显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在具有显示区、非显示区和切割部分的基板上形成栅极、选通线、数据线以及具有半导体层、源极和漏极的薄膜晶体管，在所述显示区中限定有多个像素区，所述非显示区位于所述显示区的***，所述切割部分位于所述非显示区的外区，所述选通线与所述数据线彼此交叉以限定所述像素区，所述薄膜晶体管连接到所述选通线和所述数据线；在所述基板的包括所述栅极和所述选通线的整个表面上形成栅绝缘层；在所述薄膜晶体管的上面形成钝化层；在所述钝化层上在各个像素区中形成像素电极，该像素电极连接到所述薄膜晶体管的所述漏极；在所述切割部分中形成对准标记；将包括粘接层、具有带电颗粒的墨层、公共电极以及基膜的电泳膜粘接在所述像素电极上，所述墨层设置在所述粘接层与所述基膜之间，所述粘接层位于所述像素电极上，所述带电颗粒包括白色的被充以负电荷的子颗粒和黑色的被充以正电荷的子颗粒；使用所述对准标记在所述基膜上形成滤色器层，所述滤色器层对应于所述显示区，所述对准标记是用于对所述滤色器层与所述像素区进行对准的；以及在所述滤色器层上并且与所述显示区相对应地形成钝化片，其中所述形成所述对准标记的步骤与以下步骤之一同时执行：所述形成所述选通线的步骤、所述形成所述数据线的步骤以及所述形成所述像素电极的步骤。
在另一方面中，一种电泳显示设备包括：位于基板上的选通线，所述基板具有限定有多个像素区的显示区和位于所述显示区的***的非显示区；位于所述基板上的所述非显示区中的栅焊盘电极，该栅焊盘电极连接到所述选通线的端部；位于所述基板的包括所述选通线的整个表面上的栅绝缘层；位于所述选通线上并与所述选通线交叉以限定所述像素区的数据线；薄膜晶体管，其包括连接到所述选通线的栅极、位于所述栅绝缘层上且对应于所述栅极的半导体层、连接到所述数据线且设置在所述半导体层上的源极、以及与所述源极隔开且设置在所述半导体层上的漏极；位于所述栅绝缘层上的所述非显示区中且连接到所述数据线的端部的数据焊盘电极；位于所述薄膜晶体管上面且包括漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔的钝化层，所述钝化层在所述显示区中具有第一厚度并且在所述非显示区中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔分别露出所述漏极、所述栅焊盘电极以及所述数据焊盘电极，所述钝化层包括具有有机绝缘材料层和无机绝缘材料层的双层结构，并且所述显示区中的所述有机绝缘材料层比所述非显示区中的所述有机绝缘材料层更厚；位于各个像素区中的钝化层上的像素电极，该像素电极通过所述漏接触孔接触所述漏极；位于所述像素电极上且对应于所述显示区的电泳膜；位于所述电泳膜上的滤色器层；以及位于所述滤色器层上的钝化片。
在又一方面中，一种电泳显示设备包括：位于基板上的选通线，所述基板具有限定有多个像素区的显示区和位于所述显示区的***的非显示区：位于所述基板上的所述非显示区中的栅焊盘电极，该栅焊盘电极连接到所述选通线的端部；位于所述基板的包括所述选通线的整个表面上的栅绝缘层；位于所述选通线上并与所述选通线交叉以限定所述像素区的数据线；薄膜晶体管，其包括连接到所述选通线的栅极、位于所述栅绝缘层上且对应于所述栅极的半导体层、连接到所述数据线且设置在所述半导体层上的源极、以及与所述源极隔开且设置在所述半导体层上的漏极；位于所述栅绝缘层上的所述非显示区中且连接到所述数据线的端部的数据焊盘电极；位于所述薄膜晶体管上面且包括漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔的钝化层，所述钝化层在所述显示区中具有第一厚度并且在所述非显示区中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接触孔、所述栅焊盘接触孔以及所述数据焊盘接触孔分别露出所述漏极、所述栅焊盘电极以及所述数据焊盘电极，所述钝化层在所述显示区中包括具有第一无机绝缘材料层、有机绝缘材料层以及第二无机绝缘材料层的三层结构；位于各个像素区中的钝化层上的像素电极，该像素电极通过所述漏接触孔接触所述漏极；位于所述像素电极上且对应于所述显示区的电泳膜；位于所述电泳膜上的滤色器层；以及位于所述滤色器层上的钝化片。
应当理解，上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是例示了根据相关技术的电泳显示设备的驱动方法的截面图；
图2是相关技术的电泳显示设备的示意性截面图；
图3A到3E是示出相关技术的电泳显示设备的制造工序的截面图；
图4A到4H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的一个像素区的制造工序的截面图；
图5A到5H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的栅焊盘区的制造工序的截面图；
图6A到6H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的数据焊盘区的制造工序的截面图；
图7A到7C是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的制造工序的平面图；
图8A到8C是分别示出根据本发明的第二实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图；
图9A到9C是分别示出根据本发明的第三实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图；
图10A到10C是分别示出根据本发明的实施方式的用于形成电泳显示设备的滤色器层的对准标记的位置的截面图；以及
图11A到11C是示意性地示出根据本发明的实施方式的电泳显示设备的制造工序的截面图；以及
图12A到12C是分别用于说明根据本发明的实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中示例出了其示例。
在电泳显示设备中，膜型墨层和滤色器层均形成在形成有TFT的阵列基板上。
图4A到4H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的一个像素区的制造工序的截面图，图5A到5H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的栅焊盘区的制造工序的截面图。图6A到6H是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的数据焊盘区的制造工序的截面图，图7A到7C是示出根据本发明的第一实施方式的电泳显示设备的制造工序的平面图。形成有像素电极、TFT等的像素区P包括形成有TFT的开关区TrA和形成有存储电容器的存储区StgA。将像素区P限定在显示区DA中。将形成有栅焊盘电极的栅焊盘区GPA和形成有数据焊盘电极的数据焊盘区DPA限定在显示区的***处的非显示区中。
在图4A、5A以及6A中，在绝缘基板101(例如玻璃基板或塑料基板)上沉积第一金属材料，以形成第一金属层(未示出)。第一金属材料包括铝(Al)、Al合金(AlNd)、铜(Cu)、Cu合金、铬(Cr)以及钛(Ti)合金中的一种。利用掩模工序对第一金属材料层进行构图，以形成选通线(未示出)、开关区TrA中的栅极103、存储区StgA中的第一存储电极105以及栅焊盘区GPA中的栅焊盘电极107。掩模工序包括形成光刻胶(PR)层的步骤、使用掩模对PR层进行曝光的步骤、对曝光后的PR层进行显影以形成PR图案的步骤、对第一金属材料层进行蚀刻以形成期望的金属图案的步骤以及剥离PR图案的步骤。选通线沿某个方向延伸，并且栅极103连接到选通线。第一存储电极105可以是选通线的一部分。当将公共线(未示出)形成为平行于选通线时，第一存储电极105可以是公共线的一部分。将栅焊盘电极107连接到选通线的一端。选通线、栅极103、第一存储电极105以及栅焊盘电极107均可以具有双层结构。该双层结构可以是层叠的AlNd/钼层或层叠的Ti合金/Cu层。在图4A、5A以及6A中示出了具有单层结构的选通线、栅极103、第一存储电极105以及栅焊盘电极107。
参照图7A，通过对第一金属层的构图工序，在对准标记区CA(其将通过切割工序被去除)中形成对准标记191。对准标记191用于对滤色器层与像素区P进行精确对准。将形成有栅焊盘电极107(图5A的)和数据焊盘(未示出)的非显示区定位在显示区DA(其中设置有像素区P)与对准标记区CA之间。在与栅焊盘区GPA相邻的第一切割区CA、与数据焊盘区DPA相邻的第二切割区CA以及与第一切割区相对的第三切割区CA中形成对准标记191。将对准标记191定位在切割线的外区。由于滤色器层包括红、绿以及蓝色子滤色器，对准标记区CA的第一到第三切割区各包括至少一个对准标记191。也可以在另一工序中形成对准标记191。
在图4B、5B以及6B中，通过沉积诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料，在包括选通线、栅极103、第一存储线105以及栅焊盘电极107的整个表面上形成栅绝缘层110。接着，在栅绝缘层110上顺序地形成本征非晶硅的本征非晶硅层(未示出)和掺杂非晶硅的掺杂非晶硅层(未示出)。利用掩模工序对本征非晶硅层和掺杂非晶硅层进行构图，以形成本征非晶硅的有源层115a和掺杂非晶硅的掺杂非晶硅图案115b。有源层115a和掺杂非晶硅图案115b对应于栅极103。
在图4C、5C以及6C中，在有源层115a、掺杂非晶硅图案115a(图4B的)以及栅绝缘层110上沉积第二金属材料，以形成第二金属层(未示出)。第二金属材料包括钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)合金以及Al合金(AlNd)中的一种。第二金属层可以是双层或三层结构。例如，第二金属层的双层结构可以是层叠的Ti合金/Cu，第二金属层的三层结构可以是层叠的Mo/AlNd/Mo。在图4C、5C以及6C中示出了具有单层结构的第二金属层。
对第二金属层(未示出)进行构图，以形成数据线(未示出)、开关区TrA中的源极120、开关区TrA中的漏极122、存储区StgA中的第二存储电极124以及数据焊盘区DPA中的数据焊盘电极126。数据线与选通线交叉以限定像素区P。将源极120和漏极122设置在开关区TrA中的掺杂非晶硅图案115b上并且使其彼此隔开。将源极120连接到数据线，并将第二存储电极124连接到漏极122。将数据焊盘电极126设置在栅绝缘层110上，并连接到数据线的一端。
然后，通过干刻工序去除源极120与漏极122之间的掺杂非晶硅图案115a的露出部分，使得通过源极120和漏极122的空间露出有源层115a的一部分。在源极120和漏极122的下面形成欧姆接触层115c。有源层115a和欧姆接触层115c构成半导体层115。
另一方面，如果在形成选通线和栅极103的工序中没有形成对准标记191(图7A的)，则可以在形成数据线、源极120以及漏极122的工序中在栅绝缘层110上形成对准标记191。在此情况下，也将对准标记定位在对准标记区CA的第一到第三切割区中。
尽管半导体层115和源极120以及漏极122是通过彼此不同的掩模工序来形成的，但是它们可以通过一道掩模工序来形成。更具体来说，在栅绝缘层110上顺序地形成本征非晶硅层、掺杂非晶硅层以及第二金属层。然后，采用折射曝光法或半色调曝光法，利用一道掩模工序对在栅绝缘层110上顺序形成的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层以及第二金属层进行构图，以形成具有不同厚度的PR图案。使用PR图案作为蚀刻掩模，对本征非晶硅层、掺杂非晶硅层以及第二金属层进行蚀刻。在此情况下，在数据线和数据焊盘电极的下面具有其中每一个均由与半导体层相同的材料形成的半导体图案。此外，当在该工序中形成对准标记时，在对准标记的下面也有半导体图案。
在图4D、5D以及6D中，通过涂敷诸如感光亚克力和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料，在数据线、源极120和漏极122、第二存储电极124以及数据焊盘电极126上形成钝化层130。钝化层130具有平坦上表面。采用折射曝光法或半色调曝光法，利用掩模工序对钝化层130进行构图，以形成漏接触孔132、栅焊盘接触孔134以及数据焊盘接触孔136。漏接触孔132、栅焊盘接触孔134以及数据焊盘接触孔136分别露出漏极122、栅焊盘电极107以及数据焊盘电极126。此外，像素区P中的钝化层130具有第一厚度t1，而包括栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA的非显示区NA(图7A的)中的钝化层130具有比第一厚度t1小的第二厚度t2。使用步进型曝光装置(stepper type exposing apparatus)，可以通过包括空白照射(blank shot)的两道掩模工序对钝化层130进行构图。钝化层130由有机绝缘材料形成，以将寄生电容降至最小并获得平坦上表面。例如，寄生电容可能会在第一存储电极105与像素电极之间以及第二存储电极124与像素电极之间产生。
如上所提及的，显示区DA中的钝化层130与非显示区NA中的钝化层130存在厚度差。显示区DA中的钝化层130的第一厚度t1大于非显示区NA中的钝化层130的第二厚度t2(t1＞t2)。另一方面，栅辅助焊盘电极和数据辅助焊盘电极将形成在钝化层130上，并分别通过栅焊盘接触孔134和数据焊盘接触孔136接触栅焊盘电极107和数据焊盘电极126。为了在栅辅助焊盘电极和数据辅助焊盘电极中的每一个与外部驱动电路基板(未示出)之间进行连接，执行带式自动焊接(TAB)工序。在此情况下，栅辅助焊盘电极和数据辅助焊盘电极中的每一个都通过包括导电球(未示出)的各向异性导电膜(ACF)接触载带封装(TCP)膜。栅辅助焊盘电极和数据辅助焊盘电极中的每一个的深度越大，ACF中的导电球的直径就越大。不幸的是，相邻栅焊盘接触孔或相邻数据焊盘接触孔中的导电球可能会彼此接触，从而导致存在电短路问题。当包括栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA的非显示区NA中的钝化层130具有相对较小的厚度时，ACF中的导电球具有相对较小的直径，使得可以防止电短路问题。此外，通过增大显示区DA中的钝化层130的厚度，可以将例如在像素电极与第二存储电极124之间感应的寄生电容降至最小。因此，在本发明中，显示区DA中的钝化层130的第一厚度t1大于非显示区NA中的钝化层130的第二厚度t2(t1＞t2)。
当钝化层130具有由诸如感光亚克力或BCB的有机绝缘材料形成的单层结构时，如上所述，由于其光敏性质，在有机绝缘材料层上直接执行掩模工序中的曝光工序。然而，钝化层130可以具有双层结构或三层结构，如图8A到8C以及9A到9C所示。图8A到8C是分别示出根据本发明的第二实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图，图9A到9C是分别示出根据本发明的第三实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图。
在图8A到8C中，当钝化层130具有双层结构时，层叠有机绝缘材料层130a和无机绝缘材料层130b。在图9A到9C中，当钝化层130具有三层结构时，层叠第一无机绝缘材料层130a、有机绝缘材料层130b以及第二无机绝缘材料层130c。有机绝缘材料层包括感光亚克力和BCB中的一种，并且无机绝缘材料层包括氧化硅和氮化硅中的一种。
例如，在图9A到9C中，钝化层130具有无机绝缘材料的上层。由于无机绝缘材料不具有光敏性质，掩模工序中的曝光和显影工序不能直接在无机绝缘材料层上执行。在此情况下，在无机绝缘材料层上形成具有光敏性质的PR材料的PR层(未示出)，并且通过折射曝光工序或半色调曝光工序对PR层进行曝光和显影，以在显示区DA中形成第一PR图案(未示出)并在非显示区NA中形成第二PR图案(未示出)，该第二PR图案的厚度小于第一PR图案。然后，使用第一和第二PR图案作为构图掩模，对无机绝缘材料的第二无机绝缘材料层130c、有机绝缘材料层130b以及无机绝缘材料的第一无机绝缘材料层130a进行构图，以露出栅焊盘电极107和数据焊盘电极126。接着，通过灰化工序去除非显示区NA中的第二PR图案，使得露出第二无机绝缘材料层130c的位于第二PR图案下面的部分。对第二无机绝缘材料层130c的露出部分进行蚀刻，使得非显示区NA中的钝化层130具有由第一无机绝缘材料层130a和有机绝缘材料层130b形成的双层结构。即，完全去除非显示区NA中的第二无机绝缘材料层130c，并且有机绝缘材料层130b具有减小的厚度。
具有上述双层结构或上述三层结构的钝化层130旨在改善将要形成在钝化层130上的像素电极与钝化层130之间的粘合强度，并改善TFT Tr的性质。由于有机绝缘材料与导电材料之间的粘合强度比有机绝缘材料与无机绝缘材料之间以及无机绝缘材料与导电材料之间的粘合强度都要小，所以通过位于有机绝缘材料层与导电材料层之间的无机绝缘材料层，改善了导电材料的像素电极与钝化层130之间的粘合强度。此外，当有源层115a(其一部分在源极120与漏极122之间被露出)接触有机绝缘材料层时，界面性质很差，使得TFT Tr的性质会劣化。因此，为了防止TFT Tr的性质劣化，可以在钝化层130的底层设置与有源层115a具有极好的界面性质的无机绝缘材料层。
在图4E、5E以及6E中，在钝化层130上沉积例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料，以形成透明导电材料层(未示出)。在沉积透明导电材料之前，可以在钝化层130上沉积诸如Mo的不透明金属材料作为第三金属材料。在此情况下，在钝化层130上形成双层结构导电材料层。当在选通线形成步骤和数据线形成步骤期间未形成用于对滤色器层进行对准的对准标记时，通过对第三金属材料层进行构图来形成对准标记。如果未形成不透明金属材料的第三金属材料层并且对准标记由透明导电材料形成时，难以使用透明导电材料的对准标记以对滤色器层进行对准。
另一方面，像素电极可以包括不透明金属材料的单层结构。在此情况下，在与像素电极相同的层上并由与其相同的材料形成对准标记。由于将对准标记定位在钝化层上，在利用对准标记对滤色器层进行对准的方面具有优势。
接着，对双层或三层结构的导电材料层进行构图，以形成各像素区P中的像素电极140、栅焊盘区GPA中的栅辅助焊盘电极142以及数据焊盘区DPA中的数据辅助焊盘电极144。像素电极140、栅辅助焊盘电极142以及数据辅助焊盘电极144分别通过漏接触孔132、栅焊盘接触孔134以及数据焊盘接触孔136接触漏极122、栅焊盘电极107以及数据焊盘电极126。
当在选通线形成步骤和数据线形成步骤期间未形成用于对滤色器层进行对准的对准标记时，通过在像素电极构图工序期间对不透明材料的第三金属材料进行构图，在对准标记区CA中在钝化层130上形成对准标记。
图10A到10C是分别示出根据本发明的实施方式的用于形成电泳显示设备的滤色器层的对准标记的位置的截面图。图10A示出了在选通线形成步骤期间形成的对准标记的位置，图10B示出了在数据线形成步骤期间形成的对准标记的位置，图10C示出了在像素电极形成步骤期间形成的对准标记的位置。
在图10A中，当在选通线形成步骤期间形成对准标记191时，将对准标记191定位在基板101上并由栅绝缘层110覆盖。在图10B中，当在数据线形成步骤期间形成对准标记191时，将对准标记191定位在栅绝缘层110上并由钝化层130覆盖。在图10C中，当在像素电极形成步骤期间形成对准标记191时，将对准标191定位在钝化层130上。图10A到10C示出了单层的对准标记191。然而，当选通线、数据线以及像素电极140具有双层或三层结构时，对准标记191也具有双层或三层结构。
在图4F、5F、6F以及7B中，将电泳膜167粘接在像素电极140上。电泳膜167对应于显示区DA。电泳膜167包括由透明且柔性的材料(如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成的基膜150、位于基膜150下面的公共电极153、位于公共电极153下面的墨层163以及位于墨层163下面的粘接层165。当将电泳膜167粘接在像素电极140上时，墨层163位于公共电极153与像素电极140之间，并且粘接层165与像素电极140相对。公共电极153由透明导电材料形成。墨层163包括多个囊160，各个囊160都在其中具有多个染白颗粒156和多个染黑颗粒158。可以通过缩聚反应对染白颗粒156和染黑颗粒158分别充以负电荷和正电荷。
电泳膜167可以具有与上述结构不同的结构。例如，墨层163可以仅有染白颗粒156和染黑颗粒158中的一种。尽管未示出，当墨层163仅有染白颗粒156和染黑颗粒158中的一种时，可以在钝化层130上在与像素电极相同的层上形成公共电极。即，与图4F所示的结构不同，不将公共电极153形成在墨层163的整个表面上。在此情况下，像素电极具有多个条形，并且公共电极也具有多个条形。将公共电极的条与像素电极的条交替设置。在选通线形成步骤期间形成平行于选通线的公共线，在钝化层130和栅绝缘层110中形成露出公共线的一部分的公共接触孔。公共电极通过公共接触孔接触公共线。
电泳膜167具有约300微米到500微米的整体厚度。当形成有对准标记191的层与电泳膜167的顶层之间的台阶差超过500微米时，使用用于对将要形成在电泳膜167上的滤色器层进行对准的对准标记191有些困难。
在图4G、5G、6G以及7C中，通过涂敷红色光阻(color resist)，在显示区DA中在电泳膜167的基膜150上形成红滤色器层(未示出)。例如，通过旋涂法涂敷红色光阻。在对红滤色器层与对准标记191进行精确对准之后，通过具有透射光的透射区和阻挡光的阻挡区的掩模工序，对红滤色器层进行曝光和显影，以形成红(R)子滤色器170a。红(R)子滤色器170a对应于一些像素区P。由于红色光阻是负型的，红滤色器层中被光照射过的部分保留在基膜150上，而红滤色器层的未照射光的部分被去除。
接着，通过与红(R)子滤色器170a形成工序相同的工序，在基膜150上形成绿(G)子滤色器170b和蓝(B)子滤色器170c。红(R)子滤色器170a、绿(G)子滤色器170b以及蓝(B)子滤色器170c顺序地重复。红(R)子滤色器170a、绿(G)子滤色器170b以及蓝(B)子滤色器170c均设置在各像素区P中。
滤色器层170可以包括红(R)子滤色器170a、绿(G)子滤色器170b和蓝(B)子滤色器170c以及白(W)子滤色器。通过对无色光阻进行涂敷和构图，形成白(W)子滤色器。在此情况下，在矩阵形的四个像素区中设置红(R)、绿(G)、蓝(B)以及白(W)子滤色器。还可以通过喷墨装置来形成子滤色器。利用喷墨装置，可以在没有用于形成各子滤色器的构图工序的情况下将子滤色器形成在各像素区P中。
在形成滤色器层170之前，可以在各像素区P的边界区处形成黑底(未示出)。黑底可以对应于选通线和数据线。在基膜150上涂敷黑树脂层，或者在基膜150上沉积基于黑色的金属材料层。基于黑色的金属材料层可以由铬(Cr)形成。对黑树脂层或基于黑色的金属材料层进行构图，以形成黑底。
在图4H、5H以及6H中，在滤色器层170的上面设置具有透明且柔性性质的塑料材料的钝化片180。在显示区DA的***处沿非显示区NA形成密封图案(未示出)。将钝化片180粘接到基板101上，使得钝化片180覆盖显示区DA。钝化片180露出栅辅助焊盘电极142和数据辅助焊盘电极144。
接着，尽管未示出，沿切割线切割基板101，以去除形成有对准标记191的部分CA。该部分是非显示区NA的外区。将ACF(未示出)粘接到栅辅助焊盘电极142和数据辅助焊盘电极144上，并且该ACF与电连接到外部驱动电路基板(未示出)的TCP(未示出)相粘接。通过上述经调整的工序，获得了根据本发明的电泳显示设备。
图11A到11C是示意性地示出根据本发明的实施方式的电泳显示设备的制造工序的截面图。
在图11A中，在基板101上形成TFT Tr、用于对滤色器层进行对准的对准标记191、钝化层130(其在显示区DA和非显示区NA处的厚度不同)、各像素区P中的像素电极140。由于已经说明了各元件的详细制造步骤，因此略去其说明。在图11A中，在形成选通线(未示出)和TFTTr的栅极(未示出)的步骤中形成对准标记191。
在图11B中，将包括粘接层165、墨层163、公共电极153以及基膜150的电泳膜167粘接在形成有像素电极140的基板101上。电泳膜167对应于显示区DA。在图11B中，墨层163包括多个囊160，并且各个囊160都在其中具有多个染白颗粒156和多个染黑颗粒158。可以通过缩聚反应对染白颗粒156和染黑颗粒158分别充以负电荷和正电荷。然而，墨层163可以仅有染白颗粒156和染黑颗粒158中的一种。在此情况下，省去电泳膜167中的公共电极153，而在基板101上形成公共电极。可以在钝化层130上在与像素电极相同的层上形成公共电极。像素电极具有多个条形，并且公共电极也具有多个条形。将公共电极的条与像素电极的条交替设置。
在图11C中，利用对准标记191在电泳膜167上形成包括顺序地重复的红(R)、绿(G)以及蓝(B)子滤色器的滤色器层170。滤色器层170可以包括红(R)、绿(G)和蓝(B)子滤色器以及白(W)子滤色器。在矩阵形的四个像素区中设置红(R)、绿(G)、蓝(B)以及白(W)子滤色器。
接着，在滤色器层170上形成钝化片180，然后通过沿切割线进行切割，去除基板101的形成有对准标记191的部分。将ACF(未示出)粘接到栅辅助焊盘电极142和数据辅助焊盘电极144上，并且将该ACF与电连接到外部驱动电路基板(未示出)的TCP(未示出)相粘接。通过上述经调整的工序，获得了根据本发明的电泳显示设备100。
在电泳显示设备的上述制造工序中，不需要在相关技术的电泳显示设备的制造工序中必需的载体基板。此外，不需要用于粘接载体基板的粘接层。因此，降低了生产成本。
此外，由于将滤色器层直接形成在电泳膜上，所以不需要用于滤色器层的基板。在此情况下，由于根据本发明的电泳显示设备(其中滤色器层直接位于电泳膜上)的未对准范围(约2微米)小于相关技术的电泳显示设备(其中滤色器层形成在另一基板)的未对准范围(约5微米)，因此在对准性质方面具有优势。
再者，由于不需要针对不必要的元件的分离工序，可以避免例如刮擦的问题。
此外，由于钝化层在显示区和非显示区处存在厚度差，可以避免电短路问题并且可以使寄生电容降至最小。
图12A到12C是分别用于说明根据本发明的实施方式的电泳显示设备在像素区、栅焊盘区以及数据焊盘区中的钝化层的制造工序的截面图。由于只有覆盖TFT的钝化层存在差别，所以将说明集中在该钝化层的制造工序上。
参照图12A到12C，钝化层130具有双层结构。尽管图8A到8C示出了具有双层结构的钝化层130，但是在层叠顺序方面存在差别。在图8A到8C中，像素区P(图8A的)中的钝化层130(图8A的)具有有机绝缘材料的第一层130a(图8A的)和层叠在第一层130a(图8A的)上的无机绝缘材料的第二层130b(图8A的)，而像素区P、栅焊盘区GPA以及数据焊盘区DPA中的钝化层130具有无机绝缘材料的第一层130d和层叠在第一层130d上的有机绝缘材料的第二层130e。例如，第一层130d可以由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)形成，并且第二层130e可以由苯并环丁烯(BCB)或感光亚克力形成。
在图8A到8C中的电泳显示设备中，去除栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130的由无机绝缘材料形成的第二层130b，使得栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130具有有机绝缘材料的第一层130a的单层结构。因此，栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130的厚度小于其在像素区P中的厚度。然而，在图12A到12C中的电泳显示设备中，钝化层130不仅在像素区P中而且在栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中具有双层结构。在此情况下，栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130的由有机绝缘材料形成的第二层130e的厚度小于其在像素区P中的厚度。另一方面，可以将栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130的第二层130e完全去除，使得栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130具有无机绝缘材料的单层结构。
当钝化层130具有作为无机绝缘材料的下层的第一层130d和作为有机绝缘材料的上层130e的第二层130e的双层结构时，不存在用于对钝化层130进行构图的PR层。在没有PR层的情况下，通过对第二层130e进行曝光和显影，直接对钝化层130进行构图。这是因为有机绝缘材料的第二层130e是光敏性的。
即，使用扫描型曝光单元(未示出)，对具有第一层130d和第二层130e的双层结构的钝化层130执行折射曝光工序和半色调曝光工序，或者使用步进型曝光单元(未示出)，对具有第一层130d和第二层130e的双层结构的钝化层130执行包括空白照射的双步曝光工序。然后，对钝化层130的第二层130e进行显影，使得包括像素区P的显示区中的钝化层130的第二层130e具有第一厚度t1，并且包括栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA的非显示区中的钝化层130的第二层130e具有小于第一厚度t1的第二厚度t2。此外，通过去除第二层130e，露出第一层130d中覆盖像素区P中的漏极122、栅焊盘区GPA中的栅焊盘电极107以及数据焊盘区DPA中的数据焊盘电极126中的每一个的部分。然后，对第一层130d中露出的部分进行蚀刻，使得形成贯穿第一层130d分别露出漏极122、栅焊盘电极107以及数据焊盘电极126的漏接触孔132、栅焊盘接触孔134以及数据焊盘接触孔136。在此情况下，钝化层130不仅在像素区P中而且在栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中都具有第一层130d和第二层130e的双层结构。
另一方面，当非显示区中的钝化层130具有单层结构时，在折射曝光工序或半色调曝光工序之后，需要对具有不同厚度的第二层130e进行单道干刻工序。
即，对在像素区P中具有第一厚度t1并且在栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中具有第二厚度t2的第二层130e进行干刻，使得完全去除栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的第二层130e，并且像素区P中的第二层130e具有减小的厚度。结果，像素区P中的钝化层130具有双层结构，而栅焊盘区GPA和数据焊盘区DPA中的钝化层130具有单层结构。
由于后面的工序与参照图8A到8C进行说明的工序基本相同，因此省去对后面工序的说明。
对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的条件下，可以在本发明中做出各种修改和变型。因而，本发明在落入所附权利要求及其等同物的范围内的条件下旨在涵盖本发明的修改和变型。

Claims (19)

1、一种制造电泳显示设备的方法，该方法包括以下步骤：
在具有显示区、非显示区和切割部分的基板上形成栅极、选通线、数据线以及具有半导体层、源极和漏极的薄膜晶体管，在所述显示区中限定有多个像素区，所述非显示区位于所述显示区的***，所述切割部分位于所述非显示区的外区，所述选通线与所述数据线彼此交叉以限定所述像素区，所述薄膜晶体管连接到所述选通线和所述数据线；
在所述基板的包括所述栅极和所述选通线的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述薄膜晶体管的上面形成钝化层；
在所述钝化层上在各个像素区中形成像素电极，该像素电极连接到所述薄膜晶体管的所述漏极；
在所述切割部分中形成对准标记；
将包括粘接层、具有带电颗粒的墨层、公共电极以及基膜的电泳膜粘接在所述像素电极上，所述墨层设置在所述粘接层与所述基膜之间，所述粘接层位于所述像素电极上，所述带电颗粒包括白色的被充以负电荷的子颗粒和黑色的被充以正电荷的子颗粒；
使用所述对准标记在所述基膜上形成滤色器层，所述滤色器层对应于所述显示区，所述对准标记是用于对所述滤色器层与所述像素区进行对准的；以及
在所述滤色器层上并且与所述显示区相对应地形成钝化片，
其中所述形成所述对准标记的步骤与以下步骤之一同时执行的：所述形成所述选通线的步骤、所述形成所述数据线的步骤以及所述形成所述像素电极的步骤。
2、根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在所述形成所述钝化片的步骤之后去除所述切割部分。
3、根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述非显示区中在所述基板上形成栅焊盘电极；以及
在所述非显示区中在所述栅绝缘层上形成数据焊盘电极，
其中所述栅焊盘电极和所述数据焊盘电极分别连接到所述选通线的端部和所述数据线的端部。
4、根据权利要求3所述的方法，其中所述钝化层包括露出所述漏极的漏接触孔、露出所述栅焊盘电极的栅焊盘接触孔以及露出所述数据焊盘电极的数据焊盘接触孔。
5、根据权利要求4所述的方法，其中所述钝化层包括具有有机绝缘材料层和无机绝缘材料层的双层结构，所述显示区中的所述有机绝缘材料层比所述非显示区中的所述有机绝缘材料层更厚。
6、根据权利要求5所述的方法，其中所述形成所述像素电极的步骤包括以下步骤：形成通过所述栅焊盘接触孔接触所述栅焊盘电极的栅辅助焊盘电极和通过所述数据焊盘接触孔接触所述数据焊盘电极的数据辅助焊盘电极。
7、根据权利要求1所述的方法，其中所述对准标记包括位于三个侧边的第一、第二以及第三子对准标记。
8、根据权利要求7所述的方法，其中所述对准标记的位置是以下位置中的一种：直接位于所述基板上、直接位于所述栅绝缘层上以及直接位于所述钝化层上。
9、一种电泳显示设备，该电泳显示设备包括：
位于基板上的选通线，所述基板具有限定有多个像素区的显示区和位于所述显示区的***的非显示区；
位于所述基板上的所述非显示区中的栅焊盘电极，该栅焊盘电极连接到所述选通线的端部；
位于所述基板的包括所述选通线的整个表面上的栅绝缘层；
位于所述选通线上并与所述选通线交叉以限定所述像素区的数据线；
薄膜晶体管，其包括连接到所述选通线的栅极、位于所述栅绝缘层上且对应于所述栅极的半导体层、连接到所述数据线且设置在所述半导体层上的源极、以及与所述源极隔开且设置在所述半导体层上的漏极；
位于所述栅绝缘层上的所述非显示区中且连接到所述数据线的端部的数据焊盘电极；
位于所述薄膜晶体管上面且包括漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔的钝化层，所述钝化层在所述显示区中具有第一厚度并且在所述非显示区中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔分别露出所述漏极、所述栅焊盘电极以及所述数据焊盘电极，所述钝化层包括具有有机绝缘材料层和无机绝缘材料层的双层结构，并且所述显示区中的所述有机绝缘材料层比所述非显示区中的所述有机绝缘材料层更厚；
位于各个像素区中的钝化层上的像素电极，该像素电极通过所述漏接触孔接触所述漏极；
位于所述像素电极上且对应于所述显示区的电泳膜；
位于所述电泳膜上的滤色器层；以及
位于所述滤色器层上的钝化片。
10、根据权利要求9所述的电泳显示设备，其中所述电泳膜包括位于所述像素电极上的粘接层、位于所述粘接层上的具有带电颗粒的墨层、位于所述墨层上的公共电极、以及位于所述公共电极上的基膜。
11、根据权利要求10所述的电泳显示设备，其中所述带电颗粒包括位于多个囊中的每一个囊中的白色的被充以负电荷的子颗粒和黑色的被充以正电荷的子颗粒。
12、根据权利要求9所述的电泳显示设备，该电泳显示设备还包括：
位于所述显示区中且位于所述基板上的第一存储电极；以及
位于所述显示区中且位于所述栅绝缘层上的第二存储电极。
13、根据权利要求9所述的电泳显示设备，该电泳显示设备还包括：
位于所述钝化层上的所述非显示区中的栅辅助焊盘电极，所述栅辅助焊盘电极通过所述栅焊盘接触孔接触所述栅焊盘电极；
位于所述钝化层上的所述非显示区中的数据辅助焊盘电极，所述数据辅助焊盘电极通过所述数据焊盘接触孔接触所述数据焊盘电极；以及
将外部驱动电路连接到所述栅辅助焊盘电极和所述数据辅助焊盘电极中的至少一个的导电球。
14、一种电泳显示设备，该电泳显示设备包括：
位于基板上的选通线，所述基板具有限定有多个像素区的显示区和位于所述显示区的***的非显示区；
位于所述基板上的所述非显示区中的栅焊盘电极，该栅焊盘电极连接到所述选通线的端部；
位于所述基板的包括所述选通线的整个表面上的栅绝缘层；
位于所述选通线上并与所述选通线交叉以限定所述像素区的数据线；
薄膜晶体管，其包括连接到所述选通线的栅极、位于所述栅绝缘层上且对应于所述栅极的半导体层、连接到所述数据线且设置在所述半导体层上的源极、以及与所述源极隔开且设置在所述半导体层上的漏极；
位于所述栅绝缘层上的所述非显示区中且连接到所述数据线的端部的数据焊盘电极；
位于所述薄膜晶体管上面且包括漏接触孔、栅焊盘接触孔以及数据焊盘接触孔的钝化层，所述钝化层在所述显示区中具有第一厚度并且在所述非显示区中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接触孔、所述栅焊盘接触孔以及所述数据焊盘接触孔分别露出所述漏极、所述栅焊盘电极以及所述数据焊盘电极，所述钝化层在所述显示区中包括具有第一无机绝缘材料层、有机绝缘材料层以及第二无机绝缘材料层的三层结构；
位于各个像素区中的钝化层上的像素电极，该像素电极通过所述漏接触孔接触所述漏极；
位于所述像素电极上且对应于所述显示区的电泳膜；
位于所述电泳膜上的滤色器层；以及
位于所述滤色器层上的钝化片。
15、根据权利要求14所述的电泳显示设备，其中所述电泳膜包括位于所述像素电极上的粘接层、位于所述粘接层上的具有带电颗粒的墨层、位于所述墨层上的公共电极、以及位于所述公共电极上的基膜。
16、根据权利要求15所述的电泳显示设备，其中所述带电颗粒包括位于多个囊中的每一个囊中的白色的被充以负电荷的子颗粒和黑色的被充以正电荷的子颗粒。
17、根据权利要求14所述的电泳显示设备，该电泳显示设备还包括：
位于所述显示区中且位于所述基板上的第一存储电极；以及
位于所述显示区中且位于所述栅绝缘层上的第二存储电极。
18、根据权利要求14所述的电泳显示设备，该电泳显示设备还包括：
位于所述钝化层上的所述非显示区中的栅辅助焊盘电极，所述栅辅助焊盘电极通过所述栅焊盘接触孔接触所述栅焊盘电极；
位于所述钝化层上的所述非显示区中的数据辅助焊盘电极，所述数据辅助焊盘电极通过所述数据焊盘接触孔接触所述数据焊盘电极；以及
将外部驱动电路连接到所述栅辅助焊盘电极和所述数据辅助焊盘电极中的至少一个的导电球。
19、根据权利要求14所述的电泳显示设备，其中所述钝化层在所述非显示区中包括具有所述第一无机绝缘材料层和所述有机绝缘材料层的双层结构。
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